JP3295629B2

JP3295629B2 - 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品

Info

Publication number: JP3295629B2
Application number: JP30510197A
Authority: JP
Inventors: 良一池沢; 一良天童; 伸介萩原
Original assignee: 日立化成工業株式会社
Priority date: 1997-10-24
Filing date: 1997-11-07
Publication date: 2002-06-24
Anticipated expiration: 2017-11-07
Also published as: JPH11189704A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体封止用エポ
キシ樹脂成形材料、特に環境対応の観点から要求される
ノンハロゲン系の電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
で、耐湿性、耐リフロークラック性、高温放置特性など
厳しい信頼性を要求されるＶＬＳＩの封止用に好適な成
形材料及びその成形材料で素子を封止した電子部品に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、トランジスタ、ＩＣなどの電
子部品封止の分野ではエポキシ樹脂成形材料が広く用い
られている。この理由としては、エポキシ樹脂が電気特
性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との接着
性などの諸特性にバランスがとれているためである。こ
れらのエポキシ樹脂成形材料の難燃化は主にテトラブロ
モビスフェノールＡのジグリシジルエーテル等のブロム
化樹脂と酸化アンチモンの組合せにより行われている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、環境保護の観点
からダイオキシンの問題に端を発し、デカブロムをはじ
めハロゲン化樹脂についても規制の動きがある。同様に
アンチモン化合物も毒性面から規制の動きがあり、電子
部品封止用エポキシ樹脂成形材料についても脱ハロゲン
化（脱ブロム化）、脱アンチモン化の要求が出てきてい
る。また、プラスチック封止ＩＣの高温放置特性にブロ
ムイオンが悪影響を及ぼすことが知られており、この観
点からもブロム化樹脂量の低減が望まれている。本発明
はかかる状況に鑑みなされたもので、脱ハロゲン化、脱
アンチモン化で、かつ高温保管特性の優れた電子部品封
止用エポキシ樹脂材料を提供しようとするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】発明者らは上記の課題を
解決するために鋭意検討を重ねた結果、特定の燐化合物
及び窒素化合物を配合することにより上記の目的を達成
しうることを見いだし、本発明を完成するに至った。

【０００５】すなわち、本発明は、（１）（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を持つエ
ポキシ樹脂、（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性
水酸基を持つ化合物、（Ｃ）次式（Ｉ）

【化５】（式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基を示し、
全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香族環を示
す。）で示される化合物、（Ｄ）窒素原子を５〜２０重
量％含有する化合物（ただし、窒素原子を１０重量％以
上含有する化合物を除く）、（Ｅ）無機充填剤を必須成
分とする成形材料であって、（Ｃ）成分と（Ｄ）成分の
含有量が、充填剤を除く配合成分の合計量に対してそれ
ぞれ、燐原子の量が０．２〜３．０重量％となる量、窒
素原子の量が０．２〜１０．０重量％となる量であり、
（Ｅ）成分の含有量が成形材料全体に対して７０重量％
以上であることを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹
脂成形材料、（２）（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を持つエ
ポキシ樹脂、（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性
水酸基を持つ化合物、（Ｃ）上記式（Ｉ）で示される化
合物、（Ｄ）窒素原子を５〜２０重量％含有する化合物
及び（Ｅ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｄ）成分が次
式（II）

【化６】（Ｒ¹は炭素数１〜４の炭化水素基を示し、Ｒ²はアミノ
基または炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、ｍ、ｎは
それぞれ１〜１０の整数を示す）で示される化合物であ
り、（Ｃ）成分と（Ｄ）成分の含有量が、充填剤（Ｅ）
を除く配合成分の合計量に対してそれぞれ、燐原子の量
が０．２〜３．０重量％となる量、窒素原子の量が０．
２〜１０．０重量％となる量であり、（Ｅ）成分の含有
量が成形材料全体に対して７０重量％以上であることを
特徴とする電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料、（３）（Ｄ）成分の化合物の軟化点が５０〜１１０℃で
ある上記（２）記載の電子部品封止用エポキシ樹脂成形
材料、（４）（Ａ）成分が下記一般式（III）

【化７】（ここで、Ｒ¹〜Ｒ⁴は水素または炭素数１〜１０の炭化
水素基を示し、互いに同一でも異なってもよい。ｎは０
〜３を示す。）のエポキシ樹脂を含むことを特徴とする
上記（１）〜（３）記載のいずれかの電子部品封止用エ
ポキシ樹脂成形材料、（５）（Ｂ）成分が下記一般式（IV）

【化８】（ここで、Ｒは水素または炭素数１〜１０の炭化水素基
で、ｎは０〜８を示す。）の化合物を含むことを特徴と
する上記（１）〜（４）記載のいずれかの電子部品封止
用エポキシ樹脂成形材料、（６）上記（１）〜（５）記載のいずれかの電子部品封
止用エポキシ樹脂成形材料により封止された素子を備え
る電子部品、である。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明において用いられる（Ａ）
成分のエポキシ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ
樹脂成形材料で一般に使用されているもので特に限定は
ないが、たとえば、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじ
めとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂
をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ビフェノール
などのジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタ
ン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒド
リンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類の共縮合樹
脂のエポキシ化物、ナフタレン環を有するエポキシ樹
脂、ナフトールアラルキル樹脂のエポキシ化物、トリメ
チロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキ
シ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過酸で酸化して
得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ
樹脂などが挙げられ、接着性、吸湿性の点からは下記一
般式（III）のビフェノール型ジエポキシ樹脂が好適で
ある。これにより耐リフロークラック性及び耐湿性に優
れた成形材料が得られる。

【化９】（ここで、Ｒ¹〜Ｒ⁴は水素または炭素数１〜１０の炭化
水素基を示し、互いに同一でも異なっていてもよい。ｎ
は０〜３を示す。）

【０００７】これを例示すると、４，４’−ビス（２，
３−エポキシプロポキシ）ビフェニルや４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹
脂、エピクロルヒドリンと４，４’−ビス（２，３−エ
ポキシプロポキシ）ビフェノールや４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラメチルビフェノールとを反応して得られるエポ
キシ樹脂等が挙げられる。中でも４，４’−ビス（２，
３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テト
ラメチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂が好ま
しい。このビフェノール型ジエポキシ樹脂は、エポキシ
樹脂全量に対し６０重量％以上使用することが好まし
い。６０重量％未満では当該エポキシ樹脂の低吸湿性、
高接着性の特長が発揮されず、耐はんだ性に対して効果
が小さいためである。これらのエポキシ樹脂を単独又は
２種類以上併用して使用することができる。

【０００８】本発明において用いられる（Ｂ）成分の１
分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物
は、エポキシ樹脂の硬化剤であり、例えばフェノール、
クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、
ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのフェノール
類又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシ
ナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒
下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、ポリパラビニ
ルフェノール樹脂、フェノール類とジメトキシパラキシ
レンから合成されるキシリレン基を有するフェノール・
アラルキル樹脂などが挙げられ、これらを単独又は２種
類以上併用して使用することができる。特に耐リフロー
性の面からは下記一般式（IV）で表されるフェノール・
アラルキル樹脂が好適である。

【化１０】（ここで、Ｒは水素または炭素数１〜１０の炭化水素基
で、ｎは０〜８を示す。）中でも下記の式（Ｖ）で示され、ｎが平均的に０〜８の
ものが好ましい。

【化１１】

【０００９】（Ａ）成分のエポキシ樹脂と（Ｂ）成分の
フェノール化合物及びその他併用するフェノール化合物
の当量比（（Ｂ）成分及びその他併用するフェノール化
合物の合計水酸基数／（Ａ）のエポキシ基数）は、特に
限定はされないが、それぞれの未反応分を少なく抑える
ために０．７〜１．３の範囲に設定することが好まし
い。

【００１０】また、エポキシ樹脂とフェノール化合物の
硬化反応を促進する硬化促進剤を必要に応じて使用する
ことができる。この硬化促進剤としては、例えば、１，
８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７など
のジアザビシクロアルケン及びその誘導体、トリエチレ
ンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノール
アミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチル
アミノメチル）フェノールなどの三級アミン類、２−メ
チルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フ
ェニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイ
ミダゾールなどのイミダゾール類、トリブチルホスフィ
ン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフ
ィンなどの有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルボレートなどのテトラ置換ホスホ
ニウム・テトラ置換ボレート、２−エチル−４−メチル
イミダゾール・テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモ
ルホリン・テトラフェニルボレートなどのテトラフェニ
ルボロン塩などがある。

【００１１】本発明において用いられる（Ｃ）成分の燐
化合物は次式（Ｉ）

【化１２】（式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基を示し、
全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香族環を示
す。）で示される化合物であり、たとえば、次の式（V
I）〜（Ｘ）

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

【化１７】で示される化合物などが上げられる。

【００１２】これらの燐化合物の添加量は、充填剤を除
く他の全配合成分に対して、燐原子の量で０．２〜３．
０重量％の範囲内であることが必要である。０．２重量
％より少ない場合は難燃効果が発揮されず、３．０重量
％を超えた場合は耐湿性の低下や、成形時にこれらの燐
化合物がしみ出し、外観を阻害する。

【００１３】本発明に用いられる（Ｄ）成分は５〜２０
重量％窒素原子を含む窒素化合物である。窒素原子の含
有量が５重量％より小さい場合は難燃性が低下し、２０
重量％より大きい場合は化合物の材料中への分散性が悪
くなり、流動性や熱時硬度等が低下する。この（Ｄ）成
分の化合物としては、特に限定するものではないが、次
式（II）

【化１８】（Ｒ¹は炭素数１〜４の炭化水素基を示し、Ｒ²はアミノ
基または炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、ｍ、ｎは
それぞれ１〜１０の整数を示す）で示される化合物が好
ましい。ここで、Ｒ²のアミノ基としては１級、２級お
よび３級アミノ基のいずれも使用できる。たとえば、１
級アミノ基としてはアミノ基、２級アミノ基としてはモ
ノメチルアミノ基、モノエチルアミノ基、モノブチルア
ミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基等、３級アミノ
基としてはジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブ
チルアミノ基等が挙げられる。Ｒ²の炭化水素基として
はたとえば、メチル基、エチル基等のアルキル基、フェ
ニル基等が挙げられる。式（II）の化合物は、フェノー
ル性水酸基を持つ化合物とトリアジン環を持つ化合物と
の共縮重合物で、次に示すｍ個の構造（１）とｎ個の構
造（２）とを骨格中にランダムに含むものである。ただ
し、Ｒ¹は炭素数１〜４の炭化水素基、Ｒ²はアミノ基ま
たは炭素数１〜１０の炭化水素基、ｍ、ｎはそれぞれ１
〜１０の整数である。

【化１９】

【化２０】

【００１４】この化合物を例示するならば、次式（XI）
〜（XVI）

【化２１】

【化２２】

【化２３】

【化２４】

【化２５】

【化２６】等が挙げられる。これらの化合物の軟化点は５０〜１１
０℃のものが好適に使用できる。５０℃より低い場合は
ブロッキング性が悪く、また成形時のボイド発生を来し
やすい。１１０℃より高い場合は材料中での分散性が悪
く、流動性や熱時硬度等が低下しがちである。より好ま
しくは７０〜１００℃である。その他の窒素化合物とし
てはメラミン誘導体、トリアジン環を有する化合物、シ
アヌル酸誘導体、イソシアヌル酸誘導体等が挙げられ
る。これらの窒素化合物は単独又は２種以上併用して使
用することができる。（Ｄ）成分の添加量は、充填剤を
除く他の全配合成分に対して、窒素原子の量で０．２〜
１０．０重量％の範囲内であることが必要である。０．
２重量％より少ない場合は難燃効果が発揮されず、１
０．０重量％を超えた場合は吸水率の増加が顕著にな
り、耐湿性の低下を生じる。好ましくは０．５〜７．０
重量％である。

【００１５】本発明においては、（Ｃ）成分の特定の燐
化合物と（Ｄ）成分の特定の窒素化合物を併用すること
で信頼性、成形性の優れたノンハロゲン、ノンアンチモ
ンの難燃性電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料を提供
するものである。燐化合物と窒素化合物の併用が難燃化
に良いことは一般的に知られているが、本発明は、特に
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料として、優れた信頼
性を発揮できる特定の燐化合物と窒素化合物の組合せ及
び量比を提供するものである。

【００１６】また、充填剤としては吸湿性低減及び強度
向上の観点から無機充填剤を用いることが必要である。
本発明における（Ｅ）成分の無機質充填剤としては、溶
融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カル
シウム、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化ホウ素、ベリ
リア、ジルコニア、などの粉体、又はこれらを球形化し
たビーズ、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、ア
ルミナなどの単結晶繊維、ガラス繊維などを１種類以上
配合して用いることができる。さらに、難燃効果のある
無機充填剤としては水酸化アルミニウム、水酸化マグネ
シウム、硼酸亜鉛などが上げられ、これらを単独または
併用して用いることもできる。無機質充填剤の配合量と
しては、吸湿性、線膨張係数の低減及び強度向上の観点
から７０重量％以上が好ましい。さらに好ましくは８０
〜９５重量％である。上記の無機充填剤の中で、線膨張
係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点
からはアルミナが好ましく、充填剤形状は成形時の流動
性及び金型摩耗性の点から球形が好ましい。

【００１７】その他の添加剤として高級脂肪酸、高級脂
肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックスなどの離型剤、カーボンブラックなどの着色剤、
エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、ビニ
ルシラン、アルキルシラン、有機チタネート、アルミニ
ウムアルコレートなどのカップリング剤などを用いるこ
とができる。

【００１８】本発明における成形材料は、各種原材料を
均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用い
ても調製できるが、一般的な手法として、所定の配合量
の原材料をミキサー等によって十分混合した後、ミキシ
ングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、
粉砕する方法を挙げることができる。

【００１９】リードフレーム、配線済みのテープキャリ
ア、配線板、ガラス、シリコンウエハなどの支持部材
に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリ
スタなどの能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイルなど
の受動素子等の素子を搭載し、必要な部分を本発明の封
止用成形材料で封止して、電子部品を製造することがで
きる。このような電子部品としては、たとえば、テープ
キャリアにバンプで接続した半導体チップを、本発明の
成形材料で封止したＴＣＰを挙げることができる。ま
た、配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤーボン
ディング、フリップチップボンディング、はんだなどで
接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サ
イリスタなどの能動素子及び／又はコンデンサ、抵抗
体、コイルなどの受動素子を、本発明の成形材料で封止
したＣＯＢモジュール、ハイブリッドＩＣ、マルチチッ
プモジュールなどを挙げることができる。電子部品を封
止する方法としては、低圧トランスファー成形法が最も
一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法
等を用いてもよい。

【００２０】

【実施例】次に実施例により本発明を説明するが、本発
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００２１】実施例１〜４エポキシ当量２００、軟化点６７℃のクレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、エポキシ当量１８８、融点１０６
℃のビフェニル骨格型エポキシ樹脂（油化シェルエポキ
シ製；エピコートＹＸ−４０００Ｈ）、水酸基当量１０
６、軟化点８３℃のフェノールノボラック樹脂、水酸基
当量１６７、軟化点７０℃のフェノール・アラルキル樹
脂（三井東圧製；ミレックスＸＬ−２２５）、トリフェ
ニルホスフィン、カルナバワックス、カーボンブラッ
ク、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、溶融シリカ及び本発明の（Ｃ）成分
として下記式（VI）の燐化合物１、本発明の（Ｄ）成分
として下記式（XI）の窒素含有量８重量％、軟化点７５
℃の窒素化合物１、下記式（XI）の窒素含有量１５重量
％、軟化点１００℃の窒素化合物２、を表１に示す重量
比で配合し、混練温度８０〜９０℃、混練時間１０分の
条件でロール混練を行い、実施例１〜４の成形材料を作
製した。

【００２２】比較例１〜８難燃剤として、本発明の（Ｃ）成分である下記式（VI）
の燐化合物１、と下記式（XI）の窒素含有量３重量％、
軟化点７０℃の窒素化合物３、下記式（XI）の窒素含有
量２２重量％、軟化点１２０℃の窒素化合物４、窒素含
有量６７重量％のメラミン、あるいは、エポキシ当量３
７５、軟化点８０℃、臭素含量４８重量％の臭素化ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂と三酸化アンチモンを組合
せて用い、実施例と同様に表１に示す配合で、比較例１
〜８の成形材料を作製した。

【００２３】

【化２７】

【化２８】

【００２４】

【表１】

【００２５】作製した合計１２種類の成形材料を、次の
各試験により評価した。（１）スパイラルフロー（流動性の指標）ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用いて成形し、流動距離を求めた。（２）耐リフロークラック性８×１０ｍｍのシリコーンチップを搭載した外形寸法２
０×１４×２ｍｍの８０ピンフラットパッケージをトラ
ンスファ成形により作製し、８５℃／８５％の条件で加
湿して所定時間毎に２４０℃／１０秒の条件でリフロー
処理を行い、クラックの有無を観察した。なお、フラッ
トパッケージは、トランスファプレスにて１８０±３
℃、６．９±０．１７ＭＰａ、９０秒の条件で成形材料
を成形し、その後１８０±５℃、５時間後硬化を行って
作製した。（３）耐湿性線幅１０μｍ、厚さ１μｍのアルミ配線を施した６×６
×０．４ｍｍのテスト用シリコーンチップを搭載した外
形寸法１９×１４×２．７ｍｍの８０ピンフラットパッ
ケージをトランスファ成形により作製し、前処理を行っ
た後、加湿して所定時間毎にアルミ配線腐食による断線
不良数を調べた。なお、フラットパッケージはトランス
ファプレスにて１８０±３℃、６．９±０．１７ＭＰ
ａ、９０秒の条件で成形材料を成形し、その後１８０±
５℃、５時間後硬化を行って作製した。前処理は８５
℃、８５％ＲＨ、７２時間の条件でフラットパッケージ
を加湿し、２１５℃、９０秒間ベーパーフェーズリフロ
ー処理を行った。その後、加湿試験は２．０２×１０５
Ｐａ、１２１℃の条件で行った。（４）高温放置特性外形サイズ５×９ｍｍで５μｍの酸化膜を有するシリコ
ンサブストレート上にライン／スペースが１０μｍのア
ルミ配線を形成したテスト素子を使用して、部分銀メッ
キを施した４２アロイのリードフレームに銀ペーストで
接続し、サーモニック型ワイヤボンダにより、２００℃
で素子のボンディングパッドとインナリードをＡｕ線に
て接続した。その後、トランスファ成形により、１６ピ
ン型ＤＩＰ（ＤｕａｌＩｎｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）
を作製し、得られた試験用ＩＣを２００℃の高温槽に保
管し、所定時間毎に取り出して導通試験を行い、不良数
を調べた。なお、試験用ＩＣは、トランスファプレスに
て１８０±３℃、６．９±０．１７ＭＰａ、９０秒の条
件で成形材料を成形し、その後１８０℃±５℃、５時間
後硬化を行って作製した。（５）難燃性厚さ１／１６インチの試験片を成形する金型を使用し、
トランスファプレスにて１８０±３℃、６．９±０．１
７ＭＰａ、９０秒の条件で成形材料を成形し、その後１
８０±５℃、５時間後硬化を行った。評価はＵＬ−９４
試験法に従った。評価結果を表２に示す。

【００２６】

【表２】

【００２７】本発明における（Ｄ）成分の窒素含有量が
本発明の限定より少ない比較例１、５では、難燃性が悪
く、ＵＬ−９４試験にてＶ−０を達成できず、Ｖ−１と
なっている。一方、窒素含有量が２０重量％を超える窒
素化合物を用いた例では、比較例２、６では流動性、耐
リフロークラック性、耐湿性が劣り、比較例３、７では
耐リフロークラック性、耐湿性、高温放置特性が劣って
いる。また（Ｃ）成分と（Ｄ）成分をともに含まない比
較例４、８では、特に高温放置特性が劣っている。

【００２８】これに対して、（Ａ）〜（Ｅ）成分を全て
含み、すなわち、難燃剤として特定の燐化合物（Ｃ）及
び窒素化合物（Ｄ）を配合し、成分含量も本発明の限定
を満たす実施例１〜４は、流動性、耐リフロークラック
性、耐湿性、高温放置特性のいずれも良好であり、難燃
性も全てＶ−０と良好である。

【００２９】

【発明の効果】本発明によって得られる電子部品封止用
エポキシ樹脂成形材料は実施例で示したようにノンハロ
ゲン、ノンアンチモンで難燃化を達成でき、これを用い
てＩＣ、ＬＳＩなどの電子部品を封止すれば成形性が良
好であり、耐湿性、高温放置特性などの信頼性に優れた
製品を得ることができ、その工業的価値は大である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (56)参考文献特開平10−182792（ＪＰ，Ａ) 特開平11−189639（ＪＰ，Ａ) 特開平10−306201（ＪＰ，Ａ) 特開平10−292122（ＪＰ，Ａ) 特開平９−235449（ＪＰ，Ａ) 特開平８−337709（ＪＰ，Ａ) 特開平９−165495（ＪＰ，Ａ) 特開平８−311164（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08L 63/00 - 63/10 C08K 5/23 C08K 5/16 - 5/3495 C08G 59/62 H01L 23/29

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基
を持つエポキシ樹脂（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を持つ
化合物（Ｃ）次式（Ｉ）で示される化合物【化１】（式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基を示し、
全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香族環を示
す。）（Ｄ）窒素原子を５〜２０重量％含有する化合物（ただ
し、窒素原子を１０重量％以上含有する化合物を除く）（Ｅ）無機充填剤を必須成分とする成形材料であって、（Ｃ）成分と
（Ｄ）成分の含有量が、充填剤（Ｅ）を除く配合成分の
合計量に対してそれぞれ、燐原子の量が０．２〜３．０
重量％となる量、窒素原子の量が０．２〜１０．０重量
％となる量であり、（Ｅ）成分の含有量が成形材料全体
に対して７０重量％以上であることを特徴とする電子部
品封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項２】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基
を持つエポキシ樹脂（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノ
ール性水酸基を持つ化合物（Ｃ）次式（Ｉ）で示される化合物【化２９】（式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基を示し、
全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香族環を示
す。）（Ｄ）窒素原子を５〜２０重量％含有する化合物（Ｅ）無機充填剤を必須成分とし、（Ｄ）成分が次式（II）で示される化
合物であり、（Ｃ）成分と（Ｄ）成分の含有量が、充填
剤（Ｅ）を除く配合成分の合計量に対してそれぞれ、燐
原子の量が０．２〜３．０重量％となる量、窒素原子の
量が０．２〜１０．０重量％となる量であり、（Ｅ）成
分の含有量が成形材料全体に対して７０重量％以上であ
ることを特徴とする電子部品封止用エポキシ樹脂成形材
料。【化２】（Ｒ¹は炭素数１〜４の炭化水素基を示し、Ｒ²はアミノ
基または炭素数１〜１０の炭化水素基を示し、ｍ、ｎは
それぞれ１〜１０の整数を示す。）
【請求項３】（Ｄ）成分の化合物の軟化点が５０〜１１
０℃である請求項２記載の電子部品封止用エポキシ樹脂
成形材料。
【請求項４】（Ａ）成分が下記一般式（III）のエポキ
シ樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜３各項記載の
電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料。【化３】（ここで、Ｒ¹〜Ｒ⁴は水素または炭素数１〜１０の炭化
水素基を示し、互いに同一でも異なってもよい。ｎは０
〜３を示す。）
【請求項５】（Ｂ）成分が下記一般式（IV）の化合物を
含むことを特徴とする請求項１〜４各項記載の電子部品
封止用エポキシ樹脂成形材料。【化４】（ここで、Ｒは水素または炭素数１〜１０の炭化水素基
で、ｎは０〜８を示す。）
【請求項６】請求項１〜５各項記載のいずれかの電子部
品封止用エポキシ樹脂成形材料により封止された素子を
備える電子部品。