JP2579338B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、表面実装時におけるパツケージクラツク
の発生の少ない半導体装置に関するものである。
の発生の少ない半導体装置に関するものである。
トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、外部環境の
保護の観点および素子のハンドリングを可能にする観点
から、プラスチツクパツケージ等により封止され半導体
装置化されている。この種のパツケージの代表例として
は、デユアルインラインパツケージ（DIP）がある。こ
のDIPは、ピン挿入型のものであり、実装基板に対して
ピンを挿入することにより半導体装置を取り付けるよう
になつている。
保護の観点および素子のハンドリングを可能にする観点
から、プラスチツクパツケージ等により封止され半導体
装置化されている。この種のパツケージの代表例として
は、デユアルインラインパツケージ（DIP）がある。こ
のDIPは、ピン挿入型のものであり、実装基板に対して
ピンを挿入することにより半導体装置を取り付けるよう
になつている。
最近は、LSIチップ等の半導体装置の高集積化と高速
化が進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする
要求から、実装の高密度化が進んでいる。このような観
点からDIPのようなピン挿入型のパツケージに代えて、
表面実装用パツケージが主流になつてきている。この種
のパツケージを用いた半導体装置においては、平面的に
ピンを取り出し、これを実装基板表面に直接半田等によ
つて固定するようになつている。このような表面実装型
半導体装置は、平面的にピンが取り出せるようになつて
おり、薄い，軽い，小さいという利点を備えており、し
たがつて実装基板に対する占有面積が小さくてすむとい
う利点を備えている他、基板に対する両面実装も可能で
あるという長所も有している。
化が進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする
要求から、実装の高密度化が進んでいる。このような観
点からDIPのようなピン挿入型のパツケージに代えて、
表面実装用パツケージが主流になつてきている。この種
のパツケージを用いた半導体装置においては、平面的に
ピンを取り出し、これを実装基板表面に直接半田等によ
つて固定するようになつている。このような表面実装型
半導体装置は、平面的にピンが取り出せるようになつて
おり、薄い，軽い，小さいという利点を備えており、し
たがつて実装基板に対する占有面積が小さくてすむとい
う利点を備えている他、基板に対する両面実装も可能で
あるという長所も有している。
ところが、上記のような表面実装用パツケージを用い
た半導体装置において表面実装前にパツケージ自体が吸
湿している場合には、半田実装時に水分の蒸気圧によつ
て、パツケージにクラツクが生じるという問題がある。
すなわち、第１図に示すような表面実装型半導体装置に
おいて、水分は矢印Ａのように封止樹脂１を通つて、ま
たリードフレーム２と樹脂１との隙間を通つてパツケー
ジ３内に侵入し、主としてフリードフレーム２のダイボ
ンドパツト４の裏面に滞溜する。そして、ベーパーフエ
ーズソルダリング等の半田表面実装を行う際に、上記滞
溜水分が、上記半田実装における加熱により気化し、そ
の蒸気圧により、第２図に示すようにダイボンパット４
の裏面の樹脂部分を下方に押しやり、そこに空隙５をつ
くると同時にパツケージ３にクラツク６を生じさせる。
第１図および第２図において、７は半導体素子,8はワイ
ヤーボンデイングである。
た半導体装置において表面実装前にパツケージ自体が吸
湿している場合には、半田実装時に水分の蒸気圧によつ
て、パツケージにクラツクが生じるという問題がある。
すなわち、第１図に示すような表面実装型半導体装置に
おいて、水分は矢印Ａのように封止樹脂１を通つて、ま
たリードフレーム２と樹脂１との隙間を通つてパツケー
ジ３内に侵入し、主としてフリードフレーム２のダイボ
ンドパツト４の裏面に滞溜する。そして、ベーパーフエ
ーズソルダリング等の半田表面実装を行う際に、上記滞
溜水分が、上記半田実装における加熱により気化し、そ
の蒸気圧により、第２図に示すようにダイボンパット４
の裏面の樹脂部分を下方に押しやり、そこに空隙５をつ
くると同時にパツケージ３にクラツク６を生じさせる。
第１図および第２図において、７は半導体素子,8はワイ
ヤーボンデイングである。
このような問題に対する解決策として、半導体素子を
パツケージで封止した後、得られる半導体装置全体を密
封し、表面実装の直前に開封して使用する方法や、表面
実装の直前に上記半導体装置を100℃で24時間乾燥さ
せ、その後半田実装を行うという方法が提案され、すで
に実施されている。しかしながら、このような前処理方
法によれば、製造工程が長くなる上、手間がかかるとい
う問題がある。
パツケージで封止した後、得られる半導体装置全体を密
封し、表面実装の直前に開封して使用する方法や、表面
実装の直前に上記半導体装置を100℃で24時間乾燥さ
せ、その後半田実装を行うという方法が提案され、すで
に実施されている。しかしながら、このような前処理方
法によれば、製造工程が長くなる上、手間がかかるとい
う問題がある。
この発明はこのような事情に鑑みなされたもので、電
子機器への実装に際して前処理を要することなく、しか
も半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に優れた半導体
装置の提供をその目的とする。
子機器への実装に際して前処理を要することなく、しか
も半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に優れた半導体
装置の提供をその目的とする。
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置
は、少なくとも一部が下記の一般式（Ｉ）で表されるエ
ポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂主剤成分（Ａ成分）
と、少なくとも一部が下記の一般式（II）で表されるフ
エノール樹脂からなるフエノール樹脂硬化剤成分（Ｂ成
分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）を主要成分とし、ゴム
成分を、上記ＡおよびＢ成分の少なくとも一方と反応さ
せた状態でもしくはそのままの状態で含むエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止するという構成をと
る。
は、少なくとも一部が下記の一般式（Ｉ）で表されるエ
ポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂主剤成分（Ａ成分）
と、少なくとも一部が下記の一般式（II）で表されるフ
エノール樹脂からなるフエノール樹脂硬化剤成分（Ｂ成
分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）を主要成分とし、ゴム
成分を、上記ＡおよびＢ成分の少なくとも一方と反応さ
せた状態でもしくはそのままの状態で含むエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止するという構成をと
る。
なお、上記式（Ｉ），（II）において繰り返し数ｎ
は、重量平均分子量Mw値から求めたものである。
は、重量平均分子量Mw値から求めたものである。
パツケージクラツクの発生を防止する方法としては、
封止樹脂に対する吸湿を制御する、ダイボンドパッ
トの裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間の接
着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるの三つの
方法が考えられる。この発明は、上記の封止樹脂自体
の強度を高めることにより、パツケージクラツクの発生
を防止するものであり、上記一般式（Ｉ）で表される特
殊なエポキシ樹脂と、上記一般式（II）で表される特殊
なフエノール樹脂とを用いることにより、半田実装にお
けるような高温下（215℃）での封止樹脂の強度を現状
の樹脂に比較して、約３〜４倍に向上させるようにす
る。さらに、封止に用いるエポキシ樹脂組成物中にゴム
成分を併用することにより、エポキシ樹脂組成物に低応
力性を付与させるものである。
封止樹脂に対する吸湿を制御する、ダイボンドパッ
トの裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間の接
着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるの三つの
方法が考えられる。この発明は、上記の封止樹脂自体
の強度を高めることにより、パツケージクラツクの発生
を防止するものであり、上記一般式（Ｉ）で表される特
殊なエポキシ樹脂と、上記一般式（II）で表される特殊
なフエノール樹脂とを用いることにより、半田実装にお
けるような高温下（215℃）での封止樹脂の強度を現状
の樹脂に比較して、約３〜４倍に向上させるようにす
る。さらに、封止に用いるエポキシ樹脂組成物中にゴム
成分を併用することにより、エポキシ樹脂組成物に低応
力性を付与させるものである。
この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、全部もしく
は一部が前記一般式（Ｉ）で表される特殊なエポキシ樹
脂からなるエポキシ樹脂主剤成分（Ａ成分）と、全部も
しくは一部が前記一般式（II）で表される特殊なフエノ
ール樹脂からなるフエノール樹脂硬化剤成分（Ｂ成分）
と、無機質充填剤（Ｃ成分）と、ゴム成分等とを用いて
得られるものであつて、通常、粉末状もしくはそれを打
錠したタブレツト状になつている。
は一部が前記一般式（Ｉ）で表される特殊なエポキシ樹
脂からなるエポキシ樹脂主剤成分（Ａ成分）と、全部も
しくは一部が前記一般式（II）で表される特殊なフエノ
ール樹脂からなるフエノール樹脂硬化剤成分（Ｂ成分）
と、無機質充填剤（Ｃ成分）と、ゴム成分等とを用いて
得られるものであつて、通常、粉末状もしくはそれを打
錠したタブレツト状になつている。
上記エポキシ樹脂主剤成分の全部もしくは一部を構成
する前記一般式（Ｉ）の特殊なエポキシ樹脂はノボラツ
ク型エポキシ樹脂の主鎖のメチレン基にフエニルグリシ
ジルエーテルを結合させた構造のものである。このよう
な分子構造にすることにより、架橋点が増え、架橋密度
の高い構造物が得られるようになる。なお、上記特殊な
エポキシ樹脂のみでエポキシ樹脂主剤成分を構成しても
よいし、それ以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用
するようにしてもよい。通常用いられるエポキシ樹脂と
しては、クレゾールノボラツク型，フエノールノボラツ
ク型，ノボラツクビスＡ型やビスフエノールＡ型等の各
種のエポキシ樹脂があげられる。これらの樹脂の中で
も、融点が室温を超えており、室温下では固形状もしく
は高粘度の溶液状を呈するものを用いることが好結果を
もたらす。ノボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、
エポキシ当量150〜250,軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量180〜210,軟化点60〜110℃のものが一般に用
いられる。このように両者を併用する場合には、上記一
般式（Ｉ）で表される特殊なエポキシ樹脂と、上記通常
のエポキシ樹脂とは、前者100重量部（以下「部」と略
す）に対して後者０〜100部の範囲内に設定することが
好適である。
する前記一般式（Ｉ）の特殊なエポキシ樹脂はノボラツ
ク型エポキシ樹脂の主鎖のメチレン基にフエニルグリシ
ジルエーテルを結合させた構造のものである。このよう
な分子構造にすることにより、架橋点が増え、架橋密度
の高い構造物が得られるようになる。なお、上記特殊な
エポキシ樹脂のみでエポキシ樹脂主剤成分を構成しても
よいし、それ以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用
するようにしてもよい。通常用いられるエポキシ樹脂と
しては、クレゾールノボラツク型，フエノールノボラツ
ク型，ノボラツクビスＡ型やビスフエノールＡ型等の各
種のエポキシ樹脂があげられる。これらの樹脂の中で
も、融点が室温を超えており、室温下では固形状もしく
は高粘度の溶液状を呈するものを用いることが好結果を
もたらす。ノボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、
エポキシ当量150〜250,軟化点50〜130℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量180〜210,軟化点60〜110℃のものが一般に用
いられる。このように両者を併用する場合には、上記一
般式（Ｉ）で表される特殊なエポキシ樹脂と、上記通常
のエポキシ樹脂とは、前者100重量部（以下「部」と略
す）に対して後者０〜100部の範囲内に設定することが
好適である。
フエノール樹脂硬化剤成分の全部もしくは一部を構成
する上記一般式（II）で表される特殊なフエノール樹脂
は、フエノールノボラツクの主鎖のメチレン基にフエノ
ールを結合させた構造のものであり、このような分子構
造によつて架橋点が増加し、それによつて架橋密度の高
い三次元構造体が得られるようになる。上記特殊なフエ
ノール樹脂は、それ自体でフエノール樹脂硬化剤成分を
構成してもよいし、通常用いられているその他のフエノ
ール樹脂と併用しても差し支えはない。その他フエノー
ル樹脂としては、フエノールノボラツク，クレゾールノ
ボラツク等があげられる。これらのノボラツク樹脂は、
軟化点が50〜110℃，水酸基当量が70〜150のものを用い
ることが望ましい。特に上記ノボラツク樹脂の中でも、
クレゾールノボラツクを用いることが好結果をもたら
す。上記一般式（II）で表される特殊なフエノール樹脂
と、このような通常のフエノール樹脂を併用する場合に
おける両者の割合は、前者100部に対して後者０〜100部
の範囲内に設定することが効果の点で好ましい。
する上記一般式（II）で表される特殊なフエノール樹脂
は、フエノールノボラツクの主鎖のメチレン基にフエノ
ールを結合させた構造のものであり、このような分子構
造によつて架橋点が増加し、それによつて架橋密度の高
い三次元構造体が得られるようになる。上記特殊なフエ
ノール樹脂は、それ自体でフエノール樹脂硬化剤成分を
構成してもよいし、通常用いられているその他のフエノ
ール樹脂と併用しても差し支えはない。その他フエノー
ル樹脂としては、フエノールノボラツク，クレゾールノ
ボラツク等があげられる。これらのノボラツク樹脂は、
軟化点が50〜110℃，水酸基当量が70〜150のものを用い
ることが望ましい。特に上記ノボラツク樹脂の中でも、
クレゾールノボラツクを用いることが好結果をもたら
す。上記一般式（II）で表される特殊なフエノール樹脂
と、このような通常のフエノール樹脂を併用する場合に
おける両者の割合は、前者100部に対して後者０〜100部
の範囲内に設定することが効果の点で好ましい。
上記Ａ成分であるエポキシ樹脂主剤成分およびＢ成分
であるフエノール樹脂硬化剤成分とともに用いられるＣ
成分の無機質充填剤としては、結晶性および溶融性フイ
ラーはもちろんのこと、酸化アルミニウム，酸化ベリリ
ウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素等があげられる。
であるフエノール樹脂硬化剤成分とともに用いられるＣ
成分の無機質充填剤としては、結晶性および溶融性フイ
ラーはもちろんのこと、酸化アルミニウム，酸化ベリリ
ウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素等があげられる。
上記Ａ成分であるエポキシ樹脂主剤成分、Ｂ成分であ
るフエノール樹脂硬化剤成分およびＣ成分である無機質
充填剤とともに用いられるゴム成分は、低分子量の1,2
−ポリブタジエン、1,3−ポリブタジエン、1,4−ポリブ
タジエン、ブタジエン−スチレン共重合体およびブタジ
エン−アクリロニトリル共重合体等のブタジエン系低分
子量重合体、低分子量ポリイソプレンおよび天然ゴムの
低分子量解重合ゴム等のイソプレン系低分子量重合体、
液状クロロプレンゴム、液状シリコーンゴムであり、単
独でもしくは併せて用いることができる（ただし、下記
の一般式（III）で表されるシリコーンおよび一般式（I
V）で表されるシリコーンを除く）。
るフエノール樹脂硬化剤成分およびＣ成分である無機質
充填剤とともに用いられるゴム成分は、低分子量の1,2
−ポリブタジエン、1,3−ポリブタジエン、1,4−ポリブ
タジエン、ブタジエン−スチレン共重合体およびブタジ
エン−アクリロニトリル共重合体等のブタジエン系低分
子量重合体、低分子量ポリイソプレンおよび天然ゴムの
低分子量解重合ゴム等のイソプレン系低分子量重合体、
液状クロロプレンゴム、液状シリコーンゴムであり、単
独でもしくは併せて用いることができる（ただし、下記
の一般式（III）で表されるシリコーンおよび一般式（I
V）で表されるシリコーンを除く）。
（ｍ＋ｎ＝２〜200、ただし、m,nは１以上の整数。） （ｌ＝２〜200、ただし、ｌは１以上の整数。） これらゴム成分としては、エポキシ基，水酸基，アミノ
基等の反応性の基を有するものが好ましい。このような
ゴム成分は、そのまま用いてもよいし、上記Ａ成分,B成
分と予備反応させて用いてもよい。この場合、上記ゴム
成分の使用量は、エポキシ樹脂組成物中の有機成分（エ
ポキシ樹脂組成物より無機質充填剤を除いたもの）に対
して３〜40重量％（以下「％」と略す）の割合に設定す
ることが好ましく、より好適なのは５〜20％である。す
なわち、上記ゴム成分の含有量が３％を下回ると、充分
な低応力効果がみられなくなり、逆に40％を上回ると、
樹脂の機械的強度の低下がみられるからである。なお、
上記ゴム成分には、常温で固形のもの、例えば末端カル
ボキシルブタジエン−アクリロニトリル共重合体（CTB
N），末端アミンブタジエン−アクリロニトリル共重合
体（ATBN）等をも使用することもできる。これら固形ゴ
ムの使用量も、上記と同様、エポキシ樹脂組成物中の有
機成分に対して３〜40％に設定することが好適である。
基等の反応性の基を有するものが好ましい。このような
ゴム成分は、そのまま用いてもよいし、上記Ａ成分,B成
分と予備反応させて用いてもよい。この場合、上記ゴム
成分の使用量は、エポキシ樹脂組成物中の有機成分（エ
ポキシ樹脂組成物より無機質充填剤を除いたもの）に対
して３〜40重量％（以下「％」と略す）の割合に設定す
ることが好ましく、より好適なのは５〜20％である。す
なわち、上記ゴム成分の含有量が３％を下回ると、充分
な低応力効果がみられなくなり、逆に40％を上回ると、
樹脂の機械的強度の低下がみられるからである。なお、
上記ゴム成分には、常温で固形のもの、例えば末端カル
ボキシルブタジエン−アクリロニトリル共重合体（CTB
N），末端アミンブタジエン−アクリロニトリル共重合
体（ATBN）等をも使用することもできる。これら固形ゴ
ムの使用量も、上記と同様、エポキシ樹脂組成物中の有
機成分に対して３〜40％に設定することが好適である。
なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、必
要に応じて上記の成分以外に難燃化剤，カツプリング
剤，硬化促進剤，ワツクス等が用いられる。
要に応じて上記の成分以外に難燃化剤，カツプリング
剤，硬化促進剤，ワツクス等が用いられる。
上記難燃化剤としては、ノボラツク型ブロム化エポキ
シもしくは、ビスＡ型エポキシ，三酸化アンチモンおよ
び五酸化アンチモン等の化合物を適宜単独でもしくは併
せて使用することが行われる。
シもしくは、ビスＡ型エポキシ，三酸化アンチモンおよ
び五酸化アンチモン等の化合物を適宜単独でもしくは併
せて使用することが行われる。
上記カツプリング剤としては、グリシジルエーテルタ
イプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウエアタイプ
等のメトキシないしはエトキシシランが、適宜に単独で
もしくは併せて用いられる。その使用方法としては、充
填剤に対して、ドライブレンドしたり、もしくは予備加
熱反応させたり、さらには有機成分原料に対する予備混
合等自由である。
イプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウエアタイプ
等のメトキシないしはエトキシシランが、適宜に単独で
もしくは併せて用いられる。その使用方法としては、充
填剤に対して、ドライブレンドしたり、もしくは予備加
熱反応させたり、さらには有機成分原料に対する予備混
合等自由である。
上記硬化促進剤としては、アミン系，リン系，ホウ素
系等の硬化促進剤があげられ、単独でもしくは併せて使
用される。
系等の硬化促進剤があげられ、単独でもしくは併せて使
用される。
上記ワツクスとしては、高級脂肪酸，高級脂肪酸エス
テル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、単
独でもしくは併せて使用される。
テル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、単
独でもしくは併せて使用される。
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えば
つぎのようにして製造することができる。すなわち、上
記の成分原料を適宜配合し予備混合した後、ミキシング
ロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練して溶融混合
し、これを室温に冷却した後、公知の手段によつて粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造
することができる。
つぎのようにして製造することができる。すなわち、上
記の成分原料を適宜配合し予備混合した後、ミキシング
ロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練して溶融混合
し、これを室温に冷却した後、公知の手段によつて粉砕
し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造
することができる。
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子
の封止は、特に限定するものではなく、通常のトランス
フアー成形等の公知のモールド方法により行うことがで
きる。
の封止は、特に限定するものではなく、通常のトランス
フアー成形等の公知のモールド方法により行うことがで
きる。
このようにして得られる半導体装置は、エポキシ樹脂
組成物中に含まれる上記一般式（Ｉ）で表される特殊な
エポキシ樹脂（Ａ成分）、一般式（II）で表される特殊
なフエノール樹脂（Ｂ成分）および特定のゴム成分の作
用により、封止樹脂の強度、特に高温時における強度が
従来のものの３〜４倍と高くなつており、さらに優れた
低応力性を有しているため、半田実装に際しても、パツ
ケージクラツク等が生ずることがない。
組成物中に含まれる上記一般式（Ｉ）で表される特殊な
エポキシ樹脂（Ａ成分）、一般式（II）で表される特殊
なフエノール樹脂（Ｂ成分）および特定のゴム成分の作
用により、封止樹脂の強度、特に高温時における強度が
従来のものの３〜４倍と高くなつており、さらに優れた
低応力性を有しているため、半田実装に際しても、パツ
ケージクラツク等が生ずることがない。
以上のように、この発明の半導体装置は、上記のよう
な特殊なエポキシ樹脂，フエノール樹脂およびゴム成分
を含有する特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素
子が樹脂封止されているため、半田実装におけるような
過酷な条件下においてもパツケージクラツクが生ずるこ
とがない。特に、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による
封止により、８ピン以上，特に16ピン以上もしくはチツ
プの長辺が4mm以上の大形の半導体装置において上記の
ような高信頼度が得られるようになるのであり、これが
大きな特徴である。
な特殊なエポキシ樹脂，フエノール樹脂およびゴム成分
を含有する特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素
子が樹脂封止されているため、半田実装におけるような
過酷な条件下においてもパツケージクラツクが生ずるこ
とがない。特に、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による
封止により、８ピン以上，特に16ピン以上もしくはチツ
プの長辺が4mm以上の大形の半導体装置において上記の
ような高信頼度が得られるようになるのであり、これが
大きな特徴である。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
〔実施例１〜10、比較例１〜５〕 まず、実施例および比較例で使用した原料は下記の通
りである。
りである。
《主剤》 A:一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂（ｎ＝３） B:エポキシクレゾールノボラツク（ｎ＝４） （なお、ｎはポリスチレン換算GPCデータの重量平均分
子量より算出したもので分布自体は広範囲なものであ
る。） 《硬化剤》 C:一般式（II）で示されるフエノール樹脂（ｎ＝３） D:フエノールノボラツク（ｎ＝４） （なお、ｎはポリスチレン換算GPCデータの重量平均分
子量より算出したもので分布自体は広範囲なものであ
る。） 《充填剤》 E:酸化ケイ素（最大粒径＝150μm,平均粒径＝20μm,形
状＝破砕型）SiO2 《難燃化剤》 F:ノボラツク型Br化エポキシ G:三酸化二アンチモン 《硬化触媒》 H:ジメチルイミダゾール 《離型剤》 I:ポリエチレン系wax 《添加剤》 J:トリメトキシシラングリシジルエーテル 《変性剤》 K:末端カルボキシルブタジエン−アクリロニトリル共重
合体 L:スチレン−エチレン・ブチレンブロツク共重合体 《変性方法》 （ａ） Ａに対して予備反応を行う。
子量より算出したもので分布自体は広範囲なものであ
る。） 《硬化剤》 C:一般式（II）で示されるフエノール樹脂（ｎ＝３） D:フエノールノボラツク（ｎ＝４） （なお、ｎはポリスチレン換算GPCデータの重量平均分
子量より算出したもので分布自体は広範囲なものであ
る。） 《充填剤》 E:酸化ケイ素（最大粒径＝150μm,平均粒径＝20μm,形
状＝破砕型）SiO2 《難燃化剤》 F:ノボラツク型Br化エポキシ G:三酸化二アンチモン 《硬化触媒》 H:ジメチルイミダゾール 《離型剤》 I:ポリエチレン系wax 《添加剤》 J:トリメトキシシラングリシジルエーテル 《変性剤》 K:末端カルボキシルブタジエン−アクリロニトリル共重
合体 L:スチレン−エチレン・ブチレンブロツク共重合体 《変性方法》 （ａ） Ａに対して予備反応を行う。
（ｂ） Ｂに対して予備反応を行う。
（ｃ） Ｃに対して予備反応を行う。
（ｄ） Ｄに対して予備反応を行う。
《変性方法における反応条件》 （ｅ） 温度175℃,5hr,撹拌反応。
（ｆ） 常温で、ドライブレンド。
後記の第１表に示す原料を同表に示す割合で配合し、
ミキシングロール機にかけて100℃で10分間混練し、シ
ート状組成物を得た。ついで、得られたシート状組成物
を粉砕し、目的とする粉末のエポキシ樹脂組成物を得
た。
ミキシングロール機にかけて100℃で10分間混練し、シ
ート状組成物を得た。ついで、得られたシート状組成物
を粉砕し、目的とする粉末のエポキシ樹脂組成物を得
た。
以上の実施例および比較例で得られた粉末状のエポキ
シ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフアー成形
でモールドすることにより、半導体装置を得た。この半
導体装置は、80ピンQFPのパツケージ（20×14mm,厚み2.
25mm）のものであり、７×7mmのチツプサイズを有する
ものである。
シ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフアー成形
でモールドすることにより、半導体装置を得た。この半
導体装置は、80ピンQFPのパツケージ（20×14mm,厚み2.
25mm）のものであり、７×7mmのチツプサイズを有する
ものである。
このようにして得られた半導体装置について、測定試
験を行つた。その結果を下記の第２表に示す。
験を行つた。その結果を下記の第２表に示す。
第２表の結果から実施例品は、各特性、特に曲げ物性
が、室温（RT）については比較例と大差はないものの、
215℃のような高温においては比較例よりも著しく優れ
た結果が得られており、高温時におけるパツケージの強
度が大幅に向上していることがわかる。
が、室温（RT）については比較例と大差はないものの、
215℃のような高温においては比較例よりも著しく優れ
た結果が得られており、高温時におけるパツケージの強
度が大幅に向上していることがわかる。
第１図および第２図は、従来例の説明図である。
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも一部が下記の一般式（Ｉ）で表
されるエポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂主剤成分（Ａ
成分）と、少なくとも一部が下記の一般式（II）で表さ
れるフエノール樹脂からなるフエノール樹脂硬化剤成分
（Ｂ成分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）を主要成分と
し、ゴム成分（この語句の定義は発明の詳細な説明の欄
にある）を、上記ＡおよびＢ成分の少なくとも一方と反
応させた状態でもしくはそのままの状態で含むエポキシ
樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装
置。 - 【請求項２】上記ゴム成分が、末端アミンブタジエン−
アクリロニトリル共重合体およびスチレン−エチレン・
ブチレンブロック共重合体の少なくとも一方である請求
項（１）記載の半導体装置。 - 【請求項３】上記ゴム成分の使用量が、エポキシ樹脂組
成物中の有機成分に対して３〜40重量％の割合に設定さ
れている請求項（１）または（２）記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105680A JP2579338B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105680A JP2579338B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276653A JPH01276653A (ja) | 1989-11-07 |
| JP2579338B2 true JP2579338B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=14414138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63105680A Expired - Fee Related JP2579338B2 (ja) | 1988-04-27 | 1988-04-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579338B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4804673B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-11-02 | 京セラケミカル株式会社 | 封止用樹脂組成物および半導体装置 |
-
1988
- 1988-04-27 JP JP63105680A patent/JP2579338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01276653A (ja) | 1989-11-07 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |