JP6415233B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Description
即ち、第1の発明は、化学式(I)で示されるグリコールウリル化合物、硬化剤および無機質充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
第3の発明は、ボールグリッドアレイ用封止材料であることを特徴とする第1の発明または第2の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
第4の発明は、第1の発明または第2の発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止したことを特徴とする半導体装置である。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物(以下、単に「樹脂組成物」と云うことがある)は、グリコールウリル化合物、硬化剤および無機質充填剤を含有する。
1,3−ジグリシジルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジルグリコールウリル、
1,3−ジグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジル−3a−メチルグリコールウリル、
1,3−ジグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジル−3a,6a−ジメチルグリコールウリル、
1,3−ジグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,4−ジグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,6−ジグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,3,4−トリグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリル、
1,3,4,6−テトラグリシジル−3a,6a−ジフェニルグリコールウリルなどが挙げられる。これらのグリコールウリル化合物は、単独または2種以上を組み合わせて使用してもよい。
なお、実施例および比較例において使用したエポキシ化合物またはエポキシ樹脂と、硬化剤は、以下のとおりである。
・1,3,4,6−テトラグリシジルグリコールウリル(四国化成工業社製「TG−G」、以下、「エポキシ樹脂A」と云う)
・下記の化学式(II)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂(以下、「エポキシ樹脂B」と云う)
・下記の化学式(IV)で示されるフェノール樹脂
前記のエポキシ樹脂A〜Cを表1に示す割合で使用し、硬化剤180重量部、硬化促進剤として、トリフェニルホスフィン3重量部、離型剤として、酸化ポリエチレンワックス7重量部、シランカップリング剤として、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン5重量部、無機質充填剤として、球状溶融シリカ粉末(平均粒径13.2μm)2000重量部、カーボンブラック(三菱化学社製 #3030B)15重量部、難燃剤としてSb2O33.3重量部使用した樹脂組成物を、80〜170℃に加熱したロール混練機を用いて溶融混練した。続いて、冷却した後、粉砕し、さらにタブレット状に打錠することにより実施例1〜3、比較例1〜2の樹脂組成物を調整した。
前記の樹脂組成物について、粘弾性測定装置(レオメトリック社製 固体粘弾性測定装置「RSAII」、二重カレンチレバー法;周波数1Hz、昇温速度3℃/分)を用いて、ガラス転移温度を測定した。得られた結果を表1に示した。
シリコンチップ(サイズ10mm×10mm×厚さ0.325mm)をガラスエポキシ基板上に等間隔となるように、銀(Ag)ペーストを使用して実装し、プレス機(TOWA社製)にて前記の樹脂組成物を用いて封止した。プレス機の金型温度は175℃とし、封止条件は、トランスファースピード1.5mm/秒、クランプ圧1960N、トランスファー圧49N、キュア時間90秒とした。なお、ガラスエポキシ基板を封止した樹脂層の厚みは450μmである。続いて、パッケージを175℃で5時間加熱し、加熱後のパッケージについて、温度可変レーザー3次元装置(ティーテック社製)を用いて観察し、パッケージの反り量を測定した。得られた結果を表1に示した。
Claims (4)
- 化学式(I)で示されるグリコールウリル化合物を除くエポキシ化合物またはエポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- ボールグリッドアレイ用封止材料であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1または請求項2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止したことを特徴とする半導体装置。
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