JPH0567699A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0567699A JPH0567699A JP12260591A JP12260591A JPH0567699A JP H0567699 A JPH0567699 A JP H0567699A JP 12260591 A JP12260591 A JP 12260591A JP 12260591 A JP12260591 A JP 12260591A JP H0567699 A JPH0567699 A JP H0567699A
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- Japan
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- epoxy resin
- component
- semiconductor device
- silicone compound
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止している。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化１】 〔上記一般式（１）において、Ｒは水素原子または炭素
数６以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異
なつていてもよい。〕 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 【効果】 ＴＣＴテストで評価される特性が向上して長
寿命になる。また、半田溶融液に浸漬した場合において
もパツケージクラツクの発生が抑制される。
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止している。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化１】 〔上記一般式（１）において、Ｒは水素原子または炭素
数６以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異
なつていてもよい。〕 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 【効果】 ＴＣＴテストで評価される特性が向上して長
寿命になる。また、半田溶融液に浸漬した場合において
もパツケージクラツクの発生が抑制される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、信頼性に優れた半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスター，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子は、従来セラミツクパツケージ等によつて封止さ
れ、半導体装置化されていたが、最近では、コスト，量
産性の観点から、プラスチツクパツケージを用いた樹脂
封止が主流になつている。この種の樹脂封止には、従来
からエポキシ樹脂が使用されており良好な成績を収めて
いる。しかしながら、半導体分野の技術革新によつて集
積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線の微細化
が進み、パツケージも小形化，薄形化する傾向にあり、
これに伴つて封止材料に対してより以上の信頼性（得ら
れる半導体装置の熱応力の低減，耐湿信頼性，耐熱衝撃
試験に対する信頼性等）の向上が要望されている。特
に、近年、半導体素子サイズは益々大形化する傾向にあ
り、半導体封止樹脂の性能を評価する加速試験である熱
サイクル試験（ＴＣＴテスト）に対するより以上の性能
の向上が要求されている。また、半導体パツケージの実
装方法として表面実装が主流となつてきており、このた
めに半導体パツケージを吸湿させたうえで半田溶融液に
浸漬してもパツケージにクラツクやふくれが発生しない
という特性が要求されている。
体素子は、従来セラミツクパツケージ等によつて封止さ
れ、半導体装置化されていたが、最近では、コスト，量
産性の観点から、プラスチツクパツケージを用いた樹脂
封止が主流になつている。この種の樹脂封止には、従来
からエポキシ樹脂が使用されており良好な成績を収めて
いる。しかしながら、半導体分野の技術革新によつて集
積度の向上とともに素子サイズの大形化，配線の微細化
が進み、パツケージも小形化，薄形化する傾向にあり、
これに伴つて封止材料に対してより以上の信頼性（得ら
れる半導体装置の熱応力の低減，耐湿信頼性，耐熱衝撃
試験に対する信頼性等）の向上が要望されている。特
に、近年、半導体素子サイズは益々大形化する傾向にあ
り、半導体封止樹脂の性能を評価する加速試験である熱
サイクル試験（ＴＣＴテスト）に対するより以上の性能
の向上が要求されている。また、半導体パツケージの実
装方法として表面実装が主流となつてきており、このた
めに半導体パツケージを吸湿させたうえで半田溶融液に
浸漬してもパツケージにクラツクやふくれが発生しない
という特性が要求されている。
【０００３】これに関して、従来からＴＣＴテストで評
価される各特性の向上のためにシリコーン化合物でエポ
キシ樹脂を変性して熱応力を低減させることが検討され
ており、また半田浸漬時の耐クラツク性の向上のために
リードフレームとの密着性の向上等が検討されてきた
が、その効果は未だ充分ではない。
価される各特性の向上のためにシリコーン化合物でエポ
キシ樹脂を変性して熱応力を低減させることが検討され
ており、また半田浸漬時の耐クラツク性の向上のために
リードフレームとの密着性の向上等が検討されてきた
が、その効果は未だ充分ではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、これま
での封止用エポキシ樹脂組成物はＴＣＴテストの結果や
半田浸漬時の耐クラツク性の特性が充分でなかつた。こ
のために、上記の技術革新による半導体素子サイズの大
形化や表面実装化に対応できるように、上記両特性の向
上が強く望まれている。
での封止用エポキシ樹脂組成物はＴＣＴテストの結果や
半田浸漬時の耐クラツク性の特性が充分でなかつた。こ
のために、上記の技術革新による半導体素子サイズの大
形化や表面実装化に対応できるように、上記両特性の向
上が強く望まれている。
【０００５】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液に浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体装
置の提供をその目的とする。
たもので、ＴＣＴテストで評価される各特性の向上およ
び半田溶融液に浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体装
置の提供をその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明は半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。
め、この発明は半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。
【化５】 〔上記式（１）において、Ｒは水素原子または炭素数６
以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異なつ
ていてもよい。〕 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。
以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異なつ
ていてもよい。〕 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。
【０００７】
【作用】すなわち、本発明者らは、ＴＣＴテストで評価
される各特性の向上および半田溶融液に浸漬した際の耐
クラツク性の向上を実現するために一連の研究を重ね
た。その結果、上記一般式（１）で表される特殊な骨格
構造を有するフエノール樹脂を用いると、得られる半導
体装置が、ＴＣＴテストおよび吸水後に半田溶融液に浸
漬した際の耐クラツク性の双方に優れるようになること
を見出しこの発明に到達した。
される各特性の向上および半田溶融液に浸漬した際の耐
クラツク性の向上を実現するために一連の研究を重ね
た。その結果、上記一般式（１）で表される特殊な骨格
構造を有するフエノール樹脂を用いると、得られる半導
体装置が、ＴＣＴテストおよび吸水後に半田溶融液に浸
漬した際の耐クラツク性の双方に優れるようになること
を見出しこの発明に到達した。
【０００８】つぎに、この発明について詳しく説明す
る。
る。
【０００９】この発明に用いられる半導体装置は、特殊
なエポキシ樹脂（Ａ成分）と、フエノール樹脂（Ｂ成
分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）とを用いて得られるも
のであり、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレ
ツト状になつている。
なエポキシ樹脂（Ａ成分）と、フエノール樹脂（Ｂ成
分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）とを用いて得られるも
のであり、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレ
ツト状になつている。
【００１０】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）として
は、下記の一般式（１）で表されるものが用いられる。
は、下記の一般式（１）で表されるものが用いられる。
【化６】 〔上記式（１）において、Ｒは水素原子または炭素数６
以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異なつ
ていてもよい。〕
以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異なつ
ていてもよい。〕
【００１１】上記式（１）において、置換基Ｒとして
は、特に水素原子，メチル基が好ましく、相互に同じで
あつても異なつていてもよい。
は、特に水素原子，メチル基が好ましく、相互に同じで
あつても異なつていてもよい。
【００１２】さらに、エポキシ樹脂成分として、上記一
般式（１）で表されるエポキシ樹脂以外に、通常用いら
れるエポキシ樹脂を併用してもよい。上記通常用いられ
るエポキシ樹脂としては、少なくとも２個以上のエポキ
シ基を有するものであれば特に分子量、構造等に制限を
有するものではなく、例えば、ビスフエノールＡ型，フ
エノールノボラツク型，クレゾールノボラツク型エポキ
シ樹脂等があげられる。上記通常用いられるエポキシ樹
脂を併用する場合は、エポキシ樹脂成分全体の５０重量
％（以下「％」と略す）以下に設定するのが好ましい。
般式（１）で表されるエポキシ樹脂以外に、通常用いら
れるエポキシ樹脂を併用してもよい。上記通常用いられ
るエポキシ樹脂としては、少なくとも２個以上のエポキ
シ基を有するものであれば特に分子量、構造等に制限を
有するものではなく、例えば、ビスフエノールＡ型，フ
エノールノボラツク型，クレゾールノボラツク型エポキ
シ樹脂等があげられる。上記通常用いられるエポキシ樹
脂を併用する場合は、エポキシ樹脂成分全体の５０重量
％（以下「％」と略す）以下に設定するのが好ましい。
【００１３】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用い
られるフエノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹脂（Ａ
成分）の硬化剤として作用するものであり、少なくとも
２個以上の水酸基を有するものであれば特に分子量，分
子構造等を制限するものではない。例えば、フエノール
ノボラツク，クレゾールノボラツク樹脂等が好適に用い
られる。これらノボラツク樹脂は、軟化点が５０〜１１
０℃、水酸基当量が７０〜１５０のものを用いることが
好ましい。特に、上記ノボラツク樹脂のなかでもクレゾ
ールノボラツクを用いることが好結果をもたらす。
られるフエノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹脂（Ａ
成分）の硬化剤として作用するものであり、少なくとも
２個以上の水酸基を有するものであれば特に分子量，分
子構造等を制限するものではない。例えば、フエノール
ノボラツク，クレゾールノボラツク樹脂等が好適に用い
られる。これらノボラツク樹脂は、軟化点が５０〜１１
０℃、水酸基当量が７０〜１５０のものを用いることが
好ましい。特に、上記ノボラツク樹脂のなかでもクレゾ
ールノボラツクを用いることが好結果をもたらす。
【００１４】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と特殊なフエ
ノール樹脂（Ｂ成分）との配合割合は、エポキシ樹脂中
のエポキシ基１当量あたりフエノール樹脂中の水酸基が
０．８〜１．２当量となるように配合することが好まし
い。
ノール樹脂（Ｂ成分）との配合割合は、エポキシ樹脂中
のエポキシ基１当量あたりフエノール樹脂中の水酸基が
０．８〜１．２当量となるように配合することが好まし
い。
【００１５】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）および
フエノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられる無機質充
填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するものではなく、
一般に用いられている石英ガラス粉末，タルク，シリカ
粉末，アルミナ粉末，炭酸カルシウム，カーボンブラツ
ク粉末等があげられる。特にシリカ粉末が好適である。
このような無機質充填剤（Ｃ成分）の含有量は、例えば
シリカ粉末の場合、エポキシ樹脂組成物全体の５０％以
上に設定するのが好ましい。特に好ましくは８０％以上
である。すなわち、含有量が５０％を下回ると、充填剤
としての効果が大幅に低下する傾向がみられるからであ
る。
フエノール樹脂（Ｂ成分）とともに用いられる無機質充
填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するものではなく、
一般に用いられている石英ガラス粉末，タルク，シリカ
粉末，アルミナ粉末，炭酸カルシウム，カーボンブラツ
ク粉末等があげられる。特にシリカ粉末が好適である。
このような無機質充填剤（Ｃ成分）の含有量は、例えば
シリカ粉末の場合、エポキシ樹脂組成物全体の５０％以
上に設定するのが好ましい。特に好ましくは８０％以上
である。すなわち、含有量が５０％を下回ると、充填剤
としての効果が大幅に低下する傾向がみられるからであ
る。
【００１６】また、上記エポキシ樹脂（Ａ成分），特殊
なフエノール樹脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成
分）とともに、下記の一般式（２）で表されるシリコー
ン化合物および（３）で表されるシリコーン化合物を用
いてもよい。これらは単独でもしくは併せて用いられ
る。
なフエノール樹脂（Ｂ成分）および無機質充填剤（Ｃ成
分）とともに、下記の一般式（２）で表されるシリコー
ン化合物および（３）で表されるシリコーン化合物を用
いてもよい。これらは単独でもしくは併せて用いられ
る。
【００１７】
【化７】 このようなシリコーン化合物の配合量は、シリコーン化
合物がエポキシ樹脂組成物全体の５％以下になるように
設定するのが好ましい。特に好ましくは０．５〜３．０
％の範囲内である。すなわち、配合量が５％以上では耐
熱性等の特性が低下する傾向がみられるからである。
合物がエポキシ樹脂組成物全体の５％以下になるように
設定するのが好ましい。特に好ましくは０．５〜３．０
％の範囲内である。すなわち、配合量が５％以上では耐
熱性等の特性が低下する傾向がみられるからである。
【００１８】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分およびシリコーン化合物以
外に必要に応じて、硬化促進剤として従来公知の三級ア
ミン，四級アンモニウム塩，イミダゾール類およびホウ
素化合物を単独でもしくは併せて用いることができる。
さらに、三酸化アンチモン，リン系化合物等の難燃剤
や、カーボンブラツクや酸化チタン等の顔料、パラフイ
ンや脂肪族エステル等の離型剤、シランカツプリング剤
等のカツプリング剤を用いることができる。
組成物には、上記Ａ〜Ｃ成分およびシリコーン化合物以
外に必要に応じて、硬化促進剤として従来公知の三級ア
ミン，四級アンモニウム塩，イミダゾール類およびホウ
素化合物を単独でもしくは併せて用いることができる。
さらに、三酸化アンチモン，リン系化合物等の難燃剤
や、カーボンブラツクや酸化チタン等の顔料、パラフイ
ンや脂肪族エステル等の離型剤、シランカツプリング剤
等のカツプリング剤を用いることができる。
【００１９】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、Ａ〜Ｃ成分、またはこれらとシリコーン化合物
および必要に応じて硬化促進剤，難燃剤，顔料，離型剤
およびカツプリング剤を所定の割合で配合する。つい
で、これらの混合物をミキシングロール機等の混練機を
用いて加熱状態で溶融混練して、これを室温に冷却した
後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠する
という一連の工程によつて目的とするエポキシ樹脂組成
物を得ることができる。
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、Ａ〜Ｃ成分、またはこれらとシリコーン化合物
および必要に応じて硬化促進剤，難燃剤，顔料，離型剤
およびカツプリング剤を所定の割合で配合する。つい
で、これらの混合物をミキシングロール機等の混練機を
用いて加熱状態で溶融混練して、これを室温に冷却した
後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠する
という一連の工程によつて目的とするエポキシ樹脂組成
物を得ることができる。
【００２０】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスフアー成形等の公知のモールド方法によつて
行うことができる。
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスフアー成形等の公知のモールド方法によつて
行うことができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）を含有する特殊なエ
ポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止されているため、Ｔ
ＣＴテストで評価される特性が向上して長寿命になる。
また、吸湿後、半田溶融液に浸漬した場合においてもパ
ツケージクラツクの発生が抑制される。さらに、このよ
うな特殊なエポキシ樹脂組成物にシリコーン化合物を併
用すると一層効果的である。したがつて、このようなエ
ポキシ樹脂組成物を用いての封止により、８ピン以上、
特に１６ピン以上の、もしくは半導体素子の長辺が４mm
以上の大形の半導体装置において、上記のような高信頼
性が得られるようになり、これが大きな特徴である。
は、特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）を含有する特殊なエ
ポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止されているため、Ｔ
ＣＴテストで評価される特性が向上して長寿命になる。
また、吸湿後、半田溶融液に浸漬した場合においてもパ
ツケージクラツクの発生が抑制される。さらに、このよ
うな特殊なエポキシ樹脂組成物にシリコーン化合物を併
用すると一層効果的である。したがつて、このようなエ
ポキシ樹脂組成物を用いての封止により、８ピン以上、
特に１６ピン以上の、もしくは半導体素子の長辺が４mm
以上の大形の半導体装置において、上記のような高信頼
性が得られるようになり、これが大きな特徴である。
【００２２】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００２３】まず、実施例に先立つて、下記に示す２種
類のエポキシ樹脂Ａ，Ｂ、３種類のフエノール樹脂Ｃ〜
Ｅ、さらに６種類のシリコーン化合物ａ〜ｆを準備し
た。
類のエポキシ樹脂Ａ，Ｂ、３種類のフエノール樹脂Ｃ〜
Ｅ、さらに６種類のシリコーン化合物ａ〜ｆを準備し
た。
【００２４】〔エポキシ樹脂Ａ〕
【化８】 エポキシ当量（ｇ／ｅｑ）：２７２、軟化点（℃）：５
５ 〔エポキシ樹脂Ｂ〕
５ 〔エポキシ樹脂Ｂ〕
【化９】 エポキシ当量（ｇ／ｅｑ）：１９６、軟化点（℃）：６
９ なお、上記エポキシ樹脂Ａ，Ｂの構造式中、Ｇは下記の
式である。
９ なお、上記エポキシ樹脂Ａ，Ｂの構造式中、Ｇは下記の
式である。
【化１０】
【００２５】〔フエノール樹脂Ｃ〕
【化１１】 水酸基当量（ｇ／ｅｑ）：１０６、軟化点（℃）：８０ 〔フエノール樹脂Ｄ〕
【化１２】 水酸基当量（ｇ／ｅｑ）：１７０、軟化点（℃）：１１
２ 〔フエノール樹脂Ｅ〕
２ 〔フエノール樹脂Ｅ〕
【化１３】 水酸基当量（ｇ／ｅｑ）：１４０、軟化点（℃）：１１
７
７
【００２６】〔シリコーン化合物ａ〕
【化１４】 エポキシ当量（ｇ／ｅｑ）：１８００ 〔シリコーン化合物ｂ〕
【化１５】 エポキシ当量（ｇ／ｅｑ）：３０００ 〔シリコーン化合物ｃ〕
【化１６】 エポキシ当量（ｇ／ｅｑ）：１００００ 〔シリコーン化合物ｄ〕
【化１７】 エポキシ当量（ｇ／ｅｑ）：７０００ 〔シリコーン化合物ｅ〕
【化１８】 アミン当量：３８００ 〔シリコーン化合物ｆ〕
【化１９】 カルボキシル当量：３３００
【００２７】なお、上記シリコーン化合物ａ〜ｆにおい
て、ｎの値は、シリコーン化合物ａでは４０、シリコー
ン化合物ｂでは６０、シリコーン化合物ｃでは９、シリ
コーン化合物ｄでは２９、シリコーン化合物ｆでは８７
である。ｍの値は、シリコーン化合物ｃでは９である。
Ｘの値は、シリコーン化合物ｃでは１５６、シリコーン
化合物ｄでは１５２、シリコーン化合物ｅでは１４８で
ある。Ｙの値は、シリコーン化合物ｃでは２、シリコー
ン化合物ｄでは３、シリコーン化合物ｅでは３である。
Ｚの値は、シリコーン化合物ｃでは４、シリコーン化合
物ｄでは５である。
て、ｎの値は、シリコーン化合物ａでは４０、シリコー
ン化合物ｂでは６０、シリコーン化合物ｃでは９、シリ
コーン化合物ｄでは２９、シリコーン化合物ｆでは８７
である。ｍの値は、シリコーン化合物ｃでは９である。
Ｘの値は、シリコーン化合物ｃでは１５６、シリコーン
化合物ｄでは１５２、シリコーン化合物ｅでは１４８で
ある。Ｙの値は、シリコーン化合物ｃでは２、シリコー
ン化合物ｄでは３、シリコーン化合物ｅでは３である。
Ｚの値は、シリコーン化合物ｃでは４、シリコーン化合
物ｄでは５である。
【００２８】
【実施例１〜２１】上記エポキシ樹脂Ａ，Ｂ、フエノー
ル樹脂Ｃ〜Ｅおよびシリコーン化合物ａ〜ｆを用いて、
これら各成分を後記の表１〜表４にしたがつて配合し、
ミキシングロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練
を行い、冷却固化した。この後、粉砕し目的とする粉末
状エポキシ樹脂組成物を得た。
ル樹脂Ｃ〜Ｅおよびシリコーン化合物ａ〜ｆを用いて、
これら各成分を後記の表１〜表４にしたがつて配合し、
ミキシングロール機（温度１００℃）で３分間溶融混練
を行い、冷却固化した。この後、粉砕し目的とする粉末
状エポキシ樹脂組成物を得た。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】
【表３】
【００３２】
【表４】
【００３３】
【比較例１〜３】下記の表５に示す各成分を用いた。そ
れ以外は実施例１と同様にして目的とする粉末状エポキ
シ樹脂組成物を得た。
れ以外は実施例１と同様にして目的とする粉末状エポキ
シ樹脂組成物を得た。
【００３４】
【表５】
【００３５】以上の実施例および比較例によつて得られ
たエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子をトランス
フアー成形（条件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間
後硬化）することにより半導体装置を得た。このパツケ
ージは、８０ピン四方向フラツトパツケージ（ＱＦＰ）
（サイズ：２０×１４×厚み２mm）であり、ダイパツド
サイズは８×８mmである。
たエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子をトランス
フアー成形（条件：１７５℃×２分、１７５℃×５時間
後硬化）することにより半導体装置を得た。このパツケ
ージは、８０ピン四方向フラツトパツケージ（ＱＦＰ）
（サイズ：２０×１４×厚み２mm）であり、ダイパツド
サイズは８×８mmである。
【００３６】このようにして得られた半導体装置につい
て、−５０℃／５分（液相）〜１５０℃／５分（液相）
のＴＣＴテストを行つた。また、８５℃／８５％相対湿
度の恒温槽中に放置して吸湿させた後に、２６０℃の半
田溶融液に１０秒間浸漬する試験を行つた。この結果を
下記の表６〜表９に示した。
て、−５０℃／５分（液相）〜１５０℃／５分（液相）
のＴＣＴテストを行つた。また、８５℃／８５％相対湿
度の恒温槽中に放置して吸湿させた後に、２６０℃の半
田溶融液に１０秒間浸漬する試験を行つた。この結果を
下記の表６〜表９に示した。
【００３７】
【表６】
【００３８】
【表７】
【００３９】
【表８】
【００４０】
【表９】
【００４１】上記表６〜表９の結果から、実施例品のＴ
ＣＴテストおよび半田溶融液への浸漬時の耐クラツク性
が比較例品に比べて著しく優れていることがわかる。
ＣＴテストおよび半田溶融液への浸漬時の耐クラツク性
が比較例品に比べて著しく優れていることがわかる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷川 聡 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化１】 〔上記式（１）において、Ｒは水素原子または炭素数６
以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異なつ
ていてもよい。〕 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 - 【請求項２】 上記（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに下記の
一般式（２）で表されるシリコーン化合物および（３）
で表されるシリコーン化合物の少なくとも一方が含有さ
れている請求項１記載の半導体装置。 【化２】 - 【請求項３】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化３】 〔上記式（１）において、Ｒは水素原子または炭素数６
以下のアルキル基であり、相互に同じであつても異なつ
ていてもよい。〕 （Ｂ）フエノール樹脂。 （Ｃ）無機質充填剤。 - 【請求項４】 上記（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに下記の
一般式（２）で表されるシリコーン化合物および（３）
で表されるシリコーン化合物の少なくとも一方が含有さ
れている請求項３記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 【化４】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
1991
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Cited By (8)
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| WO2017038979A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物及びその製造方法、並びに、組成物、光学部品形成用組成物、リソグラフィー用膜形成組成物、レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法 |
| CN108349860A (zh) * | 2015-09-03 | 2018-07-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物及其制造方法、组合物、光学部件形成用组合物、光刻用膜形成组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、辐射敏感组合物、非晶膜制造方法、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜制造方法、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法、纯化方法 |
| JPWO2017038979A1 (ja) * | 2015-09-03 | 2018-08-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物及びその製造方法、並びに、組成物、光学部品形成用組成物、リソグラフィー用膜形成組成物、レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法 |
| EP3345889A4 (en) * | 2015-09-03 | 2019-04-17 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, COMPOSITION, COMPOSITION FOR FORMING OPTICAL COMPONENT, COMPOSITION FOR FORMING LITHOGRAPHIC FILM, RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PROCESS FOR PRODUCING FILM AMORPHOUS, MATERIAL FOR FORMING LITHOGRAPHIC UNDERLAY FILM, COMPOSITION FOR FORMING LITHOGRAPHIC UNDERLAYER FILM, PROCESS FOR PRODUCING LITHOGRAPHIC UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING CIRCUIT PATTERN, AND METHOD FOR PURIFICATION |
| US11067889B2 (en) | 2015-09-03 | 2021-07-20 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound, composition, and method for producing same, underlayer film forming material for lithography, composition for underlayer film formation for lithography, and purification method |
| WO2018016615A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法 |
| JPWO2018016615A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2019-05-09 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法 |
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