JP4463030B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(E)ナフタレン,p−ジクロロベンゼン,イサチンおよびアントラセンからなる群から選ばれた少なくとも一つ。
ノボラック型フェノール樹脂(三井化学社製、VR8210)
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート(北興化学社製、TPPK)
酸化ポリエチレンワックス(クラリアントジャパン社製、PED521)
A:ナフタレン
B:p−ジクロロベンゼン
D:イサチン
E:アントラセン
F:1−メチルナフタレン
G:2−メチルナフタレン
H:ドデカン
I:1−オクタデカノール
3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
平均粒径13.2μmの球状溶融シリカ粉末(電気化学工業社製、FB5702FC)
平均粒径0.6μmの球状溶融シリカ粉末(アドマファイン社製、SO25R)
平均粒径1.6μmの球状溶融シリカ粉末(アドマファイン社製、SO32R)
三菱化学社製、#3030B
Sb2 O3
後記の表1〜表2に示す各成分を、同表に示す割合で配合し、80℃〜120℃に加熱したミキシングロール混練機(5分間)にて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することによりエポキシ樹脂組成物を作製した。
Claims (5)
- 下記の(A)〜(E)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、下記(E)成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物中0.1〜1.0重量%の範囲に設定されていることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(E)ナフタレン,p−ジクロロベンゼン,イサチンおよびアントラセンからなる群から選ばれた少なくとも一つ。 - (D)成分である無機質充填剤が、下記の(d1)〜(d3)からなる無機質充填剤〔ただし、(d1)の平均粒径>(d2)の平均粒径、(d1)の平均粒径>(d3)の平均粒径である。〕である請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(d1)平均粒径1〜15μmの無機質充填剤。
(d2)平均粒径0.5〜2μmの無機質充填剤。
(d3)上記(d2)の平均粒径とは異なる平均粒径0.5〜2μmの無機質充填剤。 - ボールグリッドアレイ用封止材料またはトランスファーアンダーフィル用封止材料である請求項1または2項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置。
- 上記半導体素子を封止してなる半導体装置が、ボールグリッドアレイ構造の半導体装置またはトランスファーアンダーフィルによる半導体装置である請求項4記載の半導体装置。
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