JP2001233937A - 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 - Google Patents

封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置

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JP2001233937A
JP2001233937A JP2000050490A JP2000050490A JP2001233937A JP 2001233937 A JP2001233937 A JP 2001233937A JP 2000050490 A JP2000050490 A JP 2000050490A JP 2000050490 A JP2000050490 A JP 2000050490A JP 2001233937 A JP2001233937 A JP 2001233937A
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resin molding
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Abstract

(57)【要約】 【課題】配線板等への実装の際、特定の前処理をするこ
となく、はんだ付けを行うことができ、配線板等への実
装の際、特定の前処理をすることなく、はんだ付けを行
うことができ、実装後も耐リフロー性、耐湿性、高温放
置特性等の信頼性が良好な封止用エポキシ樹脂成形材
料、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置
を提供する。 【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
(C)硬化促進剤、及び(D)無機充填剤を必須成分と
し、260℃における曲げ強度が0.8kg/mm2
上で、かつ(D)無機充填剤の配合量が75重量%以上
である封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エ
ポキシ樹脂成形材料により封止された素子を備えた電子
部品装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐リフロー性、耐
湿性、高温放置特性等の厳しい信頼性を要求されるVL
SIの封止用に特に好適な封止用エポキシ樹脂成形材
料、及びこの成形材料で封止した素子を備えた電子部品
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、トランジスタ、IC等の電子
部品装置の素子封止の分野では生産性、コスト等の面か
ら樹脂封止が主流となり、エポキシ樹脂成形材料が広く
用いられている。この理由は、エポキシ樹脂が作業性、
成形性、電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサ
ート品との接着性等の諸特性にバランスがとれているた
めである。特に、オルソクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂とフェノールノボラック硬化剤の組み合わせはこ
れらのバランスに優れており、IC封止用成形材料のベ
ース樹脂として主流になっている。
【0003】近年、電子部品のプリント配線板への高密
度実装化が進んでいる。これに伴い、電子部品装置は従
来のピン挿入型のパッケージから、表面実装型のパッケ
ージが主流になっている。表面実装型のIC、LSIな
どは、実装密度を高くし実装高さを低くするために、薄
型、小型のパッケージになっており、素子のパッケージ
に対する占有体積が大きくなり、パッケージの肉厚は非
常に薄くなってきた。さらに、これらのパッケージは従
来のピン挿入型のものと実装方法が異なっている。即
ち、ピン挿入型パッケージはピンを配線板に挿入した
後、配線板裏面からはんだ付けを行うため、パッケージ
が直接高温にさらされることがなかった。しかし、表面
実装型ICは配線板表面に仮止めを行い、はんだバスや
リフロー装置などで処理されるため、直接はんだ付け温
度にさらされる。この結果、ICパッケージが吸湿した
場合、はんだ付け時に吸湿水分が急激に膨張し、パッケ
ージをクラックさせてしまう。現在、この現象が表面実
装型ICに係わる大きな問題となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】現行のベース樹脂組成
で封止したICパッケージでは、上記の問題が避けられ
ないため、ICを防湿梱包して出荷したり、配線板へ実
装する前に予めICを十分乾燥して使用するなどの方法
がとられている。しかし、これらの方法は手間がかか
り、コストも高くなる。
【0005】本発明はかかる状況に鑑みなされたもの
で、配線板等への実装の際、特定の前処理をすることな
く、はんだ付けを行うことができ、実装後も耐リフロー
性、耐湿性、高温放置特性等の信頼性が良好な封止用エ
ポキシ樹脂成形材料を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】発明者らは上記の課題を
解決するために鋭意検討を重ねた結果、260℃におけ
る曲げ強度及び充填剤量を規定した、特定の封止用エポ
キシ樹脂成形材料により上記の目的を達成しうることを
見い出し、本発明を完成するに至った。
【0007】すなわち、本発明は、(1)(A)エポキ
シ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤、及び(D)
無機充填剤を必須成分とし、260℃における曲げ強度
が0.8kg/mm2以上で、かつ(D)無機充填剤の
配合量が75重量%以上である封止用エポキシ樹脂成形
材料、(2)(D)無機充填剤の配合量が80〜95重
量%である上記(1)記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料、(3)260℃における曲げ強度が1.0〜2.0
kg/mm2である上記(1)又は(2)記載の封止用
エポキシ樹脂成形材料、(4)260℃における曲げ弾
性率が20〜60kg/mm2である上記(1)〜
(3)のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材
料、(5)(A)エポキシ樹脂が下記一般式(I)で示
されるビフェニル型エポキシ樹脂及び/又は下記一般式
(II)で示されるビスフェノールF型エポキシ樹脂を含
有してなる上記(1)〜(4)のいずれかに記載の封止
用エポキシ樹脂成形材料、
【化5】 (ここで、R1〜R4は水素原子及び炭素数1〜10の置
換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
一でも異なっていてもよい。nは0〜3の整数を示
す。)
【化6】 (ここで、R1〜R8は水素原子、炭素数1〜10のアル
キル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜
10のアリール基、及び炭素数6〜10のアラルキル基
から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。nは
0〜3の整数を示す。) (6)(B)硬化剤が下記一般式(III)で示されるフ
ェノール・アラルキル樹脂及び/又は下記一般式(IV)
で示されるビフェニル型フェノール樹脂を含有してなる
上記(1)〜(5)のいずれかに記載の封止用エポキシ
樹脂成形材料、及び
【化7】 (ここで、Rは水素原子及び炭素数1〜10の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、nは0〜10の
整数を示す。)
【化8】 (ここで、R1〜R9は水素原子、炭素数1〜10のアル
キル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜
10のアリール基、及び炭素数6〜10のアラルキル基
から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。nは
0〜10の整数を示す。) (7)(C)硬化促進剤が有機ホスフィンとキノン化合
物との付加物である上記(1)〜(6)のいずれかに記
載の封止用エポキシ樹脂成形材料、並びに(8)上記
(1)〜(5)記載のいずれかの封止用エポキシ樹脂成
形材料により封止された素子を備えた電子部品装置、に
関する。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる(A)
エポキシ樹脂は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に
使用されているもので特に制限はないが、例えば、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール、ク
レゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビ
スフェノールA、ビスフェノールF等のフェノール類及
び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキ
シナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデ
ヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化
合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノ
ボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノール
A、ビスフェノールF、ビスフェノールS、アルキル置
換又は非置換のビフェノール等のジグリシジルエーテル
などのグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、スチルベン
型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタ
ル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの
反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹
脂、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポ
リアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグ
リシジルアミン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン
とフェノ−ル類及び/又はナフトール類との共縮合樹脂
のエポキシ化物、ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、
フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂
等のアラルキル型フェノール樹脂のエポキシ化物、トリ
メチロールプロパン型エポキシ樹脂、テルペン変性エポ
キシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して
得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ
樹脂などが挙げられ、これらを単独で用いても2種以上
を組み合わせて用いてもよい。
【0009】中でも耐リフロー性の観点からは、下記一
般式(I)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂が好ま
しい。
【化9】 (ここで、R1〜R4は水素原子及び炭素数1〜10の置
換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
一でも異なっていてもよい。nは0〜3の整数を示
す。) 上記一般式(I)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂
としては、例えば、4,4’−ビス(2,3−エポキシ
プロポキシ)ビフェニル又は4,4’−ビス(2,3−
エポキシプロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメ
チルビフェニルを主成分とするエポキシ樹脂、エピクロ
ルヒドリンと4,4’−ビフェノール又は4,4’−
(3,3’,5,5’−テトラメチル)ビフェノールと
を反応させて得られるエポキシ樹脂等が挙げられる。中
でも4,4’−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−
3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニルを主成分
とするエポキシ樹脂が好ましい。このビフェニル型エポ
キシ樹脂を使用する場合、その配合量は、その性能を発
揮するためにエポキシ樹脂全量に対して30重量%以上
とすることが好ましく、50重量%以上がより好まし
く、60重量%以上がさらに好ましい。
【0010】また、難燃性、流動性の観点からは下記一
般式(II)で示されるビスフェノールF型エポキシ樹脂
が好ましい。
【化10】 上記式(II)中のR1〜R8は全てが同一でも異なってい
てもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数1〜10のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
6〜10のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数6〜10のアラルキル基から選ばれ、中で
も水素原子及びメチル基が好ましい。nは0〜3の整数
を示す。上記一般式(II)で示されるビスフェノールF
型エポキシ樹脂としては、例えば、R1、R3、R6及び
8がメチル基で、R2、R4、R5及びR7が水素原子で
あり、n=0を主成分とするESLV−80XY(新日
鉄化学株式会社製商品名)が市販品として入手可能であ
る。このビスフェノールF型エポキシ樹脂を使用する場
合、その配合量は、その性能を発揮するためにエポキシ
樹脂全量に対して30重量%以上とすることが好まし
く、50重量%以上がより好ましい。
【0011】上記一般式(I)で示されるビフェニル型
エポキシ樹脂と上記一般式(II)で示されるビスフェノ
ールF型エポキシ樹脂とは併用してもよい。両者を併用
する場合には、それらの配合量はエポキシ樹脂全量に対
して合わせて60重量%以上とすることが好ましく、8
0重量%以上がより好ましい。
【0012】本発明において用いられる(B)硬化剤
は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されてい
るもので特に制限はないが、例えば、フェノール、クレ
ゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、
ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノ
ール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−
ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類
とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物と
を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる樹脂、フ
ェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキ
シレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルから合成
されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラ
ルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂などが挙げ
られ、これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて
用いてもよい。
【0013】中でも耐リフロー性の観点からは、下記一
般式(III)で示されるフェノール・アラルキル樹脂が
好ましく、Rが水素原子で、nの平均値が0〜8である
フェノール・アラルキル樹脂がより好ましく、具体例と
しては、p−キシリレン型ザイロック、m−キシリレン
型ザイロック等が挙げられる。このフェノール・アラル
キル樹脂を用いる場合、その配合量は、その性能を発揮
するために硬化剤全量に対して30重量%以上とするこ
とが好ましく、50重量%以上がより好ましく、60重
量%以上がさらに好ましい。
【化11】 (ここで、Rは水素原子及び炭素数1〜10の置換又は
非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、nは0〜10の
整数を示す。)
【0014】難燃性の観点からは下記一般式(IV)で示
されるビフェニル型フェノール樹脂が好ましい。
【化12】 上記式(IV)中のR1〜R9は全てが同一でも異なってい
てもよく、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素
数1〜10のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プ
ロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキ
シル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数
6〜10のアリール基、及び、ベンジル基、フェネチル
基等の炭素数6〜10のアラルキル基から選ばれ、中で
も水素原子とメチル基が好ましい。nは0〜10の整数
を示す。上記一般式(IV)で表されるビフェニル型フェ
ノール樹脂としては、例えばR1〜R9が全て水素原子で
ある化合物等が挙げられ、中でも溶融粘度の観点から、
nが1以上の縮合体を50重量%以上含む縮合体の混合
物が好ましい。このような化合物としては、MEH−7
851(明和化成株式会社製商品名)が市販品として入
手可能である。このビフェニル型フェノール樹脂を使用
する場合、その配合量は、その性能を発揮するために硬
化剤全量に対して30重量%以上とすることが好まし
く、50重量%以上がより好ましい。
【0015】上記一般式(III)で示されるフェノール
・アラルキル樹脂と上記一般式(IV)で示されるビフェ
ニル型フェノール樹脂とは併用してもよい。両者を併用
する場合には、それらの配合量は硬化剤全量に対して合
わせて60重量%以上とすることが好ましく、80重量
%以上がより好ましい。
【0016】(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤との当
量比、すなわち、エポキシ樹脂中のエポキシ基数/硬化
剤中の水酸基数の比は、特に制限はないが、それぞれの
未反応分を少なく抑えるために0.5〜2の範囲に設定
されることが好ましく、0.6〜1.3がより好まし
い。成形性、耐リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂
成形材料を得るためには0.8〜1.2の範囲に設定さ
れることがさらに好ましい。
【0017】本発明において用いられる(C)硬化促進
剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されて
いるもので特に制限はないが、例えば、1,8−ジアザ
−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、1,5−ジ
アザ−ビシクロ(4,3,0)ノネン、5、6−ジブチ
ルアミノ−1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウ
ンデセン−7等のシクロアミジン化合物及びこれらの化
合物に無水マレイン酸、1,4−ベンゾキノン、2,5
−トルキノン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチ
ルベンゾキノン、2,6−ジメチルベンゾキノン、2,
3−ジメトキシ−5−メチル−1,4−ベンゾキノン、
2,3−ジメトキシ−1,4−ベンゾキノン、フェニル
−1,4−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェ
ニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物
を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジ
メチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノ
エタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノー
ル等の3級アミン類及びこれらの誘導体、2−メチルイ
ミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル
−4−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれ
らの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニル
ホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4−メ
チルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フ
ェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホ
スフィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジア
ゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化
合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テ
トラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ト
リフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、2−エ
チル−4−メチルイミダゾールテトラフェニルボレー
ト、N−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等の
テトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げ
られ、これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて
用いてもよい。中でも成形性、耐リフロー性の観点から
は有機ホスフィンとキノン化合物との付加物が好まし
い。
【0018】(C)硬化促進剤の配合量は、硬化促進効
果が達成される量であれば特に制限されるものではない
が、封止用エポキシ樹脂成形材料に対して0.005〜
2重量%が好ましく、より好ましくは0.01〜0.5
重量%である。0.005重量%未満では短時間での硬
化性に劣る傾向があり、2重量%を超えると硬化速度が
速すぎて良好な成形品を得ることが困難になる傾向があ
る。
【0019】本発明において用いられる(D)無機充填
剤は、吸湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度
向上のために成形材料に配合されるものであり、例え
ば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪
酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭
化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリ
ア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタ
イト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこ
れらを球形化したビーズ、ガラス繊維などが挙げられ
る。さらに、難燃効果のある無機充填剤としては水酸化
アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブ
デン酸亜鉛等が挙げられる。これらの無機充填剤は単独
で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。中で
も、線膨張係数の低減の観点からは溶融シリカが、高熱
伝導性の観点からはアルミナが好ましく、無機充填剤の
形状は成形時の流動性及び金型摩耗性の点から球形が好
ましい。(D)無機充填剤の配合量は、封止用エポキシ
樹脂成形材料に対して75重量%以上に設定されること
が必要で、耐リフロー性、流動性、成形性、及び強度向
上の観点から、80〜95重量%の範囲が好ましく、8
8〜92重量%がより好ましい。75重量%未満では耐
リフロー性が低下する傾向がある。
【0020】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、
耐リフロー性の観点から260℃における曲げ強度が
0.8kg/mm2以上であることが必要で、1.0〜
2.0kg/mm2が好ましい。本発明においては、
(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進
剤、(D)無機充填剤及びその他の添加剤として用いる
成分の組み合わせ及び配合量を調整することによって、
260℃における曲げ強度が0.8kg/mm2以上で
ある封止用エポキシ樹脂成形材料を得ることができる。
(A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤の選定が特に重要
である。また、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料の
260℃における曲げ弾性率は、耐リフロー性の観点か
ら20〜60kg/mm2であることが好ましい。26
0℃における曲げ弾性率が20〜60kg/mm2であ
る封止用エポキシ樹脂成形材料は、曲げ強度が0.8k
g/mm2以上である封止用エポキシ樹脂成形材料を得
る場合と同様に、各種配合成分の組み合わせ及び配合量
を調整することによって得ることができる。ここで、曲
げ強度、曲げ弾性率とは、JIS−K6911に準拠し
た3点支持型曲げ試験により測定される値である。
【0021】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料に
は、樹脂成分と無機充填剤との接着性を高めるために、
必要に応じて、エポキシシラン、メルカプトシラン、ア
ミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニル
シラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アル
ミニウムキレート類、アルミニウム/ジルコニウム系化
合物等の公知のカップリング剤を添加することができ
る。これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシ
エトキシ)シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメ
トキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシ
ル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメ
チルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシラン、γ-アニリノプロピル
トリメトキシシラン、γ-アニリノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−[ビス(β−ヒドロキシエチル)]
アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノ
エチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−(β−アミノエチル)アミノプロピルジメトキシメチ
ルシラン、N−(トリメトキシシリルプロピル)エチレ
ンジアミン、N−(ジメトキシメチルシリルイソプロピ
ル)エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジ
メチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、
N−β−(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピル
トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルト
リメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメ
トキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピ
ルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ
ス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、イソ
プロピルトリ(N−アミノエチル−アミノエチル)チタ
ネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイ
ト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチ
ル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチ
タネート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキ
シアセテートチタネート、ビス(ジオクチルパイロホス
フェート)エチレンチタネート、イソプロピルトリオク
タノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソス
テアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベン
ゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロ
イルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ(ジオク
チルホスフェート)チタネート、イソプロピルトリクミ
ルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス(ジオ
クチルホスファイト)チタネート等のチタネート系カッ
プリング剤などが挙げられ、これらを単独で用いても2
種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0022】上記カップリング剤の配合量は、(D)無
機充填剤に対して0.05〜5重量%であることが好ま
しく、0.1〜2.5重量%がより好ましい。0.05
重量%未満ではフレームとの接着性が低下する傾向があ
り、5重量%を超えるとパッケージの成形性が低下する
傾向がある。
【0023】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料に
は、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、リン酸
エステル、赤リン等の燐化合物、メラミン、メラミンシ
アヌレート、メラミン変性フェノール樹脂、グアナミン
変性フェノール樹脂等の含窒素化合物、シクロホスファ
ゼン等の燐/窒素含有化合物、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化
モリブデン、フェロセン等の金属化合物などの従来公知
の難燃剤を必要に応じて添加することができる。
【0024】また、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材
料には、IC等の半導体素子の耐湿性、高温放置特性を
向上させる観点から陰イオン交換体を添加することもで
きる。陰イオン交換体としては特に制限はなく、従来公
知のものを用いることができるが、例えば、ハイドロタ
ルサイト類や、マグネシウム、アルミニウム、チタン、
ジルコニウム、ビスマスから選ばれる元素の含水酸化物
等が挙げられ、これらを単独又は2種以上を組み合わせ
て用いることができる。中でも、下記一般式(V)で示
されるハイドロタルサイトが好ましい。
【化13】 Mg1-XAlX(OH)2(CO3X/2・mH2O ……(V) (0<X≦0.5、mは正の整数)
【0025】さらに、本発明の封止用エポキシ樹脂成形
材料には、その他の添加剤として、高級脂肪酸、高級脂
肪酸金属塩、エステル系ワックス、ポリオレフィン系ワ
ックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の離型剤、
カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイルやシリ
コーンゴム粉末等の応力緩和剤などを必要に応じて配合
することができる。
【0026】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は、
各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかな
る手法を用いても調製できるが、一般的な手法として、
所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分混合し
た後、ミキシングロール、押出機等によって溶融混練し
た後、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。成形
条件に合うような寸法及び重量でタブレット化すると使
いやすい。
【0027】本発明で得られる封止用エポキシ樹脂成形
材料により素子を封止して得られる電子部品装置として
は、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線
板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チ
ップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動
素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素
子を搭載し、必要な部分を本発明の封止用エポキシ樹脂
成形材料で封止し、電子部品装置などが挙げられる。
このような電子部品装置としては、例えば、リードフレ
ーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の
素子の端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプ
で接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を
用いてトランスファ成形などにより封止してなる、DI
P(DualInline Package)、PLCC(Plastic Leaded
Chip Carrier)、QFP(QuadFlat Package)、SO
P(Small Outline Package)、SOJ(Small Outline
J-lead package)、TSOP(Thin Small Outline Pac
kage)、TQFP(ThinQuad Flat Package)等の一般
的な樹脂封止型IC、テープキャリアにバンプで接続し
た半導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材
料で封止したTCP(Tape Carrier Package)、配線板
やガラス上に形成した配線に、ワイヤーボンディング、
フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導
体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の
能動素子及び/又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受
動素子を、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止
したCOB(Chip On Board)モジュール、ハイブリッ
ドIC、マルチチップモジュール、裏面に配線板接続用
の端子を形成した有機基板の表面に素子を搭載し、バン
プまたはワイヤボンディングにより素子と有機基板に形
成された配線を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹
脂成形材料で素子を封止したBGA(Ball Grid Arra
y)、CSP(Chip Size Package)などが挙げられる。
また、プリント回路板にも本発明の封止用エポキシ樹脂
成形材料は有効に使用できる。
【0028】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用
いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファ成
形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、
圧縮成形法等を用いてもよい。
【0029】
【実施例】次に実施例により本発明を説明するが、本発
明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0030】実施例1〜8、比較例1〜3 エポキシ樹脂としてエポキシ当量196、融点106℃
のビフェニル型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ株式
会社製商品名エピコートYX−4000H)、エポキシ
当量186、融点75℃のビスフェノールF型エポキシ
樹脂(新日鉄化学株式会社製商品名ESLV−80X
Y)、エポキシ当量195、軟化点65℃のo−クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂(住友化学工業株式会社
製商品名ESCN−190)及びエポキシ当量375、
軟化点80℃、臭素含量48重量%のビスフェノールA
型ブロム化エポキシ樹脂(住友化学工業株式会社製商品
名ESB−400T)、硬化剤として軟化点70℃のフ
ェノール・アラルキル樹脂(三井化学株式会社製商品名
ミレックスXL−225)、水酸基当量199、軟化点
80℃のビフェニル型フェノール樹脂(明和化成株式会
社製商品名MEH−7851)、硬化促進剤としてトリ
フェニルホスフィンとp−ベンゾキノンとの付加物、無
機充填剤として平均粒径17.5μm、比表面積3.8
2/gの球状溶融シリカ、カップリング剤としてγ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(エポキシシ
ラン)、その他の添加剤として三酸化アンチモン、カル
ナバワックス(株式会社セラリカNODA製)、カーボ
ンブラック(三菱化学株式会社製商品名MA−100)
をそれぞれ表1に示す重量部で配合し、混練温度80
℃、混練時間10分の条件でロール混練を行い、実施例
1〜8及び比較例1〜3の封止用エポキシ樹脂成形材料
を作製した。
【0031】
【表1】
【0032】作製した合計11種類の実施例及び比較例
の封止用エポキシ樹脂成形材料を、次の各試験により評
価した。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料は、トラン
スファ成形機により、金型温度180℃、成形圧力6.
9MPa、硬化時間90秒の条件で成形した。また、後
硬化は175℃で5時間行った。 (1)曲げ強度、曲げ弾性率 JIS−K6911に準拠した3点支持型曲げ試験を行
って測定した。なお、試験片は封止用エポキシ樹脂成形
材料を上記の条件で幅5mm×長さ60mm×厚さ3m
mの寸法に成形し、上記の条件で後硬化を行って作製し
た。 (2)スパイラルフロー(流動性の指標) EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金
型を用いて封止用エポキシ樹脂成形材料を上記の条件で
成形し、流動距離(cm)を求めた。 (3)熱時硬度 封止用エポキシ樹脂成形材料を上記の条件で直径50m
m×厚さ3mmの円板に成形し、成形後直ちにショアD
型硬度計を用いて測定した。 (4)耐リフロー性 封止用エポキシ樹脂成形材料を上記の条件で成形、後硬
化して、8mm×10mmのシリコーンチップを搭載し
た外形寸法20mm×14mm×2mmの80ピンフラ
ットパッケージを作製し、85℃/85%RHの条件で
加湿して所定時間毎に240℃/10秒の条件でリフロ
ー処理を行い、クラックの有無を観察し、不良パッケー
ジ数(クラックの発生)/測定パッケージ数で評価し
た。 (5)耐湿性 封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形、後硬化
して、線幅10μm、厚さ1μmのアルミ配線を施した
6mm×6mm×0.4mmのテスト用シリコーンチッ
プを搭載した外形寸法19mm×14mm×2.7mm
の80ピンフラットパッケージを作製し、前処理を行っ
た後、加湿して所定時間毎にアルミ配線腐食による断線
不良を調べ、不良パッケージ数(断線あり)/測定パッ
ケージ数で評価した。なお、前処理は85℃、85%R
H、72時間の条件でフラットパッケージを加湿し、2
15℃、90秒間ベーパーフェーズリフロー処理を行っ
た。その後、加湿試験を0.2MPa、121℃の条件
で行った。 (6)高温放置特性 外形サイズ5mm×9mmで5μmの酸化膜を有するシ
リコンサブストレート上にライン/スペースが10μm
のアルミ配線を形成したテスト素子を、部分銀メッキを
施した42アロイのリードフレームに銀ペーストで接続
し、サーモニック型ワイヤボンダにより、200℃で素
子のボンディングパッドとインナリードをAu線にて接
続した。その後、封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条
件で成形、後硬化して、16ピン型DIP(Dual Inlin
e Package)を作製し、得られた試験用ICを200℃
の高温槽に保管し、所定時間毎に取り出して導通試験を
行い、導通不良のパッケージ数を調べ、測定パッケージ
数に占める割合で評価した。評価結果を表2に示す。
【0033】
【表2】
【0034】無機充填剤の配合量が本発明の規定範囲外
の比較例1は、耐リフロー性及び高温放置特性に劣り、
260℃における曲げ強度が本発明の規定範囲外の比較
例2、3は、耐リフロー性に劣っている。これに対し
て、本発明の(A)〜(D)成分を全て含み、260℃
における曲げ強度が0.8kg/mm2以上で、無機充
填剤の配合量が75重量%以上である実施例1〜8は流
動性、熱時硬度、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特
性のいずれも良好である。特に、260℃における曲げ
強度が1.0〜2.0kg/mm2、曲げ弾性率が20
〜60kg/mm2で、無機充填剤の配合量が80〜9
5重量%の範囲内である実施例5〜7は耐リフロー性が
良好で、中でも無機充填剤が88〜92重量%の範囲内
である実施例6、7は耐リフロー性及び高温放置特性に
著しく優れることが示される。
【0035】
【発明の効果】本発明になる封止用エポキシ樹脂成形材
料を用いてIC、LSI等の電子部品を封止すれば、実
施例で示したように耐リフロー性が良好で、信頼性に優
れる電子部品装置を得ることができるので、その工業的
価値は大である。
フロントページの続き Fターム(参考) 4J002 CD001 CD041 CD051 CE002 DE097 DE147 DE187 DE237 DF017 DJ007 DJ017 DK007 DL007 EN056 EN106 EU096 EU116 EW016 EW176 EY016 FA047 FA087 FD017 FD142 FD156 GQ05 4J036 AA05 AD01 AD03 AD07 AD08 DC02 DC12 DC38 DC41 DD07 DD09 FA01 FA04 FA05 FA06 FB06 FB08 JA07 4M109 AA01 BA01 BA04 BA05 BA07 CA21 CA22 EA02 EA04 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB13 EB18 EB19 EC01 EC03 EC05 EC14

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、
    (C)硬化促進剤、及び(D)無機充填剤を必須成分と
    し、260℃における曲げ強度が0.8kg/mm2
    上で、かつ(D)無機充填剤の配合量が75重量%以上
    である封止用エポキシ樹脂成形材料。
  2. 【請求項2】(D)無機充填剤の配合量が80〜95重
    量%である請求項1記載の封止用エポキシ樹脂成形材
    料。
  3. 【請求項3】260℃における曲げ強度が1.0〜2.
    0kg/mm2である請求項1又は請求項2記載の封止
    用エポキシ樹脂成形材料。
  4. 【請求項4】260℃における曲げ弾性率が20〜60
    kg/mm2である請求項1〜3のいずれかに記載の封
    止用エポキシ樹脂成形材料。
  5. 【請求項5】(A)エポキシ樹脂が下記一般式(I)で
    示されるビフェニル型エポキシ樹脂及び/又は下記一般
    式(II)で示されるビスフェノールF型エポキシ樹脂を
    含有してなる請求項1〜4のいずれかに記載の封止用エ
    ポキシ樹脂成形材料。 【化1】 (ここで、R1〜R4は水素原子及び炭素数1〜10の置
    換又は非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、全てが同
    一でも異なっていてもよい。nは0〜3の整数を示
    す。) 【化2】 (ここで、R1〜R8は水素原子、炭素数1〜10のアル
    キル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜
    10のアリール基、及び炭素数6〜10のアラルキル基
    から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。nは
    0〜3の整数を示す。)
  6. 【請求項6】(B)硬化剤が下記一般式(III)で示さ
    れるフェノール・アラルキル樹脂及び/又は下記一般式
    (IV)で示されるビフェニル型フェノール樹脂を含有し
    てなる請求項1〜5のいずれかに記載の封止用エポキシ
    樹脂成形材料。 【化3】 (ここで、Rは水素原子及び炭素数1〜10の置換又は
    非置換の一価の炭化水素基から選ばれ、nは0〜10の
    整数を示す。) 【化4】 (ここで、R1〜R9は水素原子、炭素数1〜10のアル
    キル基、炭素数1〜10のアルコキシル基、炭素数6〜
    10のアリール基、及び炭素数6〜10のアラルキル基
    から選ばれ、全てが同一でも異なっていてもよい。nは
    0〜10の整数を示す。)
  7. 【請求項7】(C)硬化促進剤が有機ホスフィンとキノ
    ン化合物との付加物である請求項1〜6のいずれかに記
    載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
  8. 【請求項8】請求項1〜7のいずれかに記載の封止用エ
    ポキシ樹脂成形材料により封止された素子を備えた電子
    部品装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002105288A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置
JP2002284961A (ja) * 2001-03-22 2002-10-03 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2003105068A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置
JP2003105066A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003105055A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2003037589A1 (fr) * 2001-10-30 2003-05-08 Hitachi Chemical Co., Ltd. Pastille de materiau d'obturation, son procede de fabrication et dispositif a composants electroniques
JP2004176039A (ja) * 2002-06-05 2004-06-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2005041928A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005075869A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005082722A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2006143950A (ja) * 2004-11-24 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006233016A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002105288A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置
JP2002284961A (ja) * 2001-03-22 2002-10-03 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2003105068A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置
JP2003105066A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003105055A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Toray Ind Inc エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US7208113B2 (en) 2001-10-30 2007-04-24 Hitachi Chemical Co., Ltd. Sealing material tablet method of manufacturing the tablet and electronic component device
WO2003037589A1 (fr) * 2001-10-30 2003-05-08 Hitachi Chemical Co., Ltd. Pastille de materiau d'obturation, son procede de fabrication et dispositif a composants electroniques
JP2004176039A (ja) * 2002-06-05 2004-06-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4569076B2 (ja) * 2002-06-05 2010-10-27 住友ベークライト株式会社 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2005041928A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005075869A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4543638B2 (ja) * 2003-08-29 2010-09-15 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005082722A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4496739B2 (ja) * 2003-09-09 2010-07-07 住友ベークライト株式会社 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2006143950A (ja) * 2004-11-24 2006-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006233016A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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