CN105229780A - 电子部件装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体装置的制造方法，其具备：工序A，准备在被安装体上安装有多个电子部件的层叠体；工序B，准备外周长度为500mm以上的热固化性的密封用片；工序C，以安装有电子部件的面朝上的方式将层叠体配置在加热板上，并且，在层叠体的安装有电子部件的面上配置密封用片；和工序D，在工序C之后，进行热压，通过将电子部件埋入密封片来进行密封。

Description

电子部件装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种电子部件装置的制造方法。
背景技术
近年来，已知有安装在安装基板上的电子部件的密封所使用的密封用片(例如，参照专利文献1)。
专利文献1中记载有，通过在安装于安装基板上的电子部件上配置密封用片，并在规定条件下对密封用片进行压制，而将电子部件埋入密封用片，之后，使密封用片固化，由此制作密封有电子部件的电子部件装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2013－7028号公报
发明内容
发明要解决的问题
在将电子部件埋入密封用片的情况下，从减少之后的工艺中的不良情况的观点出发，期待密封用片对电子部件的追随性较高。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够提高密封用片对电子部件的追随性的电子部件装置的制造方法。
用于解决问题的方法
本发明人等发现通过采用下述的构成可以解决前述问题，进而完成本发明。
即，本发明是一种电子部件装置的制造方法，其特征在于，具备：
工序A，准备在被安装体上安装有多个电子部件的层叠体；
工序B，准备外周长度为500mm以上的热固化性的密封用片；
工序C，以安装有上述电子部件的面朝上的方式将上述层叠体配置在加热板上，并且，在上述层叠体的安装有上述电子部件的面上配置上述密封用片；和
工序D，在上述工序C之后，进行热压，将上述电子部件埋入上述密封用片。
根据本发明的电子部件装置的制造方法，以安装有上述电子部件的面朝上的方式将上述层叠体配置于加热板上，并且，在上述层叠体的安装有上述电子部件的面上配置上述密封用片(工序C)。之后，进行热压而将上述电子部件埋入上述密封用片(工序D)。因此，在使层叠体介于加热板与密封用片之间的状态下，进行将电子部件埋入密封用片的工序。由于在加热板与密封用片之间隔着层叠体，因此加热板的热难以传递至密封用片。其结果是，密封用片成为不易热固化的状态，可维持低粘度的状态、即流动性较高的状态。而且，在该状态下进行埋入工序。其结果是，可提高密封用片对电子部件的追随性。
特别是，在利用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片对多个电子部件进行密封的情况下，可期待密封用片对电子部件的追随性更高。
本发明中，由于在加热板与密封用片之间隔着层叠体，因此即使在利用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片对多个电子部件进行密封的情况下，也能够确保密封用片对电子部件的充分的追随性。
需要说明的是，所谓密封用片的外周长度是指密封用片外侧的周围的长度总体，例如，当密封用片为矩形时，是指[(纵向长度)×2+(横向长度)×2]，当密封用片为圆形时，是指圆周总体的长度[2×π×(半径)]。
在上述构成中，上述密封用片优选是通过涂布混炼物而形成的。如果涂布混炼物而形成密封用片，则厚度的调整变得容易。另外，在形成密封用片时，空气的进入得到抑制。特别是在形成外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片的情况下，空气进入的抑制变得显著。如此，根据上述构成，可以得到厚度调整较为容易且成品率较高的密封用片。其结果是，可提高使用该密封用片而制造的电子部件装置的可靠性。
在上述构成中，上述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度优选为100000Pa·s以下。如果上述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下，则可以提高电子部件向密封用片的埋入性。
发明效果
根据本发明，可以提供能够提高密封用片对电子部件的追随性的电子部件装置的制造方法。
附图说明
图1是用于说明本发明的一实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图2是用于说明本发明的一实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图3是用于说明本发明的一实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图4是用于说明本发明的一实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图5是用于说明本发明的一实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图6是用于说明本发明的一实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图7是用于说明实施例的埋入性评价的方法的正面示意图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不仅限定于这些实施方式。
本实施方式的电子部件装置的制造方法至少具备：
工序A，准备在被安装体上安装有多个电子部件的层叠体；
工序B，准备外周长度为500mm以上的热固化性的密封用片；
工序C，以安装有上述电子部件的面朝上的方式将上述层叠体配置在加热板上，并且，在上述层叠体的安装有上述电子部件的面上配置上述密封用片；和
工序D，在上述工序C之后，进行热压，通过将上述电子部件埋入上述密封片来进行密封。
作为上述电子部件，只要是被安装在被安装体上、并且发挥作为电子部件功能的电子部件，就没有特别限定，例如，可以列举SAW(SurfaceAcousticWave)滤波器；压力传感器、振动传感器等MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)；LSI等IC、晶体管等半导体元件；电容器；电阻等电子器件。
作为上述被安装体，没有特别限定，可以列举印刷布线基板、半导体晶片等。
作为上述层叠体的具体例子，可以列举使用半导体元件(例如，半导体芯片)作为上述电子部件并使用半导体晶片作为上述被安装体、实施CoW(chiponwafer)连接而得的层叠体。
以下，对于使用半导体芯片作为上述电子部件、使用半导体晶片作为上述被安装体的情况进行说明。
图1～图6是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
[准备层叠体的工序]
如图1所示，在本实施方式的电子部件装置的制造方法中，首先准备在半导体晶片22上安装有多个半导体芯片23的层叠体20(工序A)。半导体芯片23可以通过采用公知方法切割形成有电路的半导体晶片使其单片化而形成。半导体芯片23向半导体晶片22的搭载，可以使用倒装芯片焊接机、芯片接合机等公知装置。半导体芯片23和半导体晶片22通过凸块(未图示)等突起电极进行电连接。另外，半导体芯片23和半导体晶片22之间的距离可以适当设定，一般为15～50μm左右。在该间隙中可以填充密封树脂(底部填料)。
[准备密封用片的工序]
另外，在本实施方式的电子部件装置的制造方法中，如图2所示，准备外周长度为500mm以上的热固化性的密封用片10(工序B)。密封用片10也可以按照层叠在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等支承体上的状态来准备。这种情况下，为了容易地在支承体上进行密封用片10的剥离，也可以实施脱模处理。
(密封用片)
密封用片10的外周长度为500mm以上，优选为800mm以上。另外，密封用片10的外周长度的上限没有特别限定，但考虑到实用的范围，例如可以设为3000mm以下。在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片10对多个半导体芯片23进行密封时，希望密封用片10对半导体芯片23的追随性更高。在本实施方式中，如后所述，由于在加热板32与密封用片10之间隔着层叠体20(参照图3)，因此即使在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片10对多个半导体芯片23进行密封时，也能够确保密封用片10对半导体芯片23的充分的追随性。
密封用片10优选包含环氧树脂及作为固化剂的酚醛树脂。由此，可获得良好的热固化性。
作为上述环氧树脂，没有特别限定。例如，可以使用三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、苯酚线型酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。
从确保环氧树脂固化后的韧性以及环氧树脂的反应性的观点考虑，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃的常温下为固态的环氧树脂，其中，从可靠性的观点考虑，更优选三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
上述酚醛树脂只要是与环氧树脂之间发生固化反应的酚醛树脂，就没有特别限定。例如，可以使用苯酚线型酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、甲酚线型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。
作为上述酚醛树脂，从与环氧树脂的反应性的观点考虑，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的酚醛树脂，其中，从固化反应性高的观点考虑，可以适宜使用苯酚线型酚醛树脂。另外，从可靠性的观点考虑，还可以适当地使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂这样的低吸湿性酚醛树脂。
从固化反应性的观点考虑，环氧树脂与酚醛树脂的配合比例优选按照相对于环氧树脂中的环氧基1当量而酚醛树脂中的羟基合计为0.7～1.5当量的方式进行配合，更优选为0.9～1.2当量。
密封用片10中的环氧树脂和酚醛树脂的合计含量优选为2.5重量％以上，更优选为3.0重量％以上。如果为2.5重量％以上，则可以良好地获得对于电子部件、被安装体等的粘接力。密封用片10中的环氧树脂和酚醛树脂的合计含量优选为20重量％以下，更优选为10重量％以下。如果为20重量％以下，则可以降低吸湿性。
密封用片10优选含有热塑性树脂。由此，可以得到未固化时的操作性、固化物的低应力性。
作为上述热塑性树脂，可以列举天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、乙烯－丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6－尼龙、6,6－尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂、苯乙烯－异丁烯－苯乙烯嵌段共聚物等。这些热塑性树脂可以单独使用，或者可以并用2种以上。其中，从低应力性、低吸水性之类的观点考虑，优选苯乙烯－异丁烯－苯乙烯嵌段共聚物。
密封用片10中的热塑性树脂的含量优选为1.5重量％以上，更优选为2.0重量％以上。如果为1.5重量％以上，则可以获得柔软性、挠性。密封用片10中的热塑性树脂的含量优选为6重量％以下，更优选为4重量％以下。如果为4重量％以下，则与电子部件、被安装体的粘接性良好。
密封用片10优选含有无机填充剂。
上述无机填充剂没有特别限定，可以使用以往公知的各种填充剂，例如，可以列举石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼的粉末。它们可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，从可以良好地降低线膨胀系数的理由出发，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。
作为二氧化硅，优选二氧化硅粉末，更优选熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅粉末，可以列举球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，而从流动性之类的观点出发，优选球状熔融二氧化硅粉末。其中，平均粒径优选为10～30μm的范围，更优选为15～25μm的范围。
需要说明的是，对于平均粒径，例如，可以通过使用从母集团中任意抽取的试样，并使用激光衍射散射式粒度分布测定装置进行测定而导出。
密封用片10中的上述无机填充剂的含量相对于密封用片10总体而优选为85～95重量％，更优选为88～95重量％。如果上述无机填充剂的含量相对于密封用片10总体而为85重量％以上，则可以将热膨胀率抑制在较低水平，由此能够抑制由热冲击所致的机械性的破坏。其结果是，另一方面，如果上述无机填充剂的含量相对于密封用片10总体为95重量％以下，则柔软性、流动性、粘接性变得更为良好。
密封用片10优选含有固化促进剂。
作为固化促进剂，只要是促进环氧树脂与酚醛树脂的固化的固化促进剂，就没有特别限定，例如，可以列举：三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸酯等有机磷系化合物；2－苯基－4,5－二羟基甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羟基甲基咪唑等咪唑系化合物等。其中，从即使混炼时温度上升，固化反应也不会激烈进行，可以良好地制作密封用片10之类的理由考虑，优选2－苯基－4,5－二羟基甲基咪唑。
固化促进剂的含量相对于环氧树脂和酚醛树脂的合计100重量份优选为0.1～5重量份。
密封用片10优选含有阻燃剂成分。由此，可以减少因部件短路、发热等而着火时的燃烧扩大。作为阻燃剂组成分，例如，可以使用氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；膦腈系阻燃剂等。
从即使少量也可以发挥阻燃效果的观点考虑，膦腈系阻燃剂中含有的磷元素的含有率优选为12重量％以上。
密封用片10中的阻燃剂成分的含量在全部有机成分(除了无机填料外)中优选为10重量％以上，更优选为15重量％以上。如果为10重量％以上，则可以得到良好的阻燃性。密封用片10中热塑性树脂的含量优选为30重量％以下，更优选为25重量％以下。如果为30重量％以下，则存在固化物的物性下降(具体而言，玻璃化转变温度、高温树脂强度等物性的下降)较小的倾向。
密封用片10优选含有硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，其没有特别限定，可以列举3－缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷等。
密封用片10中的硅烷偶联剂的含量优选为0.1～3重量％。如果为0.1重量％以上，则可以充分获得固化物的强度，可以降低吸水率。如果为3重量％以下，则可以降低逸气量。
密封用片10优选含有颜料。作为颜料，没有特别限定，可以列举炭黑等。
密封用片10中的颜料的含量，优选为0.1～2重量％。如果为0.1重量％以上，则在通过激光标示等进行标示时，可以获得良好的标示性。如果为2重量％以下，则可以得到充分的固化物强度。
需要说明的是，在树脂组合物中，除了上述各成分以外，可以根据需要适当地配合其他添加剂。
密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度优选为100000Pa·s以下，更优选为50000Pa·s以下。如果密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下，则可以提高半导体芯片23(电子部件)向密封用片10的埋入性。
另外，密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度优选为1000Pa·s以上，更优选为10000Pa·s以上，进一步优选大于20000Pa·s，特别优选大于25000Pa·s。如果密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度为1000Pa·s以上，则可以抑制在层叠体20之上配置密封用片10时，密封用片10的外周部分(正下方没有电子部件的部分)下垂的情形，并且可以抑制在密封用片与安装基板之间关入空气的状态下进行压制的情形。结果是，在压制后得到的电子部件装置中不易引起空隙的产生。
密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度，可以通过热塑性树脂、热固化性树脂、无机填充剂等的添加量进行控制。
密封用片10可以是单层结构，也可以是将2片以上的密封用片进行层叠而得的多层结构，从没有层间剥离的风险，以及容易提高片厚度的均匀性的理由出发，优选单层结构。
密封用片10的厚度没有特别限定，从作为密封用片使用的观点考虑，例如为50μm～2000μm。
密封用片10的制造方法没有特别限定，但优选为：制备用于形成密封用片10的树脂组合物的混炼物，并涂布所得的混炼物的方法；或将所得的混炼物塑性加工为片状的方法。由此，由于可以不使用溶剂来制作密封用片10，因此可以抑制电子部件(半导体芯片23)因挥发的溶剂而受到影响的情形。
具体而言，使用混合辊、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机对后述的各成分进行熔融混炼而制备混炼物，通过涂布或塑性加工使所得的混炼物成为片状。作为混炼条件，温度优选为上述各成分的软化点以上，例如为30～150℃，如果考虑环氧树脂的热固化性，则优选为40～140℃，进一步优选为60～120℃。时间例如为1～30分钟，优选为5～15分钟。
混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行。由此，在可以进行脱气，并且可以防止气体向混炼物的侵入。减压条件下的压力优选为0.1kg/cm2以下，更优选为0.05kg/cm2以下。减压下的压力下限没有特别限定，例如为1×10－4kg/cm2以上。
在通过涂布混炼物而形成密封用片10的情况下，熔融混炼后的混炼物优选不冷却而直接在高温状态下进行涂布。作为涂布方法，没有特别限制，可以列举棒涂法、刮刀涂布法、狭缝模涂布法等。作为涂布时的温度，优选为上述各成分的软化点以上，如果考虑环氧树脂的热固化性和成形性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，进一步优选为70～120℃。
在对混炼物进行塑性加工而形成密封用片10的情况下，熔融混炼后的混炼物优选不冷却而直接在高温状态下进行塑性加工。作为塑性加工方法，没有特别限制，可以列举平板压制法、T模挤出法、螺旋模挤出法、辊压延法、辊混炼法、吹塑挤出法、共挤出法、压延成形法等。作为塑性加工温度，优选为上述各成分的软化点以上，如果考虑环氧树脂的热固化性和成形性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，进一步优选为70～120℃。
需要说明的是，密封用片10还可以通过将用于形成密封用片10的树脂等溶解、分散在适当的溶剂中来制备清漆，并涂布该清漆而得到。
[配置密封用片和层叠体的工序]
在准备层叠体的工序(工序A)、以及准备密封用片的工序(工序B)之后，如图3所示，以安装有半导体芯片23的面朝上的方式将层叠体20配置在下侧加热板32上，并且，在层叠体20的安装有半导体芯片23的面上配置密封用片10(工序C)。在该工序C中，可以在下侧加热板32上首先配置层叠体20，之后，在层叠体20上配置密封用片10；也可以在层叠体20上预先层叠密封用片10，之后，将层叠有层叠体20及密封用片10的层叠物配置在下侧加热板32上。
[将电子部件埋入密封用片的工序]
上述工序C之后，如图4所示，利用下侧加热板32和上侧加热板34进行热压，将半导体芯片23(电子部件)埋入密封用片10(工序D)。密封用片10作为用于保护半导体芯片23及其附带的要素免受外部环境影响的密封树脂发挥作用。由此，可以得到安装在半导体晶片22上的半导体芯片23被埋入密封用片10的结构体26。
作为将半导体芯片23埋入密封用片10时的热压条件，温度例如为40～100℃，优选为50～90℃，压力例如为0.1～10MPa，优选为0.5～8MPa，时间例如为0.3～10分钟，优选为0.5～5分钟。由此，可以得到半导体芯片23被埋入密封用片10的电子部件装置。另外，如果考虑密封用片10对半导体芯片23和半导体晶片22的密合性和追随性的提高，则优选在减压条件下进行压制。
作为上述减压条件，压力例如为0.1～5kPa，优选为0.1～100Pa，减压保持时间(自减压开始至压制开始的时间)例如为5～600秒，优选为10～300秒。
[热固化工序]
接着，对密封用片10进行热固化处理而形成电子部件装置28(参照图5)。具体而言，例如，对安装在半导体晶片22上的半导体芯片23被埋入密封用片10而成的结构体26整体进行加热，由此得到密封体28。
作为热固化处理的条件，加热温度优选为100℃以上，更优选为120℃以上。另一方面，加热温度的上限优选为200℃以下，更优选为180℃以下。加热时间优选为10分钟以上，更优选为30分钟以上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟以下，更优选为120分钟以下。另外，可以根据需要进行加压，压力优选为0.1MPa以上，更优选为0.5MPa以上。另一方面，上限优选为10MPa以下，更优选为5MPa以下。
[切割工序]
接着，可以进行密封体28的切割(参照图6)。由此，可以得到基于半导体芯片23单位的电子部件装置29。
[基板安装工序]
根据需要，可以对电子部件装置29(对于半导体晶片22的与半导体芯片23相反一侧的面)形成再布线和凸块，并将其安装于另外的基板(未图示)来进行基板安装工序。电子部件装置29向上述另外的基板的安装中，可以使用倒装芯片焊接机、芯片接合机等公知的装置。在进行该基板安装工序的情况下，可以得到FOWLP(扇出型晶片等级封装)。
以上，根据本实施方式的电子部件装置的制造方法，以安装有半导体芯片23的面朝上的方式将层叠体20配置在下侧加热板32上，并且在层叠体20的安装有半导体芯片23的面上配置密封用片10(工序C)。之后，进行热压，将半导体芯片23埋入密封用片10中(工序D)。因此，在使层叠体20介于下侧加热板32与密封用片10之间的状态下，进行将半导体芯片23埋入密封用片10的工序。由于在下侧加热板32与密封用片10之间隔着层叠体20，因此下侧加热板32的热难以传递至密封用片10。其结果是，密封用片10成为难以热固化的状态，可以维持低粘度的状态、即流动性较高的状态。而且，在该状态下进行埋入工序。其结果是，可以提高密封用片10对半导体芯片23的追随性。
特别是在利用外周长度为500mm以上之类的大面积密封用片10对多个半导体芯片23进行密封的情况下，可期待密封用片10对于半导体芯片23的追随性更高。
本实施方式中，由于在下侧加热板32与密封用片10之间隔着层叠体20，因此即使在利用外周长度为500mm以上的大面积的密封用片10对多个半导体芯片23进行密封的情况下，也可确保密封用片10对于半导体芯片23的充分的追随性。
在上述实施方式中，对使用半导体芯片23作为本发明的电子部件、使用半导体晶片22作为被安装体的情况进行了说明，但本发明并不限定于该例子，在使用半导体芯片以外的部件作为上述电子部件、使用半导体晶片以外的材料作为上述被安装体的情况下，也可以应用上述电子部件装置的制造方法。
实施例
以下，例示性地对本发明的优选实施例进行详细说明。但是，该实施例中记载的材料、配合量等只要不是特别限定的记载，则并没有将该发明的范围仅限定于此的意思。
对实施例中使用的成分进行说明。
环氧树脂a：新日铁化学(株)制的YSLV－80XY(双酚F型环氧树脂，环氧当量为200g/eq，软化点为80℃)
酚醛树脂a：明和化成公司制的MEH－7851－SS(具有联苯芳烷基骨架的酚醛树脂，羟基当量为203g/eq，软化点为67℃)
无机填充剂a：电气化学工业公司制的FB－9454FC(熔融球状二氧化硅，平均粒径为20μm)
固化促进剂a：四国化成工业公司制的2PHZ－PW(2－苯基－4,5－二羟基甲基咪唑)
热塑性树脂a：Kaneka公司制的SIBSTER072T(苯乙烯－异丁烯－苯乙烯嵌段共聚物)
(密封用片的制作)
实施例1～2、比较例1
按照表1记载的配合比，配合各成分，并使用辊式混炼机在60～120℃、10分钟、减压条件下(0.01kg/cm2)下进行熔融混炼，制备混炼物。接着，在120℃的条件下，通过狭缝模法涂布得到的混炼物，形成为片状，制作表1所示厚度的密封用片。需要说明的是，实施例、比较例的密封用片的外周长度均设为1400mm(纵向350mm×横向350mm)。
(最低熔融粘度的测定)
将使用粘弹性测定装置ARES(RHEOMETRICSCIENTIFIC公司制)测定各样品时的0～200℃下的熔融粘度的最低值设为最低熔融粘度。测定条件设为升温速度10℃/min、翘曲：20％、频率：0.1Hz。将结果示于表1。
(安装有电子部件的基板的准备)
准备安装有电子部件的基板。基板使用直径为300mm、厚度为700μm的半导体晶片。电子部件使用纵向10mm、10mm、厚度为500μm的半导体芯片，并在上述基板上隔开10mm的间隔(1个电子部件的端部与相邻电子部件的端部的距离)，安装为纵向14个×横向14个。需要说明的是，凸块的高度为50μm。
(评价用样品的制作)
关于实施例1～2，在瞬时真空层叠装置VS008－1515(MIKADOTECHNOS(株)制)的下侧加热板上，以安装有电子部件的面朝上的方式配置上述基板，并在其上配置密封用片。之后，在减压下进行热压。
关于比较例1，在瞬时真空层叠装置VS008－1515(MIKADOTECHNOS(株)制)的下侧加热板上配置密封用片，并在其上，以安装有电子部件的面朝下的方式配置上述基板。之后，在减压下进行热压。热压条件如表1所示。
热压后，在150℃的烘箱中加热1小时。之后，自然冷却至室温(23℃)而制成评价用样品。
(凹凸追随性评价)
对于各样品，使用测定显微镜系统(CCS－COREPLUS、Innotech公司制造)随机地测定30点处的基板的下表面至密封用片的上表面的厚度。算出此时的最大值与最小值的差，将该差小于50μm的情形评价为○，将50μm以上且小于100μm的情形评价为△，将100μm以上的情形评价为×。将结果示于表1。
(埋入性的评价)
使用自动研磨装置(BUEHLER制造、Automet250Ecomet250)对各样品进行研磨并观察剖面。图7是用于说明实施例的埋入性评价的方法的正面示意图。在剖面观察中，将间隙距离芯片端部的距离Z(参照图7)小于200μm的情形评价为○，将200μm以上且小于500μm的情形评价为△、将500μm以上的情形评价为×。将结果示于表1。
表1
10…密封用片
20…层叠体
22…半导体晶片(被安装体)
23…半导体芯片(电子部件)
28…电子部件装置
32…下侧加热板

Claims (3)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
工序A，准备在被安装体上安装有多个电子部件的层叠体；
工序B，准备外周长度为500mm以上的热固化性的密封用片；
工序C，以安装有所述电子部件的面朝上的方式将所述层叠体配置在加热板上，并且，在所述层叠体的安装有所述电子部件的面上配置所述密封用片；和
工序D，在所述工序C之后，进行热压，通过将所述电子部件埋入所述密封片来进行密封。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述密封用片是通过涂布混炼物而形成的。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件装置的制造方法，其特征在于，
所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下。
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