JP2002348442A - 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 流動性、信頼性に優れる薄型、多ピン、ロン
グワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に半導体チ
ップが配置された半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成
形材料及びこれにより封止されたワイヤー流れ、ボイド
等の成形不良やリフロー時の不良の発生が少ない薄型、
多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板
上に半導体チップが配置されたの半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを必須成分と
する封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止
された半導体装置。
グワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に半導体チ
ップが配置された半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成
形材料及びこれにより封止されたワイヤー流れ、ボイド
等の成形不良やリフロー時の不良の発生が少ない薄型、
多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板
上に半導体チップが配置されたの半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 （Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを必須成分と
する封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこれにより封止
された半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、封止用エポキシ樹
脂成形材料及びこれにより封止された半導体装置に関す
る。さらに詳しくは、本発明は、薄型、多ピン、ロング
ワイヤー、狭パッドピッチ、実装基板上に半導体チップ
が配置された薄型の半導体装置に好適な流動性に優れる
封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれにより封止され
た、ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良やリフロー時の
不良の発生が少ない、薄型、多ピン、ロングワイヤー、
狭パッドピッチ、実装基板上に半導体チップが配置され
た薄型の半導体装置に関する。
脂成形材料及びこれにより封止された半導体装置に関す
る。さらに詳しくは、本発明は、薄型、多ピン、ロング
ワイヤー、狭パッドピッチ、実装基板上に半導体チップ
が配置された薄型の半導体装置に好適な流動性に優れる
封止用エポキシ樹脂成形材料及びこれにより封止され
た、ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良やリフロー時の
不良の発生が少ない、薄型、多ピン、ロングワイヤー、
狭パッドピッチ、実装基板上に半導体チップが配置され
た薄型の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品のプリント配線板への高
密度実装化が進んでいる。これに伴い、半導体装置は従
来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケ
ージが主流になっている。表面実装型のＩＣ、ＬＳＩな
どは、実装密度を高くし実装高さを低くするために、薄
型、小型のパッケージになっており、素子のパッケージ
に対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は非
常に薄くなってきた。また素子の多機能化、大容量化に
よって、チップ面積の増大、多ピン化が進み、さらには
パッド（電極）数の増大によって、パッドピッチの縮小
化とパッド寸法の縮小化、いわゆる狭パッドピッチ化も
進んでいる。また、さらなる小型軽量化に対応すべく、
パッケージの形態もＱＦＰ（Quad Flat Package）、Ｓ
ＯＰ（Small Outline Package）といったものから、よ
り多ピン化に対応しやすく、かつより高密度実装が可能
なＣＳＰ（Chip Size Package）やＢＧＡ（Ball Grid A
rray）へ移行しつつある。これらのパッケージは近年、
高速化、多機能化を実現するために、フェースダウン
型、積層（スタックド）型、フリップチップ型、ウェハ
ーレベル型等、新しい構造のものが開発されている。こ
の中で、積層（スタックド）型はパッケージ内部に複数
のチップを積み重ねてワイヤーボンディングで接続する
構造であり、機能の異なる複数のチップを一つのパッケ
ージに搭載可能であるため、多機能化が可能となる。ま
た、ＣＳＰやＢＧＡを作製する際の樹脂封止工程も従来
の１チップ１キャビティの封止方法に変わって、複数の
チップを１キャビティで封止する、いわゆる一括モール
ド型の封止方法が開発され、生産効率の向上、低コスト
化が図られている。一方、封止材には、半導体装置をプ
リント基板へ表面実装する際の懸案事項である耐リフロ
ー性や、実装後の信頼性として要求される温度サイクル
性等を高いレベルでクリアすることが求められ、樹脂粘
度の低減とこれによる充填剤の高充填化によって封止材
に低吸湿化と低膨張化を付与し対応を図ってきた。
密度実装化が進んでいる。これに伴い、半導体装置は従
来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケ
ージが主流になっている。表面実装型のＩＣ、ＬＳＩな
どは、実装密度を高くし実装高さを低くするために、薄
型、小型のパッケージになっており、素子のパッケージ
に対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は非
常に薄くなってきた。また素子の多機能化、大容量化に
よって、チップ面積の増大、多ピン化が進み、さらには
パッド（電極）数の増大によって、パッドピッチの縮小
化とパッド寸法の縮小化、いわゆる狭パッドピッチ化も
進んでいる。また、さらなる小型軽量化に対応すべく、
パッケージの形態もＱＦＰ（Quad Flat Package）、Ｓ
ＯＰ（Small Outline Package）といったものから、よ
り多ピン化に対応しやすく、かつより高密度実装が可能
なＣＳＰ（Chip Size Package）やＢＧＡ（Ball Grid A
rray）へ移行しつつある。これらのパッケージは近年、
高速化、多機能化を実現するために、フェースダウン
型、積層（スタックド）型、フリップチップ型、ウェハ
ーレベル型等、新しい構造のものが開発されている。こ
の中で、積層（スタックド）型はパッケージ内部に複数
のチップを積み重ねてワイヤーボンディングで接続する
構造であり、機能の異なる複数のチップを一つのパッケ
ージに搭載可能であるため、多機能化が可能となる。ま
た、ＣＳＰやＢＧＡを作製する際の樹脂封止工程も従来
の１チップ１キャビティの封止方法に変わって、複数の
チップを１キャビティで封止する、いわゆる一括モール
ド型の封止方法が開発され、生産効率の向上、低コスト
化が図られている。一方、封止材には、半導体装置をプ
リント基板へ表面実装する際の懸案事項である耐リフロ
ー性や、実装後の信頼性として要求される温度サイクル
性等を高いレベルでクリアすることが求められ、樹脂粘
度の低減とこれによる充填剤の高充填化によって封止材
に低吸湿化と低膨張化を付与し対応を図ってきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の封止材
では、ワイヤー流れやボイドといった成形不良が多発
し、薄型化、チップの大面積化、多ピン化、狭パッドピ
ッチ化等に対応した半導体装置の製造が困難であった。
これに対応すべく、封止材にはさらなる樹脂粘度の低減
や充填剤組成の変更等による改善が試みられているが、
未だ充分な結果を得てはいない。さらにはロングワイヤ
ー化となる積層（スタックド）型ＣＳＰやキャビティ体
積の大きい一括モールド対応の半導体装置では、さらに
厳しい流動特性が封止材には求められてくる。
では、ワイヤー流れやボイドといった成形不良が多発
し、薄型化、チップの大面積化、多ピン化、狭パッドピ
ッチ化等に対応した半導体装置の製造が困難であった。
これに対応すべく、封止材にはさらなる樹脂粘度の低減
や充填剤組成の変更等による改善が試みられているが、
未だ充分な結果を得てはいない。さらにはロングワイヤ
ー化となる積層（スタックド）型ＣＳＰやキャビティ体
積の大きい一括モールド対応の半導体装置では、さらに
厳しい流動特性が封止材には求められてくる。
【０００４】従って、本発明の目的は、流動性、信頼性
に優れる半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材料、
及びこれにより封止されたワイヤー流れ、ボイド等の成
形不良の発生やリフロー時の不良の発生が少ない半導体
装置を提供しようとするものである。１つの好適な態様
において、本発明によれば、薄型、多ピン、ロングワイ
ヤー、狭パッドピッチ、又は有機基板もしくは有機フィ
ルム等の実装基板上に半導体チップが配置された半導体
装置の封止に適した封止用エポキシ樹脂成形材料が提供
される。他の好適な態様において、本発明によれば、前
記本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料により封止
された、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッ
チ、又は有機基板もしくは有機フィルム等の実装基板上
に半導体チップが配置された半導体装置が提供される。
に優れる半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材料、
及びこれにより封止されたワイヤー流れ、ボイド等の成
形不良の発生やリフロー時の不良の発生が少ない半導体
装置を提供しようとするものである。１つの好適な態様
において、本発明によれば、薄型、多ピン、ロングワイ
ヤー、狭パッドピッチ、又は有機基板もしくは有機フィ
ルム等の実装基板上に半導体チップが配置された半導体
装置の封止に適した封止用エポキシ樹脂成形材料が提供
される。他の好適な態様において、本発明によれば、前
記本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料により封止
された、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭パッドピッ
チ、又は有機基板もしくは有機フィルム等の実装基板上
に半導体チップが配置された半導体装置が提供される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者らは上記の課題を
解決するために鋭意検討を重ねた結果、硫黄原子含有エ
ポキシ樹脂を含有し、さらに２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤又はリン酸エステルを必須成分とす
る、特定の半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材料
及びこれにより封止された半導体装置により上記の目的
を達成しうることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。
解決するために鋭意検討を重ねた結果、硫黄原子含有エ
ポキシ樹脂を含有し、さらに２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤又はリン酸エステルを必須成分とす
る、特定の半導体装置用の封止用エポキシ樹脂成形材料
及びこれにより封止された半導体装置により上記の目的
を達成しうることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００６】すなわち、本発明は以下に関する。 （１）（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化
剤を含有し、さらに（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有し、円
板フローが８０ｍｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形
材料。 （２）（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化
剤を含有し、さらに（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有する、
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用
いる封止用エポキシ樹脂成形材料。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である （３）円板フローが８０ｍｍ以上である前記（２）記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料。 （４）（Ｅ）無機充填剤をさらに含有する前記（１）〜
（３）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （５）（Ｆ）硬化促進剤をさらに含有する前記（１）〜
（４）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （６）半導体装置がスタックド型パッケージである前記
（１）〜（５）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂
成形材料。 （７）半導体装置が一括モールド型パッケージである前
記（１）〜（６）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料。 （８）（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂の１５０℃にお
ける溶融粘度が２ポイズ以下である前記（１）〜（７）
のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 （９）（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂が下記一般式
（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂である前記（１）〜
（８）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。
剤を含有し、さらに（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有し、円
板フローが８０ｍｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形
材料。 （２）（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化
剤を含有し、さらに（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有する、
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用
いる封止用エポキシ樹脂成形材料。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である （３）円板フローが８０ｍｍ以上である前記（２）記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料。 （４）（Ｅ）無機充填剤をさらに含有する前記（１）〜
（３）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （５）（Ｆ）硬化促進剤をさらに含有する前記（１）〜
（４）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 （６）半導体装置がスタックド型パッケージである前記
（１）〜（５）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂
成形材料。 （７）半導体装置が一括モールド型パッケージである前
記（１）〜（６）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料。 （８）（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂の１５０℃にお
ける溶融粘度が２ポイズ以下である前記（１）〜（７）
のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 （９）（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂が下記一般式
（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂である前記（１）〜
（８）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。
【化６】 （上記式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ8は水素原子、炭素数１〜１
０のアルキル基、アルコキシル基、炭素数６〜１０のア
リール基、アラルキル基から選ばれ、全てが同一でも異
なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。） （１０）（Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融粘度が２
ポイズ以下である前記（１）〜（９）のいずれかに記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料。 （１１）（Ｂ）硬化剤が下記一般式（II）で示されるフ
ェノール・アラルキル樹脂及び／又は下記一般式（II
I）で示されるビフェニル型フェノール樹脂を含有する
前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の封止用エポキ
シ樹脂成形材料。
０のアルキル基、アルコキシル基、炭素数６〜１０のア
リール基、アラルキル基から選ばれ、全てが同一でも異
なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。） （１０）（Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融粘度が２
ポイズ以下である前記（１）〜（９）のいずれかに記載
の封止用エポキシ樹脂成形材料。 （１１）（Ｂ）硬化剤が下記一般式（II）で示されるフ
ェノール・アラルキル樹脂及び／又は下記一般式（II
I）で示されるビフェニル型フェノール樹脂を含有する
前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の封止用エポキ
シ樹脂成形材料。
【化７】 （ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。）
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。）
【化８】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ９は水素原子、炭素数１〜１０のア
ルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６
〜１０のアリール基及び炭素数６〜１０のアラルキル基
から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは
０〜１０の整数を示す。） （１２）（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリン
グ剤が下記一般式（IV）で示される化合物を含有する前
記（１）〜（１１）のいずれかに記載の封止用エポキシ
樹脂成形材料。
ルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６
〜１０のアリール基及び炭素数６〜１０のアラルキル基
から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは
０〜１０の整数を示す。） （１２）（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリン
グ剤が下記一般式（IV）で示される化合物を含有する前
記（１）〜（１１）のいずれかに記載の封止用エポキシ
樹脂成形材料。
【化９】 （ここで、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） （１３）（Ｄ）リン酸エステルが下記一般式（Ｖ）で示
される化合物を含有するものである前記（１）〜（１
１）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） （１３）（Ｄ）リン酸エステルが下記一般式（Ｖ）で示
される化合物を含有するものである前記（１）〜（１
１）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１０】 （ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） （１４）前記（１）〜（１３）のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料により封止された半導体装置。 （１５）以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上備える前
記（１４）記載の半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） （１４）前記（１）〜（１３）のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料により封止された半導体装置。 （１５）以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上備える前
記（１４）記載の半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる（Ａ）
硫黄原子含有エポキシ樹脂としては、分子中に硫黄原子
を含有するものであれば特に制限はないが、スルフィド
骨格を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールＳジグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂等の主鎖骨格に硫黄原子を
有するエポキシ樹脂が好ましく、耐リフロー性の観点か
らはスルフィド骨格を有するエポキシ樹脂がより好まし
い。なかでも、下記一般式（Ｉ）に示される硫黄原子含
有エポキシ樹脂が好ましい。
硫黄原子含有エポキシ樹脂としては、分子中に硫黄原子
を含有するものであれば特に制限はないが、スルフィド
骨格を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールＳジグリシ
ジルエーテル型エポキシ樹脂等の主鎖骨格に硫黄原子を
有するエポキシ樹脂が好ましく、耐リフロー性の観点か
らはスルフィド骨格を有するエポキシ樹脂がより好まし
い。なかでも、下記一般式（Ｉ）に示される硫黄原子含
有エポキシ樹脂が好ましい。
【化１１】 上記式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ8は全てが同一でも異なってい
てもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
６〜１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なか
でも水素原子、メチル基及びイソブチル基が好ましい。
ｎは０〜３の整数を示す。上記一般式（Ｉ）で示される
硫黄原子含有エポキシ樹脂のなかでも、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6
及びＲ7が水素原子で、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5及びＲ8がアルキ
ル基であるエポキシ樹脂が好ましく、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6及
びＲ7が水素原子で、Ｒ1及びＲ8がｔ−ブチル基で、Ｒ4
及びＲ5がメチル基であるエポキシ樹脂がより好まし
い。このような化合物としては、ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ
(新日鐵化学社製)等が市販品として入手可能である。こ
の硫黄原子含有エポキシ樹脂を使用する場合、その配合
量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対
して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％
以上がより好ましく、６０重量％以上がさらに好まし
い。
てもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
６〜１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なか
でも水素原子、メチル基及びイソブチル基が好ましい。
ｎは０〜３の整数を示す。上記一般式（Ｉ）で示される
硫黄原子含有エポキシ樹脂のなかでも、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6
及びＲ7が水素原子で、Ｒ1、Ｒ4、Ｒ5及びＲ8がアルキ
ル基であるエポキシ樹脂が好ましく、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ6及
びＲ7が水素原子で、Ｒ1及びＲ8がｔ−ブチル基で、Ｒ4
及びＲ5がメチル基であるエポキシ樹脂がより好まし
い。このような化合物としては、ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ
(新日鐵化学社製)等が市販品として入手可能である。こ
の硫黄原子含有エポキシ樹脂を使用する場合、その配合
量は、その性能を発揮するためにエポキシ樹脂全量に対
して３０重量％以上とすることが好ましく、５０重量％
以上がより好ましく、６０重量％以上がさらに好まし
い。
【０００８】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料に
は、（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂以外に従来公知の
エポキシ樹脂をさらに含有してもよい。例えば、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレ
ゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び
／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシ
ナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合
物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボ
ラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、
ビスフェノールＦ、アルキル置換又は非置換のビフェノ
ール等のジグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイド
ロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多
塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリ
シジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメ
タン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒド
リンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類及び／又は
ナフトール類との共縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレ
ン環を有するエポキシ樹脂、フェノール・アラルキル樹
脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェ
ノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロパン型
エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン
結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エ
ポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂などが挙げられ、これ
らを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
は、（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂以外に従来公知の
エポキシ樹脂をさらに含有してもよい。例えば、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレ
ゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビス
フェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び
／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシ
ナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセ
トアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合
物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボ
ラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、
ビスフェノールＦ、アルキル置換又は非置換のビフェノ
ール等のジグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイド
ロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多
塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリ
シジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメ
タン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒド
リンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエンとフェノ−ル類及び／又は
ナフトール類との共縮合樹脂のエポキシ化物、ナフタレ
ン環を有するエポキシ樹脂、フェノール・アラルキル樹
脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェ
ノール樹脂のエポキシ化物、トリメチロールプロパン型
エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、オレフィン
結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エ
ポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂などが挙げられ、これ
らを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【０００９】なかでも流動性、耐リフロー性の観点から
は、下記一般式（VI）で示されるビフェニル型エポキシ
樹脂が好ましい。
は、下記一般式（VI）で示されるビフェニル型エポキシ
樹脂が好ましい。
【化１２】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ4は水素原子及び炭素数１〜１０の置
換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
一でも異なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示
す。） 上記一般式（VI）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂
としては、例えば、４，４’−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメ
チルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロ
ルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−
（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールと
を反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。な
かでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成
分とするエポキシ樹脂が好ましい。
換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
一でも異なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示
す。） 上記一般式（VI）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂
としては、例えば、４，４’−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシ）ビフェニル又は４，４’−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラメ
チルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロ
ルヒドリンと４，４’−ビフェノール又は４，４’−
（３，３’，５，５’−テトラメチル）ビフェノールと
を反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。な
かでも４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）
−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニルを主成
分とするエポキシ樹脂が好ましい。
【０００１０】流動性、難燃性の観点からは下記一般式
（VII）で示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が
好ましい。
（VII）で示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が
好ましい。
【化１３】 上記式（VII）中のＲ1〜Ｒ8は全てが同一でも異なって
いてもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
６〜１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なか
でも水素原子及びメチル基が好ましい。ｎは０〜３の整
数を示す。上記一般式（II）で示されるビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂としては、例えば、Ｒ1、Ｒ３、Ｒ６
及びＲ８がメチル基で、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５及びＲ７が水
素原子であり、ｎ＝０を主成分とするＹＳＬＶ−８０Ｘ
Ｙ（新日鉄化学株式会社製商品名）が市販品として入手
可能である。
いてもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
６〜１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なか
でも水素原子及びメチル基が好ましい。ｎは０〜３の整
数を示す。上記一般式（II）で示されるビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂としては、例えば、Ｒ1、Ｒ３、Ｒ６
及びＲ８がメチル基で、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５及びＲ７が水
素原子であり、ｎ＝０を主成分とするＹＳＬＶ−８０Ｘ
Ｙ（新日鉄化学株式会社製商品名）が市販品として入手
可能である。
【００１１】流動性、硬化性の観点からは下記一般式
（VIII）で示されるスチルベン型エポキシ樹脂が好まし
い。
（VIII）で示されるスチルベン型エポキシ樹脂が好まし
い。
【化１４】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ8は水素原子、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６〜
１０のアリール基及び炭素数６〜１０のアラルキル基か
ら選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０
〜３の整数を示す。） 上記一般式（VIII）で示されるスチルベン型エポキシ樹
脂としては、例えば、Ｒ1、Ｒ３、Ｒ６及びＲ８がメチ
ル基で、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５及びＲ７が水素原子であり、
ｎ＝０を主成分とするＥＳＬＶ−２１０（住友化学工業
株式会社製商品名）が市販品として入手可能である。
キル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６〜
１０のアリール基及び炭素数６〜１０のアラルキル基か
ら選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは０
〜３の整数を示す。） 上記一般式（VIII）で示されるスチルベン型エポキシ樹
脂としては、例えば、Ｒ1、Ｒ３、Ｒ６及びＲ８がメチ
ル基で、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５及びＲ７が水素原子であり、
ｎ＝０を主成分とするＥＳＬＶ−２１０（住友化学工業
株式会社製商品名）が市販品として入手可能である。
【００１２】本発明において用いられる（Ａ）硫黄原子
含有エポキシ樹脂の１５０℃における溶融粘度は、流動
性の観点から２ポイズ以下が好ましく、１ポイズ以下が
より好ましく、０.５ポイズ以下がさらに好ましい。こ
こで、溶融粘度とはＩＣＩコーンプレート粘度計で測定
した粘度を示す。
含有エポキシ樹脂の１５０℃における溶融粘度は、流動
性の観点から２ポイズ以下が好ましく、１ポイズ以下が
より好ましく、０.５ポイズ以下がさらに好ましい。こ
こで、溶融粘度とはＩＣＩコーンプレート粘度計で測定
した粘度を示す。
【００１３】本発明において用いられる（Ｂ）硬化剤
は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されてい
るもので特に制限はないが、例えば、フェノール、クレ
ゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、
ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノ
ール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−
ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類
とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物と
を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、フ
ェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキ
シレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成
されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラ
ルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂などが挙げ
られ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて
用いてもよい。
は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されてい
るもので特に制限はないが、例えば、フェノール、クレ
ゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、
ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノ
ール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−
ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類
とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物と
を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、フ
ェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキ
シレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成
されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラ
ルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂などが挙げ
られ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて
用いてもよい。
【００１４】なかでも耐リフロー性の観点からは、下記
一般式（II）で示されるフェノール・アラルキル樹脂が
好ましく、Ｒが水素原子で、ｎの平均値が０〜８である
フェノール・アラルキル樹脂がより好ましく、具体例と
しては、ｐ−キシリレン型ザイロック、ｍ−キシリレン
型ザイロック等が挙げられる。このフェノール・アラル
キル樹脂を用いる場合、その配合量は、その性能を発揮
するために硬化剤全量に対して３０重量％以上とするこ
とが好ましく、５０重量％以上がより好ましく、６０重
量％以上がさらに好ましい。
一般式（II）で示されるフェノール・アラルキル樹脂が
好ましく、Ｒが水素原子で、ｎの平均値が０〜８である
フェノール・アラルキル樹脂がより好ましく、具体例と
しては、ｐ−キシリレン型ザイロック、ｍ−キシリレン
型ザイロック等が挙げられる。このフェノール・アラル
キル樹脂を用いる場合、その配合量は、その性能を発揮
するために硬化剤全量に対して３０重量％以上とするこ
とが好ましく、５０重量％以上がより好ましく、６０重
量％以上がさらに好ましい。
【化１５】 （ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。）
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。）
【００１５】難燃性の観点からは下記一般式（III）で
示されるビフェニル型フェノール樹脂が好ましい。
示されるビフェニル型フェノール樹脂が好ましい。
【化１６】 上記式（III）中のＲ1〜Ｒ９は全てが同一でも異なって
いてもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
６〜１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なか
でも水素原子とメチル基が好ましい。ｎは０〜１０の整
数を示す。上記一般式（III）で示されるビフェニル型
フェノール樹脂としては、例えばＲ1〜Ｒ９が全て水素
原子である化合物等が挙げられ、なかでも溶融粘度の観
点から、ｎが１以上の縮合体を５０重量％以上含む縮合
体の混合物が好ましい。このような化合物としては、Ｍ
ＥＨ−７８５１（明和化成株式会社製商品名）が市販品
として入手可能である。このビフェニル型フェノール樹
脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発揮する
ために硬化剤全量に対して３０重量％以上とすることが
好ましく、５０重量％以上がより好ましい。
いてもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数１〜１０のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
６〜１０のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数６〜１０のアラルキル基から選ばれ、なか
でも水素原子とメチル基が好ましい。ｎは０〜１０の整
数を示す。上記一般式（III）で示されるビフェニル型
フェノール樹脂としては、例えばＲ1〜Ｒ９が全て水素
原子である化合物等が挙げられ、なかでも溶融粘度の観
点から、ｎが１以上の縮合体を５０重量％以上含む縮合
体の混合物が好ましい。このような化合物としては、Ｍ
ＥＨ−７８５１（明和化成株式会社製商品名）が市販品
として入手可能である。このビフェニル型フェノール樹
脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発揮する
ために硬化剤全量に対して３０重量％以上とすることが
好ましく、５０重量％以上がより好ましい。
【００１６】上記一般式（II）で示されるフェノール・
アラルキル樹脂と上記一般式（III）で示されるビフェ
ニル型フェノール樹脂とは併用してもよい。両者を併用
する場合には、それらの配合量は硬化剤全量に対して合
わせて６０重量％以上とすることが好ましく、８０重量
％以上がより好ましい。
アラルキル樹脂と上記一般式（III）で示されるビフェ
ニル型フェノール樹脂とは併用してもよい。両者を併用
する場合には、それらの配合量は硬化剤全量に対して合
わせて６０重量％以上とすることが好ましく、８０重量
％以上がより好ましい。
【００１７】本発明において用いられる（Ｂ）硬化剤の
１５０℃における溶融粘度は、流動性の観点から２ポイ
ズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好ましい。ここ
で、溶融粘度とはＩＣＩ粘度を示す。
１５０℃における溶融粘度は、流動性の観点から２ポイ
ズ以下が好ましく、１ポイズ以下がより好ましい。ここ
で、溶融粘度とはＩＣＩ粘度を示す。
【００１８】（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂と（Ｂ）
硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキ
シ基数／硬化剤中の水酸基数の比は、特に制限はない
が、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜
２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３
の範囲に設定することがより好ましい。成形性、耐リフ
ロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を得るため
には０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好
ましい。
硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキ
シ基数／硬化剤中の水酸基数の比は、特に制限はない
が、それぞれの未反応分を少なく抑えるために０．５〜
２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３
の範囲に設定することがより好ましい。成形性、耐リフ
ロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を得るため
には０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好
ましい。
【００１９】本発明において用いられる（Ｃ）２級アミ
ノ基を有するシランカップリング剤は分子内に２級アミ
ノ基を有するシラン化合物であれば特に制限はないが、
たとえば、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、
γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエ
チルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジ
メトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラン、γ−アニ
リノメチルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチ
ルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチル
ジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジメトキ
シシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェ
ニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ
−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジエト
キシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミ
ノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エ
チル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−
ブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ
−ベンジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
（Ｎ−メチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ−エチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノ
エチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−（β−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ
る。
ノ基を有するシランカップリング剤は分子内に２級アミ
ノ基を有するシラン化合物であれば特に制限はないが、
たとえば、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、
γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロ
ピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエ
チルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピルエチルジ
メトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラン、γ−アニ
リノメチルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチ
ルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチル
ジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエチルジメトキ
シシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェ
ニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−
（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ
−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルエチルジエト
キシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミ
ノプロピルエチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エ
チル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−
ブチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ
−ベンジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−
（Ｎ−メチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ−エチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アミノプロピルメチ
ルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ブチル）アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−ベンジル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノ
エチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−（β−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられ
る。
【００２０】なかでも流動性及び特に良好な円板フロー
を得るという観点からは、下記一般式（IV）で示される
アミノシランカップリング剤が好ましい。
を得るという観点からは、下記一般式（IV）で示される
アミノシランカップリング剤が好ましい。
【化１７】 （ここで、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） 上記一般式（IV）で示されるアミノシランカップリング
剤としては、たとえばγ−アニリノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、
γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ア
ニリノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
プロピルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピ
ルエチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメ
トキシシラン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルメチルジメトキシシラン、γ−
アニリノメチルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
メチルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエ
チルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフ
ェニル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラ
ン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピ
ルエチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−γ−アミノプロピルエチルジメトキシシラン等が
挙げられる。特に好ましくは、γ−アニリノプロピルト
リメトキシシランである。
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） 上記一般式（IV）で示されるアミノシランカップリング
剤としては、たとえばγ−アニリノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−アニリノプロピルトリエトキシシラン、
γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ア
ニリノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
プロピルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノプロピ
ルエチルジメトキシシラン、γ−アニリノメチルトリメ
トキシシラン、γ−アニリノメチルトリエトキシシラ
ン、γ−アニリノメチルメチルジメトキシシラン、γ−
アニリノメチルメチルジエトキシシラン、γ−アニリノ
メチルエチルジエトキシシラン、γ−アニリノメチルエ
チルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−
メトキシフェニル）−γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプ
ロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフ
ェニル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラ
ン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−アミノプロピ
ルエチルジエトキシシラン、Ｎ−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−γ−アミノプロピルエチルジメトキシシラン等が
挙げられる。特に好ましくは、γ−アニリノプロピルト
リメトキシシランである。
【００２１】前記（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカ
ップリング剤を封止用エポキシ樹脂成形材料に配合する
と、必須成分と充填剤のような任意成分との接着性が向
上し、結果的に必須成分と任意成分の機能が好適に発揮
されるという作用・効果が得られる。任意成分の中でも
特に後に説明する（Ｅ）無機充填剤の作用効果が好適に
発揮される観点から、（Ｃ）２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤を用いる場合は、（Ｅ）無機充填剤を
加えることが好ましい。
ップリング剤を封止用エポキシ樹脂成形材料に配合する
と、必須成分と充填剤のような任意成分との接着性が向
上し、結果的に必須成分と任意成分の機能が好適に発揮
されるという作用・効果が得られる。任意成分の中でも
特に後に説明する（Ｅ）無機充填剤の作用効果が好適に
発揮される観点から、（Ｃ）２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤を用いる場合は、（Ｅ）無機充填剤を
加えることが好ましい。
【００２２】（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップ
リング剤の配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対
して０．０３７〜４．７５重量％であることが好まし
く、０．０８８〜２．３重量％であることがさらに好ま
しい。０．０３７重量％未満では円板フローが低下し、
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる
傾向や、フレームとの接着性が低下する傾向がある。
４．７５重量％を超えるとパッケージの成形性が低下す
る傾向がある。尚、（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤の配合量は、後に説明する（Ｅ）無機充
填剤を加える場合、（Ｅ）無機充填剤に対して０．０５
〜５重量％であることが好ましく、０．１〜２．５重量
％がより好ましい。配合量を規定した理由は前記と同様
である。
リング剤の配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対
して０．０３７〜４．７５重量％であることが好まし
く、０．０８８〜２．３重量％であることがさらに好ま
しい。０．０３７重量％未満では円板フローが低下し、
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる
傾向や、フレームとの接着性が低下する傾向がある。
４．７５重量％を超えるとパッケージの成形性が低下す
る傾向がある。尚、（Ｃ）２級アミノ基を有するシラン
カップリング剤の配合量は、後に説明する（Ｅ）無機充
填剤を加える場合、（Ｅ）無機充填剤に対して０．０５
〜５重量％であることが好ましく、０．１〜２．５重量
％がより好ましい。配合量を規定した理由は前記と同様
である。
【００２３】本発明において用いられる（Ｄ）リン酸エ
ステルはリン酸とアルコール化合物又はフェノール化合
物のエステル化合物であれば特に制限はないが、例えば
トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、ト
リフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、
トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホス
フェート、キシレニルジフェニルホスフェート、トリス
（２，６−ジメチルフェニル）ホスフェート及び芳香族
縮合リン酸エステル等が挙げられる。なかでも耐加水分
解性の観点からは、下記一般式（Ｖ）で示される芳香族
縮合リン酸エステルが好ましい。
ステルはリン酸とアルコール化合物又はフェノール化合
物のエステル化合物であれば特に制限はないが、例えば
トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、ト
リフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、
トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホス
フェート、キシレニルジフェニルホスフェート、トリス
（２，６−ジメチルフェニル）ホスフェート及び芳香族
縮合リン酸エステル等が挙げられる。なかでも耐加水分
解性の観点からは、下記一般式（Ｖ）で示される芳香族
縮合リン酸エステルが好ましい。
【化１８】 （ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） 上記式（Ｖ）のリン酸エステル（Ｄ）を例示すると、下
記構造式（IＸ）〜（ＸIＶ）で示されるリン酸エステル
等が挙げられる。
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） 上記式（Ｖ）のリン酸エステル（Ｄ）を例示すると、下
記構造式（IＸ）〜（ＸIＶ）で示されるリン酸エステル
等が挙げられる。
【化１９】
【００２４】これらリン酸エステル（Ｄ）の添加量は、
充填剤を除く他の全配合成分に対して、燐原子の量で
０．２〜３．０質量％の範囲内であることが好ましい。
０．２質量％より少ない場合は円板フローが低下し、ワ
イヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる。
また難燃効果を有することから難燃剤としても使用した
場合、難燃効果が低くなる傾向がある。３．０質量％を
超えた場合は成形性、耐湿性の低下や、成形時にこれら
のリン酸エステルがしみ出し、外観を阻害する場合があ
る。
充填剤を除く他の全配合成分に対して、燐原子の量で
０．２〜３．０質量％の範囲内であることが好ましい。
０．２質量％より少ない場合は円板フローが低下し、ワ
イヤー流れ、ボイド等の成形不良が発生しやすくなる。
また難燃効果を有することから難燃剤としても使用した
場合、難燃効果が低くなる傾向がある。３．０質量％を
超えた場合は成形性、耐湿性の低下や、成形時にこれら
のリン酸エステルがしみ出し、外観を阻害する場合があ
る。
【００２５】本発明においては、（Ａ）成分、（Ｂ）成
分、及び（Ｃ）又は（Ｄ）成分に加えて、さらに（Ｅ）
無機充填剤を配合することが好ましい。本発明において
用いられる（Ｅ）無機充填剤は、吸湿性、線膨張係数低
減、熱伝導性向上及び強度向上のために封止用エポキシ
樹脂成形材料に配合されるものであり、たとえば、溶融
シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシ
ウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、
窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコ
ニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピ
ネル、ムライト、チタニア等の粉体又はこれらを球形化
したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難
燃効果のある無機充填剤としては水酸化アルミニウム、
水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛及び
下記組成式（XVI）にて示される複合金属水酸化物など
が挙げられる。 ｐ(Ｍ1aＯb)・ｑ(Ｍ2cＯd)・ｒ(Ｍ3cＯd)・ｍＨ2Ｏ （XVI） （ここで、Ｍ1、Ｍ2及びＭ3は互いに異なる金属元素を
示し、a、b、c、d、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は
正の数を示す。上記組成式（XII）中のＭ1、Ｍ2及びＭ3
は互いに異なる金属元素であれば特に制限はないが、難
燃性の観点からは、Ｍ1が第３周期の金属元素、IIＡ族
のアルカリ土類金属元素、IVＢ族、IIＢ族、VIII族、Ｉ
Ｂ族、IIIＡ族及びIVＡ族に属する金属元素から選ば
れ、Ｍ2がIIIＢ〜IIＢ族の遷移金属元素から選ばれるこ
とが好ましく、Ｍ1がマグネシウム、カルシウム、アル
ミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅
及び亜鉛から選ばれ、Ｍ2が鉄、コバルト、ニッケル、
銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。流動性の
観点からは、Ｍ1がマグネシウム、Ｍ2が亜鉛又はニッケ
ルで、ｒ＝０のものが好ましい。ｐ、ｑ及びｒのモル比
は特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ／ｑが１／９９〜１
／１であることが好ましい。なお、金属元素の分類は、
典型元素をＡ亜族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の
周期率表（出典：共立出版株式会社発行「化学大辞典
４」１９８７年２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて
行った。） これらの無機充填剤は単独で用いても２種以上を組み合
わせて用いてもよい。なかでも、線膨張係数の低減の観
点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミ
ナが好ましく、無機充填剤の形状は成形時の流動性及び
金型摩耗性の点から球形が好ましい。
分、及び（Ｃ）又は（Ｄ）成分に加えて、さらに（Ｅ）
無機充填剤を配合することが好ましい。本発明において
用いられる（Ｅ）無機充填剤は、吸湿性、線膨張係数低
減、熱伝導性向上及び強度向上のために封止用エポキシ
樹脂成形材料に配合されるものであり、たとえば、溶融
シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシ
ウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、
窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコ
ニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピ
ネル、ムライト、チタニア等の粉体又はこれらを球形化
したビーズ、ガラス繊維などが挙げられる。さらに、難
燃効果のある無機充填剤としては水酸化アルミニウム、
水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛及び
下記組成式（XVI）にて示される複合金属水酸化物など
が挙げられる。 ｐ(Ｍ1aＯb)・ｑ(Ｍ2cＯd)・ｒ(Ｍ3cＯd)・ｍＨ2Ｏ （XVI） （ここで、Ｍ1、Ｍ2及びＭ3は互いに異なる金属元素を
示し、a、b、c、d、ｐ、ｑ及びｍは正の数、ｒは０又は
正の数を示す。上記組成式（XII）中のＭ1、Ｍ2及びＭ3
は互いに異なる金属元素であれば特に制限はないが、難
燃性の観点からは、Ｍ1が第３周期の金属元素、IIＡ族
のアルカリ土類金属元素、IVＢ族、IIＢ族、VIII族、Ｉ
Ｂ族、IIIＡ族及びIVＡ族に属する金属元素から選ば
れ、Ｍ2がIIIＢ〜IIＢ族の遷移金属元素から選ばれるこ
とが好ましく、Ｍ1がマグネシウム、カルシウム、アル
ミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅
及び亜鉛から選ばれ、Ｍ2が鉄、コバルト、ニッケル、
銅及び亜鉛から選ばれることがより好ましい。流動性の
観点からは、Ｍ1がマグネシウム、Ｍ2が亜鉛又はニッケ
ルで、ｒ＝０のものが好ましい。ｐ、ｑ及びｒのモル比
は特に制限はないが、ｒ＝０で、ｐ／ｑが１／９９〜１
／１であることが好ましい。なお、金属元素の分類は、
典型元素をＡ亜族、遷移元素をＢ亜族とする長周期型の
周期率表（出典：共立出版株式会社発行「化学大辞典
４」１９８７年２月１５日縮刷版第３０刷）に基づいて
行った。） これらの無機充填剤は単独で用いても２種以上を組み合
わせて用いてもよい。なかでも、線膨張係数の低減の観
点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミ
ナが好ましく、無機充填剤の形状は成形時の流動性及び
金型摩耗性の点から球形が好ましい。
【００２６】（Ｅ）無機充填剤を用いる場合、その配合
量は、耐リフロー性の観点から封止用エポキシ樹脂成形
材料に対して７５重量％以上が好ましい。耐リフロー
性、流動性、成形性及び強度向上の観点からは、８０〜
９５重量％がより好ましく、８８〜９２重量％がさらに
好ましい。
量は、耐リフロー性の観点から封止用エポキシ樹脂成形
材料に対して７５重量％以上が好ましい。耐リフロー
性、流動性、成形性及び強度向上の観点からは、８０〜
９５重量％がより好ましく、８８〜９２重量％がさらに
好ましい。
【００２７】（Ｅ）無機充填剤を用いる場合、本発明の
封止用エポキシ樹脂成形材料には、樹脂成分と充項剤と
の接着性を高めるために、カップリング剤を配合するこ
とが好ましい。カップリング剤としては、（Ｃ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤が好ましいが、本
発明の効果を達成できる範囲内で必要に応じてその他の
カップリング剤を併用することができる。（Ｃ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤と併用できるその
他のカップリング剤としては、封止用エポキシ樹脂成形
材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、
たとえば、１級アミノ基及び／又は３級アミノ基を有す
るシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、
アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各
種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレ
ート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げ
られる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メ
トキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）ア
ニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチ
ル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，
Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルト
リエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジ
エチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプ
ロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシ
リルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等
のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ
（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テト
ラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネー
ト、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチ
ル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビ
ス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテート
チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エ
チレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタ
ネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチ
タネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニ
ルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリ
ルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェ
ート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチ
タネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフ
ァイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤な
どが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種類以
上を組み合わせて用いてもよい。
封止用エポキシ樹脂成形材料には、樹脂成分と充項剤と
の接着性を高めるために、カップリング剤を配合するこ
とが好ましい。カップリング剤としては、（Ｃ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤が好ましいが、本
発明の効果を達成できる範囲内で必要に応じてその他の
カップリング剤を併用することができる。（Ｃ）２級ア
ミノ基を有するシランカップリング剤と併用できるその
他のカップリング剤としては、封止用エポキシ樹脂成形
材料に一般に使用されているもので特に制限はないが、
たとえば、１級アミノ基及び／又は３級アミノ基を有す
るシラン化合物、エポキシシラン、メルカプトシラン、
アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各
種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレ
ート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等が挙げ
られる。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メ
トキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）ア
ニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチ
ル）アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ，
Ｎ−ジメチル）アミノプロピルトリエトキシシラン、γ
−（Ｎ，Ｎ−ジエチル）アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルト
リエトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ，Ｎ−ジ
エチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
（Ｎ，Ｎ−ジブチル）アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−（Ｎ−エチル）アニリノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプ
ロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシ
リルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメト
キシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラ
ン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等
のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチル
パイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ
（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テト
ラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネー
ト、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチ
ル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビ
ス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテート
チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エ
チレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタ
ネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチ
タネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニ
ルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリ
ルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェ
ート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチ
タネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフ
ァイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤な
どが挙げられ、これらの１種を単独で用いても２種類以
上を組み合わせて用いてもよい。
【００２８】これらその他のカップリング剤を用いる場
合、（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
の配合量は、その性能を発揮するためにカップリング剤
全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５
０重量％以上がより好ましい。上記（Ｃ）２級アミノ基
を有するシランカップリング剤を含むカップリング剤の
全配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．
０３７〜４．７５重量％であることが好ましく、０．０
８８〜２．３重量％であることがより好ましい。０．０
３７質量％未満ではフレームとの接着性が低下する傾向
があり、４．７５質量％を超えるとパッケージの成形性
が低下する傾向がある。尚、上記カップリング剤の配合
量は、（Ｅ）無機充填剤を加える場合、（Ｅ）無機充填
剤に対して０．０５〜５重量％であることが好ましく、
０．１〜２．５重量％がより好ましい。配合量を規定し
た理由は前記と同様である。
合、（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
の配合量は、その性能を発揮するためにカップリング剤
全量に対して３０重量％以上とすることが好ましく、５
０重量％以上がより好ましい。上記（Ｃ）２級アミノ基
を有するシランカップリング剤を含むカップリング剤の
全配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．
０３７〜４．７５重量％であることが好ましく、０．０
８８〜２．３重量％であることがより好ましい。０．０
３７質量％未満ではフレームとの接着性が低下する傾向
があり、４．７５質量％を超えるとパッケージの成形性
が低下する傾向がある。尚、上記カップリング剤の配合
量は、（Ｅ）無機充填剤を加える場合、（Ｅ）無機充填
剤に対して０．０５〜５重量％であることが好ましく、
０．１〜２．５重量％がより好ましい。配合量を規定し
た理由は前記と同様である。
【００２９】硬化性の観点からは、本発明において、さ
らに（Ｆ）硬化促進剤を配合することが好ましい。本発
明において用いられる（Ｆ）硬化促進剤としては封止用
エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであ
れば特に制限はないが、たとえば、１，８−ジアザ−ビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザ
−ビシクロ（４，３，０）ノネン、５、６−ジブチルア
ミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物
に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−ト
ルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベ
ンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−
ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，
３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−
１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニ
ルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を
付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメ
チルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエ
タノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール
等の３級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミ
ダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれら
の誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホ
スフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチ
ルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェ
ニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホス
フィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾ
フェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合
物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テト
ラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ
フェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、
Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテト
ラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げら
れ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用
いてもよい。なかでも成形性及び耐リフロー性の観点か
らは有機ホスフィンとキノン化合物との付加物が好まし
い。
らに（Ｆ）硬化促進剤を配合することが好ましい。本発
明において用いられる（Ｆ）硬化促進剤としては封止用
エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであ
れば特に制限はないが、たとえば、１，８−ジアザ−ビ
シクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−ジアザ
−ビシクロ（４，３，０）ノネン、５、６−ジブチルア
ミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物
に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−ト
ルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベ
ンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−
ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，
３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−
１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニ
ルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を
付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメ
チルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエ
タノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール
等の３級アミン類及びこれらの誘導体、２−メチルイミ
ダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−
４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれら
の誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホ
スフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチ
ルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェ
ニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホス
フィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾ
フェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合
物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テト
ラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ
フェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチ
ル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、
Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテト
ラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げら
れ、これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用
いてもよい。なかでも成形性及び耐リフロー性の観点か
らは有機ホスフィンとキノン化合物との付加物が好まし
い。
【００３０】硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が達
成される量であれば特に制限されるものではないが、封
止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．００５〜２重量
％が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．５重量％
である。０．００５重量％未満では短時間での硬化性に
劣る傾向があり、２重量％を超えると硬化速度が速すぎ
て良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。
成される量であれば特に制限されるものではないが、封
止用エポキシ樹脂成形材料に対して０．００５〜２重量
％が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．５重量％
である。０．００５重量％未満では短時間での硬化性に
劣る傾向があり、２重量％を超えると硬化速度が速すぎ
て良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。
【００３１】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良の発生を抑制する観
点から、円板フローが８０ｍｍ以上であることが好まし
い。ここで、円板フローとは、７８Ｎの荷重下における
流動性を示す指標であり、封止用エポキシ樹脂成形材料
５ｇを、金型温度１８０℃、荷重７８Ｎ、硬化時間９０
秒の条件で成形した成形品の長径及び短径の測定値の平
均値をいう。円板フローが８０ｍｍ以上である封止用エ
ポキシ樹脂成形材料を用いることにより、薄型、多ピ
ン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に
半導体チップが配置された半導体装置においてもワイヤ
ー流れ、ボイド等の成形不良の発生を低減することが可
能となる。
ワイヤー流れ、ボイド等の成形不良の発生を抑制する観
点から、円板フローが８０ｍｍ以上であることが好まし
い。ここで、円板フローとは、７８Ｎの荷重下における
流動性を示す指標であり、封止用エポキシ樹脂成形材料
５ｇを、金型温度１８０℃、荷重７８Ｎ、硬化時間９０
秒の条件で成形した成形品の長径及び短径の測定値の平
均値をいう。円板フローが８０ｍｍ以上である封止用エ
ポキシ樹脂成形材料を用いることにより、薄型、多ピ
ン、ロングワイヤー、狭パッドピッチ又は実装基板上に
半導体チップが配置された半導体装置においてもワイヤ
ー流れ、ボイド等の成形不良の発生を低減することが可
能となる。
【００３２】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料とし
ては、必須成分として（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹
脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシ
ランカップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有
し、所望により（Ｅ）無機充填剤や、（Ｆ）硬化促進剤
を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料としては、以下の
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用
いることが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である 本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、前記構成
（ａ）〜（ｆ）を１以上備える半導体装置のなかでも、
特に以下の構成を有する半導体装置に好適に用いられ
る。
ては、必須成分として（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹
脂、（Ｂ）硬化剤、及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシ
ランカップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有
し、所望により（Ｅ）無機充填剤や、（Ｆ）硬化促進剤
を含有する封止用エポキシ樹脂成形材料が挙げられる。
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料としては、以下の
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導体装置に用
いることが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である 本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、前記構成
（ａ）〜（ｆ）を１以上備える半導体装置のなかでも、
特に以下の構成を有する半導体装置に好適に用いられ
る。
【００３３】ボイド低減の観点からは、構成（ａ）又は
（ｅ）を備える半導体装置に好適に用いられ、構成
（ａ）を備える半導体装置により好適に用いられ、構成
（ａ）とその他の構成を１以上備える半導体装置にさら
に好適に用いられる。ワイヤー流れ低減の観点からは、
構成（ｂ）、（ｃ）又は（ｄ）を備える半導体装置に好
適に用いられ、構成（ｂ）を備える半導体装置により好
適に用いられ、構成（ｂ）及び（ｃ）、又は構成（ｂ）
及び（ｄ）を備える半導体装置にさらに好適に用いら
れ、構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置
に特に好適に用いられる。ボイド低減及びワイヤー流れ
低減の観点からは、構成（ａ）及び（ｂ）、構成（ａ）
及び（ｃ）、構成（ａ）及び（ｄ）、構成（ａ）及び
（ｆ）、又は構成（ｃ）及び（ｅ）を備える半導体装置
に好適に用いられ、構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）、又
は構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ）を備える半導体装置に
より好適に用いられ、構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び
（ｆ）、又は構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を
備える半導体装置にさらに好適に用いられる。
（ｅ）を備える半導体装置に好適に用いられ、構成
（ａ）を備える半導体装置により好適に用いられ、構成
（ａ）とその他の構成を１以上備える半導体装置にさら
に好適に用いられる。ワイヤー流れ低減の観点からは、
構成（ｂ）、（ｃ）又は（ｄ）を備える半導体装置に好
適に用いられ、構成（ｂ）を備える半導体装置により好
適に用いられ、構成（ｂ）及び（ｃ）、又は構成（ｂ）
及び（ｄ）を備える半導体装置にさらに好適に用いら
れ、構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置
に特に好適に用いられる。ボイド低減及びワイヤー流れ
低減の観点からは、構成（ａ）及び（ｂ）、構成（ａ）
及び（ｃ）、構成（ａ）及び（ｄ）、構成（ａ）及び
（ｆ）、又は構成（ｃ）及び（ｅ）を備える半導体装置
に好適に用いられ、構成（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）、又
は構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ）を備える半導体装置に
より好適に用いられ、構成（ａ）、（ｂ）、（ｄ）及び
（ｆ）、又は構成（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を
備える半導体装置にさらに好適に用いられる。
【００３４】本発明に係る封止用エポキシ樹脂成形材料
の第１の好ましい態様においては、（Ａ）硫黄原子含有
エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）２級アミノ基を有
するシランカップリング剤、さらに任意成分としての
（Ｅ）無機充填剤及びその他の添加剤として用いる成分
の組み合わせ及び配合量を調整することによって、円板
フローが８０ｍｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形材
料を得ることができる。（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹
脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤の選定と（Ｅ）無機充填剤を用いる場
合はその配合量が特に重要である。本発明に係る封止用
エポキシ樹脂成形材料の第２の好ましい態様において
は、（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、
（Ｅ）無機充填剤及び（Ｆ）硬化促進剤の組み合わせ及
び配合量を調整することによって、円板フローが８０ｍ
ｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることが
できる。（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化
剤、（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
及び（Ｆ）硬化促進剤の選定と（Ｅ）無機充填剤の配合
量が特に重要である。本発明に係る封止用エポキシ樹脂
成形材料の第３の好ましい態様においては、（Ａ）硫黄
原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｄ）リン酸エ
ステル、（Ｅ）無機充填剤、（Ｆ）硬化促進剤及びその
他の添加剤として用いる成分の組み合わせ及び配合量を
調整することによって、円板フローが８０ｍｍ以上であ
る封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｄ）リン酸エステル及び（Ｆ）硬化促進剤の選定と
（Ｅ）無機充填剤の配合量が特に重要であり、それらの
配合量は前記の通りである。
の第１の好ましい態様においては、（Ａ）硫黄原子含有
エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）２級アミノ基を有
するシランカップリング剤、さらに任意成分としての
（Ｅ）無機充填剤及びその他の添加剤として用いる成分
の組み合わせ及び配合量を調整することによって、円板
フローが８０ｍｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形材
料を得ることができる。（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹
脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシラ
ンカップリング剤の選定と（Ｅ）無機充填剤を用いる場
合はその配合量が特に重要である。本発明に係る封止用
エポキシ樹脂成形材料の第２の好ましい態様において
は、（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤、
（Ｅ）無機充填剤及び（Ｆ）硬化促進剤の組み合わせ及
び配合量を調整することによって、円板フローが８０ｍ
ｍ以上である封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることが
できる。（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化
剤、（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
及び（Ｆ）硬化促進剤の選定と（Ｅ）無機充填剤の配合
量が特に重要である。本発明に係る封止用エポキシ樹脂
成形材料の第３の好ましい態様においては、（Ａ）硫黄
原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｄ）リン酸エ
ステル、（Ｅ）無機充填剤、（Ｆ）硬化促進剤及びその
他の添加剤として用いる成分の組み合わせ及び配合量を
調整することによって、円板フローが８０ｍｍ以上であ
る封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｄ）リン酸エステル及び（Ｆ）硬化促進剤の選定と
（Ｅ）無機充填剤の配合量が特に重要であり、それらの
配合量は前記の通りである。
【００３５】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料に
は、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、リン酸
エステル、赤リン等の燐化合物、メラミン、メラミンシ
アヌレート、メラミン変性フェノール樹脂、グアナミン
変性フェノール樹脂等の含窒素化合物、シクロホスファ
ゼン等の燐／窒素含有化合物、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化
モリブデン、フェロセン等の金属化合物などの従来公知
の難燃剤を必要に応じて添加することができる。
は、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、リン酸
エステル、赤リン等の燐化合物、メラミン、メラミンシ
アヌレート、メラミン変性フェノール樹脂、グアナミン
変性フェノール樹脂等の含窒素化合物、シクロホスファ
ゼン等の燐／窒素含有化合物、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化
モリブデン、フェロセン等の金属化合物などの従来公知
の難燃剤を必要に応じて添加することができる。
【００３６】また、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材
料には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性及び高温放置特性
を向上させる観点から陰イオン交換体を添加することも
できる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来
公知のものを用いることができるが、たとえば、ハイド
ロタルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ビスマス等から選ばれる元素の含水
酸化物等が挙げられ、これらを単独又は２種以上を組み
合わせて用いることができる。なかでも、下記組成式
（XVII）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。 Ｍｇ１−ＸＡｌＸ（ＯＨ）２（ＣＯ３）Ｘ／２・ｍＨ２Ｏ …（XVII） （０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
料には、ＩＣ等の半導体素子の耐湿性及び高温放置特性
を向上させる観点から陰イオン交換体を添加することも
できる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来
公知のものを用いることができるが、たとえば、ハイド
ロタルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ビスマス等から選ばれる元素の含水
酸化物等が挙げられ、これらを単独又は２種以上を組み
合わせて用いることができる。なかでも、下記組成式
（XVII）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。 Ｍｇ１−ＸＡｌＸ（ＯＨ）２（ＣＯ３）Ｘ／２・ｍＨ２Ｏ …（XVII） （０＜Ｘ≦０．５、ｍは正の数）
【００３７】さらに、本発明の封止用エポキシ樹脂成形
材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂
肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、
カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイルやシリ
コーンゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合
することができる。
材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂
肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、
カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイルやシリ
コーンゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合
することができる。
【００３８】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、
各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかな
る手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、
所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合し
た後、ミキシングロール、押出機、らいかい機、プラネ
タリミキサ等によって混合又は溶融混練した後、冷却
し、必要に応じて脱泡、粉砕する方法等を挙げることが
できる。また、必要に応じて成形条件に合うような寸法
及び重量でタブレット化してもよい。
各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかな
る手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、
所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合し
た後、ミキシングロール、押出機、らいかい機、プラネ
タリミキサ等によって混合又は溶融混練した後、冷却
し、必要に応じて脱泡、粉砕する方法等を挙げることが
できる。また、必要に応じて成形条件に合うような寸法
及び重量でタブレット化してもよい。
【００３９】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を封
止材として用いて、半導体装置を封止する方法として
は、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、イ
ンジェクション成形法、圧縮成形法等も挙げられる。デ
ィスペンス方式、注型方式、印刷方式等を用いてもよ
い。
止材として用いて、半導体装置を封止する方法として
は、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、イ
ンジェクション成形法、圧縮成形法等も挙げられる。デ
ィスペンス方式、注型方式、印刷方式等を用いてもよ
い。
【００４０】本発明の半導体装置としては、必須成分と
して（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
又は（Ｄ）リン酸エステルを含有し、所望により（Ｅ）
無機充填剤や、（Ｆ）硬化促進剤を含有する封止用エポ
キシ樹脂成形材料を封止材として用い、リードフレー
ム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリ
コンウエハ等の支持部材や実装基板に、半導体チップ、
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、
コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭
載した一般的な半導体装置などが挙げられる。ここで、
実装基板としては特に制限するものではなく、たとえ
ば、有機基板、有機フィルム、セラミック基板、ガラス
基板等のインターポーザ基板、液晶用ガラス基板、ＭＣ
Ｍ（Multi Chip Module）用基板、ハイブリットＩＣ用
基板等が挙げられる。
して（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
及び（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップリング剤
又は（Ｄ）リン酸エステルを含有し、所望により（Ｅ）
無機充填剤や、（Ｆ）硬化促進剤を含有する封止用エポ
キシ樹脂成形材料を封止材として用い、リードフレー
ム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリ
コンウエハ等の支持部材や実装基板に、半導体チップ、
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、
コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭
載した一般的な半導体装置などが挙げられる。ここで、
実装基板としては特に制限するものではなく、たとえ
ば、有機基板、有機フィルム、セラミック基板、ガラス
基板等のインターポーザ基板、液晶用ガラス基板、ＭＣ
Ｍ（Multi Chip Module）用基板、ハイブリットＩＣ用
基板等が挙げられる。
【００４１】本発明の半導体装置としてはさらに以下の
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上備えるものが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である。 前記構成（ａ）〜（ｆ）を１以上備える半導体装置のな
かでも、本発明の効果が大きいという観点からは特に以
下の構成を有する半導体装置が好ましい。ボイド低減の
効果が大きいという観点からは、構成（ａ）又は（ｅ）
を備える半導体装置、構成（ａ）を備える半導体装置が
好ましく、構成（ａ）とその他の構成を１以上備える半
導体装置がさらに好ましい。ワイヤー流れ低減の効果が
大きいという観点からは、構成（ｂ）、（ｃ）又は
（ｄ）を備える半導体装置が好ましく、構成（ｂ）を備
える半導体装置がより好ましく、構成（ｂ）及び
（ｃ）、又は構成（ｂ）及び（ｄ）を備える半導体装置
がさらに好ましく、構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備
える半導体装置が特に好ましい。ボイド低減及びワイヤ
ー流れ低減の効果が大きいという観点からは、構成
（ａ）及び（ｂ）、構成（ａ）及び（ｃ）、構成（ａ）
及び（ｄ）、構成（ａ）及び（ｆ）、又は構成（ｃ）及
び（ｅ）を備える半導体装置が好ましく、構成（ａ）、
（ｂ）及び（ｄ）、又は構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ）
を備える半導体装置がより好ましく、構成（ａ）、
（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ）、又は構成（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置がさらに好まし
い。
（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上備えるものが好ましい。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である。 前記構成（ａ）〜（ｆ）を１以上備える半導体装置のな
かでも、本発明の効果が大きいという観点からは特に以
下の構成を有する半導体装置が好ましい。ボイド低減の
効果が大きいという観点からは、構成（ａ）又は（ｅ）
を備える半導体装置、構成（ａ）を備える半導体装置が
好ましく、構成（ａ）とその他の構成を１以上備える半
導体装置がさらに好ましい。ワイヤー流れ低減の効果が
大きいという観点からは、構成（ｂ）、（ｃ）又は
（ｄ）を備える半導体装置が好ましく、構成（ｂ）を備
える半導体装置がより好ましく、構成（ｂ）及び
（ｃ）、又は構成（ｂ）及び（ｄ）を備える半導体装置
がさらに好ましく、構成（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を備
える半導体装置が特に好ましい。ボイド低減及びワイヤ
ー流れ低減の効果が大きいという観点からは、構成
（ａ）及び（ｂ）、構成（ａ）及び（ｃ）、構成（ａ）
及び（ｄ）、構成（ａ）及び（ｆ）、又は構成（ｃ）及
び（ｅ）を備える半導体装置が好ましく、構成（ａ）、
（ｂ）及び（ｄ）、又は構成（ｃ）、（ｅ）及び（ｆ）
を備える半導体装置がより好ましく、構成（ａ）、
（ｂ）、（ｄ）及び（ｆ）、又は構成（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）及び（ｄ）を備える半導体装置がさらに好まし
い。
【００４２】このような半導体装置としては、たとえ
ば、リードフレーム（アイランド、タブ）上に半導体チ
ップ等の素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の
端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続
した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて
トランスファ成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Du
al Inline Package）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip
Carrier）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（S
mall Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-le
ad package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Packag
e）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）等の樹脂封
止型ＩＣ、テープキャリアにリードボンディングした半
導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
封止したＴＣＰ（Tape Carrier Package）、配線板やガ
ラス上に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリ
ップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チ
ップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止し
たＣＯＢ（Chip On Board）、ＣＯＧ（Chip On Glass）
等のベアチップ実装した半導体装置、配線板やガラス上
に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチ
ップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及
び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したハイブ
リッドＩＣ、ＭＣＭ（Multi Chip Module）マザーボー
ド接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体
チップを搭載し、バンプまたはワイヤボンディングによ
り半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線
を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＭＣＰ（Multi Ch
ip Package）などが挙げられる。また、これらの半導体
装置は、実装基板上に素子が２個以上重なった形で搭載
されたスタックド（積層）型パッケージであっても、２
個以上の素子を一度に封止用エポキシ樹脂成形材料で封
止した一括モールド型パッケージであってもよい。
ば、リードフレーム（アイランド、タブ）上に半導体チ
ップ等の素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の
端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続
した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて
トランスファ成形などにより封止してなる、ＤＩＰ（Du
al Inline Package）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip
Carrier）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（S
mall Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-le
ad package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Packag
e）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）等の樹脂封
止型ＩＣ、テープキャリアにリードボンディングした半
導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
封止したＴＣＰ（Tape Carrier Package）、配線板やガ
ラス上に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリ
ップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チ
ップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止し
たＣＯＢ（Chip On Board）、ＣＯＧ（Chip On Glass）
等のベアチップ実装した半導体装置、配線板やガラス上
に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチ
ップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、
トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及
び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、
本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したハイブ
リッドＩＣ、ＭＣＭ（Multi Chip Module）マザーボー
ド接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体
チップを搭載し、バンプまたはワイヤボンディングによ
り半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線
を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で
半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ball Grid Arra
y）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＭＣＰ（Multi Ch
ip Package）などが挙げられる。また、これらの半導体
装置は、実装基板上に素子が２個以上重なった形で搭載
されたスタックド（積層）型パッケージであっても、２
個以上の素子を一度に封止用エポキシ樹脂成形材料で封
止した一括モールド型パッケージであってもよい。
【００４３】図１に本発明の半導体装置の一例を示す
が、本発明の半導体装置はこれに限られるものではな
い。図１は、アイランド（タブ）１上にダイボンド剤２
を用いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端
子部（ボンディングパッド）７とリードピン４をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＱＦＰ
を示し、図１の（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図(一部
透視図)、（ｃ）は半導体チップ３上の端子部（ボンデ
ィングパッド）７を拡大した上面図（一部透視図）を示
す。図１に示される本発明の半導体装置は、半導体チッ
プ上面の封止材６の厚さａ及び半導体チップ裏面の封止
材６の厚さｂの少なくともいずれかが０．７ｍｍ以下の
薄型の半導体装置であることが好ましく、０．５ｍｍ以
下であっても、０.３ｍｍ以下であってもよい。また、
パッケージ厚さ（半導体装置の総厚さ）ｃは２．０ｍｍ
以下が好ましく、１．５ｍｍ以下がより好ましく、１．
０ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２
５ｍｍ２以上であることが好ましく、５０ｍｍ２以上で
あっても、８０ｍｍ２以上であってもよい。リードピン
４の数は８０ピン以上の多ピン型の半導体装置であるこ
とが好ましく、１００ピン以上であっても、２００ピン
以上であってもよい。半導体チップとリードピンを接続
するワイヤー５の長さは２ｍｍ以上であることが好まし
く、３ｍｍ以上であっても、５ｍｍ以上であってもよ
い。また半導体チップ上のボンディングパッド間のピッ
チｅが９０μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以
下であっても、６０μｍ以下であってもよい。
が、本発明の半導体装置はこれに限られるものではな
い。図１は、アイランド（タブ）１上にダイボンド剤２
を用いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端
子部（ボンディングパッド）７とリードピン４をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＱＦＰ
を示し、図１の（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図(一部
透視図)、（ｃ）は半導体チップ３上の端子部（ボンデ
ィングパッド）７を拡大した上面図（一部透視図）を示
す。図１に示される本発明の半導体装置は、半導体チッ
プ上面の封止材６の厚さａ及び半導体チップ裏面の封止
材６の厚さｂの少なくともいずれかが０．７ｍｍ以下の
薄型の半導体装置であることが好ましく、０．５ｍｍ以
下であっても、０.３ｍｍ以下であってもよい。また、
パッケージ厚さ（半導体装置の総厚さ）ｃは２．０ｍｍ
以下が好ましく、１．５ｍｍ以下がより好ましく、１．
０ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２
５ｍｍ２以上であることが好ましく、５０ｍｍ２以上で
あっても、８０ｍｍ２以上であってもよい。リードピン
４の数は８０ピン以上の多ピン型の半導体装置であるこ
とが好ましく、１００ピン以上であっても、２００ピン
以上であってもよい。半導体チップとリードピンを接続
するワイヤー５の長さは２ｍｍ以上であることが好まし
く、３ｍｍ以上であっても、５ｍｍ以上であってもよ
い。また半導体チップ上のボンディングパッド間のピッ
チｅが９０μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以
下であっても、６０μｍ以下であってもよい。
【００４４】図３及び図５にさらに本発明の半導体装置
の一例を示すが、本発明の半導体装置はこれに限られる
ものではない。尚、図１において説明したものと同一の
機能を有するものは同一の符号を付して説明を省略す
る。図３は、絶縁ベース基板８上にダイボンド剤２を用
いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端子部
（ボンディングパッド）７と配線板上の端子部をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＢＧＡ
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は一部透視上面図、ま
た（ｃ）はボンディングパッド部の拡大図を示す。図３
において、９は半田ボールを示す。図３に示される本発
明の半導体装置は、パッケージ厚さａが２ｍｍ以下であ
ることが好ましく、１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２５
ｍｍ２以上であることが好ましく、５０ｍｍ２以上であ
っても、８０ｍｍ２以上であってもよい。半導体チップ
２とリードピン４を接続するワイヤー５の長さは２ｍｍ
以上であることが好ましく、３ｍｍ以上であっても、５
ｍｍ以上であってもよい。また半導体チップ上のボンデ
ィングパッド間のピッチｅが９０μｍ以下であることが
好ましく、８０μｍ以下であっても、６０μｍ以下であ
ってもよい。
の一例を示すが、本発明の半導体装置はこれに限られる
ものではない。尚、図１において説明したものと同一の
機能を有するものは同一の符号を付して説明を省略す
る。図３は、絶縁ベース基板８上にダイボンド剤２を用
いて半導体チップ３を固定し、半導体チップ３の端子部
（ボンディングパッド）７と配線板上の端子部をワイヤ
ー５で接続（ワイヤボンディング）した後、封止用エポ
キシ樹脂成形材料（封止材）６を用いて封止したＢＧＡ
を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は一部透視上面図、ま
た（ｃ）はボンディングパッド部の拡大図を示す。図３
において、９は半田ボールを示す。図３に示される本発
明の半導体装置は、パッケージ厚さａが２ｍｍ以下であ
ることが好ましく、１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。半導体チップの面積ｄは２５
ｍｍ２以上であることが好ましく、５０ｍｍ２以上であ
っても、８０ｍｍ２以上であってもよい。半導体チップ
２とリードピン４を接続するワイヤー５の長さは２ｍｍ
以上であることが好ましく、３ｍｍ以上であっても、５
ｍｍ以上であってもよい。また半導体チップ上のボンデ
ィングパッド間のピッチｅが９０μｍ以下であることが
好ましく、８０μｍ以下であっても、６０μｍ以下であ
ってもよい。
【００４５】図５は、一括モールド型のスタックド型Ｂ
ＧＡを示し、（ａ）は上面図（一部透視図）、（ｂ）は
部分拡大断面図を示す。図５において、９は半田ボール
を示す。図５に示される本発明の半導体装置は、パッケ
ージ厚ａが２ｍｍ以下の半導体装置であることが必要
で、パッケージ厚は１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。本発明の半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂成形材料で封止することによって、上記の封
止材厚を有する薄型の半導体装置においても、上記の封
止材厚及び半導体チップ面積を有する半導体装置におい
ても、さらには上記のピン数、ワイヤー長及びパッドピ
ッチを有する半導体装置においてもワイヤー流れ、ボイ
ド等の成形不良の発生を低減することが可能となる。
ＧＡを示し、（ａ）は上面図（一部透視図）、（ｂ）は
部分拡大断面図を示す。図５において、９は半田ボール
を示す。図５に示される本発明の半導体装置は、パッケ
ージ厚ａが２ｍｍ以下の半導体装置であることが必要
で、パッケージ厚は１．５ｍｍ以下であっても、１．０
ｍｍ以下であってもよい。本発明の半導体装置封止用エ
ポキシ樹脂成形材料で封止することによって、上記の封
止材厚を有する薄型の半導体装置においても、上記の封
止材厚及び半導体チップ面積を有する半導体装置におい
ても、さらには上記のピン数、ワイヤー長及びパッドピ
ッチを有する半導体装置においてもワイヤー流れ、ボイ
ド等の成形不良の発生を低減することが可能となる。
【００４６】
【実施例】次に実施例により本発明を説明するが、本発
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４７】〔封止用エポキシ樹脂成形材料の作製〕エ
ポキシ樹脂としてエポキシ当量２４５、融点１１０℃の
硫黄原子含有エポキシ樹脂（新日鐵化学株式会社製商品
名ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ）、エポキシ当量１９６、融点
１０６℃、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が
０.１ポイズのビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェル
エポキシ株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００
Ｈ）、エポキシ当量１８６、融点７５℃、１５０℃にお
ける溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が０.１ポイズのビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂（新日鉄化学株式会社製商品名
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）、エポキシ当量２１０、融点１２
０℃、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が０.
１ポイズのスチルベン型エポキシ樹脂（住友化学工業株
式会社製商品名ＥＳＬＶ−２１０）、エポキシ当量１９
５、軟化点６５℃、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ
粘度）が２.０ポイズのｏ−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＣＮ−
１９０）及びエポキシ当量３７５、軟化点８０℃、１５
０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が１.３ポイズ、
臭素含量４８重量％のビスフェノールＡ型ブロム化エポ
キシ樹脂（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＢ−４０
０Ｔ）、硬化剤として軟化点７０℃、水酸基当量１７
５、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が２.０
ポイズのフェノール・アラルキル樹脂（三井化学株式会
社製商品名ミレックスＸＬ−２２５）、軟化点８０℃、
水酸基当量１９９、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ
粘度）が１.４ポイズのビフェニル型フェノール樹脂
（明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１）、軟化
点８０℃、水酸基当量１０６、１５０℃における溶融粘
度（ＩＣＩ粘度）が１.８ポイズのフェノールノボラッ
ク樹脂（明和化成株式会社製商品名Ｈ−１）、軟化点８
１℃、水酸基当量１２０、１５０℃における溶融粘度
（ＩＣＩ粘度）が２．０ポイズのメラミンフェノール樹
脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名フェノライ
トＫＡ−７０５２−Ｌ２）、硬化促進剤としてトリフェ
ニルホスフィン、カップリング剤としてγ-アニリノプ
ロピルトリメトキシシラン（２級アミノシラン）、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン（１級アミノシラ
ン）、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキ
シシラン（３級アミノシラン）及びγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン（エポキシシラン）、リン酸
エステルとして芳香族縮合リン酸エステル（大八化学製
商品名ＰＸ−２００）及びトリフェニルホスフェート、
難燃剤として、タテホ化学製複合金属水酸化物エコーマ
グＺ-１０、無機充填剤として平均粒径１７．５μｍ、
比表面積３．８ｍ２／ｇの球状溶融シリカ、その他の添
加剤として三酸化アンチモン、カルナバワックス（株式
会社セラリカＮＯＤＡ製）、カーボンブラック（三菱化
学株式会社製商品名ＭＡ−１００）を表１、２に示す重
量部で配合し、混練温度８０℃、混練時間１０分の条件
でロール混練を行い、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜
３３を作製した。
ポキシ樹脂としてエポキシ当量２４５、融点１１０℃の
硫黄原子含有エポキシ樹脂（新日鐵化学株式会社製商品
名ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ）、エポキシ当量１９６、融点
１０６℃、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が
０.１ポイズのビフェニル型エポキシ樹脂（油化シェル
エポキシ株式会社製商品名エピコートＹＸ−４０００
Ｈ）、エポキシ当量１８６、融点７５℃、１５０℃にお
ける溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が０.１ポイズのビスフェ
ノールＦ型エポキシ樹脂（新日鉄化学株式会社製商品名
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ）、エポキシ当量２１０、融点１２
０℃、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が０.
１ポイズのスチルベン型エポキシ樹脂（住友化学工業株
式会社製商品名ＥＳＬＶ−２１０）、エポキシ当量１９
５、軟化点６５℃、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ
粘度）が２.０ポイズのｏ−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＣＮ−
１９０）及びエポキシ当量３７５、軟化点８０℃、１５
０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が１.３ポイズ、
臭素含量４８重量％のビスフェノールＡ型ブロム化エポ
キシ樹脂（住友化学工業株式会社製商品名ＥＳＢ−４０
０Ｔ）、硬化剤として軟化点７０℃、水酸基当量１７
５、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ粘度）が２.０
ポイズのフェノール・アラルキル樹脂（三井化学株式会
社製商品名ミレックスＸＬ−２２５）、軟化点８０℃、
水酸基当量１９９、１５０℃における溶融粘度（ＩＣＩ
粘度）が１.４ポイズのビフェニル型フェノール樹脂
（明和化成株式会社製商品名ＭＥＨ−７８５１）、軟化
点８０℃、水酸基当量１０６、１５０℃における溶融粘
度（ＩＣＩ粘度）が１.８ポイズのフェノールノボラッ
ク樹脂（明和化成株式会社製商品名Ｈ−１）、軟化点８
１℃、水酸基当量１２０、１５０℃における溶融粘度
（ＩＣＩ粘度）が２．０ポイズのメラミンフェノール樹
脂（大日本インキ化学工業株式会社製商品名フェノライ
トＫＡ−７０５２−Ｌ２）、硬化促進剤としてトリフェ
ニルホスフィン、カップリング剤としてγ-アニリノプ
ロピルトリメトキシシラン（２級アミノシラン）、γ−
アミノプロピルトリメトキシシラン（１級アミノシラ
ン）、γ−（Ｎ−メチル）アニリノプロピルトリメトキ
シシラン（３級アミノシラン）及びγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン（エポキシシラン）、リン酸
エステルとして芳香族縮合リン酸エステル（大八化学製
商品名ＰＸ−２００）及びトリフェニルホスフェート、
難燃剤として、タテホ化学製複合金属水酸化物エコーマ
グＺ-１０、無機充填剤として平均粒径１７．５μｍ、
比表面積３．８ｍ２／ｇの球状溶融シリカ、その他の添
加剤として三酸化アンチモン、カルナバワックス（株式
会社セラリカＮＯＤＡ製）、カーボンブラック（三菱化
学株式会社製商品名ＭＡ−１００）を表１、２に示す重
量部で配合し、混練温度８０℃、混練時間１０分の条件
でロール混練を行い、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜
３３を作製した。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【表２】
【００５０】作製した封止用エポキシ樹脂成形材料１〜
３３の特性を、次の各試験により求めた。結果を表３、
４に示す。 （１）スパイラルフロー ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料をトランスフ
ァ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力６．９Ｍ
Ｐａ、硬化時間９０秒の条件で成形し、流動距離（ｃ
ｍ）を求めた。 （２）円板フロー ２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×２５ｍｍ（Ｈ）
の上型と２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×１５ｍ
ｍ（Ｈ）の下型を有する円板フロー測定用平板金型を用
いて、精秤した試料（封止用エポキシ樹脂成形材料）５
ｇを１８０℃に加熱した下型中心部にのせ、５秒後に、
１８０℃に加熱した上型を閉じて、荷重７８Ｎ、硬化時
間９０秒の条件で圧縮成形し、ノギスで成形品の長径
（ｍｍ）及び短径（ｍｍ）を測定して、その平均値（ｍ
ｍ）を円板フローとした。 （３）熱時硬度 封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で直径５０ｍｍ
×厚さ３ｍｍの円板に成形し、成形後直ちにショアＤ型
硬度計を用いて測定した。 （４）難燃性 厚さ１／１６インチの試験片を成形する金型を用いて、
封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形して１８
０℃で５時間後硬化を行い、ＵＬ−９４試験法に従って
難燃性を評価した。
３３の特性を、次の各試験により求めた。結果を表３、
４に示す。 （１）スパイラルフロー ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料をトランスフ
ァ成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力６．９Ｍ
Ｐａ、硬化時間９０秒の条件で成形し、流動距離（ｃ
ｍ）を求めた。 （２）円板フロー ２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×２５ｍｍ（Ｈ）
の上型と２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×１５ｍ
ｍ（Ｈ）の下型を有する円板フロー測定用平板金型を用
いて、精秤した試料（封止用エポキシ樹脂成形材料）５
ｇを１８０℃に加熱した下型中心部にのせ、５秒後に、
１８０℃に加熱した上型を閉じて、荷重７８Ｎ、硬化時
間９０秒の条件で圧縮成形し、ノギスで成形品の長径
（ｍｍ）及び短径（ｍｍ）を測定して、その平均値（ｍ
ｍ）を円板フローとした。 （３）熱時硬度 封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で直径５０ｍｍ
×厚さ３ｍｍの円板に成形し、成形後直ちにショアＤ型
硬度計を用いて測定した。 （４）難燃性 厚さ１／１６インチの試験片を成形する金型を用いて、
封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形して１８
０℃で５時間後硬化を行い、ＵＬ−９４試験法に従って
難燃性を評価した。
【００５１】
【表３】
【００５２】
【表４】 （＊：封止用エポキシ樹脂成形材料１５、２２はゲル化
により測定不能）
により測定不能）
【００５３】〔半導体装置（ＬＱＦＰ及びＱＦＰ）の作
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜３３を用い
て、実施例１〜２８及び比較例１〜３８の半導体装置を
作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料による封
止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８０
℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成
形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行った。 実施例１〜１４（表５）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１〜１４を用いて、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍ
（面積１００ｍｍ２）、パッドピッチ８０μｍのテスト
用シリコーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ
３ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施
した、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封
止材の厚さ０．５ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚
さ０．５ｍｍ、半導体装置の総厚み１．５ｍｍの実施例
１〜１４の半導体装置（１００ピンＬＱＦＰ）を作製し
た。 比較例１〜１９（表６）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１５〜３３を用いたことを除いて、実施例１〜１４と同
様にして、比較例１〜１９の半導体装置（１００ピンＬ
ＱＦＰ）を作製した。 実施例１５〜２８（表７）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１〜１４を用いて、４ｍｍ×４ｍｍ×０．４ｍｍ（面
積１６ｍｍ２）、パッドピッチ１００μｍのテスト用シ
リコーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ１.
５ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施
した、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封
止材の厚さ１．１ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚
さ１．１ｍｍ、半導体装置の総厚み２．７ｍｍの実施例
１５〜２８の半導体装置（６４ピンＱＦＰ−１Ｈ）を作
製した。 比較例２０〜３８（表８）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例１５〜２８
と同様にして、比較例２０〜３８の半導体装置（６４ピ
ンＱＦＰ−１Ｈ）を作製した。
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜３３を用い
て、実施例１〜２８及び比較例１〜３８の半導体装置を
作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料による封
止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８０
℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で成
形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行った。 実施例１〜１４（表５）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１〜１４を用いて、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍ
（面積１００ｍｍ２）、パッドピッチ８０μｍのテスト
用シリコーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ
３ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施
した、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封
止材の厚さ０．５ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚
さ０．５ｍｍ、半導体装置の総厚み１．５ｍｍの実施例
１〜１４の半導体装置（１００ピンＬＱＦＰ）を作製し
た。 比較例１〜１９（表６）：封止用エポキシ樹脂成形材料
１５〜３３を用いたことを除いて、実施例１〜１４と同
様にして、比較例１〜１９の半導体装置（１００ピンＬ
ＱＦＰ）を作製した。 実施例１５〜２８（表７）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１〜１４を用いて、４ｍｍ×４ｍｍ×０．４ｍｍ（面
積１６ｍｍ２）、パッドピッチ１００μｍのテスト用シ
リコーンチップを搭載し、直径１８μｍ、最大長さ１.
５ｍｍの金線（ワイヤー）でワイヤーボンディングを施
した、外形２０ｍｍ×２０ｍｍ、半導体チップ上面の封
止材の厚さ１．１ｍｍ、半導体チップ裏面の封止材の厚
さ１．１ｍｍ、半導体装置の総厚み２．７ｍｍの実施例
１５〜２８の半導体装置（６４ピンＱＦＰ−１Ｈ）を作
製した。 比較例２０〜３８（表８）：封止用エポキシ樹脂成形材
料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例１５〜２８
と同様にして、比較例２０〜３８の半導体装置（６４ピ
ンＱＦＰ−１Ｈ）を作製した。
【００５４】〔半導体装置（ＯＭＰＡＣ型ＢＧＡ）の作
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜３３を用い
て、実施例２９〜５６及び比較例３９〜７６の半導体装
置を作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料によ
る封止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８
０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で
成形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行っ
た。 実施例２９〜４２（表９）：絶縁ベース基材（ガラス布
ーエポキシ樹脂積層板、日立化成製、商品名 Ｅ−６７
９）上に微細配線パターンを形成し、半導体素子搭載側
の金メッキ端子及び反対側の外部接続端子を除いた面に
絶縁保護レジスト（太陽インキ製、商品名 ＰＳＲ４０
００ＡＵＳ５）を塗布した外形が縦２６．２ｍｍ×横２
６．２ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの半導体素子搭載用基板を
１２０℃、２時間乾燥後、縦９ｍｍ×横９ｍｍ×厚さ
０．５１ｍｍ（面積８１ｍｍ2）、パッドピッチ８０μ
ｍの半導体素子を、接着材（日立化成製、商品名 ＥＮ
−Ｘ５０）を塗布して搭載し、クリーンオーブン中で室
温から１８０℃まで一定昇温速度で１時間加熱した後、
更に１８０℃の一定温度で１時間加熱した。その後、直
径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイヤによりワイヤボ
ンド部と半導体素子をワイヤボンディングした。次に、
封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用いて、半導体
素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横２６．２ｍｍ×厚さ
０．９ｍｍ（厚さ１．５ｍｍＢＧＡ装置）の寸法に上記
条件でトランスファ成形し、実施例２９〜４２のＢＧＡ
装置を作製した。 比較例３９〜５７（表１０）：封止用エポキシ樹脂成形
材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例１５〜２
８と同様にして、比較例３９〜５７の半導体装置（厚さ
１．５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 実施例４３〜５６（表１１）：実施例２９〜４２と同様
にして、縦４ｍｍ×横４ｍｍ×厚さ０．５１ｍｍ（面積
１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素子を
搭載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍｍの金ワイヤ
によりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディン
グした基板を作製し、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜
３３を用いて、半導体素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横
２６．２ｍｍ×厚さ１．９ｍｍ（厚さ２．５ｍｍＢＧＡ
装置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、実施例
４３〜５６のＢＧＡ装置を作製した。 比較例５８〜７６（表１２）：封止用エポキシ樹脂成形
材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例４３〜５
６と同様にしてＢＧＡ装置を作製した。
製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜３３を用い
て、実施例２９〜５６及び比較例３９〜７６の半導体装
置を作製した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料によ
る封止は、トランスファ成形機を用いて、金型温度１８
０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で
成形後、１８０℃で５時間後硬化することにより行っ
た。 実施例２９〜４２（表９）：絶縁ベース基材（ガラス布
ーエポキシ樹脂積層板、日立化成製、商品名 Ｅ−６７
９）上に微細配線パターンを形成し、半導体素子搭載側
の金メッキ端子及び反対側の外部接続端子を除いた面に
絶縁保護レジスト（太陽インキ製、商品名 ＰＳＲ４０
００ＡＵＳ５）を塗布した外形が縦２６．２ｍｍ×横２
６．２ｍｍ×厚さ０．６ｍｍの半導体素子搭載用基板を
１２０℃、２時間乾燥後、縦９ｍｍ×横９ｍｍ×厚さ
０．５１ｍｍ（面積８１ｍｍ2）、パッドピッチ８０μ
ｍの半導体素子を、接着材（日立化成製、商品名 ＥＮ
−Ｘ５０）を塗布して搭載し、クリーンオーブン中で室
温から１８０℃まで一定昇温速度で１時間加熱した後、
更に１８０℃の一定温度で１時間加熱した。その後、直
径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイヤによりワイヤボ
ンド部と半導体素子をワイヤボンディングした。次に、
封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４を用いて、半導体
素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横２６．２ｍｍ×厚さ
０．９ｍｍ（厚さ１．５ｍｍＢＧＡ装置）の寸法に上記
条件でトランスファ成形し、実施例２９〜４２のＢＧＡ
装置を作製した。 比較例３９〜５７（表１０）：封止用エポキシ樹脂成形
材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例１５〜２
８と同様にして、比較例３９〜５７の半導体装置（厚さ
１．５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 実施例４３〜５６（表１１）：実施例２９〜４２と同様
にして、縦４ｍｍ×横４ｍｍ×厚さ０．５１ｍｍ（面積
１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素子を
搭載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍｍの金ワイヤ
によりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディン
グした基板を作製し、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜
３３を用いて、半導体素子搭載面を縦２６．２ｍｍ×横
２６．２ｍｍ×厚さ１．９ｍｍ（厚さ２．５ｍｍＢＧＡ
装置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、実施例
４３〜５６のＢＧＡ装置を作製した。 比較例５８〜７６（表１２）：封止用エポキシ樹脂成形
材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例４３〜５
６と同様にしてＢＧＡ装置を作製した。
【００５５】〔半導体装置（一括モールド型スタックド
タイプＢＧＡ）の作製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形
材料１〜３３を用いて、実施例５７〜８４及び比較例７
７〜１１４の半導体装置を作製した。なお、封止用エポ
キシ樹脂成形材料による封止は、トランスファ成形機を
用いて、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬
化時間９０秒の条件で成形後、１８０℃で５時間後硬化
することにより行った。 実施例５７〜７０（表１３）：縦４８ｍｍ×横１７１ｍ
ｍ×厚さ０．１５ｍｍのポリイミド基板に、日立化成工
業製ダイボンドフィルムＤＦ−４００を裏面に貼付した
９．７ｍｍ×６．０ｍｍ×０．４ｍｍ（面積５８ｍ
ｍ2）、パッドピッチ８０μｍの半導体素子を２枚重ね
て、積層半導体素子合計５６枚を図５に示すように配置
し、圧着温度２００℃、荷重２００ｇｆ、圧着時間１０
秒の条件で圧着し、さらに１８０℃で１時間ベークを行
った。その後、直径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイ
ヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディ
ングした。次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４
を用いて、半導体素子搭載面を縦４０ｍｍ×横８３ｍｍ
×厚さ０．８ｍｍ（厚さ０．９５ｍｍＢＧＡ装置）の寸
法に、図５に示すように上記条件でトランスファ成形
し、実施例５７〜７０のＢＧＡ装置を作製した。 比較例７７〜９５（表１４）：封止用エポキシ樹脂成形
材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例５７〜７
０と同様にして、比較例７７〜９５のＢＧＡ装置（厚さ
０．９５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 実施例７１〜８４（表１５）：また、実施例５７〜７０
と同様にして、５．１ｍｍ×３．１ｍｍ×０．４ｍｍ８
面積１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素
子を１枚のみ搭載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍ
ｍの金ワイヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイ
ヤボンディングした基板を作製し、封止用エポキシ樹脂
成形材料１〜３３を用いて、半導体素子搭載面を縦４０
ｍｍ×横８３ｍｍ×厚さ２．５ｍｍ（厚さ２．６５ｍｍ
ＢＧＡ装置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、
実施例７１〜８４のＢＧＡ装置を作製した。 比較例９６〜１１４（表１６）：封止用エポキシ樹脂成
形材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例７１〜
８４と同様にして、比較例９６〜１１４のＢＧＡ装置を
作製した。
タイプＢＧＡ）の作製〕次に、封止用エポキシ樹脂成形
材料１〜３３を用いて、実施例５７〜８４及び比較例７
７〜１１４の半導体装置を作製した。なお、封止用エポ
キシ樹脂成形材料による封止は、トランスファ成形機を
用いて、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬
化時間９０秒の条件で成形後、１８０℃で５時間後硬化
することにより行った。 実施例５７〜７０（表１３）：縦４８ｍｍ×横１７１ｍ
ｍ×厚さ０．１５ｍｍのポリイミド基板に、日立化成工
業製ダイボンドフィルムＤＦ−４００を裏面に貼付した
９．７ｍｍ×６．０ｍｍ×０．４ｍｍ（面積５８ｍ
ｍ2）、パッドピッチ８０μｍの半導体素子を２枚重ね
て、積層半導体素子合計５６枚を図５に示すように配置
し、圧着温度２００℃、荷重２００ｇｆ、圧着時間１０
秒の条件で圧着し、さらに１８０℃で１時間ベークを行
った。その後、直径３０μｍ、最大長さ５ｍｍの金ワイ
ヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイヤボンディ
ングした。次に、封止用エポキシ樹脂成形材料１〜１４
を用いて、半導体素子搭載面を縦４０ｍｍ×横８３ｍｍ
×厚さ０．８ｍｍ（厚さ０．９５ｍｍＢＧＡ装置）の寸
法に、図５に示すように上記条件でトランスファ成形
し、実施例５７〜７０のＢＧＡ装置を作製した。 比較例７７〜９５（表１４）：封止用エポキシ樹脂成形
材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例５７〜７
０と同様にして、比較例７７〜９５のＢＧＡ装置（厚さ
０．９５ｍｍＢＧＡ装置）を作製した。 実施例７１〜８４（表１５）：また、実施例５７〜７０
と同様にして、５．１ｍｍ×３．１ｍｍ×０．４ｍｍ８
面積１６ｍｍ2）、パッドピッチ１００μｍの半導体素
子を１枚のみ搭載し、直径３０μｍ、最大長さ１．５ｍ
ｍの金ワイヤによりワイヤボンド部と半導体素子をワイ
ヤボンディングした基板を作製し、封止用エポキシ樹脂
成形材料１〜３３を用いて、半導体素子搭載面を縦４０
ｍｍ×横８３ｍｍ×厚さ２．５ｍｍ（厚さ２．６５ｍｍ
ＢＧＡ装置）の寸法に上記条件でトランスファ成形し、
実施例７１〜８４のＢＧＡ装置を作製した。 比較例９６〜１１４（表１６）：封止用エポキシ樹脂成
形材料１５〜３３を用いたことを除いて、実施例７１〜
８４と同様にして、比較例９６〜１１４のＢＧＡ装置を
作製した。
【００５６】作製した実施例１〜８４及び比較例１〜１
１４の半導体装置を次の各試験により評価した。評価結
果を表５〜表１６に示す。 （１）ワイヤー変形量（ワイヤー流れの指標） ソフトＸ線測定装置（ソフテックス社製PRO-TEST 100
型）を用いて、電圧１００ｋＶ、電流１．５ｍＡの条件
で、半導体装置の透視観察を行ってワイヤー変形量を求
め、ワイヤー流れを評価した。図２及び図４に示すよう
に、観察はフレーム面に対し垂直方向から行い、ワイヤ
ーボンディングの最短距離Ｌ（半導体チップ３の端子部
７とリード４又は基板のボンディング部を結ぶ直線距
離）及びワイヤー５の最大変位量Ｘを測定し、Ｘ／Ｌ×
１００をワイヤー変形量（％）とした。 （２）ボイド発生量 上記（１）と同様にして半導体装置の透視観察を行い、
直径０．１ｍｍ以上のボイドの発生の有無を観察し、ボ
イド発生半導体装置数／試験半導体装置数で評価した。
１４の半導体装置を次の各試験により評価した。評価結
果を表５〜表１６に示す。 （１）ワイヤー変形量（ワイヤー流れの指標） ソフトＸ線測定装置（ソフテックス社製PRO-TEST 100
型）を用いて、電圧１００ｋＶ、電流１．５ｍＡの条件
で、半導体装置の透視観察を行ってワイヤー変形量を求
め、ワイヤー流れを評価した。図２及び図４に示すよう
に、観察はフレーム面に対し垂直方向から行い、ワイヤ
ーボンディングの最短距離Ｌ（半導体チップ３の端子部
７とリード４又は基板のボンディング部を結ぶ直線距
離）及びワイヤー５の最大変位量Ｘを測定し、Ｘ／Ｌ×
１００をワイヤー変形量（％）とした。 （２）ボイド発生量 上記（１）と同様にして半導体装置の透視観察を行い、
直径０．１ｍｍ以上のボイドの発生の有無を観察し、ボ
イド発生半導体装置数／試験半導体装置数で評価した。
【００５７】
【表５】
【００５８】
【表６】
【００５９】
【表７】
【００６０】
【表８】
【００６１】
【表９】
【００６２】
【表１０】
【００６３】
【表１１】
【００６４】
【表１２】
【００６５】
【表１３】
【００６６】
【表１４】
【００６７】
【表１５】
【００６８】
【表１６】
【００６９】実施例８５〜９８（表１７）、比較例１１
５〜１３３（表１８）：次に、封止用エポキシ樹脂成形
材料１〜３３を用いて耐リフロー性の評価を行った。評
価結果を表１７、１８に示す。なお、封止用エポキシ樹
脂成形材料の成形は、トランスファ成形機により、金型
温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒
の条件で行った。また、後硬化は１８０℃で５時間行っ
た。 ・耐リフロー性 ８ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍのシリコーンチップを搭
載した外形寸法２０ｍｍ×１４ｍｍ×２ｍｍの８０ピン
フラットパッケージを、封止用エポキシ樹脂成形材料を
用いて上記条件で成形、後硬化して作製し、８５℃、８
５％ＲＨの条件で加湿して所定時間毎に２４０℃、１０
秒の条件でリフロー処理を行い、クラックの有無を観察
し、試験パッケージ数（５）に対するクラック発生パッ
ケージ数で評価した。
５〜１３３（表１８）：次に、封止用エポキシ樹脂成形
材料１〜３３を用いて耐リフロー性の評価を行った。評
価結果を表１７、１８に示す。なお、封止用エポキシ樹
脂成形材料の成形は、トランスファ成形機により、金型
温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒
の条件で行った。また、後硬化は１８０℃で５時間行っ
た。 ・耐リフロー性 ８ｍｍ×１０ｍｍ×０．４ｍｍのシリコーンチップを搭
載した外形寸法２０ｍｍ×１４ｍｍ×２ｍｍの８０ピン
フラットパッケージを、封止用エポキシ樹脂成形材料を
用いて上記条件で成形、後硬化して作製し、８５℃、８
５％ＲＨの条件で加湿して所定時間毎に２４０℃、１０
秒の条件でリフロー処理を行い、クラックの有無を観察
し、試験パッケージ数（５）に対するクラック発生パッ
ケージ数で評価した。
【００７０】
【表１７】
【００７１】
【表１８】
【００７２】（Ｃ）２級アミノ基を有するシランカップ
リング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有しない封止用
エポキシ樹脂成形材料１５〜１８、２２〜２７及び３１
で封止した、比較例１〜４、８〜１３、１７、３９〜４
２、４６〜５１、５５、７７〜８０、８４〜８９及び９
３の半導体装置では、ゲル化により成形不能であるもの
以外は、ワイヤー流れ（ワイヤー変形量大）及びボイド
の発生のいずれかの成形不良が発生している。また
（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂を含有しない封止用エ
ポキシ樹脂成形材料１９〜２６及び２８〜３３で封止し
た、比較例１１９〜１２６及び１２８〜１３３の半導体
装置では、ゲル化により成形不能であるもの以外は、耐
リフロー性において早い加湿時間から不良が発生してい
る。これに対して（Ａ）〜（Ｄ）成分を全て含んだ封止
用エポキシ樹脂成形材料１〜１４は流動性に優れ、これ
により封止した実施例１〜８４の半導体装置では、いず
れもワイヤー流れが見られず（ワイヤー変形量が極
小）、ボイド発生もなく、成形性に優れる。また実施例
８５〜９８の半導体装置では耐リフロー性も優れてい
る。半導体装置が本発明の構成（ａ）〜（ｆ）の１以上
を備えるものでない、実施例１５〜２８、４３〜５６及
び７１〜８４、比較例２０〜３８、５８〜７６及び９６
〜１１４では、いずれもワイヤー流れが見られず（ワイ
ヤー変形量が極小）、ボイド発生もなく、成形性に優
れ、実施例と比較例に優位差が見られない。
リング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを含有しない封止用
エポキシ樹脂成形材料１５〜１８、２２〜２７及び３１
で封止した、比較例１〜４、８〜１３、１７、３９〜４
２、４６〜５１、５５、７７〜８０、８４〜８９及び９
３の半導体装置では、ゲル化により成形不能であるもの
以外は、ワイヤー流れ（ワイヤー変形量大）及びボイド
の発生のいずれかの成形不良が発生している。また
（Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂を含有しない封止用エ
ポキシ樹脂成形材料１９〜２６及び２８〜３３で封止し
た、比較例１１９〜１２６及び１２８〜１３３の半導体
装置では、ゲル化により成形不能であるもの以外は、耐
リフロー性において早い加湿時間から不良が発生してい
る。これに対して（Ａ）〜（Ｄ）成分を全て含んだ封止
用エポキシ樹脂成形材料１〜１４は流動性に優れ、これ
により封止した実施例１〜８４の半導体装置では、いず
れもワイヤー流れが見られず（ワイヤー変形量が極
小）、ボイド発生もなく、成形性に優れる。また実施例
８５〜９８の半導体装置では耐リフロー性も優れてい
る。半導体装置が本発明の構成（ａ）〜（ｆ）の１以上
を備えるものでない、実施例１５〜２８、４３〜５６及
び７１〜８４、比較例２０〜３８、５８〜７６及び９６
〜１１４では、いずれもワイヤー流れが見られず（ワイ
ヤー変形量が極小）、ボイド発生もなく、成形性に優
れ、実施例と比較例に優位差が見られない。
【００７３】
【発明の効果】本発明になる薄型半導体装置用の封止用
エポキシ樹脂成形材料は流動性に優れ、これにより封止
した半導体装置は、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭
パッドピッチ及び有機基板又は有機フィルム上に半導体
チップが配置された半導体装置でありながら、実施例で
示したようにワイヤー流れ、ボイドといった成形不良の
発生がなく、また耐リフロー性にも優れるため、その工
業的価値は大である。
エポキシ樹脂成形材料は流動性に優れ、これにより封止
した半導体装置は、薄型、多ピン、ロングワイヤー、狭
パッドピッチ及び有機基板又は有機フィルム上に半導体
チップが配置された半導体装置でありながら、実施例で
示したようにワイヤー流れ、ボイドといった成形不良の
発生がなく、また耐リフロー性にも優れるため、その工
業的価値は大である。
【図１】半導体装置（ＱＦＰ）の（ａ）断面図、（ｂ）
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図
【図２】ワイヤー変形量の測定方法を示す図
【図３】半導体装置（ＢＧＡ）の（ａ）断面図、（ｂ）
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図
上面（一部透視）図及び（ｃ）ボンディングパッド部拡
大図
【図４】ワイヤー変形量の測定方法を示す図
【図５】一括モールド型ＢＧＡ装置の図
１：アイランド（タブ） ２：ダイボンド剤 ３：半導体チップ ４：リードピン ５：ワイヤー ６：封止用エポキシ樹脂成形材料（封止材） ７：端子部（ボンディングパット） ８：絶縁ベース基板 ９：半田ボール １０：配線板の端子部
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (31)優先権主張番号 特願2000−402361(P2000−402361) (32)優先日 平成12年12月28日(2000．12．28) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−402362(P2000−402362) (32)優先日 平成12年12月28日(2000．12．28) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2000−402363(P2000−402363) (32)優先日 平成12年12月28日(2000．12．28) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願2001−82741(P2001−82741) (32)優先日 平成13年３月22日(2001．3．22) (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 萩原 伸介 茨城県結城市大字鹿窪1772−１ 日立化成 工業株式会社下館事業所内 Ｆターム(参考） 4J002 CC052 CD111 EJ016 EJ036 EW048 EX077 FD01 FD14 FD15 GQ01 GQ05 4J036 AA01 AA04 AC19 AD08 AD20 CC03 DA01 DB05 DB11 DB12 DD07 DD08 FB07 FB08 JA07 4M109 AA01 EA02 EB04 EB12
Claims (15)
- 【請求項１】 （Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂及び
（Ｂ）硬化剤を含有し、さらに（Ｃ）２級アミノ基を有
するシランカップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを
含有し、円板フローが８０ｍｍ以上である封止用エポキ
シ樹脂成形材料。 - 【請求項２】 （Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂及び
（Ｂ）硬化剤を含有し、さらに（Ｃ）２級アミノ基を有
するシランカップリング剤又は（Ｄ）リン酸エステルを
含有する、（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上を備える半導
体装置に用いる封止用エポキシ樹脂成形材料。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である - 【請求項３】 円板フローが８０ｍｍ以上である請求項
２記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項４】 （Ｅ）無機充填剤をさらに含有する請求
項１〜３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 - 【請求項５】 （Ｆ）硬化促進剤をさらに含有する請求
項１〜４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 - 【請求項６】 半導体装置がスタックド型パッケージで
ある請求項１〜５のいずれかに記載の封止用エポキシ樹
脂成形材料。 - 【請求項７】 半導体装置が一括モールド型パッケージ
である請求項１〜６のいずれかに記載の封止用エポキシ
樹脂成形材料。 - 【請求項８】 （Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂の１５
０℃における溶融粘度が２ポイズ以下である請求項１〜
７のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項９】 （Ａ）硫黄原子含有エポキシ樹脂が下記
一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂である請求項１〜
８のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 【化１】 （上記式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ8は水素原子、炭素数１〜１
０のアルキル基、アルコキシル基、炭素数６〜１０のア
リール基、アラルキル基から選ばれ、全てが同一でも異
なっていてもよい。ｎは０〜３の整数を示す。） - 【請求項１０】 （Ｂ）硬化剤の１５０℃における溶融
粘度が２ポイズ以下である請求項１〜９のいずれかに記
載の封止用エポキシ樹脂成形材料。 - 【請求項１１】 （Ｂ）硬化剤が下記一般式（II）で示
されるフェノール・アラルキル樹脂及び／又は下記一般
式（III）で示されるビフェニル型フェノール樹脂を含
有する請求項１〜１０のいずれかに記載の封止用エポキ
シ樹脂成形材料。 【化２】 （ここで、Ｒは水素原子及び炭素数１〜１０の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、ｎは０〜１０の
整数を示す。） 【化３】 （ここで、Ｒ1〜Ｒ９は水素原子、炭素数１〜１０のア
ルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６
〜１０のアリール基及び炭素数６〜１０のアラルキル基
から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。ｎは
０〜１０の整数を示す。） - 【請求項１２】 （Ｃ）２級アミノ基を有するシランカ
ップリング剤が下記一般式（IV）で示される化合物を含
有する請求項１〜１１のいずれかに記載の封止用エポキ
シ樹脂成形材料。 【化４】 （ここで、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基
及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、Ｒ2は炭
素数１〜６のアルキル基及びフェニル基から選ばれ、Ｒ
3はメチル基又はエチル基を示し、ｎは１〜６の整数を
示し、ｍは１〜３の整数を示す。） - 【請求項１３】 （Ｄ）リン酸エステルが下記一般式
（Ｖ）で示される化合物を含有するものである請求項１
〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料。 【化５】 （ここで、式中の８個のＲは炭素数１〜４のアルキル基
を示し、全て同一でも異なっていてもよい。Ａｒは芳香
族環を示す。） - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかに記載の封
止用エポキシ樹脂成形材料により封止された半導体装
置。 - 【請求項１５】 以下の（ａ）〜（ｆ）の構成を１以上
を備える請求項１４記載の半導体装置。 （ａ）半導体チップ上面及び半導体チップ裏面の封止材
の厚さの少なくともいずれかが０.７ｍｍ以下である （ｂ）リードピンの数が８０ピン以上である （ｃ）ワイヤー長が２ｍｍ以上である （ｄ）半導体チップ上のパッドピッチが９０μｍ以下で
ある （ｅ）実装基板上に半導体チップが配置され、パッケー
ジ厚が２ｍｍ以下である （ｆ）半導体チップの面積が２５ｍｍ２以上である
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|---|---|---|---|
| JP2001395370A JP2002348442A (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-26 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
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| JP2001-82741 | 2001-03-22 | ||
| JP2001395370A JP2002348442A (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-26 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
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| JP2006344959A Division JP2007092083A (ja) | 2000-12-28 | 2006-12-21 | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2004307650A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2004307647A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2004307646A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2004307645A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2005206725A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006124479A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2007161833A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US7397139B2 (en) | 2003-04-07 | 2008-07-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
| JP2010024464A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2013024678A1 (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-21 | 国立大学法人大阪大学 | 自己組織化単分子膜形成用の化合物及びそれを用いた有機半導体素子 |
| JP2014152189A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Kyocera Chemical Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001395370A patent/JP2002348442A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004001753A1 (en) * | 2002-06-24 | 2003-12-31 | Lg Electronics Inc. | Recording medium having data structure for managing reproduction of multiple reproduction path video data for at least a segment of a title recorded thereon and recording and reproducing methods and apparatuses |
| US7672567B2 (en) | 2002-06-24 | 2010-03-02 | Lg Electronics Inc. | Recording medium having data structure for managing reproduction of multiple reproduction path video data for at least a segment of a title recorded thereon and recording and reproducing methods and apparatuses |
| WO2004003907A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Lg Electronics Inc. | Recording medium having data structure for managing reproduction of multiple playback path video data recorded thereon and recording and reproducing methods and apparatuses |
| US8260110B2 (en) | 2002-06-28 | 2012-09-04 | Lg Electronics Inc. | Recording medium having data structure for managing reproduction of multiple playback path video data recorded thereon and recording and reproducing methods and apparatuses |
| US7397139B2 (en) | 2003-04-07 | 2008-07-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
| JP2004307650A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2004307647A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2004307646A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2004307645A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP4496786B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2010-07-07 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2005206725A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006124479A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP4569260B2 (ja) * | 2004-10-27 | 2010-10-27 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2007161833A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2010024464A (ja) * | 2009-11-04 | 2010-02-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2013024678A1 (ja) * | 2011-08-15 | 2013-02-21 | 国立大学法人大阪大学 | 自己組織化単分子膜形成用の化合物及びそれを用いた有機半導体素子 |
| JP2014152189A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Kyocera Chemical Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
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