JP2002309067A - 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2002309067A JP2002309067A JP2001116388A JP2001116388A JP2002309067A JP 2002309067 A JP2002309067 A JP 2002309067A JP 2001116388 A JP2001116388 A JP 2001116388A JP 2001116388 A JP2001116388 A JP 2001116388A JP 2002309067 A JP2002309067 A JP 2002309067A
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- resin composition
- sealing
- semiconductor device
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱伝導率が高い硬化物が得られ、金型磨耗が
少なくて、成形性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物を
提供する。また、熱伝導率が高い封止材で封止されてい
て、且つ充填不良の発生が少ない半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤
と、離型剤と、結晶シリカを含有してなる封止用エポキ
シ樹脂組成物において、さらに、水で抽出されるＮａイ
オンが１０ｐｐｍ以下であり、ワーデルの球形度が０．
７５以上である球状アルミナを含有していることを特徴
とする封止用エポキシ樹脂組成物。この封止用エポキシ
樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体
装置。
少なくて、成形性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物を
提供する。また、熱伝導率が高い封止材で封止されてい
て、且つ充填不良の発生が少ない半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤
と、離型剤と、結晶シリカを含有してなる封止用エポキ
シ樹脂組成物において、さらに、水で抽出されるＮａイ
オンが１０ｐｐｍ以下であり、ワーデルの球形度が０．
７５以上である球状アルミナを含有していることを特徴
とする封止用エポキシ樹脂組成物。この封止用エポキシ
樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体
装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の電
子部品を製造する際に、半導体素子等を封止するのに使
用する封止用エポキシ樹脂組成物及びその封止用エポキ
シ樹脂組成物を用いて製造した半導体装置に関する。
子部品を製造する際に、半導体素子等を封止するのに使
用する封止用エポキシ樹脂組成物及びその封止用エポキ
シ樹脂組成物を用いて製造した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子等を封止する封止
材として、セラミックや熱硬化性樹脂組成物が用いられ
ている。なかでもエポキシ樹脂組成物を封止材に用いる
方法が経済性と性能のバランスの点で好ましく、広く使
用されている。半導体素子の樹脂封止は、例えばリード
フレームに半導体素子を搭載し、その半導体素子とリー
ドフレームをボンディングワイヤー等を用いて電気的に
接続し、金型を使用して半導体素子全体及びリードフレ
ームの一部を樹脂で封止することにより行われる。この
ような樹脂封止の方法としては、トランスファー成形法
が一般的に用いられている。実際の生産現場においては
成形を連続的に行っている。連続的に成形を行うと、金
型のランナーやゲート部が磨耗によって、損傷するた
め、損傷した部分を修復することが必要となり、生産コ
ストアップの要因となる。特に、高熱伝導性が要求され
る用途の場合には、封止材中に結晶シリカやアルミナ等
の硬度が高い充填材を含有させるため、金型磨耗が著し
くなる。また、アルミナは結晶シリカより熱伝導性が高
いため有用な材料であるが、一般に水で抽出されるＮａ
イオン等のイオン性不純物量が結晶シリカより多いた
め、成形した場合に離型不良や、ピンホール（ボイド）
発生が多くなり、成形性が劣る傾向がある。
材として、セラミックや熱硬化性樹脂組成物が用いられ
ている。なかでもエポキシ樹脂組成物を封止材に用いる
方法が経済性と性能のバランスの点で好ましく、広く使
用されている。半導体素子の樹脂封止は、例えばリード
フレームに半導体素子を搭載し、その半導体素子とリー
ドフレームをボンディングワイヤー等を用いて電気的に
接続し、金型を使用して半導体素子全体及びリードフレ
ームの一部を樹脂で封止することにより行われる。この
ような樹脂封止の方法としては、トランスファー成形法
が一般的に用いられている。実際の生産現場においては
成形を連続的に行っている。連続的に成形を行うと、金
型のランナーやゲート部が磨耗によって、損傷するた
め、損傷した部分を修復することが必要となり、生産コ
ストアップの要因となる。特に、高熱伝導性が要求され
る用途の場合には、封止材中に結晶シリカやアルミナ等
の硬度が高い充填材を含有させるため、金型磨耗が著し
くなる。また、アルミナは結晶シリカより熱伝導性が高
いため有用な材料であるが、一般に水で抽出されるＮａ
イオン等のイオン性不純物量が結晶シリカより多いた
め、成形した場合に離型不良や、ピンホール（ボイド）
発生が多くなり、成形性が劣る傾向がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
に鑑みて成されたもので、その目的とする所は、熱伝導
率が高い硬化物が得られる封止用エポキシ樹脂組成物で
あって、金型磨耗が少なくて、成形性が良好な封止用エ
ポキシ樹脂組成物を提供すること及び熱伝導率が高い封
止材で封止されていて、且つピンホール（ボイド）等の
充填不良の発生が少ない半導体装置を提供することであ
る。
に鑑みて成されたもので、その目的とする所は、熱伝導
率が高い硬化物が得られる封止用エポキシ樹脂組成物で
あって、金型磨耗が少なくて、成形性が良好な封止用エ
ポキシ樹脂組成物を提供すること及び熱伝導率が高い封
止材で封止されていて、且つピンホール（ボイド）等の
充填不良の発生が少ない半導体装置を提供することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の封
止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤
と、硬化促進剤と、離型剤と、結晶シリカを含有してな
る封止用エポキシ樹脂組成物において、さらに、水で抽
出されるＮａイオンが１０ｐｐｍ以下であり、ワーデル
の球形度が０．７５以上である球状アルミナを含有して
いることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。
止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤
と、硬化促進剤と、離型剤と、結晶シリカを含有してな
る封止用エポキシ樹脂組成物において、さらに、水で抽
出されるＮａイオンが１０ｐｐｍ以下であり、ワーデル
の球形度が０．７５以上である球状アルミナを含有して
いることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。
【０００５】請求項２に係る発明の封止用エポキシ樹脂
組成物は、球状アルミナの平均粒径が１μｍ〜５０μｍ
であることを特徴とする請求項１記載の封止用エポキシ
樹脂組成物である。
組成物は、球状アルミナの平均粒径が１μｍ〜５０μｍ
であることを特徴とする請求項１記載の封止用エポキシ
樹脂組成物である。
【０００６】請求項３に係る発明の封止用エポキシ樹脂
組成物は、硬化促進剤として融点が２００℃以上のイミ
ダゾール類を用いることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の封止用エポキシ樹脂組成物である。
組成物は、硬化促進剤として融点が２００℃以上のイミ
ダゾール類を用いることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の封止用エポキシ樹脂組成物である。
【０００７】請求項４に係る発明の半導体装置は、請求
項１〜請求項３の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置で
ある。
項１〜請求項３の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置で
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】（エポキシ樹脂組成物）エポキシ
樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し
ているものであれば特に制限はないが、例えば、ｏ−ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビス
フェノール型エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂等が
挙げられ、これらは単独で用いても併用してもよい。
樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し
ているものであれば特に制限はないが、例えば、ｏ−ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビス
フェノール型エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂等が
挙げられ、これらは単独で用いても併用してもよい。
【０００９】硬化剤としては、エポキシ樹脂の硬化剤と
して使用可能なものであれば特に限定はなく、例えばフ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
フェノールアラルキル等の各種多価フェノール化合物
や、ナフトールアラルキル等のナフトール化合物を用い
ることができる。エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率はエ
ポキシ樹脂１当量に対して硬化剤０．５〜１．５当量の
範囲に設定することが好ましく、より好ましくは０．８
〜１．２当量である。
して使用可能なものであれば特に限定はなく、例えばフ
ェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、
フェノールアラルキル等の各種多価フェノール化合物
や、ナフトールアラルキル等のナフトール化合物を用い
ることができる。エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率はエ
ポキシ樹脂１当量に対して硬化剤０．５〜１．５当量の
範囲に設定することが好ましく、より好ましくは０．８
〜１．２当量である。
【００１０】硬化促進剤としては、2-メチルイミダゾー
ル、2-フェニルイミダゾール等のイミダゾール類の他、
トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
メチルホスフィン等の有機ホスフィン類、1,8-ジアザビ
シクロ（5,4,0）ウンデセン-7（ＤＢＵ）、トリエタノ
ールアミン、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン類
等が挙げられ、これらは単独で用いても併用してもよ
い。硬化促進剤として融点が２００℃以上のイミダゾー
ル類を用いると、金型磨耗性がより改善されるので好ま
しい。
ル、2-フェニルイミダゾール等のイミダゾール類の他、
トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
メチルホスフィン等の有機ホスフィン類、1,8-ジアザビ
シクロ（5,4,0）ウンデセン-7（ＤＢＵ）、トリエタノ
ールアミン、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン類
等が挙げられ、これらは単独で用いても併用してもよ
い。硬化促進剤として融点が２００℃以上のイミダゾー
ル類を用いると、金型磨耗性がより改善されるので好ま
しい。
【００１１】離型剤としては、天然カルナバ、脂肪酸ア
ミド、ステアリン酸エステルやモンタン酸エステル等の
脂肪酸エステル、カルボキシル基含有ポリオレフィン等
を用いることができる。
ミド、ステアリン酸エステルやモンタン酸エステル等の
脂肪酸エステル、カルボキシル基含有ポリオレフィン等
を用いることができる。
【００１２】無機充填材としては、結晶シリカと球状ア
ルミナを用いることが必須であり、これら合計の配合量
は、封止用エポキシ樹脂組成物全体に対して、６０〜９
３質量％の範囲内であることが好ましい。結晶シリカと
球状アルミナ以外の無機充填材を併用することは可能で
あり、併用できるものとしては溶融シリカ、窒化珪素等
が例示できる。結晶シリカと球状アルミナの配合比率は
用途に応じて適宜決定すればよい。そして、本発明では
球状アルミナとして、水で抽出されるＮａイオンが１０
ｐｐｍ以下であり、ワーデルの球形度が０．７５以上で
ある球状アルミナを使用することにより、熱伝導率が高
い硬化物が得られ、且つ金型磨耗が少なくて、成形時の
ピンホール（ボイド）発生が少ない封止用エポキシ樹脂
組成物となるようにしている。水で抽出されるＮａイオ
ンは、イオン交換水を用いたプレッシャークッカー試験
によって測定されるＮａイオンであって、一般のアルミ
ナには３０ｐｐｍ以上のＮａイオンが含まれているのが
一般的である。本発明では１０ｐｐｍ以下のＮａイオン
しか含有していないアルミナを使用するようにしたた
め、成形時に離型不良やピンホール等が発生することを
防止できるようになったものである。そして、ワーデル
の球形度（理工学辞典：日刊工業新聞社発行参照）と
は、粒子の球形度を（粒子の投影面積に等しい面積を持
つ円の直径）／（粒子の投影像に外接する最小円の直
径）で測る指数で、この指数が１．０に近いほど真球に
近い粒子であることを意味する。本発明では、使用する
球状アルミナはワーデルの球形度が０．７５以上である
ものに限定しているので、金型磨耗が少ない封止用エポ
キシ樹脂組成物が得られるのである。また、球状アルミ
ナの平均粒径は、１μｍ〜５０μｍであることが好まし
い。５０μｍを越えると金型磨耗が大きくなる傾向が生
じ、１μｍ未満のものは入手が困難なためである。
ルミナを用いることが必須であり、これら合計の配合量
は、封止用エポキシ樹脂組成物全体に対して、６０〜９
３質量％の範囲内であることが好ましい。結晶シリカと
球状アルミナ以外の無機充填材を併用することは可能で
あり、併用できるものとしては溶融シリカ、窒化珪素等
が例示できる。結晶シリカと球状アルミナの配合比率は
用途に応じて適宜決定すればよい。そして、本発明では
球状アルミナとして、水で抽出されるＮａイオンが１０
ｐｐｍ以下であり、ワーデルの球形度が０．７５以上で
ある球状アルミナを使用することにより、熱伝導率が高
い硬化物が得られ、且つ金型磨耗が少なくて、成形時の
ピンホール（ボイド）発生が少ない封止用エポキシ樹脂
組成物となるようにしている。水で抽出されるＮａイオ
ンは、イオン交換水を用いたプレッシャークッカー試験
によって測定されるＮａイオンであって、一般のアルミ
ナには３０ｐｐｍ以上のＮａイオンが含まれているのが
一般的である。本発明では１０ｐｐｍ以下のＮａイオン
しか含有していないアルミナを使用するようにしたた
め、成形時に離型不良やピンホール等が発生することを
防止できるようになったものである。そして、ワーデル
の球形度（理工学辞典：日刊工業新聞社発行参照）と
は、粒子の球形度を（粒子の投影面積に等しい面積を持
つ円の直径）／（粒子の投影像に外接する最小円の直
径）で測る指数で、この指数が１．０に近いほど真球に
近い粒子であることを意味する。本発明では、使用する
球状アルミナはワーデルの球形度が０．７５以上である
ものに限定しているので、金型磨耗が少ない封止用エポ
キシ樹脂組成物が得られるのである。また、球状アルミ
ナの平均粒径は、１μｍ〜５０μｍであることが好まし
い。５０μｍを越えると金型磨耗が大きくなる傾向が生
じ、１μｍ未満のものは入手が困難なためである。
【００１３】本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には、
必要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等
のシランカップリング剤、難燃剤、着色剤、シリコーン
可撓剤等が適宜量添加されてよい。
必要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等
のシランカップリング剤、難燃剤、着色剤、シリコーン
可撓剤等が適宜量添加されてよい。
【００１４】本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、上
述した各成分をミキサー、ブレンダー等によって均一に
混合したのち、ロール、ニーダー等を用いて混練するこ
とによって、製造することができる。なお、混練を終え
た後、混練物を冷却・固化した後、粉砕して粉体とした
り、あるいは、粉砕したものを必要ならばタブレット状
に打錠するようにして、本発明の封止用エポキシ樹脂組
成物を製造するようにしてもよい。
述した各成分をミキサー、ブレンダー等によって均一に
混合したのち、ロール、ニーダー等を用いて混練するこ
とによって、製造することができる。なお、混練を終え
た後、混練物を冷却・固化した後、粉砕して粉体とした
り、あるいは、粉砕したものを必要ならばタブレット状
に打錠するようにして、本発明の封止用エポキシ樹脂組
成物を製造するようにしてもよい。
【００１５】（半導体装置）上記のようにして得られた
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、例えばリードフレ
ームに搭載した半導体素子をトランスファ成形により封
止して、半導体装置を得ることができる。このようにし
て得られる半導体装置は、熱伝導率が高い封止材で封止
されていて、且つピンホール（ボイド）等の充填不良発
生が少ない半導体装置となる。
封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、例えばリードフレ
ームに搭載した半導体素子をトランスファ成形により封
止して、半導体装置を得ることができる。このようにし
て得られる半導体装置は、熱伝導率が高い封止材で封止
されていて、且つピンホール（ボイド）等の充填不良発
生が少ない半導体装置となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例と、本発明の範囲を外
れた比較例を示す。
れた比較例を示す。
【００１７】エポキシ樹脂として、ｏ−クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂である住友化学工業（株）製「Ｅ
ＳＣＮ１９５ＸＬ」（エポキシ当量１９５）を用いた。
ラック型エポキシ樹脂である住友化学工業（株）製「Ｅ
ＳＣＮ１９５ＸＬ」（エポキシ当量１９５）を用いた。
【００１８】硬化剤としては、フェノールノボラック樹
脂Ａ、フェノールノボラック樹脂Ｂを用いた。フェノー
ルノボラック樹脂Ａとしては、荒川化学（株）製「タマ
ノール７５２」（水酸基当量１０４）を使用し、フェノ
ールノボラック樹脂Ｂとしては、明和化成（株）製「Ｄ
Ｌ−９２」（水酸基当量１０６）を使用した。
脂Ａ、フェノールノボラック樹脂Ｂを用いた。フェノー
ルノボラック樹脂Ａとしては、荒川化学（株）製「タマ
ノール７５２」（水酸基当量１０４）を使用し、フェノ
ールノボラック樹脂Ｂとしては、明和化成（株）製「Ｄ
Ｌ−９２」（水酸基当量１０６）を使用した。
【００１９】難燃剤として、ブロム化エポキシ樹脂であ
る住友化学工業（株）製「ＥＳＢ４００Ｔ」（エポキシ
当量４００）と三酸化アンチモンを用いた。
る住友化学工業（株）製「ＥＳＢ４００Ｔ」（エポキシ
当量４００）と三酸化アンチモンを用いた。
【００２０】硬化促進剤として、トリフェニルホスフィ
ン（ＴＰＰ）、融点が１４２℃のイミダゾール（四国化
成工業（株）製「キュアゾール２ＰＺ」）、融点が２２
４℃のイミダゾール（四国化成工業（株）製「キュアゾ
ール２ＰＨＺ」）を用いた。
ン（ＴＰＰ）、融点が１４２℃のイミダゾール（四国化
成工業（株）製「キュアゾール２ＰＺ」）、融点が２２
４℃のイミダゾール（四国化成工業（株）製「キュアゾ
ール２ＰＨＺ」）を用いた。
【００２１】離型剤として、脂肪酸アミドであるオレイ
ン酸アミド、ステアリン酸エステルを用いた。
ン酸アミド、ステアリン酸エステルを用いた。
【００２２】無機充填材としては、結晶シリカ、球状ア
ルミナＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いた。結晶シリカとしては、
平均粒径が２５μｍの破砕状結晶シリカを用い、球状ア
ルミナＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄについては、下記の表１に示す特
性を有するものを使用した。
ルミナＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いた。結晶シリカとしては、
平均粒径が２５μｍの破砕状結晶シリカを用い、球状ア
ルミナＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄについては、下記の表１に示す特
性を有するものを使用した。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１における、抽出Ｎａイオン量は、イオ
ン交換水を用いたプレッシャークッカー試験（抽出条
件：１２１℃、２４時間）によって測定したＮａイオン
量である。
ン交換水を用いたプレッシャークッカー試験（抽出条
件：１２１℃、２４時間）によって測定したＮａイオン
量である。
【００２５】着色剤としてはカーボンブラックを用い、
シランカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを用いた。なお、シランカップリ
ング剤は予め無機充填材と混合しておいて、無機充填材
と共に配合するようにした。
シランカップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを用いた。なお、シランカップリ
ング剤は予め無機充填材と混合しておいて、無機充填材
と共に配合するようにした。
【００２６】各成分を表２及び表３に示す配合量（質量
部）で配合し、次いでブレンダーで３０分間混合して均
一化した後、８０℃に加熱したニーダーで混練溶融させ
て押し出し、冷却後、粉砕機で粉砕して、粒状の封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
部）で配合し、次いでブレンダーで３０分間混合して均
一化した後、８０℃に加熱したニーダーで混練溶融させ
て押し出し、冷却後、粉砕機で粉砕して、粒状の封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
【００２７】得られた実施例１〜実施例５及び比較例１
〜比較例３の封止用エポキシ樹脂組成物について、硬化
物の熱伝導率、成形性（充填不良発生数）及び金型磨耗
性（アルミオリフィス磨耗量）を評価し、得られた結果
を表２及び表３に示した。各評価方法は下記の通りで行
った。
〜比較例３の封止用エポキシ樹脂組成物について、硬化
物の熱伝導率、成形性（充填不良発生数）及び金型磨耗
性（アルミオリフィス磨耗量）を評価し、得られた結果
を表２及び表３に示した。各評価方法は下記の通りで行
った。
【００２８】硬化物の熱伝導率の評価方法：封止用エポ
キシ樹脂組成物について、金型を用いてトランスファー
成形法により、１７０℃で９０秒の条件で成形した後、
１７０℃で６時間の後硬化を行って、１００φ、厚さ２
５±５ｍｍの円盤状の評価用サンプルを作製する。得ら
れた評価用サンプルについて迅速熱伝導率計を用いて熱
伝導率を測定する。
キシ樹脂組成物について、金型を用いてトランスファー
成形法により、１７０℃で９０秒の条件で成形した後、
１７０℃で６時間の後硬化を行って、１００φ、厚さ２
５±５ｍｍの円盤状の評価用サンプルを作製する。得ら
れた評価用サンプルについて迅速熱伝導率計を用いて熱
伝導率を測定する。
【００２９】成形性の評価方法：トランスファー成形法
により、リードフレームに搭載した半導体素子を封止用
エポキシ樹脂組成物を用いて封止成形して、ＴＯＰ−３
Ｄ型パッケージを評価用サンプルとして作製する。作製
条件は、１７０℃で９０秒の条件で成形した後、１７０
℃で６時間の後硬化を行うという条件とする。１０個の
評価用サンプルを作製し、得られた評価用サンプルの表
面を観察し、ピンホールやウェルドが発生している場合
は充填不良発生と評価する。１０個の評価用サンプルに
ついて評価し、１０個中の充填不良発生個数で評価す
る。
により、リードフレームに搭載した半導体素子を封止用
エポキシ樹脂組成物を用いて封止成形して、ＴＯＰ−３
Ｄ型パッケージを評価用サンプルとして作製する。作製
条件は、１７０℃で９０秒の条件で成形した後、１７０
℃で６時間の後硬化を行うという条件とする。１０個の
評価用サンプルを作製し、得られた評価用サンプルの表
面を観察し、ピンホールやウェルドが発生している場合
は充填不良発生と評価する。１０個の評価用サンプルに
ついて評価し、１０個中の充填不良発生個数で評価す
る。
【００３０】金型磨耗性の評価方法（ＳＥＭＩ法に基く
オリフィス減量測定法）：円錐型アルミ製オリフィス
（ノズル直径１．５ｍｍ、長さ６．３ｍｍ）の中を１５
０℃で溶融させた封止用エポキシ樹脂組成物３００ｇを
注入圧力１３．７２ＭＰａ（１４０ｋｇｆ／ｃｍ2）で
通過させ、封止用エポキシ樹脂組成物を通す前後の円錐
型アルミ製オリフィスの重量差を求め、通過させた封止
用エポキシ樹脂組成物１ｇ当たりのオリフィス減量を算
出し、アルミオリフィス磨耗量とする。
オリフィス減量測定法）：円錐型アルミ製オリフィス
（ノズル直径１．５ｍｍ、長さ６．３ｍｍ）の中を１５
０℃で溶融させた封止用エポキシ樹脂組成物３００ｇを
注入圧力１３．７２ＭＰａ（１４０ｋｇｆ／ｃｍ2）で
通過させ、封止用エポキシ樹脂組成物を通す前後の円錐
型アルミ製オリフィスの重量差を求め、通過させた封止
用エポキシ樹脂組成物１ｇ当たりのオリフィス減量を算
出し、アルミオリフィス磨耗量とする。
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】表２及び表３の結果から、本発明の実施例
の封止用エポキシ樹脂組成物は、熱伝導率が高い硬化物
が得られる封止用エポキシ樹脂組成物であって、金型磨
耗が少なくて、充填不良発生がない（成形性が良好な）
封止用エポキシ樹脂組成物となっていることが確認され
た。
の封止用エポキシ樹脂組成物は、熱伝導率が高い硬化物
が得られる封止用エポキシ樹脂組成物であって、金型磨
耗が少なくて、充填不良発生がない（成形性が良好な）
封止用エポキシ樹脂組成物となっていることが確認され
た。
【００３４】
【発明の効果】請求項１〜請求項３に係る発明の封止用
エポキシ樹脂組成物は、水で抽出されるＮａイオンが１
０ｐｐｍ以下であり、ワーデルの球形度が０．７５以上
である球状アルミナを含有しているので、熱伝導率が高
い硬化物が得られる封止用エポキシ樹脂組成物であっ
て、金型磨耗が少なくて、成形性が良好な封止用エポキ
シ樹脂組成物となる。
エポキシ樹脂組成物は、水で抽出されるＮａイオンが１
０ｐｐｍ以下であり、ワーデルの球形度が０．７５以上
である球状アルミナを含有しているので、熱伝導率が高
い硬化物が得られる封止用エポキシ樹脂組成物であっ
て、金型磨耗が少なくて、成形性が良好な封止用エポキ
シ樹脂組成物となる。
【００３５】請求項４に係る発明の半導体装置は、請求
項１〜請求項３の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置で
あるので、熱伝導率が高い封止材で封止されていて、且
つ充填不良の発生が少ない半導体装置となる。
項１〜請求項３の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組
成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置で
あるので、熱伝導率が高い封止材で封止されていて、且
つ充填不良の発生が少ない半導体装置となる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 AE033 BB213 CC032 CC042 CC052 CC062 CD001 CD051 CD061 CD121 DE147 DJ016 EH039 EN028 EN108 EP019 EU098 EU118 EW018 FA087 FD016 FD017 FD142 FD158 FD163 FD169 GJ02 GQ05 HA01 4M109 AA01 CA21 EA02 EB04 EB12 EB13
Claims (4)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂と、硬化剤と、硬化促進剤
と、離型剤と、結晶シリカを含有してなる封止用エポキ
シ樹脂組成物において、さらに、水で抽出されるＮａイ
オンが１０ｐｐｍ以下であり、ワーデルの球形度が０．
７５以上である球状アルミナを含有していることを特徴
とする封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 球状アルミナの平均粒径が１μｍ〜５０
μｍであることを特徴とする請求項１記載の封止用エポ
キシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 硬化促進剤として融点が２００℃以上の
イミダゾール類を用いることを特徴とする請求項１又は
請求項２記載の封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３の何れかに記載の封
止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止し
てなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001116388A JP2002309067A (ja) | 2001-04-16 | 2001-04-16 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2001116388A JP2002309067A (ja) | 2001-04-16 | 2001-04-16 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002309067A true JP2002309067A (ja) | 2002-10-23 |
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ID=18967129
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001116388A Pending JP2002309067A (ja) | 2001-04-16 | 2001-04-16 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002309067A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007246861A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 樹脂組成物、並びにこの樹脂組成物を用いて得たワニス、フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付き銅箔 |
| JP2013122029A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フィラー、絶縁層形成用組成物、絶縁層形成用フィルムおよび基板 |
| WO2018181601A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| CN114685938A (zh) * | 2020-12-28 | 2022-07-01 | 衡所华威电子有限公司 | 一种电子封装用环氧树脂组合物及其制备方法 |
| WO2023148958A1 (ja) * | 2022-02-01 | 2023-08-10 | 利昌工業株式会社 | 樹脂組成物、接着シート、プリプレグ、及び、積層板 |
| KR20240103995A (ko) | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 비닐 수지, 그 제조 방법, 조성물 및 경화물 |
-
2001
- 2001-04-16 JP JP2001116388A patent/JP2002309067A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20240103995A (ko) | 2022-12-27 | 2024-07-04 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 비닐 수지, 그 제조 방법, 조성물 및 경화물 |
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