JP5069441B2 - 片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置 - Google Patents
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Description
ICIコーンプレート粘度計を用いて、上記のようにして得た半導体封止用エポキシ樹脂組成物の150℃におけるICI粘度を測定した。測定結果を下記[表2]に示す。
基板の厚さが異なる2種のBGA(ball grid array)を6個ずつ製造した。この半導体装置は、次のようにして製造した。すなわち、半導体素子としてミラーウエハーを用いると共に基板としてBT基板を用い、上記の半導体素子を基板の片面にダイアタッチフィルム(図1では図示省略)を介して搭載した後、トランスファー成形によってこれらを半導体封止用エポキシ樹脂組成物による封止樹脂で封止することによって、片面封止型の半導体装置を製造した。基板サイズ、モールドサイズ(封止樹脂サイズ)、チップサイズ、チップ数を下記[表1]に示す。なお、成形条件は、金型温度175℃、注入圧6.9MPa(70kgf/cm2)、成形時間90秒、キュアー時間90秒である。
上記のようにして得られたBGAについて、図1(a)のT4に相当する箇所を目視により観察することによって、チップ上充填性の良否を判定した。12個のBGAのうちチップ上充填性の悪いものを計数した。その結果を下記[表2]に示す。
上記のようにして得た半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、直径50mm、厚さ3.0mmのテストピースを成形し、このテストピースの成形直後の硬度(熱時硬度)をショアーD硬度計を用いて測定した。測定結果を下記[表2]に示す。
Claims (3)
- エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填材を含有する片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物において、前記エポキシ樹脂として、ビフェニル型エポキシ樹脂とビスフェノールA型エポキシ樹脂が含有されており、前記無機充填材として、シリカが前記片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物全量に対して89質量%以上含有されていると共に、150℃におけるICI粘度が0.5poise以下であり、前記片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物全量に対して2−(ジフェニルホスフィニル)ハイドロキノンが0.1〜3質量%含有されていることを特徴とする片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物。
- 前記ビフェニル型エポキシ樹脂と前記ビスフェノールA型エポキシ樹脂が55:45〜85:15の質量比で含有されていることを特徴とする請求項1に記載の片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1又は2に記載の前記片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物を用いて基板の片面に搭載された半導体素子を封止成形して成ることを特徴とする片面封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006261497A JP5069441B2 (ja) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | 片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006261497A JP5069441B2 (ja) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | 片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008081562A JP2008081562A (ja) | 2008-04-10 |
JP5069441B2 true JP5069441B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=39352749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006261497A Active JP5069441B2 (ja) | 2006-09-26 | 2006-09-26 | 片面封止型半導体装置製造用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5069441B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7429424B2 (ja) | 2020-01-14 | 2024-02-08 | 株式会社ムラコシ精工 | 引戸装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008195820A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこの樹脂組成物で封止された素子を備えた電子部品装置 |
JP2010031233A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-02-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いて半導体素子を封止して得られる片面封止型半導体装置 |
MY153000A (en) * | 2009-03-11 | 2014-12-31 | Sumitomo Bakelite Co | Resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device |
JP2014118461A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Kyocera Chemical Corp | 粉粒状半導体封止用樹脂組成物および半導体装置 |
JP6351927B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2018-07-04 | 京セラ株式会社 | 封止用樹脂組成物及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0820631A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH08188638A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置並びにその製造方法 |
JP4696372B2 (ja) * | 2001-02-14 | 2011-06-08 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2002356538A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-12-13 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP4040370B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2008-01-30 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP3982344B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2007-09-26 | 松下電工株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004140186A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Toray Ind Inc | 半導体装置の製法 |
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2006
- 2006-09-26 JP JP2006261497A patent/JP5069441B2/ja active Active
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---|---|---|---|---|
JP7429424B2 (ja) | 2020-01-14 | 2024-02-08 | 株式会社ムラコシ精工 | 引戸装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008081562A (ja) | 2008-04-10 |
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A977 | Report on retrieval |
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