JP4973146B2 - エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 - Google Patents
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Description
また、連続成形性向上への取り組みとしては、離型効果の高い離型剤の適用が提案されている(例えば、特許文献4参照。)が、離型効果の高い離型剤は必然的に樹脂硬化物の表面に浮き出しやすく、連続生産すると樹脂硬化物表面の外観及び金型表面を著しく汚してしまう欠点があった。樹脂硬化物表面の外観に優れるエポキシ樹脂組成物として、特定の構造を有するシリコーン化合物を添加する手法等が提案されている(例えば、特許文献5、6参照。)が、離型性は不充分で連続成形においてエアベント部分で樹脂が付着してエアベントを塞ぐことにより、未充填等の成形不具合を生じさせる等、連続成形性の低下を引き起こす問題があった。以上より、半田耐熱性、離型性、連続成形性、樹脂硬化物表面の外観、金型汚れ全ての課題に対応した封止用エポキシ樹脂組成物が求められている。
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂系硬化剤、(C)下記一般式(1)で表されるポリカプロラクトン基を有するオルガノポリシロキサン(c1)を、全エポキシ樹脂組成物中0.55重量%以上、3重量%以下、並びに(D)グリセリンと炭素数24以上、36以下の飽和脂肪酸とのトリエステルであるグリセリントリ脂肪酸エステルを、全エポキシ樹脂組成物中0.01重量%以上、0.5重量%以下、を含み、
前記(D)グリセリントリ脂肪酸エステルの滴点が70℃以上、120℃以下であり、
酸価が10mgKOH/g以上、50mgKOH/g以下であり、平均粒径が20μm以上、70μm以下であり、全グリセリントリ脂肪酸エステル中における粒径106μm以上の粒子の含有比率が0.1重量%以下、であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、
[3] 前記(A)エポキシ樹脂がビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を含む第[1]項ないし第[2]項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物、
[8] 第[7]項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止してなることを特徴とする電子部品装置、
[9] 第[7]項に記載の封止用エポキシ樹脂組成物が半導体封止用である半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[10] 第[9]項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以上
以下、本発明について詳細に説明する。
また、本発明に用いられる(C)ポリカプロラクトン基を有するオルガノポリシロキサン(c1)、及び/又は、ポリカプロラクトン基を有するオルガノポリシロキサン(c1)とエポキシ樹脂との反応生成物(c2)を添加する効果を損なわない範囲で、他のオルガノポリシロキサンを併用することができる。
本発明で用いられる(D)グリセリントリ脂肪酸エステルを用いることによる効果を損なわない範囲で、他の離型剤を併用することもできる。併用できる離型剤としては、例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。
本発明の電子部品装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ(DIP)、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ(PLCC)、クワッド・フラット・パッケージ(QFP)、スモール・アウトライン・パッケージ(SOP)、スモール・アウトライン・Jリード・パッケージ(SOJ)、薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)、薄型クワッド・フラット・パッケージ(TQFP)、テープ・キャリア・パッケージ(TCP)、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)等が挙げられる。
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
実施例1
エポキシ樹脂1:下記式(2)で表されるエポキシ樹脂(日本化薬(株)製、NC3000P。エポキシ当量274、軟化点58℃。下記式(2)において、n2の平均値3.8。) 8.13重量部
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下、DBUという)
0.20重量部
溶融球状シリカ(平均粒径21μm) 85.00重量部
カップリング剤(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン) 0.40重量部
カーボンブラック 0.40重量部
を混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間溶融混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
スパイラルフロー:低圧トランスファー成形機(コータキ精機株式会社製、KTS−15)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。単位はcm。判定基準は70cm未満を不合格、70cm以上を合格とした。
表1及び2の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例1と同様にして評価した。結果を表1及び2に示す。
実施例1以外で用いた原材料を以下に示す。
エポキシ樹脂2:ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000。エポキシ当量190g/eq、融点105℃。)
エポキシ樹脂3:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、EOCN−1020 62。エポキシ当量200g/eq、軟化点62℃。)
フェノール樹脂系硬化剤2:パラキシリレン変性ノボラック型フェノール樹脂(三井化学(株)製、XLC−4L。水酸基当量168g/eq、軟化点62℃。)
グリセリントリモンタン酸エステル(クラリアントジャパン(株)製LICOLUBE WE4、滴点85℃、酸価25mgKOH/g、平均粒径45μm、粒径106μm以上の粒子0.0重量%)
グリセリントリメリシン酸エステル(グリセリンとメリシン酸を混合し、減圧下、180℃の条件で脱水縮合させ、得られた生成物を粉砕することによって得た。滴点95℃、酸価30mgKOH/g、平均粒径45μm、粒径106μm以上の粒子0.0重量%)
グリセリンジセロチン酸エステル(グリセリンとセロチン酸を混合し、減圧下、180℃の条件で脱水縮合、蒸留させ、得られた生成物を粉砕することによって得た。滴点75℃、酸価25mgKOH/g、平均粒径45μm、粒径106μm以上の粒子0.0重量%)
カルナバワックス
また、比較例2は(C)成分の代わりにポリカプロラクトン基を有さないオルガノポリシロキサン3を用いたものであるが、(D)グリセリントリ脂肪酸エステルの分散が不充分となり、パッケージ表面の外観が悪化し、金型キャビティが汚れる結果となった。
また、比較例3は(D)グリセリントリ脂肪酸エステルの代わりに、グリセリンジ脂肪酸エステルを用いたものであるが、充分な離型性が得られず、連続成形性が劣る結果となった。
また、比較例4は(D)グリセリントリ脂肪酸エステルの代わりに、カルナバワックスを用いたものであるが、ワックスが樹脂硬化物表面に均一に出てこないため、連続成形性が劣る結果となった。
比較例5は、(C)成分、(D)成分をともに用いていないものであるが、離型性が不充分なため、連続成形性が劣る結果となった。
2 ダイボンド材硬化体
3 ダイパッド
4 金線
5 リードフレーム
6 封止用樹脂組成物の硬化体
Claims (10)
- (A)エポキシ樹脂、
(B)フェノール樹脂系硬化剤、
(C)下記一般式(1)で表されるポリカプロラクトン基を有するオルガノポリシロキサン(c1)を、全エポキシ樹脂組成物中0.55重量%以上、3重量%以下、
並びに
(D)グリセリンと炭素数24以上、36以下の飽和脂肪酸とのトリエステルであるグリセリントリ脂肪酸エステルを、全エポキシ樹脂組成物中0.01重量%以上、0.5重量%以下、
を含み、前記(D)グリセリントリ脂肪酸エステルの滴点が70℃以上、120℃以下であり、酸価が10mgKOH/g以上、50mgKOH/g以下であり、平均粒径が20μm以上、70μm以下であり、全グリセリントリ脂肪酸エステル中における粒径106μm以上の粒子の含有比率が0.1重量%以下、
であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
- 前記ポリカプロラクトン基を有するオルガノポリシロキサン(c1)の配合量Ac1と前記(D)グリセリントリ脂肪酸エステルの配合量ADとの重量比Ac1/ADが3/1から1/5までの範囲である請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(A)エポキシ樹脂がビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂を含む請求項1ないし請求項2のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(A)エポキシ樹脂が下記一般式(2)で表されるエポキシ樹脂(a1)を含む請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(B)フェノール樹脂系硬化剤がビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂を含む請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記(B)フェノール樹脂系硬化剤が下記一般式(3)で表されるフェノール樹脂(b1)を含む請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記エポキシ樹脂組成物が請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物が電子部品封止用である封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項7に記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止してなることを特徴とする電子部品装置。
- 請求項7に記載の封止用エポキシ樹脂組成物が半導体封止用である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項9に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006313621A JP4973146B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006313621A JP4973146B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008127455A JP2008127455A (ja) | 2008-06-05 |
JP4973146B2 true JP4973146B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=39553636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006313621A Expired - Fee Related JP4973146B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | エポキシ樹脂組成物、封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4973146B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5332900B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-11-06 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP5332899B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-11-06 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP5651968B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2015-01-14 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08337635A (ja) * | 1995-06-12 | 1996-12-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH08337636A (ja) * | 1995-06-12 | 1996-12-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH1045872A (ja) * | 1996-05-31 | 1998-02-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
MY159179A (en) * | 2004-03-16 | 2016-12-30 | Sumitomo Bakelite Co | Epoxy resin composition and semiconductor device. |
JP4892955B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2012-03-07 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP4946115B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2012-06-06 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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2006
- 2006-11-20 JP JP2006313621A patent/JP4973146B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008127455A (ja) | 2008-06-05 |
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JP4930145B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |