JPH0794533B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、耐熱衝撃信頼性および耐湿信頼性の双方に
優れた半導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、外部環境から
の保護の観点および素子のハンドリングを可能にする観
点から、プラスチツクパツケージ等により封止され半導
体装置化されている。この種のパツケージの代表例とし
ては、デユアルインラインパツケージ（DIP）がある。
このDIPは、ピン挿入型のものであり、実装基板に対し
てピンを挿入することにより半導体装置を取り付けるよ
うになつている。

最近は、LSIチツプ等の半導体装置の高集積化と高速化
が進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする要
求から、実装の高密度化が進んでいる。このような観点
からDIPのようなピン挿入型のパツケージに代えて、表
面実装用パツケージが主流になつてきている。この種の
パツケージを用いた半導体装置においては、平面的にピ
ンを取り出し、これを実装基板表面に直接半田等によつ
て固定するようになつている。このような表面実装型半
導体装置は、平面的にピンが取り出せるようになつてお
り、薄い，軽い，小さいという利点を備えており、した
がつて実装基板に対する占有面積が小さくてすむという
利点を備えている他、基板に対する両面実装も可能であ
るという長所をも有している。

一方、メモリー素子やマイクロプロセツサーに代表され
るように、半導体素子の集積度は年々向上しているが、
これは半導体素子のパターンの微細化ならびに素子の大
形化により達成されている。その結果、封止するパツケ
ージの小形化と素子の大形化という相反する問題が発生
し、必然的に封止樹脂部分が薄くなつてきている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記のような表面実装用パツケージを用いた
半導体装置において表面実装前にパツケージ自体が吸湿
している場合には、半田実装時に水分の蒸気圧によつ
て、パツケージにクラツクが生じるという問題がある。
すなわち、第１図に示すような表面実装型半導体装置に
おいて、水分は矢印Ａのように封止樹脂１を通つて、パ
ツケージ３内に侵入し、主としてSi−チツプ７の表面や
ダイボンドパツド４の裏面に滞溜する。そして、ベーパ
ーフエーズソルダリング等の半田表面実装を行う際に、
上記滞溜水分が、上記半田実装における加熱により気化
し、その蒸気圧により、第２図に示すように、ダイボン
ドパツド４の裏面の樹脂部分を下方に押しやり、そこに
空隙５をつくると同時にパツケージ３にクラツク６を生
じさせる。第１図および第２図において、８はボンデイ
ングワイヤーである。

このような問題に対する解決策として、半導体素子をパ
ツケージで封止した後、得られる半導体装置全体を防湿
梱包し、表面実装の直前に開封して使用する方法や、表
面実装の直前に上記半導体装置を100℃で24時間乾燥さ
せ、その後半田実装を行うという方法が提案され、すで
に実施されている。しかしながら、このような前処理方
法によれば、製造工程が長くなる上、手間がかかるとい
う問題がある。

一方、半導体素子の大形化にともない、パツシベーシヨ
ンクラツクやアルミスライドの発生といつた熱応力に起
因する問題が生じている。このような問題を解決するた
め、通常、ゴムやシリコーンのような柔軟な物質を樹脂
組成物に分散させ、これを用いて樹脂封止し、低応力化
を図つている。しかし、上記手法をとると、樹脂組成物
の水蒸気拡散係数が増大するため、先に述べた半田実装
時のパツケージクラツクの発生という観点から不利とな
る。

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、電
子機器への実装に際して前処理を要することなく、しか
も半田実装時の加熱に耐えうる低応力性に優れた半導体
装置の提供をその目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の（Ａ）および（Ｂ）成分の少なくとも一方と、下
記の（Ｃ）成分とを反応させてなる変性反応物を含有し
ているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止す
るという構成をとる。

（Ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂。

〔上記式（Ｉ）において、R₁〜R₄は炭素数１〜４のアル
キル基である。〕 （Ｂ）下記の一般式（II）で表されるシラン化合物と、
下記の一般式（III）で表されるフエノールアラルキル
樹脂とを予備反応させることにより得られる反応生成
物。

〔上記式（III）において、ｍは０または正の整数であ
る。〕 （Ｃ）下記の一般式（IV）で表されるオルガノポリシロ
キサン。

〔作用〕 パツケージクラツクの発生を防止する方法としては、
封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボンドパツド
の裏面および半導体素子の表面と、封止樹脂との間の接
着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるという三
つの方法が考えられる。この発明は、上記の方法にも
とづき、封止樹脂の吸水率を大幅に低減させ封止樹脂に
対する吸湿を抑制させるようにするとともに、上記の
方法にもとづき半導体素子の表面と封止樹脂との間の接
着力を高めるようにすることによりパツケージ自体の耐
湿性の向上および封止樹脂の接着強度の向上を意図する
ものである。そのため、上記一般式（Ｉ）で表される特
殊なエポキシ樹脂と、上記一般式（II）のシラン化合物
と上記一般式（III）のフエノールアラルキル樹脂との
反応生成物が少なくとも一方と、上記一般式（IV）で表
される特定のシリコーン化合物（オルガノポリシロキサ
ン）とを反応させて得られる特殊な変性反応物を用いる
ものであり、それにより、半田実装におけるような高温
化（215〜260℃）での封止樹脂の耐パツケージクラツク
性と耐湿信頼性の大幅な向上とともに、優れた低応力化
を実現できることを見出しこの発明に到達した。

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、前記一般式
（Ｉ）で表される特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）と、前
記一般式（II）のシラン化合物および前記一般式（II
I）のフエノールアラルキル樹脂との予備反応生成物
（Ｂ成分）の少なくとも一方と、前記一般式（IV）で表
される特定のオルガノポリシロキサン（Ｃ成分）の反応
させて得られる変性反応物を用いて得られるものであつ
て、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト状
になつている。

上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）は、ビフエニル型エ
ポキシ樹脂で、下記の一般式（Ｉ）で表される。

〔上記式（Ｉ）において、R₁〜R₄は炭素数１〜４のアル
キル基である。〕 このように、グリシジル基を有するフエニル環に低級ア
ルキル基を付加することにより撥水性を有するようにな
る。そして、上記特殊なエポキシ樹脂のみでエポキシ樹
脂成分を構成してもよいし、それ以外の通常用いられる
エポキシ樹脂と併用するようにしてもよい。前者の場合
には、Ａ成分の全部が上記一般式（Ｉ）の特殊なエポキ
シ樹脂で構成され、後者の場合にはＡ成分の一部が上記
一般式に（Ｉ）の特殊なエポキシ樹脂で構成されること
となる。上記通常用いられるエポキシ樹脂としては、ク
レゾールノボラツク型，フエノールノボラツク型，ノボ
ラツクビスＡ型やビスフエノールＡ型等の各種エポキシ
樹脂があげられる。上記ノボラツク型エポキシ樹脂とし
ては、通常、エポキシ当量150〜250,軟化点50〜130℃の
ものが用いられ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂
としては、エポキシ当量180〜210,軟化点60〜110℃のも
のが一般に用いられる。このような両者を併用する場合
には、上記一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂をエポ
キシ樹脂成分全体の20重量％（以下、「％」と略す）以
上に設定するのが好ましく、特に好ましくは50％以上で
ある。

上記特殊な反応生成物（Ｂ成分）は、下記の一般式（I
I）で表される特定のシラン化合物と、下記の一般式（I
II）で表される特定のフエノールアラルキル樹脂とを予
備反応させることにより得られる。

〔上記式（III）において、ｍは０または正の整数であ
る。〕 すなわち、上記特殊な反応生成物は、上記一般式（II）
で表される特定のシラン化合物の有機基Ｘおよびアルコ
キシ基Ｙが、一般式（III）で表される特定のフエノー
ルアラルキル樹脂中のOH基と反応し、脱アルコールする
ことにより得られる。

上記一般式（II）で表される特定のシラン化合物として
は、シランカツプリング剤を用いることができ、具体的
には、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、N,N−ビス〔（メチルジメトキシシリ
ル）プロピル〕アミン、N,N−ビス〔３−（メチルジメ
トキシシリル）プロピル〕エチレンジアミン、N,N−ビ
ス〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アミン、N,
N−ビス〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕エチ
レンジアミン、３−（N,N−ジグリシジル）アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、Ｎ−グリシジル−N,N−ビス
〔３−（メチルジメトキシシリル）プロピル〕アミン、
Ｎ−グリシジル−N,N−ビス〔３−（トリメトキシシリ
ル）プロピル〕アミン、３−グリシドキシプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、３−メルカプトトリメトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−〔（３
−トリメトキシシリル）プロピル〕ジエチレントリアミ
ン、Ｎ−〔（３−トリメトキシシリル）プロピル〕トリ
エチレンテトラアミン、Ｎ−３−トリメトキシシリルプ
ロピル−ｍ−フエニレンジアミン等があげられる。

上記一般式（III）で表される特定のフエノールアラル
キル樹脂は、上記特殊なエポキシ樹脂の硬化剤として作
用するものであり、アラルキルエーテルとフエノールと
をフリーデルクラフツ触媒で反応させることにより得ら
れる。一般に、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレンと
フエノールモノマーの縮合重合化合物が知られている。
そして、上記フエノールアラルキル樹脂としては、軟化
点70〜110℃，水酸基当量150〜220を有するものを用い
るのが好ましい。また、上記フエノールアラルキル樹脂
は、それ自体で硬化剤成分を構成してもよいし、それ以
外の通常用いられるフエノール樹脂と併用しても差し支
えはない。前者の場合には、硬化剤成分の全部が上記フ
エノールアラルキル樹脂で構成され、後者の場合は硬化
剤成分の一部が上記フエノールアラルキル樹脂で構成さ
れることとなる。上記通常用いられるフエノール樹脂と
しては、フエノールノボラツク，クレゾールノボラツク
等があげられる。これらノボラツク樹脂としては、軟化
点が50〜110℃，水酸基当量が70〜150のものを用いるこ
とが望ましい。上記フエノールアラルキル樹脂と、この
ような通常のフエノール樹脂とを併用する場合には、上
記フエノールアラルキル樹脂を硬化剤成分全体の50％以
上の割合に設定するのが好ましく、特に好ましくは70％
以上である。そして、上記フエノールアラルキル樹脂
（通常のフエノール樹脂を含む）の配合割合は、上記特
殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量当た
り上記フエノールアラルキル樹脂中の水酸基が0.7〜1.3
当量となるように配合することが好適である。より好適
なのは0.9〜1.1当量である。

上記特定のシラン化合物と特定のフエノールアラルキル
樹脂とからなる反応生成物（Ｂ成分）は、例えばつぎの
ようにして得られる。すなわち、上記特定のシラン化合
物および特定のフエノールアラルキル樹脂を攪拌装置付
きの反応容器に適宜配合し、120〜180℃に、特に好まし
くは130〜150℃に昇温させ両者を反応させて反応生成物
を作製する。つぎに、この反応で生成したアルコールを
130〜180℃の条件下で脱気等により系外に除去すること
により得られる。

そして、上記一般式（Ｉ）で表される特殊なエポキシ樹
脂（Ａ成分）および反応生成物（Ｂ成分）は片方もしく
は双方と反応させるオルガノポリシロキサン（Ｃ成分）
は、下記の一般式（IV）で表される化合物である。

このように上記オルガノポリシロキサンを用い、Ａ成分
およびＢ成分の少なくとも一方を変性させることにより
低応力性が向上する。この場合、上記オルガノポリシロ
キサン（Ｃ成分）の添加量は、エポキシ樹脂組成物全体
の１〜７％の範囲内になるように設定することが好適で
ある。

なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には、上記
特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分），反応生成物（Ｂ成
分），特定のオルガノポリシロキサン（Ｃ成分）以外
に、必要に応じて無機質充填剤，硬化促進剤，難燃剤，
ワツクス等が用いられる。

上記無機質充填剤としては、結晶性および溶融性フイラ
ーはもちろんのこと、酸化アルミニウム，酸化ベリリウ
ム，炭化ケイ素，窒化ケイ素等があげられる。

上記硬化促進剤としては、アミン系，リン系，ホウ素
系，リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられ、単独で
もしくは併せて使用される。

上記難燃剤としては、ノボラツク型ブロム化エポキシも
しくはビスＡ型エポキシ、三酸化アンチモンおよび五酸
化アンチモン等の化合物を適宜単独でもしくは併せて使
用することが行われる。

上記カツプリング剤としては、グリシジルエーテルタイ
プ，アミンタイプ，チオシアンタイプ，ウレアタイプ等
のメトキシないしはエトキシシランが、適宜に単独でも
しくは併せて用いられる。その使用方法としては、充填
剤に対して、ドライブレンドしたり、もしくは予備加熱
反応させたり、さらには有機成分原料に対して予備混合
する方法等があげられ、特に限定するものではない。

上記ワツクスとしては、高級脂肪酸，高級脂肪酸エステ
ル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、単独
でもしくは併せて使用される。

なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物には、
上記添加剤以外にシリコーンオイルおよびシリコーンゴ
ム，合成ゴム等のゴム成分を配合して低応力化を図つた
り、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的として
ハイドロタルサイト等で示されるイオントラツプ剤を配
合してもよい。

この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えばつ
ぎのようにして製造することができる。すなわち、ま
ず、上記特定のシラン化合物および特定のフエノールア
ラルキル樹脂とを上記条件で予備反応させることにより
反応生成物（Ｂ成分）を作製する。つぎに、この反応生
成物（Ｂ成分）および上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成
分）の片方もしくは双方と、前記特定のオルガノポリシ
ロキサン（Ｃ成分）とを反応させて変性反応物を作製す
る。そして、この変性反応物，上記Ａ成分,B成分と、必
要に応じて配合される添加剤を適宜配合し予備混合した
後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で混
練して溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手
段によつて粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の
工程により製造することができる。

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスフ
アー成形等の公知のモールド方法により行うことができ
る。

このようにして得られる半導体装置は、エポキシ樹脂組
成物中に含まれる前記一般式（Ｉ）で表される特殊なエ
ポキシ樹脂（Ａ成分）および前記一般式（II）のシラン
化合物と一般式（III）のフエノールアラルキル樹脂と
の予備反応生成物（Ｂ成分）の少なくとも一方と、前記
一般式（IV）で表される特定のオルガノポリシロキサン
（Ｃ成分）を反応させてなる変性反応物の作用により、
封止樹脂自体の低吸湿化が実現されており、また、半導
体素子と封止樹脂との接着強度も向上しているため、耐
熱衝撃性および耐湿信頼性の双方に優れ、半田実装に際
してもパツケージクラツク等が生ずることがない。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明の半導体装置は、上記のような
特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）および特殊な予備反応生
成物（Ｂ成分）の少なくとも一方と、特定のオルガノポ
リシロキサン（Ｃ成分）とを反応させてなる変性反応物
を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を樹
脂封止して構成されているため、半導体素子と封止樹脂
との接着強度に優れ、半田実装におけるような過酷な条
件下においてもパツケージクラツクが生ずることがな
く、優れた耐湿信頼性を備えている。さらに、上記Ｃ成
分を用いることにより、低応力化が一層向上し優れた耐
熱衝撃性を備えることになる。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。

まず、実施例に先立つて下記の第１表に示す化合物を準
備した。

つぎに、上記第１表のフエノール樹脂C,Dおよびシラン
化合物E,F,Gを下記の第２表に示す配合割合し、攪拌装
置付きの反応容器に投入して同表に示す反応条件で予備
反応させて、脱気（170℃）することにより反応生成物
Ｌ〜Ｐを作製した。

つづいて、前記第１表のエポキシ樹脂A,Bと同表のオル
ガノポリシロキサンH,Iとを下記の第３表に示す割合で
配合し、攪拌しながら反応容器中で予備反応させて変性
エポキシ樹脂（ａ）〜（ｆ）を作製した。また、前記第
２表の反応生成物L,M,Oと第１表のオルガノポリシロキ
サンＲとを後記の第４表に示す割合で配合し、上記と同
様にして変性反応生成物（ｇ）〜（ｉ）を作製した。

〔実施例１〜７、比較例１〜８〕 上記反応生成物Ｌ〜Ｐ、エポキシ樹脂A,B、変性エポキ
シ樹脂（ａ）〜（ｆ）、変性反応生成物（ｇ）〜（ｉ）
およびその他の添加剤を用いて下記の第５表に示す割合
で配合し、ミキシングロール機にかけて100℃で10分間
混練し、シート状組成物を得た。ついで、得られたシー
ト状組成物を粉砕し、目的とする粉末のエポキシ樹脂組
成物を得た。

つぎに、実施例１〜７および比較例１〜８で得られた粉
末状のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子をトラン
スフアー成形でモールドすることにより半導体装置を得
た。この半導体装置は、80ピン四方向フラツトパツケー
ジ（QFP）（20mm×14mm×厚み2.5mm）で、7mm×7mmのダ
イボンドプレート,6.5mm×6.5mmのチツプサイズを有す
るものである。このようにして得られた半導体装置につ
いて、260℃×10秒の半田浸漬を行いパツケージクラツ
クが発生するまでの85℃/85％RH下での限界吸湿時間を
測定した。また、上記比較例のなかでも比較例１〜４で
得られたエポキシ樹脂組成物を用いて、厚み3mm×直径5
0mmの円板状の硬化物を作製（硬化条件:180℃×５時
間）し、この円板状の硬化物について85℃×85％RH下で
500時間吸湿させて飽和吸湿率を測定した。さらに、こ
の比較例１〜４の硬化物の曲げ強度をJIS−Ｋ−6911
5.17に準じて260℃下で測定した。

ついで、実施例１〜７および比較例１〜８で得られたエ
ポキシ樹脂組成物の硬化体と半導体素子との接着力を測
定した。これらの結果を下記の第６表に示した。なお、
上記接着力は、つぎのようにして測定した。すなわち、
第３図（Ａ）および（Ｂ）に示すように、上面が直径ａ
＝11mmおよび下面が直径ｂ＝9mmで、高さｈ＝10mmの円
錐台状硬化物10を作製し、この円錐台状硬化物10の上面
の中心に2mm×2mm×厚み0.4mmの半導体素子11を搭載し
た。そして、この円錐状硬化物10と半導体素子11とのせ
ん断接着力を測定した。

また、上記実施例１〜７および比較例５〜８で得られた
エポキシ樹脂組成物を用い前記と同様にして得られたパ
ツケージを、85℃/85％RH下で72時間吸湿させた後、260
℃×10秒の半田浸漬を行つた。これを121℃×100％RH下
に放置して、半導体素子表面のアルミパターン部の腐食
による50％の不良の発生した耐湿性劣化時間を評価し
た。さらに、同様にして得られたパツケージを150℃〜
−60℃で300サイクルの熱サイクルテストにかけ、半導
体素子表面のアルミパターン配線部が、封止樹脂からう
ける熱応力による変形量を測定した。

上記第６表の結果から、比較例１〜４品は飽和吸湿率は
低く限界吸湿時間は長いが、半導体素子接着力が低い。
また、比較例３品以外の比較例品は、接着力はある程度
有しているが、飽和吸水率が高く限界吸湿時間も短い。
これに対して、実施例品は限界吸湿時間が長い。したが
つて、実施例品は耐湿信頼性に優れ高温時の低応力性に
優れていることがわかる。また、上記実施例品は、不良
発生時間が長く、またアルミパターン配線変形量も少な
い。このことから、上記実施例品は従来に比べて低応力
性に一層優れていることがわかる。しかも、実施例品は
全て高い接着力を有していることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来の半導体装置のパツケージク
ラツク発生状況を説明する縦断面図、第３図（Ａ）は実
施例および比較例での半導体素子とエポキシ樹脂組成物
の硬化物との接着力の測定方法を説明する平面図、第３
図（Ｂ）はその正面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 23/31 (72)発明者 西岡 務 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 池村 和弘 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 薄井 英之 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 河本 紀雄 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 田畑 晴夫 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 伊藤 達志 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−67660（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−105018（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−221219（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−43414（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−186724（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−60623（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−292029（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−41353（ＪＰ，Ａ)

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下記の（Ａ）および（Ｂ）成分の少なくと
   も一方と、下記の（Ｃ）成分とを反応させてなる変性反
   応物を含有しているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体
   素子を封止してなる半導体装置。 （Ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂。 〔上記式（Ｉ）において、R₁〜R₄は炭素数１〜４のアル
   キル基である。〕 （Ｂ）下記の一般式（II）で表されるシラン化合物と、
   下記の一般式（III）で表されるフエノールアラルキル
   樹脂とを予備反応させることにより得られる反応生成
   物。 〔上記式（III）において、ｍは０または正の整数であ
   る。〕 （Ｃ）下記の一般式（IV）で表されるオルガノポリシロ
   キサン。
2. 【請求項２】一般式（II）で表されるシラン化合物が、
   ３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン,3−アミ
   ノプロピルトリメトキシシランおよび３−メルカプトト
   リメトキシシランからなる群から選ばれた少なくとも一
   つのシラン化合物である請求項（１）記載の半導体装
   置。
3. 【請求項３】下記の（Ａ）および（Ｂ）成分の少なくと
   も一方と、下記の（Ｃ）成分とを反応させてなる変性反
   応物を含有している半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）下記の一般式（Ｉ）で表されるエポキシ樹脂。 〔上記式（Ｉ）において、R₁〜R₄は炭素数１〜４のアル
   キル基である。〕 （Ｂ）下記の一般式（II）で表されるシラン化合物と、
   下記の一般式（III）で表されるフエノールアラルキル
   樹脂とを予備反応させることにより得られる反応生成
   物。 〔上記式（III）において、ｍは０または正の整数であ
   る。〕 （Ｃ）下記の一般式（IV）で表されるオルガノポリシロ
   キサン。