CN105074903B - 中空型电子器件密封用片、及中空型电子器件封装体的制造方法 - Google Patents

中空型电子器件密封用片、及中空型电子器件封装体的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种中空型电子器件密封用片，其中，将中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时后的离子交换水中的氯化物离子浓度、钠离子浓度、磷酸根离子浓度、及硫酸根离子浓度中的至少一者小于规定值。

Description

中空型电子器件密封用片、及中空型电子器件封装体的制造 方法
技术领域
本发明涉及中空型电子器件密封用片、及中空型电子器件封装体的制造方法。
背景技术
一直以来，在对电子器件和基板之间为中空结构的中空型电子器件进行树脂密封而制作中空型电子器件封装体时，作为密封树脂，有时使用片状的密封树脂(例如参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-19714号公报
发明内容
发明要解决的问题
对于中空型电子器件封装体，有时中空型电子器件会受来自密封所使用的片状密封树脂的各种离子性杂质影响。尤其是在中空型电子器件封装体中，如果离子性杂质从片状密封树脂渗出，则容易积存于中空空间，由于其影响，可能无法充分发挥作为中空型电子器件的特性(例如用作压力传感器、振动传感器等时的传感器特性、用作SAW滤波器等时的滤波器特性等)。因此，要求使用离子性杂质的含量少的密封树脂。
本发明是鉴于上述问题而做出的发明，其目的在于，提供离子性杂质的渗出量少的中空型电子器件密封用片、及离子性杂质的渗出量少的中空型电子器件封装体的制造方法。
用于解决问题的方案
本申请发明人等发现，通过采用下述方案，能够解决前述问题，从而完成了本发明。
即，本发明为一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，满足下述(a)～下述(d)的至少一者。
(a)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的氯化物离子浓度以质量基准计小于30ppm，
(b)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的钠离子浓度以质量基准计小于10ppm，
(c)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的磷酸根离子浓度以质量基准计小于30ppm，
(d)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的硫酸根离子浓度以质量基准计小于5ppm。
根据本发明的中空型电子器件密封用片，满足上述(a)～上述(d)的至少一者。因此，离子性杂质(氯化物离子、钠离子、磷酸根离子及硫酸根离子中的至少一种)的渗出量减少。其结果，使用该中空型电子器件密封用片制造的中空型电子器件封装体能够抑制特性的降低，提高产品可靠性。
在前述方案中，优选的是，制成250μm厚度时的热固化后的透湿度在温度85℃、湿度85％、168小时的条件下为500g/m2·24小时以下。
本发明人等发现，即使浸渍在离子交换水中时的离子性杂质的渗出量少，如果透过中空型电子器件密封用片到达中空部分的水分多，则离子性杂质也可能会溶入该水分等而流入电子器件侧，从而在电子器件上蓄积离子性杂质。因此，前述中空型电子器件密封用片的厚度为250μm时的热固化后的透湿度在温度85℃、湿度85％、168小时的条件下为500g/m2·24小时以下时，水分不易从外部侵入中空部分。其结果，能够抑制离子性杂质溶入来自外部的水分而到达电子器件上。
通过像这样不仅预先减少了中空型电子器件密封用片的离子性杂质的渗出量，而且预先降低了透湿度，能够进一步提高使用该中空型电子器件密封用片制造的中空型电子器件封装体的产品可靠性。需要说明的是，将透湿度的评价条件设为温度85℃、湿度85％、168小时是为了符合半导体封装体的耐焊接可靠性试验(MSL试验)中最严格的吸湿条件即Level1条件。
需要说明的是，厚度不是250μm时，利用下述式1进行换算，作为温度85℃、湿度85％、168小时的条件下的厚度为250μm时的透湿度。
(式1) A-(250-D)×0.101
(A：透湿度、D：样品厚度(μm))
在前述方案中，优选的是，相对于中空型电子器件密封用片整体，含有70～90体积％的无机填充剂。无机填充剂的含量相对于中空型电子器件密封用片整体为70体积％以上时，能够容易地降低透湿度。而无机填充剂的含量相对于中空型电子器件密封用片整体为90体积％以下时，柔软性、流动性、粘接性更好。
在前述方案中，优选的是含有离子捕捉剂。含有离子捕捉剂时，能够进一步抑制离子性杂质到达电子器件。
在前述方案中，优选的是，前述离子捕捉剂为水滑石系化合物。水滑石系化合物不含有锑等重金属而具有离子捕捉性。
此外，本发明的中空型电子器件封装体的制造方法的特征在于，包括如下工序：
层叠工序，以覆盖安装在基板上的1个或多个中空型电子器件的方式将以上记载的中空型电子器件密封用树脂片层叠在前述中空型电子器件上；以及
密封体形成工序，使前述中空型电子器件密封用树脂片固化而形成密封体。
使用以上记载的中空型电子器件密封用树脂片制造的中空型电子器件封装体的离子性杂质的渗出量少。因此，使用该中空型电子器件密封用树脂片制造的中空型电子器件封装体能够抑制特性的降低，使产品可靠性提高。
发明的效果
根据本发明，能够提供离子性杂质的渗出量少的中空型电子器件密封用片、及离子性杂质的渗出量少的中空型电子器件封装体的制造方法。
附图说明
图1是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件密封用片的截面图。
图2A是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的一个工序的图。
图2B是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的一个工序的图。
图2C是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的一个工序的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。但本发明并不仅限定于这些实施方式。
[中空型电子器件密封用片]
图1是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件密封用片的截面图。中空型电子器件密封用片11(以下也称为“密封用片11”)代表性的是以层叠在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等支撑体11a上的状态提供。需要说明的是，对于支撑体11a，为了容易进行密封用片11的剥离，可以实施脱模处理。
密封用片11满足下述(a)～下述(d)的至少一者。
(a)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的氯化物离子浓度以质量基准计小于30ppm，
(b)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的钠离子浓度以质量基准计小于10ppm，
(c)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的磷酸根离子浓度以质量基准计小于30ppm，
(d)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的前述离子交换水中的硫酸根离子浓度以质量基准计小于5ppm。
密封用片11由于满足上述(a)～上述(d)的至少一者，因此，离子性杂质(氯化物离子、钠离子、磷酸离子、及硫酸离子中的至少一种)的渗出量减少。其结果，使用该中空型电子器件密封用片11制造的中空型电子器件封装体能够抑制特性的降低，提高产品可靠性。作为用于满足上述(a)～上述(d)的至少一个的方法，例如可以列举出如下方法：在制造密封用片11时，选择离子性杂质的含量少的材料，或含有能捕捉上述离子性杂质的离子捕捉剂。
前述氯化物离子浓度优选小于20ppm。另外，前述氯化物离子浓度虽越小越好，但例如为1ppm以上。
前述钠离子浓度优选小于7ppm。另外，前述钠离子浓度虽越小越好，但例如为0.1ppm以上。
前述磷酸根离子浓度优选小于20ppm。另外，前述磷酸根离子浓度虽越小越好，但例如为1ppm以上。
前述硫酸根离子浓度优选小于3ppm。另外，前述硫酸根离子浓度虽越小越好，但例如为0.1ppm以上。
密封用片11在制成250μm的厚度时的热固化后的透湿度优选在温度85℃、湿度85％、168小时的条件下为500g/m2·24小时以下，优选为400g/m2·24小时以下，更优选为300g/m2·24小时以下。另外，前述透湿度虽越小越好，但例如为1g/m2·24小时以上。密封用片11的厚度为250μm时的热固化后的透湿度在温度85℃、湿度85％、168小时的条件下为500g/m2·24小时以下时，水分难以从外部侵入中空部分。其结果，能够抑制离子性杂质溶入来自外部的水分而到达电子器件上。
通过像这样不仅预先减少中空型电子器件密封用片的离子性杂质的渗出量，而且预先降低透湿度，能够进一步提高使用该中空型电子器件密封用片制造的中空型电子器件封装体的产品可靠性。
以下对密封用片11的组成进行说明。
密封用片11优选含有环氧树脂及酚醛树脂。由此，能够得到良好的热固化性。
作为环氧树脂，没有特别限定。例如可以使用：三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用也可以组合使用2种以上。
从确保环氧树脂的固化后的韧性及环氧树脂的反应性的观点考虑，优选环氧当量150～250、软化点或熔点为50～130℃的常温下为固态的树脂，其中，从可靠性的观点考虑，更优选三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
酚醛树脂只要是能与环氧树脂之间发生固化反应的树脂就没有特别限定。例如可以使用：苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、甲酚酚醛清漆树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为酚醛树脂，从与环氧树脂的反应性的观点考虑，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的树脂，其中，从固化反应性高的观点考虑，可以适宜使用苯酚酚醛清漆树脂。此外，从可靠性的观点考虑，还可以适宜使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂这样的低吸湿性的树脂。
关于环氧树脂与酚醛树脂的配混比例，从固化反应性这样的观点考虑，优选以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、酚醛树脂中的羟基总共为0.7～1.5当量的方式进行配混，更优选为0.9～1.2当量。
密封用片11中的环氧树脂及酚醛树脂的总含量优选为2.0重量％以上，更优选为3.0重量％以上。为2.0重量％以上时，能够良好地获得对电子器件、基板等的粘接力。密封用片11中的环氧树脂及酚醛树脂的总含量优选为20重量％以下，更优选为10重量％以下。为20重量％以下时，能够降低吸湿性。
密封用片11优选含有热塑性树脂。由此，能够得到未固化时的操作性、固化物的低应力性。
作为热塑性树脂，可以列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸系树脂、PET、PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂、苯乙烯-异丁烯-苯乙烯嵌段共聚物等。这些热塑性树脂可以单独使用，或者组合使用2种以上。其中，从低应力性、低吸水性的观点考虑，优选苯乙烯-异丁烯-苯乙烯嵌段共聚物。
密封用片11中的热塑性树脂的含量优选为1.0重量％以上，更优选为1.5重量％以上。为1.0重量％以上时，能够获得柔软性、挠性。密封用片11中的热塑性树脂的含量优选为3.5重量％以下，更优选为3重量％以下。为3.5重量％以下时，与电子器件、基板的粘接性良好。
密封用片11优选含有无机填充剂。
对无机填充剂没有特别限定，可以使用现有公知的各种填充剂，例如可以列举出：石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼的粉末。它们可以单独使用，也可以组合使用2种以上。其中，从能够良好地降低线膨胀系数这一理由出发，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。
作为二氧化硅，优选二氧化硅粉末，更优选熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅粉末，可以列举出球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，从流动性的观点考虑，优选球状熔融二氧化硅粉末。其中，优选平均粒径在10～30μm范围的二氧化硅粉末，更优选平均粒径在15～25μm范围的二氧化硅粉末。
需要说明的是，平均粒径例如可以使用从母群体中随机抽取的试样，使用激光衍射散射式粒度分布测定装置进行测定，从而导出。
密封用片11中的无机填充剂的含量优选相对于密封用片11整体为70～90体积％，更优选为74～85体积％。前述无机填充剂的含量相对于密封用片11整体为70体积％以上时，能够容易地降低透湿度。而前述无机填充剂的含量相对于密封用片11整体为90体积％以下时，柔软性、流动性、粘接性变得更好。
无机填充剂的含量也可以以“重量％”为单位来说明。作为代表，以“重量％”为单位对二氧化硅的含量进行说明。
二氧化硅通常比重为2.2g/cm3，因此，二氧化硅的含量(重量％)的优选范围如下。
即，密封用片11中的二氧化硅的含量优选为81重量％以上，更优选为84重量％以上。密封用片11中的二氧化硅的含量优选为94重量％以下，更优选为91重量％以下。
氧化铝通常比重为3.9g/cm3，因此，氧化铝的含量(重量％)的优选范围如下。
即，密封用片11中的氧化铝的含量优选为88重量％以上，更优选为90重量％以上。密封用片11中的氧化铝的含量优选为97重量％以下，更优选为95重量％以下。
密封用片11优选含有离子捕捉剂。含有离子捕捉剂时，能够进一步抑制离子性杂质到达电子器件。
作为前述离子捕捉剂，例如可以列举出：水滑石类化合物、氢氧化铋、五酸化锑等。它们可以单独使用或者组合使用2种以上。其中，从不含有重金属而具有离子捕捉性的观点考虑，优选使用水滑石类化合物。
作为前述离子捕捉剂的平均粒径，从流动性的观点考虑，优选在0.1～50μm的范围内。需要说明的是，平均粒径例如可以使用从母群体中随机抽取的试样，使用激光衍射散射式粒度分布测定装置进行测定，从而导出。
前述离子捕捉剂的含有比率优选相对于密封用片11整体设定在0.01～2重量％的范围，特别优选为0.01～1重量％。通过使离子捕捉剂的含有比率相对于密封用片11整体为0.01重量％以上，能够获得充分的离子捕捉性。此外，通过使离子捕捉剂的含有比率相对于密封用片11整体为2重量％以下，能够抑制成形时的封装体的污染。
密封用片11优选含有固化促进剂。
作为固化促进剂，只要是能使环氧树脂与酚醛树脂的固化进行的物质就没有特别限定，例如可以列举出：三苯基膦、四苯基硼酸四苯基鏻等有机磷系化合物；2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑系化合物；等。其中，从即使混炼时的温度升高固化反应也不会急剧进行、能够良好地制作密封用片11的理由出发，优选2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑。
固化促进剂的含量优选相对于环氧树脂及酚醛树脂的总和100重量份为0.1～5重量份。
密封用片11优选含有阻燃剂成分。由此，能够减少因零件短路、发热等而起火时的燃烧扩大。作为阻燃剂组分，例如可以使用：氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；磷腈系阻燃剂等。
从少量也能发挥阻燃效果这样的观点考虑，磷腈系阻燃剂中所含的磷元素的含有率优选为12重量％以上。
关于密封用片11中的阻燃剂成分的含量，在全部有机成分(无机填料除外)中优选为10重量％以上，更优选为15重量％以上。为10重量％以上时，能够良好地得到阻燃性。密封用片11中的热塑性树脂的含量优选为30重量％以下，更优选为25重量％以下。为30重量％以下时，存在固化物的物性降低(具体为玻璃化转变温度、高温树脂强度等物性的降低)小的倾向。
密封用片11优选含有硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，没有特别限定，可以列举出3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷等。
密封用片11中的硅烷偶联剂的含量优选为0.1～3重量％。为0.1重量％以上时，能够充分获得固化物的强度、能够降低吸水率。为3重量％以下时，能够减少排气量。
密封用片11优选含有颜料。作为颜料，没有特别限定，可以列举出炭黑等。
密封用片11中的颜料的含量优选为0.1～2重量％。为0.1重量％以上时，能够在通过激光标记等进行标记时获得良好的标记性。为2重量％以下时，能够充分获得固化物强度。
需要说明的是，在树脂组合物中，除了上述各成分以外，还可以根据需要适当配混其它添加剂。
密封用片11可以为单层结构，也可以为2个以上密封用片层叠而成的多层结构，从不担心层间剥离、片厚的均一性高、容易降低透湿度这样的理由出发，优选单层结构。
对密封用片11的厚度没有特别限定，从用作密封用片的观点考虑，例如为50μm～2000μm。
对密封用片11的制造方法没有特别限定。例如可以列举出如下的方法：制备用于形成密封用片11的树脂组合物的混炼物，将得到的混炼物塑性加工成片状的方法；将用于形成密封用片11的树脂组合物溶解或分散在溶剂中得到的物质(清漆)涂布于隔离物等，然后进行干燥而得到的方法。采用将混炼物塑性加工成片状的方法时，能够不使用溶剂地制作密封用片11，因此，能够抑制中空型电子器件(例如SAW滤波器13)因挥发的溶剂而受到影响。
具体而言，将后述的各成分利用混合辊(mixing roll)、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机进行熔融混炼，由此制备混炼物，将得到的混炼物塑性加工成片状。作为混炼条件，温度优选为上述各成分的软化点以上，例如为30～150℃，考虑环氧树脂的热固化性时，优选为40～140℃、更优选为60～120℃。时间例如为1～30分钟、优选为5～15分钟。
混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行。由此，能够防止脱气，并且能够防止气体侵入混炼物。减压条件下的压力优选为0.1kg/cm2以下、更优选为0.05kg/cm2以下。对减压下的压力的下限没有特别限定，例如为1×10-4kg/cm2以上。
熔融混炼后的混炼物优选不经过冷却而直接在高温状态进行塑性加工。作为塑性加工方法，没有特别限定，可以列举出：平板压制法、T型模挤出法、螺杆式模头挤出法、辊压延法、辊混炼法、吹胀挤出法、共挤出法、压延成形法等。作为塑性加工温度，优选为上述各成分的软化点以上，考虑环氧树脂的热固化性及成形性时，例如为40～150℃、优选为50～140℃、进一步优选为70～120℃。
密封用片11被用于需要中空密封的电子器件(例如SAW(Surface Acoustic Wave)滤波器；压力传感器、振动传感器等MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)的密封。其中，可以特别适宜地用于SAW滤波器的密封。
作为密封方法，没有特别限定，可以用现有公知的方法来密封。例如可以列举出：以覆盖基板上的中空型电子器件的方式将未固化的密封用片11层叠(载置)在基板上，接着，使密封用片11固化而进行密封的方法等。作为基板，没有特别限定，例如可以列举出印刷电路板、陶瓷基板、硅基板、金属基板等。
[中空型电子器件封装体的制造方法]
图2A～图2C分别是示意性表示本发明的一个实施方式的中空型电子器件封装体的制造方法的一个工序的图。在本实施方式中，利用密封用片11将安装于印刷电路板12上的作为中空型电子器件的SAW滤波器13中空密封，制作中空型电子器件封装体。
(SAW滤波器安装基板准备工序)
在SAW滤波器安装基板准备工序中，准备安装有多个SAW滤波器13的印刷电路板12(参照图2A)。SAW滤波器13可以通过利用公知的方法切割形成有规定的叉指电极的压电晶体将其单片化而形成。SAW滤波器13在印刷电路板12上的安装可以使用倒装焊接机(FlipChip Bonder)、芯片焊接机(die bonder)等公知的装置。SAW滤波器13与印刷电路板12经由凸块(bump)等突起电极13a电连接。此外，SAW滤波器13与印刷电路板12之间以不阻碍SAW滤波器表面的表面弹性波的传播的方式维持中空部分14。SAW滤波器13与印刷电路板12之间的距离可以适当设定，通常为15～50μm左右。
(密封工序)
在密封工序中，以覆盖SAW滤波器13的方式向印刷电路板12层叠密封用片11，用密封用片11对SAW滤波器13进行树脂密封(参照图2B)。密封用片11作为用于保护SAW滤波器13及其附带的元件免受外部环境影响的密封树脂起作用。
对于将密封用片11层叠在印刷电路板12上的方法没有特别限定，可以利用热压、层压机等公知的方法来进行。作为热压条件，温度例如为40～100℃、优选为50～90℃，压力例如为0.1～10MPa、优选为0.5～8MPa，时间例如为0.3～10分钟、优选为0.5～5分钟。由此，能够得到电子器件嵌入了热固化性密封用片16的电子器件封装体。此外，考虑到密封用片11对SAW滤波器13及印刷电路板12的密合性及追随性的提高，优选在减压条件下(例如0.1～5kPa)进行压制。
(密封体形成工序)
在密封体形成工序中，对密封用片11进行热固化处理而形成密封体15(参照图2B)。
作为热固化处理的条件，加热温度优选为100℃以上、更优选为120℃以上。另一方面，加热温度的上限优选为200℃以下、更优选为180℃以下。加热时间优选为10分钟以上、更优选为30分钟以上。而加热时间的上限优选为180分钟以下、更优选为120分钟以下。此外，根据需要可以加压，优选为0.1MPa以上、更优选为0.5MPa以上。另一方面，上限优选为10MPa以下、更优选为5MPa以下。
(切割工序)
接着，可以进行密封体15的切割(参照图2C)。由此，能够得到以SAW滤波器13为单元的电子器件封装体18。
(基板安装工序)
根据需要，可以进行如下的工序：对电子器件封装体18进行重新配线及形成凸块，并将其安装于其它的基板(未图示)的基板安装工序。在基板上安装电子器件封装体18时可以使用倒装焊接机、芯片焊接机等公知的装置。
实施例
以下列举本发明的适宜的实施例进行详细说明。其中，关于这些实施例中记载的材料、配混量等，只要没有特别限定的记载，就不能将本发明的范围仅限定于这些材料、配混量。
对实施例中使用的成分进行说明。
环氧树脂：新日铁化学(株)制造的YSLV-80XY(双酚F型环氧树脂、环氧当量200g/eq.软化点80℃)
酚醛树脂：明和化成株式会社制造的MEH-7851-SS(具有联苯芳烷基骨架的酚醛树脂、羟基当量203g/eq.、软化点67℃)
热塑性树脂：Kaneka Corporation制造的SIBSTER 072T(苯乙烯-异丁烯-苯乙烯嵌段共聚物)
离子捕捉剂：协和化学工业株式会社制造的DHT-4A
无机填充剂：电气化学工业株式会社制造的FB-9454FC(熔融球状二氧化硅、平均粒径20μm)
硅烷偶联剂：信越化学株式会社制造的KBM-403(3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷)
炭黑：三菱化学株式会社制造的#20
阻燃剂：伏见制药所制造的FP-100(磷腈系阻燃剂：式(4)表示的化合物)
[化学式1]
(式中，m表示3～4的整数。)
固化促进剂：四国化成工业株式会社制造的2PHZ-PW(2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑)
实施例1～2
按照表1所述的配比配混各成分，利用辊混炼机在60～120℃、10分钟、减压条件下(0.01kg/cm2)进行熔融混炼，制备混炼物。接着，利用平板压制法将得到的混炼物形成为片状，制作表1所示的厚度的密封用片。
实施例3
按照表1所述的配方将各成分配混在溶剂(以重量比计为甲乙酮(MEK)：甲苯＝1：1)中，得到非溶剂成分浓度90％的涂覆液。
利用逗点式涂布机将得到的涂覆液以干燥后的厚度为50μm的方式涂覆在厚度50μm的聚酯薄膜A(三菱化学聚酯株式会社制造、MRF-50)的剥离处理面上，并使其干燥。接着，将厚度38μm的聚酯薄膜B(三菱化学聚酯株式会社制造、MRF-38)的剥离处理面贴在干燥后的清漆上，制备薄膜密封用片。
其后，边适当剥离聚酯薄膜A及聚酯薄膜B，边利用辊层压机层叠5张薄膜密封用片，由此制作厚度250μm的密封用片。
比较例1
按照表1所述的配比配混各成分，向其中添加与各成分的总量相同量的甲乙酮，制备清漆。利用逗点式涂布机将得到的清漆以干燥后的厚度为50μm的方式涂覆在厚度50μm的聚酯薄膜A(三菱化学聚酯株式会社制造、MRF-50)的剥离处理面上，并使其干燥。接着，将厚度38μm的聚酯薄膜B(三菱化学聚酯株式会社制造、MRF-38)的剥离处理面贴在干燥后的清漆上，制备薄膜密封用片。
其后，边适当剥离聚酯薄膜A及聚酯薄膜B，边利用辊层压机层叠5张薄膜密封用片，由此制作厚度250μm的密封用片。
使用得到的密封用片进行下述的评价。将结果示于表1。
[离子性杂质提取浓度的测定]
将实施例及比较例的密封用片分别切取为重量5g，放入直径58mm、高度37mm的圆柱状的密闭式特氟纶(注册商标)制容器中，加入50ml离子交换水。其后，在121℃、2个大气压下放置20小时。取出薄膜后，使用DIONEX公司制造的DX320及DX500测定离子交换水中的氯化物离子浓度、钠离子浓度、磷酸根离子浓度、及硫酸根离子浓度。将结果示于表1。
[透湿度的测定]
使实施例、比较例中制作的密封用片热固化。热固化条件设为在150℃下加热60分钟。其后，基于JIS Z 0208(卡普法)的规定，测定实施例、比较例中制作的密封用片(热固化后)的透湿度。
测定条件如下所述。将结果示于表1。
(测定条件)
温度85℃、湿度85％、168小时、密封用片的厚度：250μm
[表1]
附图标记说明
11 中空型电子器件密封用片(密封片)
11a 支撑体
13 SAW滤波器
15 密封体
18 中空型电子器件封装体

Claims (5)

1.一种中空型电子器件密封用片，其特征在于，制成250μm厚度时的热固化后的透湿度在温度85℃、湿度85％、168小时的条件下为500g/m2·24小时以下，
所述中空型电子器件密封用片含有热塑性树脂，
所述中空型电子器件密封用片满足下述(a)～下述(d)的至少一者：
(a)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的氯化物离子浓度以质量基准计小于30ppm，
(b)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的钠离子浓度以质量基准计小于10ppm，
(c)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的磷酸根离子浓度以质量基准计小于30ppm，
(d)将重5g的中空型电子器件密封用片浸渍在离子交换水50ml中，在121℃、2个大气压下放置20小时之后的所述离子交换水中的硫酸根离子浓度以质量基准计小于5ppm。
2.根据权利要求1所述的中空型电子器件密封用片，其特征在于，相对于中空型电子器件密封用片整体，含有70～90体积％的无机填充剂。
3.根据权利要求1所述的中空型电子器件密封用片，其特征在于，含有离子捕捉剂。
4.根据权利要求3所述的中空型电子器件密封用片，其特征在于，所述离子捕捉剂为水滑石系化合物。
5.一种中空型电子器件封装体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
层叠工序，以覆盖安装在基板上的1个或多个中空型电子器件的方式将权利要求1～4中的任一项所述的中空型电子器件密封用树脂片层叠在所述中空型电子器件上；以及
密封体形成工序，使所述中空型电子器件密封用树脂片固化而形成密封体。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017057708A1 (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 味の素株式会社 封止用樹脂組成物
WO2018181597A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 ナガセケムテックス株式会社 実装構造体の製造方法およびこれに用いられるシート材

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102786885A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 日东电工株式会社 半导体装置制造用的胶粘片

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0525190A (ja) * 1991-07-19 1993-02-02 Nippon Kayaku Co Ltd 新規薬理活性物質クリソスポリン及びその製造法
JP3010094B2 (ja) * 1992-03-05 2000-02-14 日東電工株式会社 半導体装置
JP2002053733A (ja) * 2000-08-08 2002-02-19 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法
JP2003313399A (ja) * 2002-04-18 2003-11-06 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2007224167A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置
JP5133598B2 (ja) * 2007-05-17 2013-01-30 日東電工株式会社 封止用熱硬化型接着シート
JP5426511B2 (ja) * 2009-11-30 2014-02-26 パナソニック株式会社 封止用エポキシ樹脂組成物シート及びこれを用いて封止した中空型デバイス

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102786885A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 日东电工株式会社 半导体装置制造用的胶粘片

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