CN114292613A - 复合膜、倒装led芯片及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种复合膜、倒装LED芯片及其制造方法，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：30‑60质量份的9,9‑二[4‑(2,3‑环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15‑30质量份的脂肪族环氧树脂；10‑30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55‑85质量份的苯酚‑芳烷基酚醛树脂；1‑10质量份的2‑苯基咪唑；0.1‑5质量份的炭黑；300‑600质量份的氧化铝；1‑6质量份的硅烷偶联剂；1‑6质量份的流平剂。本发明能提高倒装LED芯片的封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种复合膜、倒装LED芯片及其制造方法。
背景技术
传统的倒装LED芯片中的倒装LED芯片主体设置于基板上，空气中的水氧很容易对所述倒装LED芯片主体的金属电极和所述基板上的走线进行腐蚀，这会降低所述倒装LED芯片的使用寿命。
为解决上述技术问题，一种解决方式是：在倒装LED芯片主体的底部设置填充胶，再使用封装膜对包括倒装LED芯片主体、填充胶、基板的整体进行封装。
上述传统的封装膜成分单一，容易翘曲，特别是，经过一段时间使用后，容易从倒装LED芯片的表面翘曲开来，甚至与倒装LED芯片相脱离，即，经过一段时间使用后，上述封装膜对倒装LED芯片的封装效果大幅下降。
另外，由于填充胶的存在，上述传统的封装膜也容易与倒装LED芯片相脱离，因此，上述传统的封装膜针对倒装LED芯片的封装效果较差。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决传统的封装膜对倒装LED芯片封装效果较差的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合膜、倒装LED芯片及其制造方法，其能提高倒装LED芯片的封装效果。
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种复合膜，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；1-10质量份的2-苯基咪唑；0.1-5质量份的炭黑；300-600质量份的氧化铝；1-6质量份的硅烷偶联剂；1-6质量份的流平剂。
在上述复合膜中，所述复合膜是通过将所述组合物的浆料涂覆于一基膜上，并烘干所述浆料来制成的。
在上述复合膜中，所述组合物包括：30-45质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-75质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；3-5质量份的2-苯基咪唑；3质量份的炭黑；300-350质量份的氧化铝；5质量份的硅烷偶联剂；4质量份的流平剂。
在上述复合膜中，所述组合物包括：45-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-20质量份的芳香族四官能环氧树脂；75-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；5-8质量份的2-苯基咪唑；3质量份的炭黑；350-585质量份的氧化铝；5质量份的硅烷偶联剂；4质量份的流平剂。
在上述复合膜中，所述硅烷偶联剂包括γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷。
一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括基板、倒装LED芯片主体和复合膜，所述倒装LED芯片主体设置于所述基板上，所述复合膜包覆所述倒装LED芯片主体，并且所述复合膜贴合于所述基板的表面上；其中，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；1-10质量份的2-苯基咪唑；0.1-5质量份的炭黑；300-600质量份的氧化铝；1-6质量份的硅烷偶联剂；1-6质量份的流平剂。
在上述倒装LED芯片中，所述复合膜的一部分嵌入到所述倒装LED芯片主体和所述基板之间的间隙处。
一种倒装LED芯片的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：将所述倒装LED芯片主体设置于所述基板上；将所述复合膜覆盖在所述倒装LED芯片主体和所述基板上；对所述复合膜进行加热，以使所述复合膜处于熔融状态；将所述复合膜除包覆所述倒装LED芯片主体的部分以外的部分压合在所述基板的表面上；其中，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；1-10质量份的2-苯基咪唑；0.1-5质量份的炭黑；300-600质量份的氧化铝；1-6质量份的硅烷偶联剂；1-6质量份的流平剂。
在上述倒装LED芯片的制造方法中，在所述将所述复合膜除包覆所述倒装LED芯片主体的部分以外的部分压合在所述基板的表面上的步骤之后，所述制造方法还包括以下步骤：提高所述复合膜和所述基板之间的空间的外内压强差，以使处于熔融状态的所述复合膜的一部分在所述复合膜和所述基板之间的空间外的气压的作用下嵌入到所述倒装LED芯片主体和所述基板之间的间隙处。
在上述倒装LED芯片的制造方法中，所述提高所述复合膜和所述基板之间的空间的外内压强差的步骤包括：将所述复合膜、所述倒装LED芯片主体与所述基板置于一个气压大于预定值的空间内；或者对所述复合膜和所述基板之间的空间抽真空。
在本发明中，由于使用复合膜来对倒装LED芯片主体进行封装，所述复合膜具有以下成分：30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；1-10质量份的2-苯基咪唑；0.1-5质量份的炭黑；300-600质量份的氧化铝；1-6质量份的硅烷偶联剂；1-6质量份的流平剂。具有上述成分的所述复合膜的翘曲程度较低，因此，所述复合膜能够更好地贴合倒装LED主体，从而可以实现对所述倒装LED芯片更好的封装效果。此外，由于所述复合膜包覆所述倒装LED芯片主体，并且所述复合膜贴合于所述基板的表面上，并且所述复合膜的一部分嵌入到所述倒装LED芯片主体和所述基板之间的间隙处，因此，可以有效地防止水氧对倒装LED芯片主体的金属电极和基板上的走线造成腐蚀，有利于实现对倒装LED芯片更好的封装效果。
附图说明
图1为本发明的倒装LED芯片的示意图。
图2为本发明的倒装LED芯片的制造方法的流程图。
具体实施方式
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
本发明的实施例提供了一种复合膜，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；1-10质量份的2-苯基咪唑；0.1-5质量份的炭黑；300-600质量份的氧化铝；1-6质量份的硅烷偶联剂；1-6质量份的流平剂。
上述(9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂、脂肪族环氧树脂、芳香族四官能环氧树脂与所述固化剂(苯酚-芳烷基酚醛树脂)的组合可以使得所形成的所述复合膜具有低应力结构，降低所述复合膜的翘曲程度。
所述固化促进剂(2-苯基咪唑)可以促进所述固化剂反应，调整所述固化的反应速率。
所述无机填料(氧化铝)可以降低所形成的所述复合膜的热膨胀系数，降低所述复合膜的吸水率，并且可以提高所述复合膜的导热率，利于所述倒装LED芯片的热量往外界传导(散热)。所述无机填料(氧化铝)的粒径处于3.5微米至6.5微米的范围内，例如，所述无机填料(氧化铝)的粒径为3.5微米、3.8微米、4.2微米、4.5微米、4.9微米、5.2微米、5.6微米、6.0微米、6.3微米、6.5微米。通过使用粒径处于3.5微米至6.5微米的范围内的所述无机填料(氧化铝)，可以使得所述复合膜在加热到预定温度后的流动性更好，从而可以使得所述复合膜能够更加容易贴合所述倒装LED芯片主体，以及更加容易嵌入到所述倒装LED芯片主体和所述基板之间的间隙处。
作为所述炭黑的着色剂可以为所形成的所述复合膜染色。
所述硅烷偶联剂为含环氧基硅烷偶联剂，例如，所述硅烷偶联剂为γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷。所述硅烷偶联剂(γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷)可以促进所述无机填料与上述环氧树脂的相容性。
其中，在本发明中，通过选用芴和萘环结构的环氧树脂，可以提高所形成的所述复合膜的耐高温性能、粘结能力和耐潮气渗透能力，以及可以降低热膨胀系数，并减小翘曲。
所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂的环氧当量为230-270g/eq，其可采用Shell公司的Epon HPT1079。
所述脂肪族环氧树脂的环氧当量为128-148g/eq，其可采用长濑ChemteX株式会社的EX-211。
所述芳香族四官能环氧树脂的环氧当量为120-128g/eg，其可采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG。
所述苯酚-芳烷基酚醛树脂作为固化剂，其羟基当量为139-143g/eg，其可采用明和化成株式会社的MEH-8000H。
所述流平剂可采用BYK-310。
所述组合物的成分如表1所示：
| 成分 | 质量份 |
| 9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂 | 30-60 |
| 脂肪族环氧树脂 | 15-30 |
| 芳香族四官能环氧树脂 | 10-30 |
| 苯酚-芳烷基酚醛树脂 | 55-85 |
| 2-苯基咪唑 | 1-10 |
| 炭黑 | 0.1-5 |
| 氧化铝 | 300-600 |
| γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷 | 1-6 |
| 流平剂 | 1-6 |
表1
具体地，所述复合膜是通过将上述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂、脂肪族环氧树脂、芳香族四官能环氧树脂、苯酚-芳烷基酚醛树脂、2-苯基咪唑、炭黑、氧化铝、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、流平剂按比例混合成为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一基膜上，烘干所述浆料，并将所述浆料经烘干后得到的膜材与所述基膜进行分离来制成的。所述基膜可例如为PET膜。
所述组合物包括：30-45质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-75质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；3-5质量份的2-苯基咪唑；3质量份的炭黑；300-350质量份的氧化铝；5质量份的硅烷偶联剂；4质量份的流平剂。
或者，所述组合物包括：45-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-20质量份的芳香族四官能环氧树脂；75-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；5-8质量份的2-苯基咪唑；3质量份的炭黑；350-585质量份的氧化铝；5质量份的硅烷偶联剂；4质量份的流平剂。
实施例1
取9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂30质量份、脂肪族环氧树脂15质量份、芳香族四官能环氧树脂30质量份、苯酚-芳烷基酚醛树脂55质量份、2-苯基咪唑3质量份、炭黑3质量份、氧化铝300质量份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷5质量份、流平剂4质量份，将上述材料混合为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一PET基膜上，烘干PET基膜上的所述浆料，并将烘干后的所述浆料与所述基膜进行分离。
其中，所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂采用Shell公司的EponHPT1079，所述脂肪族环氧树脂采用长濑ChemteX株式会社的EX-211，所述芳香族四官能环氧树脂采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG，所述苯酚-芳烷基酚醛树脂采用明和化成株式会社的MEH-8000H，所述流平剂采用BYK-310。所述氧化铝的粒径处于4.9微米至6.5微米的范围内。
实施例2
取9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂40质量份、脂肪族环氧树脂15质量份、芳香族四官能环氧树脂25质量份、苯酚-芳烷基酚醛树脂65质量份、2-苯基咪唑4质量份、炭黑3质量份、氧化铝400质量份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷6质量份、流平剂4.5质量份，将上述材料混合为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一PET基膜上，烘干PET基膜上的所述浆料，并将烘干后的所述浆料与所述基膜进行分离。
其中，所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂采用Shell公司的EponHPT1079，所述脂肪族环氧树脂采用长濑ChemteX株式会社的EX-211，所述芳香族四官能环氧树脂采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG，所述苯酚-芳烷基酚醛树脂采用明和化成株式会社的MEH-8000H，所述流平剂采用BYK-310。所述氧化铝的粒径处于4.2微米至6.3微米的范围内。
实施例3
取9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂45质量份、脂肪族环氧树脂15质量份、芳香族四官能环氧树脂10质量份、苯酚-芳烷基酚醛树脂75质量份、2-苯基咪唑5质量份、炭黑3质量份、氧化铝350质量份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷5质量份、流平剂4质量份，将上述材料混合为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一PET基膜上，烘干PET基膜上的所述浆料，并将烘干后的所述浆料与所述基膜进行分离。
其中，所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂采用Shell公司的EponHPT1079，所述脂肪族环氧树脂采用长濑ChemteX株式会社的EX-211，所述芳香族四官能环氧树脂采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG，所述苯酚-芳烷基酚醛树脂采用明和化成株式会社的MEH-8000H，所述流平剂采用BYK-310。所述氧化铝的粒径处于3.8微米至5.2微米的范围内。
实施例4
取9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂50质量份、脂肪族环氧树脂20质量份、芳香族四官能环氧树脂15质量份、苯酚-芳烷基酚醛树脂75质量份、2-苯基咪唑6质量份、炭黑4质量份、氧化铝450质量份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷6质量份、流平剂4.5质量份，将上述材料混合为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一PET基膜上，烘干PET基膜上的所述浆料，并将烘干后的所述浆料与所述基膜进行分离。
其中，所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂采用Shell公司的EponHPT1079，所述脂肪族环氧树脂采用长濑ChemteX株式会社的EX-211，所述芳香族四官能环氧树脂采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG，所述苯酚-芳烷基酚醛树脂采用明和化成株式会社的MEH-8000H，所述流平剂采用BYK-310。所述氧化铝的粒径处于3.5微米至6.3微米的范围内。
实施例5
取9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂60质量份、脂肪族环氧树脂30质量份、芳香族四官能环氧树脂20质量份、苯酚-芳烷基酚醛树脂85质量份、2-苯基咪唑8质量份、炭黑3质量份、氧化铝585质量份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷5质量份、流平剂4质量份，将上述材料混合为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一PET基膜上，烘干PET基膜上的所述浆料，并将烘干后的所述浆料与所述基膜进行分离。
其中，所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂采用Shell公司的EponHPT1079，所述脂肪族环氧树脂采用长濑ChemteX株式会社的EX-211，所述芳香族四官能环氧树脂采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG，所述苯酚-芳烷基酚醛树脂采用明和化成株式会社的MEH-8000H，所述流平剂采用BYK-310。所述氧化铝的粒径处于3.8微米至6.0微米的范围内。
对比例1
取9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂45质量份、芳香族四官能环氧树脂10质量份、苯酚-芳烷基酚醛树脂50质量份、2-苯基咪唑3质量份、炭黑3质量份、氧化铝350质量份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷5质量份、流平剂4质量份，将上述材料混合为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一PET基膜上，烘干PET基膜上的所述浆料，并将烘干后的所述浆料与所述基膜进行分离。
其中，所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂采用Shell公司的EponHPT1079，所述脂肪族环氧树脂采用长濑ChemteX株式会社的EX-211，所述芳香族四官能环氧树脂采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG，所述苯酚-芳烷基酚醛树脂采用明和化成株式会社的MEH-8000H，所述流平剂采用BYK-310。所述氧化铝的粒径处于5.5微米至9.5微米的范围内。
对比例2
取9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂20质量份、脂肪族环氧树脂15质量份、芳香族四官能环氧树脂30质量份、苯酚-芳烷基酚醛树脂50质量份、2-苯基咪唑3质量份、炭黑3质量份、氧化铝300质量份、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷5质量份，将上述材料混合为浆料，将所述浆料通过涂膜机涂覆于一PET基膜上，烘干PET基膜上的所述浆料，并将烘干后的所述浆料与所述基膜进行分离。
其中，所述9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂采用Shell公司的EponHPT1079，所述脂肪族环氧树脂采用长濑ChemteX株式会社的EX-211，所述芳香族四官能环氧树脂采用昭和电工株式会社的SHOFREE超低卤素环氧系列BATG，所述苯酚-芳烷基酚醛树脂采用明和化成株式会社的MEH-8000H，所述流平剂采用BYK-310。所述氧化铝的粒径处于8.5微米至12微米的范围内。
上述各实施例及对比例的流动性、翘曲程度、吸水率的测试结果如表2所示：
表2
上述各实施例及对比例的流动性的测试方法为：取大小5mm×5mm的方形的所述复合膜，用两铜片夹住所述复合膜，置于120℃下烘烤5min，观察所述复合膜在铜片上的流动距离。流动距离大于2mm的，表示流动性为良好，记为◎；流动距离小于或等于2mm的，表示流动性差，记为×。
从上述表2可以看出，本发明的复合膜的流动性较好，这样有利于填充待封装的倒装LED芯片中的基板与倒装LED芯片主体之间的间隙，并且有利于使得所述复合膜经加热后能够更加紧密地贴合所述倒装LED芯片和所述基板。
从上述表2可以看出，各成分的比例，所述无机填料的粒径的大小，以及流平剂的使用与否，对所述复合膜的流动性具有重要的影响。
上述各实施例及对比例的翘曲程度的测试方法为：将待测的所述复合膜转贴至厚度为0.1mm的圆玻片上，然后在130℃中烘烤1h，待圆玻片冷却后，测试圆玻片两侧的所述复合膜上翘的高度，上翘的高度即为翘曲程度。
从上述表2可以看出，本发明的复合膜的翘曲程度较低(相比两个对比例而言，翘曲程度均较低)，这样有利于实现对所述倒装LED芯片更好的封装效果。
从上述表2可以看出，脂肪族环氧树脂的使用与否，所述无机填料的粒径的大小以及各成分的比例对所述复合膜的翘曲程度具有重要的影响。
上述各实施例及对比例的吸水率的测试方法为：取在150℃中经1小时固化后的所述复合膜膜材，经通用吸水率测试处理(120℃,100％R.H.,24h)，称重计算所述复合膜的重量增加的比例。
本发明的复合膜的吸水率较低(相比两个对比例而言，吸水率均较低)，这样有利于实现对所述倒装LED芯片更好的封装效果。
从上述表2可以看出，9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂的使用与否、9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂的量的大小、所述无机填料的粒径的大小以及各成分的比例对所述复合膜的吸水率具有重要的影响。
在本发明中，由于使用复合膜来对倒装LED芯片主体进行封装，所述复合膜具有以下成分：30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；15-30质量份的脂肪族环氧树脂；10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；1-10质量份的2-苯基咪唑；0.1-5质量份的炭黑；300-600质量份的氧化铝；1-6质量份的硅烷偶联剂；1-6质量份的流平剂。具有上述成分的所述复合膜的翘曲程度较低，因此，所述复合膜能够更好地贴合倒装LED主体，从而可以实现对所述倒装LED芯片更好的封装效果。
如图1所示，本发明的实施例还提供了一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括基板101、倒装LED芯片主体102、金属电极104和上述复合膜103，所述倒装LED芯片主体102设置于所述基板101上，所述复合膜103包覆所述倒装LED芯片主体102，并且所述复合膜103贴合于所述基板101的表面上，所述金属电极104连接所述倒装LED芯片主体102和所述基板上的走线。
所述复合膜103的一部分嵌入到所述倒装LED芯片主体102和所述基板101之间的间隙处。
在本发明中，由于所述复合膜103包覆所述倒装LED芯片主体102，并且所述复合膜103贴合于所述基板101的表面上，并且所述复合膜103的一部分嵌入到所述倒装LED芯片主体102和所述基板101之间的间隙处，因此，可以有效地防止水氧对倒装LED芯片主体102的金属电极104和基板101上的走线造成腐蚀，有利于实现对倒装LED芯片更好的封装效果。
如图2所示，本发明的实施例还提供了一种倒装LED芯片的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
将所述倒装LED芯片主体102设置于所述基板101上；
将所述复合膜103覆盖在所述倒装LED芯片主体102和所述基板101上；
对所述复合膜103进行加热，以使所述复合膜103处于熔融状态；
将所述复合膜103除包覆所述倒装LED芯片主体102的部分以外的部分压合在所述基板101的表面上。
在所述将所述复合膜103除包覆所述倒装LED芯片主体102的部分以外的部分压合在所述基板101的表面上的步骤之后，所述制造方法还包括以下步骤：
提高所述复合膜103和所述基板101之间的空间的外内压强差，以使处于熔融状态的所述复合膜103的一部分在所述复合膜103和所述基板101之间的空间外的气压的作用下嵌入到所述倒装LED芯片主体102和所述基板101之间的间隙处。
进一步地，在保持将所述复合膜103除包覆所述倒装LED芯片主体102的部分以外的部分压合在所述基板101的表面上的状态下，提高所述复合膜103和所述基板101之间的空间的外内压强差。这样可以防止所述复合膜103贴合在所述基板101上面的部分翘曲。
特别地，在将所述倒装LED芯片主体102设置于所述基板101上的步骤之前，所述方法还包括以下步骤：
将所述基板101置于一个气压较低(例如，气压小于第一预定值)的空间(腔室)内。
所述提高所述复合膜103和所述基板101之间的空间的外内压强差的步骤包括：
将所述复合膜103、所述倒装LED芯片主体102与所述基板101置于一个气压较高(例如，气压大于第二预定值(所述第二预定值大于所述第一预定值))的空间(腔室)内。
或者，对所述复合膜103和所述基板101之间的空间抽真空。
进一步地，在将所述倒装LED芯片主体102设置于所述基板101上的步骤之前，所述制造方法包括以下步骤：
在所述基板101上设置一第一复合膜，所述第一复合膜具有通孔，所述通孔在所述复合膜上的位置与所述倒装LED芯片主体102的金属电极104在所述倒装LED芯片主体102上的位置对应，所述第一复合膜在所述基板101上的投影的外边缘包围所述倒装LED芯片主体102在所述基板101上的投影的外边缘；
所述将所述倒装LED芯片主体102设置于所述基板101上的步骤包括：
将所述倒装LED芯片主体102设置于所述基板101上，其中，所述倒装LED芯片主体102的金属电极104穿过设置于所述基板101上的所述第一复合膜上的通孔，并与所述基板101上的导电垫相接触；
所述将所述复合膜103覆盖在所述倒装LED芯片主体102和所述基板101上的步骤包括：
将第二复合膜103覆盖在所述倒装LED芯片主体102和所述基板101上，其中，所述第二复合膜与所述第一复合膜相接触；
所述对所述复合膜103进行加热，以使所述复合膜103处于熔融状态的步骤包括：
对所述第一复合膜和所述第二复合膜103进行加热，以使所述第一复合膜和所述第二复合膜103处于熔融状态；
所述将所述复合膜103除包覆所述倒装LED芯片主体102的部分以外的部分压合在所述基板101的表面上的步骤包括：
将所述第二复合膜103除包覆所述倒装LED芯片主体102的部分以外的部分压合在所述基板101和所述第一复合膜的表面上。
在本发明的上述技术方案中，在利用所述复合膜103对所述倒装LED芯片进行封装时，并对所述复合膜103进行加热，使得所述复合膜103处于熔融状态，以及降低所述复合膜103和所述倒装LED芯片的基板101之间的空间内的压强，从而可以使得所述复合膜103的一部分填充所述基板101与所述倒装LED芯片主体102之间的间隙，因此可以实现对所述倒装LED芯片更好的封装效果。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种复合膜，其特征在于，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：
30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；
15-30质量份的脂肪族环氧树脂；
10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；
55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；
1-10质量份的2-苯基咪唑；
0.1-5质量份的炭黑；
300-600质量份的氧化铝；
1-6质量份的硅烷偶联剂；
1-6质量份的流平剂。
2.根据权利要求1所述的复合膜，其特征在于，所述复合膜是通过将所述组合物的浆料涂覆于一基膜上，并烘干所述浆料来制成的。
3.根据权利要求1所述的复合膜，其特征在于，所述组合物包括：
30-45质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；
15质量份的脂肪族环氧树脂；
10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；
55-75质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；
3-5质量份的2-苯基咪唑；
3质量份的炭黑；
300-350质量份的氧化铝；
5质量份的硅烷偶联剂；
4质量份的流平剂。
4.根据权利要求1所述的复合膜，其特征在于，所述组合物包括：
45-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；
15-30质量份的脂肪族环氧树脂；
10-20质量份的芳香族四官能环氧树脂；
75-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；
5-8质量份的2-苯基咪唑；
3质量份的炭黑；
350-585质量份的氧化铝；
5质量份的硅烷偶联剂；
4质量份的流平剂。
5.根据权利要求1所述的复合膜，其特征在于，所述硅烷偶联剂为含环氧基硅烷偶联剂。
6.一种倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片包括基板、倒装LED芯片主体和复合膜，所述倒装LED芯片主体设置于所述基板上，所述复合膜包覆所述倒装LED芯片主体，并且所述复合膜贴合于所述基板的表面上；
其中，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：
30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；
15-30质量份的脂肪族环氧树脂；
10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；
55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；
1-10质量份的2-苯基咪唑；
0.1-5质量份的炭黑；
300-600质量份的氧化铝；
1-6质量份的硅烷偶联剂；
1-6质量份的流平剂。
7.根据权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述复合膜的一部分嵌入到所述倒装LED芯片主体和所述基板之间的间隙处。
8.一种倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
将所述倒装LED芯片主体设置于所述基板上；
将所述复合膜覆盖在所述倒装LED芯片主体和所述基板上；
对所述复合膜进行加热，以使所述复合膜处于熔融状态；
将所述复合膜除包覆所述倒装LED芯片主体的部分以外的部分压合在所述基板的表面上；
其中，所述复合膜是通过将包括以下成分的组合物制造为膜状而成的：
30-60质量份的9,9-二[4-(2,3-环氧丙氧基)苯基]芴环氧树脂；
15-30质量份的脂肪族环氧树脂；
10-30质量份的芳香族四官能环氧树脂；
55-85质量份的苯酚-芳烷基酚醛树脂；
1-10质量份的2-苯基咪唑；
0.1-5质量份的炭黑；
300-600质量份的氧化铝；
1-6质量份的硅烷偶联剂；
1-6质量份的流平剂。
9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，在所述将所述复合膜除包覆所述倒装LED芯片主体的部分以外的部分压合在所述基板的表面上的步骤之后，所述制造方法还包括以下步骤：
提高所述复合膜和所述基板之间的空间的外内压强差，以使处于熔融状态的所述复合膜的一部分在所述复合膜和所述基板之间的空间外的气压的作用下嵌入到所述倒装LED芯片主体和所述基板之间的间隙处。
10.根据权利要求9所述的倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，所述提高所述复合膜和所述基板之间的空间的外内压强差的步骤包括：
将所述复合膜、所述倒装LED芯片主体与所述基板置于一个气压大于预定值的空间内；或者
对所述复合膜和所述基板之间的空间抽真空。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220408 |
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