JPH11130944A - エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置Info
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- JPH11130944A JPH11130944A JP31141097A JP31141097A JPH11130944A JP H11130944 A JPH11130944 A JP H11130944A JP 31141097 A JP31141097 A JP 31141097A JP 31141097 A JP31141097 A JP 31141097A JP H11130944 A JPH11130944 A JP H11130944A
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- epoxy resin
- resin composition
- resin
- aralkylnaphthol
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- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優
れ、封止樹脂と半導体チップあるいはリードフレームと
の剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、また電極腐
食やリーク電流の発生もないエポキシ樹脂組成物および
特に片面封止ＢＧＡ型の半導体封止装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）アラルキルナフトール骨格を有す
る多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）アラルキルナフトール樹
脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填剤
を25〜93重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成
物である。また、この組成物の硬化物で半導体チップが
封止された、ＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａray ）型等の半導
体封止装置である。
れ、封止樹脂と半導体チップあるいはリードフレームと
の剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、また電極腐
食やリーク電流の発生もないエポキシ樹脂組成物および
特に片面封止ＢＧＡ型の半導体封止装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）アラルキルナフトール骨格を有す
る多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）アラルキルナフトール樹
脂、（Ｃ）無機質充填剤および（Ｄ）硬化促進剤を必須
成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質充填剤
を25〜93重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成
物である。また、この組成物の硬化物で半導体チップが
封止された、ＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａray ）型等の半導
体封止装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッケージ反り
性、成形性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物
と、その組成物によって半導体チップが封止された片面
封止ＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａrray）型等の半導体封止装
置に関する。
性、成形性、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物
と、その組成物によって半導体チップが封止された片面
封止ＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａrray）型等の半導体封止装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
チップの高集積化に伴う大型化、多極化が進む一方、パ
ッケージの外径寸法は、携帯情報通信機器用を中心に小
型、軽量化の要求が益々強くなっている。このため、リ
ードが周辺配列されるＱＦＰでは、多電極化に伴う狭ピ
ッチ化が加速されて、現状の0.3 ｍｍ電極ピッチでは一
括リフローソルダリングが不可能となる限界に達してい
る。
チップの高集積化に伴う大型化、多極化が進む一方、パ
ッケージの外径寸法は、携帯情報通信機器用を中心に小
型、軽量化の要求が益々強くなっている。このため、リ
ードが周辺配列されるＱＦＰでは、多電極化に伴う狭ピ
ッチ化が加速されて、現状の0.3 ｍｍ電極ピッチでは一
括リフローソルダリングが不可能となる限界に達してい
る。
【０００３】そこで、リードの周辺配置をパッケージ下
面にエリアアレイ状に配置したＢＧＡ型に移行させ、電
極ピッチを1.5 〜1.0 ｍｍに保ってソルダリングを容易
にする動きが、数年前より米国を中心に活発化してき
た。
面にエリアアレイ状に配置したＢＧＡ型に移行させ、電
極ピッチを1.5 〜1.0 ｍｍに保ってソルダリングを容易
にする動きが、数年前より米国を中心に活発化してき
た。
【０００４】しかし、ＢＧＡ型のパッケージは、片面封
止のために、従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂およびシリカ粉
末からなる樹脂組成物によって封止した場合、パッケー
ジの反りが大きいという欠点があった。また、ボンディ
ングの長ループ化により、成形時にワイヤ流れが起こり
やすいという欠点があった。
止のために、従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂およびシリカ粉
末からなる樹脂組成物によって封止した場合、パッケー
ジの反りが大きいという欠点があった。また、ボンディ
ングの長ループ化により、成形時にワイヤ流れが起こり
やすいという欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、パッケージの反りが
少なく、流動性、成形性が良好でワイヤ流れを起こさ
ず、また、実装時の半田耐熱性に優れて樹脂クラックの
発生がなく、接着性も良好であり、実装後の耐湿性に優
れ、長期信頼性が保証される、エポキシ樹脂組成物およ
び半導体封止装置を提供しようとするものである。
を解消するためになされたもので、パッケージの反りが
少なく、流動性、成形性が良好でワイヤ流れを起こさ
ず、また、実装時の半田耐熱性に優れて樹脂クラックの
発生がなく、接着性も良好であり、実装後の耐湿性に優
れ、長期信頼性が保証される、エポキシ樹脂組成物およ
び半導体封止装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定の多官能エ
ポキシ樹脂、特定のアラルキルナフトール樹脂を用いる
ことによって、パッケージの反りが少なく、かつ、流動
性が良好で、成形性に優れ、また、実装時の半田耐熱性
に優れ、樹脂クラックの発生がなく、接着性も良好であ
り、実装後の耐湿性に優れた樹脂組成物が得られること
を見いだし、本発明を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、特定の多官能エ
ポキシ樹脂、特定のアラルキルナフトール樹脂を用いる
ことによって、パッケージの反りが少なく、かつ、流動
性が良好で、成形性に優れ、また、実装時の半田耐熱性
に優れ、樹脂クラックの発生がなく、接着性も良好であ
り、実装後の耐湿性に優れた樹脂組成物が得られること
を見いだし、本発明を完成したものである。
【０００７】即ち、本発明は、 （Ａ）次の一般式で示されるアラルキルナフトール骨格
を有する多官能エポキシ樹脂、
を有する多官能エポキシ樹脂、
【０００８】
【化５】 （但し、式中n は 1以上の整数を表す） （Ｂ）次の一般式で示されるアラルキルナフトール樹
脂、
脂、
【０００９】
【化６】 （但し、式中n は 1以上の整数を表す） （Ｃ）無機質充填剤および （Ｄ）硬化促進剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質
充填剤を25〜93重量％の割合で含有してなることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物である。また別の本発明は、
このエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チップが封
止されてなることを特徴とする、片面封止のＢＧＡ（Ｂ
all Ｇrid Ａray ）型等の半導体封止装置である。
充填剤を25〜93重量％の割合で含有してなることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物である。また別の本発明は、
このエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体チップが封
止されてなることを特徴とする、片面封止のＢＧＡ（Ｂ
all Ｇrid Ａray ）型等の半導体封止装置である。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】本発明に用いる（Ａ）多官能エポキシ樹脂
としては、前記の一般式化５で示されたものが使用され
る。また、この多官能エポキシ樹脂には、ノボラック系
エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂、その他の一般
公知のエポキシ樹脂を併用することができる。
としては、前記の一般式化５で示されたものが使用され
る。また、この多官能エポキシ樹脂には、ノボラック系
エポキシ樹脂やエピビス系エポキシ樹脂、その他の一般
公知のエポキシ樹脂を併用することができる。
【００１２】本発明に用いる（Ｂ）アラルキルナフトー
ル樹脂としては、前記の一般式化６で示されるものが使
用される。具体的な化合物として、例えば
ル樹脂としては、前記の一般式化６で示されるものが使
用される。具体的な化合物として、例えば
【００１３】
【化７】
【００１４】
【化８】
【００１５】
【化９】 等が挙げられる。
【００１６】本発明に用いる（Ｃ）無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μｍ以下の
シリカ粉末が好ましく使用することができる。平均粒径
が30μｍを超えると耐湿性および成形性が劣り好ましく
ない。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して25〜93重量％の割合で含有することが望ましい。
その割合が25重量％未満では、樹脂組成物の吸湿性が大
きく、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また、93重量％を超
えると極端に流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましく
ない。
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
れらの中でも不純物濃度が低く、平均粒径30μｍ以下の
シリカ粉末が好ましく使用することができる。平均粒径
が30μｍを超えると耐湿性および成形性が劣り好ましく
ない。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して25〜93重量％の割合で含有することが望ましい。
その割合が25重量％未満では、樹脂組成物の吸湿性が大
きく、半田浸漬後の耐湿性に劣り、また、93重量％を超
えると極端に流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましく
ない。
【００１７】本発明に用いる（Ｄ）硬化促進剤として
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等が広く使用さ
れる。これらは単独又は 2種以上併用することができ
る。硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.01
〜5 重量％含有するように配合することが望ましい。そ
の割合が0.01重量％未満では樹脂組成物のゲルタイムが
長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量％を超えると
極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、さらに電気特
性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
は、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、Ｄ
ＢＵ系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等が広く使用さ
れる。これらは単独又は 2種以上併用することができ
る。硬化促進剤の配合割合は、樹脂組成物に対して0.01
〜5 重量％含有するように配合することが望ましい。そ
の割合が0.01重量％未満では樹脂組成物のゲルタイムが
長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重量％を超えると
極端に流動性が悪くなって成形性に劣り、さらに電気特
性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくない。
【００１８】本発明のエポキシ樹脂組成物は、前述した
特定の多官能エポキシ樹脂、特定のアラルキルナフトー
ル樹脂、無機質充填剤および硬化促進剤を必須成分とす
るが、本発明の目的に反しない限度において、また必要
に応じて、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直
鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィ
ン類等の離型剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボ
ンブラック、ベンガラ等の着色剤、シランカップリング
剤、ゴム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適宜、添
加配合することができる。
特定の多官能エポキシ樹脂、特定のアラルキルナフトー
ル樹脂、無機質充填剤および硬化促進剤を必須成分とす
るが、本発明の目的に反しない限度において、また必要
に応じて、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直
鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィ
ン類等の離型剤、三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボ
ンブラック、ベンガラ等の着色剤、シランカップリング
剤、ゴム系やシリコーン系の低応力付与剤等を適宜、添
加配合することができる。
【００１９】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、前述した特
定の多官能エポキシ樹脂、特定のアラルキルナフトール
樹脂、無機質充填剤および硬化促進剤その他の成分を所
定の組成比に選択した原料成分を配合し、ミキサー等に
よって十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶
融混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで
冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とする
ことができる。こうして得られた成形材料は、半導体装
置をはじめとする電子部品あるいは電気部品の封止、被
覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与さ
せることができる。
して調製する場合の一般的な方法としては、前述した特
定の多官能エポキシ樹脂、特定のアラルキルナフトール
樹脂、無機質充填剤および硬化促進剤その他の成分を所
定の組成比に選択した原料成分を配合し、ミキサー等に
よって十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶
融混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで
冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とする
ことができる。こうして得られた成形材料は、半導体装
置をはじめとする電子部品あるいは電気部品の封止、被
覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与さ
せることができる。
【００２０】本発明の半導体封止装置は、上述した成形
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。チップを搭
載する基板としては、セラミック、プラスティック、ポ
リイミドフィルム、リードフレームなどであるがこれら
に限定されるものではない。
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃
以上に加熱して硬化させることが望ましい。チップを搭
載する基板としては、セラミック、プラスティック、ポ
リイミドフィルム、リードフレームなどであるがこれら
に限定されるものではない。
【００２１】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、前述した特定の多官能エポキシ樹脂、特定のア
ラルキルナフトール樹脂を用いたことによって、樹脂組
成物の高いガラス転移温度を保持したまま、熱膨張係数
を低減することにより、熱機械特性と低応力性が向上し
てパッケージの反りを抑え、かつ、高流動性を兼ね備え
ることにより良好な成形性であり、半田浸漬、半田リフ
ロー後の樹脂のクラックの発生がなくなり、耐湿性劣化
が少なくなるものである。
装置は、前述した特定の多官能エポキシ樹脂、特定のア
ラルキルナフトール樹脂を用いたことによって、樹脂組
成物の高いガラス転移温度を保持したまま、熱膨張係数
を低減することにより、熱機械特性と低応力性が向上し
てパッケージの反りを抑え、かつ、高流動性を兼ね備え
ることにより良好な成形性であり、半田浸漬、半田リフ
ロー後の樹脂のクラックの発生がなくなり、耐湿性劣化
が少なくなるものである。
【００２２】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。以下の実施例及び比較例において「％」とは「重量
％」を意味する。
【００２３】実施例１ 前述した化５の多官能エポキシ樹脂 6.2％、前述した化
７のアラルキルナフトール樹脂 4.8％、シリカ粉末88
％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3％および
シランカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90
〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ａ）を
製造した。
７のアラルキルナフトール樹脂 4.8％、シリカ粉末88
％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3％および
シランカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90
〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ａ）を
製造した。
【００２４】実施例２ 実施例１で用いた化５の多官能エポキシ樹脂6.6 ％、実
施例１で用いた化７のアラルキルナフトール樹脂3.1
％、フェノールノボラック樹脂 1.3％、シリカ粉末88
％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3％および
シランカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90
〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ｂ）を
製造した。
施例１で用いた化７のアラルキルナフトール樹脂3.1
％、フェノールノボラック樹脂 1.3％、シリカ粉末88
％、硬化促進剤 0.3％、エステルワックス 0.3％および
シランカップリング剤 0.4％を常温で混合し、さらに90
〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料（Ｂ）を
製造した。
【００２５】比較例１ ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂17％、ノボラ
ック型フェノール樹脂8％、シリカ粉末74％、硬化促進
剤 0.3％、エステルワックス 0.3％およびシランカップ
リング剤 0.4％を混合し、さらに90〜95℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料（Ｃ）を製造した。
ック型フェノール樹脂8％、シリカ粉末74％、硬化促進
剤 0.3％、エステルワックス 0.3％およびシランカップ
リング剤 0.4％を混合し、さらに90〜95℃で混練してこ
れを冷却粉砕して成形材料（Ｃ）を製造した。
【００２６】比較例２ エピビス型エポキシ樹脂20％、ノボラック型フェノール
樹脂 5％、シリカ粉末74％、硬化促進剤 0.3％、エステ
ルワックス 0.3％およびシランカップリング剤0.4％を
混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して
成形材料（Ｄ）を製造した。
樹脂 5％、シリカ粉末74％、硬化促進剤 0.3％、エステ
ルワックス 0.3％およびシランカップリング剤0.4％を
混合し、さらに90〜95℃で混練してこれを冷却粉砕して
成形材料（Ｄ）を製造した。
【００２７】こうして製造した成形材料（Ａ）〜（Ｄ）
を用いて、175 ℃に加熱した金型内にトランスファー注
入し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止装
置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試
験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、パッケージの
反りが少なく、流動性、耐湿性、半田耐熱性に優れてお
り、本発明の顕著な効果を確認することができた。
を用いて、175 ℃に加熱した金型内にトランスファー注
入し、硬化させて半導体チップを封止して半導体封止装
置を製造した。これらの半導体封止装置について、諸試
験を行ったのでその結果を表１に示したが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置は、パッケージの
反りが少なく、流動性、耐湿性、半田耐熱性に優れてお
り、本発明の顕著な効果を確認することができた。
【００２８】
【表１】 ＊1 ：トランスファー成形によって直径50mm、厚さ3 mm
の成形品を作り、これを127℃， 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 ＊2 ：吸水率の場合と同様な成形品を作り、 175℃で 8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準じて試験した。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本のアルミニウム配線を有
するシリコン製チップを、通常のＢＧＡ用フレームに接
着し、175 ℃で 2分間トランスファー成形した後、175
℃で 8時間の後硬化を行った。こうして得た成形品を予
め、40℃，90％ＲＨ， 100時間の吸湿処理した後、250
℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃，2.5 気
圧の飽和水蒸気中で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食
による50％断線（不良発生）の起こる時間を評価した。 ＊5 ：10×10ｍｍダミーチップをＢＧＡ（30×30×1.2
ｍｍ）パッケージに納め、成形材料を用いて、175 ℃で
2分間トランスファー成形した後、175 ℃で 8時間の後
硬化を行った。こうして製造した半導体封止装置を30
℃，60％，192 時間の吸湿処理をした後、240 ℃の半田
浴に 1分間浸漬した。その後、実体顕微鏡でパッケージ
表面を観察し、外部樹脂クラックの発生の有無を評価し
た。 ＊6 ：10×10ｍｍダミーチップをＢＧＡ（30×30×1.2
ｍｍ）パッケージに納め、成形材料を用いて、175 ℃で
2分間トランスファー成形した後、175 ℃で 8時間の後
硬化を行った。こうして製造した半導体封止装置の反り
量を非接触レーザー測定機により測定した。
の成形品を作り、これを127℃， 2.5気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって測定した。 ＊2 ：吸水率の場合と同様な成形品を作り、 175℃で 8
時間の後硬化を行い、適当な大きさの試験片とし、熱機
械分析装置を用いて測定した。 ＊3 ：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に準じて試験した。 ＊4 ：成形材料を用いて、 2本のアルミニウム配線を有
するシリコン製チップを、通常のＢＧＡ用フレームに接
着し、175 ℃で 2分間トランスファー成形した後、175
℃で 8時間の後硬化を行った。こうして得た成形品を予
め、40℃，90％ＲＨ， 100時間の吸湿処理した後、250
℃の半田浴に10秒間浸漬した。その後、127 ℃，2.5 気
圧の飽和水蒸気中で耐湿試験を行い、アルミニウム腐食
による50％断線（不良発生）の起こる時間を評価した。 ＊5 ：10×10ｍｍダミーチップをＢＧＡ（30×30×1.2
ｍｍ）パッケージに納め、成形材料を用いて、175 ℃で
2分間トランスファー成形した後、175 ℃で 8時間の後
硬化を行った。こうして製造した半導体封止装置を30
℃，60％，192 時間の吸湿処理をした後、240 ℃の半田
浴に 1分間浸漬した。その後、実体顕微鏡でパッケージ
表面を観察し、外部樹脂クラックの発生の有無を評価し
た。 ＊6 ：10×10ｍｍダミーチップをＢＧＡ（30×30×1.2
ｍｍ）パッケージに納め、成形材料を用いて、175 ℃で
2分間トランスファー成形した後、175 ℃で 8時間の後
硬化を行った。こうして製造した半導体封止装置の反り
量を非接触レーザー測定機により測定した。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明及び表１から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、パッケージの反りが少なく、かつ、流動性が良好
で、成形性に優れ、また、実装時の半田耐熱性に優れ、
樹脂クラックもなく、接着性も良好であり、なおまた、
実装後の耐湿性に優れ、しかも長期間の信頼性を保証す
ることができる。
に、本発明のエポキシ樹脂組成物及び半導体封止装置
は、パッケージの反りが少なく、かつ、流動性が良好
で、成形性に優れ、また、実装時の半田耐熱性に優れ、
樹脂クラックもなく、接着性も良好であり、なおまた、
実装後の耐湿性に優れ、しかも長期間の信頼性を保証す
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式で示されるアラルキル
ナフトール骨格を有する多官能エポキシ樹脂、 【化１】 （但し、式中n は 1以上の整数を表す） （Ｂ）次の一般式で示されるアラルキルナフトール樹
脂、 【化２】 （但し、式中n は 1以上の整数を表す） （Ｃ）無機質充填剤および （Ｄ）硬化促進剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質
充填剤を25〜93重量％の割合で含有してなることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）次の一般式で示されるアラルキル
ナフトール骨格を有する多官能エポキシ樹脂、 【化３】 （但し、式中n は 1以上の整数を表す） （Ｂ）次の一般式で示されるアラルキルナフトール樹
脂、 【化４】 （但し、式中n は 1以上の整数を表す） （Ｃ）無機質充填剤および （Ｄ）硬化促進剤 を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記（Ｃ）無機質
充填剤を25〜93重量％の割合で含有したエポキシ樹脂組
成物の硬化物で、半導体チップが封止されてなることを
特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31141097A JPH11130944A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31141097A JPH11130944A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11130944A true JPH11130944A (ja) | 1999-05-18 |
Family
ID=18016877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31141097A Pending JPH11130944A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11130944A (ja) |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP31141097A patent/JPH11130944A/ja active Pending
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