JPH10324794A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置Info
- Publication number
- JPH10324794A JPH10324794A JP9137156A JP13715697A JPH10324794A JP H10324794 A JPH10324794 A JP H10324794A JP 9137156 A JP9137156 A JP 9137156A JP 13715697 A JP13715697 A JP 13715697A JP H10324794 A JPH10324794 A JP H10324794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- epoxy resin
- resin composition
- compound
- amide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体パッケージ部材に対する密着性が高く、
半導体の信頼性を高め得る半導体封止用エポキシ樹脂組
成物、および該エポキシ樹脂組成物で封止してなる半導
体装置を提供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無
機充填材（Ｃ）、アミド化合物（Ｄ）を必須成分とする
半導体封止用樹脂組成物において、無機充填材（Ｃ）の
含有量が５０重量％以上であり、かつ、アミド化合物
（Ｄ）が炭素数８〜２２の脂肪酸からなる化合物であっ
て組成物中に０．０１〜２重量％含むことを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
半導体の信頼性を高め得る半導体封止用エポキシ樹脂組
成物、および該エポキシ樹脂組成物で封止してなる半導
体装置を提供すること。 【解決手段】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無
機充填材（Ｃ）、アミド化合物（Ｄ）を必須成分とする
半導体封止用樹脂組成物において、無機充填材（Ｃ）の
含有量が５０重量％以上であり、かつ、アミド化合物
（Ｄ）が炭素数８〜２２の脂肪酸からなる化合物であっ
て組成物中に０．０１〜２重量％含むことを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体部材に対して
密着性が高く、半導体の信頼性を高めうる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物、および該封止用組成物で封止して
なる半導体装置に関する。
密着性が高く、半導体の信頼性を高めうる半導体封止用
エポキシ樹脂組成物、および該封止用組成物で封止して
なる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特
性 、接着性などに優れているため、樹脂封止型の半導
体封止用樹脂として広く用いられている。これらの半導
体封止用エポキシ樹脂組成物の主成分としてはエポキシ
樹脂、フェノール系硬化剤、硬化促進剤および無機充填
剤からなるものが一般的である。
性 、接着性などに優れているため、樹脂封止型の半導
体封止用樹脂として広く用いられている。これらの半導
体封止用エポキシ樹脂組成物の主成分としてはエポキシ
樹脂、フェノール系硬化剤、硬化促進剤および無機充填
剤からなるものが一般的である。
【０００３】ところで、半導体集積回路の分野では微細
加工技術の進歩によりＩＣチップの集積度がますます向
上しているが、さらに集積度を上げるためにパッケージ
中のＩＣチップの占有率が増加するとともに、パッケー
ジが大型化、多ピン化してきている。
加工技術の進歩によりＩＣチップの集積度がますます向
上しているが、さらに集積度を上げるためにパッケージ
中のＩＣチップの占有率が増加するとともに、パッケー
ジが大型化、多ピン化してきている。
【０００４】一方、半導体装置パッケージのプリント配
線基板への実装においても高密度化が進められており、
従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装方
式”に代り、基板表面にパッケージを半田付けする“表
面実装方式”が盛んになってきた。それに伴い、パッケ
ージも薄型化が進むとともに、表面実装工程の半田リフ
ロー時に２００℃以上の高温にさらされるようになり、
ＩＣチップやリードフレームと封止材が剥離したり、パ
ッケージにクラックが生じたりして信頼性を著しく損ね
る不良が発生するようになった。
線基板への実装においても高密度化が進められており、
従来のリードピンを基板の穴に挿入する“挿入実装方
式”に代り、基板表面にパッケージを半田付けする“表
面実装方式”が盛んになってきた。それに伴い、パッケ
ージも薄型化が進むとともに、表面実装工程の半田リフ
ロー時に２００℃以上の高温にさらされるようになり、
ＩＣチップやリードフレームと封止材が剥離したり、パ
ッケージにクラックが生じたりして信頼性を著しく損ね
る不良が発生するようになった。
【０００５】以上の理由から半導体を封止する樹脂に
は、リードフレームやＩＣ表面のポリイミド膜や窒化珪
素膜などのパッケージ部材との密着性の向上が半導体の
信頼性を高めるために必須の特性となってきた。
は、リードフレームやＩＣ表面のポリイミド膜や窒化珪
素膜などのパッケージ部材との密着性の向上が半導体の
信頼性を高めるために必須の特性となってきた。
【０００６】最近では、熱放散性の必要から銅材をリー
ドフレームとして使用する場合が増えてきた。
ドフレームとして使用する場合が増えてきた。
【０００７】リードフレームに銅材を使用した場合には
銅の酸化によりリードフレームと封止材との密着性が低
下するため、より一層の密着性が要求されるようになっ
た。
銅の酸化によりリードフレームと封止材との密着性が低
下するため、より一層の密着性が要求されるようになっ
た。
【０００８】従来、エポキシ樹脂組成物の密着性の向上
に対しては、キレート成分を添加する方法（ジャーナル
オブアドヒージョンサイエンステクノロジー、第１０
巻、第１号、１〜１５頁、１９９６年発行）が知られて
いるが、その特性は必ずしも十分とは言えなかった。
に対しては、キレート成分を添加する方法（ジャーナル
オブアドヒージョンサイエンステクノロジー、第１０
巻、第１号、１〜１５頁、１９９６年発行）が知られて
いるが、その特性は必ずしも十分とは言えなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述した従来
技術における問題点の解決を課題として検討した結果達
成されたものである。
技術における問題点の解決を課題として検討した結果達
成されたものである。
【００１０】従って本発明の目的は、半導体パッケージ
部材に対する密着性が高く、半導体の信頼性を高め得る
半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該エポキシ樹
脂組成物で封止してなる半導体装置を提供することであ
る。
部材に対する密着性が高く、半導体の信頼性を高め得る
半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および該エポキシ樹
脂組成物で封止してなる半導体装置を提供することであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、 １．エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填材
（Ｃ）、アミド化合物（Ｄ）を必須成分とする半導体封
止用樹脂組成物において、無機充填材（Ｃ）の含有量が
５０重量％以上であり、かつ、アミド化合物（Ｄ）が炭
素数８〜２２の脂肪酸からなる化合物であって、組成物
中に０．０１〜２重量％含むことを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、 ２．アミド化合物（Ｄ）が１分子中に２個以上のアミド
結合を有する多価アミド化合物であることを特徴とする
前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物、 ３．前記いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
硬化物により半導体素子が封止されてなることを特徴と
する半導体装置、 ４．前記いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
硬化物により、４２アロイからなるリードフレーム上の
半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装
置、ならびに ５．前記いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
硬化物により、銅フレーム材からなるリードフレーム上
の半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体
装置を提供するものである。
（Ｃ）、アミド化合物（Ｄ）を必須成分とする半導体封
止用樹脂組成物において、無機充填材（Ｃ）の含有量が
５０重量％以上であり、かつ、アミド化合物（Ｄ）が炭
素数８〜２２の脂肪酸からなる化合物であって、組成物
中に０．０１〜２重量％含むことを特徴とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物、 ２．アミド化合物（Ｄ）が１分子中に２個以上のアミド
結合を有する多価アミド化合物であることを特徴とする
前記半導体封止用エポキシ樹脂組成物、 ３．前記いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
硬化物により半導体素子が封止されてなることを特徴と
する半導体装置、 ４．前記いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
硬化物により、４２アロイからなるリードフレーム上の
半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体装
置、ならびに ５．前記いずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
硬化物により、銅フレーム材からなるリードフレーム上
の半導体素子が封止されてなることを特徴とする半導体
装置を提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。なお、本発明において「重量」とは「質量」を意
味する。
する。なお、本発明において「重量」とは「質量」を意
味する。
【００１３】本発明におけるエポキシ樹脂（Ａ）は、１
分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば
特に限定されず、例えばクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジシク
ロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂などが挙げられ
る。エポキシ樹脂（Ａ）の具体例としては、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂として日本化薬株式会社の
“ＥＯＣＮ１０２０”、“ＥＯＣＮ４４００”、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂として日本化薬株式会社
の“ＥＰＰＮ２０１”、ジシクロペンタジエン骨格含有
エポキシ樹脂として大日本インキ化学工業株式会社の
“ＨＰ７２００”などが挙げられる。本発明では、これ
らを単独で用いても２種類以上併用してもかまわない。
分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば
特に限定されず、例えばクレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジシク
ロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂などが挙げられ
る。エポキシ樹脂（Ａ）の具体例としては、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂として日本化薬株式会社の
“ＥＯＣＮ１０２０”、“ＥＯＣＮ４４００”、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂として日本化薬株式会社
の“ＥＰＰＮ２０１”、ジシクロペンタジエン骨格含有
エポキシ樹脂として大日本インキ化学工業株式会社の
“ＨＰ７２００”などが挙げられる。本発明では、これ
らを単独で用いても２種類以上併用してもかまわない。
【００１４】エポキシ樹脂（Ａ）の軟化点は好ましくは
５０〜１３０℃であり、また、溶融時の粘度は１５０℃
の値で０．０５〜５０ポイズの範囲が好ましい。軟化点
および粘度とも上記範囲外では作業性が悪くなるため好
ましくない。
５０〜１３０℃であり、また、溶融時の粘度は１５０℃
の値で０．０５〜５０ポイズの範囲が好ましい。軟化点
および粘度とも上記範囲外では作業性が悪くなるため好
ましくない。
【００１５】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）の配
合量としては、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常３
〜２５重量％であり、好ましくは３〜１２重量％であ
り、さらに好ましくは３〜８重量％である。エポキシ樹
脂（Ａ）の配合量が３重量％未満では成形性が不十分で
あり、また２５重量％を越えるとリフロー試験における
耐クラック性が低下する。
合量としては、エポキシ樹脂組成物全体に対して通常３
〜２５重量％であり、好ましくは３〜１２重量％であ
り、さらに好ましくは３〜８重量％である。エポキシ樹
脂（Ａ）の配合量が３重量％未満では成形性が不十分で
あり、また２５重量％を越えるとリフロー試験における
耐クラック性が低下する。
【００１６】本発明において硬化剤（Ｂ）は、エポキシ
樹脂と反応する化合物であれば任意であるが、硬化物と
した場合に吸水率が低い化合物としてフェノール化合物
（ｂ）が好ましく用いられる。フェノール化合物（ｂ）
の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾ
ールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などの
ノボラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタ
ン、１，１，２−トリス（ヒドロキシフェニル）エタ
ン、１，１，３−トリス（ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、テルペンとフェノールの縮合化合物、ジシクロペン
タジエン骨格含有フェノール樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含
有フェノールアラルキル樹脂、カテコール、レゾルシ
ン、ヒドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール
などが挙げられ、これらを単独で用いても、２種類以上
併用して用いてもかまわない。
樹脂と反応する化合物であれば任意であるが、硬化物と
した場合に吸水率が低い化合物としてフェノール化合物
（ｂ）が好ましく用いられる。フェノール化合物（ｂ）
の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾ
ールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などの
ノボラック樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタ
ン、１，１，２−トリス（ヒドロキシフェニル）エタ
ン、１，１，３−トリス（ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、テルペンとフェノールの縮合化合物、ジシクロペン
タジエン骨格含有フェノール樹脂、フェノールアラルキ
ル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニル骨格含
有フェノールアラルキル樹脂、カテコール、レゾルシ
ン、ヒドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール
などが挙げられ、これらを単独で用いても、２種類以上
併用して用いてもかまわない。
【００１７】本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は
エポキシ樹脂組成物全体に対して通常３〜２２重量％で
あり、好ましくは３〜１２重量％であり、さらに好まし
くは３〜８重量％である。さらには、エポキシ樹脂
（Ａ）とフェノール化合物（ｂ）の配合比は、機械的性
質および耐湿信頼性の点から（Ａ）に対する（ｂ）の化
学当量比が０．５〜２、特に０．７〜１．５の範囲にあ
ることが好ましい。
エポキシ樹脂組成物全体に対して通常３〜２２重量％で
あり、好ましくは３〜１２重量％であり、さらに好まし
くは３〜８重量％である。さらには、エポキシ樹脂
（Ａ）とフェノール化合物（ｂ）の配合比は、機械的性
質および耐湿信頼性の点から（Ａ）に対する（ｂ）の化
学当量比が０．５〜２、特に０．７〜１．５の範囲にあ
ることが好ましい。
【００１８】本発明において硬化促進剤としてはエポキ
シ樹脂とフェノール化合物との反応を促進するものであ
れば任意に使用できる。硬化促進剤の具体例としては２
−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２
−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシル
イミダゾールなどのイミダゾール類およびそれらの塩、
トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチ
ルベンジルアミンなどの３級アミン化合物、１，８−ジ
アザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−
ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン、７−メチル−
１，５，７−トリアザビシクロ（４，４，０）デセン−
５などのアミジン化合物およびそれらの塩、トリフェニ
ルホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）
ホスフィン、トリス（４−アルキルフェニル）ホスフィ
ン、トリアルキルホスフィンなどリン化合物およびそれ
らの塩などが用いられる。これらの硬化促進剤は２種以
上を併用しても良く、さらには予め使用するフェノール
化合物またはエポキシ樹脂と溶融混合させた後添加して
も良い。
シ樹脂とフェノール化合物との反応を促進するものであ
れば任意に使用できる。硬化促進剤の具体例としては２
−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２
−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシル
イミダゾールなどのイミダゾール類およびそれらの塩、
トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチ
ルベンジルアミンなどの３級アミン化合物、１，８−ジ
アザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、１，５−
ジアザビシクロ（４，３，０）ノネン、７−メチル−
１，５，７−トリアザビシクロ（４，４，０）デセン−
５などのアミジン化合物およびそれらの塩、トリフェニ
ルホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）
ホスフィン、トリス（４−アルキルフェニル）ホスフィ
ン、トリアルキルホスフィンなどリン化合物およびそれ
らの塩などが用いられる。これらの硬化促進剤は２種以
上を併用しても良く、さらには予め使用するフェノール
化合物またはエポキシ樹脂と溶融混合させた後添加して
も良い。
【００１９】本発明における無機充填材（Ｃ）として
は、非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、窒化珪素、酸
化マグネシウムアルミニウム、ジルコニア、ジルコン、
クレー、タルク、マイカ、珪酸カルシウム、酸化チタ
ン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維などが挙
げられ、球状、破砕状、繊維状など任意の物が使用でき
る。
は、非晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭
酸マグネシウム、アルミナ、マグネシア、窒化珪素、酸
化マグネシウムアルミニウム、ジルコニア、ジルコン、
クレー、タルク、マイカ、珪酸カルシウム、酸化チタ
ン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維などが挙
げられ、球状、破砕状、繊維状など任意の物が使用でき
る。
【００２０】無機充填材（Ｃ）の配合量としては、樹脂
組成物中、通常５０〜９５重量％であり、好ましくは７
５〜９３重量％であり、８０〜９２重量％が特に好まし
い。無機充填材（Ｃ）が５０重量％未満および９６重量
％以上では半田耐熱性や成形性が悪いため実用に供せな
い。
組成物中、通常５０〜９５重量％であり、好ましくは７
５〜９３重量％であり、８０〜９２重量％が特に好まし
い。無機充填材（Ｃ）が５０重量％未満および９６重量
％以上では半田耐熱性や成形性が悪いため実用に供せな
い。
【００２１】本発明において、エポキシ樹脂組成物にシ
ランカップリング剤、チタネートカップリング剤などの
カップリング剤を配合しておくことが、得られる半導体
装置の信頼性の点で好ましい。カップリング剤はそのま
ま配合しても、あらかじめ無機充填材（Ｃ）に表面処理
しておいても同様の効果が期待できる。
ランカップリング剤、チタネートカップリング剤などの
カップリング剤を配合しておくことが、得られる半導体
装置の信頼性の点で好ましい。カップリング剤はそのま
ま配合しても、あらかじめ無機充填材（Ｃ）に表面処理
しておいても同様の効果が期待できる。
【００２２】カップリング剤としては、好ましくは有機
基および加水分解性基が珪素原子に直接結合したシラン
カップリング剤が使用され、例えば、エポキシシラン、
アミノシラン、メルカプトシラン、ウレイドシランなど
である。中でも、アミノ基を有するシランカップリング
剤が特に好ましく用いられる。特に好ましいアミノ基を
有するシランカップリング剤の具体例としてはγ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルト
リエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノ
エチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシランな
どがあげられる。
基および加水分解性基が珪素原子に直接結合したシラン
カップリング剤が使用され、例えば、エポキシシラン、
アミノシラン、メルカプトシラン、ウレイドシランなど
である。中でも、アミノ基を有するシランカップリング
剤が特に好ましく用いられる。特に好ましいアミノ基を
有するシランカップリング剤の具体例としてはγ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルト
リエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピル
トリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピ
ルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ
−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノ
エチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシランな
どがあげられる。
【００２３】また、カップリング剤の添加量は通常エポ
キシ樹脂組成物全体に対し、０．１〜２重量％である。
キシ樹脂組成物全体に対し、０．１〜２重量％である。
【００２４】本発明におけるアミド化合物（Ｄ）は、炭
素数８〜２２の脂肪酸から誘導できるものであれば特に
限定されない。脂肪酸の炭素数が８未満または２３以上
では密着性が低下する。アミド化合物（Ｄ）の具体例と
しては、ラウリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン
酸アミド、Ｎ−ステアリルステアリン酸アミド、メチロ
ールステアリン酸アミドなどのモノアミド、メチレンビ
スステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミ
ド、エチレンビスベヘン酸アミド、ヘキサメチレンビス
ステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジステアリルアジピン
酸アミド、エチレンビスオレイン酸アミド、ｍ−キシリ
レンビスステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジステアリル
イソフタル酸アミドなどのビスアミドなどが挙げられ、
本発明の効果を損なわない程度で上記化合物を単独で用
いても、２種類以上を併用してもかまわない。
素数８〜２２の脂肪酸から誘導できるものであれば特に
限定されない。脂肪酸の炭素数が８未満または２３以上
では密着性が低下する。アミド化合物（Ｄ）の具体例と
しては、ラウリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン
酸アミド、Ｎ−ステアリルステアリン酸アミド、メチロ
ールステアリン酸アミドなどのモノアミド、メチレンビ
スステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン酸アミ
ド、エチレンビスベヘン酸アミド、ヘキサメチレンビス
ステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジステアリルアジピン
酸アミド、エチレンビスオレイン酸アミド、ｍ−キシリ
レンビスステアリン酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジステアリル
イソフタル酸アミドなどのビスアミドなどが挙げられ、
本発明の効果を損なわない程度で上記化合物を単独で用
いても、２種類以上を併用してもかまわない。
【００２５】また、特に好ましいアミド化合物（Ｄ）と
しては１分子中に２個以上のアミド基を有する多価アミ
ドであり、具体例としてメチレンビスステアリン酸アミ
ド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスオ
レイン酸アミド、エチレンビスベヘン酸アミド、ヘキサ
メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスカプリ
ル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジステアリルアジピン酸アミド
などが挙げられる。
しては１分子中に２個以上のアミド基を有する多価アミ
ドであり、具体例としてメチレンビスステアリン酸アミ
ド、エチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスオ
レイン酸アミド、エチレンビスベヘン酸アミド、ヘキサ
メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスカプリ
ル酸アミド、Ｎ，Ｎ’−ジステアリルアジピン酸アミド
などが挙げられる。
【００２６】アミド化合物（Ｄ）の添加量は好ましくは
エポキシ樹脂組成物全体に対し０．０１〜２重量％であ
るが、さらに好ましくは０．０５〜１．０重量％であ
る。アミド化合物（Ｄ）の添加量が０．０１重量％未満
または２重量％を越えると本発明の効果が不十分であ
る。
エポキシ樹脂組成物全体に対し０．０１〜２重量％であ
るが、さらに好ましくは０．０５〜１．０重量％であ
る。アミド化合物（Ｄ）の添加量が０．０１重量％未満
または２重量％を越えると本発明の効果が不十分であ
る。
【００２７】本発明の組成物では、必須成分ではないが
ブロム化合物を配合できる。また実質的に存在するブロ
ム化合物は、通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難
燃剤として添加されるもので、特に限定されず、公知の
ものであってよい。
ブロム化合物を配合できる。また実質的に存在するブロ
ム化合物は、通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難
燃剤として添加されるもので、特に限定されず、公知の
ものであってよい。
【００２８】存在するブロム化合物の好ましい具体例と
しては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブ
ロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロ
ム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブ
ロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキ
サイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロ
モジフェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロ
ム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ
樹脂が、成形性の点から好ましい。
しては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブ
ロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロ
ム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブ
ロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキ
サイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロ
モジフェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロ
ム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ
樹脂が、成形性の点から好ましい。
【００２９】本発明の組成物では、必須成分ではないが
アンチモン化合物を配合できる。これは通常半導体封止
用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもの
で、特に限定されず、公知のものが使用できる。アンチ
モン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモ
ン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられ
る。
アンチモン化合物を配合できる。これは通常半導体封止
用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもの
で、特に限定されず、公知のものが使用できる。アンチ
モン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモ
ン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられ
る。
【００３０】本発明のエポキシ樹脂組成物には、カーボ
ンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタルサイト
類、ビスマス系などのイオン捕捉剤、シリコーンゴム、
オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブ
タジエンゴム、などのエラストマー、ポリエチレンなど
の熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエ
ステル、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過
酸化物などの架橋剤を任意に添加することができる。
ンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタルサイト
類、ビスマス系などのイオン捕捉剤、シリコーンゴム、
オレフィン系共重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブ
タジエンゴム、などのエラストマー、ポリエチレンなど
の熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸の金属塩、長鎖脂肪酸のエ
ステル、パラフィンワックスなどの離型剤および有機過
酸化物などの架橋剤を任意に添加することができる。
【００３１】本発明の樹脂組成物の製造方法としては、
例えば溶融混練による方法が用いられ、通常は６０〜１
４０℃で、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロ
ール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなど
の公知の混練方法により製造できる。この樹脂組成物は
通常粉末またはタブレット状態から、成形によって、半
導体封止に供される。半導体素子を成形する方法として
は、低圧トランスファー成形法が一般的であるがインジ
ェクション成形法や圧縮成形法も可能である。成形条件
としては、例えば樹脂組成物を成形温度１５０〜２００
℃、成形圧力５〜１５ＭＰａ、成形時間３０〜３００秒
で成形し、樹脂組成物の硬化物とすることによって半導
体装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を
１００〜２００℃で２〜１５時間、追加加熱処理も行わ
れる。また、半導体装置においては４２アロイ材をリー
ドフレームに使用したもの、銅材をリードフレームに使
用したものが本発明の効果が発揮される。
例えば溶融混練による方法が用いられ、通常は６０〜１
４０℃で、たとえばバンバリーミキサー、ニーダー、ロ
ール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニーダーなど
の公知の混練方法により製造できる。この樹脂組成物は
通常粉末またはタブレット状態から、成形によって、半
導体封止に供される。半導体素子を成形する方法として
は、低圧トランスファー成形法が一般的であるがインジ
ェクション成形法や圧縮成形法も可能である。成形条件
としては、例えば樹脂組成物を成形温度１５０〜２００
℃、成形圧力５〜１５ＭＰａ、成形時間３０〜３００秒
で成形し、樹脂組成物の硬化物とすることによって半導
体装置が製造される。また、必要に応じて上記成形物を
１００〜２００℃で２〜１５時間、追加加熱処理も行わ
れる。また、半導体装置においては４２アロイ材をリー
ドフレームに使用したもの、銅材をリードフレームに使
用したものが本発明の効果が発揮される。
【００３２】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００３３】実施例１〜８、比較例１〜６ 表１に示した成分を、表２に示した組成比でミキサーに
よりドライブレンドした。これを、バレル温度９０℃の
二軸押出機を用いて５分間加熱溶融混練後、冷却・粉砕
して半導体封止用樹脂組成物を製造した。
よりドライブレンドした。これを、バレル温度９０℃の
二軸押出機を用いて５分間加熱溶融混練後、冷却・粉砕
して半導体封止用樹脂組成物を製造した。
【００３４】
【表１】
【化１】
【００３５】これらの組成物を用いて、低圧トランスフ
ァー成形法により１７５℃×２分の条件で成形して半導
体装置を得た。また、以下の方法により各種評価を行
い、結果を表２に示した。
ァー成形法により１７５℃×２分の条件で成形して半導
体装置を得た。また、以下の方法により各種評価を行
い、結果を表２に示した。
【００３６】半田耐熱性試験：１６０ｐｉｎＱＦＰ（外
形：２８×２８×３．３mm、模擬半導体素子：１０×１
０×０．５mm、フレーム材料：４２アロイ、または２５
０℃で３分酸化させた銅、チップ表面：ポリイミド膜）
を８個成形し、１７５℃で１２時間硬化させた後、８５
℃、８５％ＲＨの条件で４２アロイフレームパッケージ
は１９２時間、銅フレームパッケージは１４４時間それ
ぞれ加湿処理後、ＩＲリフロー炉を用いて２４５℃で１
０秒間加熱処理した。その後外部クラックの有無を調べ
クラックの入ったパッケージを不良パッケージとし、不
良率で表した。
形：２８×２８×３．３mm、模擬半導体素子：１０×１
０×０．５mm、フレーム材料：４２アロイ、または２５
０℃で３分酸化させた銅、チップ表面：ポリイミド膜）
を８個成形し、１７５℃で１２時間硬化させた後、８５
℃、８５％ＲＨの条件で４２アロイフレームパッケージ
は１９２時間、銅フレームパッケージは１４４時間それ
ぞれ加湿処理後、ＩＲリフロー炉を用いて２４５℃で１
０秒間加熱処理した。その後外部クラックの有無を調べ
クラックの入ったパッケージを不良パッケージとし、不
良率で表した。
【００３７】密着性：上記、耐クラック性試験後の１６
０ピンＱＦＰを超音波探傷機を使用してチップ面、ダイ
パッド面を観察し、剥離が生じているパッケージを不良
パッケージとして不良率で表した。
０ピンＱＦＰを超音波探傷機を使用してチップ面、ダイ
パッド面を観察し、剥離が生じているパッケージを不良
パッケージとして不良率で表した。
【００３８】
【表２】
【００３９】
【表３】
【００４０】表２〜３にみられるように、実施例１〜８
のエポキシ樹脂組成物は、耐クラック性のみならず、Ｉ
Ｃチップ、リードフレーム材料との密着性に優れてい
る。
のエポキシ樹脂組成物は、耐クラック性のみならず、Ｉ
Ｃチップ、リードフレーム材料との密着性に優れてい
る。
【００４１】
【表４】
【００４２】これに対して表４に示した比較例１〜６
は、耐クラック性が劣っているだけでなく、密着性が著
しく悪いことが分かる。
は、耐クラック性が劣っているだけでなく、密着性が著
しく悪いことが分かる。
【００４３】
【発明の効果】本発明のエポキシ樹脂組成物は、リフロ
ー実装時の耐クラック性に優れるばかりではなく、半導
体パッケージ部材に対する密着性が良好なので半導体装
置の封止に好適である。また、本発明のエポキシ樹脂組
成物で封止した半導体装置は信頼性が向上する。
ー実装時の耐クラック性に優れるばかりではなく、半導
体パッケージ部材に対する密着性が良好なので半導体装
置の封止に好適である。また、本発明のエポキシ樹脂組
成物で封止した半導体装置は信頼性が向上する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (5)
- 【請求項１】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機
充填材（Ｃ）、アミド化合物（Ｄ）を必須成分とする半
導体封止用樹脂組成物において、無機充填材（Ｃ）の含
有量が５０重量％以上であり、かつ、アミド化合物
（Ｄ）が炭素数８〜２２の脂肪酸からなる化合物であっ
て、組成物中に０．０１〜２重量％含むことを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項２】アミド化合物（Ｄ）が１分子中に２個以上
のアミド結合を有する多価アミド化合物であることを特
徴とする請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項３】請求項１〜２いずれかに記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子が封止
されてなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】請求項１〜２いずれかに記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物の硬化物により、４２アロイから
なるリードフレーム上の半導体素子が封止されてなるこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】請求項１〜２いずれかに記載の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物の硬化物により、銅フレーム材か
らなるリードフレーム上の半導体素子が封止されてなる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9137156A JPH10324794A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9137156A JPH10324794A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10324794A true JPH10324794A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15192136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9137156A Withdrawn JPH10324794A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10324794A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11100487A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002265571A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002275245A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2018181601A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP9137156A patent/JPH10324794A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11100487A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002265571A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2002275245A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| WO2018181601A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
| JPWO2018181601A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2020-02-06 | 日立化成株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001131390A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 | |
| JPH06345847A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH10324795A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2000044774A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH10324794A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH10237160A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2001131391A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびに半導体装置 | |
| JP2003268071A (ja) | エポキシ系樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JP2000336250A (ja) | エポキシ系樹脂組成物 | |
| JP2003128750A (ja) | エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2002220511A (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH0977850A (ja) | エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4779221B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2002128872A (ja) | エポキシ樹脂組成物およびその用途 | |
| JP2003268205A (ja) | エポキシ系樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH10130374A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物およびその半導体装置 | |
| JPH1112442A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP2002275246A (ja) | エポキシ系樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH11335527A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP2000186183A (ja) | 封止用のエポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH0625385A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH0859795A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002249546A (ja) | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH10279665A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH0676539B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ含有組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040128 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040406 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060302 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060329 |