JPH05198703A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有しているエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止してい
る。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ジヒドロキシナフタリン骨格を１分子中に１個以
上含むノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 【効果】 熱サイクルテストによつて評価される特性が
向上し装置が長寿命になる。また、パツケージ吸湿後、
半田浸漬時においてもパツケージクラツクが生じない。
特に、上記のようなエポキシ樹脂組成物を用いての樹脂
封止は、大形の半導体装置において、高信頼性が得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、信頼性に優れた半導
体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子は、従来から、セラミツクパツケージ等によつて
封止され、半導体装置化されていたが、最近では、コス
ト，量産性の観点から、プラスチツクパツケージを用い
た樹脂封止が主流になつている。この種の樹脂封止に
は、従来からエポキシ樹脂が使用されており良好な成績
を収めている。しかしながら、半導体分野の技術革新に
よつて集積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線
の微細化が進み、パツケージも小形化，薄形化する傾向
にあり、これに伴つて封止材料に対してより以上の信頼
性（得られる半導体装置の熱応力の低減，耐湿信頼性，
耐熱衝撃試験に対する信頼性等）の向上が強く要望され
ている。特に、近年、半導体素子サイズはますます大形
化する傾向にあり、半導体封止樹脂の性能を評価する加
速試験である熱サイクル試験（ＴＣＴテスト）に対する
より以上の性能の向上が要求されている。また、装置の
小形化に伴い基板に対する半導体パツケージの実装方法
も従来の挿入実装型から表面実装型が主流になつてきて
いる。このような、表面実装法によつてパツケージを実
装する場合、実装時にパツケージ全体が高温にさらされ
るために、半導体パツケージ自体が吸湿していても半田
溶融液に浸漬する表面実装時においてクラツクやふくれ
が発生しないといつた特性が要求されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような要求に関し
て、従来からＴＣＴテストによつて評価される各特性の
向上のために、例えばシリコーン化合物を用いてエポキ
シ樹脂を変性して熱応力を低減させることが検討されて
いる。また、半田浸漬時の耐クラツク性の向上のために
リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させる等が
検討されているが、両者とも未だ充分な効果は得られて
いないのが実情である。

【０００４】このように、これまでの封止用エポキシ樹
脂組成物では、ＴＣＴテストの結果や半田浸漬時の耐ク
ラツク性の両特性が満足のいくものではない。このた
め、上記技術革新による半導体素子サイズの大形化や表
面実装化に対応できるように、上記両特性の向上が強く
望まれている。

【０００５】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、ＴＣＴテストによつて評価される各特性およ
び半田浸漬時の耐クラツク性等の双方に優れていて高い
信頼性を有する半導体装置の提供をその目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素
子を封止するという構成をとる。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ジヒドロキシナフタリン骨格を１分子中に１個以
上含むノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。

【０００７】

【作用】すなわち、本発明者らは、ＴＣＴテストによつ
て評価される各特性および半田浸漬時の耐クラツク性に
優れた封止樹脂を得るために一連の研究を重ねた。その
結果、上記のような特殊な骨格構造を有するノボラツク
型フエノール樹脂を用いると、ＴＣＴテストで評価され
る特性および半田浸漬時の耐クラツク特性の双方に優れ
た封止樹脂が得られることを見出し、この発明に到達し
た。特に、上記Ｂ成分のジヒドロキシナフタリン骨格を
１分子中に１個以上含むノボラツク型フエノール樹脂と
して、下記の一般式（１）で表されるジヒドロキシナフ
タリンと下記の一般式（２）〜（６）のアルデヒド類の
適宜のアルデヒド類とを縮合させて得られたものを用い
ると耐熱，耐湿信頼性の一層の向上効果が得られるよう
になる。

【０００８】

【化１１】

【０００９】Ｒ−ＣＨＯ …（２） 〔上記式（２）において、Ｒは水素原子，炭素数１０以
下のアルキル基，フエニル基またはハロゲン含有フエニ
ル基である。〕

【００１０】

【化１２】 〔上記式（３）において、ａは０または１〜１０の整数
である。〕

【００１１】Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨＯ …（４） 〔上記式（４）において、Ｒは水素原子，炭素数１０以
下のアルキル基，フエニル基またはハロゲン含有フエニ
ル基である。〕

【００１２】

【化１３】 〔上記式（５）において、Ｒは水素原子または炭素数１
０以下のアルキル基である。〕

【００１３】

【化１４】

【００１４】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、特殊なノボラツク型フ
エノール樹脂（Ｂ成分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）と
を用いて得られるものであり、通常、粉末状あるいはこ
れを打錠したタブレツト状になつている。

【００１５】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、２
個以上のエポキシ基を有するものであれば特に分子量，
分子構造等に制限するものではなく従来公知のものが用
いられる。例えば、ビスフエノールＡ型，フエノールノ
ボラツク型，クレゾールノボラツク型等が用いられる。
これら樹脂のなかでも融点が室温を超えており、室温下
では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈するものが好結
果をもたらす。上記ノボラツク型エポキシ樹脂として
は、通常、エポキシ当量１６０〜２５０、軟化点５０〜
１３０℃のものが用いられ、クレゾールノボラツク型エ
ポキシ樹脂としてはエポキシ当量１８０〜２１０，軟化
点６０〜１１０℃のものが一般に用いられる。具体的に
は、下記の一般式（９）〜（１１）で表されるエポキシ
樹脂があげられ、単独でもしくは併せて用いられる。

【００１６】

【化１５】 〔上記式において、Ｒはグリシジル基であつて、エポキ
シ当量：１９５，軟化点：８５℃のエポキシ樹脂であ
る。〕

【００１７】

【化１６】 〔上記式において、Ｒはグリシジル基であつて、エポキ
シ当量：２６３，軟化点：８２℃のエポキシ樹脂であ
る。〕

【００１８】

【化１７】 〔上記式において、Ｒはグリシジル基であつて、エポキ
シ当量：２３４，軟化点：８５℃のエポキシ樹脂であ
る。〕

【００１９】なお、上記一般式（１０）において、繰り
返し数ｎで示される部分のうち、ナフタリン環からのび
る結合手は、下記の式（ａ），（ｂ）または（ｃ）で表
される態様を含む趣旨である。

【００２０】

【化１８】

【００２１】

【化１９】

【００２２】

【化２０】

【００２３】さらに、一般式（１０）の分子鎖の両端の
ナフタリン環からのびる結合手は、下記の式（ｄ）およ
び（ｅ）で表される態様の双方を含む趣旨である。以
下、同様に表す。

【００２４】

【化２１】

【００２５】

【化２２】

【００２６】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用い
られる特殊なノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）と
しては、例えば下記の一般式（１２）で表される繰り返
し単位を主成分とするものがあげられる。下記の一般式
（１２）において、繰り返し数ｎで示されるフエノール
成分と、繰り返し数ｍで示されるジヒドロキシナフタリ
ン成分との縮合の態様は、交互，ランダム，ブロツク等
特に問わないが、その多くは交互縮合の態様になる。な
お、下記の一般式（１２）において、ジヒドロキシナフ
タリン成分の部分を、この発明では「ジヒドロキシナフ
タリン骨格」という。

【００２７】

【化２３】 〔上記式（１２）において、ＸはＨまたはＣＨ₃ であ
る。〕

【００２８】上記一般式（１２）において、繰り返し数
ｎとしては０≦ｎ≦１０の範囲、繰り返し数ｍとしては
１≦ｍ≦２０の範囲が好ましく、しかもｎ＋ｍの値とし
て２≦ｎ＋ｍ≦２０の範囲が好ましい。このようなノボ
ラツク型フエノール樹脂の一例として、下記の構造式
（１３）で表される三核体のものや下記の一般式（１
４）で表されるものが好適に用いられる。

【００２９】

【化２４】

【００３０】

【化２５】 〔特に、上記一般式（１４）において、ｎ＝０，Ｒ＝ｐ
−オキシフエニル基であることがより好ましい。〕

【００３１】このようなノボラツク型フエノール樹脂
は、例えば、ジヒドロキシナフタリンとフエノール成分
（クレゾールも含む）とをアルデヒド成分を介し反応さ
せてジヒドロキシナフタリン−クレゾール重合体を作製
し、これをエピクロルヒドリンと反応させることにより
得られる。上記ジヒドロキシナフタリン−クレゾール重
合体の重合度は２〜５の範囲が好ましい。上記ジヒドロ
キシナフタリンとしては、１，６−ジヒドロキシナフタ
リンおよび２，７−ジヒドロキシナフタリンがあげられ
る。また、上記フエノール成分には、先に述べたよう
に、フエノールのみならずクレゾールも含まれる。そし
て、上記クレゾールとしては、ｐ−クレゾールおよびｏ
−クレゾールがあげられる。さらに、上記アルデヒド成
分としては、ホルムアルデヒドが好適にあげられるが、
これに限定するものではなく、これ以外のアルデヒドを
用いてもよい。上記ジヒドロキシナフタリンとフエノー
ル成分との使用割合は、ジヒドロキシナフタリン１モル
に対してフエノール成分を０．２〜２モルの割合に設定
するのが好ましく、特に好ましくは０．４〜０．６モル
である。そして、上記ジヒドロキシナフタリンとクレゾ
ールの組み合わせにおいては、１，６−ジヒドロキシナ
フタリンとｐ−クレゾールの組み合わせが好適である。

【００３２】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と特殊なノボ
ラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）との相互の配合割合
は、上記エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり特殊
なノボラツク型フエノール樹脂中の水酸基が０．８〜
１．２当量となるように配合することが好ましい。

【００３３】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）および特殊な
ノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いら
れる無機質充填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するも
のではなく、従来公知のものが用いられ、例えば石英ガ
ラス，タルク，シリカ粉末およびアルミナ粉末等があげ
られる。なかでも、シリカ粉末を用いるのが好適であ
る。このような無機質充填剤（Ｃ成分）の含有量は、例
えばシリカ粉末を用いる場合、エポキシ樹脂組成物全体
の５０重量％（以下「％」と略す）以上になるように設
定するのが好適である。より好適なのは７０％以上であ
り、特に好適なのは８０％以上である。すなわち、無機
質充填剤の含有量が５０％を下回るとＴＣＴテストによ
つて評価される特性および半田浸漬時の耐クラツク性の
向上効果が大幅に低下する傾向がみられるからである。

【００３４】また、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分に加えて、内部応力の低減
のためにシリコーン化合物を用いるのが好ましい。上記
シリコーン化合物としては、下記の一般式（７）および
（８）で表されるものがあげられ、単独でもしくは併用
される。

【００３５】

【化２６】

【００３６】このようなシリコーン化合物の配合量は、
エポキシ樹脂組成物全体の５％以下になるように設定す
るのが好ましい。特に好ましくは０．５〜３％の範囲内
である。

【００３７】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記各成分以外に必要に応じて、他の添加
剤として硬化促進剤である従来公知の三級アミン，四級
アンモニウム塩，イミダゾール類およびホウ素化合物等
が適宜配合される。これらは単独でもしくは併せて用い
られる。さらに、三酸化アンチモン，リン系化合物等の
難燃剤や顔料、シランカツプリング剤等のカツプリング
剤等を配合することができる。

【００３８】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、まず上記Ａ〜Ｃ成分，シリコーン化合物および
他の添加剤を所定の割合で配合する。ついで、これら配
合物をミキシングロール機等の混練機にかけ、加熱状態
で溶融混練してこれを室温に冷却した後、公知の手段に
よつて粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程
を経ることによつて製造することができる。また、各成
分の配合に先立つて、前記シリコーン化合物を用いて上
記Ａ成分またはＢ成分を変性し、この変性物と残りの成
分を配合するようにしてもよい。

【００３９】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止等は特に限定するものではなく、通常
のトランスフアー成形等の公知のモールド方法によつて
行うことができる。

【００４０】このようにして得られる半導体装置は、前
記特殊な骨格構造を有するノボラツク型フエノール樹脂
（Ｂ成分）を含有するため、ＴＣＴテストで評価される
特性が向上し、また半田浸漬時における優れた耐クラツ
ク性を有している。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊な骨格構造を有するノボラツク型フエノール樹
脂（Ｂ成分）を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて
樹脂封止されているため、ＴＣＴテストによつて評価さ
れる特性が向上し長寿命になる。また、吸湿後、半田浸
漬時においてもパツケージクラツクが生じない。特に、
上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、８ピ
ン以上、特に１６ピン以上の、もしくは半導体素子の長
辺が４mm以上の大形の半導体装置において、上記のよう
な高信頼性が得られるようになり、これが大きな特徴で
ある。

【００４２】つぎに、実施例について、請求項１，４に
対応する実施例と、請求項２，５に対応する実施例につ
いて分けて説明する。

【００４３】まず、請求項１，４に対応する実施例につ
いて説明する。この実施例に先立つて、下記に示す６種
類のシリコーン化合物ａ〜ｆを準備した。

【００４４】〔シリコーン化合物ａ〕

【化２７】 エポキシ当量：１８００

【００４５】〔シリコーン化合物ｂ〕

【化２８】 エポキシ当量３０００

【００４６】〔シリコーン化合物ｃ〕

【化２９】 エポキシ当量１００００

【００４７】〔シリコーン化合物ｄ〕

【化３０】 エポキシ当量７０００

【００４８】〔シリコーン化合物ｅ〕

【化３１】 アミン当量３８００

【００４９】〔シリコーン化合物ｆ〕

【化３２】 カルボキシル当量３３００

【００５０】なお、上記シリコーン化合物ａ〜ｆにおい
て、ｎの値は、シリコーン化合物ａでは４０、シリコー
ン化合物ｂでは６０、シリコーン化合物ｃでは９、シリ
コーン化合物ｄでは２９、シリコーン化合物ｆでは８７
である。ｍの値は、シリコーン化合物ｃでは９である。
Ｘの値は、シリコーン化合物ｃでは１５６、シリコーン
化合物ｄでは１５２、シリコーン化合物ｅでは１４８で
ある。Ｙの値は、シリコーン化合物ｃでは２、シリコー
ン化合物ｄでは３、シリコーン化合物ｅでは３である。
Ｚの値は、シリコーン化合物ｃでは４、シリコーン化合
物ｄでは５である。

【００５１】

【実施例１〜２４】上記シリコーン化合物ａ〜ｆおよび
下記の表１〜表６に示した各成分を、同表に示す割合で
配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）で３分間
溶融混練を行つた。つぎに、これを冷却固化した後、粉
砕して目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。

【００５２】なお、下記の表１〜表６中のエポキシ樹脂
はｏ−クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂（エポキシ
当量１９５，軟化点８０℃）を用い、フエノール樹脂Ａ
は１，６−ジヒドロキシナフタリンとｐ−クレゾールを
成分とし、モル比２／１でホルムアルデヒド縮合により
得られたノボラツク型フエノール樹脂（水酸基当量１５
１，軟化点１１５℃）、フエノール樹脂Ｂは１，６−ジ
ヒドロキシナフタリンとｏ−クレゾールを成分とし、モ
ル比２／１でホルムアルデヒド縮合により得られたノボ
ラツク型フエノール樹脂（水酸基当量１７８，軟化点１
０８℃）、フエノール樹脂Ｃは２，７−ジヒドロキシナ
フタリンとｐ−クレゾールを成分とし、モル比２／１で
ホルムアルデヒド縮合により得られたノボラツク型フエ
ノール樹脂（水酸基当量１６５，軟化点１１８℃）、フ
エノール樹脂Ｄは２，７−ジヒドロキシナフタリンとｏ
−クレゾールを成分とし、モル比２／１でホルムアルデ
ヒド縮合により得られたノボラツク型フエノール樹脂
（水酸基当量１８２，軟化点１１２℃）、フエノール樹
脂Ｅは１，６−ジヒドロキシナフタリンをホルムアルデ
ヒドで縮合したもの（水酸基当量８５，軟化点１２５
℃）である。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【表２】

【００５５】

【表３】

【００５６】

【表４】

【００５７】

【表５】

【００５８】

【表６】

【００５９】

【比較例１〜３】特殊なノボラツク型フエノール樹脂に
代えてに従来から用いられているフエノールノボラツク
樹脂（水酸基当量１０５，軟化点８０℃）を用い、下記
の表７に示した各成分を、同表に示す割合で配合した。
それ以外は実施例１と同様にして目的とする粉末状エポ
キシ樹脂組成物を得た。なお、表７中のエポキシ樹脂は
ｏ−クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂（エポキシ当
量１９５，軟化点８０℃）である。

【００６０】

【表７】

【００６１】以上の実施例および比較例によつて得られ
た粉末状エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラ
ンスフアー成形（条件：１７５℃×２分，１７５℃×５
時間後硬化）することにより半導体装置を得た。このパ
ツケージは８０ピンＱＦＰ（クワツドフラツトパツケー
ジ，サイズ：２０×１４×２mm）であり、ダイパツドサ
イズは８×８mmである。

【００６２】このようにして得られた半導体装置につい
て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分のサイクル数を変
えてＴＣＴテストを行いパツケージクラツクの発生数を
測定した。また、８５℃／８５％ＲＨの恒温槽中に吸湿
時間を変え放置して吸湿させた後に、２６０℃の半田溶
融液に１０秒間浸漬する試験を行い、パツケージクラツ
クの発生数を測定した。これらの結果を下記の表８〜表
１１に示した。

【００６３】

【表８】

【００６４】

【表９】

【００６５】

【表１０】

【００６６】

【表１１】

【００６７】上記表８〜表１１の結果から、比較例品は
ＴＣＴテストではサイクル数が多くなるにつれてパツケ
ージクラツクが発生し、また半田浸漬時の耐クラツク性
テストでは吸湿時間が４８時間で全てのパツケージにク
ラツクが生じた。これに対して、実施例品はＴＣＴテス
トおよび半田浸漬時の耐クラツク性テストの両テストに
おいて、比較例品に比べてクラツクの発生数が少なかつ
た。このことから、実施例品はＴＣＴテストおよび半田
浸漬時の耐クラツク性に優れていることがわかる。

【００６８】つぎに、請求項２，５に対応する実施例に
ついて説明する。この実施例に先立つて、下記に示す３
種類のエポキシ樹脂〜を準備した。

【００６９】〔エポキシ樹脂〕

【化３３】 〔上記式において、Ｒはグリシジル基であつて、エポキ
シ当量：１９５，軟化点：８５℃のエポキシ樹脂であ
る。〕

【００７０】〔エポキシ樹脂〕

【化３４】 〔上記式において、Ｒはグリシジル基であつて、エポキ
シ当量：２６３，軟化点：８２℃のエポキシ樹脂であ
る。〕

【００７１】〔エポキシ樹脂〕

【化３５】 〔上記式において、Ｒはグリシジル基であつて、エポキ
シ当量：２３４，軟化点：８５℃のエポキシ樹脂であ
る。〕

【００７２】つぎに、硬化剤として、下記に示す３種類
のノボラツク型フエノール樹脂〜を準備した。

【００７３】〔フエノール樹脂〕

【化３６】 〔上記式において、ｎ＝０，Ｒ＝Ｈであつて、フエノー
ル当量：８４，軟化点：７６℃のフエノール樹脂であ
る。〕

【００７４】〔フエノール樹脂〕

【化３７】 〔上記式において、ｎ＝０，Ｒ＝ｐ−ヒドロキシフエニ
ル基であつて、フエノール当量：１２１，軟化点：８９
℃のフエノール樹脂である。〕

【００７５】〔フエノール樹脂〕

【化３８】 〔上記式において、ｎ＝３，Ｒ＝Ｈであつて、フエノー
ル当量：８６，軟化点：９３℃のフエノール樹脂であ
る。〕

【００７６】また、下記に示す１種類のシリコーン化合
物を準備した。

【００７７】〔シリコーン化合物〕

【化３９】

【００７８】

【実施例２５〜３４】つぎに、上記エポキシ樹脂，フエ
ノール樹脂，シリコーン化合物ならびに後記の表１２，
表１３に示した各成分を同表に示す割合で配合し、ミキ
シングロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練を行
つた。つぎに、これを冷却固化した後、粉砕して目的と
する粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。なお、前記一般
式（１６）で示すシリコーン化合物を使用する場合に
は、上記混練前に予め硬化剤であるフエノール樹脂と上
記シリコーン化合物を溶融状態（１７５℃）で反応させ
て変性フエノール樹脂を作製し、この変性フエノール樹
脂と残つた各原料を配合するようにした。

【００７９】

【比較例４〜６】エポキシ樹脂として、ｏ−クレゾール
ノボラツク型エポキシ樹脂を用い、フエノール樹脂とし
て、ノボラツク型フエノール樹脂を用い、かつシリカの
使用量を同表に示すように変えた。それ以外は、実施例
２５と同様にして粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。

【００８０】

【表１２】

【００８１】

【表１３】

【００８２】

【表１４】

【００８３】以上の実施例および比較例によつて得られ
た粉末状エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラ
ンスフアー成形（条件：１７５℃×２分，１７５℃×５
時間後硬化）することにより半導体装置を得た。このパ
ツケージは８０ピンＱＦＰ（クワツドフラツトパツケー
ジ，サイズ：２０×１４×２mm）であり、ダイパツドサ
イズは８×８mmである。

【００８４】このようにして得られた半導体装置につい
て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分のサイクル数を変
えてＴＣＴテストを行いパツケージクラツクの発生数を
測定した。また、８５℃／８５％ＲＨの恒温槽中に吸湿
時間を変え放置して吸湿させた後に、２６０℃の半田溶
融液に１０秒間浸漬する試験を行い、パツケージクラツ
クの発生数を測定した。

【００８５】これらの結果を後記の表１５，表１６に示
した。

【００８６】

【表１５】

【００８７】

【表１６】

【００８８】表１５，表１６の結果から、実施例品のＴ
ＣＴテストおよび半田溶融液への浸漬時の耐クラツク性
が、比較例の従来品に比べて著しく優れていることが明
らかである。また、シリコーン化合物を添加することに
より、さらに特性の向上が認められた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 潔 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 中村 吉伸 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 ▲吉▼田 司 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有してい
   るエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してな
   る半導体装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ジヒドロキシナフタリン骨格を１分子中に１個以
   上含むノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。
2. 【請求項２】 上記（Ｂ）のジヒドロキシナフタリン骨
   格を１分子中に１個以上含むノボラツク型フエノール樹
   脂が、下記の一般式（１）で表されるジヒドロキシナフ
   タリンと、下記の一般式（２）〜（６）で表されるアル
   デヒド類から選択された少なくとも一つの化合物とを縮
   合させて得られるものである請求項１記載の半導体装
   置。 【化１】 Ｒ−ＣＨＯ …（２） 〔上記式（２）において、Ｒは水素原子，炭素数１０以
   下のアルキル基，フエニル基またはハロゲン含有フエニ
   ル基である。〕 【化２】 〔上記式（３）において、ａは０または１〜１０の整数
   である。〕 Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨＯ …（４） 〔上記式（４）において、Ｒは水素原子，炭素数１０以
   下のアルキル基，フエニル基またはハロゲン含有フエニ
   ル基である。〕 【化３】 〔上記式（５）において、Ｒは水素原子または炭素数１
   ０以下のアルキル基である。〕 【化４】
3. 【請求項３】 上記エポキシ樹脂組成物に、上記（Ａ）
   〜（Ｃ）成分とともに下記の一般式（７）で表されるシ
   リコーン化合物および一般式（８）で表されるシリコー
   ン化合物の少なくとも一方が含有されている請求項１ま
   たは２記載の半導体装置。 【化５】
4. 【請求項４】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有してい
   る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ジヒドロキシナフタレン骨格を１分子中に１個以
   上含むノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。
5. 【請求項５】 上記（Ｂ）のジヒドロキシナフタリン骨
   格を１分子中に１個以上含むノボラツク型フエノール樹
   脂が、下記の一般式（１）で表されるジヒドロキシナフ
   タリンと、下記の一般式（２）〜（６）で表されるアル
   デヒド類から選択された少なくとも一つの化合物とを縮
   合させて得られる請求項４記載の半導体装置。 【化６】 Ｒ−ＣＨＯ …（２） 〔上記式（２）において、Ｒは水素原子，炭素数１０以
   下のアルキル基，フエニル基またはハロゲン含有フエニ
   ル基である。〕 【化７】 〔上記式（３）において、ａは０または１〜１０の整数
   である。〕 Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨＯ …（４） 〔上記式（４）において、Ｒは水素原子，炭素数１０以
   下のアルキル基，フエニル基またはハロゲン含有フエニ
   ル基である。〕 【化８】 〔上記式（５）において、Ｒは水素原子または炭素数１
   ０以下のアルキル基である。〕 【化９】
6. 【請求項６】 上記エポキシ樹脂組成物に、上記（Ａ）
   〜（Ｃ）成分とともに下記の一般式（７）および（８）
   で表されるシリコーン化合物の少なくとも一方が含有さ
   れている請求項４または５記載の半導体封止用エポキシ
   樹脂組成物。 【化１０】