JP2011132268A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含有する非液状のエポキシ樹脂組成物において、無機充填材は最大粒径が30μm以下の無機粒子であり、硬化促進剤の含有量はエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量100質量部に対して2〜4質量部であり、硬化促進剤として2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールを含み、全硬化促進剤中の2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールの含有量は30〜50質量%である。このエポキシ樹脂組成物は充填性と密着性とに優れ、フリップチップ接続方式で基板に実装された半導体チップを一括封止するモールドアンダーフィル材として好適である。硬化促進剤としてトリフェニルホスフィンをさらに含んでもよい。
【選択図】なし
Description
(エポキシ樹脂)
・ビフェニル型エポキシ樹脂:ジャパンエポキシレジン社製の「YX4000H」(エポキシ当量195)
(硬化剤)
・フェノールアラルキル樹脂:明和化成社製の「MEH78003L」(水酸基当量168)
(無機充填材)
・シリカ粒子1:電気化学工業社製の溶融シリカ粒子「FB7SDC」(最大粒径30μm以下)
・シリカ粒子2:電気化学工業社製の溶融シリカ粒子「FB820」(最大粒径74μm以下)
・シリカ粒子3:電気化学工業社製の溶融シリカ粒子「FB975FD」(最大粒径45μm以下)
(カップリング剤)
・γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン:信越化学工業社製の「KBM403」
(離型剤)
・カルナバワックス:大日化学社製の「F1−100」
(着色剤)
・カーボンブラック:三菱化学社製の「MA600」
(硬化促進剤)
・硬化促進剤1:四国化成工業社製の「キュアゾール(登録商標)2P4MHZ−PW」(2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール)
・硬化促進剤2:北興化学社製の「TPP」(トリフェニルホスフィン)
(トランスファ成形条件)
・金型温度:175℃
・注入圧力:6.9MPa(70kgf/cm2)
・成形時間:180秒
・後硬化:175℃/6時間
(フリップチップパッケージ概要)
・パッケージサイズ:15mm×15mm
・チップサイズ:10mm×10mm
・パッドピッチ(電極ピッチ):150μm
・パッド配置(電極配置):フルアレイ
・チップ下ギャップ:60〜80μm
(狭ギャップ充填性)
用いた粉状エポキシ樹脂組成物の流動性・充填性を評価するため、超音波探査装置を用いてチップ下ギャップのボイドの有無を調べ、20個のパッケージ中、ボイドのあったパッケージの個数をカウントした。
(密着性)
パッケージの耐半田リフロー性を評価するため、アークテック社製の「ボンドテスターシリーズ4000」を用いて、半導体チップ及び基板に対する封止樹脂の密着性を測定した。
Claims (5)
- エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材及び硬化促進剤を含有する非液状のエポキシ樹脂組成物であって、
無機充填材は最大粒径が30μm以下の無機粒子であり、
硬化促進剤の含有量がエポキシ樹脂及び硬化剤の合計含有量100質量部に対して2〜4質量部であり、
硬化促進剤として2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールを含み、
全硬化促進剤中の2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールの含有量が30〜50質量%であるエポキシ樹脂組成物。 - 硬化促進剤としてトリフェニルホスフィンをさらに含み、全硬化促進剤中のトリフェニルホスフィンの含有量が50〜70質量%である請求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 無機充填材のエポキシ樹脂組成物中の含有量が80〜90質量%である請求項1又は2に記載のエポキシ樹脂組成物。
- 基板に実装された半導体チップが請求項1〜3のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物によって封止された半導体装置。
- 基板にフリップチップ接続方式で実装された半導体チップと基板との間の狭ギャップが請求項1〜3のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物によって充填され、かつ前記半導体チップが前記エポキシ樹脂組成物によって封止された半導体装置。
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