JP2965392B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エポキシ樹脂組成物
で樹脂封止された樹脂封止型半導体装置で、優れた半田
時の耐パツケージクラツク性を有し、樹脂組成物に起因
する熱応力の低い優れた信頼性を保持する半導体装置に
関するものである。
で樹脂封止された樹脂封止型半導体装置で、優れた半田
時の耐パツケージクラツク性を有し、樹脂組成物に起因
する熱応力の低い優れた信頼性を保持する半導体装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子は、通常、エポキシ樹脂組成物を用いて封止され半
導体装置化されている。この種のパツケージの代表例と
しては、従来からデユアルインラインパツケージ（ＤＩ
Ｐ）がある。このＤＩＰは、ピン挿入型のものであり、
実装基板に対してピンを挿入することにより半導体装置
を取り付けるようになつている。
素子は、通常、エポキシ樹脂組成物を用いて封止され半
導体装置化されている。この種のパツケージの代表例と
しては、従来からデユアルインラインパツケージ（ＤＩ
Ｐ）がある。このＤＩＰは、ピン挿入型のものであり、
実装基板に対してピンを挿入することにより半導体装置
を取り付けるようになつている。
【０００３】最近は、ＬＳＩチツプ等の半導体装置の高
集積化と高速化が進んでおり、加えて電子装置を小形で
高機能にする要求から、実装の高密度化が進んでいる。
このような観点からＤＩＰのようなピン挿入型のパツケ
ージに代えて、表面実装型パツケージが主流になつてき
ている。この種のパツケージを用いた半導体装置におい
ては、平面的にピンを取り出し、これを実装基板表面に
直接半田等によつて固定するようになつている。このよ
うな表面実装型半導体装置は、平面的にピンが取り出せ
るようになつており、薄い，軽い，小さいという利点を
備えており、したがつて実装基板に対する占有面積が小
さくてすむという利点を備えている他、基板に対する両
面実装も可能であるという長所をも有している。
集積化と高速化が進んでおり、加えて電子装置を小形で
高機能にする要求から、実装の高密度化が進んでいる。
このような観点からＤＩＰのようなピン挿入型のパツケ
ージに代えて、表面実装型パツケージが主流になつてき
ている。この種のパツケージを用いた半導体装置におい
ては、平面的にピンを取り出し、これを実装基板表面に
直接半田等によつて固定するようになつている。このよ
うな表面実装型半導体装置は、平面的にピンが取り出せ
るようになつており、薄い，軽い，小さいという利点を
備えており、したがつて実装基板に対する占有面積が小
さくてすむという利点を備えている他、基板に対する両
面実装も可能であるという長所をも有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な表面実装型パツケージを用いた半導体装置において表
面実装前にパツケージ自体が吸湿している場合には、半
田実装時に水分の蒸気圧によつて、パツケージにクラツ
クが生じるという問題がある。すなわち、図１に示すよ
うな表面実装型半導体装置において、水分は矢印Ａのよ
うに封止樹脂１を通つて、パツケージ３内に浸入し、主
としてＳｉ−チツプ７の表面やダイボンドパツド４の裏
面に滞溜する。そして、ベーパーフエーズソルダリング
等の半田表面実装を行う際に、上記滞溜水分が、上記半
田実装における加熱により気化し、その蒸気圧により、
図２に示すように、ダイボンドパツド４の裏面の樹脂部
分を下方に押しやり、そこに空隙５をつくると同時にパ
ツケージ３にクラツク６を生じさせる。図１および図２
において、８はボンデイングワイヤーである。
な表面実装型パツケージを用いた半導体装置において表
面実装前にパツケージ自体が吸湿している場合には、半
田実装時に水分の蒸気圧によつて、パツケージにクラツ
クが生じるという問題がある。すなわち、図１に示すよ
うな表面実装型半導体装置において、水分は矢印Ａのよ
うに封止樹脂１を通つて、パツケージ３内に浸入し、主
としてＳｉ−チツプ７の表面やダイボンドパツド４の裏
面に滞溜する。そして、ベーパーフエーズソルダリング
等の半田表面実装を行う際に、上記滞溜水分が、上記半
田実装における加熱により気化し、その蒸気圧により、
図２に示すように、ダイボンドパツド４の裏面の樹脂部
分を下方に押しやり、そこに空隙５をつくると同時にパ
ツケージ３にクラツク６を生じさせる。図１および図２
において、８はボンデイングワイヤーである。
【０００５】このような問題に対する解決策として、半
導体素子をパツケージで封止した後、得られる半導体装
置全体を防湿梱包し、表面実装の直前に開封して使用す
る方法や、表面実装の直前に上記半導体装置を１００℃
で２４時間乾燥させ、その後半田実装を行うという方法
が提案され、すでに実施されている。しかしながら、こ
のような前処理方法によれば製造工程が長くなる上、手
間がかかるという問題がある。
導体素子をパツケージで封止した後、得られる半導体装
置全体を防湿梱包し、表面実装の直前に開封して使用す
る方法や、表面実装の直前に上記半導体装置を１００℃
で２４時間乾燥させ、その後半田実装を行うという方法
が提案され、すでに実施されている。しかしながら、こ
のような前処理方法によれば製造工程が長くなる上、手
間がかかるという問題がある。
【０００６】一方、半導体素子の大形化にともない、パ
ツシベーシヨンクラツクやアルミスライドの発生といつ
た熱応力に起因する問題が生じている。このような問題
を解決するため、通常、ゴムやシリコーンのような柔軟
な物質を樹脂組成物に分散させ、これを用いて樹脂封止
し、低応力化を図つている。しかし、上記手法をとる
と、樹脂組成物の水蒸気拡散係数が増大するため、先に
述べた半田実装時のパツケージクラツクの発生という観
点から不利となる。
ツシベーシヨンクラツクやアルミスライドの発生といつ
た熱応力に起因する問題が生じている。このような問題
を解決するため、通常、ゴムやシリコーンのような柔軟
な物質を樹脂組成物に分散させ、これを用いて樹脂封止
し、低応力化を図つている。しかし、上記手法をとる
と、樹脂組成物の水蒸気拡散係数が増大するため、先に
述べた半田実装時のパツケージクラツクの発生という観
点から不利となる。
【０００７】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、電子機器への実装に際して前処理を要するこ
となく、しかも半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に
優れた半導体装置の提供をその目的とする。
たもので、電子機器への実装に際して前処理を要するこ
となく、しかも半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に
優れた半導体装置の提供をその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）および
（Ｂ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止するという構成をとる。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）１分子中に少なくとも２個のフエニル基を有する
フエノール樹脂であつて、上記フエニル基間に炭素数８
〜１２の炭化水素からなる官能基と、少なくとも１個の
シクロペンタン環とを有するフエノール樹脂。
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）および
（Ｂ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導
体素子を封止するという構成をとる。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）１分子中に少なくとも２個のフエニル基を有する
フエノール樹脂であつて、上記フエニル基間に炭素数８
〜１２の炭化水素からなる官能基と、少なくとも１個の
シクロペンタン環とを有するフエノール樹脂。
【０００９】
【作用】半田時のパツケージクラツクを防止する方法と
しては、封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボ
ンドパツドの裏面および半導体素子の表面と、封止樹脂
との間の接着力を高める、高温での封止樹脂の強度を
高める、高温での封止樹脂の弾性率を低下させるとい
う４つの方法が考えられる。この発明は、上記特殊なフ
エノール樹脂を硬化剤として用いると、上記の，お
よびの手法が達成され、半田時の耐パツケージクラツ
ク性の向上と、低応力性とを両立させることが可能とな
ることを見出しこの発明に到達した。
しては、封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボ
ンドパツドの裏面および半導体素子の表面と、封止樹脂
との間の接着力を高める、高温での封止樹脂の強度を
高める、高温での封止樹脂の弾性率を低下させるとい
う４つの方法が考えられる。この発明は、上記特殊なフ
エノール樹脂を硬化剤として用いると、上記の，お
よびの手法が達成され、半田時の耐パツケージクラツ
ク性の向上と、低応力性とを両立させることが可能とな
ることを見出しこの発明に到達した。
【００１０】つぎに、この発明を詳しく説明する。
【００１１】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、特殊なフエノール樹脂
（Ｂ成分）とを用いて得られるものであり、通常、粉末
状もしくはタブレツト状になつている。
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、特殊なフエノール樹脂
（Ｂ成分）とを用いて得られるものであり、通常、粉末
状もしくはタブレツト状になつている。
【００１２】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特
に限定するものではなく通常用いられるエポキシ樹脂が
あげられる。そして、上記通常用いられるエポキシ樹脂
以外に特に下記の一般式（１）で表される結晶性エポキ
シ樹脂を用いるのが好ましい。このように、グリシジル
基を有するフエニル環に低級アルキル基を付加すること
により撥水性を有するようになる。
に限定するものではなく通常用いられるエポキシ樹脂が
あげられる。そして、上記通常用いられるエポキシ樹脂
以外に特に下記の一般式（１）で表される結晶性エポキ
シ樹脂を用いるのが好ましい。このように、グリシジル
基を有するフエニル環に低級アルキル基を付加すること
により撥水性を有するようになる。
【００１３】
【化３】
【００１４】上記通常用いられるエポキシ樹脂、例えば
クレゾールノボラツク型，フエノールノボラツク型，ノ
ボラツクビスＡ型やビスフエノールＡ型等の各種エポキ
シ樹脂を用いてもよい。上記ノボラツク型エポキシ樹脂
としては、通常、エポキシ当量１５０〜２５０，軟化点
５０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾールノボラツ
ク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１
０，軟化点６０〜１１０℃のものが一般に用いられる。
クレゾールノボラツク型，フエノールノボラツク型，ノ
ボラツクビスＡ型やビスフエノールＡ型等の各種エポキ
シ樹脂を用いてもよい。上記ノボラツク型エポキシ樹脂
としては、通常、エポキシ当量１５０〜２５０，軟化点
５０〜１３０℃のものが用いられ、クレゾールノボラツ
ク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１
０，軟化点６０〜１１０℃のものが一般に用いられる。
【００１５】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用い
られる特殊なフエノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹
脂の硬化剤として作用するものであり、１分子中に少な
くとも２個のフエニル基を有するフエノール樹脂であつ
て、上記フエニル基間に、炭素数８〜１２の炭化水素か
らなる官能基と、少なくとも１個のシクロペンタン環と
を有する。このようなフエノール樹脂としては、例えば
下記の一般式（２）で表される繰り返し単位からなるフ
エノール樹脂および下記の一般式（３）で表される繰り
返し単位からなるフエノール樹脂等があげられる。
られる特殊なフエノール樹脂（Ｂ成分）は、エポキシ樹
脂の硬化剤として作用するものであり、１分子中に少な
くとも２個のフエニル基を有するフエノール樹脂であつ
て、上記フエニル基間に、炭素数８〜１２の炭化水素か
らなる官能基と、少なくとも１個のシクロペンタン環と
を有する。このようなフエノール樹脂としては、例えば
下記の一般式（２）で表される繰り返し単位からなるフ
エノール樹脂および下記の一般式（３）で表される繰り
返し単位からなるフエノール樹脂等があげられる。
【００１６】
【化４】
【００１７】
【化５】
【００１８】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と特殊なフエ
ノール樹脂（Ｂ成分）との配合割合は、上記エポキシ樹
脂中のエポキシ基１当量当たりフエノール樹脂中の水酸
基が０．８〜１．２当量となるように配合することが好
ましい。
ノール樹脂（Ｂ成分）との配合割合は、上記エポキシ樹
脂中のエポキシ基１当量当たりフエノール樹脂中の水酸
基が０．８〜１．２当量となるように配合することが好
ましい。
【００１９】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、必要に応じて無機質充填剤，硬化促進剤，
難燃剤，カツプリング剤，ワツクス，離型剤等が用いら
れる。
組成物には、必要に応じて無機質充填剤，硬化促進剤，
難燃剤，カツプリング剤，ワツクス，離型剤等が用いら
れる。
【００２０】上記無機質充填剤としては、結晶性および
溶融性シリカはもちろんのこと、酸化アルミニウム，酸
化ベリリウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素等があげられ
る。
溶融性シリカはもちろんのこと、酸化アルミニウム，酸
化ベリリウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素等があげられ
る。
【００２１】上記硬化促進剤としては、アミン系，リン
系，ホウ素系，リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげら
れ、単独でもしくは併せて用いられる。
系，ホウ素系，リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげら
れ、単独でもしくは併せて用いられる。
【００２２】上記難燃剤としては、ノボラツク型ブロム
化エポキシ樹脂もしくはビスＡ型ブロム化エポキシ樹
脂、三酸化アンチモンおよび五酸化アンチモン等の化合
物を適宜単独でもしくは併せて使用することが行われ
る。
化エポキシ樹脂もしくはビスＡ型ブロム化エポキシ樹
脂、三酸化アンチモンおよび五酸化アンチモン等の化合
物を適宜単独でもしくは併せて使用することが行われ
る。
【００２３】上記カツプリング剤としては、グリシジル
エーテルタイプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウ
レアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランが、適
宜に単独でもしくは併せて用いられる。そして、上記カ
ツプリング剤は、充填剤に対してドライブレンドした
り、もしくは予備加熱反応させたり、さらには有機成分
原料に対して予備混合したりして用いられるが、特に限
定するものではない。
エーテルタイプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウ
レアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランが、適
宜に単独でもしくは併せて用いられる。そして、上記カ
ツプリング剤は、充填剤に対してドライブレンドした
り、もしくは予備加熱反応させたり、さらには有機成分
原料に対して予備混合したりして用いられるが、特に限
定するものではない。
【００２４】上記ワツクスとしては、高級脂肪酸，高級
脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があ
げられ、単独でもしくは併せて使用される。
脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があ
げられ、単独でもしくは併せて使用される。
【００２５】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記添加剤以外にシリコーンオイルおよび
シリコーンゴム，合成ゴム等のゴム成分を配合して低応
力化を図つたり、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上
を目的としてハイドロタルサイト等で示されるイオント
ラツプ剤を配合してもよい。
組成物には、上記添加剤以外にシリコーンオイルおよび
シリコーンゴム，合成ゴム等のゴム成分を配合して低応
力化を図つたり、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上
を目的としてハイドロタルサイト等で示されるイオント
ラツプ剤を配合してもよい。
【００２６】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、まずエポキシ樹脂（Ａ成分），特殊なフエノー
ル樹脂（Ｂ成分）ならびに上記その他の添加剤を適宜配
合し、予備混合する。ついで、ミキシングロール機等の
混練機にかけ加熱状態で混練して溶融混合し、これを室
温に冷却する。この後、公知の手段によつて粉砕し、必
要に応じて打錠するという一連の工程により製造するこ
とができる。
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、まずエポキシ樹脂（Ａ成分），特殊なフエノー
ル樹脂（Ｂ成分）ならびに上記その他の添加剤を適宜配
合し、予備混合する。ついで、ミキシングロール機等の
混練機にかけ加熱状態で混練して溶融混合し、これを室
温に冷却する。この後、公知の手段によつて粉砕し、必
要に応じて打錠するという一連の工程により製造するこ
とができる。
【００２７】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスフアー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスフアー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
【００２８】このようにして得られる半導体装置は、エ
ポキシ樹脂組成物中に含まれる特殊なフエノール樹脂
（Ｂ成分）の作用により、封止樹脂自体の低吸湿化，低
弾性率化をガラス転移温度を低下させることなく実現し
ており、しかも半導体素子と封止樹脂との接着強度も向
上し、耐熱および耐湿信頼性に優れている。
ポキシ樹脂組成物中に含まれる特殊なフエノール樹脂
（Ｂ成分）の作用により、封止樹脂自体の低吸湿化，低
弾性率化をガラス転移温度を低下させることなく実現し
ており、しかも半導体素子と封止樹脂との接着強度も向
上し、耐熱および耐湿信頼性に優れている。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊なフエノール樹脂（Ｂ成分）を含有するエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止し構成され
ている。このため、半導体素子と封止樹脂の接着強度に
優れ、封止樹脂自体の低吸湿化と低弾性率化をガラス転
移温度を低下させることなく実現することができる。し
たがつて、半田実装時のような過酷な条件下においても
パツケージクラツクを発生することなく優れた耐湿およ
び耐熱信頼性を備えている。
は、特殊なフエノール樹脂（Ｂ成分）を含有するエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹脂封止し構成され
ている。このため、半導体素子と封止樹脂の接着強度に
優れ、封止樹脂自体の低吸湿化と低弾性率化をガラス転
移温度を低下させることなく実現することができる。し
たがつて、半田実装時のような過酷な条件下においても
パツケージクラツクを発生することなく優れた耐湿およ
び耐熱信頼性を備えている。
【００３０】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００３１】
【実施例１〜４、比較例】下記の表１および表２に示す
各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機
にかけて１００℃で１０分間混練し、シート状の組成物
を得た。ついで、得られたシート状の組成物を粉砕し、
目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール機
にかけて１００℃で１０分間混練し、シート状の組成物
を得た。ついで、得られたシート状の組成物を粉砕し、
目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】つぎに、実施例１〜４および比較例で得ら
れた粉末状のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
トランスフアー成形でモールドすることにより半導体装
置を得た。この半導体装置は、８０ピン四方向フラツト
パツケージ（ＱＦＰ）（２０mm×１４mm×厚み２．５m
m）で、７mm×７mmのダイボンドプレート、６．５mm×
６．５mmのチツプサイズを有するものである。このよう
にして得られた半導体装置について、２６０℃×１０秒
の半田浸漬を行いパツケージクラツクが発生するまでの
８５℃／８５％ＲＨ下での限界吸湿時間を測定した。ま
た、上記実施例１〜４および比較例で得られたエポキシ
樹脂組成物を用いて、厚み１mm×直径５０mmの円板状の
硬化物を作製（硬化条件：１８０℃×５時間）し、この
円板状の硬化物について８５℃×８５％ＲＨ下で５００
時間吸湿させて飽和吸湿率を測定した。さらに、硬化物
の曲げ強度および弾性率をＪＩＳ−Ｋ−６９１１ ５．
１７に準じて室温および２６０℃下で測定した。つい
で、実施例１〜４および比較例で得られたエポキシ樹脂
組成物の硬化体と半導体素子との接着力を測定した。こ
れらの結果を下記の表３に示した。なお、上記接着力
は、つぎのようにして測定した。すなわち、図３および
図４に示すように、上面が直径ａ＝１１mmおよび下面が
直径ｂ＝９mmで、高さｈ＝１０mmの円錐台状硬化物１０
を作製し、この円錐台状硬化物１０と半導体素子１１と
の剪断接着力を測定した。
れた粉末状のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
トランスフアー成形でモールドすることにより半導体装
置を得た。この半導体装置は、８０ピン四方向フラツト
パツケージ（ＱＦＰ）（２０mm×１４mm×厚み２．５m
m）で、７mm×７mmのダイボンドプレート、６．５mm×
６．５mmのチツプサイズを有するものである。このよう
にして得られた半導体装置について、２６０℃×１０秒
の半田浸漬を行いパツケージクラツクが発生するまでの
８５℃／８５％ＲＨ下での限界吸湿時間を測定した。ま
た、上記実施例１〜４および比較例で得られたエポキシ
樹脂組成物を用いて、厚み１mm×直径５０mmの円板状の
硬化物を作製（硬化条件：１８０℃×５時間）し、この
円板状の硬化物について８５℃×８５％ＲＨ下で５００
時間吸湿させて飽和吸湿率を測定した。さらに、硬化物
の曲げ強度および弾性率をＪＩＳ−Ｋ−６９１１ ５．
１７に準じて室温および２６０℃下で測定した。つい
で、実施例１〜４および比較例で得られたエポキシ樹脂
組成物の硬化体と半導体素子との接着力を測定した。こ
れらの結果を下記の表３に示した。なお、上記接着力
は、つぎのようにして測定した。すなわち、図３および
図４に示すように、上面が直径ａ＝１１mmおよび下面が
直径ｂ＝９mmで、高さｈ＝１０mmの円錐台状硬化物１０
を作製し、この円錐台状硬化物１０と半導体素子１１と
の剪断接着力を測定した。
【００３５】また、上記実施例１〜４および比較例で得
られたエポキシ樹脂組成物を用い前記と同様にして得ら
れたパツケージを、８５℃／８５％ＲＨ下で７２時間吸
湿させた後、２６０℃×１０秒の半田浸漬を行つた。こ
れを１２１℃×１００％ＲＨ下に放置して、半導体素子
表面のアルミパターン部の腐食による５０％の不良の発
生した耐湿性劣化時間を測定評価した。さらに、同様に
して得られたパツケージを１５０℃〜−６０℃で３００
サイクルの熱サイクルテスト（ＴＣＴテスト）にかけ、
半導体素子表面のアルミパターン配線部が、封止樹脂か
らうける熱応力による変形量を測定した。この結果を下
記の表３に併せて示した。
られたエポキシ樹脂組成物を用い前記と同様にして得ら
れたパツケージを、８５℃／８５％ＲＨ下で７２時間吸
湿させた後、２６０℃×１０秒の半田浸漬を行つた。こ
れを１２１℃×１００％ＲＨ下に放置して、半導体素子
表面のアルミパターン部の腐食による５０％の不良の発
生した耐湿性劣化時間を測定評価した。さらに、同様に
して得られたパツケージを１５０℃〜−６０℃で３００
サイクルの熱サイクルテスト（ＴＣＴテスト）にかけ、
半導体素子表面のアルミパターン配線部が、封止樹脂か
らうける熱応力による変形量を測定した。この結果を下
記の表３に併せて示した。
【００３６】さらに、上記実施例１〜４および比較例で
得られたエポキシ樹脂組成物を用いこのエポキシ樹脂組
成物１７５℃におけるスパイラルフローおよび最低溶融
粘度の流動特性を測定し、この結果を下記の表３に併せ
て示した。なお、上記スパイラルフローはＥＭＭＩ−１
−６６に基づいて測定した。また、最低溶融粘度は高圧
式フローテスター（島津製作所社製）を用いて測定し
た。
得られたエポキシ樹脂組成物を用いこのエポキシ樹脂組
成物１７５℃におけるスパイラルフローおよび最低溶融
粘度の流動特性を測定し、この結果を下記の表３に併せ
て示した。なお、上記スパイラルフローはＥＭＭＩ−１
−６６に基づいて測定した。また、最低溶融粘度は高圧
式フローテスター（島津製作所社製）を用いて測定し
た。
【００３７】
【表３】
【００３８】上記表３の結果から、実施例品は、接着力
に優れ飽和吸水率が低く硬化物特性に優れている。しか
も、クラツク発生限界吸湿時間，５０％不良発生時間が
比較例品に比べて長時間であり、配線変形量も小さい。
このことから、実施例品は耐湿および耐熱信頼性に優れ
ていることがわかる。
に優れ飽和吸水率が低く硬化物特性に優れている。しか
も、クラツク発生限界吸湿時間，５０％不良発生時間が
比較例品に比べて長時間であり、配線変形量も小さい。
このことから、実施例品は耐湿および耐熱信頼性に優れ
ていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置のパツケージクラツク発生状
況を説明する縦断面図である。
況を説明する縦断面図である。
【図２】従来の半導体装置のパツケージクラツク発生状
況を説明する縦断面図である。
況を説明する縦断面図である。
【図３】エポキシ樹脂組成物硬化体の正面図である。
【図４】エポキシ樹脂組成物硬化体の側面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中島 恒 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 池村 和弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 西岡 務 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−254453（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−275620（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−91965（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−102217（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−129257（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/30 H01L 21/56 C08G 59/62 C08L 63/00
Claims (4)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）および（Ｂ）成分を含有す
るエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してな
る半導体装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）１分子中に少なくとも２個のフエニル基を有する
フエノール樹脂であつて、上記フエニル基間に炭素数８
〜１２の炭化水素からなる官能基と、少なくとも１個の
シクロペンタン環とを有するフエノール樹脂。 - 【請求項２】 （Ａ）成分であるエポキシ樹脂が、下記
の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂である請求項１
記載の半導体装置。 【化１】 - 【請求項３】 下記の（Ａ）および（Ｂ）成分を含有す
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）１分子中に少なくとも２個のフエニル基を有する
フエノール樹脂であつて、上記フエニル基間に炭素数８
〜１２の炭化水素からなる官能基と、少なくとも１個の
シクロペンタン環とを有するフエノール樹脂。 - 【請求項４】 （Ａ）成分であるエポキシ樹脂が、下記
の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂である請求項３
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化２】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16645391A JP2965392B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16645391A JP2965392B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364059A JPH04364059A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2965392B2 true JP2965392B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=15831688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16645391A Expired - Lifetime JP2965392B2 (ja) | 1991-06-11 | 1991-06-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2965392B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-11 JP JP16645391A patent/JP2965392B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04364059A (ja) | 1992-12-16 |
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