KR20170079115A - 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제 및 충진제를 포함하고, 상기 에폭시 수지는 변성 나프탈렌 에폭시 수지를 포함하며, 상기 경화제는 페놀 노볼락 수지를 포함하는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 레벨 패키지에서 웨이퍼의 휨성(warpage)을 최소화할 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
반도체 봉지재는 반도체 소자를 봉지시켜 반도체 회로를 외부의 충격 및 오염물질로부터 보호하는 역할을 하는 재료로서, 반도체의 생산성 및 신뢰성에 큰 영향을 미친다.
최근, 전자 부품 장치의 저비용화, 고집적화, 고성능·고기능화를 도모하기 위하여, 웨이퍼 상태로 수지 밀봉을 실시하는 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지(이하, '웨이퍼 레벨 패키지'라 함)가 고밀도 실장에 유효한 패키지로서 주목받고 있다. 웨이퍼 레벨 패키지는 웨이퍼를 다수의 반도체 칩으로 나누기 전에, 반도체 칩의 표면 상에 반도체 칩과 기판 간의 전기 접속을 확립하는 배선부 및 전극부를 형성시킨 후에 수지로 밀봉한 다음, 상기 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단하고 제품화하는 방법이다.
그러나, 웨이퍼 레벨 패키지에서는 밀봉한 웨이퍼의 휨이 빈번히 발생하고, 이로 인해 반도체 후공정의 작업성 및 생산성이 저하되는 문제점이 있다. 특히, 반도체 분야에서는 보다 더 비용을 절감하기 위하여, 웨이퍼의 지름이 커지는 경향이 있으므로, 밀봉 후의 웨이퍼의 휨을 감소시키는 것이 웨이퍼 레벨 패키지를 보급시키는데 있어서 중요한 과제가 되고 있다. 따라서, 웨이퍼의 휨 발생을 억제할 수 있는 봉지재 적층 복합체 등이 개발되어 왔다[참조: 대한민국 공개특허 제10-2013-0091275호].
그러나, 웨이퍼 레벨 패키지에서 웨이퍼의 휨성을 보다 효과적으로 개선할 수 있는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물에 대한 연구는 미비한 실정이다.
본 발명은 웨이퍼의 휘는 현상을 최소화하고 신뢰성이 우수한 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
한편으로, 본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제 및 충진제를 포함하고, 상기 에폭시 수지는 변성 나프탈렌 에폭시 수지를 포함하며, 상기 경화제는 페놀 노볼락 수지를 포함하는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 변성 나프탈렌 에폭시 수지는 하기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸렌기 또는 페닐렌기이며, 이들 기는 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있고,
R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 하기 화학식 2의 아르알킬기이며,
R3는 각각 독립적으로 수소, 하기 화학식 2의 아르알킬기 또는 하기 화학식 3의 에폭시기 함유 방향족 탄화수소기이고,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며, 단 p 및 q 중 어느 하나는 1 이상이고;
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
Ar3는 페닐렌기 또는 나프틸렌기이며, 이들 기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있고,
r은 1 내지 4의 정수이며;
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
R6는 수소 또는 메틸기이고,
Ar4는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환되거나 치환되지 않은 나프틸렌기이며,
s는 1 또는 2의 정수이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 에폭시 수지는 고내열 3관능 에폭시 수지를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 페놀 노볼락 수지는 페놀 및 포름알데히드의 공중합체를 포함할 수 있다.
다른 한편으로, 본 발명은 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 변성 나프탈렌 에폭시 수지와 페놀 노볼락 수지를 포함함으로써, 웨이퍼 레벨 패키지에서 웨이퍼의 휨성을 최소화할 수 있고, 강도, 내열성 등의 신뢰성이 우수하다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제 및 충진제를 포함하고, 상기 에폭시 수지는 변성 나프탈렌 에폭시 수지를 포함하며, 상기 경화제는 페놀 노볼락 수지를 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 에폭시 수지는 열에 의해 경화제와 반응하여 경화되며, 경화 후 삼차원 망상구조를 가짐으로써 피착제에 강하고 견고하게 접착하는 성질과 내열성을 부여하는 성분으로, 변성 나프탈렌 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 변성 나프탈렌 에폭시 수지는 하기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸렌기 또는 페닐렌기이며, 이들 기는 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있고,
R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 하기 화학식 2의 아르알킬기이며,
R3는 각각 독립적으로 수소, 하기 화학식 2의 아르알킬기 또는 하기 화학식 3의 에폭시기 함유 방향족 탄화수소기이고,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며, 단 p 및 q 중 어느 하나는 1 이상이고;
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
Ar3는 페닐렌기 또는 나프틸렌기이며, 이들 기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있고,
r은 1 내지 4의 정수이며;
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
R6는 수소 또는 메틸기이고,
Ar4는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환되거나 치환되지 않은 나프틸렌기이며,
s는 1 또는 2의 정수이다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 화학식 1의 화합물은 R1이 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고, Ar1 및 Ar2가 각각 독립적으로 나프틸렌기 또는 페닐렌기이며, 이들 기는 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있고, R2가 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, R3가 수소이며, p 및 q는 1인 화합물일 수 있다.
상기 화학식 1의 변성 나프탈렌 에폭시 수지의 상업적으로 이용가능한 예로는 HP-6000, EXA-7310, EXA-7311, EXA-7311-L, EXA-7311-G3, EXA-7311-G4 (DIC Corporation) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 변성 나프탈렌 에폭시 수지는 에폭시 수지 전체 중량에 대해 10 내지 70 중량%로 사용될 수 있다. 상기 변성 나프탈렌 에폭시 수지의 함량이 10 중량% 미만인 경우 웨이퍼의 흼성이 심해질 수 있고, 상기 함량이 70 중량%를 초과하는 경우 에폭시 수지 조성물의 용융 점도가 너무 높아져서 성형이 곤란해 질 수 있다.
상기 에폭시 수지는 또한 고내열 3관능 에폭시 수지를 추가로 포함할 수 있다. 상기 고내열 3관능 에폭시 수지는 3관능의 트리페닐메탄형 에폭시 수지일 수 있다. 일 예로, VG-3101L(Printec)이 사용될 수 있다.
이외에도, 상기 에폭시 수지는 반도체 봉지재에 통상적으로 사용되는 기타의 에폭시 수지, 예컨대 비스페놀A형, 지환형, 선형 지방족, (오르쏘)크레졸 노볼락형, 나프톨 노볼락형, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 에폭시 수지는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 3 내지 15 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 에폭시 수지의 함량이 상기 범위를 만족할 때 웨이퍼 레벨 패키지에서 웨이퍼의 휨 특성을 만족할만한 수준으로 유지할 수 있고, 충분한 강도, 내열성 등의 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화제는 상기 에폭시 수지와 반응하여 조성물의 경화를 진행시키는 성분으로서, 페놀 노볼락 수지를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 페놀 노볼락 수지는 페놀 및 포름알데히드의 공중합체일 수 있다. 상기 페놀 및 포름알데히드의 공중합은 당해 기술분야에서 공지된 방법에 따라 산 촉매, 예를 들어 옥살산, 염산 또는 술폰산의 존재 하에 수행될 수 있다.
이러한 페놀 노볼락 수지는 경화제 전체 중량에 대해 40 내지 90 중량%로 사용될 수 있다. 상기 페놀 노볼락 수지의 함량이 40 중량% 미만인 경우 웨이퍼의 흼성이 심해질 수 있고, 상기 함량이 90 중량%를 초과하는 경우 에폭시 수지 조성물의 유동성이 저하되어 성형이 곤란해 질 수 있다.
이외에도, 상기 경화제는 반도체 봉지재에 통상적으로 사용되는 자일록형 페놀 수지, 다방향족형 페놀 수지, 다관능성 페놀 수지 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 1 내지 8 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 경화제의 함량이 상기 범위를 만족할 때 웨이퍼의 휨 특성을 만족할만한 수준으로 유지할 수 있고, 충분한 강도, 내열성 등의 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 경화반응을 촉진시키는 성분으로, 당해 분야에서 통상적으로 사용되는 것이라면 특별한 제한은 없다. 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 트리에틸아민, 벤질디메틸아민, 메틸벤질디메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 3차 아민 화합물, 및 트리페닐포스핀, 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀 등의 유기 포스핀 화합물이 사용될 수 있으며, 특히 내습성 및 열시경도가 우수한 유기 포스핀류를 사용할 수 있다. 이들 경화촉진제는 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 경화촉진제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 0.01 내지 5 중량%의 함량으로 포함될 수 있으며, 상기 범위를 만족할 때 적절한 경화성을 확보할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 봉지재의 강도를 향상시키고 흡습량을 낮추기 위한 성분으로, 예를 들어 실리카, 실리카 나이트라이드, 알루미나, 알루미늄 나이트라이드, 보론 나이트라이드 등의 무기 충진제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 일 예로, 상기 충진제로서 평균 구형화도가 0.92 이상이고, 평균 입경이 1 내지 30㎛ 인 용융 또는 합성 실리카를 사용할 때 기계적 강도를 향상시킬 수 있고 저흡습을 통한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 충진제는 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 80 내지 90 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 충진제의 함량이 80 중량% 미만인 경우, 흡습량 증가로 강도가 저하되고, 밀착성이 떨어질 수 있으며, 충진제의 함량이 90 중량%를 초과하면 점도 증가 및 흐름성 저하로 성형성이 불량해질 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 에폭시 수지 조성물은 그 목적을 벗어나지 않는 범위에서 반도체용 봉지재에 일반적으로 사용되는 첨가제를 추가적으로 포함할 수 있다. 예컨대, 사용되는 수지 성분들과 무기 충진제 간에 결합력을 부여하는 (실란) 커플링제, 카본블랙, 산화철, 벵갈라 등의 착색제, 하이드로탈사이트계의 이온포착제, 장쇄지방산, 장쇄지방산의 금속염, 파라핀 왁스, 카나바 왁스, 실리콘 오일 등의 이형제, 실리콘 파우더 등의 개질제, 및 변성 실리콘 수지, 변성 폴리부타디엔 등의 저응력화제 중에서 선택되는 하나 이상의 첨가제를 에폭시 수지 조성물의 전체 중량에 대하여 0.1 내지 5 중량%의 범위로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물은 당해 분야에 통상적인 방법, 바람직하게는 반바리 믹서, 니더, 롤, 단축 또는 이축의 압출기 및 코니더 등을 이용하는 용융 혼련 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같은 각 성분들을 균일하게 섞은 후, 용융 혼합기(heat kneader)를 이용하여 100 내지 130℃의 온도에서 용융 혼합하고, 상온으로 냉각시킨 다음, 분말 상태로 분쇄한 후, 블렌딩함으로써 에폭시 수지 조성물을 수득할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태는 상기 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자를 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 에폭시 수지 조성물을 이용하여 웨이퍼 상태로 밀봉을 실시하는 웨이퍼 레벨 패키지를 사용하여 반도체 소자가 제조된다. 구체적으로, 미세 배선이 배치되어 있고 표면에 외부 접속 단자 재배선 및 전극이 형성되어 있으며, 그 전극 상에 범프가 형성되거나 리드가 접속된 반도체 소자를 다수 포함하는 실리콘 웨이퍼의 표면을 에폭시 수지 조성물로 밀봉한 다음에, 상기 범프 또는 리드에 납땜을 실시한 후, 상기 실리콘 웨이퍼를 개개의 소자로 절단하여 제품화할 수 있다.
이때, 에폭시 수지 조성물을 웨이퍼 상에 몰딩하기 위해서는 기존의 팰렛 형태의 에폭시 수지 조성물을 이용한 트랜스퍼 몰드 성형이 아닌 그래뉼 또는 액상 에폭시 수지 조성물을 이용한 컴프레션 몰드 성형 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 상기 반도체 소자는 트랜지스터, 다이오드, 마이크로프로세서, 반도체 메모리 등일 수 있다.
이하, 실시예, 비교예 및 실험예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예, 비교예 및 실험예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.
실시예
1 내지 3 및
비교예
1 내지 3: 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물의 제조
하기 표 1에 제시한 바와 같은 조성으로 각 성분을 혼합한 후(단위: 중량%), 용융 혼합, 냉각, 분쇄 및 블렌딩 공정을 거쳐 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 수득하였다.
| 성분 | 비교예1 | 비교예 2 | 비교예 3 | 실시예1 | 실시예 2 | 실시예 3 | |
| 에폭시 수지 |
고내열 3관능 에폭시 수지 1) | 4.5 | 4.5 | 9.0 | 4.5 | 4.5 | 4.5 |
| 변성 나프탈렌 에폭시 수지2) | 4.5 | - | - | 3.0 | 4.5 | 6.0 | |
| 경화제 | 다관능성 페놀 수지3 ) | 4.0 | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 |
| 페놀 노볼락 수지4 ) | - | 4.5 | - | 4.5 | 3.0 | 1.5 | |
| 충진제 | 실리카5 ) | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 |
| 실리카6 ) | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | |
| 실란 커플링제 | N-페닐-3-아미노프로 필트리메톡시실란7 ) | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 |
| 트리메톡시-[2-(7-옥사비시클로[4.1.0]헵트-3-일)에틸]실란8 ) | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| 개질제 | 실리콘 레진9 ) | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 이형제 | 폴리에틸렌 왁스10 ) | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| 착색제 | 카본블랙11 ) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
| 경화촉진제 | 트리페닐포스핀12 ) | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 |
| 이미다졸13 ) | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| 총계 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | |
1) Printec, VG-3101L
2) DIC Corporation, EXA-7311-G4(에폭시 당량 250, 녹는점 57℃, 점도 50mPa.s)
3) 히드록시벤즈알데히드를 갖는 페놀 중합체(Meiwa Chemical, MEH-7500-3S) (OH 당량: 97, 연화점: 84℃, 점도: 1.3poise)
4) Meiwa, DL-100
5) Tatsumori, EUF-46V
6) Admatechs, SC-2500SQ
7) ShinEtsu, KBM-573(분자량 255.4)
8) ShinEtsu, KBM-303(분자량 246)
9) Dow Corning, AY-42-119(에폭시 당량 1500)
10) Clariant, PED-522(Drop point 102℃)
11) Mitsubishi Chemical, MA-600
12) Hokko Chemical, TPP(녹는점 82℃)
13) Airproduct, 2MA-OK
실험예
1:
상기 실시예 및 비교예에서 제조된 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기의 방법으로 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1) 열시경도(hot hardness)
제조된 에폭시 수지 조성물을 0.12 내지 0.14인치가 되도록 컬(cull)을 형성한 후, SHORE-D형 경도계로 15초 이내에 표면의 3 곳을 눌러 경도를 측정하였다.
(2) 유리전이온도(Tg)
제조된 에폭시 수지 조성물을 가열이송 성형기에서 몰딩한 후, TMA(Thermomechanical Analyser)(승온 속도 10℃/분, 온도변화 범위 20~270℃)를 이용하여 유리전이온도를 측정하였다.
(3) 선팽창 계수
제조된 에폭시 수지 조성물을 가열이송 성형기에서 몰딩한 후, TMA(Thermomechanical Analyser)를 이용하여 유리전이온도 이전의 선팽창 계수 α1 및 유리전이온도 이후의 선팽창 계수 α2를 측정하였다.
(4) 휨성(warpage)
제조된 에폭시 수지 조성물을 700㎛ 웨이퍼(8인치)위에 700㎛ 두께로 125℃의 온도에서 420초 동안 몰딩하고, 150℃의 온도에서 1 시간 동안 후 경화(post mold cure: PMC)한 다음, 몰딩이 완료된 웨이퍼 측면의 휨 정도를 측정하였다.
| 물성 | 비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | 실시예1 | 실시예2 | 실시예3 | |
| 열시경도 | - | 72 | 71 | 68 | 75 | 76 | 74 |
| 선팽창 계수 α1 | ppm/℃ | 9 | 11 | 12 | 10 | 13 | 11 |
| 선팽창 계수 α2 | ppm/℃ | 38 | 42 | 41 | 41 | 42 | 40 |
| 유리전이온도 | ℃ | 138 | 135 | 126 | 135 | 139 | 142 |
| 휨성 | mm | 17 | 19 | 25 | 6 | 6 | 8 |
상기 표 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 변성 나프탈렌 에폭시 수지와 페놀 노볼락 수지가 함께 사용된 실시예 1 내지 3의 에폭시 수지 조성물은 변성 나프탈렌 에폭시 수지 또는 페놀 노볼락 수지가 사용되지 않은 비교예 1 내지 3에 비해 웨이퍼 레벨 패키지에서 웨이퍼의 휨성을 감소시키고 우수한 강도, 내열성 등을 나타냄을 확인할 수 있었다.
이상으로 본 발명의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아님은 명백하다. 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 특허청구범위와 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (10)
- 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제 및 충진제를 포함하고, 상기 에폭시 수지는 변성 나프탈렌 에폭시 수지를 포함하며, 상기 경화제는 페놀 노볼락 수지를 포함하는, 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 변성 나프탈렌 에폭시 수지는 하기 화학식 1의 화합물인 에폭시 수지 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
R1은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸렌기 또는 페닐렌기이며, 이들 기는 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있고,
R2는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 하기 화학식 2의 아르알킬기이며,
R3는 각각 독립적으로 수소, 하기 화학식 2의 아르알킬기 또는 하기 화학식 3의 에폭시기 함유 방향족 탄화수소기이고,
p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며, 단 p 및 q 중 어느 하나는 1 이상이고;
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
Ar3는 페닐렌기 또는 나프틸렌기이며, 이들 기는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 치환될 수 있고,
r은 1 내지 4의 정수이며;
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
R6는 수소 또는 메틸기이고,
Ar4는 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환되거나 치환되지 않은 나프틸렌기이며,
s는 1 또는 2의 정수이다. - 제2항에 있어서,
R1은 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기이고,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 나프틸렌기 또는 페닐렌기이며, 이들 기는 각각 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 페닐기로 치환될 수 있고,
R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
R3는 수소이며,
p 및 q는 1인 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 변성 나프탈렌 에폭시 수지가 에폭시 수지의 전체 중량에 대해 10 내지 70 중량%의 함량으로 포함되는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 고내열 3관능 에폭시 수지를 추가로 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 3 내지 15 중량%의 함량으로 포함되는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 페놀 노볼락 수지가 페놀 및 포름알데히드의 공중합체를 포함하는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 페놀 노볼락 수지가 경화제의 전체 중량에 대해 40 내지 90 중량%의 함량으로 포함되는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 경화제가 에폭시 수지 조성물 전체 중량에 대해 1 내지 8 중량%의 함량으로 포함되는 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지된 반도체 소자.
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|---|---|---|---|---|
| KR20190052362A (ko) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 주식회사 케이씨씨 | 에폭시 수지 조성물 |
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2015
- 2015-12-30 KR KR1020150189324A patent/KR20170079115A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR20190052362A (ko) * | 2017-11-08 | 2019-05-16 | 주식회사 케이씨씨 | 에폭시 수지 조성물 |
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