JP4329233B2 - 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子等の封止に使用される封止用エポキシ樹脂組成物と、これを用いて封止した半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、IC等の半導体素子のパッケージ分野において小型薄型化が進む中、リード端子数の増加に対応するために、SOP、QFPに代表される周辺実装パッケージから、BGA(ボールグリッドアレイ)を代表とするエリア実装パッケージに主流が移り変わりつつある。現状のBGAパッケージの形状は、半導体チップと端子までの接続方法により様々な構造のものが見られるが、その中で主流となっているのが、半導体チップとPC基板を金ワイヤーで接続したタイプであり、半導体チップ搭載面のみをエポキシ樹脂組成物でトランスファー成形(片面封止)を行った後、PC基板の裏面にはんだボールを載せたタイプである。
【0003】
このような片面封止型のパッケージに関して従来から指摘されている問題点としては、その構造が封止樹脂(エポキシ樹脂組成物の硬化物)とベース基板が貼り合わされたバイメタル構造となっていて、成形完了後に常温まで冷却される過程において、それぞれの熱膨張係数の差異により、冷却時の収縮割合がアンバランスとなり、パッケージに反りが発生しやすいということが挙げられる。また、このような片面封止型パッケージについては、封止樹脂とベース基板の密着性が低いために、耐リフロー性が満足するレベルに達していないという問題点もあった。
【0004】
そこで、封止用エポキシ樹脂組成物の成分としてトリフェニルメタン型のエポキシ樹脂を用いることによって、封止樹脂のガラス転移温度を成形温度より高くなるようにして、成形後の常温までの冷却での収縮率がベース基板のそれと同程度になるようにして、反りを低減する方法が検討されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、片面封止型のパッケージを製造する際に、上記のトリフェニルメタン型のエポキシ樹脂を用いる方法によれば、パッケージの反りについてはかなりの改善が達成されるが、ベース基板のさらなる薄型化に伴い、さらなる改善が求められている。また、パッケージの耐リフロー性の要求レベルも高くなってきていて、耐リフロー性についても、さらなる改善が求められている。
【0006】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、反りが少なくて、且つ、耐リフロー性に優れる片面封止型のパッケージが得られる封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること、及びその封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止された、反りが少なくて、且つ、耐リフロー性に優れる片面封止型半導体装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、硬化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として下記式(1)、下記式(2)及び下記式(3)で示されるエポキシ樹脂の少なくとも何れかのエポキシ樹脂を含有し、硬化剤として、下記式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェノールノボラック樹脂を含有していることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物である。
【0008】
【化5】
【0009】
【化6】
【0010】
【化7】
【0011】
【化8】
【0012】
請求項2に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、式(1)で示されるエポキシ樹脂を、封止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の封止用エポキシ樹脂組成物である。
【0013】
請求項3に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、式(2)で示されるエポキシ樹脂を、封止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の封止用エポキシ樹脂組成物である。
【0014】
請求項4に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、式(3)で示されるエポキシ樹脂を、封止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の封止用エポキシ樹脂組成物である。
【0015】
請求項5に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤として、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂との反応物を含有している請求項1乃至請求項4の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物である。なお、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートの構造式は下記式(5)で表される。
【0016】
【化9】
【0017】
請求項6に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、封止用エポキシ樹脂組成物を硬化して、得られる硬化物の成形収縮率が−0.10〜0.10%である請求項1乃至請求項5の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物である。
【0018】
請求項7に係る発明の半導体装置は、請求項1乃至請求項6の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなる片面封止型半導体装置である。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0020】
(封止用エポキシ樹脂組成物)
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、半導体素子等の封止に使用されるものであって、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含有して調製されるものである。
【0021】
本発明に用いるエポキシ樹脂としては、式(1)、式(2)及び式(3)で示されるエポキシ樹脂の少なくとも何れかのエポキシ樹脂を含有していて、このことは、片面封止型のパッケージの反りの改良及び耐リフロー性の改善に有効である。本発明では、エポキシ樹脂として、式(1)、式(2)又は式(3)で示されるエポキシ樹脂以外に、O−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂等を併用することができる。また、含有量については、式(1)、式(2)及び式(3)で示されるエポキシ樹脂の少なくとも何れかのエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全量中に20〜100重量%の割合で含有していることが好ましく、更に好ましくは45〜100重量%の割合で含有していることである。
【0022】
本発明に用いる硬化剤としては、上記式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェノールノボラック樹脂を必須成分として使用する。なお、式(4)でmが0の場合に2核体となる。この2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェノールノボラック樹脂を用いることは、片面封止型のパッケージの反りの改良及び耐リフロー性の改善に有効である。そして、式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂以外の硬化剤として、例えば、ナフタレン骨格含有フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等を併用することができる。また、式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、2核体の含有比率が0〜10重量%であるフェノールノボラック樹脂の配合量は、硬化剤全量に対して、20〜100重量%の範囲が好ましく、更に好ましくは50〜100重量%である。
【0023】
本発明に用いる無機充填材としては、一般的に封止材に使用可能なものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等の粉末を使用することができるが、これらのなかでも溶融シリカが好ましい。この無機充填材の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体に対し、80〜93重量%であることが、片面封止型のパッケージの反りの改良を達成するには好ましい。また、本発明では、無機充填材と共にシランカップリング剤を使用することが耐リフロー性を向上するのに好ましい。
【0024】
本発明に用いる硬化促進剤としては、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂との反応物を用いることが、片面封止型のパッケージの反り改善に有効であるので好ましい。この反応物は、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート単独のものより硬化促進剤としての活性が大幅に上がり、封止用エポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として好適な材料である。この場合、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートをフェノールノボラック樹脂と単に混合するのではなく、反応させることが重要であり、その反応条件は150〜200℃程度の温度で、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂を攪拌し、攪拌初期に白濁しているものが均一透明になるまで攪拌して反応物を得るようにする。反応させるときの、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂の配合比率は、特に限定するものではないが、フェノールノボラック樹脂100重量部に対して、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートが5〜40重量部程度であることが好ましい。また、ここでいうフェノールノボラック樹脂とは、上記式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であり、2核体の含有割合については特に制限はないが、m=1の3核体が全体の45重量%以上であって、mが3以上のもの(5核体以上のもの)が全体の40重量以下であるものが、硬化促進剤としたときの、他の成分と均一混合性の点から好ましい。
【0025】
また、上述のテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂との反応物以外に、一般的に封止材に使用可能な硬化促進剤を、本発明では使用することができる。例えば、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン等の有機リン化合物類、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(DBU)、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン類等が挙げられる。そして、硬化促進剤の添加量については、エポキシ樹脂組成物全体に対し、0.03〜2.0重量%の範囲内であることが好ましい。0.03重量%未満ではゲル化時間が遅くなり、硬化時の剛性低下により作業性の低下をもたらすおそれがあり、2.0重量%を越えると成形途中で硬化が進み未充填となる不具合が発生しやすくなる。
【0026】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、それを硬化して、得られる硬化物の成形収縮率が−0.10〜0.10%であることが、片面封止型のパッケージの反り低減を達成するためには望ましい。ここでいう成形収縮率は、JIS規格K−6911の5.7(成形収縮率:成形材料)で規定される方法で測定される値であり、下限を−0.10%と制限しているのは、−0.10%よりさらにマイナス側の値になると、金型からの離脱が困難となり、上限を0.10%としているのは、この値を超えると、パッケージの反りが増大する傾向にあるからである。
【0027】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物には、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材、シランカップリング剤、硬化促進剤の他に、必要に応じて、リン系難燃剤、ブロム化合物、三酸化アンチモン等の難燃剤、離型剤、カーボンブラックや有機染料等の着色剤等を適宜配合することができる。
【0028】
本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、前述した各成分をミキサー、ブレンダー等によって均一に混合した後、加熱ロール、ニーダー等によって混練することで製造することができる。成分の配合順序は特に制限はない。さらに、混練後に、冷却固化した後、粉砕してパウダー化したり、粉砕したものを打錠してタブレット化することも可能である。
【0029】
(半導体装置)
このようにして得られた封止用エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形して、ベース基板に搭載した半導体素子を、半導体素子搭載面側の片面から封止して片面封止型のパッケージ(BGA等)の中間製品を製造することができる。さらに、この中間製品の半導体素子搭載面と反対側の面に、はんだボールを載せて半導体装置であるBGAを製造することができる。前記ベース基板としては、ガラス基材ビスマレイミド系樹脂基板、ガラス基材エポキシ樹脂基板等の樹脂基板からなるプリント配線基板を使用することができる。
【0030】
【実施例】
以下に、本発明の実施例と、本発明の範囲を外れた比較例とを示すが、本発明は下記実施例に限定されない。
【0031】
実施例、比較例で使用した各成分の材料は以下のとおりである。
【0032】
エポキシ樹脂としては、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(住友化学工業(株)製、品番ESCN195XL)、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、品番EPPN501HY)、式(1)で示されるエポキシ樹脂(三井化学(株)製、品番VG3101L)、式(2)で示されるエポキシ樹脂(住友化学工業(株)製、品番ESLV210)、式(3)で示されるエポキシ樹脂(新日鉄化学(株)製、品番ESLV80XY)を用いた。
【0033】
硬化剤としては、前記式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、2核体の含有比率が15重量%であるフェノールノボラック樹脂(明和化成(株)製、品番H−1)、前記式(4)で示されるフェノールノボラック樹脂であって、2核体の含有比率が4重量%であるフェノールノボラック樹脂(明和化成(株)製、品番DL−92)を使用した。また、難燃剤として作用する臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂も併用した。
【0034】
硬化促進剤としては、トリフェニルホスフィン(TPPと略す。)又はテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂との反応物(TPPK−Aと略す。)を使用した。使用したTPPK−Aは、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート25重量部と、3核体の含有比率が69.7重量%、5核体以上の含有比率が4.6重量%であるフェノールノボラック樹脂75重量部を、窒素雰囲気下170〜180℃で、2時間加熱攪拌して均一透明溶融物とし、その後冷却、粉砕して得たものを使用した。また、離型剤としてはカルナバワックスを使用し、難燃剤として、上記の臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂と共に三酸化アンチモンを使用した。
【0035】
無機充填材としては、球状の溶融シリカ(平均粒径15μm)を用いた。また、カップリング剤としてはγ−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを使用し、着色剤として、カーボンブラックを使用した。
【0036】
(実施例1〜8及び比較例1〜5)
各成分を表1〜表2に示す配合量(重量部)で配合し、ミキサーで十分混合した後、加熱ロールで約5分間混練を行い、冷却固化し、粉砕機で粉砕して封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【0037】
得られた封止用エポキシ樹脂組成物について、硬化物の成形収縮率を測定し、表1、表2にその結果を記載した。なお、成形収縮率は、JIS規格K−6911の5.7(成形収縮率:成形材料)で規定される方法で測定した(成形条件は温度175℃、成形時間120秒、アフターキュアー条件は温度175℃、時間6時間)。
【0038】
また、各実施例及び各比較例の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて次のようにしてBGAパッケージとしての性能評価のための評価用パッケージを作製した。
【0039】
評価用パッケージの作製:その上面に評価用TEGチップ(サイズ:7.6mm×7.6mm×0.35mm)を搭載したガラス基材ビスマレイミドトリアジン樹脂基板(サイズ:35mm×35mm×0.4mm)のチップ搭載面側の片面から封止成形(トランスファ成形)して、図1に断面図が、図2に平面図が示される評価用パッケージ1を得た。図1、図2において、2は樹脂基板、3は評価用TEGチップ、4は封止樹脂を示していて、この封止樹脂厚みは0.8mmである。成形条件は、170℃で120秒とし、アフターキュアーを175℃で6時間の条件で行った。
【0040】
そして、各実施例及び各比較例の封止用エポキシ樹脂組成物及びその成形体の物性評価を以下のようにして行い、その結果を表1、表2に記載した。
【0041】
耐リフロー性:前記の評価用パッケージを用いて、125℃で24時間の前乾燥処理を行った後、30℃、70%RHの条件に設定した恒温恒湿機中で168時間の吸湿処理を行い、その後にリフロー処理(245℃ピークの熱風併用式遠赤外線式リフロー炉で処理)を行った。このリフロー処理後の評価用パッケージについて、超音波顕微鏡((株)キャノン製M−700II)で内部の観察を行い、封止樹脂とチップ表面の界面(チップ面と表1、2では表示)、及び封止樹脂と樹脂基板の界面(基板界面と表1、2では表示)における剥離発生の有無を調べた。なお、各実施例及び各比較例について、それぞれ10個の評価用パッケージを用いて評価した。
【0042】
パッケージ反り:
サイズが50mm×140mmであって、厚みが0.5mmと0.2mmの2種類のFR5グレードのガラス基材エポキシ樹脂基板の一方の表面に、サイズ:4mm×4mm×0.3mmの半導体チップをマトリックス状に搭載し(チップピッチ10mm)、チップ搭載面側の片面から、実施例又は比較例の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、封止成形(トランスファ成形)して、反り評価用サンプルを作製した。なお、封止樹脂厚みは0.8mmであり、成形条件は、170℃で120秒とし、アフターキュアーを175℃で6時間の条件で行った。
【0043】
上記で得た反り評価用サンプルについて、測定顕微鏡を用い、Z座標測定値の最大値を反り量(単位mm)とした。すなわち、図3に示すように、反り評価用サンプルを静置したときの、最大持ちあがり量をパッケージ反り(単位mm)とした。
【0044】
【表1】
【0045】
【表2】
【0046】
表1、表2にみるように、実施例1〜実施例8の封止用エポキシ樹脂組成物で封止した場合には、パッケージ反りが小さく、且つ耐リフロー性が優れていることが確認された。
【0047】
特に、成形収縮率が0.10%以下の実施例3〜実施例8では、パッケージ反りがより小さくなっていることが確認された。
【0048】
【発明の効果】
以上、説明したように請求項1〜6に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて片面封止型のパッケージを封止すれば、反りが少なくて、耐リフロー性に優れる片面封止型のパッケージが得られる。
【0049】
請求項6に係る発明の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて片面封止型のパッケージを封止すれば、上記の効果に加えて、片面封止型のパッケージの反りがより改善されるという効果を奏する。
【0050】
請求項7に係る発明の半導体装置は、請求項1から請求項6までのいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物を用いているので、パッケージ反りが少なくて、且つ、耐リフロー性に優れる片面封止型半導体装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】評価用パッケージの構造を説明するための断面図である。
【図2】同上の平面図である。
【図3】パッケージ反りの測定方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
1 評価用パッケージ
2 樹脂基板
3 評価用TEGチップ
4 封止樹脂
Claims (7)
- 式(1)で示されるエポキシ樹脂を、封止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
- 式(2)で示されるエポキシ樹脂を、封止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
- 式(3)で示されるエポキシ樹脂を、封止用エポキシ樹脂組成物に含有するエポキシ樹脂全量中に45〜100重量%の割合で含有している請求項1記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
- 硬化促進剤として、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートとフェノールノボラック樹脂との反応物を含有している請求項1乃至請求項4の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
- 封止用エポキシ樹脂組成物を硬化して、得られる硬化物の成形収縮率が−0.10〜0.10%である請求項1乃至請求項5の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1乃至請求項6の何れかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止されてなる片面封止型半導体装置。
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