JP2003105056A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JP2003105056A JP2003105056A JP2001303713A JP2001303713A JP2003105056A JP 2003105056 A JP2003105056 A JP 2003105056A JP 2001303713 A JP2001303713 A JP 2001303713A JP 2001303713 A JP2001303713 A JP 2001303713A JP 2003105056 A JP2003105056 A JP 2003105056A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リフロー時のパッケージ膨れ特性、耐剥離性な
どの信頼性、および連続成形性が優れたエポキシ樹脂組
成物を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填
材（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミ
ン系シランカップリング剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹
脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）が特定の化学構
造式で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂を含有することを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
どの信頼性、および連続成形性が優れたエポキシ樹脂組
成物を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填
材（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミ
ン系シランカップリング剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹
脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）が特定の化学構
造式で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキ
シ樹脂を含有することを特徴とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は連続成形性が良好で
生産時に金型汚れやゲート詰まり等の不良によるクリー
ニング頻度が少なく、かつ半田リフロー時の金属に対す
る密着性が高く、さらにパッケージ膨れが小さい半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、および該封止用組成物で封
止してなる半導体装置に関する。
生産時に金型汚れやゲート詰まり等の不良によるクリー
ニング頻度が少なく、かつ半田リフロー時の金属に対す
る密着性が高く、さらにパッケージ膨れが小さい半導体
封止用エポキシ樹脂組成物、および該封止用組成物で封
止してなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置などの電子回路部品の封止方
法として、従来より金属やセラミックスによるハーメッ
チックシールと共にフェノール樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されており、一
般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹脂と呼
んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性のバラン
スの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行
われている。そして、エポキシ樹脂による封止方法は、
エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組成物を
用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成
型法などにより封止する方法が一般的に行われている。
法として、従来より金属やセラミックスによるハーメッ
チックシールと共にフェノール樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されており、一
般にこのような封止に使用される樹脂を封止材樹脂と呼
んでいる。その中でも、経済性、生産性、物性のバラン
スの点からエポキシ樹脂による樹脂封止が最も盛んに行
われている。そして、エポキシ樹脂による封止方法は、
エポキシ樹脂に硬化剤、充填材などを添加した組成物を
用い、半導体素子を金型にセットしてトランスファー成
型法などにより封止する方法が一般的に行われている。
【０００３】最近はプリント基板への半導体装置パッケ
ージの実装において高密度化、自動化が進められてお
り、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装
方式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半
田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それ
に伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュア
ル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面
実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・
パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、
微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯ
Ｐ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのた
め湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすく
なり、耐リフロー信頼性、高温信頼性、耐湿信頼性など
の信頼性が今後ますます重要となっている。特に最近で
はＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ等厚さ１ｍｍ以下のパッケージに
おける耐リフロー信頼性の向上が求められている。
ージの実装において高密度化、自動化が進められてお
り、従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装
方式”に代わり、基板表面に半導体装置パッケージを半
田付けする“表面実装方式”が盛んになってきた。それ
に伴い、半導体装置パッケージも従来のＤＩＰ（デュア
ル・インライン・パッケージ）から、高密度実装・表面
実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック・
パッケージ）に移行しつつある。その中でも最近では、
微細加工技術の進歩により、厚さ２ｍｍ以下のＴＳＯ
Ｐ、ＴＱＦＰ、ＬＱＦＰが主流となりつつある。そのた
め湿度や温度など外部からの影響をいっそう受けやすく
なり、耐リフロー信頼性、高温信頼性、耐湿信頼性など
の信頼性が今後ますます重要となっている。特に最近で
はＴＳＯＰ、ＴＱＦＰ等厚さ１ｍｍ以下のパッケージに
おける耐リフロー信頼性の向上が求められている。
【０００４】表面実装においては、通常半田リフローに
よる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体
装置パッケージを載せ、これらを２００℃以上の高温に
さらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて
半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このよ
うな実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさ
らされるため、封止樹脂の吸湿性が高いと封止樹脂と半
導体チップの間、あるいは封止樹脂とリードフレームの
間の剥がれが生じたり、吸湿した水分が半田リフロー時
に爆発的に膨張してクラックが生じるという現象が起こ
る。また薄型パッケージの場合、銀ペースト層が吸湿し
てリフロー時にシリコンチップまたはリードフレームと
の界面から剥離し、パッケージ底部が押し下げられてパ
ッケージ底部が膨らむ現象（膨れ特性）が起こり問題に
なっている。更に、近年では環境保護の点から鉛を含ん
でいない鉛フリー半田の使用が進んでいるが、鉛フリー
半田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がること
になりこれまで以上の耐リフロー信頼性が求められてい
る。
よる実装が行われる。この方法では、基板の上に半導体
装置パッケージを載せ、これらを２００℃以上の高温に
さらし、基板にあらかじめつけられた半田を溶融させて
半導体装置パッケージを基板表面に接着させる。このよ
うな実装方法では半導体装置パッケージ全体が高温にさ
らされるため、封止樹脂の吸湿性が高いと封止樹脂と半
導体チップの間、あるいは封止樹脂とリードフレームの
間の剥がれが生じたり、吸湿した水分が半田リフロー時
に爆発的に膨張してクラックが生じるという現象が起こ
る。また薄型パッケージの場合、銀ペースト層が吸湿し
てリフロー時にシリコンチップまたはリードフレームと
の界面から剥離し、パッケージ底部が押し下げられてパ
ッケージ底部が膨らむ現象（膨れ特性）が起こり問題に
なっている。更に、近年では環境保護の点から鉛を含ん
でいない鉛フリー半田の使用が進んでいるが、鉛フリー
半田は融点が高く、そのためリフロー温度も上がること
になりこれまで以上の耐リフロー信頼性が求められてい
る。
【０００５】一般的に耐リフロー信頼性を向上させるに
は封止樹脂組成物中の充填材の割合を上げることが有効
であることが知られているが、封止樹脂組成物中の樹脂
成分を減らすことにより吸湿性が低下するからである。
しかしながら、単純に封止樹脂組成物中の充填材の割合
を大きくするだけだと流動性が悪化し、パッケージ未充
填やステージシフトなどの問題が起こる。
は封止樹脂組成物中の充填材の割合を上げることが有効
であることが知られているが、封止樹脂組成物中の樹脂
成分を減らすことにより吸湿性が低下するからである。
しかしながら、単純に封止樹脂組成物中の充填材の割合
を大きくするだけだと流動性が悪化し、パッケージ未充
填やステージシフトなどの問題が起こる。
【０００６】そのため、耐リフロー信頼性を向上するた
め、エポキシ樹脂としてテトラメチルビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂を、硬化剤としてフェノールアラルキル
樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物が提案されている
（特開平８−１３４１８３号公報）が、効果はそれなり
に奏するものの未だ十分ではない。さらに、さらなる耐
リフロー信頼性、特に２ｍｍ以下の厚みのパッケージに
おいてさらに膨れ特性の優れる樹脂組成物が求められて
いる。
め、エポキシ樹脂としてテトラメチルビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂を、硬化剤としてフェノールアラルキル
樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物が提案されている
（特開平８−１３４１８３号公報）が、効果はそれなり
に奏するものの未だ十分ではない。さらに、さらなる耐
リフロー信頼性、特に２ｍｍ以下の厚みのパッケージに
おいてさらに膨れ特性の優れる樹脂組成物が求められて
いる。
【０００７】一方、テトラメチルビスフェノールＦ型エ
ポキシ樹脂は、硬化性の悪さから連続成形時に金型汚れ
やゲート詰まり等の不良を生じやすく、金型クリーニン
グを頻繁に行う必要があり、生産性の面からこの点につ
いても改良を要求されようになってきている。
ポキシ樹脂は、硬化性の悪さから連続成形時に金型汚れ
やゲート詰まり等の不良を生じやすく、金型クリーニン
グを頻繁に行う必要があり、生産性の面からこの点につ
いても改良を要求されようになってきている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
事情に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は連続
成形性が良好で、生産時に金型汚れやゲート詰まり等の
不良によるクリーニング頻度が少なく、かつ半田リフロ
ー時の金属に対する密着性が高く、パッケージ膨れが小
さい半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該封止用
組成物で封止してなる半導体装置の提供することを目的
とする。
事情に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は連続
成形性が良好で、生産時に金型汚れやゲート詰まり等の
不良によるクリーニング頻度が少なく、かつ半田リフロ
ー時の金属に対する密着性が高く、パッケージ膨れが小
さい半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該封止用
組成物で封止してなる半導体装置の提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、
「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、
式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミン系シラン
カップリング剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹脂組成物で
あって、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II）で表さ
れるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含
有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
的を達成するために鋭意検討した結果、本発明に到達し
た。本発明は、主として次の構成を有する。すなわち、
「エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材（Ｃ）、
式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミン系シラン
カップリング剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹脂組成物で
あって、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II）で表さ
れるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含
有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
【００１０】
【化４】
【００１１】
【化５】
」である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】本発明のエポキシ樹脂組成物は必須成分と
して、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材
（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミン
系シランカップリング剤（Ｅ）を含有する。
して、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填材
（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミン
系シランカップリング剤（Ｅ）を含有する。
【００１４】
【化６】
まず、エポキシ樹脂（Ａ）について説明する。本発明に
おいては 、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II）で
表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
を必須成分として含有することを特徴とする。
おいては 、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式（II）で
表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
を必須成分として含有することを特徴とする。
【００１５】
【化７】
エポキシ樹脂（Ａ）に一般式（II）で表されるテトラメ
チルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有させること
によりリフロー時のパッケージ膨れ特性が向上する。さ
らには、組成物の粘度を下げ成形性を向上する効果も得
られる。
チルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含有させること
によりリフロー時のパッケージ膨れ特性が向上する。さ
らには、組成物の粘度を下げ成形性を向上する効果も得
られる。
【００１６】用途によっては一般式（II）で表されるテ
トラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂以外のエポ
キシ樹脂を併用しても良い。その他のエポキシ樹脂とし
ては１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物で
あれば特に限定されず、モノマー、オリゴマー、ポリマ
ー全般である。例えばアルキル置換基を持たないビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェ
ニル、 ４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキ
シ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニル、
４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，
３´，５，５´−テトラエチルビフェニル、４，４´−
ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，
５´−テトラブチルビフェニルなどのビフェニル型エポ
キシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフ
タレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン
骨格含有エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ
樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、
複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、お
よびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。その他
のエポキシ樹脂として２種以上用いても良い。
トラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂以外のエポ
キシ樹脂を併用しても良い。その他のエポキシ樹脂とし
ては１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物で
あれば特に限定されず、モノマー、オリゴマー、ポリマ
ー全般である。例えばアルキル置換基を持たないビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、
４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ビフェ
ニル、 ４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキ
シ）−３，３´，５，５´−テトラメチルビフェニル、
４，４´−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，
３´，５，５´−テトラエチルビフェニル、４，４´−
ビス（２，３−エポキシプロポキシ）−３，３´，５，
５´−テトラブチルビフェニルなどのビフェニル型エポ
キシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフ
タレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン
骨格含有エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ
樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、
複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、お
よびハロゲン化エポキシ樹脂などが挙げられる。その他
のエポキシ樹脂として２種以上用いても良い。
【００１７】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）の配
合量としては、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常２
〜２５重量％、特に２〜１０重量％が好ましい。さら
に、２種以上のエポキシ樹脂を併用する場合、パッケー
ジ膨れ特性改良の観点から一般式（II）で表されるテト
ラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の含有量はエ
ポキシ樹脂（Ａ）全量に対して１０重量％以上が好まし
い。
合量としては、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常２
〜２５重量％、特に２〜１０重量％が好ましい。さら
に、２種以上のエポキシ樹脂を併用する場合、パッケー
ジ膨れ特性改良の観点から一般式（II）で表されるテト
ラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の含有量はエ
ポキシ樹脂（Ａ）全量に対して１０重量％以上が好まし
い。
【００１８】本発明における硬化剤（Ｂ）は、エポキシ
樹脂と反応する化合物であれば任意であるが、硬化物と
した場合に吸水率が低い化合物としてフェノール性水酸
基を有する硬化剤が好ましく用いられる。フェノール性
水酸基を有する硬化剤の具体例としては、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトール
ノボラック樹脂などのノボラック樹脂、トリス（ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１，２−トリス（ヒドロキ
シフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロキシ
フェニル）プロパン、テルペンとフェノールの縮合化合
物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フ
ェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、
ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、などが
挙げられ、これらを単独で用いても、２種類以上併用し
て用いてもかまわない。なかでもフェノールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、
フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹
脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂が好
ましく用いられる。
樹脂と反応する化合物であれば任意であるが、硬化物と
した場合に吸水率が低い化合物としてフェノール性水酸
基を有する硬化剤が好ましく用いられる。フェノール性
水酸基を有する硬化剤の具体例としては、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトール
ノボラック樹脂などのノボラック樹脂、トリス（ヒドロ
キシフェニル）メタン、１，１，２−トリス（ヒドロキ
シフェニル）エタン、１，１，３−トリス（ヒドロキシ
フェニル）プロパン、テルペンとフェノールの縮合化合
物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フ
ェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、
ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、などが
挙げられ、これらを単独で用いても、２種類以上併用し
て用いてもかまわない。なかでもフェノールノボラック
樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、
フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹
脂、ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂が好
ましく用いられる。
【００１９】本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は
エポキシ樹脂組成物全体に対して通常２〜２２重量％で
あり、好ましくは２〜１０重量％である。さらに、硬化
剤（Ｂ）の全体量のうち、フェノールノボラック樹脂、
ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフ
ェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂のいずれかを
５０重量％以上配合することが、連続成形性ばかりでな
く、密着性、耐半田リフロー性が優れる点からより好ま
しい。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の
配合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点から（Ａ）
に対する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜２、特に０．７
〜１．５の範囲にあることが好ましい。
エポキシ樹脂組成物全体に対して通常２〜２２重量％で
あり、好ましくは２〜１０重量％である。さらに、硬化
剤（Ｂ）の全体量のうち、フェノールノボラック樹脂、
ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフ
ェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂のいずれかを
５０重量％以上配合することが、連続成形性ばかりでな
く、密着性、耐半田リフロー性が優れる点からより好ま
しい。さらには、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の
配合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点から（Ａ）
に対する（Ｂ）の化学当量比が０．５〜２、特に０．７
〜１．５の範囲にあることが好ましい。
【００２０】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）と硬
化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用
いてもよい。硬化促進剤としてはエポキシ樹脂（Ａ）と
硬化剤（Ｂ）との反応を促進するものであれば公知のも
のを任意に使用できる。硬化促進剤の具体例としては２
−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２
−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシル
イミダゾールなどのイミダゾール類およびそれらの塩、
トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチ
ルベンジルアミンなどの３級アミン化合物、１，８−ジ
アザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−
ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン、７−メチル−
１，５，７−トリアザビシクロ（４，４，０）デセン−
５などのアミジン化合物およびそれらの塩、トリフェニ
ルホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）
ホスフィン、トリス（４−アルキルフェニル）ホスフィ
ン、トリアルキルホスフィンなどリン化合物およびそれ
らの塩などが用いられる。これらの硬化促進剤は２種以
上を併用しても良く、さらには予め使用する硬化剤
（Ｂ）またはエポキシ樹脂（Ａ）と溶融混合させた後添
加しても良い。
化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用
いてもよい。硬化促進剤としてはエポキシ樹脂（Ａ）と
硬化剤（Ｂ）との反応を促進するものであれば公知のも
のを任意に使用できる。硬化促進剤の具体例としては２
−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２
−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシル
イミダゾールなどのイミダゾール類およびそれらの塩、
トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチ
ルベンジルアミンなどの３級アミン化合物、１，８−ジ
アザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−
ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン、７−メチル−
１，５，７−トリアザビシクロ（４，４，０）デセン−
５などのアミジン化合物およびそれらの塩、トリフェニ
ルホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）
ホスフィン、トリス（４−アルキルフェニル）ホスフィ
ン、トリアルキルホスフィンなどリン化合物およびそれ
らの塩などが用いられる。これらの硬化促進剤は２種以
上を併用しても良く、さらには予め使用する硬化剤
（Ｂ）またはエポキシ樹脂（Ａ）と溶融混合させた後添
加しても良い。
【００２１】硬化促進剤の配合量としては、エポキシ樹
脂組成物全体に対して通常０．０２〜１．０重量％、特
に０．０５〜０．５重量％が好ましい。
脂組成物全体に対して通常０．０２〜１．０重量％、特
に０．０５〜０．５重量％が好ましい。
【００２２】本発明における充填材（Ｃ）としては無機
充填材が好ましく、具体的には非晶性シリカ、結晶性シ
リカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、
マグネシア、窒化珪素、酸化マグネシウムアルミニウ
ム、ジルコニア、ジルコン、クレー、タルク、マイカ、
珪酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベ
スト、ガラス繊維などが挙げられる。形状も球状、破砕
状、繊維状など任意のものが使用でき、なかでも球状の
無機充填材を配合することが好ましい。特に好ましいも
のとして球状のシリカが挙げられる。
充填材が好ましく、具体的には非晶性シリカ、結晶性シ
リカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミナ、
マグネシア、窒化珪素、酸化マグネシウムアルミニウ
ム、ジルコニア、ジルコン、クレー、タルク、マイカ、
珪酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベ
スト、ガラス繊維などが挙げられる。形状も球状、破砕
状、繊維状など任意のものが使用でき、なかでも球状の
無機充填材を配合することが好ましい。特に好ましいも
のとして球状のシリカが挙げられる。
【００２３】充填材（Ｃ）の粒径としては、流動性の点
から平均粒径５〜３０μｍ（メジアン径）が好ましい。
から平均粒径５〜３０μｍ（メジアン径）が好ましい。
【００２４】充填材（Ｃ）の配合量としては、成形性、
耐半田リフロー性の点から、エポキシ樹脂組成物全体に
対して８０〜９５重量％が特に好ましい。
耐半田リフロー性の点から、エポキシ樹脂組成物全体に
対して８０〜９５重量％が特に好ましい。
【００２５】本発明においては、式（Ｉ）で示される化
合物（Ｄ）を含有する。
合物（Ｄ）を含有する。
【化８】
【００２６】式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の具体例
としては、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，
３，５−トリヒドロキシベンゼン、１，２，４−トリヒ
ドロキシベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシベンゾ
イックアシッドなどの水酸基を３つ持つ化合物、１，２
−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼ
ン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、２，５−ジヒドロ
キシベンズアルデヒド、３，４−ジヒドロキシベンズア
ルデヒド、１，２−ジヒドロキシベンゼン−３，５−ジ
スルフォニックアシッド、２，３−ジヒドロキシベンゾ
イックアシッド、２，４−ジヒドロキシベンゾイックア
シッド、２，５−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、
２，６−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、３，４−
ジヒドロキシベンゾイックアシッド、３，５−ジヒドロ
キシベンゾイックアシッド、２，４−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、
１，２−ジヒドロキシ−４−ニトロベンゼン、２，５−
ジヒドロキシフェニルアセティックアシッド、３，４−
ジヒドロキシフェニルアセティックアシッド、２，６−
ジヒドロキシトルエン、３，５−ジヒドロキシトルエ
ン、２，３−ジヒドロキシトルエン、３，４−ジヒドロ
キシトルエンなどの水酸基を２つ持つ化合物が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。なかでも１，
２−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベン
ゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，２，３−ト
リヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベ
ンゼン、３，４，５−トリヒドロキシベンゾイックアシ
ッド、１，２，４−トリヒドロキシベンゼンが好ましく
用いられる。なお、これらを単独で用いても、２種類以
上併用してもかまわない。また、あらかじめ、エポキシ
樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）等の樹脂中に溶融混合させて
用いてもかまわない。
としては、１，２，３−トリヒドロキシベンゼン、１，
３，５−トリヒドロキシベンゼン、１，２，４−トリヒ
ドロキシベンゼン、３，４，５−トリヒドロキシベンゾ
イックアシッドなどの水酸基を３つ持つ化合物、１，２
−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼ
ン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、２，５−ジヒドロ
キシベンズアルデヒド、３，４−ジヒドロキシベンズア
ルデヒド、１，２−ジヒドロキシベンゼン−３，５−ジ
スルフォニックアシッド、２，３−ジヒドロキシベンゾ
イックアシッド、２，４−ジヒドロキシベンゾイックア
シッド、２，５−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、
２，６−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、３，４−
ジヒドロキシベンゾイックアシッド、３，５−ジヒドロ
キシベンゾイックアシッド、２，４−ジヒドロキシベン
ゾフェノン、３，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、
１，２−ジヒドロキシ−４−ニトロベンゼン、２，５−
ジヒドロキシフェニルアセティックアシッド、３，４−
ジヒドロキシフェニルアセティックアシッド、２，６−
ジヒドロキシトルエン、３，５−ジヒドロキシトルエ
ン、２，３−ジヒドロキシトルエン、３，４−ジヒドロ
キシトルエンなどの水酸基を２つ持つ化合物が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。なかでも１，
２−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベン
ゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，２，３−ト
リヒドロキシベンゼン、１，３，５−トリヒドロキシベ
ンゼン、３，４，５−トリヒドロキシベンゾイックアシ
ッド、１，２，４−トリヒドロキシベンゼンが好ましく
用いられる。なお、これらを単独で用いても、２種類以
上併用してもかまわない。また、あらかじめ、エポキシ
樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）等の樹脂中に溶融混合させて
用いてもかまわない。
【００２７】式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加量
としては、好ましくはエポキシ樹脂組成物に対して０．
０１〜０．５０重量％であり、より好ましくは０．０３
〜０．３０重量％である。
としては、好ましくはエポキシ樹脂組成物に対して０．
０１〜０．５０重量％であり、より好ましくは０．０３
〜０．３０重量％である。
【００２８】このように、式（Ｉ）で示される化合物
（Ｄ）を少量、添加剤として用いることで、流動性と硬
化性が向上し連続成形性に優れ、かつ、半導体部材に対
して密着性が高く、鉛フリー半田を用いた耐半田リフロ
ー性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るこ
とができる。式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加量
を０．０１重量％以上とすることにより流動性と硬化性
が向上し、連続成形時に不良が起こりにくくなる。また
０．５０重量％以下とすることで半田耐熱性が低下する
こともない。
（Ｄ）を少量、添加剤として用いることで、流動性と硬
化性が向上し連続成形性に優れ、かつ、半導体部材に対
して密着性が高く、鉛フリー半田を用いた耐半田リフロ
ー性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るこ
とができる。式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加量
を０．０１重量％以上とすることにより流動性と硬化性
が向上し、連続成形時に不良が起こりにくくなる。また
０．５０重量％以下とすることで半田耐熱性が低下する
こともない。
【００２９】本発明では、アミン系シランカップリング
剤（Ｅ）を含有する。好ましいアミン系シランカップリ
ング剤としては、下記一般式（III）で表されるアミン
系シランカップリング剤を挙げることが出来る。具体例
としては、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノ）プロ
ピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノプロ
ピル）メチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミ
ノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルア
ミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルア
ミノ）プロピルメチルトリメトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリエチルシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジ
エトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリメトキシシラ
ンなどが挙げられる。
剤（Ｅ）を含有する。好ましいアミン系シランカップリ
ング剤としては、下記一般式（III）で表されるアミン
系シランカップリング剤を挙げることが出来る。具体例
としては、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメ
トキシシラン、γ−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノ）プロ
ピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−メチルアミノプロ
ピル）メチルジメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルアミ
ノ）プロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルア
ミノ）プロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−（Ｎ−エチルア
ミノ）プロピルメチルトリメトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−
γ−アミノプロピルトリエチルシラン、γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジ
エトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）プロピルトリメトキシシラ
ンなどが挙げられる。
【００３０】アミン系シランカップリング剤（Ｅ）の配
合割合としてはエポキシ樹脂組成物に対して０．１〜３
重量％であり、より好ましくは０．２〜２．０重量％で
ある。
合割合としてはエポキシ樹脂組成物に対して０．１〜３
重量％であり、より好ましくは０．２〜２．０重量％で
ある。
【００３１】
【化９】
（ただし、Ｒ1は水素、または有機機を示し、同一であ
っても異なっていてもよく、Ｒ2は炭素数１〜４のアル
キル基、またはアルコキシ基を示し、同一であっても異
なっていてもよい。）
っても異なっていてもよく、Ｒ2は炭素数１〜４のアル
キル基、またはアルコキシ基を示し、同一であっても異
なっていてもよい。）
【００３２】本発明のエポキシ樹脂組成物では、必須成
分ではないが難燃性をさらに向上させる目的でブロム化
合物を配合できる。ブロム化合物は、通常、エポキシ樹
脂組成物に難燃剤として添加されるものであれば、特に
限定されない。ブロム化合物の好ましい具体例として
は、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム
化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化
エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブロム
化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキサイ
ド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロモジ
フェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロム化
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂
が、成形性の点から特に好ましい。
分ではないが難燃性をさらに向上させる目的でブロム化
合物を配合できる。ブロム化合物は、通常、エポキシ樹
脂組成物に難燃剤として添加されるものであれば、特に
限定されない。ブロム化合物の好ましい具体例として
は、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム
化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化
エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブロム
化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキサイ
ド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロモジ
フェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロム化
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂
が、成形性の点から特に好ましい。
【００３３】同様に、本発明のエポキシ樹脂組成物で
は、必須成分ではないがアンチモン化合物を配合でき
る。これは通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃
助剤として添加されるもので、特に限定されず、公知の
ものが使用できる。アンチモン化合物の好ましい具体例
としては、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸
化アンチモンがあげられる。
は、必須成分ではないがアンチモン化合物を配合でき
る。これは通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃
助剤として添加されるもので、特に限定されず、公知の
ものが使用できる。アンチモン化合物の好ましい具体例
としては、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸
化アンチモンがあげられる。
【００３４】本発明のエポキシ樹脂組成物は、さらに次
に挙げる各種添加剤を任意に含有することができる。カ
ーボンブラックおよび酸化鉄などの各種着色剤や各種顔
料、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニト
リルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの各種エラスト
マー、シリコーンオイル、ポリエチレンなどの各種熱可
塑性樹脂、フッ素系、シリコーン系などの界面活性剤、
長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステ
ル、長鎖脂肪酸のアミドおよびパラフィンワックスなど
の各種離型剤およびハイドロタルサイト類などのイオン
捕捉剤、有機過酸化物などの架橋剤。
に挙げる各種添加剤を任意に含有することができる。カ
ーボンブラックおよび酸化鉄などの各種着色剤や各種顔
料、シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性ニト
リルゴム、変性ポリブタジエンゴムなどの各種エラスト
マー、シリコーンオイル、ポリエチレンなどの各種熱可
塑性樹脂、フッ素系、シリコーン系などの界面活性剤、
長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエステ
ル、長鎖脂肪酸のアミドおよびパラフィンワックスなど
の各種離型剤およびハイドロタルサイト類などのイオン
捕捉剤、有機過酸化物などの架橋剤。
【００３５】本発明のエポキシ樹脂組成物は上記各成分
を溶融混練によって製造することが好ましい。たとえば
各種原料をミキサーなどの公知の方法で混合した後、バ
ンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二
軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用
いて溶融混練することにより製造される。溶融混練時の
樹脂温度としては、通常７０〜１５０℃の範囲が使用さ
れる。
を溶融混練によって製造することが好ましい。たとえば
各種原料をミキサーなどの公知の方法で混合した後、バ
ンバリーミキサー、ニーダー、ロール、単軸もしくは二
軸の押出機およびコニーダーなどの公知の混練方法を用
いて溶融混練することにより製造される。溶融混練時の
樹脂温度としては、通常７０〜１５０℃の範囲が使用さ
れる。
【００３６】本発明のエポキシ樹脂組成物は、加熱混練
で溶融し、冷却さらに粉砕した粉末の形状、粉末を打錠
して得られるタブレットの形状、加熱混練で溶融し型内
で冷却固化したタブレットの形状、加熱混練で溶融し押
し出ししてさらに切断したペレットの形状などの状態で
使用できる。
で溶融し、冷却さらに粉砕した粉末の形状、粉末を打錠
して得られるタブレットの形状、加熱混練で溶融し型内
で冷却固化したタブレットの形状、加熱混練で溶融し押
し出ししてさらに切断したペレットの形状などの状態で
使用できる。
【００３７】そしてこれらの形状から半導体素子の封止
に供され半導体装置の製造が行われる。半導体を基板に
固定した部材に対して、本発明のエポキシ樹脂組成物
を、例えば１２０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２０
０℃の温度で、トランスファ成形、インジェクション成
形、注型法などの方法で成形して、エポキシ樹脂組成物
の硬化物によって封止された半導体装置が製造される。
また必要に応じて追加熱処理（例えば、１５０〜２００
℃、２〜１６時間）を行うことができる。
に供され半導体装置の製造が行われる。半導体を基板に
固定した部材に対して、本発明のエポキシ樹脂組成物
を、例えば１２０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２０
０℃の温度で、トランスファ成形、インジェクション成
形、注型法などの方法で成形して、エポキシ樹脂組成物
の硬化物によって封止された半導体装置が製造される。
また必要に応じて追加熱処理（例えば、１５０〜２００
℃、２〜１６時間）を行うことができる。
【００３８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はここに掲げた実施例によって限定される
ものではない。
るが、本発明はここに掲げた実施例によって限定される
ものではない。
【００３９】[実施例１〜１４、比較例１〜４]表１に示
した成分を表２〜３に示す組成比（重量比）で、ミキサ
ーによりドライブレンドした後、ロール表面温度９０℃
のミキシングロールを用いて５分間加熱混練後、冷却、
粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
した成分を表２〜３に示す組成比（重量比）で、ミキサ
ーによりドライブレンドした後、ロール表面温度９０℃
のミキシングロールを用いて５分間加熱混練後、冷却、
粉砕して半導体封止用のエポキシ樹脂組成物を得た。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【化１０】
【００４２】
【化１１】
【００４３】
【化１２】
【００４４】
【化１３】
【００４５】
【化１４】
＜膨れ特性評価＞得られた樹脂組成物について１４４ｐ
ｉｎＴＱＦＰ（外形：２０ｍｍ×２０ｍｍ×１．０ｍ
ｍ、フレーム材料：４２アロイ）用金型を用いて、低圧
トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータ
イム１分間の条件でパッケージを成形した。なお評価用
のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子
を搭載した、チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍ
のものを用いた。
ｉｎＴＱＦＰ（外形：２０ｍｍ×２０ｍｍ×１．０ｍ
ｍ、フレーム材料：４２アロイ）用金型を用いて、低圧
トランスファー成形機で金型温度１７５℃、キュアータ
イム１分間の条件でパッケージを成形した。なお評価用
のチップとしては表面に窒化珪素膜を被覆した模擬素子
を搭載した、チップサイズ８ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍ
のものを用いた。
【００４６】上記成形により得られた１４４ｐｉｎＴＱ
ＦＰのパッケージ１０個を１８０℃、６時間の条件でポ
ストキュアーした後、マイクロメーターにてパッケージ
中央部の厚みＩ（μm）を計測した。これを８５℃／６
０％ＲＨで２４時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリ
フロー炉で加熱処理した。なお、リフロー炉の温度プロ
ファイルは、１５０℃〜２００℃の領域を６０秒〜１０
０秒、２００℃から２６０℃の昇温速度を１．５〜２．
５℃／秒、最高温度である２５５℃〜２６５℃の領域で
１０〜２０秒維持し、２６０℃から２００℃の降温速度
を１．５〜２．５℃／秒とした。
ＦＰのパッケージ１０個を１８０℃、６時間の条件でポ
ストキュアーした後、マイクロメーターにてパッケージ
中央部の厚みＩ（μm）を計測した。これを８５℃／６
０％ＲＨで２４時間加湿後、最高温度２６０℃のＩＲリ
フロー炉で加熱処理した。なお、リフロー炉の温度プロ
ファイルは、１５０℃〜２００℃の領域を６０秒〜１０
０秒、２００℃から２６０℃の昇温速度を１．５〜２．
５℃／秒、最高温度である２５５℃〜２６５℃の領域で
１０〜２０秒維持し、２６０℃から２００℃の降温速度
を１．５〜２．５℃／秒とした。
【００４７】パッケージがリフロー炉を出た５秒後、再
びマイクロメーターにてパッケージの中央部の厚みII
（μm）を計測した。さらに１０個それぞれのパッケー
ジについて（厚みII−厚みＩ）を算出し、この１０個の
平均値を「膨れ」（μm）とした。なお、膨れは小さい
方が好ましく、８０μｍ以下であることが特に好まし
い。
びマイクロメーターにてパッケージの中央部の厚みII
（μm）を計測した。さらに１０個それぞれのパッケー
ジについて（厚みII−厚みＩ）を算出し、この１０個の
平均値を「膨れ」（μm）とした。なお、膨れは小さい
方が好ましく、８０μｍ以下であることが特に好まし
い。
【００４８】＜半田耐熱性の評価＞得られた樹脂組成物
について、２０８ピンＬＱＦＰ（外形：２８×２８×
１．４ｍｍ、フレーム材料：銅）用金型（ポット径：φ
１８ｍｍ）を用いて、低圧トランスファー成形機で、金
型温度１７５℃、成形時間９０秒の条件でパッケージを
成形した。成形により得られた２０８ピンＬＱＦＰのパ
ッケージ１０個を１７５℃で６時間硬化させ、８５℃、
６０％ＲＨ、１６８時間の条件で加湿処理後、ＩＲリフ
ロー炉を用いて２６０℃で１０秒間加熱処理した。その
後のパッケージを、超音波探傷機を使用してダイパッド
裏面を観察し、ダイパッド裏面の全面積に対し剥離が生
じている面積から剥離率（％）を求めた。
について、２０８ピンＬＱＦＰ（外形：２８×２８×
１．４ｍｍ、フレーム材料：銅）用金型（ポット径：φ
１８ｍｍ）を用いて、低圧トランスファー成形機で、金
型温度１７５℃、成形時間９０秒の条件でパッケージを
成形した。成形により得られた２０８ピンＬＱＦＰのパ
ッケージ１０個を１７５℃で６時間硬化させ、８５℃、
６０％ＲＨ、１６８時間の条件で加湿処理後、ＩＲリフ
ロー炉を用いて２６０℃で１０秒間加熱処理した。その
後のパッケージを、超音波探傷機を使用してダイパッド
裏面を観察し、ダイパッド裏面の全面積に対し剥離が生
じている面積から剥離率（％）を求めた。
【００４９】＜連続成形性評価＞上記と同様の方法で２
０８ｐＬＱＦＰパッケージを成形して連続成形性の評価
を行った。ただし、キュアータイムは４０秒とした。金
型クリーニングのためメラミン樹脂で１ショット成形を
行い、続いて金型と樹脂の離型性を回復するため東レ製
離型回復材“ＴＲ−４”で２ショット成形をおこなっ
た。その後続いて上述の樹脂組成物で連続成形を行い、
金型汚れやゲート詰まり等の不良が発生するまでの成形
ショット数で連続成形性の評価をおこなった。なお、シ
ョット数は多い方が当然好ましいが、ここでは最大１０
０ショットまで行い成形不良を評価して不良が発生しな
ければ合格とし、表中には不良が発生するまでのショッ
ト数を記載した。
０８ｐＬＱＦＰパッケージを成形して連続成形性の評価
を行った。ただし、キュアータイムは４０秒とした。金
型クリーニングのためメラミン樹脂で１ショット成形を
行い、続いて金型と樹脂の離型性を回復するため東レ製
離型回復材“ＴＲ−４”で２ショット成形をおこなっ
た。その後続いて上述の樹脂組成物で連続成形を行い、
金型汚れやゲート詰まり等の不良が発生するまでの成形
ショット数で連続成形性の評価をおこなった。なお、シ
ョット数は多い方が当然好ましいが、ここでは最大１０
０ショットまで行い成形不良を評価して不良が発生しな
ければ合格とし、表中には不良が発生するまでのショッ
ト数を記載した。
【００５０】
【表２】
【００５１】
【表３】
【００５２】表２〜３に評価結果を示す。表２〜３に見
られるようにテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂を含有し、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加
量が０．０１〜０．５０重量％の範囲で、かつ、アミン
系シランカップリング剤を用いた半導体封止用エポキシ
樹脂組成物はリフロー時のパッケージ膨れ特性、耐剥離
性、さらには連続成形性のいずれも優れている。
られるようにテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂を含有し、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の添加
量が０．０１〜０．５０重量％の範囲で、かつ、アミン
系シランカップリング剤を用いた半導体封止用エポキシ
樹脂組成物はリフロー時のパッケージ膨れ特性、耐剥離
性、さらには連続成形性のいずれも優れている。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればリ
フロー時のパッケージ膨れ特性、耐剥離性、さらには連
続成形性が優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び
該エポキシ樹脂組成物によって封止してなる半導体装置
を得ることができる。
フロー時のパッケージ膨れ特性、耐剥離性、さらには連
続成形性が優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び
該エポキシ樹脂組成物によって封止してなる半導体装置
を得ることができる。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ
23/31
Ｆターム(参考） 4J002 CD051 DE079 DE099 DE129
DE139 DE149 DE239 DF019
DJ009 DJ019 DJ029 DJ039
DJ049 DL009 EJ027 EX078
FA049 FD019 FD148 FD207
4J036 AD04 AD08 DA01 DB05 DB06
DB10 FA03 FA04 FA05 FA13
GA28 JA07
4M109 AA01 BA01 CA02 CA21 EA02
EB02 EB04 EB06 EB07 EB08
EB09 EB12 EB13 EB18 EB19
EC05 EC09 EC20
Claims (6)
- 【請求項１】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充填
材（Ｃ）、式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）およびアミ
ン系シランカップリング剤（Ｅ）を含有するエポキシ樹
脂組成物であって、エポキシ樹脂（Ａ）が下記一般式
（II）で表されるテトラメチルビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂を含有することを特徴とする半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】アミン系シランカップリング剤（Ｅ）が下
記一般式（III）で表されるアミン系シランカップリン
グ剤であることを特徴とする請求項１記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。 【化３】 （ただし、Ｒ1は水素、または有機機を示し、同一であ
っても異なっていてもよく、Ｒ2は炭素数１〜４のアル
キル基、またはアルコキシ基を示し、同一であっても異
なっていてもよい。） - 【請求項３】エポキシ樹脂（Ａ）が一般式（II）で表さ
れるテトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を１
０重量％以上含有することを特徴とする請求項１または
２のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項４】一般式（Ｉ）で示される化合物（Ｄ）の含
有量が全樹脂組成物に対して０．０１〜０．５重量％で
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】鉛フリー半田対応半導体装置用であること
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封
止されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001303713A JP5364963B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001303713A JP5364963B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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