JP2005162846A

JP2005162846A - 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

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Publication number: JP2005162846A
Application number: JP2003402385A
Authority: JP
Inventors: Kei Toyoda; 慶豊田; Shinya Akizuki; 伸也秋月
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2003-12-02
Filing date: 2003-12-02
Publication date: 2005-06-23

Abstract

【課題】溶融粘度を低下させて封止材料である樹脂組成物の充填性を向上させ未充填等の不具合の発生を抑制させることのできる半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物である。
（Ａ）熱硬化性樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
（Ｅ）無極性の有機基を有する有機ケイ素化合物。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関し、詳しくは、特定の有機ケイ素化合物を配合することによって、樹脂組成物の溶融粘度を低下させて半導体素子をトランスファー成形等により樹脂封止する際の封止材料の充填性を向上させ、成形後、封止樹脂内におけるボイドの巻き込みを低減させることのできる半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関するものである。

近年、半導体装置は薄型化され、それに伴い封止時に用いられる樹脂材料の流動部の厚みが薄くなってきている。そして、封止に用いられる樹脂組成物の粘度が高いと、成形の際には、狭い隙間を流れる速度が低下してしまい、隙間の狭い部分においては、隙間部分を樹脂が埋める前に、隙間の広い周辺部を樹脂が回り込み、隙間の狭い部分の出口を塞いでしまって内部に気泡が取り残されてしまう現象が生起するという問題が生じる。

例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と呼ばれる金属ワイヤーにより半導体素子と基板とを接続する手法を用いた片面封止構造の半導体装置の場合、半導体素子の積層化や半導体装置自体の薄型化により半導体素子上部の樹脂流動部の隙間が狭くなってきており、流動性は低下することになる。

一方、半導体素子を基板に接続する際に金属ワイヤーを用いず、金属バンプを用いた、いわゆるフリップチップ接続による手法を用いた半導体装置の場合、この接合の強度維持のためにアンダーフィル剤をその隙間（半導体素子と基板の間）に注入することが行われている。そして、このアンダーフィル剤の注入が、半導体装置の樹脂封止と同時に行われている（以下、このような封止方法を「トランスファーアンダーフィル」と称す）。このトランスファーアンダーフィルでは、その隙間が狭い上に金属バンプ部分が障壁となるため、半導体素子と基板との間の樹脂の流動性はさらに低下することとなる。

このような封止対象となる隙間の狭小化による気泡が取り残される未充填部の存在は、加熱時には気泡内の気体圧力が高まることにより周辺樹脂を破壊させてしまうことがある。特に吸湿させた場合、液状の水が気化膨張する効果も加わって、半田取付け時にパッケージが割れ、電気接続が切断されて半導体素子の動作が起こらないという不具合が生じるという問題が発生する。

これを解決するために、例えば、樹脂構造を最適化して流動特性の向上を目指すことが従来から行われている。しかしながら、この方法を用いると、樹脂の流動性が良過ぎて、ばりが生じ易くなるという問題点がある。また、配合する無機質充填剤の量を少なくすることも行われているが、無機質充填剤量を少なくすると、封止材料である樹脂組成物の線膨張係数が増大して、半導体素子や基板のそれとの差が大きくなることにより、温度変化により発生する応力が大きくなり、封止樹脂部分や半導体素子の破壊、フレームと封止樹脂部分との剥離等の不具合が生じるという問題がある。さらに、無機質充填剤では、粒子径が大きい方が、同一量を配合しても、そのトータルの表面積が少なくなるため粘度は下がるが、粒子径が大きくなると当然ながら狭い隙間に無機質充填剤が侵入することができず、隙間の入り口が目詰まりを生起するという問題がある。

一方、特定の平均粒径を有する無機質充填剤をカップリング剤で表面処理したものを、表面処理されていない無機質充填剤とともに併用することにより流動性を向上させ未充填の発生を抑制することが提案されている（特許文献１参照）。
特開２００２−３２２２４３号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載された封止材料を用いても、流動性に関して充分な特性が得られているとは言えず、近年の樹脂流動部の隙間が狭くなっている半導体装置の封止材料として、流動性に一層優れたものが望まれているのが実情である。

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、溶融粘度を低下させて封止材料である樹脂組成物の充填性を向上させ未充填等の不具合の発生を抑制させることのできる半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の提供をその目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）熱硬化性樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
（Ｅ）無極性の有機基を有する有機ケイ素化合物。

また、本発明は、上記半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を第２の要旨とする。

すなわち、本発明者らは、溶融粘度の低下により充填性の向上を図るために鋭意検討を重ねた。そして、各種配合成分を中心にさらに研究を重ねた結果、数ある有機ケイ素化合物の中でも、上記無極性の有機基を有する特定の有機ケイ素化合物を用いると、樹脂中有機成分と無機質充填剤（フィラー）界面の濡れ性が向上することにより、成形過程において流動する樹脂内でのフィラー界面抵抗が減少するという作用により、樹脂組成物の溶融粘度が低下し、例えば、半導体素子と基板との間の狭ギャップに充填する際にも、気泡の巻き込みが生じず確実に充填することができ、所期の目的が達成されることを見出し本発明に到達した。

以上のように、本発明は、前記特定の有機ケイ素化合物（Ｅ成分）を含有する半導体封止用樹脂組成物である。このため、溶融粘度が低下して流動性が向上して、狭ギャップ等の封止部分への充填時においても、確実な充填が可能となり、封止部分の狭小化による未充填部の発生を抑制することができる。

したがって、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と呼ばれる片面封止構造の半導体装置の封止や、トランスファーアンダーフィルと呼ばれる封止方法の際に特に好適に用いられる。そして、上記半導体封止用樹脂組成物により樹脂封止された半導体装置としては、信頼性の高いものが得られる。

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂（Ａ成分）と、硬化剤（Ｂ成分）と、硬化促進剤（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）と、特定の有機ケイ素化合物（Ｅ成分）とを用いて得られるものであり、通常、粉末状もしくは打錠して用いられる。

上記熱硬化性樹脂（Ａ成分）としては、エポキシ樹脂，フェノール樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，ジアリルフタレート樹脂，ポリフェニレンサルファイド樹脂等を用いることができる。これら熱硬化性樹脂の中でも、成形性や硬化物物性，耐湿信頼性，耐半田特性の点から、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。上記エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、ジシクロペンタジエン型，クレゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ビスフェノール型，ビフェニル型，トリスヒドロキシフェニルメタン型等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。そして、これらエポキシ樹脂の中でも、特に融点または軟化点が室温を超えていることが好ましい。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０、軟化点６０〜１１０℃のものが好適に用いられる。また、上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０、融点８０〜１２０℃のものが好適に用いられる。

また、上記硬化剤（Ｂ成分）は、上記熱硬化性樹脂（Ａ成分）を硬化させるものであれば特に限定するものではないが、例えば、熱硬化性樹脂（Ａ成分）としてエポキシ樹脂を用いた場合はフェノール樹脂を用いることが好ましい。上記フェノール樹脂としては、特に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂，フェノールノボラック樹脂，クレゾールノボラック樹脂，フェノールアラルキル樹脂等があげられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。そして、これらフェノール樹脂としては、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましい。そして、上記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との好適な組み合わせとしては、エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を用いる場合はフェノールノボラック樹脂を用いることが好ましく、エポキシ樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂を用いる場合はフェノールアラルキル樹脂を用いることが好ましい。また、熱硬化性樹脂（Ａ成分）としてメラミン樹脂を用いた場合は、硬化剤（Ｂ成分）としてジメチレンエーテル型レゾール樹脂を用いることが好ましい。

そして、上記熱硬化性樹脂（Ａ成分）としてエポキシ樹脂を用い、硬化剤（Ｂ成分）としてフェノール樹脂を用いた場合の両者の配合割合は、エポキシ樹脂を硬化させるに充分な量に設定することが好ましい。一般的には、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．９〜１．２当量である。

上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる硬化促進剤（Ｃ成分）としては、従来公知のものが用いられる。具体的には、テトラホスホニウム・テトラフェニルボレートやトリフェニルホスフィン等の有機リン系化合物、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン−５等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

上記硬化促進剤（Ｃ成分）の配合割合は、半導体封止用樹脂組成物全体中の０．０５〜０．５重量％の範囲に設定することが好ましい。

上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｄ成分）としては、特に限定するものではなく従来公知の各種充填剤があげられ、例えば、石英ガラス粉末，タルク，シリカ粉末（溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等），アルミナ粉末，窒化アルミニウム粉末，窒化ケイ素粉末等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるという点から上記シリカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末のなかでも溶融シリカ粉末を用いることが高充填性，高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末，破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。特に平均粒径が１〜１５μｍの範囲、特に好ましくは２〜１０μｍの範囲のものを用いることが好ましい。なお、上記平均粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。

上記無機質充填剤（Ｄ成分）の配合量は、半導体封止用樹脂組成物全体の５０〜９５重量％の範囲内に設定することが好ましく、特に好ましくは７０〜９０重量％である。すなわち、５０重量％未満のように少な過ぎると、樹脂組成物中の有機成分の占める割合が多くなり、硬化物の難燃効果に乏しくなり、９５重量％を超えて多くなると、樹脂組成物の流動性が著しく低下する傾向がみられるからである。

上記Ａ〜Ｄ成分とともに用いられる特定の有機ケイ素化合物（Ｅ成分）は、無極性の有機基を有するものであり、本発明の半導体封止用樹脂組成物の溶融粘度を低下させる作用を奏するための重要な成分である。例えば、無極性の有機基を有し、かつ加水分解性基を有するものであって、化合物の安定性の点から好ましくは無極性の有機基を有するアルコキシシランを用いることができる。なお、上記無極性の有機基とは、極性を有しない、いわゆる分極性を有しない有機基、さらに詳しくは、炭素と水素のみで構成される有機基をいう。上記アルコキシシランとしては、メトキシシランやエトキシシランが好ましい。そして、このアルキル鎖が長くなると、加水分解しにくくなり、樹脂中でも比較的安定になるので、均一に分散させる上で好ましい。ただし、上記アルキル鎖が長くなりすぎると、無機質充填剤等との反応性が低下し、未反応のまま残存するため好ましくない。上記無極性の有機基としては、炭素数１〜９のアルキル基，フェニル基，ビニル基およびこれらを組み合わせることによって構成される基等があげられる。具体的には、メチル基，ヘキシル基，フェニル基，ビニル基等を例示することができる。

さらに、無極性の有機基部一つあたりの分子量が、１２７以下が好ましく、より好ましくは１５〜７７の有機基を用いることであり、このような有機基を有する有機ケイ素化合物を用いることにより溶融粘度をさらに低下させることが可能となる。すなわち、溶融粘度は上記有機基の分子量を小さくすればするほど低下する傾向を示す。

上記無極性の有機基を有する有機ケイ素化合物の好ましい具体例としては、ジイソブチルシランジオール、アミルトリエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルメチルエトキシシラン、ジフェニルビニルエトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、（２−（３−シクロヘキセニル）エチル）トリメトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、ネオフィルメチルジエトキシシラン、ネオフィルメチルジメトキシシラン、オクタ−７−エニルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルジイソブチルメトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、フェネチルトリメトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、フェニルビニルジエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ヘキシルジメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、イソブチルジエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等があげられる。これら有機ケイ素化合物の中でも、有機基の分子量がより小さいという観点から、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ジイソブチルシランジオール等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

上記特定の有機ケイ素化合物（Ｅ成分）の配合割合は、半導体封止用樹脂組成物全体中の０．５〜１．５重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは０．８〜１．２重量％である。すなわち、０．５重量％未満では、樹脂組成物の溶融粘度の低下という効果を奏することが困難となり、１．５重量％を超えると、樹脂の成形硬化時において上記有機ケイ素化合物が表面に滲み出し、素子との接着力が著しく低下する傾向がみられるからである。

なお、本発明の半導体封止用樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｅ成分以外に必要に応じて、離型剤，低応力化剤，難燃剤，カーボンブラックをはじめとする顔料等の他の添加剤を適宜配合することができる。

上記離型剤としては、高級脂肪酸，高級脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワックスが用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

また、上記低応力化剤としては、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体，メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエン系ゴムやシリコーン化合物があげられる。

そして、上記難燃剤としては、有機リン化合物，酸化アンチモン，水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等があげられる。

さらに、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的としてハイドロタルサイト類，水酸化ビスマス等のイオントラップ剤を配合してもよい。

本発明の半導体封止用樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、前記Ａ〜Ｅ成分および必要に応じて他の添加剤を常法に準じて適宜配合し、ミキシングロール機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練した後、これを室温下で冷却固化させる。その後、公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的とする半導体封止用樹脂組成物を製造することができる。

このようにして得られた半導体封止用樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスファー成形（トランスファーアンダーフィルを含む）等の公知のモールド方法により行うことができる。このようにして得られる半導体装置としては、ＢＧＡのような片面封止型半導体装置やフリップチップ型半導体装置等があげられる。

このようにして得られる半導体装置は、封止用樹脂組成物として前記特定の有機ケイ素化合物（Ｅ成分）を含有するため、溶融粘度が低下して、例えば、半導体素子と基板との狭ギャップに対しても確実に充填され、信頼性の高いものが得られる。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。

（１）熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合。

下記に示す各成分を準備した。

〔エポキシ樹脂〕
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ）

〔硬化剤１〕
ノボラック型フェノール樹脂（荒川化学工業社製、Ｐ−１８０）

〔硬化促進剤〕
リン系触媒〔トリフェニルホスフィン（ＴＰＰ）〕

〔難燃剤〕
Ｓｂ₂Ｏ₃

〔離型剤〕
カルナバワックス

〔有機ケイ素化合物〕
Ａ：メチルトリメトキシシラン
Ｂ：ビニルトリメトキシシラン
Ｃ：フェニルトリメトキシシラン
Ｄ：ｎ−オクチルトリエトキシシラン
Ｅ：ジイソブチルシランジオール
Ｆ：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
Ｇ：２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
Ｈ：ｎ−デシルトリメトキシシラン

〔カーボンブラック〕
三菱化学社製、＃３０３０Ｂ

〔シリカ粉末〕
平均粒径７μｍの溶融球状シリカ粉末（電気化学工業社製、ＦＢ−７ＳＤＣ）

〔実施例１〜７、比較例１〜４〕
後記の表１〜表２に示す各成分を、同表に示す割合で配合し、８０℃〜１２０℃に加熱したミキシングロール混練機（５分間）にて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することによりエポキシ樹脂組成物を作製した。

このようにして得られた各エポキシ樹脂組成物を用い、つぎのようにして狭ギャップへの充填性を観察・評価した。すなわち、上型と下型からなり、この上型の一部が耐熱性ガラス板で構成されており、エポキシ樹脂組成物が金型内を充填する様子をガラス板面上部に設置したＣＣＤカメラで観察することができる、可視化金型装置を準備した。そして、この可視化金型装置内において、下型に設置したシリコンウェハの上面と上記ガラス板下面との間に形成した２４ｍｍ×２４ｍｍサイズのギャップ６５μｍへのエポキシ樹脂組成物の充填性を観察した。なお、充填条件は、１７５℃、プレヒートタイム５秒、トランスファー圧２．９４ＭＰａ、プランジャ押し出しスピード１．０ｍｍ／ｓとした。そして、エポキシ樹脂組成物が充填される様子をＣＣＤカメラで観察し、充填後、記録した画像から未充填率を見積もった。その結果を下記の表１〜表２に示した。

上記結果から、無極性の有機基を有する有機ケイ素化合物を配合した実施例品は、未充填率が低く溶融粘度の低下が図られ充填性が向上したことがわかる。これに対して、極性の有機基を有する従来の有機ケイ素化合物を配合した、または有機ケイ素化合物を配合しなかった比較例品は、未充填率が高く充填性に劣ることは明らかである。

（２）熱硬化性樹脂としてメラミン樹脂を用いた場合。

下記に示す各成分を準備した。

〔メラミン樹脂〕
イソブチルアルコール変性メラミン樹脂（日立化成工業社製、メラン２６５）

〔硬化剤２〕
レゾール型フェノール樹脂（三菱ガス化学社製、ＰＲ−１４４０）

〔難燃剤〕
Ｓｂ₂Ｏ₃

〔離型剤〕
カルナバワックス

〔カーボンブラック〕
三菱化学社製、＃３０３０Ｂ

〔実施例８〜１４、比較例５〜８〕
後記の表３〜表４に示す各成分を、同表に示す割合で配合し、８０〜１２０℃に加熱したミキシングロール混練機（５分間）にて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することによりメラミン樹脂組成物を作製した。

このようにして得られた各メラミン樹脂組成物を用い、つぎのようにして狭ギャップへの充填性を観察・評価した。すなわち、上型と下型からなり、この上型の一部が耐熱性ガラス板で構成されており、メラミン樹脂組成物が金型内を充填する様子をガラス板面上部に設置したＣＣＤカメラで観察することができる、可視化金型装置を準備した。そして、この可視化金型装置内において、下型に置いたシリコンウェハの上面と上記ガラス板下面との間に形成した２４ｍｍ×２４ｍｍサイズのギャップ６５μｍへのメラミン樹脂組成物の充填性を観察した。なお、充填条件は、１７５℃、プレヒートタイム５秒、トランスファー圧２．９４ＭＰａ、プランジャ押し出しスピード１．０ｍｍ／ｓとした。そして、メラミン樹脂組成物が充填される様子をＣＣＤカメラで観察し、充填後、記録した画像から未充填率を見積もった。その結果を下記の表３〜表４に示した。

上記結果から、無極性の有機基を有する有機ケイ素化合物を配合した有機ケイ素化合物を配合した実施例品は、未充填率が低く溶融粘度の低下が図られ充填性が向上したことがわかる。これに対して、極性の有機基を有する従来の有機ケイ素化合物を配合した、または有機ケイ素化合物を配合しなかった比較例品は、未充填率が高く充填性に劣ることは明らかである。

さらに、上記各エポキシ樹脂組成物およびメラミン樹脂組成物を用いて、２４ｍｍ×２４ｍｍのシリコンチップを実装したガラスエポキシ基板（フリップチップ接続構造）をプレス機（ＴＯＷＡ社製、Ｙ−１）により樹脂封止した。なお、上記ガラスエポキシ基板上面とシリコンチップ底面との隙間は６５μｍに調整した。そして、樹脂封止後、隙間内部を超音波内部探査装置（日本バーンズ社製、C-SAM SERIES D6000）で観察し、その画像から未充填部の有無を調べた。その結果、先の評価である可視化金型装置にて未充填率の低かった各樹脂組成物（実施例品）を用いた場合は、上記測定・評価においても未充填部が確認されなかったのに対して、未充填率の高かった各樹脂組成物（比較例品）を用いた場合は、上記測定・評価においても未充填部が確認された。

Claims

下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する半導体封止用樹脂組成物。
（Ａ）熱硬化性樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。
（Ｅ）無極性の有機基を有する有機ケイ素化合物。
（Ｅ）成分である、無極性の有機基を有する有機ケイ素化合物が、無極性の有機基を有するアルコキシシランである請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物。
上記無極性の有機基が、炭素数１〜９のアルキル基，フェニル基，ビニル基またはこれらを組み合わせることによって構成される基である請求項１または２記載の半導体封止用樹脂組成物。
上記アルコキシシランが、メトキシシランまたはエトキシシランである請求項２記載の半導体封止用樹脂組成物。
上記無極性の有機基部分の分子量が、１２７以下である請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体封止用樹脂組成物。
ボールグリッドアレイ用封止材料またはトランスファーアンダーフィル用封止材料である請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体封止用樹脂組成物。
請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体封止用樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置。
上記半導体素子を封止してなる半導体装置が、ボールグリッドアレイ構造の半導体装置またはトランスファーアンダーフィルによる半導体装置である請求項７記載の半導体装置。