JP2002356538A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置Info
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- JP2002356538A JP2002356538A JP2002096164A JP2002096164A JP2002356538A JP 2002356538 A JP2002356538 A JP 2002356538A JP 2002096164 A JP2002096164 A JP 2002096164A JP 2002096164 A JP2002096164 A JP 2002096164A JP 2002356538 A JP2002356538 A JP 2002356538A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】成形性（流動性、充填性）及び信頼性、特に高
温リフロー信頼性を同時に満足するような半導体封止用
エポキシ樹脂組成物と半導体装置を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ）で表されるビフェニルノボラ
ック型エポキシ樹脂（ａ１）を必須成分として含有する
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および無機充填剤
（Ｃ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、エポキシ樹脂（Ａ）としてさらにビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂（ａ２）もしくはビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種を含有することを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
温リフロー信頼性を同時に満足するような半導体封止用
エポキシ樹脂組成物と半導体装置を提供する。 【解決手段】一般式（Ｉ）で表されるビフェニルノボラ
ック型エポキシ樹脂（ａ１）を必須成分として含有する
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および無機充填剤
（Ｃ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、エポキシ樹脂（Ａ）としてさらにビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂（ａ２）もしくはビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種を含有することを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成形性および信頼
性、特に高温リフロー信頼性に優れ、特に半導体封止用
として好適なエポキシ樹脂組成物に関するものである。
性、特に高温リフロー信頼性に優れ、特に半導体封止用
として好適なエポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子などの電子回路部品の封止方
法として、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹
脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。エポキシ
樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填剤
などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセッ
トしてトランスファー成形法などにより封止する方法が
一般的に行われている。
法として、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹
脂による樹脂封止が最も盛んに行われている。エポキシ
樹脂による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填剤
などを添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセッ
トしてトランスファー成形法などにより封止する方法が
一般的に行われている。
【０００３】半導体封止用エポキシ樹脂組成物に要求さ
れる特性としては、信頼性および成形性などがあり、信
頼性としては半田耐熱性、耐湿性などが、成形性として
は充填性、流動性、生産性（硬化性や連続成形性）、な
どがあげられる。
れる特性としては、信頼性および成形性などがあり、信
頼性としては半田耐熱性、耐湿性などが、成形性として
は充填性、流動性、生産性（硬化性や連続成形性）、な
どがあげられる。
【０００４】近年は、半導体装置の高密度実装化の流れ
にともない従来のリードピンを基板の穴に挿入する挿入
実装方式から、基板表面に半導体装置を半田付けする表
面実装方式が主流になっている。が、表面実装において
は、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法
では、基板の上に半導体装置を乗せ、これらを２００℃
以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田
を溶融させて半導体装置を基板表面に接着させる。この
ような実装方法では半導体装置全体が高温にさらされる
ため、封止樹脂組成物の耐湿性が悪いと吸湿した水分が
半田リフロー時に爆発的に膨張しクラックが生じたり、
半導体装置中の部材と封止樹脂組成物との界面で剥離が
生じるという現象が起こる。従って半導体用封止樹脂組
成物において耐湿性や部材との密着性が非常に重要とな
る。
にともない従来のリードピンを基板の穴に挿入する挿入
実装方式から、基板表面に半導体装置を半田付けする表
面実装方式が主流になっている。が、表面実装において
は、通常半田リフローによる実装が行われる。この方法
では、基板の上に半導体装置を乗せ、これらを２００℃
以上の高温にさらし、基板にあらかじめつけられた半田
を溶融させて半導体装置を基板表面に接着させる。この
ような実装方法では半導体装置全体が高温にさらされる
ため、封止樹脂組成物の耐湿性が悪いと吸湿した水分が
半田リフロー時に爆発的に膨張しクラックが生じたり、
半導体装置中の部材と封止樹脂組成物との界面で剥離が
生じるという現象が起こる。従って半導体用封止樹脂組
成物において耐湿性や部材との密着性が非常に重要とな
る。
【０００５】更に最近では、地球環境保護を目的に鉛を
含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいる。鉛フリ
ー半田は従来の鉛使用半田より融点が高く、そのためリ
フロー温度も上がることになり、封止用樹脂組成物には
これまで以上の耐熱性、耐湿性が求められている。
含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいる。鉛フリ
ー半田は従来の鉛使用半田より融点が高く、そのためリ
フロー温度も上がることになり、封止用樹脂組成物には
これまで以上の耐熱性、耐湿性が求められている。
【０００６】また、鉛フリー半田の使用によるリフロー
温度の上昇によって、耐湿性や部材との密着性以外に、
半導体チップ上のアルミパッド部とリードフレームを結
ぶ金ワイアがリフロー時に断線するという新たな問題が
起こってきているが、この問題はまだ解決されていな
い。
温度の上昇によって、耐湿性や部材との密着性以外に、
半導体チップ上のアルミパッド部とリードフレームを結
ぶ金ワイアがリフロー時に断線するという新たな問題が
起こってきているが、この問題はまだ解決されていな
い。
【０００７】一方、半導体装置自体も高密度実装化の流
れから、従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケ
ージ）からＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケー
ジ）に移行してきており、中でも最近では厚さ２ｍｍ以
下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となってい
る。そのため湿気や温度など外部からの影響をいっそう
受けやすくなり、高温リフロー信頼性、耐熱性、耐湿性
などの信頼性がますます重要となっている。
れから、従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケ
ージ）からＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケー
ジ）に移行してきており、中でも最近では厚さ２ｍｍ以
下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となってい
る。そのため湿気や温度など外部からの影響をいっそう
受けやすくなり、高温リフロー信頼性、耐熱性、耐湿性
などの信頼性がますます重要となっている。
【０００８】その他、上記のように半導体装置のさらな
る薄型化にともなって、封止樹脂組成物にはよりよい充
填性、流動性が求められるようになってきた。
る薄型化にともなって、封止樹脂組成物にはよりよい充
填性、流動性が求められるようになってきた。
【０００９】このような課題を克服するため、例えばビ
フェニルノボラック型エポキシ樹脂とビフェニルノボラ
ック型フェノール樹脂を併用する方法（特開平１１−１
４０１６６号公報）が提案されている。しかし、これら
ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂とビフェニルノボ
ラック型フェノール樹脂はそれら自体が高粘度であるた
め、充填剤の増量が思うようにいかずリフロー信頼性が
不十分であったり、充填剤を増量しようとすると封止樹
脂の粘度が高くなり成形性（例えば充填性、流動性）を
著しく悪化させてしまう欠点があった。
フェニルノボラック型エポキシ樹脂とビフェニルノボラ
ック型フェノール樹脂を併用する方法（特開平１１−１
４０１６６号公報）が提案されている。しかし、これら
ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂とビフェニルノボ
ラック型フェノール樹脂はそれら自体が高粘度であるた
め、充填剤の増量が思うようにいかずリフロー信頼性が
不十分であったり、充填剤を増量しようとすると封止樹
脂の粘度が高くなり成形性（例えば充填性、流動性）を
著しく悪化させてしまう欠点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、成形性（充填性、流動性）と信頼性、特に高温
リフロー信頼性（部材密着性やワイア断線など）全てを
同時に満足するようなエポキシ樹脂組成物と半導体装置
を提供することにある。
課題は、成形性（充填性、流動性）と信頼性、特に高温
リフロー信頼性（部材密着性やワイア断線など）全てを
同時に満足するようなエポキシ樹脂組成物と半導体装置
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意検討した結果、複数の特定のエポキシ樹脂を使用する
ことにより上記課題を達成することができ、目的に合致
したエポキシ樹脂組成物と半導体装置が得られることを
見いだし、本発明に到達した。
意検討した結果、複数の特定のエポキシ樹脂を使用する
ことにより上記課題を達成することができ、目的に合致
したエポキシ樹脂組成物と半導体装置が得られることを
見いだし、本発明に到達した。
【００１２】すなわち本発明は、「下記一般式（Ｉ）で
表されるビフェニルノボラック型エポキシ樹脂（ａ１）
を必須成分として含有するエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤
（Ｂ）および無機充填剤（Ｃ）を含む半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂（Ａ）としてさ
らにビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）またはビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種
を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物及びそれを用いた半導体装置
表されるビフェニルノボラック型エポキシ樹脂（ａ１）
を必須成分として含有するエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤
（Ｂ）および無機充填剤（Ｃ）を含む半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂（Ａ）としてさ
らにビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）またはビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種
を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
組成物及びそれを用いた半導体装置
【００１３】
【化５】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）」である。
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）」である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。
【００１５】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および無機充填剤（Ｃ）を含
有する。
樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および無機充填剤（Ｃ）を含
有する。
【００１６】本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）は、前
記一般式（Ｉ）で表されるビフェニルノボラック型エポ
キシ樹脂（ａ１）を必須成分として含み、さらにビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）またはビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種を含む。ビ
フェニルノボラック型エポキシ樹脂（ａ１）を含有する
ことにより樹脂組成物のリフロー信頼性が向上し、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）またはビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種とを併用
することでさらにリフロー信頼性が向上するとともに成
形性（充填性や流動性）が向上する。
記一般式（Ｉ）で表されるビフェニルノボラック型エポ
キシ樹脂（ａ１）を必須成分として含み、さらにビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）またはビスフェノー
ルＡ型エポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種を含む。ビ
フェニルノボラック型エポキシ樹脂（ａ１）を含有する
ことにより樹脂組成物のリフロー信頼性が向上し、ビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）またはビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（ａ３）のいずれか１種とを併用
することでさらにリフロー信頼性が向上するとともに成
形性（充填性や流動性）が向上する。
【００１７】
【化６】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）
【００１８】本発明におけるビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂（ａ２）の具体例としては、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メタン、２，
４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メ
タン、２，２’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフ
ェニル）メタン、３，３’，５，５’−テトラメチル−
４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニ
ル）メタンなどが挙げられる。ただし、これらに限定さ
れるものではない。
シ樹脂（ａ２）の具体例としては、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メタン、２，
４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メ
タン、２，２’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフ
ェニル）メタン、３，３’，５，５’−テトラメチル−
４，４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニ
ル）メタンなどが挙げられる。ただし、これらに限定さ
れるものではない。
【００１９】本発明におけるビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（ａ３）の具体例としては、４，４’−イソプロ
ピリデンジフェノールジグリシジルエーテル、３，
３’、５，５’−テトラメチル−４，４’−イソプロピ
リデンジフェノールジグリシジルエーテルなどが挙げら
れる。ただし、これらに限定されるものではないまたさ
らに、本発明には、エポキシ樹脂（Ａ）として、一般式
（IV）
シ樹脂（ａ３）の具体例としては、４，４’−イソプロ
ピリデンジフェノールジグリシジルエーテル、３，
３’、５，５’−テトラメチル−４，４’−イソプロピ
リデンジフェノールジグリシジルエーテルなどが挙げら
れる。ただし、これらに限定されるものではないまたさ
らに、本発明には、エポキシ樹脂（Ａ）として、一般式
（IV）
【００２０】
【化７】 （但し、Ｒ4〜Ｒ11は水素原子、ハロゲン原子または炭
素数１〜４の低級アルキル基を示し、同一であっても異
なってもよい。）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂
（ａ４）を含むことができるが、ビフェニル型エポキシ
樹脂（ａ４）を含むことにより、リフロー信頼性が向上
する。
素数１〜４の低級アルキル基を示し、同一であっても異
なってもよい。）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂
（ａ４）を含むことができるが、ビフェニル型エポキシ
樹脂（ａ４）を含むことにより、リフロー信頼性が向上
する。
【００２１】本発明におけるビフェニル型エポキシ樹脂
（ａ４）の具体例としては、例えば、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、４，４’
−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，
５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラエチルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラブ
チルビフェニルなどが挙げられる。ただし、これらに限
定されるものではない。
（ａ４）の具体例としては、例えば、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、４，４’
−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，
５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラエチルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラブ
チルビフェニルなどが挙げられる。ただし、これらに限
定されるものではない。
【００２２】本発明において、ビフェニルノボラック型
エポキシ樹脂（ａ１）とビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂（ａ２）または／もしくはビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（ａ３）の併用比率は、重量比で１０：１〜１：
１０の間が好ましい。
エポキシ樹脂（ａ１）とビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂（ａ２）または／もしくはビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（ａ３）の併用比率は、重量比で１０：１〜１：
１０の間が好ましい。
【００２３】また、本発明のエポキシ樹脂（Ａ）はビフ
ェニルノボラック型エポキシ樹脂（ａ１）、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（ａ３）やビフェニル型エポキシ樹脂（ａ
４）以外の公知のエポキシ樹脂を併用しても良く、その
種類については特に限定されない。それらの種類の具体
例としてはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキ
ル型エポキシ樹脂、１，５−ジ（２，３−エポキシプロ
ポキシ）ナフタレン、１，６−ジ（２，３−エポキシプ
ロポキシ）ナフタレン、ナフトールアラルキル型エポキ
シ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂、３−ｔ−ブチ
ル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメ
チルスチルベンのジグリシジルエーテル、３−ｔ−ブチ
ル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメ
チルスチルベンのジグリシジルエーテル、４，４’−ジ
ヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチル
ベンのジグリシジルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ
−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチ
ルベンのジグリシジルエーテルなどのスチルベン型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹
脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、１，４−ビス
（３−メチル−４ヒドロキシクミル）ベンゼンのジグリ
シジルエーテル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテルのジグリシジルエーテル、２，２−ジメチル−
５，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスフィドなどのビスフェノール型エポキ
シ樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂
およびハロゲン化エポキシ樹脂などがあげられる。
ェニルノボラック型エポキシ樹脂（ａ１）、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂（ａ２）、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（ａ３）やビフェニル型エポキシ樹脂（ａ
４）以外の公知のエポキシ樹脂を併用しても良く、その
種類については特に限定されない。それらの種類の具体
例としてはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキ
ル型エポキシ樹脂、１，５−ジ（２，３−エポキシプロ
ポキシ）ナフタレン、１，６−ジ（２，３−エポキシプ
ロポキシ）ナフタレン、ナフトールアラルキル型エポキ
シ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂、３−ｔ−ブチ
ル−２，４’−ジヒドロキシ−３’，５’，６−トリメ
チルスチルベンのジグリシジルエーテル、３−ｔ−ブチ
ル−４，４’−ジヒドロキシ−３’，５，５’−トリメ
チルスチルベンのジグリシジルエーテル、４，４’−ジ
ヒドロキシ−３，３’，５，５’−テトラメチルスチル
ベンのジグリシジルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ
−３，３’−ジ−ｔ−ブチル−６，６’−ジメチルスチ
ルベンのジグリシジルエーテルなどのスチルベン型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹
脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、１，４−ビス
（３−メチル−４ヒドロキシクミル）ベンゼンのジグリ
シジルエーテル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテルのジグリシジルエーテル、２，２−ジメチル−
５，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４’−ジヒドロ
キシジフェニルスフィドなどのビスフェノール型エポキ
シ樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹
脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂
およびハロゲン化エポキシ樹脂などがあげられる。
【００２４】本発明において、ビフェニルノボラック型
エポキシ樹脂（ａ１）とビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂（ａ２）または／もしくはビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（ａ３）の合計のエポキシ樹脂（Ａ）中の配合率
は、（ａ１）と（ａ２）の合計量で２５重量％以上が好
ましく、さらには成形性、信頼性の点から５０重量％以
上が好ましい。
エポキシ樹脂（ａ１）とビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂（ａ２）または／もしくはビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（ａ３）の合計のエポキシ樹脂（Ａ）中の配合率
は、（ａ１）と（ａ２）の合計量で２５重量％以上が好
ましく、さらには成形性、信頼性の点から５０重量％以
上が好ましい。
【００２５】本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）の配合
量は、全樹脂組成物に対して通常１．０〜１０．０重量
％である。
量は、全樹脂組成物に対して通常１．０〜１０．０重量
％である。
【００２６】本発明にはエポキシ樹脂（Ａ）を硬化させ
るために硬化剤（Ｂ）を用いるが、前記一般式（II）で
表されるフェノールアラルキル樹脂（ｂ１）や前記一般
式（III）で表されるビフェニルノボラック型フェノー
ル樹脂（ｂ２）を用いることができる。これらフェノー
ルアラルキル樹脂（ｂ１）、ビフェニルノボラック型フ
ェノール樹脂（ｂ２）を用いることにより良好な信頼性
と成形性が得られる。フェノールアラルキル樹脂（ｂ
１）やビフェニルノボラック型フェノール樹脂（ｂ２）
はどちらか１種でも両方用いてもかまわない。
るために硬化剤（Ｂ）を用いるが、前記一般式（II）で
表されるフェノールアラルキル樹脂（ｂ１）や前記一般
式（III）で表されるビフェニルノボラック型フェノー
ル樹脂（ｂ２）を用いることができる。これらフェノー
ルアラルキル樹脂（ｂ１）、ビフェニルノボラック型フ
ェノール樹脂（ｂ２）を用いることにより良好な信頼性
と成形性が得られる。フェノールアラルキル樹脂（ｂ
１）やビフェニルノボラック型フェノール樹脂（ｂ２）
はどちらか１種でも両方用いてもかまわない。
【００２７】
【化８】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）
【００２８】
【化９】 （式中、Ｒ3は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。）
【００２９】本発明において、硬化剤（Ｂ）としてフェ
ノールアラルキル樹脂（ｂ１）、ビフェニルノボラック
型フェノール樹脂（ｂ２）以外のものを併用しても良
い。それらの具体例としては、例えばフェノールノボラ
ック、クレゾールノボラックなどのノボラック樹脂、ビ
スフェノールＡなどのビスフェノール化合物、無水マレ
イン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無
水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニ
ルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族ア
ミンなどがあげられる。なかでも、半導体装置封止用と
しては、耐熱性、耐湿性および保存性に優れる点から、
フェノール性水酸基を有する硬化剤が好ましい。フェノ
ール性水酸基を有する硬化剤の具体例としては、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフ
トールノボラック樹脂などのノボラック樹脂、トリス
（ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，２−トリス
（ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス
（ヒドロキシフェニル）プロパン、テルペンとフェノー
ルの縮合化合物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノ
ール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などがあげられ
る。さらには、粘度が２ポイズ以下が好ましく、１ポイ
ズ以下がより好ましい。
ノールアラルキル樹脂（ｂ１）、ビフェニルノボラック
型フェノール樹脂（ｂ２）以外のものを併用しても良
い。それらの具体例としては、例えばフェノールノボラ
ック、クレゾールノボラックなどのノボラック樹脂、ビ
スフェノールＡなどのビスフェノール化合物、無水マレ
イン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸などの酸無
水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニ
ルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族ア
ミンなどがあげられる。なかでも、半導体装置封止用と
しては、耐熱性、耐湿性および保存性に優れる点から、
フェノール性水酸基を有する硬化剤が好ましい。フェノ
ール性水酸基を有する硬化剤の具体例としては、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフ
トールノボラック樹脂などのノボラック樹脂、トリス
（ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，２−トリス
（ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，３−トリス
（ヒドロキシフェニル）プロパン、テルペンとフェノー
ルの縮合化合物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノ
ール樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などがあげられ
る。さらには、粘度が２ポイズ以下が好ましく、１ポイ
ズ以下がより好ましい。
【００３０】本発明において、硬化剤（Ｂ）中にフェノ
ールアラルキル樹脂（ｂ１）およびビフェニルノボラッ
ク型フェノール樹脂（ｂ２）をその合計量で２５重量
％、より好ましくは５０重量％以上含有させることが成
形性と信頼性の点で好ましい。２５重量％以上である
と、十分な成形性や信頼性が得られる。
ールアラルキル樹脂（ｂ１）およびビフェニルノボラッ
ク型フェノール樹脂（ｂ２）をその合計量で２５重量
％、より好ましくは５０重量％以上含有させることが成
形性と信頼性の点で好ましい。２５重量％以上である
と、十分な成形性や信頼性が得られる。
【００３１】本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量
は、全樹脂組成物に対して通常１．０１０．０重量％で
ある。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の
配合比は、機械的性質および耐湿性の点から（Ａ）に対
する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜２．０、特に０．６
〜１．５の範囲にあることが好ましい。
は、全樹脂組成物に対して通常１．０１０．０重量％で
ある。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の
配合比は、機械的性質および耐湿性の点から（Ａ）に対
する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜２．０、特に０．６
〜１．５の範囲にあることが好ましい。
【００３２】本発明において、無機充填剤（Ｃ）の割合
が全樹脂組成物に対して８０重量％以上であることが好
ましく、さらには８５重量％以上がより好ましい。無機
充填剤（Ｃ）の含有量を８０重量％以上にすることによ
り樹脂組成物の吸水率が低下し、良好なリフロー信頼性
が得られる。
が全樹脂組成物に対して８０重量％以上であることが好
ましく、さらには８５重量％以上がより好ましい。無機
充填剤（Ｃ）の含有量を８０重量％以上にすることによ
り樹脂組成物の吸水率が低下し、良好なリフロー信頼性
が得られる。
【００３３】本発明における無機充填剤（Ｃ）の具体的
な種類としては溶融シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシ
ウム、炭酸マグネシウム、アルミナなどを用いることが
好ましく、成形性、信頼性の点から溶融シリカ、結晶性
シリカがより好ましい。また、用途によっては２種類以
上の無機充填剤を併用することができ、併用する充填剤
としては、具体的には溶融シリカ、結晶性シリカ、炭酸
カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシ
ア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、
アスベスト、ガラス繊維などがあげられる。充填剤の平
均粒径は、０．５〜４０μmが好ましい。
な種類としては溶融シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシ
ウム、炭酸マグネシウム、アルミナなどを用いることが
好ましく、成形性、信頼性の点から溶融シリカ、結晶性
シリカがより好ましい。また、用途によっては２種類以
上の無機充填剤を併用することができ、併用する充填剤
としては、具体的には溶融シリカ、結晶性シリカ、炭酸
カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マグネシ
ア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、
アスベスト、ガラス繊維などがあげられる。充填剤の平
均粒径は、０．５〜４０μmが好ましい。
【００３４】本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）と硬化
剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用い
てもよい。硬化促進剤としては、例えば、トリフェニル
ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニ
ル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンな
どのりん系化合物、２−メチルイミダゾール、２，４−
ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４
−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ジメ
チルベンジルメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７などのアミン系化合物などが成
形性、信頼性の点で好ましく用いられるが、硬化反応を
促進するものであれば特に限定されない。
剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用い
てもよい。硬化促進剤としては、例えば、トリフェニル
ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニ
ル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンな
どのりん系化合物、２−メチルイミダゾール、２，４−
ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４
−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ジメ
チルベンジルメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７などのアミン系化合物などが成
形性、信頼性の点で好ましく用いられるが、硬化反応を
促進するものであれば特に限定されない。
【００３５】これらの硬化促進剤は、用途によっては二
種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂
（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲
が望ましい。
種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂
（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲
が望ましい。
【００３６】本発明のエポキシ樹脂組成物には充填剤と
エポキシ樹脂や硬化剤の結合を強化し、信頼性の向上を
図る目的でシランカップリング剤を用いてもよい。中で
も、アミノ基を含有するシランカップリング剤、エポキ
シ基を含有するシランカップリング剤或いはメルカプト
基を含有するシランカップリング剤が成形性、信頼性の
点で好ましく用いられる。
エポキシ樹脂や硬化剤の結合を強化し、信頼性の向上を
図る目的でシランカップリング剤を用いてもよい。中で
も、アミノ基を含有するシランカップリング剤、エポキ
シ基を含有するシランカップリング剤或いはメルカプト
基を含有するシランカップリング剤が成形性、信頼性の
点で好ましく用いられる。
【００３７】本発明において、シランカップリング剤の
割合が全樹脂組成物に対して０．０５〜２重量％の範囲
にあることが成形性、信頼性の点で好ましく、０．１〜
１重量％の範囲がより好ましい。
割合が全樹脂組成物に対して０．０５〜２重量％の範囲
にあることが成形性、信頼性の点で好ましく、０．１〜
１重量％の範囲がより好ましい。
【００３８】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、シリコーンゴ
ム、スチレン系ブロック共重合体、オレフィン系重合
体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの
エラストマー、ポリスチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖
脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、
長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤
および有機過酸化物など架橋剤、三酸化アンチモン、四
酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどの難燃助剤、難
燃剤としての臭素化合物を任意に添加することができ
る。
カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、シリコーンゴ
ム、スチレン系ブロック共重合体、オレフィン系重合
体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの
エラストマー、ポリスチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖
脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、
長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤
および有機過酸化物など架橋剤、三酸化アンチモン、四
酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどの難燃助剤、難
燃剤としての臭素化合物を任意に添加することができ
る。
【００３９】本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法と
しては、たとえば溶融混練による方法が好ましく、各種
原料をミキサーなどで混合した後、通常は６０〜１４０
℃で、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロー
ル、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの
公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造で
きる。このエポキシ樹脂組成物は通常粉末またはタブレ
ット状態から、成形によって半導体封止に供される。半
導体素子を封止する方法としては、低圧トランスファー
成形法が一般的であるがインジェクション成形法や圧縮
成形法も可能である。成形条件としては、たとえばエポ
キシ樹脂組成物を成形温度１５０℃〜２００℃、成形圧
力５〜１５ＭＰａ、成形時間３０〜３００秒で成形し、
エポキシ樹脂組成物の硬化物とすることによって半導体
装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を１
００〜２００℃で２〜１５時間、追加加熱処理も行われ
る。
しては、たとえば溶融混練による方法が好ましく、各種
原料をミキサーなどで混合した後、通常は６０〜１４０
℃で、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロー
ル、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの
公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造で
きる。このエポキシ樹脂組成物は通常粉末またはタブレ
ット状態から、成形によって半導体封止に供される。半
導体素子を封止する方法としては、低圧トランスファー
成形法が一般的であるがインジェクション成形法や圧縮
成形法も可能である。成形条件としては、たとえばエポ
キシ樹脂組成物を成形温度１５０℃〜２００℃、成形圧
力５〜１５ＭＰａ、成形時間３０〜３００秒で成形し、
エポキシ樹脂組成物の硬化物とすることによって半導体
装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を１
００〜２００℃で２〜１５時間、追加加熱処理も行われ
る。
【００４０】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、実施例中の％は重量％を示す。
る。なお、実施例中の％は重量％を示す。
【００４１】[実施例１〜１６、比較例１〜２]本発明で
使用した各原料を表１に示す。なお、ここで言う粘度と
は１５０℃におけるＩＣＩ粘度のことである。
使用した各原料を表１に示す。なお、ここで言う粘度と
は１５０℃におけるＩＣＩ粘度のことである。
【００４２】＜エポキシ樹脂（Ａ）＞ ａ１：ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂：日本化薬
（株）”ＮＣ−３０００Ｓ”、エポキシ当量２８２、粘
度０．９ポイズ ａ２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：新日鐵化学
（株）”ＹＳＬＶ−８０ＸＹ”、エポキシ当量１９２、
粘度０．０８ポイズ ａ３：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ジャパンエポ
キシレジン（株）”ＹＬ６８１０”、エポキシ当量１７
２、粘度０．０７ポイズ ａ４：ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレ
ジン（株）”ＹＸ４０００Ｈ”、エポキシ当量１９３、
粘度０．２ポイズ Ａ１：オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：日
本化薬（株）”ＥＯＣＮ１０２０”エポキシ当量２０
０、粘度１０ポイズ ＜硬化剤（Ｂ）＞ ｂ１：フェノールアラルキル樹脂：明和化成（株）”Ｍ
ＥＨ７８００ＳＳ”水酸基当量１７５、粘度０．７ポイ
ズ ｂ２：ビフェニルノボラック型フェノール樹脂：明和化
成（株）”ＭＥＨ７８５１ＳＳ”水酸基当量２０３，粘
度０．７ポイズ Ｂ１：フェノールノボラック樹脂：明和化成（株）”Ｈ
−１”水酸基当量１０６、粘度２．０ポイズ ＜充填剤（Ｃ）＞平均粒径２５μｍの溶融球状シリカ ＜硬化促進剤＞トリフェニルホスフィン（以下、ＴＰＰ
と省略）：ケイ・アイ化成（株）”ＰＰ−３６０” ＜カップリング剤＞γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ４０３” ＜着色剤＞カーボンブラック：三菱化学（株）”♯７５
０Ｂ” ＜離型剤＞モンタン酸エステルワックス：クラリアント
ジャパン（株）”ＬＩＣＯＷＡＸ−Ｅ”
（株）”ＮＣ−３０００Ｓ”、エポキシ当量２８２、粘
度０．９ポイズ ａ２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：新日鐵化学
（株）”ＹＳＬＶ−８０ＸＹ”、エポキシ当量１９２、
粘度０．０８ポイズ ａ３：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ジャパンエポ
キシレジン（株）”ＹＬ６８１０”、エポキシ当量１７
２、粘度０．０７ポイズ ａ４：ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキシレ
ジン（株）”ＹＸ４０００Ｈ”、エポキシ当量１９３、
粘度０．２ポイズ Ａ１：オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：日
本化薬（株）”ＥＯＣＮ１０２０”エポキシ当量２０
０、粘度１０ポイズ ＜硬化剤（Ｂ）＞ ｂ１：フェノールアラルキル樹脂：明和化成（株）”Ｍ
ＥＨ７８００ＳＳ”水酸基当量１７５、粘度０．７ポイ
ズ ｂ２：ビフェニルノボラック型フェノール樹脂：明和化
成（株）”ＭＥＨ７８５１ＳＳ”水酸基当量２０３，粘
度０．７ポイズ Ｂ１：フェノールノボラック樹脂：明和化成（株）”Ｈ
−１”水酸基当量１０６、粘度２．０ポイズ ＜充填剤（Ｃ）＞平均粒径２５μｍの溶融球状シリカ ＜硬化促進剤＞トリフェニルホスフィン（以下、ＴＰＰ
と省略）：ケイ・アイ化成（株）”ＰＰ−３６０” ＜カップリング剤＞γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ４０３” ＜着色剤＞カーボンブラック：三菱化学（株）”♯７５
０Ｂ” ＜離型剤＞モンタン酸エステルワックス：クラリアント
ジャパン（株）”ＬＩＣＯＷＡＸ−Ｅ”
【００４３】
【表１】
【００４４】上記各成分を、表２〜４に示した組成比
（重量比）で計量し、ミキサーによりドライブレンドし
た。これをロール表面温度９０℃のミキシングロールを
用いて５分間溶融混練後、冷却、粉砕して半導体封止用
のエポキシ樹脂組成物を得た。
（重量比）で計量し、ミキサーによりドライブレンドし
た。これをロール表面温度９０℃のミキシングロールを
用いて５分間溶融混練後、冷却、粉砕して半導体封止用
のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００４５】この樹脂組成物を用いて、低圧トランスフ
ァー成形法により１７５℃、キュアータイム２分間の条
件で、１７６ｐｉｎＬＱＦＰ（外形：２４ｍｍ×２４ｍ
ｍ×１．４ｍｍｔ、フレーム材料：銅からなる。チップ
は窒化膜処理を施した。チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍ
ｍ×０．３ｍｍｔである。）、１６０ｐｉｎＱＦＰ（外
形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．４ｍｍｔ、フレーム材
料：４２アロイからなる。チップはアルミニウム膜処理
を施した。チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５
ｍｍｔである。チップとリードフレームのインナーリー
ドに金ワイアを１６０本ボンディングした。）を成形し
た。１７５℃、１２時間の条件でポストキュアーを行
い、下記の測定法により各樹脂組成物の物性を評価し
た。
ァー成形法により１７５℃、キュアータイム２分間の条
件で、１７６ｐｉｎＬＱＦＰ（外形：２４ｍｍ×２４ｍ
ｍ×１．４ｍｍｔ、フレーム材料：銅からなる。チップ
は窒化膜処理を施した。チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍ
ｍ×０．３ｍｍｔである。）、１６０ｐｉｎＱＦＰ（外
形：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．４ｍｍｔ、フレーム材
料：４２アロイからなる。チップはアルミニウム膜処理
を施した。チップサイズは１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５
ｍｍｔである。チップとリードフレームのインナーリー
ドに金ワイアを１６０本ボンディングした。）を成形し
た。１７５℃、１２時間の条件でポストキュアーを行
い、下記の測定法により各樹脂組成物の物性を評価し
た。
【００４６】高温リフロー信頼性：１７６ｐｉｎＬＱＦ
Ｐを２０個成形し、８５℃／６０％ＲＨで１６８時間加
湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で２分間加熱
処理し、外部クラックの発生数と超音波探傷機によりス
テージ裏面の剥離発生数を調べた。
Ｐを２０個成形し、８５℃／６０％ＲＨで１６８時間加
湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で２分間加熱
処理し、外部クラックの発生数と超音波探傷機によりス
テージ裏面の剥離発生数を調べた。
【００４７】ワイア断線：１６０ｐｉｎＱＦＰを成形
し、ポストキュア後に加湿を行わずに最高温度２６０℃
のＩＲリフロー炉で２分間の加熱処理を３回行った。加
熱処理後の１６０ｐｉｎＱＦＰを発煙硝酸で開封し、Ｑ
ＦＰの四つの各辺の中央にある金ワイア２本ずつ、計８
本についてインナーリード側のボンディング部の断線状
態を電子顕微鏡で観察した。８本のワイアのボンディン
グ部のワイア幅（ｘ）（ｍｍ）、ワイアのクラック長
（ｙ）（ｍｍ）を測定し、クラック発生率（ｙ／ｘ×１
００）（％）を求めた。
し、ポストキュア後に加湿を行わずに最高温度２６０℃
のＩＲリフロー炉で２分間の加熱処理を３回行った。加
熱処理後の１６０ｐｉｎＱＦＰを発煙硝酸で開封し、Ｑ
ＦＰの四つの各辺の中央にある金ワイア２本ずつ、計８
本についてインナーリード側のボンディング部の断線状
態を電子顕微鏡で観察した。８本のワイアのボンディン
グ部のワイア幅（ｘ）（ｍｍ）、ワイアのクラック長
（ｙ）（ｍｍ）を測定し、クラック発生率（ｙ／ｘ×１
００）（％）を求めた。
【００４８】充填性：１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成
形後に目視および光学顕微鏡（倍率：４０倍）を用いて
観察し、未充填のパッケージの個数を調べた。 流動性：１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成形後、パッケ
ージを樹脂充填口（ゲート）と空気抜き口（エアベン
ト）線上、すなわち樹脂充填口を起点に対角線上に切断
した。パッケージ断面における半導体素子の傾き（両端
部の高さの差）をチップチルトとして求めた。チップチ
ルトが５０μｍ以上を不良とし、２０個中の不良発生数
を調べた。
形後に目視および光学顕微鏡（倍率：４０倍）を用いて
観察し、未充填のパッケージの個数を調べた。 流動性：１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成形後、パッケ
ージを樹脂充填口（ゲート）と空気抜き口（エアベン
ト）線上、すなわち樹脂充填口を起点に対角線上に切断
した。パッケージ断面における半導体素子の傾き（両端
部の高さの差）をチップチルトとして求めた。チップチ
ルトが５０μｍ以上を不良とし、２０個中の不良発生数
を調べた。
【００４９】
【表２】
【００５０】
【表３】
【００５１】
【表４】
【００５２】表２〜４の実施例１〜１６に見られるよう
に本発明のエポキシ樹脂組成物は信頼性、成形性（充填
性、流動性）に優れている。
に本発明のエポキシ樹脂組成物は信頼性、成形性（充填
性、流動性）に優れている。
【００５３】すなわち、ビフェニルノボラックエポキシ
樹脂（ａ１）とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ
２）もしくはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ａ３）
を同時に含んでいない比較例１〜２は信頼性と成形性を
同時に満足できない。
樹脂（ａ１）とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ａ
２）もしくはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ａ３）
を同時に含んでいない比較例１〜２は信頼性と成形性を
同時に満足できない。
【００５４】
【発明の効果】複数の特定のエポキシ樹脂を使用するこ
とにより、良好な高温リフロー信頼性と成形性を併せ持
つ半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹
脂封止型半導体装置が得られる。
とにより、良好な高温リフロー信頼性と成形性を併せ持
つ半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹
脂封止型半導体装置が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CD05X CD053 CD06W CD12W DE146 DE236 DJ016 FD010 FD016 FD14X FD150 GQ01 GQ05 4J036 AA05 AA06 AD00 AD07 AD08 AD09 AD12 AE05 AF36 AK19 FA01 FA02 FA05 FB08 JA07 KA01 4M109 AA01 CA21 EA02 EB03 EC05
Claims (5)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）で表されるビフェニルノ
ボラック型エポキシ樹脂（ａ１）を必須成分として含有
するエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）および無機充填
剤（Ｃ）を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、エポキシ樹脂（Ａ）としてさらにビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂（ａ２）またはビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（ａ３）のいずれか１種を含有することを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。） - 【請求項２】硬化剤（Ｂ）が下記一般式（II）で表され
るフェノールアラルキル樹脂（ｂ１）または下記一般式
（III）で表されるビフェニルノボラック型フェノール
樹脂（ｂ２）のいずれか少なくとも一種を含有すること
を特徴とする請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物。 【化２】 （式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。） 【化３】 （式中、Ｒ3は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基またはハロゲン原子であり、ｎは０〜１
０の整数である。） - 【請求項３】エポキシ樹脂（Ａ）としてさらに下記一般
式（IV）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ４）
を含有することを特徴とする請求項１または２のいずれ
かに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化４】 （但し、Ｒ4〜Ｒ11は水素原子、ハロゲン原子または炭
素数１〜４の低級アルキル基を示し、同一であっても異
なってもよい。） - 【請求項４】充填剤（Ｃ）の組成物全体に占める割合が
８０重量％以上であることを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物の硬化物を用いて、半導体素子
の少なくとも回路形成面を封止してなる樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002096164A JP2002356538A (ja) | 2001-03-30 | 2002-03-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100798 | 2001-03-30 | ||
| JP2001-100798 | 2001-03-30 | ||
| JP2002096164A JP2002356538A (ja) | 2001-03-30 | 2002-03-29 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
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|---|---|
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|---|---|
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