TWI692489B - 樹脂片材、半導體裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

樹脂片材、半導體裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種於硬化後亦可保持柔軟性之適於半導體元件之密封之樹脂片材、及使用該樹脂片材而製造之半導體裝置。 本發明係一種使用含有(A)滿足特定之化學式之環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、及(D)無機填充材料作為必需成分之樹脂組合物而獲得之樹脂片材、使用該樹脂片材密封半導體元件之樹脂密封型之半導體裝置、及該半導體裝置之製造方法。

Description

樹脂片材、半導體裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種樹脂片材、半導體裝置及該半導體裝置之製造方法。
佩戴於人們之胳膊或頭部等身體上而利用之通信設備終端被稱作可佩戴裝置。可佩戴裝置之概念本身很久之前即存在，於影像作品等中，作為虛構者而描繪有各種形態之可佩戴裝置，但近年來，亦有可作為具有實用性之製品而實施者，因而備受關注。
在可佩戴裝置之實用化、商用化急速發展之背景下，亦有半導體封裝之小型化、輕量化不斷發展，使用者之佩戴時之負擔或違和感大幅度減輕之情況。
半導體封裝通常藉由使用固體之環氧樹脂密封材料之轉移成形而製造。於半導體封裝之小型化中，開發有LOC(Lead on Chip，晶片表面引腳封裝)、QFP(Quad Flat Package，四方扁平封裝)、CSP(Chip Size Package，晶片尺寸封裝)、BGA(Ball Grid Array，球柵陣列)等。進而，最近亦開發有將半導體元件之電路面朝向配線基板側搭載之所謂面朝下型封裝之覆晶或晶圓級CSP等。
提出有一種膜狀之半導體密封用樹脂片材，其代替先前之藉由轉移成形之密封，可藉由配置於固定有半導體元件之基板之兩面進行壓縮成形而製造半導體封裝(參照專利文獻1)。 又，提出有一種膜狀之半導體密封用樹脂片材，其成形為厚度3 mm以下之片材狀，且可進行導線偏移較小、填充性較高之密封(專利文獻2)。
然而，由於該等半導體封裝藉由於硬化後不具備柔軟性之樹脂進行密封，故而作為可佩戴裝置，難以設置成沿著胳膊或頭部等曲面之形狀。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平8-73621號公報 [專利文獻2]日本專利特開2006-216899號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為了解決上述課題而完成者，其目的在於提供一種於半導體元件之密封後亦具有柔軟性而適於半導體元件之密封之樹脂片材。進而，其目的在於提供一種使用該樹脂片材進行密封而柔軟性良好且製品之可靠性優異之樹脂密封型之半導體裝置。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了達成上述目的而反覆進行了銳意研究，結果發現，藉由使用特定之環氧樹脂，可獲得於密封後柔軟性亦良好且製品之可靠性優異之樹脂片材，從而完成了本發明。
即，本發明之樹脂片材之特徵在於：包含以含有(A)下述通式(1)所表示之環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、及(D)無機填充材料作為必需成分之環氧樹脂組合物作為材料之片材狀成形體， [化1]
Figure 02_image001
(式中，n表示1~10之整數，A表示(CH2 )r 所表示之伸烷基(r表示1~20之整數)、B表示CH2 或C(CH3 )2 之有機基)。
本發明之半導體裝置之特徵在於：其係具有固定於基板上之半導體元件、及密封上述半導體元件之密封樹脂者，且上述密封樹脂為上述本發明之樹脂片材之硬化物。
又，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：於固定於基板上之半導體元件上，被覆上述本發明之樹脂片材，使上述樹脂片材藉由加熱一面密接於上述半導體元件一面硬化，藉此進行密封。 [發明之效果]
根據本發明之樹脂片材，可將半導體元件藉由壓縮成形法高效率地且良好地密封。
根據本發明之半導體裝置及半導體裝置之製造方法，由於使用上述本發明之樹脂片材，故而可將半導體元件高效率地且良好地密封，藉此所獲得之半導體裝置可成為具有柔軟性且以高品質具備較高之可靠性者。
以下，一面參照作為一實施形態之樹脂片材、半導體裝置及半導體裝置之製造方法，一面對本發明進行詳細之說明。
本實施形態中所使用之(A)環氧樹脂為下述通式(1)所表示之環氧樹脂。 [化2]
Figure 02_image003
(式中，n表示1~10之整數，A表示(CH2 )r 所表示之伸烷基(r表示1~20之整數)，B表示CH2 或C(CH3 )2 之有機基)。
作為該(A)環氧樹脂之更具體之例，可列舉三菱樹脂公司製造之YX7105(環氧當量480；通式(1)中之n為1~5，A為(CH2 )r 所表示之伸烷基，r表示重複單元數，為1~3之整數，B為C(CH3 )2 所表示之化合物)。
該(A)環氧樹脂如上述般為具有滿足通式(1)之結構之環氧樹脂。通常，以該環氧樹脂作為主成分之樹脂組合物之硬化物係具有可撓性者。此處，所謂具有可撓性，表示硬化物具有柔軟性而可彎折。關於較佳之可撓性，係指於實施例中之特性評價中亦記載之柔軟性試驗中，可捲繞成直徑60 mm之圓筒者。
該(A)環氧樹脂係與通常之密封用之環氧樹脂同樣地，對樹脂組合物賦予良好之硬化性等，且對其硬化物賦予低吸濕性、高耐熱性等特性，並且即便將後述之(D)無機填充材料高填充於環氧樹脂組合物中，亦容易維持樹脂硬化物之柔軟性之成分。該(A)環氧樹脂之環氧當量較佳為450~2000。
作為環氧樹脂組合物中之樹脂成分，可單獨使用(A)環氧樹脂，亦可混合其他環氧樹脂而製成樹脂成分。此處，作為其他環氧樹脂，無論液狀、結晶性、非結晶性，均可於不阻礙本實施形態之效果之範圍內進行調配。
於混合其他環氧樹脂而使用之情形時，可於可確保成形物之玻璃轉移溫度為0~30℃之範圍內進行混合。再者，於將所使用之環氧樹脂設為100質量%時，較佳為含有50質量%以上之(A)環氧樹脂，更佳為含有70質量%以上。
又，作為其他環氧樹脂，例如可列舉：聯苯環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、含三𠯤核之環氧樹脂等雜環型環氧樹脂、茋型二官能環氧化合物、萘型環氧樹脂、縮合環芳香族烴改性環氧樹脂、脂環型環氧樹脂等。
作為本實施形態中所使用之(B)酚樹脂硬化劑，可列舉具有可與(A)環氧樹脂之環氧基反應而使其硬化之酚性羥基之化合物，可列舉公知之環氧樹脂用之酚樹脂硬化劑。
該(B)酚樹脂硬化劑只要為於分子中具有2個以上之可與上述(A)環氧樹脂中之環氧基反應之酚性羥基者，則可無特別限制地使用。
(B)作為酚樹脂硬化劑，具體而言，可列舉：使苯酚、烷酚等酚類與甲醛或多聚甲醛反應而獲得之苯酚酚醛清漆樹脂或甲酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、將該等酚醛清漆型酚樹脂進行環氧化或丁基化而獲得之改性酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯改性酚樹脂、對二甲苯改性酚樹脂、苯酚芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂、三苯酚烷烴型酚樹脂、多官能型酚樹脂等。該等可單獨使用1種，亦可混合2種以上而使用。
關於該(B)酚樹脂硬化劑之調配量，較佳為(B)酚樹脂硬化劑所具有之酚性羥基數(b)相對於上述(A)環氧樹脂所具有之環氧基數(a)之比(b)/(a)成為0.3以上且1.5以下之範圍，更佳為成為0.5以上且1.2以下之範圍。若比(b)/(a)未達0.3，則硬化物之耐濕可靠性降低，反之，若超過1.5，則硬化物之強度降低。
本實施形態中所使用之(C)硬化促進劑係促進(A)環氧樹脂與(B)酚樹脂硬化劑之硬化反應之成分。該(C)硬化促進劑只要為發揮上述作用者，則可無特別限制地使用公知之硬化促進劑。
作為該(C)硬化促進劑，具體而言，可列舉：2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-異丙基咪唑、2-十一烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2,4-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑、2-苯基-4-羥基甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑等咪唑類；1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7(DBU)、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯、5,6-二丁基胺基-1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一碳烯-7等二氮雜雙環化合物及該等之鹽；三乙胺、三伸乙基二胺、苄基二甲基胺、α-甲基苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺甲基)苯酚等三級胺類；三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦、三(對甲基苯基)膦、三(壬基苯基)膦、甲基二苯基膦、二丁基苯基膦、三環己基膦、雙(二苯基膦基)甲烷、1,2-雙(二苯基膦基)乙烷等有機膦化合物等。該等之中，自流動性及成形性良好之觀點而言，較佳為咪唑類。該等可單獨使用1種，亦可混合2種以上而使用。
關於該(C)硬化促進劑之調配量，相對於樹脂組合物整體，較佳為0.1~5質量%之範圍。若該調配量未達0.1質量%，則幾乎沒有促進硬化性之效果，反之，若超過5質量%，則有成形品之耐濕可靠性降低之虞。
本實施形態中所使用之(D)無機填充材料係填充於樹脂組合物中，調整樹脂組合物之黏度、或提高製成後述之樹脂片材時之操作性及成形性之成分。作為該(D)無機填充材料，只要為該種樹脂組合物中通常所使用之公知之無機填充材料，則可無特別限制地使用。
關於該(D)無機填充材料，具體而言，例如可列舉：熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、粉碎二氧化矽、合成二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂等氧化物粉末；氫氧化鋁、氫氧化鎂等氫氧化物粉末；氮化硼、氮化鋁、氮化矽等氮化物粉末等。該等無機填充材料可單獨使用1種，亦可混合2種以上而使用。
作為該(D)無機填充材料，自提高樹脂片材之操作性或成形性之觀點而言，上述例示中，較佳為二氧化矽粉末，更佳為熔融二氧化矽，尤佳為球狀熔融二氧化矽。又，亦可併用熔融二氧化矽與熔融二氧化矽以外之二氧化矽，於該情形時，熔融二氧化矽以外之二氧化矽之比率較佳為設為未達二氧化矽粉末整體之30質量%。
又，(D)無機填充材料之平均粒徑較佳為0.5~40 μm，更佳為5~30 μm。又，進而較佳為(D)無機填充材料之最大粒徑為105 μm以下。
若平均粒徑未達0.5 μm，則有製成樹脂組合物時之流動性降低，成形性受損之虞。另一方面，若平均粒徑超過40 μm，則有使樹脂組合物硬化而獲得之成形品中產生翹曲，或尺寸精度降低之虞。又，若最大粒徑超過105 μm，則有樹脂組合物之成形性降低之虞。
於本說明書中，(D)無機填充材料之平均粒徑例如可藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置而求出，平均粒徑係於利用相同裝置測定所得之粒度分佈中累計體積成為50%之粒徑(d50)。
關於(D)無機填充材料之調配量，相對於樹脂組合物整體，較佳為70~95質量%之範圍，更佳為75~90質量%之範圍。若該調配量未達70質量%，則樹脂組合物之線膨脹係數增大，成形品之尺寸精度、耐濕性、機械強度等降低。又，若該調配量超過95質量%，則有將樹脂組合物成形而獲得之樹脂片材變得容易破裂，或樹脂組合物之熔融黏度增大而流動性降低，並且成形性降低之虞。
於本實施形態之樹脂組合物中，除以上之各成分以外，於不阻礙本實施形態之效果之範圍內，可調配該種樹脂組合物中通常所調配之成分，例如偶合劑；合成蠟、天然蠟、高級脂肪酸、高級脂肪酸之金屬鹽等脫模劑；碳黑、鈷藍等著色劑；聚矽氧油、聚矽氧橡膠等低應力賦予劑；水滑石類；離子捕捉劑等。
作為偶合劑，可使用環氧矽烷系、胺基矽烷系、脲基矽烷系、乙烯基矽烷系、烷基矽烷系、有機鈦酸酯系、醇化鋁(aluminium alcoholate)系等偶合劑。該等可單獨使用1種，亦可混合2種以上而使用。
自成形性、阻燃性、硬化性等觀點而言，該偶合劑較佳為胺基矽烷系偶合劑，尤佳為γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷等。
關於偶合劑之調配量，較佳為成為樹脂組合物整體之0.01質量%以上且3質量%以下之範圍，更佳為成為0.1質量%以上且1質量%以下之範圍。若未達樹脂組合物整體之0.01質量%，則幾乎沒有提高成形性之效果，反之，若超過3質量%，則有於成形時發泡而於成形品中產生空隙或表面鼓出等之虞。
該樹脂組合物可藉由公知之樹脂組合物之製造方法而獲得，例如可以如下之方式進行製備。
首先，藉由混合機等將上述之(A)環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充材料、及上述之根據需要而調配之各種成分等充分混合(乾摻)後，藉由熱輥或捏合機等混練裝置進行熔融混練，冷卻後，粉碎成適當之大小，藉此可獲得上述樹脂組合物。
粉碎方法並無特別限制，可使用通常之粉碎機，例如速磨機(speed mill)、切磨機(cutting mill)、球磨機、旋風磨機、錘磨機、振磨機、切碎機(cut mill)、研磨機等。作為粉碎方法，較佳為速磨機。粉碎物於其後可藉由篩分分級或空氣分級等製成具有特定之粒度分佈之粒子集合體並調整特性而製備。
其次，對本實施形態之樹脂片材進行說明。本實施形態之樹脂片材係以如上述般製備之環氧樹脂組合物作為材料，使其成形為片材狀之片材狀成形體。
該樹脂片材例如可藉由將本實施形態之樹脂組合物於加壓構件間進行加熱熔融並壓縮而成形為片材狀而獲得。更具體而言，於向聚酯膜等耐熱性之脫模膜上以成為大致均勻之厚度之方式供給上述樹脂組合物而形成樹脂層後，一面使樹脂層加熱軟化一面藉由輥及熱壓進行壓延。此時，亦可於樹脂層上配置聚酯膜等耐熱性膜。
以此方式將樹脂層壓延至所需之厚度後，將其冷卻固化，並剝離耐熱性膜，藉此獲得樹脂片材。進而，根據需要切割為所需之大小、形狀，藉此可製成任意大小之樹脂片材。
再者，使樹脂層軟化時之加熱溫度通常為80~150℃左右。若加熱溫度未達80℃，則熔融混合不充分，若超過150℃，則有硬化反應過度進行，於加熱硬化時，成形性降低之虞。
該樹脂片材適於半導體元件等零件之密封，根據其密封對象之零件之大小等，可適當調整設定其大小。該樹脂片材之大小可任意製作，但較佳為例如200 mm×50 mm~600 mm×600 mm等。
又，該樹脂片材之厚度較佳為0.05 mm~2 mm。若厚度為0.05 mm以上，則無片材斷裂之虞，操作性優異，亦可無障礙地且容易地搬入至壓縮成形用模具中。又，若厚度為2 mm以下，則不會發生於半導體密封時模具內之樹脂片材之熔融延遲而導致成形不良之情況。
該樹脂片材之玻璃轉移點較佳為0~30℃。若玻璃轉移點未達0℃，則樹脂之耐熱性較差，若超過30℃，則室溫下之樹脂之可撓性消失，故而自耐久性、可撓性之方面而言較佳。 再者，玻璃轉移點係由將樹脂組合物於175℃下加熱3分鐘使之硬化而獲得之硬化物製作棒狀之樣品，藉由熱分析裝置(TMA)(Seiko Instruments(股)製造，製品名：TMA SS-150)，於升溫速度10℃/分鐘之條件下進行升溫而測定TMA圖，由2切線之交點求出。
本實施形態之樹脂密封型半導體裝置可藉由對固定於基板上之半導體元件，使用上述樹脂片材進行密封而製造。以下，記載該方法之一例。
首先，對安裝有半導體元件之基板，進行搭載上述樹脂片材等操作而使樹脂片材被覆於半導體元件上，並配置於壓縮成形用模具之模腔內之特定位置，於特定之溫度、特定之壓力下進行壓縮成形。成形條件較佳為設為溫度100~190℃、壓力4~12 MPa。成形後，於130~190℃之溫度下，進行2~8小時左右之後硬化。藉由該加熱硬化，樹脂片材密接於半導體元件且硬化，從而可製造以半導體元件不與外部環境接觸之方式密封之樹脂密封型之半導體裝置。
由於以此方式獲得之半導體裝置係藉由使用即便輕薄亦容易操作且成形性優異之樹脂片材之壓縮成形而密封，故而具有柔軟性，即便為薄型亦可具備較高之品質及較高之可靠性。再者，為了使半導體裝置本身柔軟，所使用之基板亦可設為可撓性基板。該可撓性基板可無特別限制地使用公知者。
再者，由於本實施形態之半導體裝置中所密封之半導體元件只要為公知之半導體元件即可，故而無特別限定，例如可例示IC(Integrated Circuit，積體電路)、LSI(Large Scale Integration，大規模積體電路)、二極體、閘流體、電晶體等。尤其是於如先前之密封材料難以密封之密封後之厚度成為0.1~1.5 mm之半導體元件之情形時，使用上述樹脂片材之半導體裝置之製造方法尤其有用。 [實施例]
其次，藉由實施例對本發明進行更詳細之說明，但本發明並不受該等實施例之任何限定。再者，於以下之實施例及比較例中所使用之原料如表1~3所示。
(實施例1~4、比較例1~9) 將各原料以成為表1~3所示之組成(質量%)之方式於常溫下進行混合，繼而，使用熱輥以80~130℃進行加熱混練。冷卻後，使用速磨機進行粉碎而製備環氧樹脂組合物。
將所獲得之環氧樹脂組合物由包含聚酯之脫模膜夾持，放置於80℃之熱板間，以10 MPa之壓力加熱及加壓1分鐘，製作厚度0.5 mm之樹脂片材。
進而，使用所獲得之樹脂片材進行半導體晶片之密封。即，首先，自所獲得之樹脂片材切下150 mm×40 mm之片材。將該切下之樹脂片材放置於壓縮成形用模具內，於其上重疊安裝有半導體晶片之基板，於8.0 MPa之加壓下、175℃、3分鐘之條件下進行壓縮成形。其後，進行175℃、4小時之後硬化，製造半導體裝置。
再者，此處所使用之原料如下。 (A)環氧樹脂 環氧樹脂1：YX7105(三菱化學(股)製造，商品名；於通式(1)中，n表示1~5之整數，A表示(CH2 )r 所表示之伸烷基(r表示1~3之整數)，B表示C(CH3 )2 之有機基) 環氧樹脂2：EXA-4850-1000(DIC(股)製造，商品名) 環氧樹脂3：EXA-4816(DIC(股)製造，商品名) 聯苯型環氧樹脂：YX-4000H(三菱化學(股)製造，商品名) 雙酚F型環氧樹脂：YDF-8170C(新日鐵住金化學(股)製造，商品名) 鄰甲酚型環氧樹脂：CNE-200ELB(長春日本(股)製造，商品名)
(B)酚樹脂硬化劑 苯酚酚醛清漆型酚樹脂：BRG-557(昭和電工(股)製造，商品名) ZYLOCK型酚樹脂：HE100C-15(Air-Water(股)製造，商品名) 三苯酚甲烷型酚樹脂：MEH-7500(明和化成(股)製造，商品名)
(C)硬化促進劑 咪唑：2P4MHZ(四國化成(股)製造，商品名) (D)無機填充材料 熔融二氧化矽1：FB-105(Denka(股)製造，商品名) 熔融二氧化矽2：FB-875FC(Denka(股)製造，商品名) 熔融二氧化矽3：SC4500-SQ(Admatechs(股)製造，商品名)
(其他添加劑) 矽烷偶合劑：Z-6883(東麗道康寧(股)製造，商品名；3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷) 著色劑：MA-600(三菱化學(股)製造，商品名；碳黑) 聚矽氧油：SF-8421(東麗道康寧(股)製造，商品名)
又，針對上述各實施例及各比較例中所獲得之環氧樹脂組合物、樹脂片材、及半導體裝置(製品)，利用以下所示之方法對各種特性進行評價。將其結果一併示於表1。
＜樹脂組合物＞ (1)凝膠時間
依據JIS C 2161之7.5.1中規定之凝膠化時間A法，將約1 g之環氧樹脂組合物塗佈於175℃之熱盤上，利用攪拌棒進行攪拌，測定直至成為凝膠狀而無法攪拌之時間。
＜樹脂片材＞ (2)可撓性 切下寬度10 mm、長度50 mm、厚度0.5 mm之樹脂片材，夾持距離一端15 mm之部分，設置於架台上之高度18 mm處，測定直至因自重而片材之一端與架台上表面接觸之時間(初始)。自作業性之方面而言，可撓性較佳為未達600秒，更佳為未達300秒。
又，與此分開另外切下寬度10 mm、長度50 mm、厚度0.5 mm之樹脂片材，於25℃下放置168小時後，同樣地，夾持距離一端15 mm之部分，設置於架台上之高度18 mm處，測定直至因自重而片材之一端與架台上表面接觸之時間。
＜硬化物＞ (3)玻璃轉移點(Tg) 由於175℃下加熱3分鐘使之硬化而獲得之硬化物製作棒狀之樣品，藉由熱分析裝置(TMA)(Seiko Instruments(股)製造，製品名：TMA SS-150)，於升溫速度10℃/分鐘之條件下進行升溫而測定TMA圖，由2切線之交點求出。
(4)彈性模數 針對與(3)同樣地製作之樣品，藉由動態黏彈性測定裝置，於溫度25℃、頻率10 Hz下進行測定。
(5)吸水率 於12 MPa之加壓下、175℃、2分鐘之條件下進行壓縮成形，繼而，進行175℃、8小時之後硬化而獲得直徑50 mm、厚度3 mm之圓板狀之硬化物。將該硬化物於127℃、0.25 MPa之飽和水蒸氣中放置24小時，求出處理前後之增加之質量，由下式算出。 吸水率=增加之質量/硬化物之初始質量
(6)填充性 於8英吋晶圓(725 μm厚)上，於成形溫度150℃、成形壓力100 kg/cm2 、10分鐘之條件下，以使樹脂組合物成為300 μm厚之硬化物之方式進行壓縮成形而製成成形品，確認該成形品有無未填充。 將無未填充部分者評價為「良好」，有未填充部分者評價為「未填充」。
(7)柔軟性 針對樹脂組合物，於12 MPa之加壓下、175℃、2分鐘之條件下進行壓縮成形，繼而，進行175℃、8小時之後硬化而獲得寬度10 mm、長度200 mm、厚度0.5 mm之硬化物。確認該硬化物可否捲繞成直徑60 mm之圓筒。 將可沿著圓筒捲繞者評價為「可」，無法捲繞者評價為「否」。
＜製品(半導體裝置)＞ (8)耐回焊性(MSL試驗) 對半導體裝置進行如下之試驗(MSL試驗：Level 3)，即，以85℃、85%RH進行72小時吸濕處理後，於240℃之紅外線回焊爐中進行90秒加熱，調查不良(剝離及龜裂)之產生率(試樣數=20)。
(9)耐濕可靠性(壓力鍋試驗：PCT) 將半導體裝置於壓力鍋內，於127℃、0.25 MPa之條件下，進行72小時吸水後，進行240℃、90秒之蒸汽回焊，調查不良(開放不良)之產生率(試樣數=20)。
(10)高溫放置可靠性(高度加速壽命試驗：HAST) 將半導體裝置於180℃之恆溫槽中放置1000小時，調查不良(開放不良)之產生率(試樣數=20)。
[表1]
Figure 107136207-A0304-0001
[表2]
Figure 107136207-A0304-0002
[表3]
Figure 107136207-A0304-0003
由表1~3可明確，本實施例之樹脂片材即使於常溫下長時間放置亦具有柔軟性，具有良好之操作性。又，於硬化後亦具有柔軟性。
又，使用該樹脂片材而製造之半導體裝置於MSL試驗、壓力鍋試驗、高度加速壽命試驗之任一試驗中均獲得良好之結果，可確認作為樹脂密封型半導體裝置具有較高可靠性。 [產業上之可利用性]
本發明之樹脂片材即使厚度變薄，操作性或成形性亦優異。又，於硬化後亦具有柔軟性。因此，作為薄型化之半導體元件之壓縮成形用密封材料、尤其是可佩戴裝置用半導體密封用途有用，可製造高品質且可靠性較高之樹脂密封型半導體裝置。
又，除半導體元件以外，亦可用作以不暴露於外部環境之方式密封零件等之樹脂片材。

Claims (7)

  1. 一種樹脂片材，其特徵在於：包含以含有(A)下述通式(1)所表示之環氧樹脂、(B)酚樹脂硬化劑、(C)硬化促進劑、及(D)無機填充材料作為必需成分之環氧樹脂組合物作為材料之片材狀成形體，
    Figure 107136207-A0305-02-0024-1
     (式中，n表示1~10之整數，A表示(CH2)r所表示之伸烷基(r表示1~20之整數)，B表示CH2或C(CH3)2之有機基)。
  2. 如請求項1之樹脂片材，其中上述(A)環氧樹脂之環氧當量為450~2000。
  3. 如請求項1之樹脂片材，其中上述(D)無機填充材料為二氧化矽粉末，且上述(D)無機填充材料之含量相對於上述環氧樹脂組合物整體為70~95質量%。
  4. 如請求項2之樹脂片材，其中上述(D)無機填充材料為二氧化矽粉末，且上述(D)無機填充材料之含量相對於上述環氧樹脂組合物整體為70~95質量%。
  5. 如請求項1至4中任一項之樹脂片材，其中上述樹脂片材之玻璃轉移點為0~30℃，厚度為0.05~2mm。
  6. 一種半導體裝置，其特徵在於：其係具有固定於基板上之半導體元件、及密封上述半導體元件之密封樹脂者，且上述密封樹脂為如請求項1至5中任一項所述之樹脂片材之硬化物。
  7. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：於固定於基板上之半導體元件上，被覆如請求項1至5中任一項所述之樹脂片材，使上述樹脂片材藉由加熱一面密接於上述半導體元件一面硬化，藉此進行密封。
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