JP2001131390A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置Info
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Abstract
存安定性が良好で、成形時の充填性に優れる半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、および該封止用組成物で封止し
てなる半導体装置を提供すること。 【解決手段】エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無機
充填材(C)、式(I)で示される2価のフェノール化
合物(D)を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物
であって、該2価のフェノール化合物(D)の含有量が
全樹脂組成物に対して0.01〜0.5重量%であるこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
密着性が高く、さらに、保存安定性が良好で、成形時の
充填性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、およ
び該封止用組成物で封止してなる半導体装置に関する。
IC、LSI、超LSIなど半導体装置の封止方法は樹
脂封止が主流である。樹脂封止には、一般的にエポキシ
樹脂組成物が他の熱硬化性樹脂に比べて成形性、寸法安
定性、接着性、電気特性、機械特性に優れているため、
広く用いられてきた。
体装置封止後のエポキシ樹脂組成物が吸湿し、部品電極
の腐食や、半田リフロー時の樹脂と半導体部材間での剥
離、樹脂部分でのクラックの原因にもなるという問題が
ある。さらに、近年、環境問題の観点から鉛フリー半田
の使用が要求されているが、鉛フリー半田は従来の鉛入
り半田に比べ融点が30℃以上高く、そのため半田リフ
ロー温度の上昇(260〜280℃)が必要となり、半
田リフロー時の樹脂と半導体部材間での剥離、樹脂部分
でのクラックが発生しやすい状況となっている。
樹脂組成物中の無機充填材の配合量を多くし、低吸湿化
をはかることが提案されている。しかし、無機充填材の
配合量を多くすると、エポキシ樹脂組成物全体での流動
性が低下し、エポキシ樹脂組成物が成形機金型内を流動
する途中において反応が進行してしまい、パッケージの
未充填部分の形成や、ボイド、金線流れ等の成形不良が
発生するばかりでなく、樹脂と半導体部材間での密着性
の低下が起こり、鉛フリー半田に対応したリフロー条件
での耐半田リフロー性の低下という問題を生じていた。
このため、エポキシ樹脂組成物中の無機質充填材の配合
量を多くした場合であっても、良流動性を確保し、パッ
ケージの成形不良を防ぎ、密着性が高く、耐半田リフロ
ー性に優れる方法が必要とされていた。また、エポキシ
樹脂組成物の常温での保存安定性を良好にすることが、
冷凍・冷蔵保存に関するコスト削減や、作業性の問題か
ら必要とされていた。
な事情に鑑みなされたものであり、半導体部材に対して
密着性が高く、さらに保存安定性が良好で、成形時の充
填性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および
該封止用組成物で封止してなる半導体装置の提供を目的
とする。
め、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は主とし
て次のような構成を有する。すなわち、エポキシ樹脂
(A)、硬化剤(B)、無機充填材(C)、式(I)で
示される2価のフェノール化合物(D)を含有する半導
体封止用エポキシ樹脂組成物であって、該2価のフェノ
ール化合物(D)の含有量が全樹脂組成物に対して0.
01〜0.5重量%であることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、である。
する。なお、本発明において「重量」とは「質量」を意
味する。
分子中に2個以上のエポキシ基を有する化合物であれば
特に限定されず、モノマー、オリゴマー、ポリマー全般
である。例えばクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
フェノールノボラック型エポキシ樹脂、4,4´−ビス
(2,3−エポキシプロポキシ)ビフェニル、4,4´
−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3´,
5,5´−テトラメチルビフェニル、4,4´−ビス
(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3´,5,5´
−テトラエチルビフェニル、4,4´−ビス(2,3−
エポキシプロポキシ)−3,3´,5,5´−テトラブ
チルビフェニルなどのビフェニル型エポキシ樹脂、フェ
ノールアラルキル型エポキシ樹脂、1,5−ジ(2,3
−エポキシプロポキシ)ナフタレン、1,6−ジ(2,
3−エポキシプロポキシ)ナフタレン、ナフトールアラ
ルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹
脂、3−t−ブチル−2,4´−ジヒドロキシ−3´,
5´,6−トリメチルスチルベンのジグリシジルエーテ
ル、3−t−ブチル−4,4´−ジヒドロキシ−3´,
5,5´−トリメチルスチルベンのジグリシジルエーテ
ル、4,4´−ジヒドロキシ−3,3´,5,5´−テ
トラメチルスチルベンのジグリシジルエーテル、4,4
´−ジヒドロキシ−3,3´−ジ−t−ブチル−6,6
´−ジメチルスチルベンのジグリシジルエーテルなどの
スチルベン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格
含有エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹
脂、1,4−ビス(3−メチル−4ヒドロキシクミル)
ベンゼンのジグリシジルエーテル、4,4´−ジヒドロ
キシジフェニルエーテルのジグリシジルエーテル2,2
−ジメチル−5,5´−ジ−tert−ブチル−4,4
´−ジヒドロキシジフェニルスフィドなどのビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、テトラメチルビ
スフェノールF型エポキシ樹脂、鎖状脂肪族エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピ
ロ環含有エポキシ樹脂およびハロゲン化エポキシ樹脂な
どが挙げられ、これらを単独で用いても2種類以上併用
してもかまわない。なかでも、2官能のエポキシ樹脂を
配合することが好ましい。
合量としては、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常2
〜25重量%、特に2〜10重量%が好ましい。
樹脂と反応する化合物であれば任意であるが、硬化物と
した場合に吸水率が低い化合物としてフェノール性水酸
基を有する硬化剤が好ましく用いられる。フェノール性
水酸基を有する硬化剤の具体例としては、フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトール
ノボラック樹脂などのノボラック樹脂、トリス(ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1,2−トリス(ヒドロキ
シフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロキシ
フェニル)プロパン、テルペンとフェノールの縮合化合
物、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール樹脂、フ
ェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、
ビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂、などが
挙げられ、これらを単独で用いても、2種類以上併用し
て用いてもかまわない。
エポキシ樹脂組成物全体に対して通常2〜22重量%で
あり、好ましくは2〜10重量%である。さらに、硬化
剤(B)には、テルペンとフェノールの縮合化合物、ジ
シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールア
ラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂およびビフェ
ニル骨格含有フェノールアラルキル樹脂からなる群から
選ばれる少なくとも1種の樹脂を含有することが、流動
性ばかりでなく、密着性、耐半田リフロー性が優れる点
から好ましく、さらに硬化剤(B)の全体量のうち50
重量%以上含有することがより好ましい。
(B)の配合比は、機械的性質および耐湿信頼性の点か
ら(A)に対する(B)の化学当量比が0.5〜2、特
に0.7〜1.5の範囲にあることが好ましい。
化剤(B)の硬化反応を促進するために硬化促進剤を用
いてもよい。硬化促進剤としてはエポキシ樹脂(A)と
硬化剤(B)との反応を促進するものであれば公知のも
のを任意に使用できる。硬化促進剤の具体例としては2
−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2
−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデシル
イミダゾールなどのイミダゾール類およびそれらの塩、
トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチ
ルベンジルアミンなどの3級アミン化合物、1,8−ジ
アザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、1,5−
ジアザビシクロ(4,3,0)ノネン、7−メチル−
1,5,7−トリアザビシクロ(4,4,0)デセン−
5などのアミジン化合物およびそれらの塩、トリフェニ
ルホスフィン、トリス(2,6−ジメトキシフェニル)
ホスフィン、トリス(4−アルキルフェニル)ホスフィ
ン、トリアルキルホスフィンなどリン化合物およびそれ
らの塩などが用いられる。これらの硬化促進剤は2種以
上を併用しても良く、さらには予め使用する硬化剤
(B)またはエポキシ樹脂(A)と溶融混合させた後添
加しても良い。
は、非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、窒化珪素、酸
化マグネシウムアルミニウム、ジルコニア、ジルコン、
クレー、タルク、マイカ、珪酸カルシウム、酸化チタ
ン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維などが挙
げられる。形状も球状、破砕状、繊維状など任意のもの
が使用でき、なかでも球状を配合することが好ましい。
常、樹脂組成物中70重量%以上であり、低吸湿性、成
形性の点から、80〜95重量%の範囲が好ましい。さ
らに、流動性、成形時のバリの低減、取り扱い易さに優
れる点から、平均粒径が5〜30μm、比表面積が2.
5〜5.0m2/gであることが好ましい。
価のフェノール化合物(D)を含有する。
である。残りの4つは水素原子、アミノ基、アルキル
基、カルボキシル基等の有機基を示し、それぞれ異なっ
ていても同一でもよい。)
フェノール化合物(D)の具体例としては、1,2−ジ
ヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒドロキシベンゼン、
1,4−ジヒドロキシベンゼン、2,5−ジヒドロキシ
ベンズアルデヒド、3,4−ジヒドロキシベンズアルデ
ヒド、1,2−ジヒドロキシベンゼン−3,5−ジスル
フォニックアシッド、2,3−ジヒドロキシベンゾイッ
クアシッド、2,4−ジヒドロキシベンゾイックアシッ
ド、2,5−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、2,
6−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、3,4−ジヒ
ドロキシベンゾイックアシッド、3,5−ジヒドロキシ
ベンゾイックアシッド、2,4−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、3,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、1,2
−ジヒドロキシ−4−ニトロベンゼン、2,5−ジヒド
ロキシフェニルアセティックアシッド、3,4−ジヒド
ロキシフェニルアセティックアシッド、2,6−ジヒド
ロキシトルエン、3,5−ジヒドロキシトルエン、2,
3−ジヒドロキシトルエン、3,4−ジヒドロキシトル
エンなどが挙げられるが、これらに限定されるものでは
ない。これらを単独で用いても、2種類以上併用しても
かまわない。また、あらかじめ、硬化剤(B)、エポキ
シ樹脂(A)等の樹脂中に溶融混合させて用いてもかま
わない。
しては、樹脂組成物中0.01〜0.50重量%とする
ものであり、好ましくは0.03〜0.20重量%であ
るこのように、2価のフェノール化合物(D)を少量、
添加剤として用いることで、特に無機充填材(C)の配
合量を樹脂組成物中75〜95重量%とした場合にも、
成形時の充填性が良く、半導体部材に対して密着性が高
く、鉛フリー半田を用いた耐半田リフロー性も良好で、
保存安定性に優れ、さらに、ハロゲン系難燃剤を含まず
に難燃化が可能な環境対応型の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得ることができる。2価のフェノール化合物
(D)の添加量が0.01〜0.50重量%の範囲から
外れると、上記効果を十分得ることができない。
て、2つの水酸基がそれぞれ隣接する位置にある2価の
フェノール化合物を用いることが、上記効果が十分得ら
れることから好ましい。
ランカップリング剤、チタネートカップリング剤などの
カップリング剤を配合しておくことが、得られる半導体
装置の信頼性の点で好ましい。カップリング剤はそのま
ま配合しても、あらかじめ無機充填材(C)に表面処理
しておいても同様の効果が期待できる。
基および加水分解性基が珪素原子に直接結合したシラン
カップリング剤が使用され、具体的には、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジエトキシシラン、N−β(アミノエチ
ル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β
(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイ
ドプロピルトリエトキシシランなどが好ましく用いられ
る。
ポキシ樹脂組成物全体に対し、0.1〜2重量%であ
る。
の効果を損なわない範囲で、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖
脂肪酸のエステル、パラフィンワックス、シリコーン化
合物などの離型剤を2種類以上併用してもかまわない。
ブロム化合物を配合できる。ブロム化合物は、通常半導
体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃剤として添加される
ものであれば特に限定されず、公知のものが使用でき
る。
ブロム化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ブロム化フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポ
キシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブロム化ポ
リスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキサイド樹
脂、テトラブロモビスフェノールA、デカブロモジフェ
ニルエーテルなどが挙げられ、なかでも、ブロム化ビス
フェノールA型エポキシ樹脂、ブロム化フェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ樹脂が、
成形性の点から好ましい。
アンチモン化合物を配合することもできる。これは通常
半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加
されるもので、特に限定されず、公知のものが使用でき
る。アンチモン化合物の好ましい具体例としては、三酸
化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンが
挙げられる。
ンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタルサイト
類、ビスマス系などのイオン捕捉剤、シリコーンゴム、
オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブ
タジエンゴム、などのエラストマー、ポリエチレンなど
の低応力化剤、シリコーンオイルなどの耐湿性改良剤、
および有機過酸化物などの架橋剤を任意に添加すること
ができる。
例えば溶融混練による方法が用いられ、通常は60〜1
40℃で、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロ
ール、単軸もしくは二軸の押出機などを用いた公知の混
練方法により製造できる。この樹脂組成物は通常、粉
末、タブレットまたは液状の状態から、成形によって半
導体封止に供される。半導体素子を封止する方法として
は、低圧トランスファー成形法が一般的であるがインジ
ェクション成形法や圧縮成形法も可能である。成形条件
としては、例えば樹脂組成物を成形温度150〜200
℃、成形圧力5〜15MPa、成形時間30〜300秒
で成形し、樹脂組成物の硬化物とすることによって半導
体装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を
100〜200℃で2〜15時間、追加加熱処理も行わ
れる。
する。なお、本発明は、ここに掲げる実施例によって限
定されるものではない。
す成分を、表2〜4に示す組成比(重量比)でミキサー
により予備混合した後、バレル温度90℃の二軸押出機
を用いて5分間溶融混練後、冷却・粉砕し、半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得た。
208pinLQFP(外形:28×28×1.4mm、
フレーム材料:銅)用金型(ポット径φ18mm)、1
76pinLQFP(外形:23×23×1.4mm、フ
レーム材料:銅)用金型(ポット径φ16mm)をそれ
ぞれ用いて、低圧トランスファー成形機で、金型温度1
75℃、成形時間2分の条件でパッケージを成形した。
保存安定性および成形時の充填性の評価として208pi
nLQFPのパッケージ充填性を、密着性の評価として
176pinLQFPの半田耐熱性(剥離率、外部クラッ
ク)を評価し、表2〜4に示す結果を得た。評価方法の
詳細を以下に記す。
成物について、低圧トランスファー成形を用いて208
pinLQFPのパッケージを10個成形後、粘度上昇に
よるチップ変位や流動性の不足等で未充填が発生した不
良パッケージを除く、良好に得られたパッケージ数を求
めた。
>組成物を30℃、50%RHの条件で72時間保存
し、低圧トランスファー成形を用いて208pinLQF
Pのパッケージを10個成形後、粘度上昇によるチップ
変位や流動性の不足等で未充填が発生した不良パッケー
ジを除く、良好に得られたパッケージ数を求めた。
176pinLQFPのパッケージ8個を175℃で4時
間硬化させ、85℃、60%RH、168時間の条件で
加湿処理後、IRリフロー炉を用いて260℃で10秒
間加熱処理した。その後のパッケージを、超音波探傷機
を使用してダイパッド裏面を観察し、ダイパッド裏面の
全面積に対し剥離が生じている面積から剥離率(%)を
求めた。また、目視によりパッケージ外観を観察し、外
部クラックの発生しなかった組成物は良好(○)、外部
クラックの発生した組成物は不良(×)とした。
ェノール化合物の添加量が0.01〜0.50重量%の
範囲である半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、従来よ
り高い温度での半田耐熱性の評価において剥離率が小さ
く、外部クラックの発生もなく、パッケージ充填性の評
価において成形性、保存安定性が良い。すなわち、密着
性、成形時の充填性、保存安定性に優れることがわか
る。
応したリフロー条件でも半導体部材に対して密着性が高
く、さらに、保存安定性が良好で、成形時の充填性に優
れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該封止用
組成物で封止してなる半導体装置を得ることができる。
Claims (8)
- 【請求項1】 エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無
機充填材(C)、式(I)で示される2価のフェノール
化合物(D)を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物であって、該2価のフェノール化合物(D)の含有量
が全樹脂組成物に対して0.01〜0.5重量%である
ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (上記式(I)において、6つのRのうち2つは水酸基
である。残りの4つは水素原子、アミノ基、アルキル
基、カルボキシル基等の有機基を示し、それぞれ異なっ
ていても同一でもよい。) - 【請求項2】硬化剤(B)が、テルペンとフェノールの
縮合化合物、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹
脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル
樹脂およびビフェニル骨格含有フェノールアラルキル樹
脂からなる群から選ばれる少なくとも1種を含有するこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項3】式(I)で示される2価のフェノール化合
物(D)の2つの水酸基が、それぞれ隣接する位置にあ
ることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項4】無機充填材(C)の平均粒径が5〜30μ
mであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記
載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項5】無機充填材(C)の比表面積が2.5〜
5.0m2/gであることを特徴とする請求項1〜4の
いずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項6】鉛フリー半田対応半導体装置用であること
を特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項7】 請求項1〜6に記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されて
なることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項8】 請求項1〜6に記載の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止されて
なることを特徴とする鉛フリー半田対応半導体装置。
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