JP2001114994A - エポキシ系樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
エポキシ系樹脂組成物および半導体装置Info
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Abstract
え、かつ良好な成形性を有するエポキシ樹脂組成物を提
供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、充填
材(C)及びシランカップリング剤(D)からなるエポ
キシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂(A)が、
特定の化学式で表されるエポキシ樹脂(a)を含有する
ことを必須とし、かつ充填材(C)の割合が全体の88
〜96重量%であることを必須とすることを特徴とする
エポキシ系樹脂組成物および半導体装置。
Description
性に優れ、特に半導体封止用として好適なエポキシ系樹
脂組成物および半導体装置に関するものである。
性および接着性などに優れており、さらに配合処方によ
り種々の特性が付加できるため、塗料、接着剤、電気絶
縁材料など工業材料として利用されている。
封止方法として、従来より金属やセラミックスによるハ
ーメッチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹
脂、エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されてお
り、一般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹
脂と呼んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性の
バランスの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛
んに行われている。そして、エポキシ樹脂による封止方
法は、エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組
成物を用い、半導体素子を金型にセットしてトランスフ
ァー成型法などにより封止する方法が一般的に行われて
いる。
される特性としては、信頼性および成形性などがあり、
信頼性としては耐湿性などが、成形性としては流動性、
熱時硬度、バリなどがあげられる。
に樹脂封止半導体を放置した場合に、封止樹脂や封止樹
脂とリードフレームとの界面を通って水分が侵入するこ
とにより、半導体が故障するのを防止することであり、
近年半導体の集積度が向上するとともに、より高度の耐
湿性が要求されるようになった。
はシランカップリング剤が添加されており、具体的には
エポキシシランを添加する方法(特公昭62−1764
0号公報)、メルカプトシランを添加する方法(特開昭
55−153357号公報)および二級のアミノ基を有
するアミノシランを添加する方法(特開平2−2187
36号公報)などが提案されている。
分が含有する不純物を低減し、封止樹脂を高純度化する
ことにより、耐湿性を改良すること(特開昭57−21
2224号公報)も提案されている。
ージの実装において高密度化、自動化が進められてお
り、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装
法式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半
田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それ
に伴い、半導体装置パッケージも従来のDIP(デュア
ル・インライン・パッケージ)から、高密度実装・表面
実装に適した薄型のFPP(フラット・プラスチック・
パッケージ)に移行しつつある。その中でも最近では、
微細加工技術の進歩により、厚さ2mm以下のTSO
P、TQFP、LQFPが主流となりつつある。そのた
め湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすく
なり、半田耐熱性、高温信頼性、耐熱信頼性などの信頼
性が今後ますます重要となってくる。
よる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体
装置パッケージを乗せ、これらを200℃以上の高温に
さらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて
半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このよ
うな実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさ
らされるために封止樹脂の耐湿性が悪いと吸湿した水分
が半田リフロー時に爆発的に膨張し、クラックが生じる
という現象が起こる。従って半導体用封止樹脂において
耐湿性は非常に重要となる。
でいない鉛フリー半田の使用が進んでいる。鉛フリー半
田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がることに
なりこれまで以上の半田耐熱性、耐湿性が求められてい
る。
封止樹脂中の充填材の割合を上げることが有効であるこ
とが知られている。封止樹脂中の樹脂成分を減らすこと
により耐湿性が向上し、吸水率が低下するからである。
しかしながら、封止樹脂中の充填材の割合が90重量%
を越えると流動性がきわめて悪化するという問題があ
り、パッケージ未充填やステージシフトなどの問題が起
こる。更に、封止樹脂中の樹脂成分が減ることによりリ
ードフレームとの接着性が悪化し、リフロー時に剥離が
発生するという問題も起こる。
したエポキシ樹脂組成物が有する問題を解決し、半田耐
熱性などの信頼性および流動性などの成形性に加え、リ
ードフレームとの接着性を向上させ耐リフロー性に優れ
た樹脂組成物を提供することにより、より高温のリフロ
ー温度に対応した樹脂封止半導体を可能にすることにあ
る。
のエポキシ樹脂を使用し、更に封止樹脂中の充填材の比
率を上げることにより、上記の課題を達成することがで
き、目的に合致したエポキシ系樹脂組成物が得られるこ
とを見いだし、本発明に到達した。
する。すなわち、「エポキシ樹脂(A)、硬化剤
(B)、充填材(C)及びシランカップリング剤(D)
からなるエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹
脂(A)が、下記化学式(I)で表されるエポキシ化合
物(a)を含有し、かつ充填材(C)が球状のシリカを
含有し、充填材(C)の割合が樹脂組成物全体の88〜
96重量%であることを特徴とするエポキシ系樹脂組成
物および半導体装置。」である。
式(I)で表されるビスフェノールF型エポキシ樹脂
(a)を必須成分とする。ビスフェノールF型エポキシ
(a)を含有することにより、封止樹脂の粘度が下が
り、成形性が大幅に向上する。ビスフェノールF型エポ
キシ樹脂(a)の含有量はエポキシ樹脂(A)に対して
50〜100重量%が好ましい。
いが、半導体封止用としては耐熱性の点からクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂およびビスヒドロキシビフェ
ニル型エポキシ樹脂などでエポキシ当量500以下、特
に300以下のエポキシ樹脂を併用するのが好ましい。
量は、全樹脂組成物に対して通常2.5〜5.0重量%
である。
樹脂(A)と反応して硬化させるものであれば特に限定
されず、それらの具体例としては、例えばフェノールノ
ボラック、クレゾールノボラックなどのノボラック樹
脂、ビスフェノールAなどのビスフェノール化合物、無
水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピロメリット酸など
の酸無水物およびメタフェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳
香族アミンなどがあげられる。なかでも、半導体装置封
止用としては、耐熱性、耐湿性および保存性に優れる点
から、フェノールノボラック、クレゾールノボラックな
どのノボラック樹脂が好ましく用いられ、特に化学式
(II)で示されるアラルキル型の硬化剤が好ましい。用
途によっては2種以上の硬化剤を併用しても良い。
は、全樹脂組成物に対して通常2.5〜5.0重量%で
ある。さらには、エポキシ樹脂(A)と硬化剤(B)の
配合比は、機械的性質および耐湿性の点から(A)に対
する(B)の化学当量比が0.5〜1.3、特に0.6
〜1.0の範囲にあることが好ましい。
と硬化剤(B)の硬化反応を促進するため硬化触媒を用
いても良い。硬化触媒は硬化反応を促進するものであれ
ば特に限定されず、たとえば2−メチルイミダゾール、
2,4−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチ
ルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェ
ニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルメチ
ルアミン、2−(ジメチルアミノメチル)フェノール、
2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノー
ル、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン
−7などの3級アミン化合物、ジルコニウムテトラメト
キシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラキス
(アセチルアセトナト)ジルコニウム、トリ(アセチル
アセトナト)アルミニウムなどの有機金属化合物および
トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ
エチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ(p−
メチルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニルフェニル)
ホスフィンなどの有機ホスフィン化合物があげられる。
なかでも信頼性および成形性の点から有機ホスフィン化
合物が好ましく、トリフェニルホスフィンが特に好まし
く用いられる。
以上を併用してもよく、その添加量はエポキシ樹脂
(A)100重量部に対して0.1〜10重量部の範囲
が望ましい。
カを含有している必要がある。一般に充填材(C)の割
合が大きくなるにつれて流動性などの成形性は悪化する
が、球状の充填材を使用することにより流動性の悪化を
より抑えることができる。用途によっては2種類以上の
充填材を併用することができ、併用する充填材として
は、無機質充填材が好ましく、具体的には溶融シリカ、
結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ア
ルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウ
ム、酸化チタン、アスベスト、ガラス繊維などがあげら
れる。
樹脂組成物に対して88〜96重量%であることが必要
である。充填剤(C)の含有量が88重量%未満である
と封止樹脂の吸水率が増加する傾向があり、また良好な
半田耐熱性が得られない。また96重量%を超えると接
着性やパッケージ充填性が低下してしまう。更に、半田
リフローの温度が260℃になるような“鉛フリー半
田”にも対応が可能になることから、充填材(C)の割
合が92重量%を超え96重量%以下にすることがより
好ましい。
いため、難燃性が高くなり、従来使用されていた難燃剤
を使用しなくても難燃性を維持することができる。この
ことにより、従来から難燃剤として使用してきたハロゲ
ン成分を封止材成分に添加する必要がなくなり、環境保
護の点で好ましい。
下のものが4〜7重量%であり、かつ30μm以上のも
のが20〜23重量%の粒子径分布を有することが好ま
しい。前記のような粒子径の分布にすることにより封止
樹脂の流動性が大幅に向上する。
ことが好ましく、なかでも充填剤(C)が球状シリカを
含有することが好ましい。一般に充填材(C)の割合が
大きくなるにつれて流動性などの成形性は悪化するが、
球状の充填材を使用することにより流動性の悪化をより
抑えることができる。
(D)としては、公知のシランカップリング剤を用いる
ことができる。なかでもアミノ基を含有し、かつ該アミ
ノ基がすべて二級アミノ基であるシラン化合物(d)を
使用することが好ましい。アミノ基を含有し、かつ該ア
ミノ基がすべて二級アミノ基であるシラン化合物(d)
の具体例としては、下記式(III)または(IV)で表さ
れるものがあげられる。
基、R4は炭素数1〜20の二価の炭化水素基である。
nは1〜3の整数を各々示す。)
基、R4、R5は炭素数1〜20の二価の炭化水素基、n
は1〜3の整数を各々示す。) なかでも、式(III)、(IV)においてR1がフェニル
基、R2およびR3がメチル基/またはエチル基、R4が
プロピレン基でnは2または3のシラン化合物(d)が
成形性および信頼性の改良効果が大きく、更に流動性が
良好であるため、好ましく用いられる。
成形性と信頼性の点から通常、充填材100重量部に対
して0.1〜5重量部、好ましくは0.2〜3重量部、
特に好ましくは0.3〜1.5重量部である。本発明に
おいて充填材(C)をシランカップリング剤(D)であ
らかじめ表面処理することが、信頼性、接着性、流動性
の向上の点で好ましい。
ボンブラック、酸化鉄などの着色剤、シリコーンゴム、
スチレン系ブロック共重合体、オレフィン系重合体、変
性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどのエラス
トマー、ポリスチレンなどの熱可塑性樹脂、チタネート
カップリング剤などのカップリング剤、長鎖脂肪酸、長
鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸
のアミド、パラフィンワックスなどの離型剤および有機
過酸化物など架橋剤を任意に添加することができる。
によって製造することが好ましい。たとえばバンバリー
ミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出
機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融
混練することにより、製造される。
る。なお、実施例中の%は重量%を示す。なお、本発明
で使用した原材料および、組成物への配合量は以下の通
りである。
されるビスフェノールF型エポキシ樹脂(配合量は表1
に記載)
プロポキシ)−3,3’,5,5’−テトラメチルビフ
ェニル(配合量は表1に記載) 〈エポキシ樹脂III〉4,4’−ビス(2,3−エポキ
シプロポキシ)ビフェニル(配合量は表1に記載) 〈エポキシ樹脂IV〉下記化学式(V)で表されるビスフ
ェノールF型エポキシ樹脂(配合量は表1に記載)
合物(配合量は表1に記載)
脂(配合量は表1に記載) 〈無機質充填材〉粒子径分布が1μm以下のもの7重量
%、30μm以上のもの21重量%の非晶性球状溶融シ
リカ(配合量は表1に記載) 〈シランカップリング剤〉N−フェニルアミノプロピル
トリメトキシシラン(配合量は表1に記載) (シランカップリング剤は前もって無機充填材と混合し
ておいた。) 〈硬化促進剤〉トリフェニルホスフィン(0.1重量
%) 〈着色剤〉カーボンブラック(0.2重量%) 〈離型剤〉カルナバワックス(0.3重量%)
ーによりドライブレンドした。これを、ロール表面温度
90℃のミキシングロールを用いて5分間加熱混練後、
冷却、粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を製
造した。
ァー成形法により175℃、キュアータイム2分間の条
件で、表面にAl蒸着した模擬素子を搭載した、チップ
サイズ12×12mmの160pinQFP(クアッド
フラットパッケージ)を成形し、180℃、5時間の条
件でポストキュアーして下記の物性測定法により各樹脂
組成物の物性を評価した。なお、特に示さない限り成形
条件は175℃、キュアタイム2分間であり、ポストキ
ュアーは180℃、5時間とした。
成形し、85℃/85%RHで168時間加湿後、最高
温度245℃のIRリフロー炉で2分間加熱処理し、外
部クラックの発生数を調べた。 高温半田耐熱性:上記の半田耐熱性と同様の試験である
が、IRリフロー炉の最高温度を260℃とした。 接着性:160pinQFPを20個成形し、85℃/
85%RHで168時間加湿後、最高温度245℃のI
Rリフロー炉で2分間加熱処理したのち、リードフレー
ムの銀メッキ部分の剥離状況を超音波探傷器(日立建機
(株)製 「mi−scope10」)で観測し、剥離
の発生数を調べた。 吸水率:160pinQFPを20個成形し、乾燥後の
重量と85℃/85%RHで168時間加湿後の重量の
比較から樹脂組成物の吸水率(%)を測定した。表2に
は20個の平均値を示す。 パッケージ充填性:160pinQFPを成形後に目視
および顕微鏡を用いて観察し、未充填・ボイドの有無を
調べた。 難燃性試験:5″×1/2″×1/16″の燃焼試験片
を成形・ポストキュアーし、UL94規格に従い難燃性
を評価した。
に本発明のエポキシ樹脂組成物は半田耐熱性、高温半田
耐熱性、接着性、パッケージ充填性、難燃性に優れてい
る。
1、6では吸水率が高く、高温半田耐熱性、接着性につ
いて劣っており、難燃性についても劣っている。充填材
の割合が高い比較例2では特にパッケージ充填性が悪
く、接着性が大幅に劣っている。また、エポキシ樹脂と
して化学式(I)で示されるビスフェノールF型エポキ
シ樹脂を使用していない比較例3、4、5ではパッケー
ジ充填性が特に劣っており、接着性が大幅に落ちる。
類が満たされることによってのみ十分な性能が発揮され
ることが分かる。
特定のエポキシ樹脂を必須成分とし、充填材の割合を8
8〜96重量%とすることにより、高い半田耐熱性と高
温の半田リフローに耐えうる、良好な成形性を持ったエ
ポキシ封止材が得られる。
Claims (8)
- 【請求項1】エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)及び充
填材(C)からなるエポキシ樹脂組成物であって、前記
エポキシ樹脂(A)が、下記化学式(I)で表されるビ
スフェノールF型エポキシ化合物(a)を含有し、かつ
充填材(C)が球状のシリカを含有し、充填材(C)の
割合が樹脂組成物全体の88〜96重量%であることを
特徴とするエポキシ系樹脂組成物。 【化1】 - 【請求項2】さらにシランカップリング剤(D)を含有
することを特徴とする請求項1に記載のエポキシ系樹脂
組成物。 - 【請求項3】硬化剤(B)が下記化学式(II)で与えら
れる硬化剤(b)を含有することを特徴とする請求項1
または2いずれかに記載のエポキシ系樹脂組成物。 【化2】 - 【請求項4】シランカップリング剤(D)が、アミノ基
を含有し、かつ該アミノ基が全て二級アミノ基である下
記化学式(III)または(IV)で表されるシラン化合物
(d)を含有することを特徴とする請求項1〜3いずれ
かに記載のエポキシ系樹脂組成物。 【化3】 (R1、R2、R3は炭素数1〜30の一価の炭化水素
基、R4は炭素数1〜20の二価の炭化水素基である。
nは1〜3の整数を各々示す。) 【化4】 (R1、R2、R3は炭素数1〜30の一価の炭化水素
基、R4、R5は炭素数1〜20の二価の炭化水素基、n
は1〜3の整数を各々示す。) - 【請求項5】充填材(C)が、1μm以下のものが4〜
7重量%であり、かつ30μm以上のものが20〜23
重量%の粒子径の分布を有することを特徴とする請求項
1〜4いずれかに記載のエポキシ系樹脂組成物。 - 【請求項6】充填材(C)の割合が樹脂組成物全体の9
2重量%を超え96重量%以下であることを特徴とする
請求項1〜5いずれかに記載のエポキシ系樹脂組成物。 - 【請求項7】充填材(C)の割合が樹脂組成物全体の9
2重量%を超え96重量%以下であり、かつブロム原子
を含有する化合物、アンチモン化合物がいずれも樹脂組
成物全体の0.03重量%以下であり、このエポキシ系
樹脂組成物によって成形された1/16インチ以下の厚
さの燃焼試験片がUL94規格に従い難燃性を評価した
場合にV−0であることを特徴とする請求項1〜6いず
れかに記載のエポキシ系樹脂組成物。 - 【請求項8】請求項1〜7いずれかに記載のエポキシ系
樹脂組成物によって封止されたことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000234785A JP2001114994A (ja) | 1999-08-06 | 2000-08-02 | エポキシ系樹脂組成物および半導体装置 |
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JP11-223323 | 1999-08-06 | ||
JP2000234785A JP2001114994A (ja) | 1999-08-06 | 2000-08-02 | エポキシ系樹脂組成物および半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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