JPH11147940A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH11147940A JPH11147940A JP33087397A JP33087397A JPH11147940A JP H11147940 A JPH11147940 A JP H11147940A JP 33087397 A JP33087397 A JP 33087397A JP 33087397 A JP33087397 A JP 33087397A JP H11147940 A JPH11147940 A JP H11147940A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージの反り、流動・成形性、実装時の
半田耐熱性、樹脂クラック、接着性、実装後の耐湿性に
優れ、長期間の信頼性を保証することができるエポキシ
樹脂組成物および片面封止ＢＧＡ型半導体封止装置を提
供する。 【解決手段】 （Ａ）ビスフェノールＡ骨格を有する多
官能エポキシ樹脂、（Ｂ）（i ）テルペン変性フェノー
ル樹脂と（ii）多官能フェノール樹脂とを重量比で（i
）／（ii）＝0.1 〜2.0 の割合で含有するフェノール
樹脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必
須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填
剤を25〜93重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組
成物であり、またこの組成物の硬化物で、半導体チップ
が封止された片面封止のＢＧＡ型半導体封止装置であ
る。
半田耐熱性、樹脂クラック、接着性、実装後の耐湿性に
優れ、長期間の信頼性を保証することができるエポキシ
樹脂組成物および片面封止ＢＧＡ型半導体封止装置を提
供する。 【解決手段】 （Ａ）ビスフェノールＡ骨格を有する多
官能エポキシ樹脂、（Ｂ）（i ）テルペン変性フェノー
ル樹脂と（ii）多官能フェノール樹脂とを重量比で（i
）／（ii）＝0.1 〜2.0 の割合で含有するフェノール
樹脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必
須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填
剤を25〜93重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組
成物であり、またこの組成物の硬化物で、半導体チップ
が封止された片面封止のＢＧＡ型半導体封止装置であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ反り
性、成形性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物お
よびその組成物によって半導体チップが封止された片面
封止のＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａrray）型の半導体封止装
置に関する。
性、成形性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物お
よびその組成物によって半導体チップが封止された片面
封止のＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａrray）型の半導体封止装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
チップの高集積化に伴う大型化、多極化が進む一方、パ
ッケージ外径寸法については、携帯情報通信機器を中心
に小型、軽量化の要求が益々強くなっている。このた
め、リードが周辺に配列されているＱＦＰでは、多電極
化に伴う狭ピッチ化が加速し、現状の0.3 ｍｍ電極ピッ
チでは一括リフローソルダリングの限界に達している。
チップの高集積化に伴う大型化、多極化が進む一方、パ
ッケージ外径寸法については、携帯情報通信機器を中心
に小型、軽量化の要求が益々強くなっている。このた
め、リードが周辺に配列されているＱＦＰでは、多電極
化に伴う狭ピッチ化が加速し、現状の0.3 ｍｍ電極ピッ
チでは一括リフローソルダリングの限界に達している。
【０００３】そこでリードをパッケージ下面にエリアア
レイ状配置としたＢＧＡ型に移行して、電極ピッチを1.
5 〜1.0 ｍｍに保ってソルダリングを容易にする動き
が、数年前より米国を中心に活発化してきた。
レイ状配置としたＢＧＡ型に移行して、電極ピッチを1.
5 〜1.0 ｍｍに保ってソルダリングを容易にする動き
が、数年前より米国を中心に活発化してきた。
【０００４】しかし、ＢＧＡ型のパッケージは、片面封
止のため、従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポキ
シ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、およびシリカ粉
末からなる樹脂組成物によって封止した場合、パッケー
ジの反りが大きいという欠点があった。また、ボンディ
ングの長ループ化により、成形時にワイヤ流れが起こる
という欠点があった。
止のため、従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポキ
シ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、およびシリカ粉
末からなる樹脂組成物によって封止した場合、パッケー
ジの反りが大きいという欠点があった。また、ボンディ
ングの長ループ化により、成形時にワイヤ流れが起こる
という欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、パッケージの反りが
少なく、かつ、流動性が良好で、成形性に優れ、また、
実装時の半田耐熱性に優れ、樹脂クラックの発生がな
く、接着性も良好であり、実装後の耐湿性に優れ、長期
信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置を提供しようとするものである。
を解消するためになされたもので、パッケージの反りが
少なく、かつ、流動性が良好で、成形性に優れ、また、
実装時の半田耐熱性に優れ、樹脂クラックの発生がな
く、接着性も良好であり、実装後の耐湿性に優れ、長期
信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封
止装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキシ
樹脂、特定のフェノール樹脂を用いることによって、パ
ッケージの反りが少なく、かつ、流動性が良好で、成形
性に優れ、また、実装時の半田耐熱性に優れ、樹脂クラ
ックの発生がなく、接着性も良好であり、実装後の耐湿
性に優れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発
明を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定のエポキシ
樹脂、特定のフェノール樹脂を用いることによって、パ
ッケージの反りが少なく、かつ、流動性が良好で、成形
性に優れ、また、実装時の半田耐熱性に優れ、樹脂クラ
ックの発生がなく、接着性も良好であり、実装後の耐湿
性に優れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発
明を完成したものである。
【０００７】即ち、本発明は、（Ａ）次の一般式で示さ
れるビスフェノールＡ骨格を有する多官能エポキシ樹
脂、
れるビスフェノールＡ骨格を有する多官能エポキシ樹
脂、
【０００８】
【化７】 （但し、式中Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 は水素原子又は炭素数1
〜10のアルキル基を表す）（Ｂ）（i ）次の一般式で示
されるテルペン変性フェノール樹脂と、
〜10のアルキル基を表す）（Ｂ）（i ）次の一般式で示
されるテルペン変性フェノール樹脂と、
【０００９】
【化８】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）（ii）次
の一般式で示される多官能フェノール樹脂
の一般式で示される多官能フェノール樹脂
【００１０】
【化９】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）とを重量
比で（i ）成分／（ii）成分が0.1 〜2.0 の割合で含有
するフェノール樹脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）
硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）無機質充填剤を25〜93重量％の割合で含有してな
ることを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。また別
の本発明は、このエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導
体チップが封止された片面封止のＢＧＡ（Ｂall Ｇrid
Ａrray）型であることを特徴とする半導体封止装置であ
る。
比で（i ）成分／（ii）成分が0.1 〜2.0 の割合で含有
するフェノール樹脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）
硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）無機質充填剤を25〜93重量％の割合で含有してな
ることを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。また別
の本発明は、このエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導
体チップが封止された片面封止のＢＧＡ（Ｂall Ｇrid
Ａrray）型であることを特徴とする半導体封止装置であ
る。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明に用いる（Ａ）エポキシ樹脂として
は、前記の一般式化７で示されたものが使用される。具
体的な化合物として例えば、
は、前記の一般式化７で示されたものが使用される。具
体的な化合物として例えば、
【００１３】
【化１０】
【００１４】
【化１１】 等が挙げられる。また、このエポキシ樹脂には、ノボラ
ック系エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂、その他
の一般公知のエポキシ樹脂を併用することができる。こ
の場合、化７のエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂混合物全
体の50重量％以上、特に70〜90重量％の割合で用いるの
が望ましい。
ック系エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂、その他
の一般公知のエポキシ樹脂を併用することができる。こ
の場合、化７のエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂混合物全
体の50重量％以上、特に70〜90重量％の割合で用いるの
が望ましい。
【００１５】本発明に用いる（Ｂ）（i ）テルペン変性
フェノール樹脂としては、前記の一般式化８で示される
ものが使用される。具体的な化合物として、例えば
フェノール樹脂としては、前記の一般式化８で示される
ものが使用される。具体的な化合物として、例えば
【００１６】
【化１２】
【００１７】
【化１３】
【００１８】
【化１４】 等が挙げられる。
【００１９】また、（ii）多官能フェノール樹脂として
は、前記の一般式化９で示されるものが使用される。具
体的な化合物として例えば、
は、前記の一般式化９で示されるものが使用される。具
体的な化合物として例えば、
【００２０】
【化１５】
【００２１】
【化１６】 等が挙げられる。（i ）および（ii）のフェノール樹脂
を併用することにより、高いガラス転移温度と、高流動
性、高接着性を可能とすることができる。また、（i ）
および（ii）のフェノール樹脂の他にフェノール、アル
キルフェノール等のフェノール類と、ホルムアルデヒド
あるいはパラホルムアルデヒドとを反応させて得られる
ノボラック型フェノール樹脂およびこれらの変性樹脂を
併用することができる。この場合、（i ）および（ii）
のフェノール樹脂は、フェノール樹脂混合物全体の10重
量％以上、特に40〜100 重量％となるように配合するこ
とが好ましい。
を併用することにより、高いガラス転移温度と、高流動
性、高接着性を可能とすることができる。また、（i ）
および（ii）のフェノール樹脂の他にフェノール、アル
キルフェノール等のフェノール類と、ホルムアルデヒド
あるいはパラホルムアルデヒドとを反応させて得られる
ノボラック型フェノール樹脂およびこれらの変性樹脂を
併用することができる。この場合、（i ）および（ii）
のフェノール樹脂は、フェノール樹脂混合物全体の10重
量％以上、特に40〜100 重量％となるように配合するこ
とが好ましい。
【００２２】本発明においては、（i ）テルペン変性フ
ェノール樹脂と、（ii）多官能フェノール樹脂とを、テ
ルペン変性フェノール樹脂／多官能フェノール樹脂の重
量比が0.1 〜2.0 、好ましくは0.2 〜0.7 の割合で使用
する。重量比が0.1 未満では、吸水率の増加、高粘度、
接着力の低下が生じ、2.0 を超えるとガラス転移温度の
低下が生じる。
ェノール樹脂と、（ii）多官能フェノール樹脂とを、テ
ルペン変性フェノール樹脂／多官能フェノール樹脂の重
量比が0.1 〜2.0 、好ましくは0.2 〜0.7 の割合で使用
する。重量比が0.1 未満では、吸水率の増加、高粘度、
接着力の低下が生じ、2.0 を超えるとガラス転移温度の
低下が生じる。
【００２３】本発明に用いる（Ｃ）無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μｍ以下の
シリカ粉末が好ましく使用することができる。平均粒径
が30μｍを超えると耐湿性および成形性が劣り好ましく
ない。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して25〜93重量％の割合で含有することが望ましい。
その割合が25重量％未満では、樹脂組成物の吸湿性が大
きく、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また、93重量％を超
えると極端に流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましく
ない。
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μｍ以下の
シリカ粉末が好ましく使用することができる。平均粒径
が30μｍを超えると耐湿性および成形性が劣り好ましく
ない。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して25〜93重量％の割合で含有することが望ましい。
その割合が25重量％未満では、樹脂組成物の吸湿性が大
きく、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また、93重量％を超
えると極端に流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましく
ない。
【００２４】本発明に用いる（Ｄ）硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等が広く使用さ
れる。これらは単独又は 2種以上併用することができ
る。硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.01
〜5 重量％含有するように配合することが望ましい。そ
の割合が0.01重量％未満では樹脂組成物のゲルタイムが
長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量％を超えると
極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、さらに電気特
性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等が広く使用さ
れる。これらは単独又は 2種以上併用することができ
る。硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.01
〜5 重量％含有するように配合することが望ましい。そ
の割合が0.01重量％未満では樹脂組成物のゲルタイムが
長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量％を超えると
極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、さらに電気特
性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
【００２５】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充
填剤および硬化促進剤を必須成分とするが、本発明の目
的に反しない限度において、また必要に応じて、例えば
天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型
剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、
ベンガラ等の着色剤、シランカップリング剤、ゴム系や
シリコーン系の低応力付与剤等を適宜、添加配合するこ
とができる。
特定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充
填剤および硬化促進剤を必須成分とするが、本発明の目
的に反しない限度において、また必要に応じて、例えば
天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属
塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等の離型
剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、
ベンガラ等の着色剤、シランカップリング剤、ゴム系や
シリコーン系の低応力付与剤等を適宜、添加配合するこ
とができる。
【００２６】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、前述した特
定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充填
剤および硬化促進剤その他の成分を所定の組成比に選択
した原料成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に
混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又はニ
ーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適
当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こ
うして得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする
電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用
すれば、優れた特性と信頼性を付与させることができ
る。
して調製する場合の一般的な方法としては、前述した特
定のエポキシ樹脂、特定のフェノール樹脂、無機質充填
剤および硬化促進剤その他の成分を所定の組成比に選択
した原料成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に
混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又はニ
ーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適
当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こ
うして得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする
電子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用
すれば、優れた特性と信頼性を付与させることができ
る。
【００２７】本発明の半導体封止装置は、上述した成形
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。チップを搭
載する基板としては、セラミック、プラスティック、ポ
リイミドフィルム、リードフレームなどであるがこれら
に限定されるものではない。
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。チップを搭
載する基板としては、セラミック、プラスティック、ポ
リイミドフィルム、リードフレームなどであるがこれら
に限定されるものではない。
【００２８】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、前述した特定のエポキシ樹脂、特定のフェノー
ル樹脂を用いたことによって、樹脂組成物の高いガラス
転移温度を保持したまま、熱膨張係数を低減し、かつ高
流動性を兼ね備えることによって、熱機械特性と低応力
性が向上してパッケージの反りを抑え、良好な成形性で
あり、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂のクラックの発
生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるものである。
装置は、前述した特定のエポキシ樹脂、特定のフェノー
ル樹脂を用いたことによって、樹脂組成物の高いガラス
転移温度を保持したまま、熱膨張係数を低減し、かつ高
流動性を兼ね備えることによって、熱機械特性と低応力
性が向上してパッケージの反りを抑え、良好な成形性で
あり、半田浸漬、半田リフロー後の樹脂のクラックの発
生がなくなり、耐湿性劣化が少なくなるものである。
【００２９】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。
【００３０】実施例１前述した化１１のエポキシ樹脂
6.5％、前述した化１２のフェノール樹脂 1.9％、化１
５のフェノール樹脂2.7 ％、シリカ粉末88％、硬化促進
剤 0.2％、エステルワックス 0.3％およびシランカップ
リング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練
してこれを冷却粉砕して成形材料（Ａ）を製造した。
6.5％、前述した化１２のフェノール樹脂 1.9％、化１
５のフェノール樹脂2.7 ％、シリカ粉末88％、硬化促進
剤 0.2％、エステルワックス 0.3％およびシランカップ
リング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練
してこれを冷却粉砕して成形材料（Ａ）を製造した。
【００３１】実施例２実施例１で用いた化１１のエポキ
シ樹脂6.9 ％、実施例１で用いた化１２のフェノール樹
脂1.3 ％、化１５のフェノール樹脂1.7 ％、フェノール
ノボラック樹脂 1.2％、シリカ粉末88％、硬化促進剤
0.2％、エステルワックス 0.3％およびシランカップリ
ング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練し
てこれを冷却粉砕して成形材料（Ｂ）を製造した。
シ樹脂6.9 ％、実施例１で用いた化１２のフェノール樹
脂1.3 ％、化１５のフェノール樹脂1.7 ％、フェノール
ノボラック樹脂 1.2％、シリカ粉末88％、硬化促進剤
0.2％、エステルワックス 0.3％およびシランカップリ
ング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90〜95℃で混練し
てこれを冷却粉砕して成形材料（Ｂ）を製造した。
【００３２】比較例１ｏ−クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂11％、ノボラック型フェノール樹脂3％、シリ
カ粉末85％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3
％およびシランカップリング剤 0.4％を混合し、さらに
90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ｃ）
を製造した。
キシ樹脂11％、ノボラック型フェノール樹脂3％、シリ
カ粉末85％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3
％およびシランカップリング剤 0.4％を混合し、さらに
90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ｃ）
を製造した。
【００３３】比較例２エピビス型エポキシ樹脂11％、ノ
ボラック型フェノール樹脂 3％、シリカ粉末85％、硬化
促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3％およびシランカ
ップリング剤0.4％を混合し、さらに90〜95℃で混練し
てこれを冷却粉砕して成形材料（Ｄ）を製造した。
ボラック型フェノール樹脂 3％、シリカ粉末85％、硬化
促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3％およびシランカ
ップリング剤0.4％を混合し、さらに90〜95℃で混練し
てこれを冷却粉砕して成形材料（Ｄ）を製造した。
【００３４】こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｄ）
を用いて、175 ℃に加熱した金型内にトランスファー注
入し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止装
置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試
験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、パッケージの
反りが少なく、流動性、耐湿性、半田耐熱性に優れてお
り、本発明の顕著な効果を確認することができた。
を用いて、175 ℃に加熱した金型内にトランスファー注
入し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止装
置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試
験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、パッケージの
反りが少なく、流動性、耐湿性、半田耐熱性に優れてお
り、本発明の顕著な効果を確認することができた。
【００３５】
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3 mmの成形品を作り、これを 127℃， 2.5気圧の飽和水蒸気中に24時間放置し、増加した重量によって測定し た。 ＊2 ：吸水率の場合と同様な成形品を作り、 175℃で 8時間の後硬化を行い、適 当な大きさの試験片とし、熱機械分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準じて試験した。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本のアルミニウム配線を有するシリコン製チップを 、通常のＢＧＡ用フレームに接着し、175 ℃で 2分間トランスファー成形した後 、175 ℃で 8時間の後硬化を行った。こうして得た成形品を127 ℃，2.5 気圧の 飽和水蒸気中で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食による50％断線（不良発生） の起こる時間を評価した。 ＊5 ：10×10ｍｍダミーチップをＢＧＡ（30×30×1.2 ｍｍ）パッケージに納め 、成形材料を用いて、175 ℃で 2分間トランスファー成形した後、175 ℃で 8時 間の後硬化を行った。こうして製造した半導体封止装置を30℃，60％，192 時間 の吸湿処理をした後、240 ℃のＩＲリフローを30秒間行い、パッケージクラック の発生の有無を評価した。 ＊6 ：10×10ｍｍダミーチップをＢＧＡ（30×30×1.2 ｍｍ）パッケージに納め 、成形材料を用いて、175 ℃で 2分間トランスファー成形した後、175 ℃で 8時 間の後硬化を行った。こうして製造した半導体封止装置の反り量を非接触レーザ ー測定機により測定した。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明及び表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、パッケージの反りが少なく、かつ、流動性が良好
で、成形性に優れ、また、実装時の半田耐熱性に優れ、
樹脂クラックもなく、接着性も良好であり、また、実装
後の耐湿性に優れ、しかも長期間の信頼性を保証するこ
とができる。
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、パッケージの反りが少なく、かつ、流動性が良好
で、成形性に優れ、また、実装時の半田耐熱性に優れ、
樹脂クラックもなく、接着性も良好であり、また、実装
後の耐湿性に優れ、しかも長期間の信頼性を保証するこ
とができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式で示されるビスフェノ
ールＡ骨格を有する多官能エポキシ樹脂、 【化１】 （但し、式中Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 は水素原子又は炭素数1
〜10のアルキル基を表す）（Ｂ）（i ）次の一般式で示
されるテルペン変性フェノール樹脂と、 【化２】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）（ii）次
の一般式で示される多官能フェノール樹脂 【化３】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）とを重量
比で（i ）成分／（ii）成分が0.1 〜2.0 の割合で含有
するフェノール樹脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）
硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）無機質充填剤を25〜93重量％の割合で含有してな
ることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）次の一般式で示されるビスフェノ
ールＡ骨格を有する多官能エポキシ樹脂、 【化４】 （但し、式中Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 は水素原子又は炭素数1
〜10のアルキル基を表す）（Ｂ）（i ）次の一般式で示
されるテルペン変性フェノール樹脂と、 【化５】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）（ii）次
の一般式で示される多官能フェノール樹脂 【化６】 （但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す）とを重量
比で（i ）成分／（ii）成分が0.1 〜2.0 の割合で含有
するフェノール樹脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）
硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記
（Ｃ）無機質充填剤を25〜93重量％の割合で含有したエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チップが封止され
た片面封止のＢＧＡ型であることを特徴とする半導体封
止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33087397A JPH11147940A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33087397A JPH11147940A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11147940A true JPH11147940A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18237475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33087397A Pending JPH11147940A (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11147940A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7956136B2 (en) | 2004-07-22 | 2011-06-07 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| US8008410B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-08-30 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device |
| WO2018080057A1 (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP33087397A patent/JPH11147940A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7956136B2 (en) | 2004-07-22 | 2011-06-07 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| US8124695B2 (en) | 2004-07-22 | 2012-02-28 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device |
| US8008410B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-08-30 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device |
| WO2018080057A1 (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 주식회사 케이씨씨 | 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 |
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