JP2003327667A - 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2003327667A JP2003327667A JP2002113690A JP2002113690A JP2003327667A JP 2003327667 A JP2003327667 A JP 2003327667A JP 2002113690 A JP2002113690 A JP 2002113690A JP 2002113690 A JP2002113690 A JP 2002113690A JP 2003327667 A JP2003327667 A JP 2003327667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- molding material
- resin molding
- group
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノンハロゲンかつノンアンチモンで難燃性を
有し、流動性、信頼性に優れる薄型、多ピン、ロングワ
イヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に半導体チップ
が配置された半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材
料及びそれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を
含有し、さらに（Ｃ）複合金属水酸化物を含有する、
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用
いる封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である、
（ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である、（ｃ）ワ
イヤー長が２ｍｍ以上である、（ｄ）半導体チップ上の
パッドピッチが９０μｍ以下である、（ｅ）実装基板上
に半導体チップが配置され、パッケージ厚が２ｍｍ以下
である、（ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上で
ある
有し、流動性、信頼性に優れる薄型、多ピン、ロングワ
イヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に半導体チップ
が配置された半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材
料及びそれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を
含有し、さらに（Ｃ）複合金属水酸化物を含有する、
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用
いる封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である、
（ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である、（ｃ）ワ
イヤー長が２ｍｍ以上である、（ｄ）半導体チップ上の
パッドピッチが９０μｍ以下である、（ｅ）実装基板上
に半導体チップが配置され、パッケージ厚が２ｍｍ以下
である、（ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上で
ある
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、封止用エポキシ樹
脂成形材料、特に環境対応の観点から要求されるノンハ
ロゲンかつノンアンチモンで難燃性を有し、かつ薄型、
多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ、実装基板上
に半導体チップが配置された薄型の半導体装置に好適な
流動性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれに
より封止された、ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良や
リフロー時の不良の発生が少ない、薄型、多ピン、ロン
グワイヤー、狭パッドピッチ、実装基板上に半導体チッ
プが配置された薄型の半導体装置に関する。
脂成形材料、特に環境対応の観点から要求されるノンハ
ロゲンかつノンアンチモンで難燃性を有し、かつ薄型、
多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ、実装基板上
に半導体チップが配置された薄型の半導体装置に好適な
流動性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれに
より封止された、ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良や
リフロー時の不良の発生が少ない、薄型、多ピン、ロン
グワイヤー、狭パッドピッチ、実装基板上に半導体チッ
プが配置された薄型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、トランジスタ、ＩＣ等の電子
部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面か
ら樹脂封止が主流となり、エポキシ樹脂成形材料が広く
用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂が電
気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との
接着性などの諸特性にバランスがとれているためであ
る。これらの封止用エポキシ樹脂成形材料の難燃化は主
にテトラブロモビスフェノールＡのジグリシジルエーテ
ル等のブロム化樹脂と酸化アンチモンの組合せにより行
われている。近年、環境保護の観点からダイオキシン問
題に端を発し、デカブロムをはじめとするハロゲン化樹
脂やアンチモン化合物に量規制の動きがあり、封止用エ
ポキシ樹脂成形材料についてもノンハロゲン化（ノンブ
ロム化）及びノンアンチモン化の要求が出てきている。
また、プラスチック封止ＩＣの高温放置特性にブロム化
合物が悪影響を及ぼすことが知られており、この観点か
らもブロム化樹脂量の低減が望まれている。そこで、ブ
ロム化樹脂や酸化アンチモンを用いずに難燃化を達成す
る手法としては、赤リンを用いる方法（特開平９−２２
７７６５号公報）、リン酸エステル化合物を用いる方法
（特開平９−２３５４４９号公報）、ホスファゼン化合
物を用いる方法（特開平８−２２５７１４号公報）、金
属水酸化物を用いる方法（特開平９−２４１４８３号公
報）、金属水酸化物と金属酸化物を併用する方法（特開
平９−１００３３７号公報）、フェロセン等のシクロペ
ンタジエニル化合物（特開平１１-２６９３４９号公
報）、アセチルアセトナート銅（加藤寛、機能材料、１
１（６）、３４（１９９１））等の有機金属化合物を用
いる方法などのハロゲン、アンチモン以外の難燃剤を用
いる方法、充填剤の割合を高くする方法（特開平７−８
２３４３号公報）等が試みられている。また近年、電子
部品のプリント配線板への高密度実装化が進んでいる。
これに伴い、半導体装置は従来のピン挿入型のパッケー
ジから、表面実装型のパッケージが主流になっている。
表面実装型のＩＣ、ＬＳＩなどは、実装密度を高くし実
装高さを低くするために、薄型、小型のパッケージにな
っており、素子のパッケージに対する占有体積が大きく
なり、パッケージの肉厚は非常に薄くなってきた。また
素子の多機能化、大容量化によって、チップ面積の増
大、多ピン化が進み、さらにはパッド（電極）数の増大
によって、パッドピッチの縮小化とパッド寸法の縮小
化、いわゆる狭パッドピッチ化も進んでいる。また、さ
らなる小型軽量化に対応すべく、パッケージの形態もＱ
ＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline P
ackage）といったものから、より多ピン化に対応しやす
く、かつより高密度実装が可能なＣＳＰ（Chip Size Pa
ckage）やＢＧＡ（Ball Grid Array）へ移行しつつあ
る。これらのパッケージは近年、高速化、多機能化を実
現するために、フェースダウン型、積層（スタックド）
型、フリップチップ型、ウェハーレベル型等、新しい構
造のものが開発されている。この中で、積層（スタック
ド）型はパッケージ内部に複数のチップを積み重ねてワ
イヤーボンディングで接続する構造であり、機能の異な
る複数のチップを一つのパッケージに搭載可能であるた
め、多機能化が可能となる。さらには、ＣＳＰやＢＧＡ
を作製する際の樹脂封止工程も従来の１チップ１キャビ
ティの封止方法に変わって、複数のチップを１キャビテ
ィで封止する、いわゆる一括モールド型の封止方法が開
発され、生産効率の向上、低コスト化が図られている。
一方、封止材には、半導体装置をプリント基板へ表面実
装する際の懸案事項である耐リフロー性や、実装後の信
頼性として要求される温度サイクル性等を高いレベルで
クリアすることが求められ、樹脂粘度の低減とこれによ
る充填剤の高充填化によって封止材に低吸湿化と低膨張
化を付与し対応を図ってきた。
部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面か
ら樹脂封止が主流となり、エポキシ樹脂成形材料が広く
用いられている。この理由としては、エポキシ樹脂が電
気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との
接着性などの諸特性にバランスがとれているためであ
る。これらの封止用エポキシ樹脂成形材料の難燃化は主
にテトラブロモビスフェノールＡのジグリシジルエーテ
ル等のブロム化樹脂と酸化アンチモンの組合せにより行
われている。近年、環境保護の観点からダイオキシン問
題に端を発し、デカブロムをはじめとするハロゲン化樹
脂やアンチモン化合物に量規制の動きがあり、封止用エ
ポキシ樹脂成形材料についてもノンハロゲン化（ノンブ
ロム化）及びノンアンチモン化の要求が出てきている。
また、プラスチック封止ＩＣの高温放置特性にブロム化
合物が悪影響を及ぼすことが知られており、この観点か
らもブロム化樹脂量の低減が望まれている。そこで、ブ
ロム化樹脂や酸化アンチモンを用いずに難燃化を達成す
る手法としては、赤リンを用いる方法（特開平９−２２
７７６５号公報）、リン酸エステル化合物を用いる方法
（特開平９−２３５４４９号公報）、ホスファゼン化合
物を用いる方法（特開平８−２２５７１４号公報）、金
属水酸化物を用いる方法（特開平９−２４１４８３号公
報）、金属水酸化物と金属酸化物を併用する方法（特開
平９−１００３３７号公報）、フェロセン等のシクロペ
ンタジエニル化合物（特開平１１-２６９３４９号公
報）、アセチルアセトナート銅（加藤寛、機能材料、１
１（６）、３４（１９９１））等の有機金属化合物を用
いる方法などのハロゲン、アンチモン以外の難燃剤を用
いる方法、充填剤の割合を高くする方法（特開平７−８
２３４３号公報）等が試みられている。また近年、電子
部品のプリント配線板への高密度実装化が進んでいる。
これに伴い、半導体装置は従来のピン挿入型のパッケー
ジから、表面実装型のパッケージが主流になっている。
表面実装型のＩＣ、ＬＳＩなどは、実装密度を高くし実
装高さを低くするために、薄型、小型のパッケージにな
っており、素子のパッケージに対する占有体積が大きく
なり、パッケージの肉厚は非常に薄くなってきた。また
素子の多機能化、大容量化によって、チップ面積の増
大、多ピン化が進み、さらにはパッド（電極）数の増大
によって、パッドピッチの縮小化とパッド寸法の縮小
化、いわゆる狭パッドピッチ化も進んでいる。また、さ
らなる小型軽量化に対応すべく、パッケージの形態もＱ
ＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline P
ackage）といったものから、より多ピン化に対応しやす
く、かつより高密度実装が可能なＣＳＰ（Chip Size Pa
ckage）やＢＧＡ（Ball Grid Array）へ移行しつつあ
る。これらのパッケージは近年、高速化、多機能化を実
現するために、フェースダウン型、積層（スタックド）
型、フリップチップ型、ウェハーレベル型等、新しい構
造のものが開発されている。この中で、積層（スタック
ド）型はパッケージ内部に複数のチップを積み重ねてワ
イヤーボンディングで接続する構造であり、機能の異な
る複数のチップを一つのパッケージに搭載可能であるた
め、多機能化が可能となる。さらには、ＣＳＰやＢＧＡ
を作製する際の樹脂封止工程も従来の１チップ１キャビ
ティの封止方法に変わって、複数のチップを１キャビテ
ィで封止する、いわゆる一括モールド型の封止方法が開
発され、生産効率の向上、低コスト化が図られている。
一方、封止材には、半導体装置をプリント基板へ表面実
装する際の懸案事項である耐リフロー性や、実装後の信
頼性として要求される温度サイクル性等を高いレベルで
クリアすることが求められ、樹脂粘度の低減とこれによ
る充填剤の高充填化によって封止材に低吸湿化と低膨張
化を付与し対応を図ってきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ノンハロゲン、ノンア
ンチモンにて難燃化を図る手法として封止用エポキシ樹
脂成形材料に赤リンを用いた場合は耐湿性の低下の問
題、リン酸エステル化合物やホスファゼン化合物を用い
た場合は可塑化による成形性の低下や耐湿性の低下の問
題、金属水酸化物を用いた場合は流動性や金型離型性の
低下の問題、金属酸化物を用いた場合や、充填剤の割合
を高くした場合は流動性の低下の問題がそれぞれある。
また、アセチルアセトナート銅等の有機金属化合物を用
いた場合は、硬化反応を阻害し成形性が低下する問題が
ある。以上のようにこれらノンハロゲン、ノンアンチモ
ン系の難燃剤では、いずれの場合もブロム化樹脂と酸化
アンチモンを併用した封止用エポキシ樹脂成形材料と同
等の成形性、信頼性及び安全性を得るに至っていない。
また、従来の封止材では、ワイヤー流れやボイドといっ
た成形不良が多発し、薄型化、チップの大面積化、多ピ
ン化、狭パッドピッチ化等に対応した半導体装置の製造
が困難であった。これに対応すべく、封止材にはさらな
る樹脂粘度の低減や充填剤組成の変更等による改善が試
みられているが、未だ充分な結果を得てはいない。さら
にはロングワイヤー化となる積層（スタックド）型ＣＳ
Ｐやキャビティ体積の大きい一括モールド対応の半導体
装置では、さらに厳しい流動特性が封止材には求められ
てくる。
ンチモンにて難燃化を図る手法として封止用エポキシ樹
脂成形材料に赤リンを用いた場合は耐湿性の低下の問
題、リン酸エステル化合物やホスファゼン化合物を用い
た場合は可塑化による成形性の低下や耐湿性の低下の問
題、金属水酸化物を用いた場合は流動性や金型離型性の
低下の問題、金属酸化物を用いた場合や、充填剤の割合
を高くした場合は流動性の低下の問題がそれぞれある。
また、アセチルアセトナート銅等の有機金属化合物を用
いた場合は、硬化反応を阻害し成形性が低下する問題が
ある。以上のようにこれらノンハロゲン、ノンアンチモ
ン系の難燃剤では、いずれの場合もブロム化樹脂と酸化
アンチモンを併用した封止用エポキシ樹脂成形材料と同
等の成形性、信頼性及び安全性を得るに至っていない。
また、従来の封止材では、ワイヤー流れやボイドといっ
た成形不良が多発し、薄型化、チップの大面積化、多ピ
ン化、狭パッドピッチ化等に対応した半導体装置の製造
が困難であった。これに対応すべく、封止材にはさらな
る樹脂粘度の低減や充填剤組成の変更等による改善が試
みられているが、未だ充分な結果を得てはいない。さら
にはロングワイヤー化となる積層（スタックド）型ＣＳ
Ｐやキャビティ体積の大きい一括モールド対応の半導体
装置では、さらに厳しい流動特性が封止材には求められ
てくる。
【０００４】従って、本発明の目的は、ノンハロゲンか
つノンアンチモンで難燃性が良好で、流動性、信頼性に
優れる半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材料、及
びこれにより封止されたワイヤー流れ、ボイド等の成形
不良の発生やリフロー時の不良の発生が少ない半導体装
置を提供しようとするものである。１つの好適な態様に
おいて、本発明によれば、薄型、多ピン、ロングワイヤ
ー、狭パッドピッチ、又は有機基板もしくは有機フィル
ム等の実装基板上に半導体チップが配置された半導体装
置の封止に適した封止用エポキシ樹脂成形材料が提供さ
れる。他の好適な態様において、本発明によれば、前記
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料により封止さ
れた、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッ
チ、又は有機基板もしくは有機フィルム等の実装基板上
に半導体チップが配置された半導体装置が提供される。
つノンアンチモンで難燃性が良好で、流動性、信頼性に
優れる半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材料、及
びこれにより封止されたワイヤー流れ、ボイド等の成形
不良の発生やリフロー時の不良の発生が少ない半導体装
置を提供しようとするものである。１つの好適な態様に
おいて、本発明によれば、薄型、多ピン、ロングワイヤ
ー、狭パッドピッチ、又は有機基板もしくは有機フィル
ム等の実装基板上に半導体チップが配置された半導体装
置の封止に適した封止用エポキシ樹脂成形材料が提供さ
れる。他の好適な態様において、本発明によれば、前記
本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料により封止さ
れた、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッ
チ、又は有機基板もしくは有機フィルム等の実装基板上
に半導体チップが配置された半導体装置が提供される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者らは上記の課題を
解決するために鋭意検討を重ねた結果、複合金属水酸化
物を必須成分とする、特定の半導体装置用の封止用エポ
キシ樹脂成形材料及びこれにより封止された半導体装置
により上記の目的を達成しうることを見い出し、本発明
を完成するに至った。すなわち、本発明は以下に関す
る。 １． （Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含有し、
さらに（Ｃ）複合金属水酸化物を含有する、（ａ）〜
（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用いる封止
用エポキシ樹脂成形材料。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である ２． 円板フローが８０ｍｍ以上である前記１記載の封
止用エポキシ樹脂成形材料。 ３． 半導体装置がスタックド型パッケージである前記
１又は２のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 ４． 半導体装置が一括モールド型パッケージである前
記１〜３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 ５． （Ｃ）複合金属水酸化物が下記組成式（Ｉ）で示
される化合物である前記１〜４のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料。 ｐ(Ｍ1aＯb)・ｑ(Ｍ2cＯd)・ｒ(Ｍ3cＯd)・ｍＨ2Ｏ （Ｉ） （ここで、Ｍ1、Ｍ2及びＭ3は互いに異なる金属元素を
示し、a、b、c、d、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は
正の数を示す。） ６． 組成式（Ｉ）中のＭ1とＭ2が同一とならないよう
にＭ1が第３周期の金属元素、IIＡ族のアルカリ土類金
属元素、IVＢ族、IIＢ族、VIII族、ＩＢ族、IIIＡ族及
びIVＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ2がIIIＢ〜II
Ｂ族の遷移金属元素から選ばれる前記５に記載の封止用
エポキシ樹脂成形材料。 ７． 組成式（Ｉ）中のＭ1とＭ2が同一とならないよう
にＭ1がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、ス
ズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から
選ばれ、Ｍ2が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛か
ら選ばれる前記６に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 ８. 組成式（Ｉ）中のＭ1がマグネシウムで、Ｍ2が亜
鉛又はニッケルである前記７に記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料。 ９． 組成式（Ｉ）中、ｒ＝０で、ｐ及びｑのモル比ｐ
／ｑが９９／１〜５０／５０である前記５〜８のいずれ
かに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １０. （Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリン
グ剤をさらに含有する前記１〜９のいずれかに記載の封
止用エポキシ樹脂成形材料。 １１． ２級アミノ基を有するシランカップリング剤が
下記一般式（II）で示される化合物を含有する前記１０
に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
解決するために鋭意検討を重ねた結果、複合金属水酸化
物を必須成分とする、特定の半導体装置用の封止用エポ
キシ樹脂成形材料及びこれにより封止された半導体装置
により上記の目的を達成しうることを見い出し、本発明
を完成するに至った。すなわち、本発明は以下に関す
る。 １． （Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含有し、
さらに（Ｃ）複合金属水酸化物を含有する、（ａ）〜
（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用いる封止
用エポキシ樹脂成形材料。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である ２． 円板フローが８０ｍｍ以上である前記１記載の封
止用エポキシ樹脂成形材料。 ３． 半導体装置がスタックド型パッケージである前記
１又は２のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 ４． 半導体装置が一括モールド型パッケージである前
記１〜３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 ５． （Ｃ）複合金属水酸化物が下記組成式（Ｉ）で示
される化合物である前記１〜４のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料。 ｐ(Ｍ1aＯb)・ｑ(Ｍ2cＯd)・ｒ(Ｍ3cＯd)・ｍＨ2Ｏ （Ｉ） （ここで、Ｍ1、Ｍ2及びＭ3は互いに異なる金属元素を
示し、a、b、c、d、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は
正の数を示す。） ６． 組成式（Ｉ）中のＭ1とＭ2が同一とならないよう
にＭ1が第３周期の金属元素、IIＡ族のアルカリ土類金
属元素、IVＢ族、IIＢ族、VIII族、ＩＢ族、IIIＡ族及
びIVＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ2がIIIＢ〜II
Ｂ族の遷移金属元素から選ばれる前記５に記載の封止用
エポキシ樹脂成形材料。 ７． 組成式（Ｉ）中のＭ1とＭ2が同一とならないよう
にＭ1がマグネシウム、カルシウム、アルミニウム、ス
ズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から
選ばれ、Ｍ2が鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛か
ら選ばれる前記６に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 ８. 組成式（Ｉ）中のＭ1がマグネシウムで、Ｍ2が亜
鉛又はニッケルである前記７に記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料。 ９． 組成式（Ｉ）中、ｒ＝０で、ｐ及びｑのモル比ｐ
／ｑが９９／１〜５０／５０である前記５〜８のいずれ
かに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １０. （Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリン
グ剤をさらに含有する前記１〜９のいずれかに記載の封
止用エポキシ樹脂成形材料。 １１． ２級アミノ基を有するシランカップリング剤が
下記一般式（II）で示される化合物を含有する前記１０
に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化３】
（ここで、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） １２． （Ｅ）リン酸エステルをさらに含有する前記１
〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 １３． （Ｅ）リン酸エステルが下記一般式（III）で
示される化合物を含有する前記１２に記載の封止用エポ
キシ樹脂成形材料。
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） １２． （Ｅ）リン酸エステルをさらに含有する前記１
〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 １３． （Ｅ）リン酸エステルが下記一般式（III）で
示される化合物を含有する前記１２に記載の封止用エポ
キシ樹脂成形材料。
【化４】
（ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） １４． （Ａ）エポキシ樹脂の１５０℃における溶融粘
度が２ポイズ以下である前記１〜１３のいずれかに記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １５． （Ａ）エポキシ樹脂がビフェニル型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エ
ポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、
ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エ
ポキシ樹脂の少なくとも１種を含有する前記１〜１４の
いずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １６． （Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融粘度が２
ポイズ以下である前記１〜１５のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料。 １７． （Ｂ）硬化剤がビフェニル型フェノール樹脂、
アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型
フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂
及びノボラック型フェノール樹脂の少なくとも１種を含
有する前記１〜１６のいずれかに記載の封止用エポキシ
樹脂成形材料。 １８． （Ｆ）無機充填剤をさらに含有する前記１〜１
７のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １９． （Ｇ）硬化促進剤をさらに含有する前記１〜１
８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 ２０． 前記１〜１９のいずれかに記載の封止用エポキ
シ樹脂成形材料により封止された半導体装置。 ２１． 以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える
上記２０に記載の半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） １４． （Ａ）エポキシ樹脂の１５０℃における溶融粘
度が２ポイズ以下である前記１〜１３のいずれかに記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １５． （Ａ）エポキシ樹脂がビフェニル型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エ
ポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、
ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エ
ポキシ樹脂の少なくとも１種を含有する前記１〜１４の
いずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １６． （Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融粘度が２
ポイズ以下である前記１〜１５のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料。 １７． （Ｂ）硬化剤がビフェニル型フェノール樹脂、
アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型
フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂
及びノボラック型フェノール樹脂の少なくとも１種を含
有する前記１〜１６のいずれかに記載の封止用エポキシ
樹脂成形材料。 １８． （Ｆ）無機充填剤をさらに含有する前記１〜１
７のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 １９． （Ｇ）硬化促進剤をさらに含有する前記１〜１
８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 ２０． 前記１〜１９のいずれかに記載の封止用エポキ
シ樹脂成形材料により封止された半導体装置。 ２１． 以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える
上記２０に記載の半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である
【０００６】さらに本願は以下の発明にも関する。
２２． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）、
（２）又は（３）の組み合わせで備える半導体装置に用
いるための前記２に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （１）構成（ａ）及び（ｃ）〜（ｆ）から選ばれる1以
上 （２）構成（ａ）又は（ｅ） （３）構成（ａ）とその他の構成（ｂ）〜（ｆ）から選
ばれる1以上 ２３． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（３）のいずれかの組み合わせで備える半導体装置に用
いるための前記２に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （１）構成（ｂ）及び（ｃ） （２）構成（ｂ）及び（ｄ） （３）構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ） ２４． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（９）のいずれかの組み合わせで備える半導体装置に用
いるための前記２に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （１）構成（ａ）及び（ｂ） （２）構成（ａ）及び（ｃ） （３）構成（ａ）及び（ｄ） （４）構成（ａ）及び（ｆ） （５）構成（ｃ）及び（ｅ） （６）構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ） （７）構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ） （８）構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ） （９）構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ） ２５． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の１又は２の
組み合わせで備える前記２１に記載の半導体装置。 （１）構成（ａ）又は（ｅ） （２）構成（ａ）とその他の構成（ｂ）〜（ｆ）から選
ばれる１以上 ２６． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（３）のいずれかの組み合わせで備える前記２１に記載
の半導体装置。 （１）構成（ｂ）及び（ｃ） （２）構成（ｂ）及び（ｄ） （３）構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ） ２７． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（９）のいずれかの組み合わせで備える前記２１に記載
の半導体装置。 （１）構成（ａ）及び（ｂ） （２）構成（ａ）及び（ｃ） （３）構成（ａ）及び（ｄ） （４）構成（ａ）及び（ｆ） （５）構成（ｃ）及び（ｅ） （６）構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ） （７）構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ） （８）構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ） （９）構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）
（２）又は（３）の組み合わせで備える半導体装置に用
いるための前記２に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （１）構成（ａ）及び（ｃ）〜（ｆ）から選ばれる1以
上 （２）構成（ａ）又は（ｅ） （３）構成（ａ）とその他の構成（ｂ）〜（ｆ）から選
ばれる1以上 ２３． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（３）のいずれかの組み合わせで備える半導体装置に用
いるための前記２に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （１）構成（ｂ）及び（ｃ） （２）構成（ｂ）及び（ｄ） （３）構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ） ２４． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（９）のいずれかの組み合わせで備える半導体装置に用
いるための前記２に記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （１）構成（ａ）及び（ｂ） （２）構成（ａ）及び（ｃ） （３）構成（ａ）及び（ｄ） （４）構成（ａ）及び（ｆ） （５）構成（ｃ）及び（ｅ） （６）構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ） （７）構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ） （８）構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ） （９）構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ） ２５． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の１又は２の
組み合わせで備える前記２１に記載の半導体装置。 （１）構成（ａ）又は（ｅ） （２）構成（ａ）とその他の構成（ｂ）〜（ｆ）から選
ばれる１以上 ２６． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（３）のいずれかの組み合わせで備える前記２１に記載
の半導体装置。 （１）構成（ｂ）及び（ｃ） （２）構成（ｂ）及び（ｄ） （３）構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ） ２７． 前記（ａ）〜（ｆ）の構成を以下の（１）〜
（９）のいずれかの組み合わせで備える前記２１に記載
の半導体装置。 （１）構成（ａ）及び（ｂ） （２）構成（ａ）及び（ｃ） （３）構成（ａ）及び（ｄ） （４）構成（ａ）及び（ｆ） （５）構成（ｃ）及び（ｅ） （６）構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ） （７）構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ） （８）構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ） （９）構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる（Ａ）
エポキシ樹脂は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に
使用されているもので特に制限はないが、たとえば、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格を
有するエポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾ
ール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／
又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナ
フタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセト
アルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合
物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボ
ラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換又
は非置換のビフェノール等のジグリシジルエーテル、ス
チルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹
脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒ
ドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸
等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得ら
れるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエンとフェノ−ル類の共縮合樹脂のエポキシ化物、ナ
フタレン環を有するエポキシ樹脂、フェノール・アラル
キル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル
型フェノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロ
パン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレ
フィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂
肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、硫黄原子含有
エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても
２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、耐リ
フロー性の観点からはビフェニル型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹
脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂が好ましく、硬化性の
観点からはノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、低吸
湿性の観点からはジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
が好ましく、耐熱性及び低反り性の観点からはナフタレ
ン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹
脂が好ましく、これらのエポキシ樹脂の少なくとも１種
を含有していることが好ましい。
エポキシ樹脂は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に
使用されているもので特に制限はないが、たとえば、フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格を
有するエポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾ
ール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフ
ェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／
又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナ
フタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセト
アルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合
物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボ
ラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換又
は非置換のビフェノール等のジグリシジルエーテル、ス
チルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹
脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒ
ドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポ
キシ樹脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸
等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得ら
れるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエンとフェノ−ル類の共縮合樹脂のエポキシ化物、ナ
フタレン環を有するエポキシ樹脂、フェノール・アラル
キル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル
型フェノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロ
パン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレ
フィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂
肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、硫黄原子含有
エポキシ樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても
２種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、耐リ
フロー性の観点からはビフェニル型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹
脂及び硫黄原子含有エポキシ樹脂が好ましく、硬化性の
観点からはノボラック型エポキシ樹脂が好ましく、低吸
湿性の観点からはジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂
が好ましく、耐熱性及び低反り性の観点からはナフタレ
ン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹
脂が好ましく、これらのエポキシ樹脂の少なくとも１種
を含有していることが好ましい。
【０００８】ビフェニル型エポキシ樹脂としてはたとえ
ば下記一般式（IV）で示されるエポキシ樹脂等が挙げら
れ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としてはたとえば
下記一般式（V）で示されるエポキシ樹脂等が挙げら
れ、スチルベン型エポキシ樹脂としてはたとえば下記一
般式（VI）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ、硫黄
原子含有エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（VI
I）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
ば下記一般式（IV）で示されるエポキシ樹脂等が挙げら
れ、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としてはたとえば
下記一般式（V）で示されるエポキシ樹脂等が挙げら
れ、スチルベン型エポキシ樹脂としてはたとえば下記一
般式（VI）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ、硫黄
原子含有エポキシ樹脂としてはたとえば下記一般式（VI
I）で示されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【化５】
（ここで、Ｒ1〜Ｒ8は水素原子及び炭素数１〜１０の置
換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
一でも異なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示
す。）
換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
一でも異なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示
す。）
【化６】
（ここで、Ｒ1〜Ｒ8は水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６〜
１０のアリール基、及び炭素数６〜１０のアラルキル基
から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは
０〜３の整数を示す。）
キル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６〜
１０のアリール基、及び炭素数６〜１０のアラルキル基
から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは
０〜３の整数を示す。）
【化７】
（ここで、Ｒ1〜Ｒ8は水素原子及び炭素数１〜５の置換
又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一
でも異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数を示
す。）
又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同一
でも異なっていてもよい。ｎは０〜１０の整数を示
す。）
【化８】
（ここで、Ｒ1〜Ｒ8は水素原子、置換又は非置換の炭素
数１〜１０のアルキル基及び置換又は非置換の炭素数１
〜１０のアルコキシ基から選ばれ、全てが同一でも異な
っていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。） 上記一般式（IV）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂
としては、たとえば、４，４’−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３
−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピク
ロルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−
（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールと
を反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。な
かでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成
分とするエポキシ樹脂が好ましい。上記一般式（V）で
示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂はとしては、
例えば、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6及びＲ8がメチル基で、Ｒ2、
Ｒ4、Ｒ5及びＲ7が水素原子であり、ｎ＝０を主成分と
するＹＳＬＶ−８０ＸＹ（新日鉄化学株式会社製商品
名）が市販品として入手可能である。上記一般式（VI）
で示されるスチルベン型エポキシ樹脂は、原料であるス
チルベン系フェノール類とエピクロルヒドリンとを塩基
性物質存在下で反応させて得ることができる。この原料
であるスチルベン系フェノール類としては、たとえば３
−ｔ−ブチル−４，４′−ジヒドロキシ−３′，５，
５′−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，
４′−ジヒドロキシ−３′，５′，６−トリメチルスチ
ルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’
−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジメチルスチル
ベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブ
チル−６，６’−ジメチルスチルベン等が挙げられ、な
かでも３−ｔ−ブチル−４，４′−ジヒドロキシ−
３′，５，５′−トリメチルスチルベン、及び４，４’
−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルス
チルベンが好ましい。これらのスチルベン型フェノール
類は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。上記一般式（VII）で示される硫黄原子含有エポキ
シ樹脂のなかでも、Ｒ2、Ｒ 3、Ｒ6及びＲ7が水素原子
で、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5及びＲ8がアルキル基であるエポキシ
樹脂が好ましく、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6及びＲ7が水素原子で、
Ｒ1及びＲ8がｔ−ブチル基で、Ｒ4及びＲ5がメチル基で
あるエポキシ樹脂がより好ましい。このような化合物と
しては、ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ(新日鐵化学社製)等が市
販品として入手可能である。これらのエポキシ樹脂はい
ずれか１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用い
てもよいが、その配合量は、その性能を発揮するために
エポキシ樹脂全量に対して合わせて２０重量％以上とす
ることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５
０重量％以上とすることがさらに好ましい。
数１〜１０のアルキル基及び置換又は非置換の炭素数１
〜１０のアルコキシ基から選ばれ、全てが同一でも異な
っていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。） 上記一般式（IV）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂
としては、たとえば、４，４’−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３
−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラ
メチルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピク
ロルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−
（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールと
を反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。な
かでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成
分とするエポキシ樹脂が好ましい。上記一般式（V）で
示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂はとしては、
例えば、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6及びＲ8がメチル基で、Ｒ2、
Ｒ4、Ｒ5及びＲ7が水素原子であり、ｎ＝０を主成分と
するＹＳＬＶ−８０ＸＹ（新日鉄化学株式会社製商品
名）が市販品として入手可能である。上記一般式（VI）
で示されるスチルベン型エポキシ樹脂は、原料であるス
チルベン系フェノール類とエピクロルヒドリンとを塩基
性物質存在下で反応させて得ることができる。この原料
であるスチルベン系フェノール類としては、たとえば３
−ｔ−ブチル−４，４′−ジヒドロキシ−３′，５，
５′−トリメチルスチルベン、３−ｔ−ブチル−４，
４′−ジヒドロキシ−３′，５′，６−トリメチルスチ
ルベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’
−テトラメチルスチルベン、４，４’−ジヒドロキシ−
３，３’−ジ−ｔ−ブチル−５，５’−ジメチルスチル
ベン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジ−ｔ−ブ
チル−６，６’−ジメチルスチルベン等が挙げられ、な
かでも３−ｔ−ブチル−４，４′−ジヒドロキシ−
３′，５，５′−トリメチルスチルベン、及び４，４’
−ジヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルス
チルベンが好ましい。これらのスチルベン型フェノール
類は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。上記一般式（VII）で示される硫黄原子含有エポキ
シ樹脂のなかでも、Ｒ2、Ｒ 3、Ｒ6及びＲ7が水素原子
で、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5及びＲ8がアルキル基であるエポキシ
樹脂が好ましく、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6及びＲ7が水素原子で、
Ｒ1及びＲ8がｔ−ブチル基で、Ｒ4及びＲ5がメチル基で
あるエポキシ樹脂がより好ましい。このような化合物と
しては、ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ(新日鐵化学社製)等が市
販品として入手可能である。これらのエポキシ樹脂はい
ずれか１種を単独で用いても２種以上を組合わせて用い
てもよいが、その配合量は、その性能を発揮するために
エポキシ樹脂全量に対して合わせて２０重量％以上とす
ることが好ましく、３０重量％以上がより好ましく、５
０重量％以上とすることがさらに好ましい。
【０００９】ノボラック型エポキシ樹脂としては、たと
えば下記一般式（VIII）で示されるエポキシ樹脂等が挙
げられる。
えば下記一般式（VIII）で示されるエポキシ樹脂等が挙
げられる。
【化９】
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。） 上記一般式（VIII）で示されるノボラック型エポキシ樹
脂は、ノボラック型フェノール樹脂にエピクロルヒドリ
ンを反応させることによって容易に得られる。なかで
も、一般式（VIII）中のＲとしては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１
０のアルコキシル基が好ましく、水素原子又はメチル基
がより好ましい。ｎは０〜３の整数が好ましい。上記一
般式（VIII）で示されるノボラック型エポキシ樹脂のな
かでも、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が
好ましい。ノボラック型エポキシ樹脂を使用する場合、
その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂
全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３
０重量％以上がより好ましい。
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。） 上記一般式（VIII）で示されるノボラック型エポキシ樹
脂は、ノボラック型フェノール樹脂にエピクロルヒドリ
ンを反応させることによって容易に得られる。なかで
も、一般式（VIII）中のＲとしては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチ
ル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１
０のアルコキシル基が好ましく、水素原子又はメチル基
がより好ましい。ｎは０〜３の整数が好ましい。上記一
般式（VIII）で示されるノボラック型エポキシ樹脂のな
かでも、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂が
好ましい。ノボラック型エポキシ樹脂を使用する場合、
その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂
全量に対して２０重量％以上とすることが好ましく、３
０重量％以上がより好ましい。
【００１０】ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂とし
ては、たとえば下記一般式（IX）で示されるエポキシ樹
脂等が挙げられる。
ては、たとえば下記一般式（IX）で示されるエポキシ樹
脂等が挙げられる。
【化１０】
（ここで、Ｒ1及びＲ2は水素原子及び炭素数１〜１０の
置換又は非置換の一価の炭化水素基からそれぞれ独立し
て選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示し、ｍは０〜６の整
数を示す。） 上記式（IX）中のＲ1としては、たとえば、水素原子、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロ
ピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化アルキ
ル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換アル
キル基などの炭素数１〜５の置換又は非置換の一価の炭
化水素基が挙げられ、なかでもメチル基、エチル基等の
アルキル基及び水素原子が好ましく、メチル基及び水素
原子がより好ましい。Ｒ2としては、たとえば、水素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソ
プロピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、
アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化ア
ルキル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換
アルキル基などの炭素数１〜５の置換又は非置換の一価
の炭化水素基が挙げられ、なかでも水素原子が好まし
い。ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を使用する場
合、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ
樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好まし
く、３０重量％以上がより好ましい。
置換又は非置換の一価の炭化水素基からそれぞれ独立し
て選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示し、ｍは０〜６の整
数を示す。） 上記式（IX）中のＲ1としては、たとえば、水素原子、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロ
ピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化アルキ
ル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換アル
キル基などの炭素数１〜５の置換又は非置換の一価の炭
化水素基が挙げられ、なかでもメチル基、エチル基等の
アルキル基及び水素原子が好ましく、メチル基及び水素
原子がより好ましい。Ｒ2としては、たとえば、水素原
子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソ
プロピル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ビニル基、
アリル基、ブテニル基等のアルケニル基、ハロゲン化ア
ルキル基、アミノ基置換アルキル基、メルカプト基置換
アルキル基などの炭素数１〜５の置換又は非置換の一価
の炭化水素基が挙げられ、なかでも水素原子が好まし
い。ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を使用する場
合、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ
樹脂全量に対して２０重量％以上とすることが好まし
く、３０重量％以上がより好ましい。
【００１１】ナフタレン型エポキシ樹脂としてはたとえ
ば下記一般式（X）で示されるエポキシ樹脂等が挙げら
れ、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂としてはたとえ
ば下記一般式(XI)で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ
る。
ば下記一般式（X）で示されるエポキシ樹脂等が挙げら
れ、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂としてはたとえ
ば下記一般式(XI)で示されるエポキシ樹脂等が挙げられ
る。
【化１１】
（ここで、Ｒ1〜Ｒ3は水素原子及び置換又は非置換の炭
素数１〜１２の一価の炭化水素基から選ばれ、それぞれ
全てが同一でも異なっていてもよい。ｐは１又は０で、
ｌ、ｍはそれぞれ０〜１１の整数であって、（ｌ＋ｍ）
が１〜１１の整数でかつ（ｌ＋ｐ）が１〜１２の整数と
なるよう選ばれる。ｉは０〜３の整数、ｊは０〜２の整
数、ｋは０〜４の整数を示す。） 上記一般式（X）で示されるナフタレン型エポキシ樹脂
としては、ｌ個の構成単位及びｍ個の構成単位をランダ
ムに含むランダム共重合体、交互に含む交互共重合体、
規則的に含む共重合体、ブロック状に含むブロック共重
合体が挙げられ、これらのいずれか１種を単独で用いて
も、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
素数１〜１２の一価の炭化水素基から選ばれ、それぞれ
全てが同一でも異なっていてもよい。ｐは１又は０で、
ｌ、ｍはそれぞれ０〜１１の整数であって、（ｌ＋ｍ）
が１〜１１の整数でかつ（ｌ＋ｐ）が１〜１２の整数と
なるよう選ばれる。ｉは０〜３の整数、ｊは０〜２の整
数、ｋは０〜４の整数を示す。） 上記一般式（X）で示されるナフタレン型エポキシ樹脂
としては、ｌ個の構成単位及びｍ個の構成単位をランダ
ムに含むランダム共重合体、交互に含む交互共重合体、
規則的に含む共重合体、ブロック状に含むブロック共重
合体が挙げられ、これらのいずれか１種を単独で用いて
も、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【化１２】
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは１〜１０の
整数を示す。） これらのエポキシ樹脂はいずれか１種を単独で用いても
両者を組合わせて用いてもよいが、その配合量は、その
性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対して合わせ
て２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以
上がより好ましく、５０重量％以上とすることがさらに
好ましい。
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは１〜１０の
整数を示す。） これらのエポキシ樹脂はいずれか１種を単独で用いても
両者を組合わせて用いてもよいが、その配合量は、その
性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対して合わせ
て２０重量％以上とすることが好ましく、３０重量％以
上がより好ましく、５０重量％以上とすることがさらに
好ましい。
【００１２】上記のビフェニル型エポキシ樹脂、スチル
ベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキ
シ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメ
タン型エポキシ樹脂は、いずれか１種を単独で用いても
２種以上を組合わせて用いてもよいが、その配合量はエ
ポキシ樹脂全量に対して合わせて５０重量％以上とする
ことが好ましく、６０重量％以上がより好ましく、８０
重量％以上がさらに好ましい。
ベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキ
シ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメ
タン型エポキシ樹脂は、いずれか１種を単独で用いても
２種以上を組合わせて用いてもよいが、その配合量はエ
ポキシ樹脂全量に対して合わせて５０重量％以上とする
ことが好ましく、６０重量％以上がより好ましく、８０
重量％以上がさらに好ましい。
【００１３】本発明において用いられる（Ａ）エポキシ
樹脂の１５０℃における溶融粘度は、流動性の観点から
２ポイズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好まし
く、０.５ポイズ以下がさらに好ましい。ここで、溶融
粘度とはＩＣＩコーンプレート粘度計で測定した粘度を
示す。
樹脂の１５０℃における溶融粘度は、流動性の観点から
２ポイズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好まし
く、０.５ポイズ以下がさらに好ましい。ここで、溶融
粘度とはＩＣＩコーンプレート粘度計で測定した粘度を
示す。
【００１４】本発明において用いられる（Ｂ）硬化剤
は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されてい
るもので特に制限はないが、たとえば、フェノール、ク
レゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフ
ェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、
β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトー
ル類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチル
アルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触
媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェ
ノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジ
メトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフ
ェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナ
フトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール
樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とシクロペ
ンタジエンから共重合により合成される、ジクロペンタ
ジエン型フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラ
ック樹脂等のジクロペンタジエン型フェノール樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂などが挙げられ、これらを単
独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。な
かでも、難燃性の観点からはビフェニル型フェノール樹
脂が好ましく、耐リフロー性及び硬化性の観点からはア
ラルキル型フェノール樹脂が好ましく、低吸湿性の観点
からはジシクロペンタジエン型フェノール樹脂が好まし
く、耐熱性、低膨張率及び低そり性の観点からはトリフ
ェニルメタン型フェノール樹脂が好ましく、硬化性の観
点からはノボラック型フェノール樹脂が好ましく、これ
らのフェノール樹脂の少なくとも１種を含有しているこ
とが好ましい。
は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されてい
るもので特に制限はないが、たとえば、フェノール、ク
レゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフ
ェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、
β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトー
ル類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチル
アルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触
媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェ
ノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジ
メトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフ
ェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナ
フトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール
樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とシクロペ
ンタジエンから共重合により合成される、ジクロペンタ
ジエン型フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラ
ック樹脂等のジクロペンタジエン型フェノール樹脂、テ
ルペン変性フェノール樹脂などが挙げられ、これらを単
独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。な
かでも、難燃性の観点からはビフェニル型フェノール樹
脂が好ましく、耐リフロー性及び硬化性の観点からはア
ラルキル型フェノール樹脂が好ましく、低吸湿性の観点
からはジシクロペンタジエン型フェノール樹脂が好まし
く、耐熱性、低膨張率及び低そり性の観点からはトリフ
ェニルメタン型フェノール樹脂が好ましく、硬化性の観
点からはノボラック型フェノール樹脂が好ましく、これ
らのフェノール樹脂の少なくとも１種を含有しているこ
とが好ましい。
【００１５】ビフェニル型フェノール樹脂としては、た
とえば下記一般式(XII)で示されるフェノール樹脂等が
挙げられる。
とえば下記一般式(XII)で示されるフェノール樹脂等が
挙げられる。
【化１３】
上記式(IX)中のＲ1〜Ｒ9は全てが同一でも異なっていて
もよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１
〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル
基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜
１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル基等
の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なかでも
水素原子とメチル基が好ましい。ｎは０〜１０の整数を
示す。上記一般式(XII)で示されるビフェニル型フェノ
ール樹脂としては、たとえばＲ1〜Ｒ9が全て水素原子で
ある化合物等が挙げられ、なかでも溶融粘度の観点か
ら、ｎが１以上の縮合体を５０重量％以上含む縮合体の
混合物が好ましい。このような化合物としては、ＭＥＨ
−７８５１（明和化成株式会社製商品名）が市販品とし
て入手可能である。ビフェニル型フェノール樹脂を使用
する場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬
化剤全量に対して３０重量％以上とすることが好まし
く、５０重量％以上がより好ましく、６０重量％以上が
さらに好ましい。
もよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１
〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル
基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜
１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル基等
の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なかでも
水素原子とメチル基が好ましい。ｎは０〜１０の整数を
示す。上記一般式(XII)で示されるビフェニル型フェノ
ール樹脂としては、たとえばＲ1〜Ｒ9が全て水素原子で
ある化合物等が挙げられ、なかでも溶融粘度の観点か
ら、ｎが１以上の縮合体を５０重量％以上含む縮合体の
混合物が好ましい。このような化合物としては、ＭＥＨ
−７８５１（明和化成株式会社製商品名）が市販品とし
て入手可能である。ビフェニル型フェノール樹脂を使用
する場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬
化剤全量に対して３０重量％以上とすることが好まし
く、５０重量％以上がより好ましく、６０重量％以上が
さらに好ましい。
【００１６】アラルキル型フェノール樹脂としては、た
とえばフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラ
ルキル樹脂等が挙げられ、下記一般式(XIII)で示される
フェノール・アラルキル樹脂が好ましく、一般式(XIII)
中のＲが水素原子で、ｎの平均値が０〜８であるフェノ
ール・アラルキル樹脂がより好ましい。具体例として
は、ｐ−キシリレン型フェノール・アラルキル樹脂、ｍ
−キシリレン型フェノール・アラルキル樹脂等が挙げら
れる。これらのアラルキル型フェノール樹脂を用いる場
合、その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全
量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０
重量％以上がより好ましい。
とえばフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラ
ルキル樹脂等が挙げられ、下記一般式(XIII)で示される
フェノール・アラルキル樹脂が好ましく、一般式(XIII)
中のＲが水素原子で、ｎの平均値が０〜８であるフェノ
ール・アラルキル樹脂がより好ましい。具体例として
は、ｐ−キシリレン型フェノール・アラルキル樹脂、ｍ
−キシリレン型フェノール・アラルキル樹脂等が挙げら
れる。これらのアラルキル型フェノール樹脂を用いる場
合、その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全
量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０
重量％以上がより好ましい。
【化１４】
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。）
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。）
【００１７】ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂と
しては、たとえば下記一般式(XIV)で示されるフェノー
ル樹脂等が挙げられる。
しては、たとえば下記一般式(XIV)で示されるフェノー
ル樹脂等が挙げられる。
【化１５】
（ここで、Ｒ1及びＲ2は水素原子及び炭素数１〜１０の
置換又は非置換の一価の炭化水素基からそれぞれ独立し
て選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示し、ｍは０〜６の整
数を示す。） ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂を用いる場合、
その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に
対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量
％以上がより好ましい。
置換又は非置換の一価の炭化水素基からそれぞれ独立し
て選ばれ、ｎは０〜１０の整数を示し、ｍは０〜６の整
数を示す。） ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂を用いる場合、
その配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に
対して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量
％以上がより好ましい。
【００１８】トリフェニルメタン型フェノール樹脂とし
ては、たとえば下記一般式(XV)で示されるフェノール樹
脂等が挙げられる。
ては、たとえば下記一般式(XV)で示されるフェノール樹
脂等が挙げられる。
【化１６】
（ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは１〜１０の
整数を示す。） トリフェニルメタン型フェノール樹脂を用いる場合、そ
の配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に対
して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％
以上がより好ましい。
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは１〜１０の
整数を示す。） トリフェニルメタン型フェノール樹脂を用いる場合、そ
の配合量は、その性能を発揮するために硬化剤全量に対
して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％
以上がより好ましい。
【００１９】ノボラック型フェノール樹脂としては、た
とえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、ナフトールノボラック樹脂等が挙げられ、なか
でもフェノールノボラック樹脂が好ましい。ノボラック
型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量は、その性
能を発揮するために硬化剤全量に対して３０重量％以上
とすることが好ましく、５０重量％以上がより好まし
い。
とえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラッ
ク樹脂、ナフトールノボラック樹脂等が挙げられ、なか
でもフェノールノボラック樹脂が好ましい。ノボラック
型フェノール樹脂を用いる場合、その配合量は、その性
能を発揮するために硬化剤全量に対して３０重量％以上
とすることが好ましく、５０重量％以上がより好まし
い。
【００２０】上記のビフェニル型フェノール樹脂、アラ
ルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェ
ノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂及び
ノボラック型フェノール樹脂は、いずれか１種を単独で
用いても２種以上を組合わせて用いてもよいが、その配
合量は硬化剤全量に対して合わせて６０重量％以上とす
ることが好ましく、８０重量％以上がより好ましい。
ルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェ
ノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂及び
ノボラック型フェノール樹脂は、いずれか１種を単独で
用いても２種以上を組合わせて用いてもよいが、その配
合量は硬化剤全量に対して合わせて６０重量％以上とす
ることが好ましく、８０重量％以上がより好ましい。
【００２１】本発明において用いられる（Ｂ）硬化剤の
１５０℃における溶融粘度は、流動性の観点から２ポイ
ズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好ましい。ここ
で、溶融粘度とはＩＣＩ粘度を示す。
１５０℃における溶融粘度は、流動性の観点から２ポイ
ズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好ましい。ここ
で、溶融粘度とはＩＣＩ粘度を示す。
【００２２】（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との当
量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対す
る硬化剤中の水酸基数の比（硬化剤中の水酸基数／エポ
キシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、そ
れぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範
囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３がより
好ましい。成形性及び耐リフロー性に優れる封止用エポ
キシ樹脂成形材料を得るためには０．８〜１．２の範囲
に設定されることがさらに好ましい。
量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数に対す
る硬化剤中の水酸基数の比（硬化剤中の水酸基数／エポ
キシ樹脂中のエポキシ基数）は、特に制限はないが、そ
れぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜２の範
囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３がより
好ましい。成形性及び耐リフロー性に優れる封止用エポ
キシ樹脂成形材料を得るためには０．８〜１．２の範囲
に設定されることがさらに好ましい。
【００２３】本発明において用いられる（Ｃ）複合金属
水酸化物は難燃剤として作用するもので、本発明の効果
が得られれば特に制限はないが、下記組成式（Ｉ）で示
される化合物が好ましい。 ｐ(Ｍ1aＯb)・ｑ(Ｍ2cＯd)・ｒ(Ｍ3cＯd)・ｍＨ2Ｏ （Ｉ） （ここで、Ｍ1、Ｍ2及びＭ3は互いに異なる金属元素を
示し、a、b、c、d、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は
正の数を示す。） なかでも、上記組成式（Ｉ）中のｒが０である化合物、
すなわち、下記組成式（Ｉａ）で示される化合物がさら
に好ましい。 ｍ(Ｍ1aＯb)・ｎ(Ｍ2cＯd)・ｌ(Ｈ2Ｏ) （Ｉａ） （ここで、Ｍ1及びＭ2は互いに異なる金属元素を示し、
a、b、c、d、ｍ、ｎ及びｌは正の数を示す。） 上記組成式（Ｉ）及び（Ｉａ）中のＭ1及びＭ2は互いに
異なる金属元素であれば特に制限はないが、難燃性の観
点からは、Ｍ1とＭ2が同一とならないようにＭ 1が第３
周期の金属元素、IIＡ族のアルカリ土類金属元素、IVＢ
族、IIＢ族、VIII族、ＩＢ族、IIIＡ族及びIVＡ族に属
する金属元素から選ばれ、Ｍ2がIIIＢ〜IIＢ族の遷移金
属元素から選ばれることが好ましく、Ｍ1がマグネシウ
ム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コ
バルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、Ｍ2が鉄、
コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがよ
り好ましい。流動性の観点からは、Ｍ1がマグネシウ
ム、Ｍ2が亜鉛又はニッケルであることが好ましく、Ｍ1
がマグネシウムでＭ2が亜鉛であることがより好まし
い。上記組成式（Ｉ）中のｐ、ｑ、ｒのモル比は本発明
の効果が得られれば特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ及
びｑのモル比ｐ／ｑが９９／１〜５０／５０であること
が好ましい。すなわち、上記組成式（Ｉａ）中のｍ及び
ｎのモル比ｍ／ｎが９９／１〜５０／５０であることが
好ましい。なお、金属元素の分類は、典型元素をＡ亜
族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の周期率表（出
典：共立出版株式会社発行「化学大辞典４」１９８７年
２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて行った。
水酸化物は難燃剤として作用するもので、本発明の効果
が得られれば特に制限はないが、下記組成式（Ｉ）で示
される化合物が好ましい。 ｐ(Ｍ1aＯb)・ｑ(Ｍ2cＯd)・ｒ(Ｍ3cＯd)・ｍＨ2Ｏ （Ｉ） （ここで、Ｍ1、Ｍ2及びＭ3は互いに異なる金属元素を
示し、a、b、c、d、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は
正の数を示す。） なかでも、上記組成式（Ｉ）中のｒが０である化合物、
すなわち、下記組成式（Ｉａ）で示される化合物がさら
に好ましい。 ｍ(Ｍ1aＯb)・ｎ(Ｍ2cＯd)・ｌ(Ｈ2Ｏ) （Ｉａ） （ここで、Ｍ1及びＭ2は互いに異なる金属元素を示し、
a、b、c、d、ｍ、ｎ及びｌは正の数を示す。） 上記組成式（Ｉ）及び（Ｉａ）中のＭ1及びＭ2は互いに
異なる金属元素であれば特に制限はないが、難燃性の観
点からは、Ｍ1とＭ2が同一とならないようにＭ 1が第３
周期の金属元素、IIＡ族のアルカリ土類金属元素、IVＢ
族、IIＢ族、VIII族、ＩＢ族、IIIＡ族及びIVＡ族に属
する金属元素から選ばれ、Ｍ2がIIIＢ〜IIＢ族の遷移金
属元素から選ばれることが好ましく、Ｍ1がマグネシウ
ム、カルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コ
バルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれ、Ｍ2が鉄、
コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれることがよ
り好ましい。流動性の観点からは、Ｍ1がマグネシウ
ム、Ｍ2が亜鉛又はニッケルであることが好ましく、Ｍ1
がマグネシウムでＭ2が亜鉛であることがより好まし
い。上記組成式（Ｉ）中のｐ、ｑ、ｒのモル比は本発明
の効果が得られれば特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ及
びｑのモル比ｐ／ｑが９９／１〜５０／５０であること
が好ましい。すなわち、上記組成式（Ｉａ）中のｍ及び
ｎのモル比ｍ／ｎが９９／１〜５０／５０であることが
好ましい。なお、金属元素の分類は、典型元素をＡ亜
族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の周期率表（出
典：共立出版株式会社発行「化学大辞典４」１９８７年
２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて行った。
【００２４】（Ｃ）複合金属水酸化物の形状は特に制限
はないが、流動性の観点からは、平板状より、適度の厚
みを有する多面体形状が好ましい。複合金属水酸化物
は、金属水酸化物と比較して多面体状の結晶が得られや
すい。 （Ｃ）複合金属水酸化物の配合量は特に制限はないが、
封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．５〜２０重量
％が好ましく、０．７〜１５重量％がより好ましく、
１．４〜１２重量％がさらに好ましい。０．５重量％未
満では難燃性が不十分となる傾向があり、２０重量％を
超えると円板フロー等の流動性及び耐リフロー性が低下
する傾向がある。
はないが、流動性の観点からは、平板状より、適度の厚
みを有する多面体形状が好ましい。複合金属水酸化物
は、金属水酸化物と比較して多面体状の結晶が得られや
すい。 （Ｃ）複合金属水酸化物の配合量は特に制限はないが、
封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．５〜２０重量
％が好ましく、０．７〜１５重量％がより好ましく、
１．４〜１２重量％がさらに好ましい。０．５重量％未
満では難燃性が不十分となる傾向があり、２０重量％を
超えると円板フロー等の流動性及び耐リフロー性が低下
する傾向がある。
【００２５】本発明において用いられる（Ｄ）２級アミ
ノ基を有するシランカップリング剤は分子内に２級アミ
ノ基を有するシラン化合物であれば特に制限はないが、
たとえば、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、
γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエ
チルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジ
メトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラン、γ−アニ
リノメチルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチ
ルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチル
ジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジメトキ
シシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェ
ニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ
−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジエト
キシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミ
ノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エ
チル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−
ブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ
−ベンジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
（Ｎ−メチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ−エチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノ
エチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−（β−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ
る。
ノ基を有するシランカップリング剤は分子内に２級アミ
ノ基を有するシラン化合物であれば特に制限はないが、
たとえば、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、
γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエ
チルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジ
メトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラン、γ−アニ
リノメチルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチ
ルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチル
ジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジメトキ
シシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェ
ニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ
−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジエト
キシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミ
ノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エ
チル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−
ブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ
−ベンジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
（Ｎ−メチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ−エチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノ
エチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−（β−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ
る。
【００２６】なかでも流動性及び特に良好な円板フロー
を得るという観点からは、下記一般式（II）で示される
アミノシランカップリング剤が好ましい。
を得るという観点からは、下記一般式（II）で示される
アミノシランカップリング剤が好ましい。
【化１７】
（ここで、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） 上記一般式（II）で示されるアミノシランカップリング
剤としては、たとえばγ−アニリノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、
γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ア
ニリノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
プロピルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピ
ルエチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメ
トキシシラン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルメチルジメトキシシラン、γ−
アニリノメチルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
メチルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエ
チルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフ
ェニル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラ
ン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピ
ルエチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−γ−アミノプロピルエチルジメトキシシラン等が
挙げられる。特に好ましくは、γ−アニリノプロピルト
リメトキシシランである。
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） 上記一般式（II）で示されるアミノシランカップリング
剤としては、たとえばγ−アニリノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、
γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ア
ニリノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
プロピルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピ
ルエチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメ
トキシシラン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルメチルジメトキシシラン、γ−
アニリノメチルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
メチルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエ
チルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフ
ェニル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラ
ン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピ
ルエチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−γ−アミノプロピルエチルジメトキシシラン等が
挙げられる。特に好ましくは、γ−アニリノプロピルト
リメトキシシランである。
【００２７】前記（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカ
ップリング剤を封止用エポキシ樹脂成形材料に配合する
と、必須成分と充填剤のような任意成分との接着性が向
上し、結果的に必須成分と任意成分の機能が好適に発揮
されるという作用・効果が得られる。任意成分の中でも
特に後に説明する（Ｆ）無機充填剤の作用効果が好適に
発揮される観点から、（Ｄ）２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤を用いる場合は、（Ｆ）無機充填剤を
加えることが好ましい。
ップリング剤を封止用エポキシ樹脂成形材料に配合する
と、必須成分と充填剤のような任意成分との接着性が向
上し、結果的に必須成分と任意成分の機能が好適に発揮
されるという作用・効果が得られる。任意成分の中でも
特に後に説明する（Ｆ）無機充填剤の作用効果が好適に
発揮される観点から、（Ｄ）２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤を用いる場合は、（Ｆ）無機充填剤を
加えることが好ましい。
【００２８】（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップ
リング剤の配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対
して０．０３７〜４．７５重量％であることが好まし
く、０．０８８〜２．３重量％であることがさらに好ま
しい。０．０３７重量％未満では円板フローが低下し、
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる
傾向や、フレームとの接着性が低下する傾向がある。
４．７５重量％を超えるとパッケージの成形性が低下す
る傾向がある。尚、（Ｄ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤の配合量は、後に説明する（Ｆ）無機充
填剤を加える場合、（Ｅ）無機充填剤に対して０．０５
〜５重量％であることが好ましく、０．１〜２．５重量
％がより好ましい。配合量を規定した理由は前記と同様
である。
リング剤の配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対
して０．０３７〜４．７５重量％であることが好まし
く、０．０８８〜２．３重量％であることがさらに好ま
しい。０．０３７重量％未満では円板フローが低下し、
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる
傾向や、フレームとの接着性が低下する傾向がある。
４．７５重量％を超えるとパッケージの成形性が低下す
る傾向がある。尚、（Ｄ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤の配合量は、後に説明する（Ｆ）無機充
填剤を加える場合、（Ｅ）無機充填剤に対して０．０５
〜５重量％であることが好ましく、０．１〜２．５重量
％がより好ましい。配合量を規定した理由は前記と同様
である。
【００２９】本発明において用いられる（Ｅ）リン酸エ
ステルはリン酸とアルコール化合物又はフェノール化合
物のエステル化合物であれば特に制限はないが、例えば
トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、ト
リフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、
トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホス
フェート、キシレニルジフェニルホスフェート、トリス
（２，６−ジメチルフェニル）ホスフェート及び芳香族
縮合リン酸エステル等が挙げられる。なかでも耐加水分
解性の観点からは、下記一般式（III）で示される芳香
族縮合リン酸エステルが好ましい。
ステルはリン酸とアルコール化合物又はフェノール化合
物のエステル化合物であれば特に制限はないが、例えば
トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、ト
リフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、
トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホス
フェート、キシレニルジフェニルホスフェート、トリス
（２，６−ジメチルフェニル）ホスフェート及び芳香族
縮合リン酸エステル等が挙げられる。なかでも耐加水分
解性の観点からは、下記一般式（III）で示される芳香
族縮合リン酸エステルが好ましい。
【化１８】
（ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） 上記式（III）のリン酸エステル（Ｅ）を例示すると、
下記構造式（XVI）〜（XX）で示されるリン酸エステル
等が挙げられる。
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） 上記式（III）のリン酸エステル（Ｅ）を例示すると、
下記構造式（XVI）〜（XX）で示されるリン酸エステル
等が挙げられる。
【化１９】
【００３０】これらリン酸エステル（Ｅ）の添加量は、
充填剤を除く他の全配合成分に対して、燐原子の量で
０．２〜３．０質量％の範囲内であることが好ましい。
０．２質量％より少ない場合は円板フローが低下し、ワ
イヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる。
また難燃効果を有することから難燃剤としても使用した
場合、難燃効果が低くなる傾向がある。３．０質量％を
超えた場合は成形性、耐湿性の低下や、成形時にこれら
のリン酸エステルがしみ出し、外観を阻害する場合があ
る。
充填剤を除く他の全配合成分に対して、燐原子の量で
０．２〜３．０質量％の範囲内であることが好ましい。
０．２質量％より少ない場合は円板フローが低下し、ワ
イヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる。
また難燃効果を有することから難燃剤としても使用した
場合、難燃効果が低くなる傾向がある。３．０質量％を
超えた場合は成形性、耐湿性の低下や、成形時にこれら
のリン酸エステルがしみ出し、外観を阻害する場合があ
る。
【００３１】本発明においては、（Ａ）成分、（Ｂ）成
分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分、（Ｅ）成分に加え
て、さらに（Ｆ）無機充填剤を配合することが好まし
い。本発明において用いられる（Ｆ）無機充填剤は、吸
湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のた
めに封止用エポキシ樹脂成形材料に配合されるものであ
り、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジ
ルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カ
リウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ
素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライ
ト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の
粉体又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが
挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填剤として
は水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜
鉛、モリブデン酸亜鉛などが挙げられる。これらの無機
充填剤は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いて
もよい。なかでも、線膨張係数の低減の観点からは溶融
シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好まし
く、無機充填剤の形状は成形時の流動性及び金型摩耗性
の点から球形が好ましい。
分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分、（Ｅ）成分に加え
て、さらに（Ｆ）無機充填剤を配合することが好まし
い。本発明において用いられる（Ｆ）無機充填剤は、吸
湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上のた
めに封止用エポキシ樹脂成形材料に配合されるものであ
り、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジ
ルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カ
リウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ
素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライ
ト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の
粉体又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが
挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填剤として
は水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜
鉛、モリブデン酸亜鉛などが挙げられる。これらの無機
充填剤は単独で用いても２種以上を組み合わせて用いて
もよい。なかでも、線膨張係数の低減の観点からは溶融
シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好まし
く、無機充填剤の形状は成形時の流動性及び金型摩耗性
の点から球形が好ましい。
【００３２】（Ｆ）無機充填剤を用いる場合、その配合
量は、耐リフロー性の観点から封止用エポキシ樹脂成形
材料に対して７５重量％以上が好ましい。耐リフロー
性、流動性、成形性及び強度向上の観点からは、８０〜
９５重量％がより好ましく、８８〜９２重量％がさらに
好ましい。
量は、耐リフロー性の観点から封止用エポキシ樹脂成形
材料に対して７５重量％以上が好ましい。耐リフロー
性、流動性、成形性及び強度向上の観点からは、８０〜
９５重量％がより好ましく、８８〜９２重量％がさらに
好ましい。
【００３３】（Ｆ）無機充填剤を用いる場合、本発明の
封止用エポキシ樹脂成形材料には、樹脂成分と充項剤と
の接着性を高めるために、カップリング剤を配合するこ
とが好ましい。カップリング剤としては、（Ｄ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤が好ましいが、本
発明の効果を達成できる範囲内で必要に応じてその他の
カップリング剤を併用することができる。（Ｄ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤と併用できるその
他のカップリング剤としては、封止用エポキシ樹脂成形
材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、
たとえば、１級アミノ基及び／又は３級アミノ基を有す
るシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、
アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各
種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレ
ート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げ
られる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メ
トキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）ア
ニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチ
ル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，
Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルト
リエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジ
エチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプ
ロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシ
リルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等
のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ
（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テト
ラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネー
ト、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチ
ル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビ
ス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテート
チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エ
チレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタ
ネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチ
タネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニ
ルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリ
ルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェ
ート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチ
タネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフ
ァイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤な
どが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種類以
上を組み合わせて用いてもよい。
封止用エポキシ樹脂成形材料には、樹脂成分と充項剤と
の接着性を高めるために、カップリング剤を配合するこ
とが好ましい。カップリング剤としては、（Ｄ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤が好ましいが、本
発明の効果を達成できる範囲内で必要に応じてその他の
カップリング剤を併用することができる。（Ｄ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤と併用できるその
他のカップリング剤としては、封止用エポキシ樹脂成形
材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、
たとえば、１級アミノ基及び／又は３級アミノ基を有す
るシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、
アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各
種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレ
ート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げ
られる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メ
トキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）ア
ニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチ
ル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，
Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルト
リエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジ
エチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプ
ロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシ
リルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等
のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ
（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テト
ラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネー
ト、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチ
ル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビ
ス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテート
チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エ
チレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタ
ネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチ
タネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニ
ルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリ
ルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェ
ート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチ
タネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフ
ァイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤な
どが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種類以
上を組み合わせて用いてもよい。
【００３４】これらその他のカップリング剤を用いる場
合、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
の配合量は、その性能を発揮するためにカップリング剤
全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５
０重量％以上がより好ましい。上記（Ｄ）２級アミノ基
を有するシランカップリング剤を含むカップリング剤の
全配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．
０３７〜４．７５重量％であることが好ましく、０．０
８８〜２．３重量％であることがより好ましい。０．０
３７質量％未満ではフレームとの接着性が低下する傾向
があり、４．７５質量％を超えるとパッケージの成形性
が低下する傾向がある。尚、上記カップリング剤の配合
量は、（Ｆ）無機充填剤を加える場合、（Ｆ）無機充填
剤に対して０．０５〜５重量％であることが好ましく、
０．１〜２．５重量％がより好ましい。配合量を規定し
た理由は前記と同様である。
合、（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
の配合量は、その性能を発揮するためにカップリング剤
全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５
０重量％以上がより好ましい。上記（Ｄ）２級アミノ基
を有するシランカップリング剤を含むカップリング剤の
全配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．
０３７〜４．７５重量％であることが好ましく、０．０
８８〜２．３重量％であることがより好ましい。０．０
３７質量％未満ではフレームとの接着性が低下する傾向
があり、４．７５質量％を超えるとパッケージの成形性
が低下する傾向がある。尚、上記カップリング剤の配合
量は、（Ｆ）無機充填剤を加える場合、（Ｆ）無機充填
剤に対して０．０５〜５重量％であることが好ましく、
０．１〜２．５重量％がより好ましい。配合量を規定し
た理由は前記と同様である。
【００３５】硬化性の観点からは、本発明において、さ
らに（Ｇ）硬化促進剤を配合することが好ましい。本発
明において用いられる（Ｇ）硬化促進剤としては封止用
エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであ
れば特に制限はないが、たとえば、１，８−ジアザ−ビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザ
−ビシクロ（４，３，０）ノネン、５、６−ジブチルア
ミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物
に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−ト
ルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベ
ンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−
ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，
３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−
１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニ
ルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を
付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメ
チルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエ
タノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール
等の３級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミ
ダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれら
の誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホ
スフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチ
ルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェ
ニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホス
フィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾ
フェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合
物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テト
ラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ
フェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、
Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテト
ラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げら
れ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用
いてもよい。なかでも成形性及び耐リフロー性の観点か
らは有機ホスフィンとキノン化合物との付加物が好まし
い。
らに（Ｇ）硬化促進剤を配合することが好ましい。本発
明において用いられる（Ｇ）硬化促進剤としては封止用
エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであ
れば特に制限はないが、たとえば、１，８−ジアザ−ビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザ
−ビシクロ（４，３，０）ノネン、５、６−ジブチルア
ミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物
に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−ト
ルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベ
ンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−
ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，
３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−
１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニ
ルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を
付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメ
チルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエ
タノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール
等の３級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミ
ダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれら
の誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホ
スフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチ
ルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェ
ニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホス
フィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾ
フェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合
物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テト
ラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ
フェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、
Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテト
ラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げら
れ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用
いてもよい。なかでも成形性及び耐リフロー性の観点か
らは有機ホスフィンとキノン化合物との付加物が好まし
い。
【００３６】硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が達
成される量であれば特に制限されるものではないが、封
止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．００５〜２重量
％が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．５重量％
である。０．００５重量％未満では短時間での硬化性に
劣る傾向があり、２重量％を超えると硬化速度が速すぎ
て良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。
成される量であれば特に制限されるものではないが、封
止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．００５〜２重量
％が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．５重量％
である。０．００５重量％未満では短時間での硬化性に
劣る傾向があり、２重量％を超えると硬化速度が速すぎ
て良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。
【００３７】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良の発生を抑制する観
点から、円板フローが８０ｍｍ以上であることが好まし
い。ここで、円板フローとは、７８Ｎの荷重下における
流動性を示す指標であり、封止用エポキシ樹脂成形材料
５ｇを、金型温度１８０℃、荷重７８Ｎ、硬化時間９０
秒の条件で成形した成形品の長径及び短径の測定値の平
均値をいう。円板フローが８０ｍｍ以上である封止用エ
ポキシ樹脂成形材料を用いることにより、薄型、多ピ
ン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に
半導体チップが配置された半導体装置においてもワイヤ
ー流れ、ボイド等の成形不良の発生を低減することが可
能となる。
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良の発生を抑制する観
点から、円板フローが８０ｍｍ以上であることが好まし
い。ここで、円板フローとは、７８Ｎの荷重下における
流動性を示す指標であり、封止用エポキシ樹脂成形材料
５ｇを、金型温度１８０℃、荷重７８Ｎ、硬化時間９０
秒の条件で成形した成形品の長径及び短径の測定値の平
均値をいう。円板フローが８０ｍｍ以上である封止用エ
ポキシ樹脂成形材料を用いることにより、薄型、多ピ
ン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に
半導体チップが配置された半導体装置においてもワイヤ
ー流れ、ボイド等の成形不良の発生を低減することが可
能となる。
【００３８】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料とし
ては、必須成分として（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化
剤、及び（Ｃ）複合金属水酸化物を含有し、所望により
（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、
（Ｅ）リン酸エステル及び、（Ｆ）無機充填剤や、
（Ｇ）硬化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材
料が挙げられる。本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料
としては、以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備え
る半導体装置に用いることが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である 本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、前記構成
（ａ）〜（ｆ）を1以上備える半導体装置のなかでも、
特に以下の構成を有する半導体装置に好適に用いられ
る。
ては、必須成分として（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化
剤、及び（Ｃ）複合金属水酸化物を含有し、所望により
（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、
（Ｅ）リン酸エステル及び、（Ｆ）無機充填剤や、
（Ｇ）硬化促進剤を含有する封止用エポキシ樹脂成形材
料が挙げられる。本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料
としては、以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備え
る半導体装置に用いることが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である 本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、前記構成
（ａ）〜（ｆ）を1以上備える半導体装置のなかでも、
特に以下の構成を有する半導体装置に好適に用いられ
る。
【００３９】ボイド低減の観点からは、構成（ａ）及び
（ｃ）〜（ｆ）のうち1以上を備える半導体装置に好適
に用いられ、構成（ａ）又は（ｅ）を備える半導体装置
により好適に用いられ、構成（ａ）とその他の構成を1
以上備える半導体装置にさらに好適に用いられる。ワイ
ヤー流れ低減の観点からは、構成（ｂ）、（ｃ）又は
（ｄ）を備える半導体装置に好適に用いられ、構成
（ｂ）を備える半導体装置により好適に用いられ、構成
（ｂ）及び（ｃ）、又は構成（ｂ）及び（ｄ）を備える
半導体装置にさらに好適に用いられ、構成（ｂ）、
（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置に特に好適に用い
られる。ボイド低減及びワイヤー流れ低減の観点から
は、構成（ａ）及び（ｂ）、構成（ａ）及び（ｃ）、構
成（ａ）及び（ｄ）、構成（ａ）及び（ｆ）、又は構成
（ｃ）及び（ｅ）を備える半導体装置に好適に用いら
れ、構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）、又は構成（ｃ）、
（ｅ）及び（ｆ）を備える半導体装置により好適に用い
られ、構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ）、又は構
成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装
置にさらに好適に用いられる。
（ｃ）〜（ｆ）のうち1以上を備える半導体装置に好適
に用いられ、構成（ａ）又は（ｅ）を備える半導体装置
により好適に用いられ、構成（ａ）とその他の構成を1
以上備える半導体装置にさらに好適に用いられる。ワイ
ヤー流れ低減の観点からは、構成（ｂ）、（ｃ）又は
（ｄ）を備える半導体装置に好適に用いられ、構成
（ｂ）を備える半導体装置により好適に用いられ、構成
（ｂ）及び（ｃ）、又は構成（ｂ）及び（ｄ）を備える
半導体装置にさらに好適に用いられ、構成（ｂ）、
（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置に特に好適に用い
られる。ボイド低減及びワイヤー流れ低減の観点から
は、構成（ａ）及び（ｂ）、構成（ａ）及び（ｃ）、構
成（ａ）及び（ｄ）、構成（ａ）及び（ｆ）、又は構成
（ｃ）及び（ｅ）を備える半導体装置に好適に用いら
れ、構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）、又は構成（ｃ）、
（ｅ）及び（ｆ）を備える半導体装置により好適に用い
られ、構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ）、又は構
成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装
置にさらに好適に用いられる。
【００４０】本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料
の第１の好ましい態様においては、（Ａ）エポキシ樹
脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合金属水酸化物、さらに任
意成分としての（Ｆ）無機充填剤及びその他の添加剤と
して用いる成分の組み合わせ及び配合量を調整すること
によって、円板フローが８０ｍｍ以上である封止用エポ
キシ樹脂成形材料を得ることができる。（Ａ）エポキシ
樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）複合金属水酸化物の選定
と（Ｅ）無機充填剤を用いる場合はその配合量が特に重
要である。本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の
第２の好ましい態様においては、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合金属水酸化物、さらに任意成
分としての（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリ
ング剤、（Ｆ）無機充填剤、（Ｇ）硬化促進剤の組み合
わせ及びその他の添加剤として用いる成分の組み合わせ
及び配合量を調整することによって、円板フローが８０
ｍｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形材料を得ること
ができる。（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）
複合金属水酸化物及び、（Ｄ）２級アミノ基を有するシ
ランカップリング剤、（Ｇ）硬化促進剤の選定と（Ｆ）
無機充填剤の配合量が特に重要である。本発明に係る封
止用エポキシ樹脂成形材料の第３の好ましい態様におい
ては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合
金属水酸化物、さらに任意成分としての（Ｅ）リン酸エ
ステル、（Ｆ）無機充填剤、（Ｇ）硬化促進剤及びその
他の添加剤として用いる成分の組み合わせ及び配合量を
調整することによって、円板フローが８０ｍｍ以上であ
る封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合金属水
酸化物及び、（Ｅ）リン酸エステル、（Ｇ）硬化促進剤
の選定と（Ｆ）無機充填剤の配合量が特に重要であり、
それらの配合量は前記の通りである。
の第１の好ましい態様においては、（Ａ）エポキシ樹
脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合金属水酸化物、さらに任
意成分としての（Ｆ）無機充填剤及びその他の添加剤と
して用いる成分の組み合わせ及び配合量を調整すること
によって、円板フローが８０ｍｍ以上である封止用エポ
キシ樹脂成形材料を得ることができる。（Ａ）エポキシ
樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）複合金属水酸化物の選定
と（Ｅ）無機充填剤を用いる場合はその配合量が特に重
要である。本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料の
第２の好ましい態様においては、（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合金属水酸化物、さらに任意成
分としての（Ｄ）２級アミノ基を有するシランカップリ
ング剤、（Ｆ）無機充填剤、（Ｇ）硬化促進剤の組み合
わせ及びその他の添加剤として用いる成分の組み合わせ
及び配合量を調整することによって、円板フローが８０
ｍｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形材料を得ること
ができる。（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）
複合金属水酸化物及び、（Ｄ）２級アミノ基を有するシ
ランカップリング剤、（Ｇ）硬化促進剤の選定と（Ｆ）
無機充填剤の配合量が特に重要である。本発明に係る封
止用エポキシ樹脂成形材料の第３の好ましい態様におい
ては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合
金属水酸化物、さらに任意成分としての（Ｅ）リン酸エ
ステル、（Ｆ）無機充填剤、（Ｇ）硬化促進剤及びその
他の添加剤として用いる成分の組み合わせ及び配合量を
調整することによって、円板フローが８０ｍｍ以上であ
る封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）複合金属水
酸化物及び、（Ｅ）リン酸エステル、（Ｇ）硬化促進剤
の選定と（Ｆ）無機充填剤の配合量が特に重要であり、
それらの配合量は前記の通りである。
【００４１】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料に
は、赤リン等の燐化合物、メラミン、メラミンシアヌレ
ート、メラミン変性フェノール樹脂、グアナミン変性フ
ェノール樹脂等の含窒素化合物、シクロホスファゼン等
の燐／窒素含有化合物、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化モリブ
デン、フェロセン等の金属化合物などの従来公知の難燃
剤を必要に応じて添加することができる。
は、赤リン等の燐化合物、メラミン、メラミンシアヌレ
ート、メラミン変性フェノール樹脂、グアナミン変性フ
ェノール樹脂等の含窒素化合物、シクロホスファゼン等
の燐／窒素含有化合物、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化モリブ
デン、フェロセン等の金属化合物などの従来公知の難燃
剤を必要に応じて添加することができる。
【００４２】また、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材
料には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性及び高温放置特性
を向上させる観点から陰イオン交換体を添加することも
できる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来
公知のものを用いることができるが、たとえば、ハイド
ロタルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ビスマス等から選ばれる元素の含水
酸化物等が挙げられ、これらを単独又は２種以上を組み
合わせて用いることができる。なかでも、下記組成式
（XXI）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。 Ｍｇ1-XＡｌX（ＯＨ）2（ＣＯ3）X/2・ｍＨ2Ｏ・・・（XXI） （０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
料には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性及び高温放置特性
を向上させる観点から陰イオン交換体を添加することも
できる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来
公知のものを用いることができるが、たとえば、ハイド
ロタルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ビスマス等から選ばれる元素の含水
酸化物等が挙げられ、これらを単独又は２種以上を組み
合わせて用いることができる。なかでも、下記組成式
（XXI）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。 Ｍｇ1-XＡｌX（ＯＨ）2（ＣＯ3）X/2・ｍＨ2Ｏ・・・（XXI） （０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
【００４３】さらに、本発明の封止用エポキシ樹脂成形
材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂
肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、
カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイルやシリ
コーンゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合
することができる。
材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂
肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、
カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイルやシリ
コーンゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合
することができる。
【００４４】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、
各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかな
る手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、
所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合し
た後、ミキシングロール、押出機、らいかい機、プラネ
タリミキサ等によって混合又は溶融混練した後、冷却
し、必要に応じて脱泡、粉砕する方法等を挙げることが
できる。また、必要に応じて成形条件に合うような寸法
及び重量でタブレット化してもよい。
各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかな
る手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、
所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合し
た後、ミキシングロール、押出機、らいかい機、プラネ
タリミキサ等によって混合又は溶融混練した後、冷却
し、必要に応じて脱泡、粉砕する方法等を挙げることが
できる。また、必要に応じて成形条件に合うような寸法
及び重量でタブレット化してもよい。
【００４５】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を封
止材として用いて、半導体装置を封止する方法として
は、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、イ
ンジェクション成形法、圧縮成形法等も挙げられる。デ
ィスペンス方式、注型方式、印刷方式等を用いてもよ
い。
止材として用いて、半導体装置を封止する方法として
は、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、イ
ンジェクション成形法、圧縮成形法等も挙げられる。デ
ィスペンス方式、注型方式、印刷方式等を用いてもよ
い。
【００４６】本発明の半導体装置としては、必須成分と
して（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）複
合金属水酸化物を含有し、所望により（Ｄ）２級アミノ
基を有するシランカップリング剤、（Ｅ）リン酸エステ
ル、（Ｆ）無機充填剤や、（Ｇ）硬化促進剤を含有する
封止用エポキシ樹脂成形材料を封止材として用い、リー
ドフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラ
ス、シリコンウエハ等の支持部材や実装基板に、半導体
チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能
動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の
素子を搭載した一般的な半導体装置などが挙げられる。
ここで、実装基板としては特に制限するものではなく、
たとえば、有機基板、有機フィルム、セラミック基板、
ガラス基板等のインターポーザ基板、液晶用ガラス基
板、ＭＣＭ（Multi Chip Module）用基板、ハイブリッ
トＩＣ用基板等が挙げられる。
して（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）複
合金属水酸化物を含有し、所望により（Ｄ）２級アミノ
基を有するシランカップリング剤、（Ｅ）リン酸エステ
ル、（Ｆ）無機充填剤や、（Ｇ）硬化促進剤を含有する
封止用エポキシ樹脂成形材料を封止材として用い、リー
ドフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラ
ス、シリコンウエハ等の支持部材や実装基板に、半導体
チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能
動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の
素子を搭載した一般的な半導体装置などが挙げられる。
ここで、実装基板としては特に制限するものではなく、
たとえば、有機基板、有機フィルム、セラミック基板、
ガラス基板等のインターポーザ基板、液晶用ガラス基
板、ＭＣＭ（Multi Chip Module）用基板、ハイブリッ
トＩＣ用基板等が挙げられる。
【００４７】本発明の半導体装置としてはさらに以下の
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上備えるものが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である。 前記構成（ａ）〜（ｆ）を１以上備える半導体装置のな
かでも、本発明の効果が大きいという観点からは特に以
下の構成を有する半導体装置が好ましい。ボイド低減の
効果が大きいという観点からは、構成（ａ）及び（ｃ）
〜（ｆ）のうち１以上備える半導体装置が好ましく、構
成（ａ）又は（ｅ）を備える半導体装置がより好まし
く、構成（ａ）とその他の構成を１以上備える半導体装
置がさらに好ましい。ワイヤー流れ低減の効果が大きい
という観点からは、構成（ｂ）、（ｃ）又は（ｄ）を備
える半導体装置が好ましく、構成（ｂ）を備える半導体
装置がより好ましく、構成（ｂ）及び（ｃ）、又は構成
（ｂ）及び（ｄ）を備える半導体装置がさらに好まし
く、構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置
が特に好ましい。ボイド低減及びワイヤー流れ低減の効
果が大きいという観点からは、構成（ａ）及び（ｂ）、
構成（ａ）及び（ｃ）、構成（ａ）及び（ｄ）、構成
（ａ）及び（ｆ）、又は構成（ｃ）及び（ｅ）を備える
半導体装置が好ましく、構成（ａ）、（ｂ）及び
（ｄ）、又は構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ）を備える半
導体装置がより好ましく、構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）
及び（ｆ）、又は構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び
（ｄ）を備える半導体装置がさらに好ましい。
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上備えるものが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である。 前記構成（ａ）〜（ｆ）を１以上備える半導体装置のな
かでも、本発明の効果が大きいという観点からは特に以
下の構成を有する半導体装置が好ましい。ボイド低減の
効果が大きいという観点からは、構成（ａ）及び（ｃ）
〜（ｆ）のうち１以上備える半導体装置が好ましく、構
成（ａ）又は（ｅ）を備える半導体装置がより好まし
く、構成（ａ）とその他の構成を１以上備える半導体装
置がさらに好ましい。ワイヤー流れ低減の効果が大きい
という観点からは、構成（ｂ）、（ｃ）又は（ｄ）を備
える半導体装置が好ましく、構成（ｂ）を備える半導体
装置がより好ましく、構成（ｂ）及び（ｃ）、又は構成
（ｂ）及び（ｄ）を備える半導体装置がさらに好まし
く、構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置
が特に好ましい。ボイド低減及びワイヤー流れ低減の効
果が大きいという観点からは、構成（ａ）及び（ｂ）、
構成（ａ）及び（ｃ）、構成（ａ）及び（ｄ）、構成
（ａ）及び（ｆ）、又は構成（ｃ）及び（ｅ）を備える
半導体装置が好ましく、構成（ａ）、（ｂ）及び
（ｄ）、又は構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ）を備える半
導体装置がより好ましく、構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）
及び（ｆ）、又は構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び
（ｄ）を備える半導体装置がさらに好ましい。
【００４８】このような半導体装置としては、たとえ
ば、リードフレーム（アイランド、タブ）上に半導体チ
ップ等の素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の
端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続
した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて
トランスファ成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Du
al Inline Package）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip
Carrier）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（S
mall Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-le
ad package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Packag
e）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）等の樹脂封
止型ＩＣ、テープキャリアにリードボンディングした半
導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
封止したＴＣＰ（Tape Carrier Package）、配線板やガ
ラス上に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリ
ップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チ
ップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止し
たＣＯＢ（Chip On Board）、ＣＯＧ（Chip On Glass）
等のベアチップ実装した半導体装置、配線板やガラス上
に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチ
ップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及
び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したハイブ
リッドＩＣ、ＭＣＭ（Multi Chip Module）マザーボー
ド接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体
チップを搭載し、バンプまたはワイヤボンディングによ
り半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線
を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＭＣＰ（Multi Ch
ip Package）などが挙げられる。また、これらの半導体
装置は、実装基板上に素子が２個以上重なった形で搭載
されたスタックド（積層）型パッケージであっても、２
個以上の素子を一度に封止用エポキシ樹脂成形材料で封
止した一括モールド型パッケージであってもよい。
ば、リードフレーム（アイランド、タブ）上に半導体チ
ップ等の素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の
端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続
した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて
トランスファ成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Du
al Inline Package）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip
Carrier）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（S
mall Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-le
ad package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Packag
e）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）等の樹脂封
止型ＩＣ、テープキャリアにリードボンディングした半
導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
封止したＴＣＰ（Tape Carrier Package）、配線板やガ
ラス上に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリ
ップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チ
ップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止し
たＣＯＢ（Chip On Board）、ＣＯＧ（Chip On Glass）
等のベアチップ実装した半導体装置、配線板やガラス上
に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチ
ップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及
び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したハイブ
リッドＩＣ、ＭＣＭ（Multi Chip Module）マザーボー
ド接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体
チップを搭載し、バンプまたはワイヤボンディングによ
り半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線
を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＭＣＰ（Multi Ch
ip Package）などが挙げられる。また、これらの半導体
装置は、実装基板上に素子が２個以上重なった形で搭載
されたスタックド（積層）型パッケージであっても、２
個以上の素子を一度に封止用エポキシ樹脂成形材料で封
止した一括モールド型パッケージであってもよい。
【００４９】図１に本発明の半導体装置の一例を示す
が、本発明の半導体装置はこれに限られるものではな
い。図１は、アイランド（タブ）１上にダイボンド剤２
を用いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端
子部（ボンディングパッド）７とリードピン４をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＱＦＰ
を示し、図１の（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図(一部
透視図)、（ｃ）は半導体チップ３上の端子部（ボンデ
ィングパッド）７を拡大した上面図（一部透視図）を示
す。図１に示される本発明の半導体装置は、半導体チッ
プ上面の封止材６の厚さａ及び半導体チップ裏面の封止
材６の厚さｂの少なくともいずれかが０．７ｍｍ以下の
薄型の半導体装置であることが好ましく、０．５ｍｍ以
下であっても、０.３ｍｍ以下であってもよい。また、
パッケージ厚さ（半導体装置の総厚さ）ｃは２．０ｍｍ
以下が好ましく、１．５ｍｍ以下がより好ましく、１．
０ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２
５ｍｍ2以上であることが好ましく、５０ｍｍ2以上であ
っても、８０ｍｍ2以上であってもよい。リードピン４
の数は８０ピン以上の多ピン型の半導体装置であること
が好ましく、１００ピン以上であっても、２００ピン以
上であってもよい。半導体チップとリードピンを接続す
るワイヤー５の長さは２ｍｍ以上であることが好まし
く、３ｍｍ以上であっても、５ｍｍ以上であってもよ
い。また半導体チップ上のボンディングパッド間のピッ
チｅが９０μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以
下であっても、６０μｍ以下であってもよい。
が、本発明の半導体装置はこれに限られるものではな
い。図１は、アイランド（タブ）１上にダイボンド剤２
を用いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端
子部（ボンディングパッド）７とリードピン４をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＱＦＰ
を示し、図１の（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図(一部
透視図)、（ｃ）は半導体チップ３上の端子部（ボンデ
ィングパッド）７を拡大した上面図（一部透視図）を示
す。図１に示される本発明の半導体装置は、半導体チッ
プ上面の封止材６の厚さａ及び半導体チップ裏面の封止
材６の厚さｂの少なくともいずれかが０．７ｍｍ以下の
薄型の半導体装置であることが好ましく、０．５ｍｍ以
下であっても、０.３ｍｍ以下であってもよい。また、
パッケージ厚さ（半導体装置の総厚さ）ｃは２．０ｍｍ
以下が好ましく、１．５ｍｍ以下がより好ましく、１．
０ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２
５ｍｍ2以上であることが好ましく、５０ｍｍ2以上であ
っても、８０ｍｍ2以上であってもよい。リードピン４
の数は８０ピン以上の多ピン型の半導体装置であること
が好ましく、１００ピン以上であっても、２００ピン以
上であってもよい。半導体チップとリードピンを接続す
るワイヤー５の長さは２ｍｍ以上であることが好まし
く、３ｍｍ以上であっても、５ｍｍ以上であってもよ
い。また半導体チップ上のボンディングパッド間のピッ
チｅが９０μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以
下であっても、６０μｍ以下であってもよい。
【００５０】図３及び図５にさらに本発明の半導体装置
の一例を示すが、本発明の半導体装置はこれに限られる
ものではない。尚、図１において説明したものと同一の
機能を有するものは同一の符号を付して説明を省略す
る。図３は、絶縁ベース基板８上にダイボンド剤２を用
いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端子部
（ボンディングパッド）７と配線板上の端子部をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＢＧＡ
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は一部透視上面図、ま
た（ｃ）はボンディングパッド部の拡大図を示す。図３
において、９は半田ボールを示す。図３に示される本発
明の半導体装置は、パッケージ厚さａが２ｍｍ以下であ
ることが好ましく、１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２５
ｍｍ2以上であることが好ましく、５０ｍｍ2以上であっ
ても、８０ｍｍ2以上であってもよい。半導体チップ２
とリードピン４を接続するワイヤー５の長さは２ｍｍ以
上であることが好ましく、３ｍｍ以上であっても、５ｍ
ｍ以上であってもよい。また半導体チップ上のボンディ
ングパッド間のピッチｅが９０μｍ以下であることが好
ましく、８０μｍ以下であっても、６０μｍ以下であっ
てもよい。
の一例を示すが、本発明の半導体装置はこれに限られる
ものではない。尚、図１において説明したものと同一の
機能を有するものは同一の符号を付して説明を省略す
る。図３は、絶縁ベース基板８上にダイボンド剤２を用
いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端子部
（ボンディングパッド）７と配線板上の端子部をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＢＧＡ
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は一部透視上面図、ま
た（ｃ）はボンディングパッド部の拡大図を示す。図３
において、９は半田ボールを示す。図３に示される本発
明の半導体装置は、パッケージ厚さａが２ｍｍ以下であ
ることが好ましく、１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２５
ｍｍ2以上であることが好ましく、５０ｍｍ2以上であっ
ても、８０ｍｍ2以上であってもよい。半導体チップ２
とリードピン４を接続するワイヤー５の長さは２ｍｍ以
上であることが好ましく、３ｍｍ以上であっても、５ｍ
ｍ以上であってもよい。また半導体チップ上のボンディ
ングパッド間のピッチｅが９０μｍ以下であることが好
ましく、８０μｍ以下であっても、６０μｍ以下であっ
てもよい。
【００５１】図５は、一括モールド型のスタックド型Ｂ
ＧＡを示し、（ａ）は上面図（一部透視図）、（ｂ）は
部分拡大断面図を示す。図５において、９は半田ボール
を示す。図５に示される本発明の半導体装置は、パッケ
ージ厚ａが２ｍｍ以下の半導体装置であることが必要
で、パッケージ厚は１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。本発明の半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂成形材料で封止することによって、上記の封
止材厚を有する薄型の半導体装置においても、上記の封
止材厚及び半導体チップ面積を有する半導体装置におい
ても、さらには上記のピン数、ワイヤー長及びパッドピ
ッチを有する半導体装置においてもワイヤー流れ、ボイ
ド等の成形不良の発生を低減することが可能となる。
ＧＡを示し、（ａ）は上面図（一部透視図）、（ｂ）は
部分拡大断面図を示す。図５において、９は半田ボール
を示す。図５に示される本発明の半導体装置は、パッケ
ージ厚ａが２ｍｍ以下の半導体装置であることが必要
で、パッケージ厚は１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。本発明の半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂成形材料で封止することによって、上記の封
止材厚を有する薄型の半導体装置においても、上記の封
止材厚及び半導体チップ面積を有する半導体装置におい
ても、さらには上記のピン数、ワイヤー長及びパッドピ
ッチを有する半導体装置においてもワイヤー流れ、ボイ
ド等の成形不良の発生を低減することが可能となる。
【００５２】
【実施例】次に実施例により本発明を説明するが、本発
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５３】〔封止用エポキシ樹脂成形材料の作製〕エ
ポキシ樹脂として、エポキシ当量１９６、融点１０６℃
のビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン
株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００Ｈ）、エポ
キシ当量１８６、融点７５℃のビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂（新日鉄化学株式会社製商品名ＹＳＬＶ−８０
ＸＹ）、エポキシ当量２１０、融点１２０℃のスチルベ
ン型エポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳ
ＬＶ−２１０）、エポキシ当量２４５、融点１１０℃の
硫黄原子含有エポキシ樹脂（新日鐵化学株式会社製商品
名ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ）及びエポキシ当量１９５、軟
化点６５℃のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＣＮ−１９０）、
硬化剤として軟化点７０℃、水酸基当量１７５のフェノ
ール・アラルキル樹脂（三井化学株式会社製商品名ミレ
ックスＸＬ−２２５）、軟化点８０℃、水酸基当量１９
９のビフェニル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製
商品名ＭＥＨ−７８５１）、軟化点８０℃、水酸基当量
１０６のフェノールノボラック樹脂（明和化成株式会社
製商品名Ｈ−１）、硬化促進剤としてトリフェニルホス
フィンとｐ-ベンゾキノンの付加物（硬化促進剤）、カ
ップリング剤として２級アミノ基を含有するシランカッ
プリング剤（γ-アニリノプロピルトリメトキシシラン
（アニリノシラン））、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン（エポキシシラン）、リン酸エステルと
して芳香族縮合リン酸エステル（大八化学製商品名ＰＸ
−２００）、トリフェニルホスフェート、複合金属水酸
化物としてタテホ化学製複合金属水酸化物エコーマグＺ
-１０、その他難燃剤として水酸化マグネシウム（協和
化学製キスマ５Ａ）、三酸化アンチモン及びエポキシ当
量３７５、軟化点８０℃、臭素含量４８重量％のビスフ
ェノールＡ型ブロム化エポキシ樹脂（住友化学工業株式
会社製商品名ＥＳＢ−４００Ｔ）、無機充填剤として平
均粒径１７．５μｍ、比表面積３．８ｍ2／ｇの球状溶
融シリカ、その他の添加剤としてカルナバワックス（ク
ラリアント社製）及びカーボンブラック（三菱化学株式
会社製商品名ＭＡ−１００）をそれぞれ表１に示す重量
部で配合し、混練温度８０℃、混練時間１０分の条件で
ロール混練を行い、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１
４を作製した。
ポキシ樹脂として、エポキシ当量１９６、融点１０６℃
のビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン
株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００Ｈ）、エポ
キシ当量１８６、融点７５℃のビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂（新日鉄化学株式会社製商品名ＹＳＬＶ−８０
ＸＹ）、エポキシ当量２１０、融点１２０℃のスチルベ
ン型エポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳ
ＬＶ−２１０）、エポキシ当量２４５、融点１１０℃の
硫黄原子含有エポキシ樹脂（新日鐵化学株式会社製商品
名ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ）及びエポキシ当量１９５、軟
化点６５℃のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＣＮ−１９０）、
硬化剤として軟化点７０℃、水酸基当量１７５のフェノ
ール・アラルキル樹脂（三井化学株式会社製商品名ミレ
ックスＸＬ−２２５）、軟化点８０℃、水酸基当量１９
９のビフェニル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製
商品名ＭＥＨ−７８５１）、軟化点８０℃、水酸基当量
１０６のフェノールノボラック樹脂（明和化成株式会社
製商品名Ｈ−１）、硬化促進剤としてトリフェニルホス
フィンとｐ-ベンゾキノンの付加物（硬化促進剤）、カ
ップリング剤として２級アミノ基を含有するシランカッ
プリング剤（γ-アニリノプロピルトリメトキシシラン
（アニリノシラン））、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン（エポキシシラン）、リン酸エステルと
して芳香族縮合リン酸エステル（大八化学製商品名ＰＸ
−２００）、トリフェニルホスフェート、複合金属水酸
化物としてタテホ化学製複合金属水酸化物エコーマグＺ
-１０、その他難燃剤として水酸化マグネシウム（協和
化学製キスマ５Ａ）、三酸化アンチモン及びエポキシ当
量３７５、軟化点８０℃、臭素含量４８重量％のビスフ
ェノールＡ型ブロム化エポキシ樹脂（住友化学工業株式
会社製商品名ＥＳＢ−４００Ｔ）、無機充填剤として平
均粒径１７．５μｍ、比表面積３．８ｍ2／ｇの球状溶
融シリカ、その他の添加剤としてカルナバワックス（ク
ラリアント社製）及びカーボンブラック（三菱化学株式
会社製商品名ＭＡ−１００）をそれぞれ表１に示す重量
部で配合し、混練温度８０℃、混練時間１０分の条件で
ロール混練を行い、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１
４を作製した。
【００５４】
【表１】
【００５５】作製した封止用エポキシ樹脂成形材料１〜
１４の特性を、次の各試験により求めた。結果を表２に
示す。 （１）スパイラルフロー ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料をトランスフ
ァ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力６．９Ｍ
Ｐａ、硬化時間９０秒の条件で成形し、流動距離（ｃ
ｍ）を求めた。 （２）円板フロー ２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×２５ｍｍ（Ｈ）
の上型と２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×１５ｍ
ｍ（Ｈ）の下型を有する円板フロー測定用平板金型を用
いて、精秤した試料（封止用エポキシ樹脂成形材料）５
ｇを１８０℃に加熱した下型中心部にのせ、５秒後に、
１８０℃に加熱した上型を閉じて、荷重７８Ｎ、硬化時
間９０秒の条件で圧縮成形し、ノギスで成形品の長径
（ｍｍ）及び短径（ｍｍ）を測定して、その平均値（ｍ
ｍ）を円板フローとした。 （３）熱時硬度 封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で直径５０ｍｍ
×厚さ３ｍｍの円板に成形し、成形後直ちにショアＤ型
硬度計を用いて測定した。 （４）難燃性 厚さ１／１６インチの試験片を成形する金型を用いて、
封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形して１８
０℃で５時間後硬化を行い、ＵＬ−９４試験法に従って
難燃性を評価した。
１４の特性を、次の各試験により求めた。結果を表２に
示す。 （１）スパイラルフロー ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料をトランスフ
ァ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力６．９Ｍ
Ｐａ、硬化時間９０秒の条件で成形し、流動距離（ｃ
ｍ）を求めた。 （２）円板フロー ２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×２５ｍｍ（Ｈ）
の上型と２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×１５ｍ
ｍ（Ｈ）の下型を有する円板フロー測定用平板金型を用
いて、精秤した試料（封止用エポキシ樹脂成形材料）５
ｇを１８０℃に加熱した下型中心部にのせ、５秒後に、
１８０℃に加熱した上型を閉じて、荷重７８Ｎ、硬化時
間９０秒の条件で圧縮成形し、ノギスで成形品の長径
（ｍｍ）及び短径（ｍｍ）を測定して、その平均値（ｍ
ｍ）を円板フローとした。 （３）熱時硬度 封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で直径５０ｍｍ
×厚さ３ｍｍの円板に成形し、成形後直ちにショアＤ型
硬度計を用いて測定した。 （４）難燃性 厚さ１／１６インチの試験片を成形する金型を用いて、
封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形して１８
０℃で５時間後硬化を行い、ＵＬ−９４試験法に従って
難燃性を評価した。
【００５６】
【表２】
【００５７】〔半導体装置（ＬＱＦＰ及びＱＦＰ）の作
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用い
て、実施例１〜１０及び比較例１〜１８の半導体装置を
作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料による封
止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８０
℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成
形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行った。 実施例１〜１０（表３）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１〜１０を用いて、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍ
（面積１００ｍｍ2）、パッドピッチ８０μｍのテスト
用シリコーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ
３ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施
した、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封
止材の厚さ０．５ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚
さ０．５ｍｍ、半導体装置の総厚み１．５ｍｍの実施例
１〜１０の半導体装置（１００ピンＬＱＦＰ）を作製し
た。 比較例１〜４（表３）：封止用エポキシ樹脂成形材料１
１〜１４を用いたことを除いて、実施例１〜１０と同様
にして、比較例１〜４の半導体装置（１００ピンＬＱＦ
Ｐ）を作製した。 比較例５〜１４（表４）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１〜１０を用いて、４ｍｍ×４ｍｍ×０．４ｍｍ（面積
１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍのテスト用シリ
コーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ１.５
ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施し
た、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封止
材の厚さ１．１ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚さ
１．１ｍｍ、半導体装置の総厚み２．７ｍｍの比較例５
〜１４の半導体装置（６４ピンＱＦＰ−１Ｈ）を作製し
た。 比較例１５〜１８（表４）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、実施例５〜４と同
様にして、比較例１５〜１８の半導体装置（６４ピンＱ
ＦＰ−１Ｈ）を作製した。
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用い
て、実施例１〜１０及び比較例１〜１８の半導体装置を
作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料による封
止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８０
℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成
形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行った。 実施例１〜１０（表３）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１〜１０を用いて、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍ
（面積１００ｍｍ2）、パッドピッチ８０μｍのテスト
用シリコーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ
３ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施
した、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封
止材の厚さ０．５ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚
さ０．５ｍｍ、半導体装置の総厚み１．５ｍｍの実施例
１〜１０の半導体装置（１００ピンＬＱＦＰ）を作製し
た。 比較例１〜４（表３）：封止用エポキシ樹脂成形材料１
１〜１４を用いたことを除いて、実施例１〜１０と同様
にして、比較例１〜４の半導体装置（１００ピンＬＱＦ
Ｐ）を作製した。 比較例５〜１４（表４）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１〜１０を用いて、４ｍｍ×４ｍｍ×０．４ｍｍ（面積
１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍのテスト用シリ
コーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ１.５
ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施し
た、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封止
材の厚さ１．１ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚さ
１．１ｍｍ、半導体装置の総厚み２．７ｍｍの比較例５
〜１４の半導体装置（６４ピンＱＦＰ−１Ｈ）を作製し
た。 比較例１５〜１８（表４）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、実施例５〜４と同
様にして、比較例１５〜１８の半導体装置（６４ピンＱ
ＦＰ−１Ｈ）を作製した。
【００５８】〔半導体装置（ＯＭＰＡＣ型ＢＧＡ）の作
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用い
て、実施例１１〜２０及び比較例１９〜３６の半導体装
置を作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料によ
る封止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８
０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で
成形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行っ
た。 実施例１１〜２０（表５）：絶縁ベース基材（ガラス布
ーエポキシ樹脂積層板、日立化成製、商品名 Ｅ−６７
９）上に微細配線パターンを形成し、半導体素子搭載側
の金メッキ端子及び反対側の外部接続端子を除いた面に
絶縁保護レジスト（太陽インキ製、商品名 ＰＳＲ４０
００ＡＵＳ５）を塗布した外形が縦２６．２ｍｍ×横２
６．２ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの半導体素子搭載用基板を
１２０℃、２時間乾燥後、縦９ｍｍ×横９ｍｍ×厚さ
０．５１ｍｍ（面積８１ｍｍ2）、パッドピッチ８０μ
ｍの半導体素子を、接着材（日立化成製、商品名 ＥＮ
−Ｘ５０）を塗布して搭載し、クリーンオーブン中で室
温から１８０℃まで一定昇温速度で１時間加熱した後、
更に１８０℃の一定温度で１時間加熱した。その後、直
径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイヤによりワイヤボ
ンド部と半導体素子をワイヤボンディングした。次に、
封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１０を用いて、半導体
素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横２６．２ｍｍ×厚さ
０．９ｍｍ（厚さ１．５ｍｍＢＧＡ装置）の寸法に上記
条件でトランスファ成形し、実施例１１〜２０のＢＧＡ
装置を作製した。 比較例１９〜２２（表５）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、実施例１１〜２０
と同様にして、比較例１９〜２２の半導体装置（厚さ
１．５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 比較例２３〜３２（表６）：実施例１１〜２０と同様に
して、縦４ｍｍ×横４ｍｍ×厚さ０．５１ｍｍ（面積１
６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素子を搭
載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍｍの金ワイヤに
よりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディング
した基板を作製し、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１
０を用いて、半導体素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横２
６．２ｍｍ×厚さ１．９ｍｍ（厚さ２．５ｍｍＢＧＡ装
置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、比較例２
３〜３２のＢＧＡ装置を作製した。 比較例３３〜３６（表６）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜４を用いたことを除いて、比較例２３〜３２と
同様にしてＢＧＡ装置を作製した。
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用い
て、実施例１１〜２０及び比較例１９〜３６の半導体装
置を作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料によ
る封止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８
０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で
成形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行っ
た。 実施例１１〜２０（表５）：絶縁ベース基材（ガラス布
ーエポキシ樹脂積層板、日立化成製、商品名 Ｅ−６７
９）上に微細配線パターンを形成し、半導体素子搭載側
の金メッキ端子及び反対側の外部接続端子を除いた面に
絶縁保護レジスト（太陽インキ製、商品名 ＰＳＲ４０
００ＡＵＳ５）を塗布した外形が縦２６．２ｍｍ×横２
６．２ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの半導体素子搭載用基板を
１２０℃、２時間乾燥後、縦９ｍｍ×横９ｍｍ×厚さ
０．５１ｍｍ（面積８１ｍｍ2）、パッドピッチ８０μ
ｍの半導体素子を、接着材（日立化成製、商品名 ＥＮ
−Ｘ５０）を塗布して搭載し、クリーンオーブン中で室
温から１８０℃まで一定昇温速度で１時間加熱した後、
更に１８０℃の一定温度で１時間加熱した。その後、直
径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイヤによりワイヤボ
ンド部と半導体素子をワイヤボンディングした。次に、
封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１０を用いて、半導体
素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横２６．２ｍｍ×厚さ
０．９ｍｍ（厚さ１．５ｍｍＢＧＡ装置）の寸法に上記
条件でトランスファ成形し、実施例１１〜２０のＢＧＡ
装置を作製した。 比較例１９〜２２（表５）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、実施例１１〜２０
と同様にして、比較例１９〜２２の半導体装置（厚さ
１．５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 比較例２３〜３２（表６）：実施例１１〜２０と同様に
して、縦４ｍｍ×横４ｍｍ×厚さ０．５１ｍｍ（面積１
６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素子を搭
載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍｍの金ワイヤに
よりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディング
した基板を作製し、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１
０を用いて、半導体素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横２
６．２ｍｍ×厚さ１．９ｍｍ（厚さ２．５ｍｍＢＧＡ装
置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、比較例２
３〜３２のＢＧＡ装置を作製した。 比較例３３〜３６（表６）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜４を用いたことを除いて、比較例２３〜３２と
同様にしてＢＧＡ装置を作製した。
【００５９】〔半導体装置（一括モールド型スタックド
タイプＢＧＡ）の作製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形
材料１〜１４を用いて、実施例２１〜３０及び比較例３
７〜５４の半導体装置を作製した。なお、封止用エポキ
シ樹脂成形材料による封止は、トランスファ成形機を用
いて、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化
時間９０秒の条件で成形後、１８０℃で５時間後硬化す
ることにより行った。 実施例２１〜３０（表７）：縦４８ｍｍ×横１７１ｍｍ
×厚さ０．１５ｍｍのポリイミド基板に、日立化成工業
製ダイボンドフィルムＤＦ−４００を裏面に貼付した
９．７ｍｍ×６．０ｍｍ×０．４ｍｍ（面積５８ｍ
ｍ2）、パッドピッチ８０μｍの半導体素子を２枚重ね
て、積層半導体素子合計５６枚を図５に示すように配置
し、圧着温度２００℃、荷重２００ｇｆ、圧着時間１０
秒の条件で圧着し、さらに１８０℃で１時間ベークを行
った。その後、直径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイ
ヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディ
ングした。次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１０
を用いて、半導体素子搭載面を縦４０ｍｍ×横８３ｍｍ
×厚さ０．８ｍｍ（厚さ０．９５ｍｍＢＧＡ装置）の寸
法に、図５に示すように上記条件でトランスファ成形
し、実施例２１〜３０のＢＧＡ装置を作製した。 比較例３７〜４０（表７）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、実施例２１〜３０
と同様にして、比較例３７〜４０のＢＧＡ装置（厚さ
０．９５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 比較例４１〜５０（表８）：また、実施例２１〜３０と
同様にして、５．１ｍｍ×３．１ｍｍ×０．４ｍｍ８面
積１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素子
を１枚のみ搭載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍｍ
の金ワイヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤ
ボンディングした基板を作製し、封止用エポキシ樹脂成
形材料１〜１０を用いて、半導体素子搭載面を縦４０ｍ
ｍ×横８３ｍｍ×厚さ２．５ｍｍ（厚さ２．６５ｍｍＢ
ＧＡ装置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、比
較例４１〜５０のＢＧＡ装置を作製した。 比較例５１〜５４（表８）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、比較例４１〜５０
と同様にして、比較例５１〜５４のＢＧＡ装置を作製し
た。
タイプＢＧＡ）の作製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形
材料１〜１４を用いて、実施例２１〜３０及び比較例３
７〜５４の半導体装置を作製した。なお、封止用エポキ
シ樹脂成形材料による封止は、トランスファ成形機を用
いて、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化
時間９０秒の条件で成形後、１８０℃で５時間後硬化す
ることにより行った。 実施例２１〜３０（表７）：縦４８ｍｍ×横１７１ｍｍ
×厚さ０．１５ｍｍのポリイミド基板に、日立化成工業
製ダイボンドフィルムＤＦ−４００を裏面に貼付した
９．７ｍｍ×６．０ｍｍ×０．４ｍｍ（面積５８ｍ
ｍ2）、パッドピッチ８０μｍの半導体素子を２枚重ね
て、積層半導体素子合計５６枚を図５に示すように配置
し、圧着温度２００℃、荷重２００ｇｆ、圧着時間１０
秒の条件で圧着し、さらに１８０℃で１時間ベークを行
った。その後、直径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイ
ヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディ
ングした。次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１０
を用いて、半導体素子搭載面を縦４０ｍｍ×横８３ｍｍ
×厚さ０．８ｍｍ（厚さ０．９５ｍｍＢＧＡ装置）の寸
法に、図５に示すように上記条件でトランスファ成形
し、実施例２１〜３０のＢＧＡ装置を作製した。 比較例３７〜４０（表７）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、実施例２１〜３０
と同様にして、比較例３７〜４０のＢＧＡ装置（厚さ
０．９５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 比較例４１〜５０（表８）：また、実施例２１〜３０と
同様にして、５．１ｍｍ×３．１ｍｍ×０．４ｍｍ８面
積１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素子
を１枚のみ搭載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍｍ
の金ワイヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤ
ボンディングした基板を作製し、封止用エポキシ樹脂成
形材料１〜１０を用いて、半導体素子搭載面を縦４０ｍ
ｍ×横８３ｍｍ×厚さ２．５ｍｍ（厚さ２．６５ｍｍＢ
ＧＡ装置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、比
較例４１〜５０のＢＧＡ装置を作製した。 比較例５１〜５４（表８）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１１〜１４を用いたことを除いて、比較例４１〜５０
と同様にして、比較例５１〜５４のＢＧＡ装置を作製し
た。
【００６０】作製した実施例１〜３０及び比較例１〜５
４の半導体装置を次の各試験により評価した。評価結果
を表３〜表８に示す。 （１）ワイヤー変形量（ワイヤー流れの指標） ソフトＸ線測定装置（ソフテックス社製PRO-TEST 100
型）を用いて、電圧１００ｋＶ、電流１．５ｍＡの条件
で、半導体装置の透視観察を行ってワイヤー変形量を求
め、ワイヤー流れを評価した。図２及び図４に示すよう
に、観察はフレーム面に対し垂直方向から行い、ワイヤ
ーボンディングの最短距離Ｌ（半導体チップ３の端子部
７とリード４又は基板のボンディング部を結ぶ直線距
離）及びワイヤー５の最大変位量Ｘを測定し、Ｘ／Ｌ×
１００をワイヤー変形量（％）とした。 （２）ボイド発生量 上記（１）と同様にして半導体装置の透視観察を行い、
直径０．１ｍｍ以上のボイドの発生の有無を観察し、ボ
イド発生半導体装置数／試験半導体装置数で評価した。
４の半導体装置を次の各試験により評価した。評価結果
を表３〜表８に示す。 （１）ワイヤー変形量（ワイヤー流れの指標） ソフトＸ線測定装置（ソフテックス社製PRO-TEST 100
型）を用いて、電圧１００ｋＶ、電流１．５ｍＡの条件
で、半導体装置の透視観察を行ってワイヤー変形量を求
め、ワイヤー流れを評価した。図２及び図４に示すよう
に、観察はフレーム面に対し垂直方向から行い、ワイヤ
ーボンディングの最短距離Ｌ（半導体チップ３の端子部
７とリード４又は基板のボンディング部を結ぶ直線距
離）及びワイヤー５の最大変位量Ｘを測定し、Ｘ／Ｌ×
１００をワイヤー変形量（％）とした。 （２）ボイド発生量 上記（１）と同様にして半導体装置の透視観察を行い、
直径０．１ｍｍ以上のボイドの発生の有無を観察し、ボ
イド発生半導体装置数／試験半導体装置数で評価した。
【００６１】
【表３】
【００６２】
【表４】
【００６３】
【表５】
【００６４】
【表６】
【００６５】
【表７】
【００６６】
【表８】
【００６７】〔信頼性評価〕
実施例３１〜４０（表９）、比較例５５〜５８（表
９）：次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用
いて各種信頼性の評価を行った。評価結果を表９に示
す。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料の成形は、トラ
ンスファ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力
６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で行った。また、
後硬化は１８０℃で５時間行った。 ・耐リフロー性 ８ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍのシリコーンチップを搭
載した外形寸法２０ｍｍ×１４ｍｍ×２ｍｍの８０ピン
フラットパッケージを、封止用エポキシ樹脂成形材料を
用いて上記条件で成形、後硬化して作製し、８５℃、８
５％ＲＨの条件で加湿して所定時間毎に２４０℃、１０
秒の条件でリフロー処理を行い、クラックの有無を観察
し、試験パッケージ数（５）に対するクラック発生パッ
ケージ数で評価した。 ・耐湿性 線幅１０μｍ、厚さ１μｍのアルミ配線を施した６ｍｍ
×６ｍｍ×０．４ｍｍのテスト用シリコーンチップを搭
載した外形寸法１９ｍｍ×１４ｍｍ×２．７ｍｍの８０
ピンフラットパッケージを、封止用エポキシ樹脂成形材
料を用いて上記条件で成形、後硬化して作製し、前処理
を行った後、加湿して所定時間毎にアルミ配線腐食によ
る断線不良を調べ、試験パッケージ数（１０）に対する
不良パッケージ数で評価した。なお、前処理は８５℃、
８５％ＲＨ、７２時間の条件でフラットパッケージを加
湿後、２１５℃、９０秒間のベーパーフェーズリフロー
処理を行った。その後の加湿は０．２ＭＰａ、１２１℃
の条件で行った。 ・高温放置特性 上記耐湿性と同様に作製した試験用パッケージを２００
℃の高温槽に保管し、所定時間毎に取り出して導通試験
を行い、試験パッケージ数（１０）に対する導通不良パ
ッケージ数で、高温放置特性を評価した。
９）：次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用
いて各種信頼性の評価を行った。評価結果を表９に示
す。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料の成形は、トラ
ンスファ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力
６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で行った。また、
後硬化は１８０℃で５時間行った。 ・耐リフロー性 ８ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍのシリコーンチップを搭
載した外形寸法２０ｍｍ×１４ｍｍ×２ｍｍの８０ピン
フラットパッケージを、封止用エポキシ樹脂成形材料を
用いて上記条件で成形、後硬化して作製し、８５℃、８
５％ＲＨの条件で加湿して所定時間毎に２４０℃、１０
秒の条件でリフロー処理を行い、クラックの有無を観察
し、試験パッケージ数（５）に対するクラック発生パッ
ケージ数で評価した。 ・耐湿性 線幅１０μｍ、厚さ１μｍのアルミ配線を施した６ｍｍ
×６ｍｍ×０．４ｍｍのテスト用シリコーンチップを搭
載した外形寸法１９ｍｍ×１４ｍｍ×２．７ｍｍの８０
ピンフラットパッケージを、封止用エポキシ樹脂成形材
料を用いて上記条件で成形、後硬化して作製し、前処理
を行った後、加湿して所定時間毎にアルミ配線腐食によ
る断線不良を調べ、試験パッケージ数（１０）に対する
不良パッケージ数で評価した。なお、前処理は８５℃、
８５％ＲＨ、７２時間の条件でフラットパッケージを加
湿後、２１５℃、９０秒間のベーパーフェーズリフロー
処理を行った。その後の加湿は０．２ＭＰａ、１２１℃
の条件で行った。 ・高温放置特性 上記耐湿性と同様に作製した試験用パッケージを２００
℃の高温槽に保管し、所定時間毎に取り出して導通試験
を行い、試験パッケージ数（１０）に対する導通不良パ
ッケージ数で、高温放置特性を評価した。
【００６８】
【表９】
【００６９】（Ｃ）複合金属水酸化物を含有せず、水酸
化マグネシウムを用いてノンハロ化した封止用エポキシ
樹脂成形材料１２で封止した、比較例２、１６、２０、
３４、３８及び５２の半導体装置では、ワイヤー流れ
（ワイヤー変形量大）及びボイドの発生のいずれかの成
形不良が発生している。（Ｃ）複合金属水酸化物を含有
せず、リン酸エステルを用いてノンハロ化した封止用エ
ポキシ樹脂成形材料１１は熱時硬度の点で劣っており、
また封止用エポキシ樹脂成形材料１１で封止した５５の
半導体装置では、耐湿性の点で劣っている。また（Ｃ）
複合金属水酸化物を含有せず、臭素系難燃剤及びアンチ
モン化合物にて難燃化した封止用エポキシ樹脂成形材料
１３、１４で封止した、比較例５７、５８の半導体装置
では、高温放置特性の点で劣っている。これに対して
（Ａ）〜（Ｃ）成分を全て含んだ封止用エポキシ樹脂成
形材料１〜１０は流動性に優れ、これにより封止した実
施例１〜３０の半導体装置では、いずれもワイヤー流れ
が見られず（ワイヤー変形量が極小）、ボイド発生もな
く、成形性に優れる。また実施例３１〜３９の半導体装
置では耐リフロー性も優れている。半導体装置が本発明
の構成（ａ）〜（ｆ）の１以上を備えるものでない、比
較例５〜１８、２３〜３６及び４１〜５４の半導体装置
において封止用エポキシ樹脂成形材料１２で封止した半
導体装置以外は、いずれもワイヤー流れが見られず（ワ
イヤー変形量が極小）、ボイド発生もなく、成形性に優
れ、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１０と封止用エポ
キシ樹脂成形材料１１〜１４の間に優位差が見られな
い。
化マグネシウムを用いてノンハロ化した封止用エポキシ
樹脂成形材料１２で封止した、比較例２、１６、２０、
３４、３８及び５２の半導体装置では、ワイヤー流れ
（ワイヤー変形量大）及びボイドの発生のいずれかの成
形不良が発生している。（Ｃ）複合金属水酸化物を含有
せず、リン酸エステルを用いてノンハロ化した封止用エ
ポキシ樹脂成形材料１１は熱時硬度の点で劣っており、
また封止用エポキシ樹脂成形材料１１で封止した５５の
半導体装置では、耐湿性の点で劣っている。また（Ｃ）
複合金属水酸化物を含有せず、臭素系難燃剤及びアンチ
モン化合物にて難燃化した封止用エポキシ樹脂成形材料
１３、１４で封止した、比較例５７、５８の半導体装置
では、高温放置特性の点で劣っている。これに対して
（Ａ）〜（Ｃ）成分を全て含んだ封止用エポキシ樹脂成
形材料１〜１０は流動性に優れ、これにより封止した実
施例１〜３０の半導体装置では、いずれもワイヤー流れ
が見られず（ワイヤー変形量が極小）、ボイド発生もな
く、成形性に優れる。また実施例３１〜３９の半導体装
置では耐リフロー性も優れている。半導体装置が本発明
の構成（ａ）〜（ｆ）の１以上を備えるものでない、比
較例５〜１８、２３〜３６及び４１〜５４の半導体装置
において封止用エポキシ樹脂成形材料１２で封止した半
導体装置以外は、いずれもワイヤー流れが見られず（ワ
イヤー変形量が極小）、ボイド発生もなく、成形性に優
れ、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１０と封止用エポ
キシ樹脂成形材料１１〜１４の間に優位差が見られな
い。
【００７０】
【発明の効果】本発明になる薄型半導体装置用の封止用
エポキシ樹脂成形材料は特に環境対応の観点から要求さ
れるノンハロゲンかつノンアンチモンで難燃性を有し、
流動性に優れ、これにより封止した半導体装置は、薄
型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ及び有機
基板又は有機フィルム上に半導体チップが配置された半
導体装置でありながら、実施例で示したようにワイヤー
流れ、ボイドといった成形不良の発生がなく、また各種
信頼性にも優れるため、その工業的価値は大である。
エポキシ樹脂成形材料は特に環境対応の観点から要求さ
れるノンハロゲンかつノンアンチモンで難燃性を有し、
流動性に優れ、これにより封止した半導体装置は、薄
型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ及び有機
基板又は有機フィルム上に半導体チップが配置された半
導体装置でありながら、実施例で示したようにワイヤー
流れ、ボイドといった成形不良の発生がなく、また各種
信頼性にも優れるため、その工業的価値は大である。
【図１】半導体装置（ＱＦＰ）の（ａ）断面図、（ｂ）
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図である。
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図である。
【図２】ワイヤー変形量の測定方法を示す図である。
【図３】半導体装置（ＢＧＡ）の（ａ）断面図、（ｂ）
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図である。
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図である。
【図４】ワイヤー変形量の測定方法を示す図である。
【図５】一括モールド型ＢＧＡ装置の図である。
１：アイランド（タブ）
２：ダイボンド剤
３：半導体チップ
４：リードピン
５：ワイヤー
６：封止用エポキシ樹脂成形材料（封止材）
７：端子部（ボンディングパット）
８：絶縁ベース基板
９：半田ボール
１０：配線板の端子部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高橋 佳弘
茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式
会社総合研究所内
(72)発明者 片寄 光雄
茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式
会社総合研究所内
Ｆターム(参考） 4J036 AA02 AB01 AC01 AC05 AD08
AD10 AD15 AD20 AD21 AF01
AF05 AF06 AF15 AF27 AG04
AG06 AG07 AH04 AJ05 AJ08
AJ17 AJ19 DA01 DA02 DA04
DC03 DC11 DC12 DC40 DC41
DC46 DD07 DD09 FA03 FA12
FA13 FB07 JA07
4M109 AA01 CA21 EB07
Claims (21)
- 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を
含有し、さらに（Ｃ）複合金属水酸化物を含有する、
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用
いる封止用エポキシ樹脂成形材料。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である（ｆ）半導体チップの面積が２
５ｍｍ2以上である - 【請求項２】 円板フローが８０ｍｍ以上である請求項
１記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項３】 半導体装置がスタックド型パッケージで
ある請求項１又は請求項２記載の封止用エポキシ樹脂成
形材料。 - 【請求項４】 半導体装置が一括モールド型パッケージ
である請求項１〜３のいずれかに記載の封止用エポキシ
樹脂成形材料。 - 【請求項５】 （Ｃ）複合金属水酸化物が下記組成式
（Ｉ）で示される化合物である請求項１〜４のいずれか
に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 ｐ(Ｍ1aＯb)・ｑ(Ｍ2cＯd)・ｒ(Ｍ3cＯd)・ｍＨ2Ｏ （Ｉ） （ここで、Ｍ1、Ｍ2及びＭ3は互いに異なる金属元素を
示し、a、b、c、d、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は
正の数を示す。） - 【請求項６】 組成式（Ｉ）中のＭ1とＭ2が同一となら
ないようにＭ1が第３周期の金属元素、IIＡ族のアルカ
リ土類金属元素、IVＢ族、IIＢ族、VIII族、ＩＢ族、II
IＡ族及びIVＡ族に属する金属元素から選ばれ、Ｍ2がII
IＢ〜IIＢ族の遷移金属元素から選ばれる請求項５記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項７】 組成式（Ｉ）中のＭ1とＭ2が同一となら
ないようにＭ1がマグネシウム、カルシウム、アルミニ
ウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び
亜鉛から選ばれ、Ｍ2が鉄、コバルト、ニッケル、銅及
び亜鉛から選ばれる請求項６記載の封止用エポキシ樹脂
成形材料。 - 【請求項８】 組成式（Ｉ）中のＭ1がマグネシウム
で、Ｍ2が亜鉛又はニッケルである請求項７記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項９】 組成式（Ｉ）中、ｒ＝０で、ｐ及びｑの
モル比ｐ／ｑが９９／１〜５０／５０である請求項５〜
８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項１０】 （Ｄ）２級アミノ基を有するシランカ
ップリング剤をさらに含有する請求項１〜９のいずれか
に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項１１】 （Ｄ）２級アミノ基を有するシランカ
ップリング剤が下記一般式（II）で示される化合物を含
有する請求項１０記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 【化１】 （ここで、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） - 【請求項１２】 （Ｅ）リン酸エステルをさらに含有す
る請求項１〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料。 - 【請求項１３】 （Ｅ）リン酸エステルが下記一般式
（III）で示される化合物を含有する請求項１２記載の
封止用エポキシ樹脂成形材料。 【化２】 （ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） - 【請求項１４】 （Ａ）エポキシ樹脂の１５０℃におけ
る溶融粘度が２ポイズ以下である請求項１〜１３のいず
れかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項１５】 （Ａ）エポキシ樹脂がビフェニル型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチル
ベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキ
シ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメ
タン型エポキシ樹脂の少なくとも１種を含有する請求項
１〜１４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 - 【請求項１６】 （Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融
粘度が２ポイズ以下である請求項１〜１５のいずれかに
記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項１７】 （Ｂ）硬化剤がビフェニル型フェノー
ル樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタ
ジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノ
ール樹脂及びノボラック型フェノール樹脂の少なくとも
１種を含有する請求項１〜１６のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項１８】 （Ｆ）無機充填剤をさらに含有する請
求項１〜１７のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成
形材料。 - 【請求項１９】 （Ｇ）硬化促進剤をさらに含有する請
求項１〜１８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成
形材料。 - 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれかに記載の封
止用エポキシ樹脂成形材料により封止された半導体装
置。 - 【請求項２１】 以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上
を備える請求項２０記載の半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ2以上である
Priority Applications (18)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002113690A JP2003327667A (ja) | 2002-03-07 | 2002-04-16 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| KR1020067018658A KR100709660B1 (ko) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 전자 부품 장치 |
| CNB038048299A CN100509908C (zh) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| CNB038048450A CN100519650C (zh) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| AU2003202138A AU2003202138A1 (en) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| KR1020047013368A KR100652108B1 (ko) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 전자 부품장치 |
| CN2008101777515A CN101429324B (zh) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| US10/504,513 US20060014873A1 (en) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| CN2008101777498A CN101429322B (zh) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| CN2008101741180A CN101412838B (zh) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| CN2008101777500A CN101429323B (zh) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件 |
| US10/505,008 US20050222300A1 (en) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| AU2003202139A AU2003202139A1 (en) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| PCT/JP2003/000208 WO2003072628A1 (en) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| KR1020047013367A KR100637305B1 (ko) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용한 전자 부품 장치 |
| PCT/JP2003/000207 WO2003072655A1 (en) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| TW092100666A TWI230724B (en) | 2002-02-27 | 2003-01-14 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
| TW092100957A TWI304828B (en) | 2002-02-27 | 2003-01-17 | Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002061268 | 2002-03-07 | ||
| JP2002-61268 | 2002-03-07 | ||
| JP2002113690A JP2003327667A (ja) | 2002-03-07 | 2002-04-16 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003327667A true JP2003327667A (ja) | 2003-11-19 |
Family
ID=29713818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002113690A Pending JP2003327667A (ja) | 2002-02-27 | 2002-04-16 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003327667A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299206A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JP2006328360A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2007007843A1 (ja) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2007269979A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、および半導体装置 |
| WO2007142018A1 (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
| JPWO2006059363A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-05 | 松下電工株式会社 | プリプレグ用エポキシ樹脂組成物およびプリプレグ、多層プリント配線板 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936282A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH1121427A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| JPH11189704A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| JPH11323090A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2001234037A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-08-28 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2001279059A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Toray Ind Inc | エポキシ系樹脂組成物 |
| JP2001335681A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-12-04 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2002053734A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-19 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
-
2002
- 2002-04-16 JP JP2002113690A patent/JP2003327667A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936282A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH1121427A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| JPH11189704A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 |
| JPH11323090A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-11-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
| JP2001234037A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-08-28 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2001335681A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-12-04 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2001279059A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Toray Ind Inc | エポキシ系樹脂組成物 |
| JP2002053734A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-19 | Nitto Denko Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4697144B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-06-08 | パナソニック電工株式会社 | プリプレグ用エポキシ樹脂組成物およびプリプレグ、多層プリント配線板 |
| JPWO2006059363A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-05 | 松下電工株式会社 | プリプレグ用エポキシ樹脂組成物およびプリプレグ、多層プリント配線板 |
| JP2006299206A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JP2006328360A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-12-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2007007843A1 (ja) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JP2007269979A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、および半導体装置 |
| JP2011155277A (ja) * | 2006-06-02 | 2011-08-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
| JPWO2007142018A1 (ja) * | 2006-06-02 | 2009-10-22 | 日立化成工業株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
| WO2007142018A1 (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
| JP4968258B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2012-07-04 | 日立化成工業株式会社 | 光半導体素子搭載用パッケージおよびこれを用いた光半導体装置 |
| US9076932B2 (en) | 2006-06-02 | 2015-07-07 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US9608184B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-03-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US9660156B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-05-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US9673362B2 (en) | 2006-06-02 | 2017-06-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US10205072B2 (en) | 2006-06-02 | 2019-02-12 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US10326063B2 (en) | 2006-06-02 | 2019-06-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US10950767B2 (en) | 2006-06-02 | 2021-03-16 | Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting device and method of preparing same, optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same |
| US11810778B2 (en) | 2006-06-02 | 2023-11-07 | Shenzhen Jufei Optoelectronics Co., Ltd. | Optical semiconductor element mounting package and optical semiconductor device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3511136B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| KR100870809B1 (ko) | 봉지용 에폭시 수지 성형 재료 및 전자 부품 장치 | |
| JP2004307645A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| JP2003321594A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2004307650A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| JP2002348442A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| JP3659116B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP4432381B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2004115583A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2004156035A (ja) | 硬化性樹脂の硬化促進剤、硬化性樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP4265187B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び素子を備えた電子部品装置 | |
| JP2003321532A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP2003327667A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| JP2003105094A (ja) | エポキシ樹脂成形材料の製造法、エポキシ樹脂成形材料、成形品の製造法及び電子部品装置 | |
| JP2004307646A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| JP2015074703A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2004331677A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2014129485A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2003289123A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料の使用 | |
| JP2003321533A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP7343978B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 | |
| JP2001011290A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JP4000838B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 | |
| JPWO2020067016A1 (ja) | 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 | |
| JP2007092083A (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060606 |