JPH0820631A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JPH0820631A
JPH0820631A JP15555694A JP15555694A JPH0820631A JP H0820631 A JPH0820631 A JP H0820631A JP 15555694 A JP15555694 A JP 15555694A JP 15555694 A JP15555694 A JP 15555694A JP H0820631 A JPH0820631 A JP H0820631A
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JP
Japan
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epoxy resin
resin composition
inorganic filler
viscosity
weight
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JP15555694A
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Inventor
Koji Yuzuriha
幸治 杠
Mitsumoto Murayama
三素 村山
Toshiro Takeda
敏郎 竹田
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 (A)25℃において液状であり、かつ10
0℃での溶液粘度が0.1[Pa・s]以下である液状のエ
ポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分中、50重量%以上含有
するエポキシ樹脂、(B)少なくともフェノール性水酸
基3個を骨格中に含有する樹脂を主成分とするフェノー
ル系硬化剤、及び(C)無機充填剤、を必須成分とし、
全体の樹脂組成物に対して前記(C)無機充填剤を85
〜97重量%の割合で含有することを特徴とする半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 【効果】 本発明により得られる半導体封止用エポキシ
樹脂組成物は溶融状態において低粘度になるため、無機
充填剤の含有量を増加することが可能であり、得られる
半導体装置は熱応力が小さく、熱時強度が高いために耐
クラック性に優れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体封止用エポキシ
樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子は大型化、高集積化の
傾向が高まり、従来のエポキシ樹脂組成物で半導体を封
止した場合、チップやリードフレームと封止樹脂との線
膨張率の差によって発生する熱応力によりチップにクラ
ックが生じたり、ボンディング線が切断されるなど、半
導体部品の信頼性が低下するという問題があった。ま
た、半導体の実装の高集積化に伴い、樹脂封止半導体を
溶融半田中に浸漬したり、赤外リフロー装置などで実装
する方法がとられており、何れも200℃を超える熱処
理によってパッケージにクラックを発生させるという問
題があった。
【0003】熱応力を小さくするとともに実装時に発生
するパッケージクラックを防ぐためにシリカフィラー等
の無機充填剤の含有量を増加させ、線膨張係数を小さく
したり、熱時のパッケージ強度を高めることが有効であ
ることが知られている。特にパッケージクラックの場合
は、パッケージ自体の吸湿水分が実装時の熱処理によっ
てパッケージ内で急激に気化して発生する応力がパッケ
ージ自体の強度を超えたときにクラックが発生する。従
って無機充填剤の含有量を増加させることがパッケージ
の熱時強度を高めるだけでなく、樹脂部分が吸湿する水
分の絶対量を低下させることで実装時のパッケージクラ
ックを防止するのに役立つ(尾形正次ら,”低熱膨張性
エポキシ樹脂系成形材料”第38回熱硬化性樹脂講演討
論会,123-126(1988)、石井利昭ら,”エポキシ成形材
料の流動性に及ぼす球形充填剤の粒度分布の影響”第4
3回熱硬化性樹脂講演討論会,141-144(1993))。
【0004】しかしながら、従来半導体封止用として広
く用いられているオルソクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂とフェノールノボラック硬化剤の組み合わせに対
して、シリカフィラーの含有量を増加させていくと、成
形時の流動性が極端に低下していき、良好なパッケージ
成形品を得るにはフィラー含有量を85重量%未満に押
さえる必要があり、実装時の耐パッケージクラック性も
不充分であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決するため種々の検討の結果なされたものであり、
その目的とするところは、成形性を損なうことなく実装
時の熱履歴に対する抵抗性が高く、信頼性に優れた半導
体装置を与える封止用樹脂組成物を提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)25℃
において液状であり、かつ100℃での溶液粘度が0.
1[Pa・s]以下である液状のエポキシ樹脂をエポキシ樹
脂成分中、50重量%以上含有するエポキシ樹脂、
(B)少なくともフェノール性水酸基3個を骨格中に含
有する樹脂を主成分とするフェノール系硬化剤、及び
(C)無機充填剤、を必須成分とし、全体の樹脂組成物
に対して前記(C)無機充填剤を85〜97重量%の割
合で含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹
脂組成物である。
【0007】本発明の低粘度エポキシ樹脂は25℃にお
いて液状であり、かつ100℃での溶液粘度が0.1[P
a・s]以下である液状のエポキシ樹脂をエポキシ樹脂成
分中、50重量%以上含有するエポキシ樹脂であること
が好ましい。100℃での溶液粘度が0.1[Pa・s]以
下の低粘度のエポキシ樹脂では、フェノール系硬化剤、
無機充填剤を配合して成形材料とした際に成形時の溶融
粘度を低くすることができ無機充填剤の充填率を高める
ことができるので好ましい。エポキシ樹脂成分のうちこ
の低粘度エポキシ樹脂が50重量%未満になると、この
低粘度化、高充填化の効果が得られないので好ましくな
い。また、この低粘度エポキシの100℃の粘度が0.
1[Pa・s]を越えると、この低粘度化、高充填化の効果
が得られないので好ましくない。エポキシ樹脂成分のう
ち50重量%未満の範囲でこの低粘度エポキシ以外のエ
ポキシ樹脂を用いることができるが、これについては特
に限定されるものではない。
【0008】本発明の低粘度エポキシは100℃での溶
液粘度が0.1[Pa・s]以下であるが、このように低粘
度を維持するためには分子間の凝集力が低いことが望ま
しいが、このように分子間の凝集力が低いことは室温付
近、即ち25℃においては液状となる性質を有してい
る。従って25℃において液状であることが低粘度エポ
キシにとって好ましい。
【0009】この本発明に用いられる低粘度エポキシの
例を挙げると、ビスフェノールAのジグリシジルエーテ
ル、ビスフェノールFのジグリシジルエーテル、ビスフ
ェノールSのジグリシジルエーテル等のビスフェノール
類のジグリシジルエーテル化物、又はビスフェノール類
とエピクロルヒドリンとをNaOH存在下で反応させて
得られる分子量分布のあるエポキシ樹脂のうち、分子蒸
留等の手法を用いて低分子量成分のみを取り出して得ら
れる液状の低粘度エポキシ樹脂、2,2-ビス(3,4-エ
ポキシシクロヘキシル)プロパン、2,2-ビス[4-(2,
3-エポキシプロピル)シクロヘキシル]プロパン、ビニ
ルシクロヘキセンジオキサイド、3,4-エポキシシクロ
ヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボ
キシレート等の脂環式エポキシ樹脂等があり、これらの
エポキシ樹脂の1種または2種以上が使用される。
【0010】本発明のエポキシ樹脂組成物に用いられる
硬化剤としては、フェノール性水酸基を少なくとも3個
骨格中に含有する樹脂が主成分であることが好ましい。
フェノール性水酸基が2個以下である場合、低粘度エポ
キシ樹脂を充分に架橋、硬化させることができず、結果
として耐熱性、物理特性が低下するので好ましくない。
フェノール系硬化剤成分のうち、フェノール性水酸基を
3個以上含有する成分が50重量%以上であれば充分な
架橋、硬化反応が可能であり、耐熱性、物理特性に優れ
た硬化物を与えるので好ましい。
【0011】フェノール系硬化剤の構造については特に
限定されるものではないが例を挙げると、トリス-(4-
ヒドロキシフェニル)エタン、フェノールノボラック、
o-クレゾールノボラック、ナフトールノボラック、ポ
リビニルフェノール等に代表される3価以上のフェノー
ル類、さらにはフェノール類、ナフトール類又はビスフ
ェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、
4,4'-ビフェノール、ハイドロキノン、レゾルシン、
ナフタレンジオール等の2価フェノール類のホルムアル
デヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、p-ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、p-キシリレングリコール
等の縮合剤によって合成される多価フェノール性化合物
等である。
【0012】本発明において用いられる無機充填剤は全
体の樹脂組成物に対して85〜97重量%の割合で含有
されることが望ましい。85重量%以上になるとエポキ
シ樹脂組成物から硬化して得られる半導体自体の吸水性
が低下するとともに、パッケージの熱時強度が向上する
ために、半田接続実装時の熱履歴によってパッケージに
クラックが発生することを防ぐことが可能となる。一方
97重量%を超えると、成形時の溶融粘度が高くなり、
流動性が極端に低下して樹脂封止半導体の良好な成形品
が得られないので好ましくない。
【0013】本発明の無機充填剤は特に限定されるもの
ではないが、通常球状あるいは破砕状の溶融シリカ、結
晶シリカ等のシリカ粉末やアルミナ粉末、ガラス粉末等
を用いることができる。2種以上の充填剤の併用も可能
であることは言うまでもない。
【0014】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、硬化促進剤、難燃剤、充填材、着色剤、離型剤及
び表面処理剤が含有される。
【0015】硬化促進剤としては、例えば2-メチルイ
ミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾールなどの
イミダゾール類、2,4,6-トリス(ジメチルアミノメチ
ル)フェノール、ベンジルジメチルアミンなどのアミン
類、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、
トリス(ジメトキシフェニル)ホスフィン、トリフェニル
ホスフィン−トリフェニルボロン、テトラフェニルホス
フィン−テトラフェニルボレートなどの有機リン化合物
などが挙げられる。2種以上を併用して用いることも差
し支えない。
【0016】難燃剤としては公知の添加型、反応型何れ
も用いることが可能であるが、例を挙げると、テトラブ
ロムビスフェノールAから誘導される臭素化エポキシ樹
脂、赤リン、リン酸エステルなどのリン系難燃剤、メラ
ミン、グアニジン、メラミンシアヌレートなどの窒素系
難燃剤、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、三
酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどの無機系難燃剤
などである。必要に応じて2種以上を併用することも差
し支えない。
【0017】着色剤としては、顔料、染料などを用いる
ことができるが、通常カーボンブラックなどを用いるの
が好ましい。
【0018】離型剤としては、例えば天然ワックス、合
成ワックス、高級脂肪酸またはその金属塩類、あるいは
パラフィンなどが挙げられるが特にこれらに限定される
ものではない。
【0019】本発明に用いられる表面処理剤とは、充填
剤の表面処理剤のことであり、公知のシランカップリン
グ剤、チタネート系あるいはアルミニウム系カップリン
グ剤等を用いることができる。
【0020】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、以上述べてきたような構成とすることによって、無
機充填剤の含有量を85%以上に高めても成形時の流動
性に優れ、良好な樹脂封止型半導体を得ることが可能に
なるものである。さらにこの半導体装置のパッケージは
充填剤含有量が高いために従来のパッケージに比べて吸
湿性が小さく、また熱時強度が高いためにプリント基板
などへの実装時に加わる高温の熱履歴を受けてもパッケ
ージクラックの発生を引き起こすことなく、高信頼性の
半導体装置を提供できるものである。
【0021】
【実施例】次に本発明を実施例によりさらに詳しく説明
する。
【0022】(実施例1)油化シェルエポキシ(株)製ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂 Ep−828(0.0
6[Pa・s]/100℃,エポキシ当量:160[g/e
q])、住友デュレズ(株)製フェノール樹脂 PR−51
714(水酸基当量:103[g/eq])、平均粒径11μ
mの球状溶融シリカ粉末、平均粒径30μmの球状溶融シ
リカ粉末、平均粒径6μmの破砕溶融シリカ粉末、硬化
促進剤(トリフェニルホスフィン)、その他の添加剤を
表1に示す割合で混合した後、ミキシングロールを使っ
て90℃で10分間混練した後、冷却粉砕し、半導体封
止用樹脂組成物を調整した。この封止用樹脂組成物を1
75℃/3分間の条件でトランスファー成形し、175
℃で6時間のポストキュアーを実施し成形試験片を作製
した。
【0023】こうして得られた試験片の曲げ強度(JI
S K6911)を240℃にて測定した。また、TM
A(熱機械的試験)にて線膨張係数ならびにガラス転移
温度を測定した。さらに80pinQFPICを成形
し、ポストキュアー後85℃85%の恒温恒湿機中で吸
湿処理を24時間、72時間、168時間行った後、I
Rリフロー装置(240℃/10秒)で処理し、パッケ
ージのクラックを観察した。結果を表2に示す。
【0024】(実施例2〜4、比較例1〜6)表1に示
す割合で各材料を混合した後、実施例1と同様にして各
種物性を測定した。測定結果を表2に示す。
【0025】
【表1】
【0026】
【表2】
【0027】
【発明の効果】本発明により得られる半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物は溶融状態において低粘度になるため、
無機充填剤の含有量を増加することが可能であり、得ら
れる半導体装置は熱応力が小さく、熱時強度が高いため
に耐クラック性に優れている。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)25℃において液状であり、かつ
    100℃での溶液粘度が0.1[Pa・s]以下である液状
    のエポキシ樹脂をエポキシ樹脂成分中、50重量%以上
    含有するエポキシ樹脂、(B)少なくともフェノール性
    水酸基3個を骨格中に含有する樹脂を主成分とするフェ
    ノール系硬化剤、及び(C)無機充填剤、を必須成分と
    し、全体の樹脂組成物に対して前記(C)無機充填剤を
    85〜97重量%の割合で含有することを特徴とする半
    導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 フェノール系硬化剤成分のうち、少なく
    ともフェノール性水酸基3個を骨格中に含有する樹脂が
    50重量%以上である、請求項1記載の半導体封止用エ
    ポキシ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 硬化促進剤、難燃剤、充填材、着色剤、
    離型剤及び表面処理剤を含有する請求項1又は2記載の
    半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
JP15555694A 1994-07-07 1994-07-07 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Pending JPH0820631A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000290470A (ja) * 1999-04-05 2000-10-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2008081562A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000290470A (ja) * 1999-04-05 2000-10-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
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