JP2000294692A - 樹脂封止型電子装置及びその製造方法並びにそれを使用した内燃機関用点火コイル装置 - Google Patents

樹脂封止型電子装置及びその製造方法並びにそれを使用した内燃機関用点火コイル装置

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JP2000294692A JP11099088A JP9908899A JP2000294692A JP 2000294692 A JP2000294692 A JP 2000294692A JP 11099088 A JP11099088 A JP 11099088A JP 9908899 A JP9908899 A JP 9908899A JP 2000294692 A JP2000294692 A JP 2000294692A
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Toshiaki Kaminaga
俊明 神永
Masami Shida
正実 志田
Noboru Sugiura
登 杉浦
Ryoichi Kobayashi
良一 小林
Katsuaki Fukatsu
克明 深津
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Hitachi Astemo Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi Car Engineering Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アンダーフィル材を用いることなく、トランス
ファ成形樹脂によるパッケージングで高信頼性を確保出
来る樹脂封止型電子装置およびその製造方法を提供す
る。 【解決手段】フリップチップ型モノリシックＩＣを混成
回路基板上にバンプにより搭載し、熱硬化性樹脂を用い
トランスファ成形によりパッケージする樹脂封止型電子
装置において、トランスファ成形樹脂は、線膨張係数が
３×１０−６から１７×１０−６であり、含有されるフ
ィラーの大きさが１０μｍ以下であり、かつ該トランス
ファ成形樹脂によってフリップチップ型モノリシックＩ
Ｃを搭載する混成回路基板を含めて一体的にトランスフ
ァ成形し、前記バンプは、トランスファ成形時に回り込
んだトランスファ成形樹脂によって動きを拘束した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置、すなわち樹脂封止型電子装置およびその製造方法
並びにそれを使用した内燃機関用点火コイル装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型電子装置において、封止用樹
脂に発生する応力を低減して、クラックの発生を抑制
し、信頼性を向上させるために種々の提案がなされて来
ている。
【０００３】特開平10−107182号公報には、基板上に形
成した電極と半導体チップとをバンプを介して電気的に
接続し、封止用樹脂により上記基板と上記半導体チップ
の間隙を注入充填するとともに上記半導体チップの周囲
を覆うようにした樹脂封止半導体装置であって、上記半
導体チップの周囲を覆う上記封止用樹脂周縁部の、上記
半導体チップ下端面からの高さを（ｂ）、上記半導体チ
ップ下端面と同一平面内における上記周縁部の外周端縁
と上記半導体チップ下端縁との距離を（ａ）としたとき
に、（ａ／ｂ）の平均値が２以下であり、上記封止用樹
脂が、エポキシ樹脂と該エポキシ樹脂よりも熱膨張係数
の低い球状の低熱膨張性無機材料からなるエポキシ系樹
脂材料よりなり、上記無機材料を全重量の５０〜８０重
量％の割合で含有する樹脂封止半導体装置が記載されて
いる。
【０００４】また、特開平9−246300 号公報には、基板
の上に空隙をもってチップが対向配置され、このチップ
と基板との隙間に下層側封止樹脂が充填されるととも
に、チップ全体が上層側封止樹脂にて覆われた半導体装
置の製造方法であって、チップと基板との隙間に硬化前
の熱硬化性樹脂を注入する第１工程と、当該樹脂を半硬
化状態にする第２工程と、チップ全体を覆うように硬化
前の熱硬化性樹脂を配置する第３工程と、積層した両樹
脂を完全硬化させる第４工程とを備える半導体装置の製
造方法が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特開平10−107182号記
載のように従来の樹脂封止型電子装置内にフリップチッ
プを内蔵する場合、まずフリップチップ下にアンダーフ
ィル材を注入充填・硬化し、その後、フリップチップを
含む回路基板部をトランスファ成形にて樹脂封止してい
た。このため、全体を樹脂封止する前に、アンダーフィ
ル材の注入充填・硬化工程がある。液体アンダーフィル
材ははんだ付け部の信頼性確保の為に、線膨張係数をは
んだに近づけたものが多く、この様なアンダーフィル材
は低温で保存する必要があり、使用時に常温に戻して使
用するが、ポットライフも短く、このポットライフ間に
使い切る必要があるなど管理に手間がかかる。また、特
にフリップチップのチップサイズが小さく、バンプ高さ
が低い場合にはアンダーフィル材の注入充填・アンダー
フィル材のバンプ下への注入充填及び硬化に非常に時間
がかかる。
【０００６】また、特開平9−246300 号公報記載のよう
に、トランスファ成形樹脂とアンダーフィル材の密着が
悪いと信頼性に悪影響を及ぼすため、アンダーフィル材
を半硬化状態にして、密着性を向上させるなどして樹脂
の硬化コントロールを行わなければならない。
【０００７】本発明は、前記従来技術に示したようなア
ンダーフィル材を用いることなく、トランスファ成形樹
脂によるパッケージングで高信頼性を確保出来るフリッ
プチップを搭載した混成回路基板のパッケージングを行
うことのできる樹脂封止型電子装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００８】本発明は、具体的にはトランスファ成形樹
脂とアンダーファル材の密着性が悪いという従来の問
題、アンダーフィル材の注入充填を必要とする工程上の
問題、あるいはアンダーフィル材を使用することによる
熱応力に基因するクラックの発生という問題を解決しよ
うとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】トランスファ成形に用い
る樹脂の線膨張係数を３×１０−６から１７×１０−６
とし、且つ樹脂に含有させるフィラーの粒径をフリップ
チップの基板搭載後バンプ高さの−１０μｍ以下で選別
したものを用いることにより、フリップチップ下にトラ
ンスファ成形樹脂を回り込ませることが出来る。この
際、フリップチップ周辺のトランスファ成形樹脂肉圧
と、フリップチップ下のバンプ高さによるギャップ（隙
間）の差が大きく、成形時トランスファ成形樹脂はフリ
ップチップ全体をまず覆った後に、バンプ部に含浸して
いく。このため、フリップチップ下のほぼ中心部にボイ
ドが残るが、熱応力値が高くなるフリップチップのバン
プを形成している外周部は、トランスファ成形樹脂によ
り動きを拘束させることができ、設定した線膨張係数及
びフィラー粒径の樹脂を使用すれば、バンプ部に加わる
熱応力値は、線膨張係数２０〜３０×１０−６程度のア
ンダーフィル材を使用した場合より、低減することがで
き、つまりは耐久寿命を向上させることが出来る。
【００１０】本発明は、フリップチップ型モノリシック
ＩＣを混成回路基板上にバンプにより搭載し、熱硬化性
樹脂を用いトランスファ成形によりパッケージする樹脂
封止型電子装置において、トランスファ成形に用いる熱
硬化性樹脂（以下「トランスファ成形樹脂」という。）
は、線膨張係数が３×１０−６から１７×１０−６であ
り、含有されるフィラーの大きさがバンプの高さより１
０μｍ以下であり、かつ該トランスファ成形樹脂によっ
てフリップチップ型モノリシックＩＣを搭載する混成回
路基板を含めて一体的にトランスファ成形した樹脂封止
型電子装置を提供する。
【００１１】本発明は、更にフィラーの大きさは、７５
μｍ以下である樹脂封止型電子装置を提供する。
【００１２】本発明は、フリップチップ型モノリシック
ＩＣを混成回路基板上にバンプにより搭載し、トランス
ファ成形樹脂によりパッケージする樹脂封止型電子装置
において、前記トランスファ成形樹脂によってフリップ
チップ型モノリシックＩＣを搭載する混成回路基板を含
めて一体的にトランスファ成形され、前記バンプは、ト
ランスファ成形時に回り込んだトランスファ成形樹脂に
よって動きを拘束される樹脂封止型電子装置を提供す
る。
【００１３】本発明は、フリップチップ型モノリシック
ＩＣを混成回路基板上にバンプにより搭載し、トランス
ファ成形樹脂によりパッケージする樹脂封止型電子装置
において、前記トランスファ成形樹脂によってフリップ
チップ型モノリシックＩＣを搭載する混成回路基板を含
めて一体的にトランスファ成形され、前記フリップチッ
プ型モノリシックＩＣと混成回路基板との間は、トラン
スファ成形時に回り込んだトランスファ樹脂によってボ
イドなしにまたはボイドを含んで充填される樹脂封止型
電子装置を提供する。
【００１４】本発明は、更に前記バンプは、混成回路基
板上の導体配線にはんだ付けされており、該はんだ付け
される面以外はコーティングされ、かつ該コーティング
された面上に前記トランスファ樹脂が熱硬化された樹脂
封止型電子装置を提供する。
【００１５】本発明は、更にトランスファ成形樹脂は、
エポキシ樹脂を使用した樹脂封止型電子装置を提供す
る。
【００１６】本発明は、フリップチップ型モノリシック
ＩＣを混成回路基板上にパンプにより搭載し、トランス
ファ成形樹脂によりパッケージする樹脂封止型電子装置
の製造方法において、線膨張係数が３×１０−６から１
７×１０−６であり、含有されるフィラーの大きさがバ
ンプの高さより１０μｍ以下であるトランスファ成形樹
脂を用いて成形を行い、該成形時に、トランスファ成形
樹脂がフリップチップ型モノリシックＩＣと混成回路基
板との間に回り込むようにトランスファ成形圧力をかけ
る樹脂封止型電子装置の製造方法を提供する。
【００１７】本発明は、更にトランスファ樹脂にエポキ
シ樹脂を使用し、エポキシ樹脂は、オクトクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂とし、ガラス転移点温度を１５
０℃以上とした樹脂封止型電子装置の製造方法を提供す
る。
【００１８】本発明は、更にエポキシ樹脂には、シリコ
ーンを１から８％含有させた樹脂封止型電子装置の製造
方法を提供する。
【００１９】本発明は、更にフィラーは溶融シリカの角
形もしくは球状またはその混合である樹脂封止型電子装
置の製造方法を提供する。
【００２０】本発明は、更に混成回路基板は銅系のリー
ドフレーム上へ搭載し、リードフレーム上の基板搭載部
以外の所にはパワー系半導体素子がはんだまたは導電性
接着剤で搭載され、回路基板上に設けられたボンディン
グパッド部と半導体素子のボンディングパッド部間はワ
イヤボンディングで接続され、またリードフレームへ形
成した外部出力端子部と回路基板間も同様にワイヤボン
ディングにより、接続された樹脂封止型電子装置を提供
する。
【００２１】本発明は、更に混成回路基板は、銀／白金
系導体もしくは銅系導体のアルミナ系セラミック基板を
使用し、フリップチップのバンプ部のはんだ、および基
板上へ搭載するディスクリート部品搭載用のはんだは、
鉛／錫系高温はんだを用いはんだ付けした樹脂封止型電
子装置を提供する。
【００２２】本発明は、更に混成回路基板は、銀／白金
系導体もしくは銅系導体のアルミナ系セラミック基板を
使用し、フリップチップのバンプ部のはんだ、および同
様に基板上へ搭載するディスクリート部品搭載用のはん
だは、銀／錫系はんだを用いはんだ付けをした樹脂封止
型電子装置を提供する。
【００２３】本発明は、更に混成回路基板は、線膨張係
数が１７×１０−６以下である高耐熱性ガラスエポキシ
基板を使用し、フリップチップのバンプ部のはんだ、お
よび同様に基板上へ搭載するディスクリート部品搭載用
のはんだは、銀／錫系はんだを用いはんだ付けした樹脂
封止型電子装置を提供する。
【００２４】本発明は、更に使用する銀／錫系はんだ
は、銀の含有量が１から５％である樹脂封止型電子装置
を提供する。
【００２５】本発明は、コイル本体内に、フリップチッ
プ型モノリシックＩＣを混成回路基板上にバンプにより
搭載し、トランスファ成形樹脂によりパッケージした樹
脂封止型電子装置を備えた内燃機関用点火コイルにおい
て、該樹脂封止型電子装置は、フリップチップ型モノリ
シックＩＣのサイズは５mm×５mm以下が採用され、トラ
ンスファ成形樹脂によってフリップチップ型モノリシッ
クＩＣを搭載する混成回路基板を含めて一体的にトラン
スファ成形された成形体を有し、該成形体を前記トラン
スファ成形樹脂よりも熱膨張係数の大きな成形樹脂によ
ってコイル本体に埋設した構造を有して、前記成形体を
構成するトランスファ成形樹脂部は、フリップチップモ
ノリシックＩＣと混成回路基板との間のトランスファ成
形樹脂部をも含めて連続した一様な応力線図を示す内燃
機関用点火コイル装置を提供する。
【００２６】また、フリップチップのチップサイズは５
mm×５mm以下とすれば、フリップチップ下に発生するボ
イドによる熱応力の影響を無視できる程度に小さくする
ことができる。
【００２７】また、フリップチップの回路構成面のはん
だバンプ構成部以外の部分上に、ポリイミドもしくはポ
リアミドイミド系のコーティングを実施することによ
り、フリップチップの回路面とトランスファ成形樹脂の
密着性を向上することができ、更なる信頼性向上を図る
ことが出来る。
【００２８】また混成回路基板は銅系のリードフレーム
上へ搭載し、リードフレーム上の基板搭載部以外の所に
はパワー系半導体素子がはんだまたは導電性接着剤で搭
載され、回路基板上に設けられたボンディングパッド部
と半導体素子のボンディングパッド部間はワイヤボンデ
ィングで接続され、またリードフレームへ形成した外部
出力端子部と回路基板間も同様にワイヤボンディングに
より接続した構成とし、混成回路基板上にはフリップチ
ップタイプのモノリシックＩＣを使用した回路を構成
し、その回路はパワー素子の電流を通電・遮断等を行う
ための制御回路を構成させることにより、複合型パワー
系電子装置を容易に構成することが出来る。
【００２９】混成回路基板は、アルミナ系セラミックと
することにより、使用する封止樹脂の線膨張係数に近く
設定でき、封止樹脂からの応力を低減できる。使用する
セラミック基板上へ形成する導体配線材料を、銀／白金
系導体もしくは銅系導体と錫／鉛系の高温はんだを組み
合わせることにより、高温耐久性を確保でき長寿命化が
図れる。また、はんだに錫／銀系はんだを用いた場合に
は、鉛フリー化を行うことが出来る。
【００３０】混成回路基板には、線膨張係数が１７×１
０−６以下の高耐熱ガラスエポキシ基板を使用すること
により、封止樹脂による基板に発生する応力を低減し、
セラミック系基板に対しコストを抑えた構成とすること
も可能である。この際に使用するはんだは錫／銀系はん
だとすることで鉛フリー化を図る。
【００３１】錫／銀系はんだは、銀の含有率を１から５
％とすることで、はんだの濡れ性が確保できる。
【００３２】パワー系の電子装置に適用した場合、パワ
ー系半導体素子の搭載にはんだを使用するときには、錫
／アンチモン系はんだを使用することで、電子装置全体
での鉛の使用を排除でき、かつ錫／アンチモン系はんだ
は耐熱サイクル性が高いため、信頼性も確保できる。
【００３３】トランスファ成形に使用する樹脂は、エポ
キシ系樹脂とすることにより、半導体パッケージングに
一般的に耐量に使用している安価なものが使用できる。
【００３４】エポキシ系樹脂の中でも、オクトクレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂を使用することにより、高
いガラス転移温度を確保でき、含有するフィラーと合わ
せて、１５０℃以上のガラス転移点温度とすれば、半導
体素子の一般的な動作保証温度であるジャンクション温
度１５０℃まで、樹脂の線膨張係数が大きく変化するこ
となく、よって高い信頼性を確保できる。
【００３５】樹脂中に含有させるフィラーは、溶融シリ
カとすることで角部の鋭利なエッジをなくし、半導体素
子，混成回路基板へのダメージを防止する。溶融シリカ
の中でも角状・球状シリカがあるが、球状シリカのみを
使用する場合が、一番半導体素子，混成回路基板へのダ
メージを防止できる。
【００３６】封止樹脂にエポキシ樹脂を使用した場合、
エポキシ樹脂中にシリコーン樹脂を含有させることによ
り、樹脂から内蔵部品に加える熱応力を低減させること
ができ、信頼性が図れる。
【００３７】以上のようにして構成した、樹脂封止型電
子装置において、混成回路基板上には内燃機関用点火コ
イルの１次電流の通電遮断制御などを行う回路を構成
し、パワー系半導体素子には、バイポーラトランジスタ
もしくは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを用い、
樹脂封止型複合パワー系半導体内蔵電子装置とすること
で高信頼性を確保した電子装置を製作でき、これを点火
コイルへ内蔵させることにより、信頼性の高い樹脂封止
型電子装置内蔵点火コイル装置を製作することが出来
る。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下に実施例を用いて説明する。
【００３９】図１は本発明の一実施例である樹脂封止型
電子装置の断面を示した図である。
【００４０】フリップチップ型モノリシック（以下、
「フリップチップ」という。）ＩＣ１がはんだバンプ２
を介して、セラミック系基板上に導体は緯線・抵抗体等
形成したハイブリッドＩＣ基板もしくはガラスエポキシ
基板で製作された混成回路基板３へ搭載される。本断面
図では導体配線などは図示していない。
【００４１】混成回路基板３上にははんだ８を介してワ
イヤボンディング用のパッド７がはんだ付けされ、外部
入出力端子５にアルミワイヤ６により接続される。外部
入出力端子部５で回路への電源の供給，信号の入出力な
どを行い、フリップチップ１を含む混成回路基板３で所
定の信号処置などの電気的機能を構成する。
【００４２】これらの混成回路基板３及び外部入出力端
子５の一部を、フィラー（本図上は図示していない）を
含有したトランスファ成形樹脂４でトランスファモール
ドし樹脂封止型電子装置を形成する。この際、フリップ
チップ１のバンプ部２の高さで確保されるギャップにト
ランスファ成形樹脂４が回り込み易いように、樹脂に含
有するフィラーの大きな、例えば粒径をバンプ部２の高
さ−１０μｍで選別したものを使用することにより、フ
リップチップ１の下への回り込み性を確保すると共に、
樹脂中のフィラー量がフリップチップ１の下と、それ以
外のフリップチップ１の周辺部で量が異ならないように
することで、はんだバンプ２を含むフリップチップ１部
全体を同一線膨張係数の樹脂で封止する。
【００４３】４′がギャップに回り込んだトランスファ
成形樹脂を示す。
【００４４】フィラーの大きさを例示すれば、はんだバ
ンプの高さが１００μｍである場合に、フルイにかけて
９０μｍ以下とされたフィラーが採用される。流動性お
よびコストを考慮したときに、望ましくは７０μｎ以下
とされたフィラーを採用するのがよい。通常はんだバン
プの高さは１００μｍ〜１５０μｍである。
【００４５】従来、フリップチップ下のはんだバンプ部
へ、常温で液状のフィラーを含有するエポキシ系樹脂の
アンダーフィル材を、はんだバンプ部の耐熱サイクル性
を向上させる為に塗布することも行われているが、この
ような樹脂は非常に高価で、また塗布装置も位置精度を
高めなければならず、このため塗布装置の値段も高価で
ある。
【００４６】本実施例によれば、このようなアンダーフ
ィル材は使用せず、使用する成形樹脂の線膨張係数及び
フィラーの径を規定することにより、フリップチップ型
ＩＣを含む混成回路を一般的に半導体製品のパッケージ
ングに使用しているトランスファ成形により、はんだバ
ンプ２部に加わる熱応力を低減した信頼性の高い、樹脂
封止型電子装置を構成することが可能である。
【００４７】また、使用するはんだに錫／鉛系のはんだ
を使用することにより、高温耐久性を確保することが出
来る。はんだを錫／銀系はんだにすることにより、鉛フ
リー化を図ることが出来る。
【００４８】図２は、本発明の一実施例である図１の断
面図に対して、装置の斜視図である。
【００４９】構成部品の番号は、外部入出力端子部の５
ａ，５ｂ，５ｃを除き、図１に準じている。
【００５０】図３は、フリップチップ部を拡大して詳細
に示した場合の断面図である。
【００５１】フリップチップ１は混成回路基板３上の導
体配線部９にはんだバンプ２を介してはんだ付けされて
いる。導体配線部９ははんだ付け等される面以外はコー
ティングガラス１０などで表面保護されている。角状，
球状もしくはその混合の溶融フィラー１１を含有したト
ランスファ成形樹脂４がトランスファ成形圧力で、フリ
ップチップ１下のはんだバンプ２部に充填されている。
【００５２】図４はフリップチップ部を拡大した場合の
断面図で、ボイドが残留している図を示す。
【００５３】フリップチップ１の回りの樹脂肉圧がバン
プ２部下の樹脂肉圧と大きく異なるため、フリップチッ
プ１下にはボイドが残留する場合がある。
【００５４】トランスファ成形樹脂４は、成形時まず初
めにフリップチップ１の周辺部の肉圧が厚いため、フリ
ップチップ全体を覆い、その後、フリップチップのはん
だバンプ２部下に含浸していく。このため、フリップチ
ップ１下に残留した空気がボイドとなって、ほぼチップ
下の中心部分に残留する。この残留したボイドはフリッ
プチップが小さい場合は、チップ下の空気の体積がほぼ
成形圧力で圧縮されたサイズである。
【００５５】チップサイズが大きくなると、チップ下へ
樹脂が含浸する抵抗が上がり、ボイドが成形圧で圧縮さ
れるサイズより大きくなる。例えばチップサイズが５mm
×５mm程度以下であれば、発生するボイドは、ほぼφ
０.５mm 以下で、この様なサイズのボイドであれば、ボ
イドがあってもボイドにより、発生するチップ下の熱応
力は無視できる。
【００５６】図５はフリップチップ部の斜視図である。
【００５７】１がフリップチップ、２がはんだバンプ、
９が混成回路基板上の導体配線を示す。
【００５８】トランスファ成形樹脂は、成形時にバンプ
部の基板とのギャップが狭いため、樹脂がフリップチッ
プ全体を覆い、チップ下に本図に示す矢印のように含浸
して行き、ボイド１２が発生する。図４で説明したよう
に、チップサイズが小さい場合はこの発生するボイド１
２による応力的な影響は無視できる。
【００５９】図６は、図１に対応するもので、外部入出
力端子が混成経路基板に直接はんだ付けされている場合
の一実施例の断面図である。
【００６０】図中の番号はこれまで説明してきたものに
対応しており、トランスファ樹脂の充填状況は、図３，
図４と同様であるが略してある。
【００６１】図７は本発明の一実施例である、複合パワ
ー系樹脂封止型電子装置を示す。
【００６２】フリップチップ型ＩＣ１がはんだバンプ２
を介して、セラミック系基板上に導体は緯線・抵抗体等
形成したハイブリッドＩＣ基板もしくはガラスエポキシ
樹脂で製作された混成回路基板３へ搭載する。本断面図
では混成回路基板上の導体配線，抵抗体オーバーコート
などは図示していない。
【００６３】混成回路基板３上には、ディスクリート部
品のコンデンサ１３などがはんだ８で搭載される。ま
た、はんだ８を介してワイヤボンディング用のパッド７
がはんだ付けされ、外部入出力端子５または、パワー系
半導体素子（バイポーラパワートランジスタ，絶縁ゲー
ト型バイポーラトランジスタ等）１４にアルミワイヤ６
により接続される。パワー系半導体素子は混成回路基板
３を、搭載するベース部１６へはんだ１５等を介して搭
載する。混成回路基板３は、エポキシ系またはシリコン
系の接着剤１７などにより、ベース部１６へ搭載固定す
る。外部入出力端子部５で回路への電源の供給，信号の
入出力などを行い、フリップチップ型ＩＣ１を含む混成
回路基板３で所定の信号処置などを行い、パワー系半導
体素子を駆動し、所定の電気的機能を構成する。
【００６４】これらの混成回路基板３，パワー系半導体
素子を搭載したベース部１６の全面又は混成回路基板３
搭載側の片面及び外部入出力端子５の一部を、フィラー
（本図上は図示していない）を含有したトランスファ成
形樹脂４でトランスファモールドし樹脂封止型電子装置
を形成する。
【００６５】この際、図１にて説明したように、フリッ
プチップ１のバンプ部２の高さで確保されるギャップに
トランスファ成形樹脂４が回り込み易いように、樹脂に
含有するフィラーの粒径をバンプ部２の高さ−１０μｍ
で選別したものを使用することにより、フリップチップ
１の下への回り込み性を確保すると共に、樹脂中のフィ
ラー量がフリップチップ１の下と、それ以外のフリップ
チップ１の周辺部で量が異ならないようにすることで、
はんだバンプ２を含むフリップチップ１部全体を同一線
膨張係数の樹脂で封止する。
【００６６】本実施例によれば、このようなアンダーフ
ィル材は使用せず、使用する成形樹脂の線膨張係数及び
フィラーの径を規定することにより、フリップチップ型
ＩＣを含む混成回路基板及び、パワー系半導体素子を一
般的に半導体製品のパッケージングに使用しているトラ
ンスファ成形により、はんだバンプ２部に加わる熱応力
を低減した信頼性の高い、複合型パワー系樹脂封止型電
子装置を構成することが可能である。
【００６７】図８は図７に示した複合パワー系樹脂封止
型電子装置の断面図に対する斜視図を示す。
【００６８】構成部品の番号は、外部入出力端子部の５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを除き、図１に準じている。外部
出力端子５ｄはベース部１６と一体であり、パワー系半
導体素子のコレクタの出力端子となっている。
【００６９】図９は、従来例を示す図である。
【００７０】図１０はフリップチップ１をはんだバンプ
側から見た図である。
【００７１】本図に示すように、フリップチップ１のは
んだバンプ２部以外の部分に、チップの回路部（本図で
は回路パターンなどは図示していない）の表面にポリイ
ミドもしくはポリアミドイミド系のコーティング材１９
を付加する。これにより、トランスファ成形樹脂と、フ
リップチップ１のはんだバンプ側との樹脂密着性を向上
させることができる。このため本構造とすれば、はんだ
バンプに加わる熱応力を更に低減させることができ、信
頼性が向上する。
【００７２】図１１は、アンダーフィル材を使用するこ
となく、トランスファ成形樹脂のみを使用した樹脂封止
型電子装置において、はんだバンプに加わる歪が従来品
に比べて低減する効果を示す図である。はんだバンプは
一体的なトランスファ成形樹脂によって直接的に拘束さ
れるので熱膨張状態をコントロールすることが一義的に
行われ、それだけ加えられる歪は小さいものとなる。
【００７３】図１２にフリップチップサイズに対する発
生ボイド径についてのグラフを示す。
【００７４】フリップチップ下に発生するボイドは、チ
ップの１辺の長さに対して、増加して行くが、特にチッ
プサイズの１辺の長さが５mmを超えると、チップ下に樹
脂が含浸するための抵抗が増加し、成形保持時間内でチ
ップ下の空気を潰しきるまでに至らずボイド径が急激に
増加する。ボイド径が増加すると、温度変化時チップに
対して樹脂が曲げ応力を発生させる。ボイド径が１mm以
下であれば発生する応力は無視できるレベルであるが、
それ以上になると、曲げ応力を無視できなくなってく
る。
【００７５】このため、本発明の適用は５mm×５mm程度
までが効果的である、しかし、要求される耐久性によっ
て、このチップ下のボイドサイズの値は変化する。
【００７６】以上のように、アンダーフィル材を用いる
ことなく、トランスファ成形樹脂の線膨張係数の規定及
び、樹脂に含有するフィラーの粒径を規定することによ
り、高信頼性を確保出来るフリップチップを搭載した混
成回路基板のパッケージング方法を提供できる。
【００７７】この際、チップサイズを５mm×５mm以下と
することにより、チップ下に発生するボイドによる、熱
応力の影響を無視できるレベルに抑えることができ、更
に信頼性を確保できる。
【００７８】フリップチップのはんだバンプが形成され
る面の回路面上にはんだバンプ構成部以外の部分にポリ
イミドもしくはポリアミドイミド系のコーティング材を
付加することにより、フリップチップと樹脂の密着性が
向上し、熱応力の分散性が向上し、更に信頼性が高くな
る。
【００７９】フリップチップを搭載する混成回路基板，
パワー系半導体素子などをリードフレーム上に搭載し、
ワイヤボンディングなどで接続した後、本発明で規定し
た樹脂にてトランスファモールドすることにより、容易
に信頼性の高い複合型パワー系樹脂封止型電子装置を得
ることが出来る。
【００８０】混合回路基板にアルミナ系セラミック、基
仮上の導体配線は銀／白金系導体もしくは銅系導体と
し、フリップチップのはんだバンプ及びディスクリート
部品の搭載に使用するはんだは錫／鉛系の高温はんだと
することにより、高温耐久性のある、混成回路基板を搭
載した樹脂封止型電子装置を構成できる。また、はんだ
に錫／銀系のはんだを使用することにより、鉛フリー化
を図った混成回路基板を搭載した、樹脂封止型電子装置
を構成することが出来る。
【００８１】混成回路基板に高耐熱ガラスエポキシ系基
板を使用し、フリップチップのはんだバンプ及びディス
クリート部品の搭載橋ド用するはんだは錫／銀系はんだ
とすることにより、鉛フリー化及びコスト低減した混成
回路基板を搭載した樹脂封止型電子装置を構成できる。
【００８２】錫／銀系のはんだをフリップチップのバン
プ部のはんだ及びディスクリート部品搭載用のはんだと
して使用する場合、銀の含有量を１から５％とすること
により、錫／鉛の共晶系はんだと同等以上のはんだ濡れ
性を確保し、鉛フリー化を図った場合にでも信預性が確
保できる。
【００８３】複合型パワー系樹脂封止型電子装置に、錫
／銀系はんだを使用し混成回路基板を組み立て、パワー
系半導体素子の搭載には、錫／アンチモン系のはんだを
使用することにより、鉛フリー化を図った複合型パワー
系樹脂封止型電子装置を構成できる。
【００８４】トランスファ成形に使用する樹脂はエポキ
シ系とし、一般的に使用している半導体パッケージ用と
することで、安価な物を使用可能である。そのエポキシ
系樹脂は、オクトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂
とし、樹脂のガラス点移転温度を１５０℃以上とするこ
とで、内蔵するフリップチップ及びパワー系半導体素子
を内蔵する場合はそれを含み、半導体部品の一般的保証
温度である、ジャンクション温度１５０℃まで、樹脂の
線膨張係数が大きく変化することがないため、１５０℃
までの信頼性を確保できる。
【００８５】樹脂に含有するフィラーは、角状または球
状もしくはその混合の溶融フィラーとすることで、フィ
ラーの角部で、搭載する半導体部品，ディスクリート部
品及び基板に対して、傷，食い込み等を防止することが
出来る。
【００８６】エポキシ樹脂中にシリコーンを含有させる
ことにより、樹脂内部で滑りが発生し、このため応力を
分散させることができ、結果として、低応力化を図るこ
とが出来る。
【００８７】このようにして構成した、複合型樹脂封止
型電子装置のフリップチップを含む混成回路基板上に、
内燃機関用点火コイルの１次電流を通電遮断等するため
の回路を構成し、パワー素子にはバイポーラパワートラ
ンジスタもしくは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
を使用し、内燃機関用点火コイルへ内蔵することによ
り、安価でかつ高信頼性を確保した複合型樹脂封止型電
子装置を内蔵した点火コイルを製作することが出来る。
【００８８】次に点火コイルに適用した例について説明
する。
【００８９】図１３に自動車用点火コイルに内蔵した場
合の実施例を示す。本実施例の図は円筒型コイルに本発
明の樹脂封止型電子装置の回路構成を点火用のイグナイ
タ回路としたものを内蔵したものである。
【００９０】円筒型コイル３１のケース２３内に１次・
２次コイル部３０（詳細は省略）が内蔵されと共に本発
明の樹脂封止型電子装置２０が内蔵され、注型エポキシ
樹脂２４で埋設される。コイルへの信号入力・電源の入
力などはコネクタ部２１のターミナル２２を介して行わ
れる。コイルの発生２次電圧は高圧端子２７に取り付け
られたスプリング２８を介して、点火プラグ（図示しな
い）に供給される。ブーツ部２９は点火プラグと嵌合
し、防水等行うものである。プラグホールシール２６は
円筒型コイルをエンジンへ装着時、プラグホール部と嵌
合し、防止するものである。コイルケースへ取り付けら
れたブッシュ２５部でボルトなどでエンジンへ固定され
るために設けている。
【００９１】このようにコイルの中に樹脂封止型電子装
置をエポキシ樹脂等で埋設する場合、やはり線膨張係数
差による発生応力に注意しなければならないが、従来技
術に示したようにフリップチップのはんだバンプ部にア
ンダーフィル材を塗布し、その後モールドすると、界面
の密着力を向上させても、別部材で且つ線膨張係数が異
なると、界面に応力が発生し信頼性が低下する。本発明
によれば、注型エポキシ樹脂２４でダイレクトにモール
ドするため、この点での発生応力に関する不具合発生ポ
テンシャルを取り除くことが可能となる。
【００９２】従って、このようにすることによって、該
樹脂封止型電子装置は、フリップチップ型モノリシック
ＩＣのサイズは５mm×５mm以下が採用され、トランスフ
ァ成形樹脂によってフリップチップ型モノリシックＩＣ
を搭載する混成回路基板を含めて一体的にトランスファ
成形された成形体を有し、該成形体を前記トランスファ
成形樹脂よりも熱膨張係数の大きな成形樹脂によってコ
イル本体に埋設した構造を有して、前記成形体を構成す
るトランスファ成形樹脂部は、フリップチップモノリシ
ックＩＣと混成回路基板との間のトランスファ成形樹脂
部をも含めて連続した一様な応力線図を示す内燃機関用
点火コイル装置を提供することができる。
【００９３】図１４は図１３のコイルについての回路図
を示す。
【００９４】電源３３から、回路構成をイグナイタとし
た樹脂封止型電子装置を内蔵したコイル３１に電源が供
給される。イグナイタとした樹脂封止型電子装置２０内
にはフリップチップを実装した混成回路部３０とパワー
素子部３０（この場合は絶縁ゲート型バイポーラトラン
ジスタ）が内蔵される。エンジンコントロールユニット
（図示しない）からの信号で混成回路基板３０で信号処
理などした上で、パワー素子３０を駆動し、コイル３０
の１次電流の通電遮断を行う。この時コイル３０の２次
側に高電圧が発生し、点火プラグ３０に供給する。
【００９５】図１５は図１４の動作波形を示す。
【００９６】図示のように１次電流Ｉ１遮断時に、コイ
ル２次側に２次電圧Ｖ２が発生する。図示していない
が、１次電流は通常６〜８Ａ程度で遮断し、この時に２
次電圧は２０〜３０ｋＶ程度発生する。
【００９７】図１６にコイル３１のエンジンへの実装状
態を示す。
【００９８】この実施例では円筒型コイルのため、エン
ジンのプラグホールへコイル３１が挿入され、取り付け
られる。このようにコイル３１に本樹脂封止型電子装置
を組込んだ場合、エンジンに直接取り付けられるため、
特に熱応力に対する配慮が必要である。
【００９９】図１７にはんだバンプ部の発生歪について
解析した例を示す。
【０１００】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
トランスファ成形樹脂によってフリップチップを搭載す
る混成回路基板を含めて一体的にトランスファ成形して
いるので、従来使用していたアンダーフィル材料を用い
る必要がなくなり、はんだバンプに加わる歪を小さくす
ることができ、更に製造工程が簡単になることによりト
ランスファ成形によって作られる構造は一体的なものと
なって熱応力の影響が小さくなる。
【０１０１】また、このような構成によってチップサイ
ズを５mm×５mm以下、フリップチップと混成回路基板と
の距離（間隔）を１０μｍ以下とすることができて小型
化を図ることができると共に、チップの下側に発生し易
いボイドの発生で回避したり、発生したとしてもボイド
による熱応力の影響を無視できるレベルに抑えることが
でき、更に信頼性を確保することができる。
【０１０２】また、このようなサイズの樹脂封止型電子
装置を内蔵せしめることによって小型化した内燃機関用
点火コイル装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の構成を示す縦断面図。
【図２】図１に関する斜視図。
【図３】拡大詳細図。
【図４】他の例の拡大詳細図。
【図５】図４に関する斜視図。
【図６】他の実施例の縦断面図。
【図７】他の実施例の縦断面図。
【図８】図７に関する斜視図。
【図９】従来例を示す図。
【図１０】フリップチップをはんだバンプ側から見た
図。
【図１１】本実施例の効果を示す図。
【図１２】フリップチップサイズに対する発生ボイド径
についてのグラフ図。
【図１３】応用例としての点火コイル装置の構成図。
【図１４】図１３のコイルについての回路図。
【図１５】動作波形図。
【図１６】実装応用例図。
【図１７】発生歪について解析した例を示す図。
【符号の説明】
１…フリップチップ、２…はんだバンプ、３…混成回路
基板、４，４′…トランスファ成形樹脂、５…外部入出
力端子、６…アルミワイヤ、７，１４…パッド、８，１
５…はんだ、９…導体配線部、１０…コーティングガラ
ス、１１…溶融フィラー、１３…コンデンサ、１６…ベ
ース部、１７…接着剤、１９…コーティング材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志田 正実 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 杉浦 登 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 小林 良一 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 深津 克明 茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会 社日立カーエンジニアリング内 Ｆターム(参考） 4M109 AA01 AA02 BA03 CA10 CA21 DB16 DB17 EA02 EA03 EB09 EB11 EB13 EB16 EB19 EC04 EC09 EE01 EE03 GA02 5F061 AA01 AA02 BA03 CA10 CA21 CB04 DE03 FA02

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フリップチップ型モノリシックＩＣを混成
    回路基板上にバンプにより搭載し、熱硬化性樹脂を用い
    トランスファ成形によりパッケージする樹脂封止型電子
    装置において、 トランスファ成形に用いる熱硬化性樹脂（以下「トラン
    スファ成形樹脂」という。）は、線膨張係数が３×１０
    −６から１７×１０−６であり、含有されるフィラーの
    大きさがバンプの高さより１０μｍ以下であり、かつ該
    トランスファ成形樹脂によってフリップチップ型モノリ
    シックＩＣを搭載する混成回路基板を含めて一体的にト
    ランスファ成形したことを特徴とする樹脂封止型電子装
    置。
  2. 【請求項２】請求項１において、 フィラーの大きさは、７５μｍ以下であることを特徴と
    する樹脂封止型電子装置。
  3. 【請求項３】フリップチップ型モノリシックＩＣを混成
    回路基板上にバンプにより搭載し、トランスファ成形樹
    脂によりパッケージする樹脂封止型電子装置において、 前記トランスファ成形樹脂によってフリップチップ型モ
    ノリシックＩＣを搭載する混成回路基板を含めて一体的
    にトランスファ成形され、 前記バンプは、トランスファ成形時に回り込んだトラン
    スファ成形樹脂によって動きを拘束されることを特徴と
    する樹脂封止型電子装置。
  4. 【請求項４】フリップチップ型モノリシックＩＣを混成
    回路基板上にバンプにより搭載し、トランスファ成形樹
    脂によりパッケージする樹脂封止型電子装置において、 前記トランスファ成形樹脂によってフリップチップ型モ
    ノリシックＩＣを搭載する混成回路基板を含めて一体的
    にトランスファ成形され、 前記フリップチップ型モノリシックＩＣと混成回路基板
    との間は、トランスファ成形時に回り込んだトランスフ
    ァ樹脂によってボイドなしにまたはボイドを含んで充填
    されることを特徴とする樹脂封止型電子装置。
  5. 【請求項５】請求項１から４のいずれかにおいて、 前記バンプは、混成回路基板上の導体配線にはんだ付け
    されており、該はんだ付けされる面以外はコーティング
    され、かつ該コーティングされた面上に前記トランスフ
    ァ樹脂が熱硬化されたことを特徴とする樹脂封止型電子
    装置。
  6. 【請求項６】請求項１から４のいずれかにおいて、 トランスファ成形樹脂は、エポキシ樹脂を使用したこと
    を特徴とする樹脂封止型電子装置。
  7. 【請求項７】フリップチップ型モノリシックＩＣを混成
    回路基板上にパンプにより搭載し、トランスファ成形樹
    脂によりパッケージする樹脂封止型電子装置の製造方法
    において、 線膨張係数が３×１０−６から１７×１０−６であり、
    含有されるフィラーの大きさがバンプの高さより１０μ
    ｍ以下であるトランスファ成形樹脂を用いて成形を行
    い、 該成形時に、トランスファ成形樹脂がフリップチップ型
    モノリシックＩＣと混成回路基板との間に回り込むよう
    にトランスファ成形圧力をかけることを特徴とする樹脂
    封止型電子装置の製造方法。
  8. 【請求項８】請求項７において、 トランスファ樹脂にエポキシ樹脂を使用し、エポキシ樹
    脂は、オクトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂と
    し、ガラス転移点温度を１５０℃以上としたことを特徴
    とする樹脂封止型電子装置の製造方法。
  9. 【請求項９】請求項８において、 エポキシ樹脂には、シリコーンを１から８％含有させた
    ことを特徴とする樹脂封止型電子装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】請求項７において、 フィラーは溶融シリカの角形もしくは球状またはその混
    合であることを特徴とする樹脂封止型電子装置の製造方
    法。
  11. 【請求項１１】請求項１から４のいずれかにおいて、 混成回路基板は銅系のリードフレーム上へ搭載し、リー
    ドフレーム上の基板搭載部以外の所にはパワー系半導体
    素子がはんだまたは導電性接着剤で搭載され、回路基板
    上に設けられたボンディングパッド部と半導体素子のボ
    ンディングパッド部間はワイヤボンディングで接続さ
    れ、またリードフレームへ形成した外部出力端子部と回
    路基板間も同様にワイヤボンディングにより、接続され
    たことを特徴とする樹脂封止型電子装置。
  12. 【請求項１２】請求項１から４のいずれかにおいて、 混成回路基板は、銀／白金系導体もしくは銅系導体のア
    ルミナ系セラミック基板を使用し、フリップチップのバ
    ンプ部のはんだ、および基板上へ搭載するディスクリー
    ト部品搭載用のはんだは、鉛／錫系高温はんだを用いは
    んだ付けしたことを特徴とする樹脂封止型電子装置。
  13. 【請求項１３】請求項１から４のいずれかにおいて、 混成回路基板は、銀／白金系導体もしくは銅系導体のア
    ルミナ系セラミック基板を使用し、フリップチップのバ
    ンプ部のはんだ、および同様に基板上へ搭載するディス
    クリート部品搭載用のはんだは、銀／錫系はんだを用い
    はんだ付けをしたことを特徴とする樹脂封止型電子装
    置。
  14. 【請求項１４】請求項１から４のいずれかにおいて、 混成回路基板は、線膨張係数が１７×１０−６以下であ
    る高耐熱性ガラスエポキシ基板を使用し、フリップチッ
    プのバンプ部のはんだ、および同様に基板上へ搭載する
    ディスクリート部品搭載用のはんだは、銀／錫系はんだ
    を用いはんだ付けしたことを特徴とする樹脂封止型電子
    装置。
  15. 【請求項１５】請求項１３または１４において、 使用する銀／錫系はんだは、銀の含有量が１から５％で
    あることを特徴とする樹脂封止型電子装置。
  16. 【請求項１６】コイル本体内に、フリップチップ型モノ
    リシックＩＣを混成回路基板上にバンプにより搭載し、
    トランスファ成形樹脂によりパッケージした樹脂封止型
    電子装置を備えた内燃機関用点火コイルにおいて、 該樹脂封止型電子装置は、フリップチップ型モノリシッ
    クＩＣのサイズは５mm×５mm以下が採用され、 トランスファ成形樹脂によってフリップチップ型モノリ
    シックＩＣを搭載する混成回路基板を含めて一体的にト
    ランスファ成形された成形体を有し、 該成形体を前記トランスファ成形樹脂よりも熱膨張係数
    の大きな成形樹脂によってコイル本体に埋設した構造を
    有して、前記成形体を構成するトランスファ成形樹脂部
    は、フリップチップモノリシックＩＣと混成回路基板と
    の間のトランスファ成形樹脂部をも含めて連続した一様
    な応力線図を示すことを特徴とする内燃機関用点火コイ
    ル装置。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030049284A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 삼성전기주식회사 플립칩 본딩용 패키지기판
JP2005162846A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR101451711B1 (ko) * 2007-03-29 2014-10-16 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 집적 회로 패키지의 다중 몰딩을 위한 방법들 및 장치
JP2014203871A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9620705B2 (en) 2012-01-16 2017-04-11 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
JP2019067986A (ja) * 2017-10-04 2019-04-25 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US10921391B2 (en) 2018-08-06 2021-02-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with spacer
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001044137A (ja) * 1999-08-04 2001-02-16 Hitachi Ltd 電子装置及びその製造方法
JP2001313314A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sony Corp バンプを用いた半導体装置、その製造方法、および、バンプの形成方法
US6603191B2 (en) * 2000-05-18 2003-08-05 Casio Computer Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6632704B2 (en) * 2000-12-19 2003-10-14 Intel Corporation Molded flip chip package
JP4614584B2 (ja) * 2001-06-28 2011-01-19 三洋電機株式会社 混成集積回路装置およびその製造方法
TW585015B (en) * 2001-06-28 2004-04-21 Sanyo Electric Co Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing same
JP4614586B2 (ja) * 2001-06-28 2011-01-19 三洋電機株式会社 混成集積回路装置の製造方法
GB0128351D0 (en) 2001-11-27 2002-01-16 Koninkl Philips Electronics Nv Multi-chip module semiconductor devices
US6930556B2 (en) * 2002-03-26 2005-08-16 California Institute Of Technology Active-loop, spatially-combined amplifier
JP2003309028A (ja) * 2002-04-12 2003-10-31 Diamond Electric Mfg Co Ltd 内燃機関用点火装置
US7390845B2 (en) * 2002-07-26 2008-06-24 Illinois Tool Works Inc Sealing system and process therefor
US6758200B2 (en) * 2002-08-06 2004-07-06 Delphi Technologies, Inc. Ignition coil driver chip on printed circuit board for plughole coil housing
JP2004260135A (ja) * 2003-02-06 2004-09-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体集積装置及びその製造方法
DE10340438B4 (de) * 2003-09-02 2005-08-04 Epcos Ag Sendemodul mit verbesserter Wärmeabführung
DE102004031889B4 (de) * 2004-06-30 2012-07-12 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit einem Gehäuse und einem teilweise in eine Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2011009604A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2011100718A (ja) * 2009-10-05 2011-05-19 Yazaki Corp コネクタ
US9226428B2 (en) * 2012-06-28 2015-12-29 Intel Corporation High heat capacity electronic components and methods for fabricating
KR101933277B1 (ko) * 2016-08-30 2018-12-27 삼성에스디아이 주식회사 필름형 반도체 밀봉 부재, 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지 및 그 제조방법
US11127682B2 (en) * 2017-06-30 2021-09-21 Intel Corporation Semiconductor package having nonspherical filler particles
US10446414B2 (en) 2017-12-22 2019-10-15 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with filler particles in a mold compound
CA3042547A1 (en) 2018-05-11 2019-11-11 Campagnolo S.R.L. Bicycle crankarm provided with electric/electronic system
IT201800005297A1 (it) 2018-05-11 2019-11-11 Pedivella di bicicletta e relativa guarnitura
IT201800005302A1 (it) 2018-05-11 2019-11-11 Pedivella di bicicletta dal lato trasmissione, dotata di rilevatore di sforzi/deformazioni per un misuratore di coppia o di potenza, nonche' metodi correlati
IT201800005294A1 (it) * 2018-05-11 2019-11-11 Componente di bicicletta in materiale composito e relativo processo di fabbricazione
IT201800005299A1 (it) 2018-05-11 2019-11-11 Componente di bicicletta dotato di sensore di sforzi/deformazioni compensato in temperatura

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3737986A (en) * 1971-11-26 1973-06-12 Western Electric Co Explosive bonding of workpieces
JP2869964B2 (ja) * 1991-02-08 1999-03-10 サンケン電気株式会社 回路基板装置
CA2066497A1 (en) * 1991-05-01 1992-11-02 Michael K. Gallagher Epoxy molding composition for surface mount applications
US5557066A (en) * 1993-04-30 1996-09-17 Lsi Logic Corporation Molding compounds having a controlled thermal coefficient of expansion, and their uses in packaging electronic devices
US5508611A (en) * 1994-04-25 1996-04-16 General Motors Corporation Ultrathin magnetoresistive sensor package
US6111378A (en) * 1995-04-28 2000-08-29 Ut Automotive Dearborn, Inc. Window wiper motor system for an automotive vehicle
US5654081A (en) * 1995-07-05 1997-08-05 Ford Motor Company Integrated circuit assembly with polymeric underfill body
IT1275591B1 (it) * 1995-07-21 1997-08-06 Gkn Birfield Ag Differenziale con basso valore di bloccaggio
JPH09246300A (ja) 1996-03-12 1997-09-19 Denso Corp 半導体装置の製造方法
US6130602A (en) * 1996-05-13 2000-10-10 Micron Technology, Inc. Radio frequency data communications device
DE69705178T2 (de) * 1996-08-31 2001-09-20 Toyo Denso K.K., Tokio/Tokyo Zündspulenvorrichtung für Brennkraftmaschine
JP3384259B2 (ja) 1996-09-26 2003-03-10 株式会社デンソー 樹脂封止半導体装置
JPH10135377A (ja) * 1996-11-01 1998-05-22 Hitachi Ltd モールド型半導体装置
US5981312A (en) * 1997-06-27 1999-11-09 International Business Machines Corporation Method for injection molded flip chip encapsulation
DE69811296D1 (de) * 1997-07-11 2003-03-20 Bosch Gmbh Robert Erhöhte Haftung der Unterseitenbeschichtung von Flip-Chips
JPH1135797A (ja) * 1997-07-15 1999-02-09 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH11111543A (ja) * 1997-10-07 1999-04-23 Mitsubishi Electric Corp 内燃機関用点火コイル装置
DE69934153T2 (de) * 1998-02-02 2007-09-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verfahren zur Montage von Flip-Chip-Halbleiterbauelementen
US6085859A (en) * 1998-05-01 2000-07-11 Alderson; Mark L. Race car
JP2000031343A (ja) * 1998-07-09 2000-01-28 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置
JP3512657B2 (ja) * 1998-12-22 2004-03-31 シャープ株式会社 半導体装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030049284A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 삼성전기주식회사 플립칩 본딩용 패키지기판
JP2005162846A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR101451711B1 (ko) * 2007-03-29 2014-10-16 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 집적 회로 패키지의 다중 몰딩을 위한 방법들 및 장치
US9620705B2 (en) 2012-01-16 2017-04-11 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US10333055B2 (en) 2012-01-16 2019-06-25 Allegro Microsystems, Llc Methods for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US11444209B2 (en) 2012-03-20 2022-09-13 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil enclosed with a semiconductor die by a mold material
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10230006B2 (en) 2012-03-20 2019-03-12 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with an electromagnetic suppressor
US11961920B2 (en) 2012-03-20 2024-04-16 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package with magnet having a channel
US11828819B2 (en) 2012-03-20 2023-11-28 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US10916665B2 (en) 2012-03-20 2021-02-09 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil
US11677032B2 (en) 2012-03-20 2023-06-13 Allegro Microsystems, Llc Sensor integrated circuit with integrated coil and element in central region of mold material
JP2014203871A (ja) * 2013-04-02 2014-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
JP2019067986A (ja) * 2017-10-04 2019-04-25 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US10921391B2 (en) 2018-08-06 2021-02-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with spacer
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile

Also Published As

Publication number Publication date
DE60032192D1 (de) 2007-01-18
US6321734B1 (en) 2001-11-27
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EP1043771A2 (en) 2000-10-11
EP1043771A3 (en) 2002-08-14
DE60032192T2 (de) 2008-02-21

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