JPH0794641A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 流動性が良好であり、低線膨張係数、低吸湿
および高強度に優れたエポキシ樹脂組成物およびこれを
用いて封止されているためにＴＣＴテストで評価される
各特性および半田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた
半導体装置を提供する。 【構成】 エポキシ樹脂、ノボラック型フェノ−ル樹
脂、硬化促進剤および無機質充填剤を含むエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に
おいて、エポキシ樹脂の１エポキシ当量とノボラック型
フェノ−ル樹脂の１水酸基当量のみを溶融混合してなる
系の１５０℃でのＩＣＩ粘度を２．０ポアズ以下に設定
したことを特徴とする構成である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、流動性が良好である
と共に、低線膨張係数、低吸湿および強度に優れたエポ
キシ樹脂組成物およびこのエポキシ樹脂組成物にて封止
されたためにＴＣＴテストで評価される各特性および半
田溶融液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置に関
するものである。

【従来の技術】トランジスタ−、ＩＣおよびＬＳＩ等の
半導体素子は、従来セラミックパッケ−ジ等によって封
止され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト
および量産性の観点から、プラスチックパッケ−ジを用
いた樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止に
は、従来からエポキシ樹脂組成物硬化体が使用されてお
り良好な成績を収めている。

【０００２】しかしながら、半導体分野の技術革新によ
って集積度の向上と共に素子サイズの大型化、配線の微
細化が進み、パッケ−ジも小型化、薄型化する傾向にあ
り、これに伴って封止樹脂材料に対してより以上の信頼
性（得られる半導体装置の熱応力の低減、耐湿信頼性お
よび耐熱衝撃試験に対する信頼性等）の向上が要求され
ている。

【０００３】特に近年、半導体素子サイズは益々大型化
する傾向にあり、樹脂組成物硬化体の性能評価用の加速
試験である熱サイクル試験（ＴＣＴテスト）性能のさら
なる向上が要求されている。また、半導体パッケ−ジの
実装方法として表面実装が主流となってきており、この
ために半導体パッケ−ジを吸湿させた上で半田溶融液に
浸漬しても樹脂組成物硬化体にクラックやふくれが発生
しないという特性が要求されている。

【０００４】これに関して、従来から、ＴＣＴテストで
評価される各特性の向上のために、シリコ−ン化合物で
エポキシ樹脂を変性して熱応力を低減させること、ま
た、半田浸漬時の耐クラック性の向上のためにリ−ドフ
レ−ムとの密着性の向上等が検討されてきた。さらにこ
の他、低粘度樹脂使用により充填剤含有量を増やし、低
線膨張係数化、低吸湿化による上記両特性改善の検討が
なされてきたが、その効果はいまだ充分ではない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
での半導体封止用エポキシ樹脂組成物硬化体は、ＴＣＴ
テストや半田浸漬時の耐クラック性の特性が充分でなか
った。このために上記の技術革新による半導体素子サイ
ズの大型化や表面実装化に対応できるように、上記両特
性を向上させることが強く望まれている。

【０００６】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、流動性が良好である共に、低線膨張係数、低
吸湿および高強度に優れたエポキシ樹脂組成物およびこ
のエポキシ樹脂組成物硬化体にて封止されているために
ＴＣＴテストで評価される各特性の向上および半田溶融
液浸漬時の耐クラック性に優れた半導体装置の提供を目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、エポキシ樹脂（Ａ）、ノボラック型フェ
ノ−ル樹脂（Ｂ）、硬化促進剤および無機質充填剤を含
むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してな
る半導体装置において、上記（Ａ）および（Ｂ）とし
て、（Ａ）の１エポキシ当量と（Ｂ）の１水酸基当量の
みを溶融混合してなる系の１５０℃でのＩＣＩ粘度を
２．０ポアズ以下に設定したことを特徴とする構成であ
る。

【０００８】本発明者らは、ＴＣＴテストで評価される
各特性の向上および半田溶融液に浸漬した際の耐クラッ
ク性の向上を実現するために一連の研究を重ねた。その
結果、エポキシ樹脂（Ａ）および硬化剤として（Ｂ）の
ようなフェノ−ル樹脂を用いることで、それらを用いて
得られる半導体装置がＴＣＴテストおよび吸水後に半田
溶融液に浸漬した際の耐クラック性の双方に優れるよう
になることを見出し本発明に到達した。

【０００９】次にこの発明を詳細に説明する。

【００１０】上記（Ａ）成分を構成するエポキシ樹脂
は、特に限定するものではなく従来公知のものが用いら
れる。例えば、ビスフェノ−ルＡ型、フェノ−ルノボラ
ック型、クレゾ−ルノボラック型およびナフト−ルノボ
ラック型エポキシ樹脂の他、以下のものが挙げられ併せ
て用いることもできる。なお、以下の化学式においてＧ
lyはグリシジル基を表す。

【００１１】

【化１７】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化１８】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化１９】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化２０】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化２１】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化２２】

【化２３】

【化２４】

【化２５】

【化２６】

【化２７】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化２８】

【化２９】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化３０】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【００１２】また、この中でも特に好ましいものとして
下記の〔化３１〕および〔化３２〕のようなビフェニル
骨格含有系が挙げられる。これらの樹脂は軟化点が４０
〜１７０℃、エポキシ当量が１００〜４００のものを用
いるのが好ましい。特に好ましいのは、軟化点が７０〜
１４０℃、エポキシ当量が１５０〜２８０のものであ
る。

【化３１】

【化３２】

【００１３】ノボラック型フェノ−ル樹脂（Ｂ）成分と
して用いられる本発明の特殊フェノ−ル樹脂は以下の一
般式〔化３３〕で表されるものである。

【化３３】

【００１４】上式〔化３３〕中のＡとしては以下の様な
フェノ−ル誘導体残基〔化３４〕、ナフト−ル誘導体残
基〔化３５〕およびジヒドロキシナフタレン誘導体残基
〔化３６〕の構造が挙げられる。

【化３４】 〔Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭素数１
〜１０の炭化水素基である。〕

【化３５】 〔Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭素数１
〜１０の炭化水素基である。〕

【化３６】 〔Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭素数１
〜１０の炭化水素基である。〕

【００１５】また、〔化３３〕中のＡ’としては以下の
様なフェノ−ル誘導体残基〔化３７〕、ナフト−ル誘導
体残基〔化３８〕およびジヒドロキシナフタレン誘導体
残基〔化３９〕の構造が挙げられる。

【化３７】 〔Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭素数１
〜１０の炭化水素基である。〕

【化３８】 〔Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭素数１
〜１０の炭化水素基である。〕

【化３９】 〔Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭素数１
〜１０の炭化水素基である。〕

【００１６】この中でも、特に好ましいのはフェノ−ル
誘導体残基〔化３７〕をもった〔化３３〕のフェノ−ル
樹脂である。また〔化３３〕中のＢとしてはフェニル基
およびナフチル基が挙げられるが、特にフェニル基をも
ったものが好ましい。またｎは０〜５、ｍは１〜５の整
数である。

【００１７】なお、本発明において用いるエポキシ樹脂
組成物において、エポキシ樹脂の１当量とノボラック型
フェノ−ル樹脂の１水酸基当量を溶融混合した系の１５
０℃でのＩＣＩ粘度は、低ければ低い程好ましい傾向が
あるが、一般的な粘度の下限値は０．０５ポアズであ
り、２．０ポアズ以下が好ましい。すなわち２．０ポア
ズを越えると無機質充填剤を高充填にした場合の流動性
の低下、あるいは無機質充填剤の高充填が難しくなり樹
脂組成物の吸水率の低減および線膨張係数の低減がし難
くなる傾向があるからである。また、上記のフェノ−ル
樹脂の軟化点は４０〜１５０℃、水酸基当量は８０〜３
００、１５０℃でのＩＣＩ粘度は０．０１〜１０ポアズ
のものが好ましい。特に、好ましいのは軟化点が５０〜
１２０℃、水酸基当量が１４０〜２５０、１５０℃での
ＩＣＩ粘度が２．０ポアズ以下のものである。すなわち
１０ポアズを越えると、無機質充填剤の高充填が難しく
なり、樹脂組成物の吸水率の低減および線膨張係数の低
減がし難くなるからである。なお、ＩＣＩ粘度はＩＣＩ
粘度計（コ−ン＆プレ−ト型、角度２°外形２４ｍｍ
Φ）により、試料０．５０±０．０２ｇで測定した。す
でに１５０℃に設定されたプレ−ト中央に試料を注入
し、３０秒後、粘度測定を行った。またこの新規フェノ
−ル樹脂は硬化剤として単独で用いてもよいし一般のフ
ェノ−ル樹脂と併せて用いることもできる。

【００１８】その場合には、一般のフェノ−ル樹脂の使
用量を硬化剤全体の５０重量％以下とするのが好まし
く、特に３０重量％以下が好ましい。この一般のフェノ
−ル樹脂は特に限定するものではなく、ナフト−ルノボ
ラック、フェノ−ルノボラック、クレゾ−ルノボラッ
ク、およびビスフェノ−ルＡ等、従来公知のものが用い
られる。

【００１９】また、特に好ましいフェノ−ル樹脂として
以下のものが挙げられ併せて用いることもできる。

【化４０】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化４１】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化４２】 〔ｎは０〜５の整数、ｍは１〜５（ｎ＋ｍ＝１〜６）の
整数である。〕

【化４３】 〔ｎは０〜５の整数、ｍは１〜５（ｎ＋ｍ＝１〜６）の
整数である。〕

【化４４】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化４５】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化４６】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化４７】 〔ｎは０〜５の整数である。〕

【化４８】 〔ｎは０〜５の整数、ｍは１〜５（ｎ＋ｍ＝１〜６）の
整数である。〕

【００２０】これらのフェノ−ル樹脂は軟化点が４０〜
１５０℃、水酸基当量が７０〜３００のものを用いるこ
とが好ましい。特に好ましいのは、軟化点が５０〜１２
０℃、水酸基当量が１００〜２４０のものである。

【００２１】上記エポキシ樹脂とノボラック型フェノ−
ル樹脂（一般のフェノ−ル樹脂の併用の場合を含む。）
の配合比は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当た
り、フェノ−ル樹脂中の水酸基が０．８〜１．２当量と
なるように配合することが望ましい。

【００２２】上記エポキシ樹脂（Ａ）成分、ノボラック
型フェノ−ル樹脂（Ｂ）成分と共に用いられる無機質充
填剤は、特に限定するものではなく、一般に用いられて
いる石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末、アルミナ粉
末、炭酸カルシウムおよびカ−ボンブラック粉末等が挙
げられる。特に、シリカ粉末を用いるのが好適である。
このような無機質充填剤の含有量は、シリカ粉末の場
合、エポキシ樹脂組成物全体の５０重量％以上に設定す
るのが好ましい。特に好ましくは８０重量％以上であ
る。すなわち、シリカ粉末の含有量が５０重量％を下回
ると充填剤を含有した効果が大幅に低下する傾向がみら
れるからである。

【００２３】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記エポキシ樹脂（Ａ）成分、ノボラック
型フェノ−ル樹脂（Ｂ）成分、硬化促進剤および無機質
充填剤以外に、必要に応じて低応力化剤として、一般に
シリコ−ンゴムやオレフィンゴムが用いられる。また、
硬化促進剤としては従来公知の三級アミン、四級アンモ
ニウム塩、イミダゾ−ル類およびホウ素化合物等を単独
でもしくは併せて用いることができる。

【００２４】さらに、三酸化アンチモン、リン系化合物
等の難燃剤やカ−ボンブラックや酸化チタン等の顔料、
パラフィンや脂肪族エステル等の離型剤、シランカップ
リング剤等のカップリング剤を用いることができる。

【００２５】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状
になっている。

【００２６】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えば次のようにして製造することができる。すな
わち、上記エポキシ樹脂、フェノ−ル樹脂、硬化促進剤
および無機質充填剤、そして必要に応じて低応力化剤、
難燃剤、顔料、離型剤およびシランカップリング剤を所
定の割合で配合する。ついで、これらの混合物をミキシ
ングロ−ル機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練し
て、これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程によって目
的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができる。

【００２７】このようなエポキシ樹脂組成物を用いて、
半導体素子を封止する方法は、特に限定するものではな
く、通常のトランスファ−成形等の公知のモ−ルド方法
によって行うことができる。

【００２８】

【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、上記エポキシ樹脂、特定のノボラック型フェノ−ル
樹脂を含有する流動が良好で、低線膨張係数、低吸湿お
よび高強度に優れた特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて
封止されているために、ＴＣＴテストで評価される特性
が向上して長寿命になる。また吸湿後、半田溶融液に浸
漬した場合においても本発明のエポキシ樹脂組成物硬化
体はクラックが発生しにくい。このことより、上記特殊
なエポキシ樹脂組成物による封止により、８ピン以上、
特に１６ピン以上の、もしくは半導体素子の長辺が４ｍ
ｍ以上の大型の半導体装置において、上記のような高信
頼性が得られるようになり、これが大きな特徴である。

【００２９】

【実施例】つぎに、実施例を比較例と併せて説明する。
エポキシ樹脂組成物の作製に先立って、下記に示すよう
に（Ａ）成分としてエポキシ樹脂Ａ、エポキシ樹脂Ｂ、
エポキシ樹脂Ｃ、エポキシ樹脂Ｄ、エポキシ樹脂Ｅおよ
びエポキシ樹脂Ｆ、（Ｂ）成分としてフェノ−ル樹脂
Ｇ、フェノ−ル樹脂Ｈ、フェノ−ル樹脂Ｉ、フェノ−ル
樹脂Ｊ、フェノ−ル樹脂Ｋおよびフェノ−ル樹脂Ｌを準
備した。

【００３０】「エポキシ樹脂Ａ」

【化４９】 〔エポキシ当量 １９５ｇ／ｅｑ、軟化点 １０７℃〕
「エポキシ樹脂Ｂ」

【化５０】 〔エポキシ当量 １７６ｇ／ｅｑ、軟化点 １２５℃〕
「エポキシ樹脂Ｃ」

【化５１】 〔エポキシ当量 ２５６ｇ／ｅｑ、軟化点 ６３℃、ｎ
は０又は１の整数〕「エポキシ樹脂Ｄ」

【化５２】 〔エポキシ当量 １８２ｇ／ｅｑ、軟化点 １３８℃〕
「エポキシ樹脂Ｅ」

【化５３】 〔エポキシ当量 ２５９ｇ／ｅｑ、軟化点 ８８℃、ｎ
は１〜４の整数〕「エポキシ樹脂Ｆ」

【化５４】 〔エポキシ当量 １９５ｇ／ｅｑ、軟化点 ８５℃、ｎ
は１〜４の整数〕

【００３１】「フェノ−ル樹脂Ｇ」

【化５５】 〔水酸基当量 １６３ｇ／ｅｑ、軟化点 ７３℃、ｎ＝
１〜２の整数、ｍ＝１〜２の整数（ｎ＋ｍ＝２〜４の整
数）〕「フェノ−ル樹脂Ｈ」

【化５６】 〔水酸基当量 １６８ｇ／ｅｑ、軟化点 １２１℃、ｎ
＝０〜３の整数〕「フェノ−ル樹脂Ｉ」

【化５７】 〔水酸基当量 １６７ｇ／ｅｑ、軟化点 ９１℃、ｎ＝
０〜２の整数〕「フェノ−ル樹脂Ｊ」

【化５８】 〔水酸基当量 １５０ｇ／ｅｑ、軟化点 ８４℃、ｎ＝
０〜２の整数〕「フェノ−ル樹脂Ｋ」

【化５９】 〔水酸基当量 １７３ｇ／ｅｑ、軟化点 ７０℃、ｎ＝
０〜３の整数〕「フェノ−ル樹脂Ｌ」

【化６０】 〔水酸基当量 １５８ｇ／ｅｑ、軟化点 ７６℃、ｎ＝
０〜２の整数〕「フェノ−ル樹脂Ｍ」

【化６１】 〔水酸基当量 １０７ｇ／ｅｑ、軟化点 ８０℃、ｎ＝
０〜４の整数〕

【００３２】実施例１〜１５および比較例１〜３。下記
の〔表１〕および〔表２〕に示す各原料を、同表に示す
割合で配合し、ミキシングロ−ル機（温度１００℃）で
３分間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする
粉末状エポキシ樹脂組成物を得た。また、同時に〔表
１〕および〔表２〕に示すエポキシ樹脂と硬化剤のみの
樹脂系粘度の測定結果を〔表３〕に示す。各樹脂系の粘
度の測定は次のようにして行った。エポキシ樹脂および
硬化剤を１：１の当量比で、合計１０ｇ卓上粉砕機にて
粉砕する。その内０．５ｇの試料を１５０℃に設定した
プレ−ト中央に注入し、３０秒後、粘度測定を行った。
粘度計は、ＩＣＩ粘度計（コ−ン＆プレ−ト型、角度２
°、外形２４ｍｍΦ）である。

【表１】

【表２】

【表３】

【００３３】以上の実施例および比較例によって得られ
たエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフ
ァ−成形（条件：１７５℃×２分、圧力６０Ｋｇｆ／ｃ
ｍ²、１７５℃×５時間後硬化）することにより半導体
装置を得た。このパッケ−ジは８０ピン四方向フラット
パッケ−ジ（８０ピンＱＦＰ、サイズ：２０×１４×２
ｍｍ）であり、ダイパッドサイズは８×８ｍｍである。

【００３４】このようにして得られた半導体装置につい
て、−５０℃／５分〜１５０℃／５分のＴＣＴテストを
行った。また、８５℃／８５％ＲＨの相対湿度の恒温槽
中に放置して吸湿させた後に、２６０℃の半田溶融液に
１０秒間浸漬する試験を行った。この結果を下記の〔表
４〕および〔表５〕に示した。

【表４】

【表５】

【００３５】〔表４〕および〔表５〕の結果から、実施
例品のＴＣＴテストおよび半田溶融液への浸漬時の耐ク
ラック性が比較例の従来品に較べて著しく優れているこ
とが明らかである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河本 紀雄 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エポキシ樹脂（Ａ）、ノボラック型フェ
   ノ−ル樹脂（Ｂ）、硬化促進剤および無機質充填剤を含
   むエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してな
   る半導体装置において、上記（Ａ）および（Ｂ）とし
   て、（Ａ）の１エポキシ当量と（Ｂ）の１水酸基当量の
   みを溶融混合してなる系の１５０℃でのＩＣＩ粘度を
   ２．０ポアズ以下に設定したことを特徴とする半導体装
   置。
2. 【請求項２】 ノボラック型フェノ−ル樹脂が下記の一
   般式〔化１〕で表される請求項１記載の半導体装置。 【化１】 〔上記一般式〔化１〕中において、Ａは以下の〔化
   ２〕、〔化３〕あるいは〔化４〕で、Ａ’は〔化５〕、
   〔化６〕あるいは〔化７〕であり、Ｂはフェニル基又は
   ナフチル基である。またｎは０〜５、ｍは１〜５（ｎ＋
   ｍ＝１〜６）の整数である。〕 【化２】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化３】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化４】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化５】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化６】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化７】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕
3. 【請求項３】 エポキシ樹脂が下記の一般式〔化８〕で
   表される請求項２記載の半導体装置。 【化８】 〔上記一般式〔化８〕中において、Ｒは水素原子、ハロ
   ゲン原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はアリル基で
   あり、ｎは０〜５の整数である。また式中のエポキシ樹
   脂は置換基Ｒの異なる２〜４種のエポキシ樹脂の混合体
   も含む。〕
4. 【請求項４】 無機質充填剤がエポキシ樹脂組成物全体
   の５０〜９２重量％含有してなる請求項３記載の半導体
   装置。
5. 【請求項５】 エポキシ樹脂（Ａ）、ノボラック型フェ
   ノ−ル樹脂〔化９〕、硬化促進剤および無機質充填剤を
   含むエポキシ樹脂組成物であって、上記（Ａ）および
   〔化９〕として、（Ａ）の１エポキシ当量と〔化９〕の
   １水酸基当量のみを溶融混合してなる系の１５０℃での
   ＩＣＩ粘度を２．０ポアズ以下に設定したことを特徴と
   するエポキシ樹脂組成物。 【化９】 〔上記一般式〔化９〕中において、Ａは以下の〔化１
   ０〕、〔化１１〕あるいは〔化１２〕で、Ａ’は〔化１
   ３〕、〔化１４〕あるいは〔化１５〕であり、Ｂはフェ
   ニル基又はナフチル基である。またｎは０〜５、ｍは１
   〜５（ｎ＋ｍ＝１〜６）の整数である。〕 【化１０】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化１１】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化１２】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化１３】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化１４】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕 【化１５】 〔但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、アリル基又は炭
   素数１〜１０の炭化水素基である。〕
6. 【請求項６】 エポキシ樹脂が下記の一般式〔化１６〕
   で表される請求項５記載のエポキシ樹脂組成物。 【化１６】 〔上記一般式〔化１６〕中において、Ｒは水素原子、ハ
   ロゲン原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はアリル基
   であり、ｎは０〜５の整数である。また式中のエポキシ
   樹脂は置換基Ｒの異なる２〜４種のエポキシ樹脂の混合
   体も含む。〕
7. 【請求項７】 無機質充填剤がエポキシ樹脂組成物全体
   の５０〜９２重量％含有してなる請求項６記載のエポキ
   シ樹脂組成物。