JP2003128883A - エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】成形性（流動性、充填性）及び信頼性、特に高
温リフロー信頼性を同時に満足するような半導体封止用
エポキシ樹脂組成物と半導体装置を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、無機充填剤（Ｂ）、
シランカップリング剤（Ｃ）および硬化剤（Ｄ）を含む
エポキシ樹脂組成物において、シランカップリング剤
（Ｃ）として一般式（Ｉ）で表されるシランカップリン
グ剤（ｃ）を含有することを特徴とするエポキシ樹脂組
成物。さらに充填剤（Ｂ）の組成物全体に占める割合が
８０〜９８重量％であることを特徴とするエポキシ樹脂
組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成形性および信頼
性、特に高温リフロー信頼性に優れ、特に半導体封止用
として好適なエポキシ樹脂組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子などの電子回路部品の封止方
法として、従来より金属やセラミックスによるハーメチ
ックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキ
シ樹脂などによる樹脂封止が提案されているが、その中
でも、生産性、物性のバランスの点からエポキシ樹脂に
よる樹脂封止が最も盛んに行われている。エポキシ樹脂
による封止方法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填剤など
を添加した組成物を用い、半導体素子を金型にセットし
てトランスファー成形法などにより封止する方法が一般
的に行われている。

【０００３】半導体封止用エポキシ樹脂組成物に要求さ
れる特性としては、信頼性および成形性などがあり、信
頼性としては半田耐熱性、耐湿性などが、成形性として
は充填性、流動性、生産性（硬化性や連続成形性）、な
どがあげられる。

【０００４】近年は、半導体装置の高密度実装化の流れ
にともない従来のリードピンを基板の穴に挿入する挿入
実装方式から、基板表面に半導体装置を半田付けする表
面実装方式が主流になっている。

【０００５】表面実装においては、通常半田リフローに
よる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体
装置を乗せ、これらを２００℃以上の高温にさらし、基
板にあらかじめつけられた半田を溶融させて半導体装置
を基板表面に接着させる。このような実装方法では半導
体装置全体が高温にさらされるため、封止樹脂組成物の
耐湿性が悪いと吸湿した水分が半田リフロー時に爆発的
に膨張しクラックが生じたり、半導体装置中の部材と封
止樹脂組成物との界面で剥離が生じるという現象が起こ
る。剥離は特に使用するリードフレームの銀メッキ部分
から発生しやすい。これは４２アロイや銅と比較して銀
メッキ部分のほうがエポキシ樹脂組成物との接着性が劣
るからである。従って半導体封止用エポキシ樹脂組成物
において耐湿性や銀メッキ部分等の部材との接着性を向
上させることが非常に重要となる。

【０００６】更に最近では、地球環境保護を目的に鉛を
含んでいない鉛フリー半田の使用が進んでいる。鉛フリ
ー半田は従来の鉛使用半田より融点が高く、そのためリ
フロー温度も上がることになり、封止用樹脂組成物には
これまで以上の耐熱性、耐湿性が求められている。

【０００７】一方、半導体装置自体も高密度実装化の流
れから、従来のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケ
ージ）からＦＰＰ（フラット・プラスチック・パッケー
ジ）に移行してきており、中でも最近では厚さ２ｍｍ以
下のＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となってい
る。そのため湿気や温度など外部からの影響をいっそう
受けやすくなり、高温リフロー信頼性、耐熱性、耐湿性
などの信頼性がますます重要となっている。

【０００８】さらに、上記のように半導体装置のさらな
る薄型化にともなって、封止樹脂組成物にはよりよい充
填性、流動性が求められるようになってきた。

【０００９】このような課題を克服するため、例えばシ
ランカップリング剤としてエポキシシランカップリング
剤やメルカプトシランカップリング剤を用いる方法（特
開平１０−１３０４６８号公報）が提案されている。し
かし、これらシランカップリング剤は半導体装置中の部
材との接着性を向上させるが十分でなく、さらに半田リ
フロー時にクラックが発生するうえに流動性が低下して
しまう問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、成形性（充填性、流動性）と信頼性、特に高温
リフロー信頼性全てを同時に満足するようなエポキシ樹
脂組成物と半導体装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、鋭
意検討した結果、特定のシランカップリング剤を使用す
ることにより上記課題を達成し、目的に合致したエポキ
シ樹脂組成物と半導体装置が得られることを見いだし、
本発明に到達した。

【００１２】すなわち本発明は、エポキシ樹脂（Ａ）、
無機充填剤（Ｂ）、シランカップリング剤（Ｃ）および
硬化剤（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物において、シラ
ンカップリング剤（Ｃ）として下記一般式（Ｉ）

【００１３】

【化４】 （式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基のいずれかであり、それらは同一であっ
ても異なっていてもよい。Ｘは水素基、メチル基、エチ
ル基のいずれかであり、Ｙはメチル基またはエチル基の
いずれかである。また、ａは０〜２の整数である。）で
表されるシランカップリング剤（ｃ）を含有することを
特徴とするエポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導
体装置である。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。

【００１５】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂（Ａ）、充填剤（Ｂ）、シランカップリング剤
（Ｃ）および硬化剤（Ｄ）を含有する。

【００１６】本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は１分
子中にエポキシ基を２個以上有するものであればその種
類は特に限定されない。その具体例としては、たとえば
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキ
シ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジ
シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポ
キシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ナフトールア
ラルキル型エポキシ樹脂、ポリビニルフェノール型エポ
キシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、フ
ルオレン型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、イ
ミド基含有エポキシ樹脂、マレイミド基含有エポキシ樹
脂、アリル基変性エポキシ樹脂、線状脂肪族型エポキシ
樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ス
ピロ環含有エポキシ樹脂などが挙げられる。

【００１７】その中でも、リードフレームや銀メッキに
対する密着性の良い一般式(II)で表されるビフェニル型
エポキシ樹脂（ａ１）や一般式(III)で表されるビスフ
ェノール型エポキシ樹脂（ａ２）が好ましい。

【００１８】

【化５】 （式中、Ｒ²は水素原子、ハロゲン原子または炭素数１
〜４の低級アルキル基を示し、同一であっても異なって
いてもよい。）

【００１９】

【化６】 （式中、Ｒ³〜⁴ は水素原子、ハロゲン原子または炭素
数１〜４の低級アルキル基を示し、同一であっても異な
っていてもよい。）

【００２０】用途によっては２種類以上のエポキシ樹脂
を併用してもよいが、半導体封止用としては密着性の点
からビフェニル型エポキシ樹脂（ａ１）やビスフェノー
ル型エポキシ樹脂（ａ２）を単独あるいは併用して、全
エポキシ樹脂（Ａ）中に５０重量％以上含むことが好ま
しい。

【００２１】また、エポキシ樹脂（Ａ）の添加量は通
常、組成物全体に対して１．０〜１５．０重量％であ
る。

【００２２】本発明におけるビフェニル型エポキシ樹脂
（ａ１）の具体例としては、例えば、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェニル、４，４’
−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，
５，５’−テトラメチルビフェニル、４，４’−ビス
（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’
−テトラエチルビフェニル、４，４’−ビス（２，３−
エポキシプロポキシ）−３，３’，５，５’−テトラブ
チルビフェニルなどが挙げられる。中でも、４，４’−
ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３’，５，
５’−テトラメチルビフェニルが、信頼性や成形性の点
で好ましい。ただし、これらに限定されるものではな
い。

【００２３】本発明におけるビスフェノール型エポキシ
樹脂（ａ２）の具体例としては、４，４’−ビス（２，
３−エポキシプロポキシフェニル）メタン、２，４’−
ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メタン、
２，２’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニ
ル）メタン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，
４’−ビス（２，３−エポキシプロポキシフェニル）メ
タン、４，４’−イソプロピリデンジフェノールジグリ
シジルエーテル、３，３’、５，５’−テトラメチル−
４，４’−イソプロピリデンジフェノールジグリシジル
エーテルなどが挙げられる。中でも、３，３’，５，
５’−テトラメチル−４，４’−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシフェニル）メタンが、信頼性や成形性の点
で好ましい。ただし、これらに限定されるものではな
い。

【００２４】本発明にはエポキシ樹脂（Ａ）を硬化させ
るために硬化剤（Ｄ）を用いる。その具体例としては、
例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラル
キル樹脂、ビフェニルノボラック型フェノール樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、
トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、テルペン骨格含
有フェノール化合物、ジシクロペンタジエン骨格含有フ
ェノール樹脂などの各種フェノール樹脂、ビスフェノー
ルＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＰなどのビ
スフェノール化合物、４，４’−ビフェノール、３，
３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビフェノー
ルなどのビフェノール化合物、無水マレイン酸、無水フ
タル酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタ
フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジア
ミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげ
られる。なかでも、半導体封止用としては、耐熱性、耐
湿性および保存性に優れる点からフェノール樹脂硬化剤
が好ましく、さらにリードフレームや銀メッキに対する
密着性の良いフェノールアラルキル樹脂（Ｄ２）が好ま
しい。

【００２５】本発明において、硬化剤（Ｄ）の配合量
は、全樹脂組成物に対して通常１．０〜１０．０重量％
である。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｄ）
の配合比は、機械的性質および耐湿性の点からエポキシ
樹脂（Ａ）に対する硬化剤（Ｄ）の化学当量比が０．５
〜２．０、特に０．６〜１．５の範囲にあることが好ま
しい。

【００２６】本発明における無機充填剤（Ｂ）の種類
は、球状の溶融シリカが好ましく、その充填剤全体に占
める割合が５０重量％以上であることが好ましい。一般
に充填剤（Ｂ）の組成物全体に占める割合が大きくなる
につれて流動性などの成形性は悪化するが、球状のシリ
カを使用することにより流動性の悪化を抑制することが
できる。球状溶融シリカの粒径については平均粒径が３
０μｍ以下であることが好ましい。

【００２７】本発明における無機充填剤（Ｂ）の割合は
全樹脂組成物に対して８０〜９８重量％であることが好
ましい。さらに、半田リフロー温度が２６０℃付近にな
るような”鉛フリー半田”にも対応が可能になることか
ら、無機充填剤（Ｂ）の組成物全体に占める割合が８５
〜９８重量％にすることがより好ましい。このように樹
脂組成物全体における無機物の割合が高くすれば、難燃
性が高くなり、従来使用されていた難燃剤を使用しなく
ても難燃性を満足することができる。これにより、従来
から用いてきたハロゲン系難燃剤を樹脂組成物に添加す
る必要がなくなり、環境保護の点で好ましい。

【００２８】本発明における無機充填剤（Ｂ）としては
上記の球状溶融シリカ以外の充填剤を併用することがで
きる。その具体例としては破砕溶融シリカ、結晶性シリ
カ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、マ
グネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、酸化チ
タン、アスベスト、ガラス繊維などが挙げられ、中でも
成形性、信頼性の点から破砕溶融シリカ、結晶性シリカ
がより好ましい。併用する充填剤の平均粒径は、０．５
〜４０μmが好ましい。

【００２９】本発明において、シランカップリング剤
（Ｃ）として一般式（Ｉ）で表されるシランカップリン
グ剤（ｃ）を用いることが重要である。このシランカッ
プリング剤（ｃ）を用いることにより、半導体装置中の
部材や銀メッキに対する密着性を向上することができる
のである。

【００３０】

【化７】 （式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
基、フェニル基のいずれかであり、それらは同一であっ
ても異なっていてもよい。Ｘは水素基、メチル基、エチ
ル基のいずれかであり、Ｙはメチル基またはエチル基の
いずれかである。また、ａは０〜２の整数である。）

【００３１】本発明においてシランカップリング剤
（ｃ）は一般式（Ｉ）で表される構造であれば効果が発
現するため特に制限はないが、具体例としては、例え
ば、γ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−シクロヘキシルアミノプロピルトリエトキシ
シラン、γ−シクロヘキシルアミノプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−シクロヘキシルアミノプロピルメチ
ルジエトキシシラン、γ−シクロヘキシルアミノプロピ
ルジメチルモノメトキシシラン、γ−シクロヘキシルア
ミノプロピルジメチルモノエトキシシランが挙げられ
る。

【００３２】本発明において、シランカップリング剤
（Ｃ）として上記シランカップリング剤（ｃ）以外のシ
ランカップリング剤を併用してもよい。その具体例とし
ては、アミノ基を含有するシランカップリング剤、エポ
キシ基を含有するシランカップリング剤、メルカプト基
を含有するシランカップリング剤、アクリル基を含有す
るシランカップリング剤、メタクリロキシ基を含有する
シランカップリング剤、ビニル基を含有するシランカッ
プリング剤などが挙げられる。ただし、これらに限定さ
れるものではない。

【００３３】シランカップリング剤（ｃ）の全シランカ
ップリング剤（Ｃ）中に占める割合は、信頼性、成形性
の点から１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、
より好ましくは５０重量％以上である。

【００３４】また、本発明においてシランカップリング
剤（Ｃ）の割合が全樹脂組成物に対して０．０５〜２重
量％の範囲にあることが成形性、信頼性の点で好まし
く、０．１〜１重量％の範囲がより好ましい。

【００３５】本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）と硬化
剤（Ｄ）の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用い
てもよい。硬化促進剤としては、例えば、トリフェニル
ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフ
ィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニ
ル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィンな
どのりん系化合物、２−メチルイミダゾール、２，４−
ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４
−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ジメ
チルベンジルメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノ
メチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）ウンデセン−７などのアミン系化合物などが成
形性、信頼性の点で好ましく用いられるが、硬化反応を
促進するものであれば特に限定されない。

【００３６】これらの硬化促進剤は、用途によっては２
種以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂
（Ａ）１００重量部に対して０．１〜１０重量部の範囲
が望ましい。

【００３７】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
カーボンブラック、酸化鉄などの着色剤、シリコーンゴ
ム、スチレン系ブロック共重合体、オレフィン系重合
体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの
エラストマー、ポリスチレンなどの熱可塑性樹脂、長鎖
脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、
長鎖脂肪酸のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤
および有機過酸化物など架橋剤、三酸化アンチモン、四
酸化アンチモン、五酸化アンチモンなどの難燃助剤、難
燃剤としての臭素化合物を任意に添加することができ
る。

【００３８】本発明のエポキシ樹脂組成物の製造方法と
しては、たとえば溶融混練による方法が好ましく、各種
原料をミキサーなどで混合した後、通常は６０〜１４０
℃で、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロー
ル、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなどの
公知の混練方法を用いて溶融混練することにより製造で
きる。このエポキシ樹脂組成物は通常粉末またはタブレ
ット状態から、成形によって半導体封止に供される。半
導体素子を封止する方法としては、低圧トランスファー
成形法が一般的であるがインジェクション成形法や圧縮
成形法も可能である。成形条件としては、たとえばエポ
キシ樹脂組成物を成形温度１５０℃〜２００℃、成形圧
力５〜１５ＭＰａ、成形時間３０〜３００秒で成形し、
エポキシ樹脂組成物の硬化物とすることによって半導体
装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を１
００〜２００℃で２〜１５時間、追加加熱処理も行われ
る。

【００３９】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、実施例中の％は重量％を示す。

【００４０】[実施例１〜２９、比較例１〜３]本発明で
使用した各原料を表１に示す。なお、ここで言う粘度と
は１５０℃におけるＩＣＩ粘度のことである。

【００４１】＜エポキシ樹脂（Ａ）＞ ａ１−１：ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキ
シレジン（株）”ＹＸ４０００Ｈ”、エポキシ当量１９
３、粘度０．２ｄＰａ・ｓ ａ１−２：ビフェニル型エポキシ樹脂：ジャパンエポキ
シレジン（株）”ＹＬ６１２１Ｈ”、エポキシ当量１７
１、粘度０．１５ｄＰａ・ｓ ａ２−１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：ジャパン
エポキシレジン（株）”ＹＬ６４７５”、エポキシ当量
１６６、粘度０．０８ｄＰａ・ｓ ａ２−２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：新日鐵化
学（株）”ＹＳＬＶ−８０ＸＹ”、エポキシ当量１９
２、粘度０．０８ｄＰａ・ｓ ａ２−３：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ジャパン
エポキシレジン（株）”ＹＬ６８１０”、エポキシ当量
１７２、粘度０．０７ｄＰａ・ｓ Ａ１：オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂：日
本化薬（株）”ＥＯＣＮ１０２０”エポキシ当量２０
０、粘度１０ｄＰａ・ｓ Ａ２：ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂：日本化薬
（株）”ＮＣ−３０００Ｓ”、エポキシ当量２８２、粘
度０．９ｄＰａ・ｓ Ａ３：ビフェニルノボラック型／ビフェニル型混合エポ
キシ樹脂：日本化薬（株）”ＣＥＲ−３０００Ｌ”、エ
ポキシ当量２３２、粘度０．３ｄＰａ・ｓ Ａ４：ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂：大日本イ
ンキ（株）”ＨＰ−７２００”、エポキシ当量２５８、
粘度０．７ｄＰａ・ｓ

【００４２】＜充填剤（Ｂ）＞ 平均粒径２５μｍの溶融球状シリカ ＜カップリング剤（Ｃ）＞ ｃ−１：γ−シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキ
シシラン：東レダウコーニングシリコーン（株）”ＭＡ
−０７０１Ｂ” Ｃ１：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：
信越化学（株）”ＫＢＭ４０３” Ｃ２：γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン：信
越化学（株）”ＫＢＭ８０３Ｐ” Ｃ３：γ−アミノプロピルトリエトキシシラン：信越化
学（株）”ＫＢＥ９０３” Ｃ４：γ−アミノプロピルトリメトキシシラン：信越化
学（株）”ＫＢＭ９０３” Ｃ５：γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメトキ
シシラン：信越化学（株）”ＫＢＭ５７３”

【００４３】＜硬化剤（Ｄ）＞ Ｄ１：フェノールノボラック樹脂：明和化成（株）”Ｈ
−１”水酸基当量１０６、粘度２．０ｄＰａ・ｓ Ｄ２：フェノールアラルキル樹脂：明和化成（株）”Ｍ
ＥＨ７８００ＳＳ”水酸基当量１７５、粘度０．７ｄＰ
ａ・ｓ Ｄ３：ビフェニルノボラック型フェノール樹脂：明和化
成（株）”ＭＥＨ７８５１ＳＳ”水酸基当量２０３、粘
度０．７ｄＰａ・ｓ

【００４４】＜硬化促進剤＞ トリフェニルホスフィン（以下、ＴＰＰと省略）：ケイ
・アイ化成（株）”ＰＰ−３６０” ＜着色剤＞ カーボンブラック：三菱化学（株）”♯７５０Ｂ” ＜離型剤＞ モンタン酸エステルワックス：クラリアントジャパン
（株）”ＬＩＣＯＷＡＸ−Ｅ”

【００４５】

【表１】

【００４６】上記各成分を、表２〜４に示した組成比
（重量比）で計量し、ミキサーによりドライブレンドし
た。これをロール表面温度９０℃のミキシングロールを
用いて５分間溶融混練後、冷却、粉砕して半導体封止用
のエポキシ樹脂組成物を得た。

【００４７】この樹脂組成物を用いて、低圧トランスフ
ァー成形法により１７５℃、キュアータイム９０秒の条
件で、１７６ｐｉｎＬＱＦＰ（外形：２４ｍｍ×２４ｍ
ｍ×１．４ｍｍｔ、フレーム材料：銅、チップは窒化膜
処理を施した、チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．
３ｍｍｔ、インナーリード部：銀メッキを施した。）を
成形した。１７５℃、４時間の条件でポストキュアーを
行い、下記の測定法により各樹脂組成物の物性を評価し
た。

【００４８】高温リフロー信頼性：１７６ｐｉｎＬＱＦ
Ｐを２０個成形し、８５℃／６０％ＲＨで１６８時間加
湿後、最高温度２６０℃のＩＲリフロー炉で２分間加熱
処理し、外部クラックの発生数と超音波探傷機（日立建
機（株）製「ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０」）によりチップ表
面と銀メッキ部の剥離発生数（２０個中の剥離発生個
数）を調べた。

【００４９】充填性：１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成
形後に目視および光学顕微鏡（倍率：４０倍）を用いて
観察し、２０個中の未充填パッケージの個数を調べた。 流動性：１７６ｐｉｎＬＱＦＰを２０個成形後、パッケ
ージを樹脂充填口（ゲート）と空気抜き口（エアベン
ト）線上、すなわち樹脂充填口を起点に対角線上に切断
した。パッケージ断面における半導体素子の傾き（両端
部の高さの差）をチップチルトとして求めた。チップチ
ルトが５０μｍ以上を不良とし、２０個中の不良発生個
数を調べた。

【００５０】

【表２】

【００５１】

【表３】

【００５２】

【表４】

【００５３】表２〜４の実施例１〜２９に見られるよう
に本発明のエポキシ樹脂組成物は高温リフロー信頼性、
成形性（充填性、流動性）に優れている。すなわち、表
４の比較例１〜３と比較すれば、実施例が高温リフロー
信頼性や成形性に優れることがわかる。

【００５４】

【発明の効果】特定のシランカップリング剤を使用する
ことにより、良好な高温リフロー信頼性と成形性を併せ
持つ半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた
樹脂封止型半導体装置が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC042 CC052 CC072 CD051 CE002 DE076 DE136 DE146 DJ016 DJ026 DJ036 DJ046 EU118 EW148 EX077 FD016 FD142 FD158 FD207 4J036 AD07 AD08 AD09 DD07 FA01 FA03 FA05 FA13 FB07 JA07 4M109 AA01 EA02 EB09 EB12 EC05

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】エポキシ樹脂（Ａ）、無機充填剤（Ｂ）、
   シランカップリング剤（Ｃ）および硬化剤（Ｄ）を含む
   エポキシ樹脂組成物において、シランカップリング剤
   （Ｃ）として下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル
   基、フェニル基のいずれかであり、それらは同一であっ
   ても異なっていてもよい。Ｘは水素基、メチル基、エチ
   ル基のいずれかであり、Ｙはメチル基またはエチル基の
   いずれかである。また、ａは０〜２の整数である。）で
   表されるシランカップリング剤（ｃ）を含有することを
   特徴とするエポキシ樹脂組成物。
2. 【請求項２】充填剤（Ｂ）の組成物全体に占める割合が
   ８０〜９８重量％であることを特徴とする請求項１記載
   のエポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】充填剤（Ｂ）が球状の溶融シリカを５０〜
   １００重量％含有することを特徴とする請求項１または
   ２のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ²は水素原子、ハロゲン原子または炭素数１
   〜４の低級アルキル基を示し、同一であっても異なって
   いてもよい。）で表されるエポキシ樹脂（ａ１）を含む
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のエポ
   キシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（III） 【化３】 （式中、Ｒ³〜⁴ は水素原子、ハロゲン原子または炭素
   数１〜４の低級アルキル基を示し、同一であっても異な
   っていてもよい。）で表されるエポキシ樹脂（ａ２）を
   含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
   エポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】エポキシ樹脂（Ａ）がクレゾールノボラッ
   ク型エポキシ樹脂（Ａ１）を含むことを特徴とする請求
   項１〜５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
7. 【請求項７】硬化剤（Ｄ）がフェノールノボラック樹脂
   （Ｄ１）を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれ
   かに記載のエポキシ樹脂組成物。
8. 【請求項８】硬化剤（Ｄ）がフェノールアラルキル樹脂
   （Ｄ２）を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれ
   かに記載のエポキシ樹脂組成物。
9. 【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載のエポキシ
   樹脂組成物の硬化物を用いて、半導体素子の少なくとも
   回路形成面を封止してなる樹脂封止型半導体装置。