JP2872828B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、信頼性、特に半田実
装時の耐半田性に優れ、かつ生産性に優れた半導体装置
に関するものである。
装時の耐半田性に優れ、かつ生産性に優れた半導体装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子は、外部環境の保護の観点および素子のハンドリン
グを可能にする観点から、プラスチツクパツケージ等に
より封止され半導体装置化されている。この種のパツケ
ージの代表例としては、デユアルインラインパツケージ
（ＤＩＰ）がある。このＤＩＰは、ピン挿入型のもので
あり、実装基板に対してピンを挿入することにより半導
体装置を取り付けるようになつている。
素子は、外部環境の保護の観点および素子のハンドリン
グを可能にする観点から、プラスチツクパツケージ等に
より封止され半導体装置化されている。この種のパツケ
ージの代表例としては、デユアルインラインパツケージ
（ＤＩＰ）がある。このＤＩＰは、ピン挿入型のもので
あり、実装基板に対してピンを挿入することにより半導
体装置を取り付けるようになつている。
【０００３】最近は、ＬＳＩチツプ等の半導体装置の高
集積化と高速化が進んでおり、加えて電子装置を小形で
高機能にする要求から、実装の高密度化が進んでいる。
このような観点からＤＩＰのようなピン挿入型のパツケ
ージに代えて、表面実装型パツケージが主流になつてき
ている。この種のパツケージを用いた半導体装置におい
ては、平面的にピンを取り出し、これを実装基板表面に
直接半田等によつて固定するようになつている。このよ
うな表面実装型半導体装置は、平面的にピンが取り出せ
るようになつており、薄い，軽い，小さいという利点を
備えている。したがつて、実装基板に対する占有面積が
小さくてすみ、さらに基板に対する両面実装も可能であ
るという長所を有している。
集積化と高速化が進んでおり、加えて電子装置を小形で
高機能にする要求から、実装の高密度化が進んでいる。
このような観点からＤＩＰのようなピン挿入型のパツケ
ージに代えて、表面実装型パツケージが主流になつてき
ている。この種のパツケージを用いた半導体装置におい
ては、平面的にピンを取り出し、これを実装基板表面に
直接半田等によつて固定するようになつている。このよ
うな表面実装型半導体装置は、平面的にピンが取り出せ
るようになつており、薄い，軽い，小さいという利点を
備えている。したがつて、実装基板に対する占有面積が
小さくてすみ、さらに基板に対する両面実装も可能であ
るという長所を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な表面実装型パツケージを用いた半導体装置において表
面実装前にパツケージ自体が吸湿している場合には、半
田実装時に水分の蒸気圧によつて、パツケージにクラツ
クが生じるという問題がある。すなわち、図１に示すよ
うな表面実装型半導体装置において、水分は矢印Ａのよ
うに封止樹脂１を通つて、またリードフレーム２と封止
樹脂１との隙間を通つてパツケージ３内に浸入し、主と
してリードフレーム２のダイボンドパツド４の裏面に滞
溜する。そして、ベーパーフエーズソルダリング等の半
田表面実装を行う際に、上記滞溜水分が、上記半田実装
における加熱により気化し、その蒸気圧により、図２に
示すように、ダイボンドパツド４の裏面の樹脂部分を下
方に押しやり、そこに空隙５をつくると同時にパツケー
ジ３にクラツク６を生じさせる。図１および図２におい
て、７は半導体素子、８はボンデイングワイヤーであ
る。
な表面実装型パツケージを用いた半導体装置において表
面実装前にパツケージ自体が吸湿している場合には、半
田実装時に水分の蒸気圧によつて、パツケージにクラツ
クが生じるという問題がある。すなわち、図１に示すよ
うな表面実装型半導体装置において、水分は矢印Ａのよ
うに封止樹脂１を通つて、またリードフレーム２と封止
樹脂１との隙間を通つてパツケージ３内に浸入し、主と
してリードフレーム２のダイボンドパツド４の裏面に滞
溜する。そして、ベーパーフエーズソルダリング等の半
田表面実装を行う際に、上記滞溜水分が、上記半田実装
における加熱により気化し、その蒸気圧により、図２に
示すように、ダイボンドパツド４の裏面の樹脂部分を下
方に押しやり、そこに空隙５をつくると同時にパツケー
ジ３にクラツク６を生じさせる。図１および図２におい
て、７は半導体素子、８はボンデイングワイヤーであ
る。
【０００５】このような問題に対する解決策として、半
導体素子をパツケージで封止した後、得られる半導体装
置全体を密封し、表面実装の直前に開封して使用する方
法や、表面実装の直前に上記半導体装置を１００℃で２
４時間乾燥させ、その後の半田実装を行うという方法が
提案され、すでに実施されている。しかしながら、この
ような前処理方法によれば、製造工程が長くなる上、手
間がかかるという問題が生じる。
導体素子をパツケージで封止した後、得られる半導体装
置全体を密封し、表面実装の直前に開封して使用する方
法や、表面実装の直前に上記半導体装置を１００℃で２
４時間乾燥させ、その後の半田実装を行うという方法が
提案され、すでに実施されている。しかしながら、この
ような前処理方法によれば、製造工程が長くなる上、手
間がかかるという問題が生じる。
【０００６】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、電子機器への実装に際して前処理を要するこ
となく、しかも半田実装時の加熱に耐えうる高温時の高
強度と、低吸湿性に優れた樹脂組成物により封止され、
それゆえに半田実装時の信頼性に優れた半導体装置の提
供をその目的とする。
たもので、電子機器への実装に際して前処理を要するこ
となく、しかも半田実装時の加熱に耐えうる高温時の高
強度と、低吸湿性に優れた樹脂組成物により封止され、
それゆえに半田実装時の信頼性に優れた半導体装置の提
供をその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、少なくとも一部が下記の
一般式（１）で表されるエポキシ樹脂からなる主剤成分
と、フエノール樹脂からなる硬化剤成分とを含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止するという
構成をとる。
め、この発明の半導体装置は、少なくとも一部が下記の
一般式（１）で表されるエポキシ樹脂からなる主剤成分
と、フエノール樹脂からなる硬化剤成分とを含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止するという
構成をとる。
【０００８】
【化３】
【０００９】
【作用】パツケージクラツクの発生を防止する方法とし
ては、封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボン
ドパツドの裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との
間の接着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるの
三つの方法が考えられる。すなわち、この発明は、主と
して上記およびの方法にもとづき封止樹脂の高い吸
湿性を大幅に低減させ、エポキシ樹脂系封止樹脂に対す
る吸湿を抑制させ、かつ封止樹脂自体の高温時における
強度を向上させることにより、パツケージ自体の耐湿性
の向上を意図するものである。そのため、この発明は、
上記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いるもの
であり、それによつて、半田実装におけるような高温下
（２１５〜２６０℃）での封止樹脂の耐パツケージクラ
ツク性の大幅な向上を実現できる。
ては、封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボン
ドパツドの裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との
間の接着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるの
三つの方法が考えられる。すなわち、この発明は、主と
して上記およびの方法にもとづき封止樹脂の高い吸
湿性を大幅に低減させ、エポキシ樹脂系封止樹脂に対す
る吸湿を抑制させ、かつ封止樹脂自体の高温時における
強度を向上させることにより、パツケージ自体の耐湿性
の向上を意図するものである。そのため、この発明は、
上記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いるもの
であり、それによつて、半田実装におけるような高温下
（２１５〜２６０℃）での封止樹脂の耐パツケージクラ
ツク性の大幅な向上を実現できる。
【００１０】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、全部もしくは一部が前記一般式（１）で表される特
殊なエポキシ樹脂からなる主剤成分と、フエノール樹脂
からなる硬化剤成分とを用いて得られるものであつて、
通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト状にな
つている。
は、全部もしくは一部が前記一般式（１）で表される特
殊なエポキシ樹脂からなる主剤成分と、フエノール樹脂
からなる硬化剤成分とを用いて得られるものであつて、
通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト状にな
つている。
【００１１】上記特殊なエポキシ樹脂からなる主剤に
は、下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂がその
まま、もしくは他の通常用いられるエポキシ樹脂ととも
に用いられる。
は、下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂がその
まま、もしくは他の通常用いられるエポキシ樹脂ととも
に用いられる。
【００１２】
【化４】
【００１３】上記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂
のなかでも、エポキシ当量２００〜２５０、軟化点８０
〜１００℃のものを用いるのが好適である。
のなかでも、エポキシ当量２００〜２５０、軟化点８０
〜１００℃のものを用いるのが好適である。
【００１４】上記特殊なエポキシ樹脂は、それ自体でエ
ポキシ樹脂主剤成分を構成してもよいし、先に述べたよ
うに、通常用いられるその他のエポキシ樹脂と併用して
もよい。上記その他のエポキシ樹脂としては、特に限定
するものではなく、通常用いられるエポキシ樹脂、例え
ばクレゾールノボラツク型，フエノールノボラツク型お
よびビスフエノールＡ型等の各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらのエポキシ樹脂のなかでも、融点が室温
を超えており、室温下では固形状もしくは高粘度の液状
を呈するものを用いることが好結果をもたらす。上記ノ
ボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量
１５０〜２５０，軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量１８０〜２１０，軟化点６０〜１１０℃のも
のが一般に用いられる。このように上記一般式（１）で
表されるエポキシ樹脂と通常用いられるエポキシ樹脂の
両者を併用する場合における両者の配合割合は、前者１
００重量部（以下「部」と略す）に対して後者０〜１０
０部の範囲内に設定することが効果の点から好ましい。
すなわち、通常用いられるエポキシ樹脂の配合割合が上
記範囲を超えると低吸湿性に優れた封止樹脂が得られな
くなる傾向がみられるからである。
ポキシ樹脂主剤成分を構成してもよいし、先に述べたよ
うに、通常用いられるその他のエポキシ樹脂と併用して
もよい。上記その他のエポキシ樹脂としては、特に限定
するものではなく、通常用いられるエポキシ樹脂、例え
ばクレゾールノボラツク型，フエノールノボラツク型お
よびビスフエノールＡ型等の各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらのエポキシ樹脂のなかでも、融点が室温
を超えており、室温下では固形状もしくは高粘度の液状
を呈するものを用いることが好結果をもたらす。上記ノ
ボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量
１５０〜２５０，軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量１８０〜２１０，軟化点６０〜１１０℃のも
のが一般に用いられる。このように上記一般式（１）で
表されるエポキシ樹脂と通常用いられるエポキシ樹脂の
両者を併用する場合における両者の配合割合は、前者１
００重量部（以下「部」と略す）に対して後者０〜１０
０部の範囲内に設定することが効果の点から好ましい。
すなわち、通常用いられるエポキシ樹脂の配合割合が上
記範囲を超えると低吸湿性に優れた封止樹脂が得られな
くなる傾向がみられるからである。
【００１５】上記エポキシ樹脂主剤成分の硬化剤として
作用するフエノール樹脂としては、フエノールノボラツ
ク型，クレゾールノボラツク型等のフエノール樹脂があ
げられる。これらノボラツク型フエノール樹脂は、軟化
点５０〜１１０℃，水酸基当量が７０〜１５０のものを
用いることが好ましい。特に上記ノボラツク型フエノー
ル樹脂のなかでも、クレゾールノボラツクを用いること
が好結果をもたらす。
作用するフエノール樹脂としては、フエノールノボラツ
ク型，クレゾールノボラツク型等のフエノール樹脂があ
げられる。これらノボラツク型フエノール樹脂は、軟化
点５０〜１１０℃，水酸基当量が７０〜１５０のものを
用いることが好ましい。特に上記ノボラツク型フエノー
ル樹脂のなかでも、クレゾールノボラツクを用いること
が好結果をもたらす。
【００１６】上記特殊なエポキシ樹脂からなる主剤成分
と硬化剤成分との配合比は、主剤成分中のエポキシ基１
当量当たり硬化剤成分中の水酸基が０．５〜２．０当量
となるように配合することが好適である。より好適なの
は０．８〜１．２当量である。
と硬化剤成分との配合比は、主剤成分中のエポキシ基１
当量当たり硬化剤成分中の水酸基が０．５〜２．０当量
となるように配合することが好適である。より好適なの
は０．８〜１．２当量である。
【００１７】また、一般に、上記特殊なエポキシ樹脂か
らなる主剤成分およびフエノール樹脂からなる硬化剤成
分とともに無機質充填剤が用いられる。上記無機質充填
剤としては、通常、結晶性あるいは溶融性シリカ粉末が
用いられる。これ以外に、酸化アルミニウム，酸化ベリ
リウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素等の充填剤を使用する
ことができる。このような無機質充填剤としては、最大
粒径５０μｍ以下，平均粒径２〜１５μｍの破砕フイラ
ーと、最大粒径１００μｍ以下，平均粒径１０〜２５μ
ｍの球状フイラーとを併用することが効果の点で好まし
い。このように両者を併用することにより、従来の封止
樹脂に比較して、約４倍の強度をえることができると同
時に、エポキシ樹脂組成物に対して優れた流動性を付与
させることが可能となる。この無機質充填剤の含有量
は、エポキシ樹脂組成物全体の７０〜８０重量％の範囲
内に設定することが好適である。
らなる主剤成分およびフエノール樹脂からなる硬化剤成
分とともに無機質充填剤が用いられる。上記無機質充填
剤としては、通常、結晶性あるいは溶融性シリカ粉末が
用いられる。これ以外に、酸化アルミニウム，酸化ベリ
リウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素等の充填剤を使用する
ことができる。このような無機質充填剤としては、最大
粒径５０μｍ以下，平均粒径２〜１５μｍの破砕フイラ
ーと、最大粒径１００μｍ以下，平均粒径１０〜２５μ
ｍの球状フイラーとを併用することが効果の点で好まし
い。このように両者を併用することにより、従来の封止
樹脂に比較して、約４倍の強度をえることができると同
時に、エポキシ樹脂組成物に対して優れた流動性を付与
させることが可能となる。この無機質充填剤の含有量
は、エポキシ樹脂組成物全体の７０〜８０重量％の範囲
内に設定することが好適である。
【００１８】なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成
物には、必要に応じて上記各成分以外に難燃化剤，カツ
プリング剤，硬化促進剤，ワツクス等が用いられる。
物には、必要に応じて上記各成分以外に難燃化剤，カツ
プリング剤，硬化促進剤，ワツクス等が用いられる。
【００１９】上記難燃化剤としては、ノボラツク型ブロ
ム化エポキシもしくはビスＡ型ブロム化エポキシ，三酸
化アンチモンおよび五酸化アンチモン等の化合物を適宜
単独でもしくは併せて使用することが行われる。
ム化エポキシもしくはビスＡ型ブロム化エポキシ，三酸
化アンチモンおよび五酸化アンチモン等の化合物を適宜
単独でもしくは併せて使用することが行われる。
【００２０】上記カツプリング剤としては、グリシジル
エーテルタイプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウ
レアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランが、適
宜に単独でもしくは併せて用いられる。その使用方法
は、充填剤に対して、ドライブレンドしたり、もしくは
予備加熱反応したり、さらに有機成分原料に対する予備
混合等自由に使用される。
エーテルタイプ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウ
レアタイプ等のメトキシないしはエトキシシランが、適
宜に単独でもしくは併せて用いられる。その使用方法
は、充填剤に対して、ドライブレンドしたり、もしくは
予備加熱反応したり、さらに有機成分原料に対する予備
混合等自由に使用される。
【００２１】上記硬化促進剤としては、アミン系，リン
系，ホウ素系等の硬化促進剤があげられ、単独でもしく
は併せて用いられる。
系，ホウ素系等の硬化促進剤があげられ、単独でもしく
は併せて用いられる。
【００２２】上記ワツクスとしては、高級脂肪酸，高級
脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があ
げられ、単独でもしくは併せて使用される。
脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があ
げられ、単独でもしくは併せて使用される。
【００２３】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記各成分原料を適宜配合し予備混合した後、
ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練し
て溶融混合する。ついで、これを室温に冷却した後、公
知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠するという
一連の工程により製造することができる。
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記各成分原料を適宜配合し予備混合した後、
ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で混練し
て溶融混合する。ついで、これを室温に冷却した後、公
知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠するという
一連の工程により製造することができる。
【００２４】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスフアー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常
のトランスフアー成形等の公知のモールド方法により行
うことができる。
【００２５】このようにして得られる半導体装置は、エ
ポキシ樹脂組成物中に含まれる前記一般式（１）の特殊
なエポキシ樹脂の作用により、封止樹脂の吸湿量が従来
のものに比べ大幅に減少するため、半田実装に際しても
パツケージクラツク等が生じることがない。
ポキシ樹脂組成物中に含まれる前記一般式（１）の特殊
なエポキシ樹脂の作用により、封止樹脂の吸湿量が従来
のものに比べ大幅に減少するため、半田実装に際しても
パツケージクラツク等が生じることがない。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、上記のような特殊なエポキシ樹脂を含有する特殊な
エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して構成
されているため、半田実装におけるような過酷な条件下
においてもパツケージクラツクを生ずることがない。特
に、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、
４０ピン以上、特に８０ピン以上もしくはチツプの長辺
が８mm以上の大形の半導体装置において上記のような高
信頼性が得られるようになるのであり、これが大きな特
徴である。
は、上記のような特殊なエポキシ樹脂を含有する特殊な
エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して構成
されているため、半田実装におけるような過酷な条件下
においてもパツケージクラツクを生ずることがない。特
に、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、
４０ピン以上、特に８０ピン以上もしくはチツプの長辺
が８mm以上の大形の半導体装置において上記のような高
信頼性が得られるようになるのであり、これが大きな特
徴である。
【００２７】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００２８】
【実施例１〜５、比較例１〜３】下記の表１に示す原料
を同表に示す割合で配合し、９０〜１１０℃に加熱した
ロール混練機にかけて３分間溶融混練した。ついで、こ
の溶融物を冷却後粉砕して、さらに打錠を行いタブレツ
ト化して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
を同表に示す割合で配合し、９０〜１１０℃に加熱した
ロール混練機にかけて３分間溶融混練した。ついで、こ
の溶融物を冷却後粉砕して、さらに打錠を行いタブレツ
ト化して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００２９】
【表１】
【００３０】上記実施例１〜５および比較例１〜３で得
られたエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラン
スフアー成形でモールドすることにより半導体装置を作
製した。上記半導体装置は、８０ピン四方向フラツトパ
ツケージ（ＱＦＰ）（２０mm×１４mm×厚み２．２５m
m）で６．０mm×６．０mmのチツプを有するものであ
る。
られたエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラン
スフアー成形でモールドすることにより半導体装置を作
製した。上記半導体装置は、８０ピン四方向フラツトパ
ツケージ（ＱＦＰ）（２０mm×１４mm×厚み２．２５m
m）で６．０mm×６．０mmのチツプを有するものであ
る。
【００３１】このようにして得られた半導体装置につい
て、８５℃／８５％ＲＨ下で７２時間吸湿後、２６０℃
で１０秒間半田浸漬したときのパツケージクラツクの発
生数を測定し下記の表２に示した。また、エポキシ樹脂
組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）をＴＭＡ装置
（熱機械分析装置）を用いて測定し、室温および２５０
℃における曲げ強度をＪＩＳ Ｋ６９１１に基づく曲げ
試験により測定評価した。さらに、直径５０mmで厚み１
mmのエポキシ樹脂組成物製円板を成形し、これの８５℃
／８５％ＲＨ下で３００時間後の吸水率を測定した。こ
れらの結果を表２に併せて示した。さらに、上記半田浸
漬試験後の半導体装置を、１２１℃のプレツシヤークツ
カー試験（ＰＣＴテスト）槽にて、３００時間耐湿信頼
性試験を行い、その試験により生じた半導体素子の不良
数をカウントし表２に併せて示した。
て、８５℃／８５％ＲＨ下で７２時間吸湿後、２６０℃
で１０秒間半田浸漬したときのパツケージクラツクの発
生数を測定し下記の表２に示した。また、エポキシ樹脂
組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）をＴＭＡ装置
（熱機械分析装置）を用いて測定し、室温および２５０
℃における曲げ強度をＪＩＳ Ｋ６９１１に基づく曲げ
試験により測定評価した。さらに、直径５０mmで厚み１
mmのエポキシ樹脂組成物製円板を成形し、これの８５℃
／８５％ＲＨ下で３００時間後の吸水率を測定した。こ
れらの結果を表２に併せて示した。さらに、上記半田浸
漬試験後の半導体装置を、１２１℃のプレツシヤークツ
カー試験（ＰＣＴテスト）槽にて、３００時間耐湿信頼
性試験を行い、その試験により生じた半導体素子の不良
数をカウントし表２に併せて示した。
【００３２】
【表２】
【００３３】表２の結果から、比較例品は吸湿率が高
く、高温時の樹脂強度が低いため、全ての半導体装置に
パツケージクラツクが発生しやすく、ＰＣＴテストによ
る耐湿信頼性にも劣つている。これに対して、実施例品
では吸湿量が低く、高温時の樹脂強度が高いためパツケ
ージクラツクの発生が生じ難く、ＰＣＴテストによる耐
湿信頼性に優れ、高い信頼性を備えていることがわか
る。
く、高温時の樹脂強度が低いため、全ての半導体装置に
パツケージクラツクが発生しやすく、ＰＣＴテストによ
る耐湿信頼性にも劣つている。これに対して、実施例品
では吸湿量が低く、高温時の樹脂強度が高いためパツケ
ージクラツクの発生が生じ難く、ＰＣＴテストによる耐
湿信頼性に優れ、高い信頼性を備えていることがわか
る。
【図１】従来の半導体装置のパツケージクラツク発生状
況を説明する縦断面図である。
況を説明する縦断面図である。
【図２】従来の半導体装置のパツケージクラツク発生状
況を説明する縦断面図である。
況を説明する縦断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池村 和弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 吉村 保守 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 西岡 務 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−268711（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−272624（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−275620（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−275626（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−292024（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−91965（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189327（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−116954（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/28 - 23/30 C08G 59/24 C08G 59/62
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一部が下記の一般式（１）で
表されるエポキシ樹脂からなる主剤成分と、フエノール
樹脂からなる硬化剤成分とを含有するエポキシ樹脂組成
物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。 【化１】 - 【請求項２】 少なくとも一部が下記の一般式（１）で
表されるエポキシ樹脂からなる主剤成分と、フエノール
樹脂からなる硬化剤成分とを含有する半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 【化２】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145472A JP2872828B2 (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145472A JP2872828B2 (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343252A JPH04343252A (ja) | 1992-11-30 |
| JP2872828B2 true JP2872828B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15386041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145472A Expired - Fee Related JP2872828B2 (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2872828B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP3145472A patent/JP2872828B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04343252A (ja) | 1992-11-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |