JP3438965B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP3438965B2 JP3438965B2 JP26049694A JP26049694A JP3438965B2 JP 3438965 B2 JP3438965 B2 JP 3438965B2 JP 26049694 A JP26049694 A JP 26049694A JP 26049694 A JP26049694 A JP 26049694A JP 3438965 B2 JP3438965 B2 JP 3438965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- chemical
- resin
- formula
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、信頼性に優れた樹脂
封止型半導体装置に関し、さらに詳述すれば各種半導体
装置において、熱サイクルテストによって引き起こされ
るパッケージクラックや半田浸漬時の耐クラック性に優
れ、さらにプリント配線板またはヒートシンクに半導体
素子が固定され片面樹脂封止された半導体装置において
は、樹脂封止後の反りが小さい樹脂封止型半導体装置に
関するものである。
封止型半導体装置に関し、さらに詳述すれば各種半導体
装置において、熱サイクルテストによって引き起こされ
るパッケージクラックや半田浸漬時の耐クラック性に優
れ、さらにプリント配線板またはヒートシンクに半導体
素子が固定され片面樹脂封止された半導体装置において
は、樹脂封止後の反りが小さい樹脂封止型半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子は、従来、セラミックパッケージ等によって封止
され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト，
量産性の観点から、プラスチックパッケージを用いた樹
脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従
来からエポキシ樹脂が使用されており良好な成績を収め
ている。しかしながら、半導体分野の技術革新によって
集積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線の微細
化が進み、パッケージも小形化，薄形化する傾向にあ
り、これに伴って封止材料に対してより以上の信頼性
（得られる半導体装置の熱応力の低減，耐湿信頼性，耐
熱衝撃試験に対する信頼性等）の向上が要求されてい
る。特に、近年、半導体素子サイズは益々大形化する傾
向にあり、半導体封止樹脂の性能評価用の加速試験であ
る熱サイクル試験（以下「ＴＣＴテスト」と称す）に対
するより以上の性能の向上が要求されている。また、半
導体パッケージの実装方法として表面実装が主流となっ
てきており、このために半導体パッケージを吸湿させた
上で半田溶融液に浸漬してもパッケージにクラックや膨
れが発生しないという特性（耐リフロークラック性）が
要求されるとともに、この表面実装を想定した半導体パ
ッケージ吸湿後の半田溶融液浸漬後の封止材の信頼性が
要求されている。また、近年、半導体素子をプリント配
線板またはヒートシンク（放熱板）に固定し、その片面
を樹脂封止したパッケージも量産されている。このよう
なパッケージに関しては上記の要求特性以外に、封止樹
脂と、プリント配線板およびヒートシンク等の線膨脹係
数の差により発生する反りの低減も大きく要求されてき
た。
体素子は、従来、セラミックパッケージ等によって封止
され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト，
量産性の観点から、プラスチックパッケージを用いた樹
脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従
来からエポキシ樹脂が使用されており良好な成績を収め
ている。しかしながら、半導体分野の技術革新によって
集積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線の微細
化が進み、パッケージも小形化，薄形化する傾向にあ
り、これに伴って封止材料に対してより以上の信頼性
（得られる半導体装置の熱応力の低減，耐湿信頼性，耐
熱衝撃試験に対する信頼性等）の向上が要求されてい
る。特に、近年、半導体素子サイズは益々大形化する傾
向にあり、半導体封止樹脂の性能評価用の加速試験であ
る熱サイクル試験（以下「ＴＣＴテスト」と称す）に対
するより以上の性能の向上が要求されている。また、半
導体パッケージの実装方法として表面実装が主流となっ
てきており、このために半導体パッケージを吸湿させた
上で半田溶融液に浸漬してもパッケージにクラックや膨
れが発生しないという特性（耐リフロークラック性）が
要求されるとともに、この表面実装を想定した半導体パ
ッケージ吸湿後の半田溶融液浸漬後の封止材の信頼性が
要求されている。また、近年、半導体素子をプリント配
線板またはヒートシンク（放熱板）に固定し、その片面
を樹脂封止したパッケージも量産されている。このよう
なパッケージに関しては上記の要求特性以外に、封止樹
脂と、プリント配線板およびヒートシンク等の線膨脹係
数の差により発生する反りの低減も大きく要求されてき
た。
【０００３】これに関して、従来から、ＴＣＴテストで
評価される各特性および反りの向上のためにシリコーン
化合物でエポキシ樹脂を変性して熱応力を低減させるこ
とが検討されている。また、半田浸漬時の耐クラック性
の向上のためにリードフレームとの密着性の向上等も検
討されてきたが、その効果は未だ充分ではない。
評価される各特性および反りの向上のためにシリコーン
化合物でエポキシ樹脂を変性して熱応力を低減させるこ
とが検討されている。また、半田浸漬時の耐クラック性
の向上のためにリードフレームとの密着性の向上等も検
討されてきたが、その効果は未だ充分ではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
での封止用エポキシ樹脂組成物は、ＴＣＴテストの結果
や半田浸漬時の耐クラック性、また半導体素子をプリン
ト配線板やヒートシンクに固定しその片面を樹脂封止し
たパッケージ（片面樹脂封止型パッケージ）での反り特
性が充分ではなかった。このために、上記の技術革新に
よる半導体素子サイズの大形化や特殊パッケージ構造や
表面実装化に対応できるように、上記の特性を向上させ
ることが強く望まれている。
での封止用エポキシ樹脂組成物は、ＴＣＴテストの結果
や半田浸漬時の耐クラック性、また半導体素子をプリン
ト配線板やヒートシンクに固定しその片面を樹脂封止し
たパッケージ（片面樹脂封止型パッケージ）での反り特
性が充分ではなかった。このために、上記の技術革新に
よる半導体素子サイズの大形化や特殊パッケージ構造や
表面実装化に対応できるように、上記の特性を向上させ
ることが強く望まれている。
【０００５】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液浸漬時の耐クラック性、また半導体素子を
プリント配線板またはヒートシンク等の半導体素子搭載
基板に固定しその基板の片面側のみを樹脂封止したパッ
ケージでの反りの低減に優れた半導体装置の提供をその
目的とする。
たもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液浸漬時の耐クラック性、また半導体素子を
プリント配線板またはヒートシンク等の半導体素子搭載
基板に固定しその基板の片面側のみを樹脂封止したパッ
ケージでの反りの低減に優れた半導体装置の提供をその
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。
【化１５】
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）無機質充填剤。
【０００７】
【作用】すなわち、本発明者らは、ＴＣＴテストで評価
される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラッ
ク性、また片面封止型パッケージにおける樹脂封止後の
反りの低減に優れた封止用樹脂を得るために一連の研究
を重ねた。その結果、主剤成分であるエポキシ樹脂とし
て、上記一般式（１）で表される特殊な構造のエポキシ
樹脂を用いると、所期の目的が達成されることを見出し
この発明に到達した。
される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラッ
ク性、また片面封止型パッケージにおける樹脂封止後の
反りの低減に優れた封止用樹脂を得るために一連の研究
を重ねた。その結果、主剤成分であるエポキシ樹脂とし
て、上記一般式（１）で表される特殊な構造のエポキシ
樹脂を用いると、所期の目的が達成されることを見出し
この発明に到達した。
【０００８】つぎに、この発明を詳細に説明する。
【０００９】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂
（Ｂ成分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）とを用いて得ら
れるものであり、通常、粉末状もしくはこれを打錠した
タブレット状になっている。
は、特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂
（Ｂ成分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）とを用いて得ら
れるものであり、通常、粉末状もしくはこれを打錠した
タブレット状になっている。
【００１０】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）は、前
記一般式（１）で表されるポリグリシジルエーテルであ
る。
記一般式（１）で表されるポリグリシジルエーテルであ
る。
【００１１】また、この特殊なエポキシ樹脂としては、
エポキシ当量が８０〜１３０の範囲、軟化点が５０〜１
６０℃の範囲で、１５０℃でのＩＣＩ粘度が０．０１〜
１．０ポイズのものが好ましい。特に好ましくは、エポ
キシ当量が９５〜１０５の範囲、軟化点が８０〜１２０
℃の範囲で、１５０℃でのＩＣＩ粘度が０．０１〜０．
５ポイズのものである。
エポキシ当量が８０〜１３０の範囲、軟化点が５０〜１
６０℃の範囲で、１５０℃でのＩＣＩ粘度が０．０１〜
１．０ポイズのものが好ましい。特に好ましくは、エポ
キシ当量が９５〜１０５の範囲、軟化点が８０〜１２０
℃の範囲で、１５０℃でのＩＣＩ粘度が０．０１〜０．
５ポイズのものである。
【００１２】この特殊なエポキシ樹脂は、これ単独でエ
ポキシ樹脂成分を構成してもよいし、一般のエポキシ樹
脂を併用してもよい。上記一般のエポキシ樹脂として
は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂，フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以
上併せて併用される。そして、これら一般のエポキシ樹
脂を併用する場合には、前記一般式（１）で表されるエ
ポキシ樹脂を、エポキシ樹脂成分全体の５０重量％（以
下「％」と略す）以上に設定することが好ましい。すな
わち、前記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂がエポ
キシ樹脂成分全体の５０％未満では、ＴＣＴテストによ
るパッケージクラックや半田浸漬時のパッケージクラッ
ク、また半導体素子をプリント配線板またはヒートシン
クに固定しその片面を樹脂封止したパッケージでの反り
が起こり易くなる傾向がみられるからである。
ポキシ樹脂成分を構成してもよいし、一般のエポキシ樹
脂を併用してもよい。上記一般のエポキシ樹脂として
は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂，フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以
上併せて併用される。そして、これら一般のエポキシ樹
脂を併用する場合には、前記一般式（１）で表されるエ
ポキシ樹脂を、エポキシ樹脂成分全体の５０重量％（以
下「％」と略す）以上に設定することが好ましい。すな
わち、前記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂がエポ
キシ樹脂成分全体の５０％未満では、ＴＣＴテストによ
るパッケージクラックや半田浸漬時のパッケージクラッ
ク、また半導体素子をプリント配線板またはヒートシン
クに固定しその片面を樹脂封止したパッケージでの反り
が起こり易くなる傾向がみられるからである。
【００１３】上記特殊な骨格構造を有するエポキシ樹脂
（Ａ成分）とともに用いられるフェノール樹脂（Ｂ成
分）としては、特に限定するものではなく従来公知のも
のが用いられる。例えば、フェノールノボラック，クレ
ゾールノボラック，ナフトールノボラック等があげられ
る。これらフェノール樹脂としては、一般に、軟化点が
４０〜１２０℃、水酸基当量が７０〜２８０の範囲のも
のが好ましい。特に好ましいのは、軟化点が５０〜９０
℃、水酸基当量が１００〜２２０のものである。そし
て、具体的には、下記の一般式（２），式（３），式
（４），式（５）および式（６）で表されるフェノール
樹脂が好適に用いられ、これらは単独でもしくは２種以
上併せて用いられる。
（Ａ成分）とともに用いられるフェノール樹脂（Ｂ成
分）としては、特に限定するものではなく従来公知のも
のが用いられる。例えば、フェノールノボラック，クレ
ゾールノボラック，ナフトールノボラック等があげられ
る。これらフェノール樹脂としては、一般に、軟化点が
４０〜１２０℃、水酸基当量が７０〜２８０の範囲のも
のが好ましい。特に好ましいのは、軟化点が５０〜９０
℃、水酸基当量が１００〜２２０のものである。そし
て、具体的には、下記の一般式（２），式（３），式
（４），式（５）および式（６）で表されるフェノール
樹脂が好適に用いられ、これらは単独でもしくは２種以
上併せて用いられる。
【００１４】
【化１６】
【００１５】
【化１７】
【００１６】
【化１８】
【００１７】
【化１９】
【００１８】
【化２０】
【００１９】上記式（２）において、Ｒが水素原子で、
かつＡ1 ，Ａ2 ともフェノール環の場合のものが好まし
い。
かつＡ1 ，Ａ2 ともフェノール環の場合のものが好まし
い。
【００２０】上記式（３）において、Ｒ1 ，Ｒ2 とも水
素原子で、かつＡがフェニル基の場合のものが好まし
い。
素原子で、かつＡがフェニル基の場合のものが好まし
い。
【００２１】上記式（５）において、Ｒが水素原子のも
のが好ましい。
のが好ましい。
【００２２】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）とフェ
ノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、特殊なエポキシ樹
脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸
基が０．８〜１．２当量となるように配合することが好
ましい。さらに、好ましくは０．９〜１．１当量であ
る。
ノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、特殊なエポキシ樹
脂中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸
基が０．８〜１．２当量となるように配合することが好
ましい。さらに、好ましくは０．９〜１．１当量であ
る。
【００２３】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）および
フェノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられる無機質充
填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するものではなく従
来公知のものが用いられる。例えば、石英ガラス粉末，
タルク，シリカ粉末，アルミナ粉末，炭酸カルシウム，
カーボンブラック粉末等があげられる。特にシリカ粉末
を用いるのが好適である。このような無機質充填剤の含
有量は、シリカ粉末の場合、エポキシ樹脂組成物全体の
５０〜９９％の範囲に設定することが好ましい。特に好
ましくは８０〜９９％である。すなわち、シリカ粉末の
含有量が５０％を下回ると、充填剤を含有して得られる
効果が大幅に低下する傾向がみられるからである。より
詳しく説明すると、エポキシ樹脂組成物硬化体の線膨脹
係数の低減が困難で、ＴＣＴテストによって引き起こさ
れるパッケージクラック、半導体素子をプリント配線板
やヒートシンクに固定しその片面を樹脂封止したパッケ
ージでの反り、およびその硬化体の吸水率の増加に伴う
半田浸漬時のパッケージクラック等の問題が発生する傾
向がみられるからである。
フェノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられる無機質充
填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するものではなく従
来公知のものが用いられる。例えば、石英ガラス粉末，
タルク，シリカ粉末，アルミナ粉末，炭酸カルシウム，
カーボンブラック粉末等があげられる。特にシリカ粉末
を用いるのが好適である。このような無機質充填剤の含
有量は、シリカ粉末の場合、エポキシ樹脂組成物全体の
５０〜９９％の範囲に設定することが好ましい。特に好
ましくは８０〜９９％である。すなわち、シリカ粉末の
含有量が５０％を下回ると、充填剤を含有して得られる
効果が大幅に低下する傾向がみられるからである。より
詳しく説明すると、エポキシ樹脂組成物硬化体の線膨脹
係数の低減が困難で、ＴＣＴテストによって引き起こさ
れるパッケージクラック、半導体素子をプリント配線板
やヒートシンクに固定しその片面を樹脂封止したパッケ
ージでの反り、およびその硬化体の吸水率の増加に伴う
半田浸漬時のパッケージクラック等の問題が発生する傾
向がみられるからである。
【００２４】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分），フェ
ノール樹脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）以
外に、必要に応じて、低応力化剤として、一般にシリコ
ーンゴムやオレフィン系ゴムが用いられる。この低応力
化剤として特に好ましいものとしては、下記の一般式
（７）および式（８）で表されるシリコーン化合物があ
げられる。これらは単独でもしくは併せて用いられる。
組成物には、上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分），フェ
ノール樹脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）以
外に、必要に応じて、低応力化剤として、一般にシリコ
ーンゴムやオレフィン系ゴムが用いられる。この低応力
化剤として特に好ましいものとしては、下記の一般式
（７）および式（８）で表されるシリコーン化合物があ
げられる。これらは単独でもしくは併せて用いられる。
【００２５】
【化２１】
【００２６】上記式（７）において、特にＡが２，３−
エポキシプロポキシ基のものが好ましい。また、上記式
（８）において、特にＡが２，３−エポキシプロポキシ
基のものが好ましい。そして、上記式（７）および式
（８）中の各繰り返し数ｎ，ｍ，ｐとしては、それぞれ
ｎ＝１〜１５０、特にｎ＝１〜７、ｍ＝１〜１５０、特
にｍ＝１０〜１５０、ｐ＝１〜１５０、特にｐ＝１〜１
５の範囲が好ましい。これらシリコーン化合物は、上記
特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）およびフェノール樹脂
（Ｂ成分）の少なくとも一方と反応させた状態で用いら
れる。あるいは、そのままの状態で配合することにより
用いられる。そして、これらシリコーン化合物をそのま
まの状態で配合する場合の配合量は、エポキシ樹脂組成
物全体の１０％以下になるように設定することが好まし
い。特に好ましくは０．３〜５％の範囲である。また、
これらシリコーン化合物をＡ成分およびＢ成分の少なく
とも一方と反応させて用いる場合の使用量は、Ａ成分お
よびＢ成分の少なくとも一方に対して２０〜４０％の割
合に設定することが好ましい。
エポキシプロポキシ基のものが好ましい。また、上記式
（８）において、特にＡが２，３−エポキシプロポキシ
基のものが好ましい。そして、上記式（７）および式
（８）中の各繰り返し数ｎ，ｍ，ｐとしては、それぞれ
ｎ＝１〜１５０、特にｎ＝１〜７、ｍ＝１〜１５０、特
にｍ＝１０〜１５０、ｐ＝１〜１５０、特にｐ＝１〜１
５の範囲が好ましい。これらシリコーン化合物は、上記
特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）およびフェノール樹脂
（Ｂ成分）の少なくとも一方と反応させた状態で用いら
れる。あるいは、そのままの状態で配合することにより
用いられる。そして、これらシリコーン化合物をそのま
まの状態で配合する場合の配合量は、エポキシ樹脂組成
物全体の１０％以下になるように設定することが好まし
い。特に好ましくは０．３〜５％の範囲である。また、
これらシリコーン化合物をＡ成分およびＢ成分の少なく
とも一方と反応させて用いる場合の使用量は、Ａ成分お
よびＢ成分の少なくとも一方に対して２０〜４０％の割
合に設定することが好ましい。
【００２７】さらに、上記低応力化剤に加えて、硬化促
進剤，難燃剤，顔料，離型剤，シランカップリング剤等
のカップリング剤等を適宜に用いることができる。
進剤，難燃剤，顔料，離型剤，シランカップリング剤等
のカップリング剤等を適宜に用いることができる。
【００２８】上記硬化促進剤としては、リン系化合物，
従来公知の三級アミン，四級アンモニウム塩，イミダゾ
ール類，ホウ素化合物等があげられ、これらは単独でも
しくは２種以上併せて用いられる。なかでも、リン系化
合物が好適に用いられ、特にトリフェニルホスフィンを
用いることが好ましい。
従来公知の三級アミン，四級アンモニウム塩，イミダゾ
ール類，ホウ素化合物等があげられ、これらは単独でも
しくは２種以上併せて用いられる。なかでも、リン系化
合物が好適に用いられ、特にトリフェニルホスフィンを
用いることが好ましい。
【００２９】上記難燃剤としては、三酸化アンチモン，
リン系化合物等があげられる。
リン系化合物等があげられる。
【００３０】上記顔料としては、カーボンブラック，酸
化チタン等があげられる。
化チタン等があげられる。
【００３１】上記離型剤としては、パラフィンや脂肪族
エステル等があげられる。
エステル等があげられる。
【００３２】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、前記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分），フェノー
ル樹脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）、そし
て必要に応じて低応力化剤，硬化促進剤，難燃剤，顔
料，離型剤およびカップリング剤を所定の割合で配合す
る。ついで、これらをミキシングロール機等の混練機を
用いて加熱状態で溶融混練して、これを室温に冷却した
後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠する
という一連の工程によって目的とするエポキシ樹脂組成
物を製造することができる。
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、前記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分），フェノー
ル樹脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）、そし
て必要に応じて低応力化剤，硬化促進剤，難燃剤，顔
料，離型剤およびカップリング剤を所定の割合で配合す
る。ついで、これらをミキシングロール機等の混練機を
用いて加熱状態で溶融混練して、これを室温に冷却した
後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠する
という一連の工程によって目的とするエポキシ樹脂組成
物を製造することができる。
【００３３】このようなエポキシ樹脂組成物を用いて半
導体素子を封止する方法は、特に限定するものではな
く、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法
によって行うことができる。
導体素子を封止する方法は、特に限定するものではな
く、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法
によって行うことができる。
【００３４】そして、上記エポキシ樹脂組成物を用いて
の半導体素子の封止において、特に、図１に示すよう
に、回路が形成されたＢＴ（ビスマレイミドトリアジン
／ガラスクロス基板）レジンやヒートシンク等の半導体
素子搭載基板１上に半導体素子２を直接搭載し固定し
て、この半導体素子搭載基板側を樹脂封止した片面封止
型の半導体装置では、樹脂封止後の反りが抑制され信頼
性の高いものが得られる。図において、３は封止樹脂、
４はボンディングワイヤー、５は半田端子である。
の半導体素子の封止において、特に、図１に示すよう
に、回路が形成されたＢＴ（ビスマレイミドトリアジン
／ガラスクロス基板）レジンやヒートシンク等の半導体
素子搭載基板１上に半導体素子２を直接搭載し固定し
て、この半導体素子搭載基板側を樹脂封止した片面封止
型の半導体装置では、樹脂封止後の反りが抑制され信頼
性の高いものが得られる。図において、３は封止樹脂、
４はボンディングワイヤー、５は半田端子である。
【００３５】半導体素子搭載基板１として、上記ＢＴレ
ジンのような繊維補強板を用いた場合には、図１に示す
ように、その繊維補強板１の面積は、１００〜１０００
０ｍｍ2 が好ましく、特に６２５〜３６００ｍｍ2 が好
ましい（方形の場合は正方形が好ましい）。また、繊維
補強板１の厚みｂは０．０５〜３ｍｍが好ましく、特に
０．１〜０．６ｍｍが好ましい。このときの、封止樹脂
３の占有面積（半導体素子２を含む封止樹脂３の底面
積）は、１００〜１００００ｍｍ2 が好ましく、特に６
２５〜３６００ｍｍ2 が好ましい（方形の場合は正方形
が好ましい）。
ジンのような繊維補強板を用いた場合には、図１に示す
ように、その繊維補強板１の面積は、１００〜１０００
０ｍｍ2 が好ましく、特に６２５〜３６００ｍｍ2 が好
ましい（方形の場合は正方形が好ましい）。また、繊維
補強板１の厚みｂは０．０５〜３ｍｍが好ましく、特に
０．１〜０．６ｍｍが好ましい。このときの、封止樹脂
３の占有面積（半導体素子２を含む封止樹脂３の底面
積）は、１００〜１００００ｍｍ2 が好ましく、特に６
２５〜３６００ｍｍ2 が好ましい（方形の場合は正方形
が好ましい）。
【００３６】また、半導体素子搭載基板１がヒートシン
クの場合は、一般に、図２に示す断面形状となる。そし
て、ヒートシンク（銅，アルミニウム等の金属板）６の
面積は、１００〜１００００ｍｍ2 が好ましく、特に６
２５〜３６００ｍｍ2 が好ましい（方形の場合は正方形
が好ましい）。また、ヒートシンク６の厚みｄは０．０
５〜３ｍｍが好ましい。このときの、封止樹脂３ｂの占
有面積（ヒートシンク６底面を含む封止樹脂３ｂの底面
積）は、１００〜１００００ｍｍ2 が好ましく、特に６
２５〜３６００ｍｍ2 が好ましい（方形の場合は正方形
が好ましい）。そして、封止樹脂３ｂの厚みｃは０．２
５〜４ｍｍが好ましく、特に０．８〜３ｍｍが好まし
い。
クの場合は、一般に、図２に示す断面形状となる。そし
て、ヒートシンク（銅，アルミニウム等の金属板）６の
面積は、１００〜１００００ｍｍ2 が好ましく、特に６
２５〜３６００ｍｍ2 が好ましい（方形の場合は正方形
が好ましい）。また、ヒートシンク６の厚みｄは０．０
５〜３ｍｍが好ましい。このときの、封止樹脂３ｂの占
有面積（ヒートシンク６底面を含む封止樹脂３ｂの底面
積）は、１００〜１００００ｍｍ2 が好ましく、特に６
２５〜３６００ｍｍ2 が好ましい（方形の場合は正方形
が好ましい）。そして、封止樹脂３ｂの厚みｃは０．２
５〜４ｍｍが好ましく、特に０．８〜３ｍｍが好まし
い。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、前記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分），フェノール樹
脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）を含む特殊
なエポキシ樹脂組成物を用いて封止されているため、Ｔ
ＣＴテストで評価される特性が向上し長寿命となる。ま
た、吸湿後、半田溶融液に浸漬した場合においてもパッ
ケージクラックの発生が抑制され、半導体素子をプリン
ト配線板やヒートシンクに固定しその素子搭載面側を樹
脂封止した片面樹脂封止型のパッケージでは反りを抑制
することが可能となる。このように、上記特殊なエポキ
シ樹脂組成物を用いた封止により、８０ピン以上、特に
１６０ピン以上の、もしくは半導体素子の長辺が４０ｍ
ｍ以上の大形の半導体装置において、また半導体素子を
プリント配線板やヒートシンクに直接固定し、樹脂封止
した片面樹脂封止型パッケージにおいて上記のような高
信頼性が得られるようになり、これが大きな特徴であ
る。
は、前記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分），フェノール樹
脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成分）を含む特殊
なエポキシ樹脂組成物を用いて封止されているため、Ｔ
ＣＴテストで評価される特性が向上し長寿命となる。ま
た、吸湿後、半田溶融液に浸漬した場合においてもパッ
ケージクラックの発生が抑制され、半導体素子をプリン
ト配線板やヒートシンクに固定しその素子搭載面側を樹
脂封止した片面樹脂封止型のパッケージでは反りを抑制
することが可能となる。このように、上記特殊なエポキ
シ樹脂組成物を用いた封止により、８０ピン以上、特に
１６０ピン以上の、もしくは半導体素子の長辺が４０ｍ
ｍ以上の大形の半導体装置において、また半導体素子を
プリント配線板やヒートシンクに直接固定し、樹脂封止
した片面樹脂封止型パッケージにおいて上記のような高
信頼性が得られるようになり、これが大きな特徴であ
る。
【００３８】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００３９】まず、エポキシ樹脂組成物の作製に先立っ
て、下記に示すエポキシ樹脂ａ〜ｆ、フェノール樹脂ｇ
〜ｋ、シリコーン化合物ｌ，ｍを準備した。
て、下記に示すエポキシ樹脂ａ〜ｆ、フェノール樹脂ｇ
〜ｋ、シリコーン化合物ｌ，ｍを準備した。
【００４０】〔エポキシ樹脂ａ〕
【化２２】
【００４１】〔エポキシ樹脂ｂ〕
【化２３】
【００４２】〔エポキシ樹脂ｃ〕
【化２４】
【００４３】〔エポキシ樹脂ｄ〕
【化２５】
【００４４】〔エポキシ樹脂ｅ〕
【化２６】
【００４５】〔エポキシ樹脂ｆ〕上記エポキシ樹脂ａと
同様の構造を有し、エポキシ当量が１０４ｇ／ｅｑ、軟
化点が１１３℃、ＩＣＩ粘度（１５０℃）が０．２ポイ
ズのエポキシ樹脂である。
同様の構造を有し、エポキシ当量が１０４ｇ／ｅｑ、軟
化点が１１３℃、ＩＣＩ粘度（１５０℃）が０．２ポイ
ズのエポキシ樹脂である。
【００４６】〔フェノール樹脂ｇ〕
【化２７】
【００４７】〔フェノール樹脂ｈ〕
【化２８】
【００４８】〔フェノール樹脂ｉ〕
【化２９】
【００４９】〔フェノール樹脂ｊ〕
【化３０】
【００５０】〔フェノール樹脂ｋ〕
【化３１】
【００５１】〔シリコーン化合物ｌ〕
【化３２】
【００５２】〔シリコーン化合物ｍ〕
【化３３】
【００５３】
【実施例１〜４６、比較例１〜５】上記に示した各成分
および下記の表１〜表７に示す各成分を同表に示す割合
で配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）で３分
間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする粉末
状エポキシ樹脂組成物を得た。
および下記の表１〜表７に示す各成分を同表に示す割合
で配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）で３分
間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする粉末
状エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５４】
【表１】
【００５５】
【表２】
【００５６】
【表３】
【００５７】
【表４】
【００５８】
【表５】
【００５９】
【表６】
【００６０】
【表７】
【００６１】以上の実施例および比較例で得られたエポ
キシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成
形（条件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間後硬化）
することにより２種類の半導体装置を得た。使用したパ
ッケージとしては、下記に示す２種類のもの（両面樹脂
封止型パッケージ、片面樹脂封止型パッケージ）を用い
た。
キシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成
形（条件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間後硬化）
することにより２種類の半導体装置を得た。使用したパ
ッケージとしては、下記に示す２種類のもの（両面樹脂
封止型パッケージ、片面樹脂封止型パッケージ）を用い
た。
【００６２】両面樹脂封止型パッケージ：８０ピン四
方向フラットパッケージ（８０ｐｉｎＱＦＰ、サイズ：
２０×１４×厚み２ｍｍ）であり、ダイパッドサイズは
８×８ｍｍである。
方向フラットパッケージ（８０ｐｉｎＱＦＰ、サイズ：
２０×１４×厚み２ｍｍ）であり、ダイパッドサイズは
８×８ｍｍである。
【００６３】片面樹脂封止型パッケージ：図３に示す
構造のパッケージであり、ＢＴ（ビスマレイミドトリア
ジン／ガラスクロス基板）レジン（三菱瓦斯化学社製）
１２（４８×４８×厚み０．８ｍｍ）上にＳｉチップ１
３（１２×１２×厚み０．４ｍｍ）を搭載して固定し、
この搭載面側のみを樹脂封止した（封止樹脂１４サイ
ズ：４０×４０×厚み２ｍｍ）。図において、１５はボ
ンディングワイヤーである。
構造のパッケージであり、ＢＴ（ビスマレイミドトリア
ジン／ガラスクロス基板）レジン（三菱瓦斯化学社製）
１２（４８×４８×厚み０．８ｍｍ）上にＳｉチップ１
３（１２×１２×厚み０．４ｍｍ）を搭載して固定し、
この搭載面側のみを樹脂封止した（封止樹脂１４サイ
ズ：４０×４０×厚み２ｍｍ）。図において、１５はボ
ンディングワイヤーである。
【００６４】このようにして得られた両面樹脂封止型
パッケージについて、−５０℃／５分〜１５０℃／５分
のＴＣＴテストを行った。また、８５℃／８５％ＲＨの
相対湿度の恒温槽中に放置して吸湿させた後、２６０℃
の半田溶融液に１０秒間浸漬する試験を行った。この結
果を下記の表８〜表１２に示す。
パッケージについて、−５０℃／５分〜１５０℃／５分
のＴＣＴテストを行った。また、８５℃／８５％ＲＨの
相対湿度の恒温槽中に放置して吸湿させた後、２６０℃
の半田溶融液に１０秒間浸漬する試験を行った。この結
果を下記の表８〜表１２に示す。
【００６５】
【表８】
【００６６】
【表９】
【００６７】
【表１０】
【００６８】
【表１１】
【００６９】
【表１２】
【００７０】また、前記片面樹脂封止型パッケージに
ついて、上記両面樹脂封止型パッケージと同様、−５
０℃／５分〜１５０℃／５分のＴＣＴテスト、および８
５℃／８５％ＲＨの相対湿度の恒温槽中に放置して吸湿
させた後、２６０℃の半田溶融液に１０秒間浸漬する試
験を行った。さらに、これら試験に加えて、図４に示す
ように、成形し後硬化した後のパッケージ７全体の反り
量Ｘをマイクロディプスメーター（ＴＥＣＬＯＣＫ社
製）により測定した。これらの結果を下記の表１３〜表
１７に示す。
ついて、上記両面樹脂封止型パッケージと同様、−５
０℃／５分〜１５０℃／５分のＴＣＴテスト、および８
５℃／８５％ＲＨの相対湿度の恒温槽中に放置して吸湿
させた後、２６０℃の半田溶融液に１０秒間浸漬する試
験を行った。さらに、これら試験に加えて、図４に示す
ように、成形し後硬化した後のパッケージ７全体の反り
量Ｘをマイクロディプスメーター（ＴＥＣＬＯＣＫ社
製）により測定した。これらの結果を下記の表１３〜表
１７に示す。
【００７１】
【表１３】
【００７２】
【表１４】
【００７３】
【表１５】
【００７４】
【表１６】
【００７５】
【表１７】
【００７６】上記表８〜表１７の結果から、両面樹脂
封止型パッケージおよび片面樹脂封止型パッケージと
も、実施例品が比較例品に比べてＴＣＴテストおよび半
田溶融液への浸漬時の耐クラック性に優れていることが
わかる。さらに、半導体素子をＢＴレジンに搭載固定し
その搭載面側のみを樹脂封止した片面樹脂封止型パッ
ケージの反り量に関して、実施例品が比較例品に比べて
非常に小さく樹脂封止後の反りが抑制されたことが明ら
かである。
封止型パッケージおよび片面樹脂封止型パッケージと
も、実施例品が比較例品に比べてＴＣＴテストおよび半
田溶融液への浸漬時の耐クラック性に優れていることが
わかる。さらに、半導体素子をＢＴレジンに搭載固定し
その搭載面側のみを樹脂封止した片面樹脂封止型パッ
ケージの反り量に関して、実施例品が比較例品に比べて
非常に小さく樹脂封止後の反りが抑制されたことが明ら
かである。
【図１】この発明の半導体装置の一例である片面樹脂封
止型パッケージを示す断面図である。
止型パッケージを示す断面図である。
【図２】この発明の半導体装置の他の例である片面樹脂
封止型パッケージを示す断面図である。
封止型パッケージを示す断面図である。
【図３】片面樹脂封止型パッケージの一例を示す断面図
である。
である。
【図４】片面樹脂封止型パッケージの樹脂封止後の反り
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
１ 半導体素子搭載基板
２ 半導体素子
３ 封止樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 23/31
(72)発明者 首藤 伸一朗
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日
東電工株式会社内
(72)発明者 池村 和弘
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日
東電工株式会社内
(72)発明者 福島 喬
大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日
東電工株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−228273（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−100519（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−333963（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−70756（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−179569（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−230623（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−20226（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 59/32
C08G 59/62
C08L 63/06
H01L 23/29
Claims (7)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化１】 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 - 【請求項２】 （Ｂ）成分であるフェノール樹脂が、下
記の一般式（２），式（３），式（４），式（５）およ
び式（６）で表されるフェノール樹脂からなる群から選
ばれた少なくとも一つのフェノール樹脂である請求項１
記載の半導体装置。 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 - 【請求項３】 エポキシ樹脂組成物に、下記の一般式
（７）および式（８）で表されるシリコーン化合物の少
なくとも一方が、上記（Ａ）成分および（Ｂ）成分の少
なくとも一方と反応させた状態で、もしくはそのままの
状態で含有されている請求項１または２に記載の半導体
装置。 【化７】 - 【請求項４】 半導体素子搭載基板の片面に半導体素子
が搭載され、この半導体素子が搭載された基板面側のみ
が請求項１〜３のいずれか一項に記載のエポキシ樹脂組
成物によって封止されている請求項１〜３のいずれか一
項に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化８】 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 - 【請求項６】 （Ｂ）成分であるフェノール樹脂が、下
記の一般式（２），式（３），式（４），式（５）およ
び式（６）で表されるフェノール樹脂からなる群から選
ばれた少なくとも一つのフェノール樹脂である請求項５
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化９】 【化１０】 【化１１】 【化１２】 【化１３】 - 【請求項７】 エポキシ樹脂組成物に、下記の一般式
（７）および式（８）で表されるシリコーン化合物の少
なくとも一方が、上記（Ａ）成分および（Ｂ）成分の少
なくとも一方と反応させた状態で、もしくはそのままの
状態で含有されている請求項５または６に記載の半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１４】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26049694A JP3438965B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26049694A JP3438965B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08120058A JPH08120058A (ja) | 1996-05-14 |
| JP3438965B2 true JP3438965B2 (ja) | 2003-08-18 |
Family
ID=17348781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26049694A Expired - Fee Related JP3438965B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3438965B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4734804B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2011-07-27 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP26049694A patent/JP3438965B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08120058A (ja) | 1996-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05283560A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP3240861B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH0597969A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3438965B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2904610B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08111469A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3278304B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2846748B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07118366A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP3206317B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物の製造法及びエポキシ樹脂組成物 | |
| JP2846749B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2862777B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH06107758A (ja) | ノボラック体、エポキシ樹脂およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 | |
| JPH06128362A (ja) | 封止剤用化合物およびそれを用いた半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 | |
| JPH05166974A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2807341B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3239970B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2899096B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05131486A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3093051B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2851699B2 (ja) | 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH07238147A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH0567704A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05105739A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH04155939A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |