CN105210184A - 电子部件装置的制造方法、层叠片、以及电子部件装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体装置的制造方法，其具备：工序A，准备在被安装体上安装有电子部件的层叠体；工序B，准备层叠片，该层叠片具有用于密封电子部件的密封用片、和由不同于密封用片的材质形成的功能层；工序C，以安装有电子部件的面朝上的方式将层叠体配置在加热板上，并且，以将密封用片表面作为下侧的方式将层叠片配置在层叠体的安装有电子部件的面上；和工序D，在工序C之后，进行热压，通过将电子部件埋入密封用片来进行密封，在工序D之后，功能层的侧面的至少一部分被构成密封用片的树脂被覆。

Description

电子部件装置的制造方法、层叠片、以及电子部件装置
技术领域
本发明涉及电子部件装置的制造方法、用于该电子部件装置的制造方法的层叠片、以及电子部件装置。
背景技术
一直以来，用于半导体元件密封的密封用片是已知的。
专利文献1公开了一种在由金属箔构成的基材面上形成有由含有特定成分的环氧树脂组合物构成的树脂组合物层的半导体元件密封用片。专利文献1中记载了，使安装于吸附头的半导体元件密封用片与配置于模具中的半导体元件压接，并且，用内藏在吸附头内的加热器加热半导体元件密封用片，将树脂组合物层加热熔融，接着使树脂组合物层加热固化，从模具中脱模，由此半导体元件的一侧被密封树脂层树脂密封，进而可以得到在密封树脂层表面设置了金属箔的半导体装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000－174045号公报
发明内容
发明要解决的问题
在半导体装置等电子部件装置中，希望密封半导体元件的树脂不会发生破裂或缺损。
本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于，提供一种能够抑制将电子部件密封的树脂发生破裂或缺损的电子部件装置的制造方法、以及层叠片。另外，还提供一种抑制了将电子部件密封的树脂发生破裂或缺损的情况的电子部件装置。
用于解决问题的方法
本发明人等发现通过采用下述的构成可以解决前述问题，进而完成本发明。
即，本发明是一种电子部件装置的制造方法，其特征在于，具备：
工序A，准备在被安装体上安装有电子部件的层叠体；
工序B，准备层叠片，该层叠片具有用于密封电子部件的密封用片、和由不同于所述密封用片的材质形成的功能层；
工序C，以安装有所述电子部件的面朝上的方式将所述层叠体配置在加热板上，并且，以将所述密封用片作为下侧的方式将所述层叠片配置在所述层叠体的安装有所述电子部件的面上；和
工序D，在所述工序C之后，进行热压，通过将所述电子部件埋入所述密封用片来进行密封，
在所述工序D之后，所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆。
根据本发明的电子部件装置的制造方法，其具有进行热压，通过将所述电子部件埋入所述密封用片来进行密封的工序D，并且在所述工序D之后，所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆。在将电子部件密封的树脂中，特别是在角部分容易发生破裂缺损。然而，根据本发明的电子部件装置的制造方法，由于所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆，因此可以抑制密封用片的角部分的破裂或缺损。
在所述构成中，优选为，当将所述功能层的厚度设为h，将所述功能层的被所述树脂被覆的部分的厚度设为d时，所述工序D之后的所述d为[0.01×h]以上且[0.99×h]以下。如果所述工序D之后的所述d为[0.01×h]以上，则可以更适宜地抑制密封用片的角部分的破裂或缺损。另一方面，如果所述工序D之后的所述d为[0.99×h]以下，则可以防止制造用的装置(例如，上侧加热板)被所述树脂污染。
在所述构成中，优选为所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下。如果所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下，则热压时的熔融粘度为100000Pa·s以下。其结果是可以容易地形成功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆的结构。
在所述构成中，优选为，所述密封用片与所述功能层在俯视下为相同形状，所述层叠片的外周长度为500mm以上。在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片对多个电子部件进行密封时，希望密封用片对电子部件的追随性更高。
在本发明中，由于在加热板和密封用片之间隔着层叠体，因此即使在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片对多个电子部件进行密封时，也能够确保密封用片对电子部件的充分追随性。
需要说明的是，所谓密封用片的外周长度是指密封用片外侧的周围的长度总体，例如，当密封用片为矩形时，是指[(纵向长度)×2+(横向长度)×2]，当密封用片为圆形时，是指圆周总体的长度[2×π×(半径)]。
在所述构成中，所述密封用片优选含有环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂。通过形成所述构成，可以提高电子部件的长期可靠性。
另外，本发明是一种层叠片，其特征在于，在之前所述的电子部件装置的制造方法中使用。
如果在之前所述的电子部件装置的制造方法中使用所述层叠片，则通过所述工序D，可以利用构成所述密封用片的树脂将所述功能层的侧面的至少一部分被覆。其结果是，对于使用该层叠片制造的电子部件装置，密封用片的角部分的破裂或缺损得到抑制。
在所述构成中，优选为，所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下。如果所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下，则热压时的熔融粘度为100000Pa·s以下。其结果是，可以容易地形成功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆的结构。
在所述构成中，优选为，所述密封用片与所述功能层在俯视下为相同形状，并且所述层叠片的外周长度为500mm以上。在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片对多个电子部件进行密封时，希望密封用片对电子部件的追随性更高。
在本发明中，由于在加热板和密封用片之间隔着层叠体，因此即使在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片对多个电子部件进行密封时，也能够确保密封用片对电子部件的充分的追随性。
在所述构成中，所述密封用片优选含有环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂。通过形成所述构成，可以提高电子部件的长期可靠性。
另外，本发明是一种电子部件装置，其特征在于，具有：
在被安装体上安装有电子部件的层叠体；
密封所述电子部件的密封用片；和
层叠在所述密封用片的与所述电子部件相反一侧的功能层，
所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆。
根据所述构成，所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆。在将电子部件密封的树脂中，特别是在角部分容易发生破裂缺损。然而，根据本发明的电子部件装置，由于所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆，因此可以抑制密封用片角部分的破裂或缺损。
发明效果
根据本发明，可以提供一种能够抑制将电子部件密封的树脂发生破裂或缺损的电子部件装置的制造方法、以及层叠片。此外，还提供一种抑制了将电子部件密封的树脂发生破裂或缺损的情况的电子部件装置。
附图说明
图1是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图2是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图3是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图4(a)和图4(b)是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图5是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
图6是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不仅限定于这些实施方式。
本实施方式的电子部件装置的制造方法至少具备：
工序A，准备在被安装体上安装有电子部件的层叠体；
工序B，准备层叠片，该层叠片具有用于密封电子部件的密封用片、和由不同于所述密封用片的材质形成的功能层；
工序C，以安装有所述电子部件的面朝上的方式将所述层叠体配置在加热板上，并且，以将所述密封用片作为下侧的方式将所述层叠片配置在所述层叠体的安装有所述电子部件的面上；和
工序D，在所述工序C之后，进行热压，通过将所述电子部件埋入所述密封用片来进行密封，
在所述工序D之后，所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆。
作为所述电子部件，只要是被安装在被安装体上、并且发挥作为电子部件功能的电子部件，就没有特别限定，例如，可以列举SAW(SurfaceAcousticWave)滤波器；压力传感器、振动传感器等MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)；LSI等IC、晶体管等半导体元件；电容器；电阻等电子器件。
作为所述被安装体，没有特别限定，可以列举印刷布线基板、半导体晶片等。
作为所述层叠体的具体例子，可以列举使用半导体元件(例如，半导体芯片)作为所述电子部件并使用半导体晶片作为所述被安装体，而实施CoW(chiponwafer)连接而得的层叠体。
以下，对于使用半导体芯片作为所述电子部件、使用半导体晶片作为所述被安装体的情况进行说明。
图1～图6是用于说明本发明的一种实施方式的电子部件装置的制造方法的剖面示意图。需要说明的是，图4(b)是图4(a)的部分放大图。
[准备层叠体的工序]
如图1所示，在本实施方式的电子部件装置的制造方法中，首先准备在半导体晶片22上安装有半导体芯片23的层叠体20(工序A)。需要说明的是，在图1中，示出了将多个半导体芯片23w安装在半导体晶片22上的情况，但本发明中，安装在被安装体上的电子部件的数量也可以是1个。半导体芯片23可以通过采用公知方法切割形成有电路的半导体晶片进行单片化而形成。半导体芯片23向半导体晶片22的搭载，可以使用倒装芯片焊接机、芯片接合机等公知装置。半导体芯片23和半导体晶片22通过凸块(未图示)等突起电极进行电连接。另外，半导体芯片23和半导体晶片22之间的距离可以适当设定，一般为15～50μm左右。在该间隙中可以填充密封树脂(底部填料)。
[准备层叠片的工序]
另外，在本实施方式的电子部件装置的制造方法中，如图2所示，准备层叠片8，层叠片8是通过将用于密封电子部件的密封用片10、和由不同于密封用片10的材质形成的功能层12层叠而成的(工序B)。层叠片8也可以按照将密封用片10侧作为贴合面、而层叠在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等支承体上的状态来准备。这种情况下，为了容易地在支承体上进行密封用片10的剥离，也可以实施脱模处理。
需要说明的是，在本实施方式中，对于层叠片为密封用片10和功能层12层叠而成的2层构成的情况进行说明，但本发明中的层叠片只要具有密封用片和功能层，则并不限定于该例子，也可以进一步层叠其他层。
(密封用片)
密封用片10优选含有环氧树脂和酚醛树脂。由此，可以得到良好的热固化性。
作为所述环氧树脂，没有特别限定。例如，可以使用三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、改性双酚A型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、改性双酚F型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、苯酚线型酚醛型环氧树脂、苯氧基树脂等各种环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。
从确保环氧树脂固化后的韧性以及环氧树脂的反应性的观点考虑，优选环氧当量为150～250、软化点或熔点为50～130℃的常温下为固态的环氧树脂，其中，从可靠性的观点考虑，更优选三苯基甲烷型环氧树脂、甲酚线型酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂。
所述酚醛树脂只要是与环氧树脂之间发生固化反应的酚醛树脂，就没有特别限定。例如，可以使用苯酚线型酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂、二环戊二烯型酚醛树脂、甲酚线型酚醛树脂、甲阶酚醛树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以并用2种以上。
作为所述酚醛树脂，从与环氧树脂的反应性的观点考虑，优选使用羟基当量为70～250、软化点为50～110℃的酚醛树脂，其中，从固化反应性高的观点考虑，可以适宜使用苯酚线型酚醛树脂。另外，从可靠性的观点考虑，还可以适当地使用苯酚芳烷基树脂、联苯芳烷基树脂这样的低吸湿性酚醛树脂。
从固化反应性的观点考虑，环氧树脂与酚醛树脂的配合比例优选按照相对于环氧树脂中的环氧基1当量而酚醛树脂中的羟基合计为0.7～1.5当量的方式进行配合，更优选为0.9～1.2当量。
密封用片10中的环氧树脂和酚醛树脂的合计含量优选为2.0重量％以上，更优选为3.0重量％以上。如果为2.0重量％以上，则可以良好地得到对于电子部件、被安装体等的粘接力。密封用片10中的环氧树脂和酚醛树脂的合计含量优选为20重量％以下，更优选为10重量％以下。如果为20重量％以下，则可以降低吸湿性。
密封用片10优选含有热塑性树脂。由此，可以得到未固化时的操作性、固化物的低应力性。
作为所述热塑性树脂，可以列举天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、乙烯－丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6－尼龙、6,6－尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂、苯乙烯－异丁烯－苯乙烯嵌段共聚物等。这些热塑性树脂可以单独使用，或者可以并用2种以上。其中，从低应力性、低吸水性之类的观点考虑，优选苯乙烯－异丁烯－苯乙烯嵌段共聚物。
密封用片10中的热塑性树脂的含量优选为1.0重量％以上，更优选为1.5重量％以上。如果为1.0重量％以上，则可以获得柔软性、挠性。密封用片10中的热塑性树脂的含量优选为3.5重量％以下，更优选为3重量％以下。如果为3.5重量％以下，则与电子部件、被安装体的粘接性良好。
密封用片10优选含有无机填充剂。
所述无机填充剂没有特别限定，可以使用以往公知的各种填充剂，例如，可以列举石英玻璃、滑石、二氧化硅(熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等)、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮化硼的粉末。它们可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，从可以良好地降低线膨胀系数的理由出发，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。
作为二氧化硅，优选二氧化硅粉末，更优选熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅粉末，可以列举球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，而从流动性之类的观点出发，优选球状熔融二氧化硅粉末。其中，平均粒径优选为10～30μm的范围，更优选为15～25μm的范围。
需要说明的是，对于平均粒径，例如，可以通过使用从母集团中任意抽取的试样，并使用激光衍射散射式粒度分布测定装置进行测定而导出。
密封用片10中的所述无机填充剂的含量相对于密封用片10总体优选为80～95重量％，更优选为85～90重量％。如果所述无机填充剂的含量相对于密封用片10总体为80重量％以上，则可以提高长期可靠性。另一方面，如果所述无机填充剂的含量相对于密封用片10总体为95重量％以下，则柔软性、流动性、粘接性更加良好。
密封用片10优选含有固化促进剂。
作为固化促进剂，只要是促进环氧树脂与酚醛树脂的固化的固化促进剂，就没有特别限定，例如，可以列举：三苯基膦、四苯基鏻四苯基硼酸酯等有机磷系化合物；2－苯基－4,5－二羟基甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羟基甲基咪唑等咪唑系化合物等。其中，从即使混炼时温度上升，固化反应也不会激烈进行，可以良好地制作密封用片10之类的理由考虑，优选2－苯基－4,5－二羟基甲基咪唑。
固化促进剂的含量相对于环氧树脂和酚醛树脂的合计100重量份优选为0.1～5重量份。
密封用片10优选含有阻燃剂成分。由此，可以减少因部件短路、发热等而着火时的燃烧扩大。作为阻燃剂组成分，例如，可以使用氢氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铁、氢氧化钙、氢氧化锡、复合化金属氢氧化物等各种金属氢氧化物；膦腈系阻燃剂等。
从即使少量也可以发挥阻燃效果的观点考虑，膦腈系阻燃剂中含有的磷元素的含有率优选为12重量％以上。
密封用片10中的阻燃剂成分的含量在全部有机成分(除了无机填料外)中优选为10重量％以上，更优选为15重量％以上。如果为10重量％以上，则可以得到良好的阻燃性。密封用片10中热塑性树脂的含量优选为30重量％以下，更优选为25重量％以下。如果为30重量％以下，则存在固化物的物性下降(具体而言，玻璃化转变温度、高温树脂强度等物性的下降)较小的倾向。
密封用片10优选含有硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，其没有特别限定，可以列举3－缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷等。
密封用片10中的硅烷偶联剂的含量优选为0.1～3重量％。如果为0.1重量％以上，则可以充分获得固化物的强度，可以降低吸水率。如果为3重量％以下，则可以降低逸气量。
密封用片10优选含有颜料。作为颜料，没有特别限定，可以列举炭黑等。
密封用片10中的颜料的含量，优选为0.1～2重量％。如果为0.1重量％以上，则在通过激光标示等进行标示时，可以获得良好的标示性。如果为2重量％以下，则可以得到充分的固化物强度。
需要说明的是，在树脂组合物中，除了上述各成分以外，可以根据需要适当地配合其他添加剂。
密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度优选为100000Pa·s以下，更优选为50000Pa·s以下。如果所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下，则热压时的熔融粘度为100000Pa·s以下。结果是可以容易地形成功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆的结构。密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度可以通过热塑性树脂的添加量进行控制。
另外，密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度优选为1000Pa·s以上，更优选为10000Pa·s以上。如果密封用片10的0～200℃下的最低熔融粘度为1000Pa·s以上，则可以抑制在层叠体20之上配置密封用片10时，密封用片10的外周部分(正下方没有电子部件的部分)下垂的情形，并且可以抑制在密封用片与安装基板之间关入空气的状态下进行压制的情形。结果是，在压制后得到的电子部件装置中不易引起空隙的产生。
密封用片10在0～200℃下的最低熔融粘度，可以通过热塑性树脂、热固化性树脂、无机填充剂等的添加量进行控制。
密封用片10可以是单层结构，也可以是将2片以上的密封用片进行层叠而得的多层结构，从没有层间剥离的风险，以及容易提高片厚度的均匀性的理由出发，优选单层结构。
密封用片10的厚度没有特别限定，从作为密封用片使用的观点考虑，例如为50μm～2000μm。
密封用片10的制造方法没有特别限定，但优选为：制备用于形成密封用片10的树脂组合物的混炼物，并涂布所得的混炼物的方法；或将所得的混炼物塑性加工为片状的方法。由此，由于可以不使用溶剂来制作密封用片10，因此可以抑制电子部件(半导体芯片23)因挥发的溶剂而受到影响的情形。
具体而言，使用混合辊、加压式捏合机、挤出机等公知的混炼机对后述的各成分进行熔融混炼而制备混炼物，通过涂布或塑性加工使所得的混炼物成为片状。作为混炼条件，温度优选为上述各成分的软化点以上，例如为30～150℃，如果考虑环氧树脂的热固化性，则优选为40～140℃，进一步优选为60～120℃。时间例如为1～30分钟，优选为5～15分钟。
混炼优选在减压条件下(减压气氛下)进行。由此，在可以进行脱气，并且可以防止气体向混炼物的侵入。减压条件下的压力优选为0.1kg/cm2以下，更优选为0.05kg/cm2以下。减压下的压力下限没有特别限定，例如为1×10－4kg/cm2以上。
在通过涂布混炼物而形成密封用片10的情况下，熔融混炼后的混炼物优选不冷却而直接在高温状态下进行涂布。作为涂布方法，没有特别限制，可以列举棒涂法、刮刀涂布法、狭缝模涂布法等。作为涂布时的温度，优选为上述各成分的软化点以上，如果考虑环氧树脂的热固化性和成形性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，进一步优选为70～120℃。
在对混炼物进行塑性加工而形成密封用片10的情况下，熔融混炼后的混炼物优选不冷却而直接在高温状态下进行塑性加工。作为塑性加工方法，没有特别限制，可以列举平板压制法、T模挤出法、螺旋模挤出法、辊压延法、辊混炼法、吹塑挤出法、共挤出法、压延成形法等。作为塑性加工温度，优选为上述各成分的软化点以上，如果考虑环氧树脂的热固化性和成形性，则例如为40～150℃，优选为50～140℃，进一步优选为70～120℃。
需要说明的是，密封用片10还可以通过将用于形成密封用片10的树脂等溶解、分散在适当的溶剂中来制备清漆，并涂布该清漆而得到。
(功能层)
功能层8具有：在通过密封用片10密封半导体芯片23时，抑制密封用片10的角部分的破裂或缺损的功能；防止密封后的翘曲的功能。
作为构成功能层8的材质，可以适当地使用金属箔、塑料板。作为上述金属，可以列举42镍－铁合金(42合金)、SUS304等不锈钢、铜、铝、镍等。其中，从提高放热性的观点考虑，优选铜。
作为上述塑料板的原材料，例如，可以列举：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯－丙烯共聚物等烯烃系树脂；乙烯－乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯－(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等的以乙烯为单体成分的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；丙烯酸系树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；聚酰胺(尼龙)、全芳香族聚酰胺(芳香族聚酰胺)等酰胺系树脂；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈－丁二烯－苯乙烯共聚物)；纤维素系树脂；硅酮树脂；氟树脂等。
作为功能层8的厚度，优选为50～5000μm，更优选为100～1000μm。通过使功能层8的厚度为50μm以上，可以缓和密封后的翘曲，通过使其为5000μm以下，在压制时热容易传导至密封用片，可以提高电子部件的埋入性。
在层叠片8中，优选密封用片10与功能层7在俯视下为相同形状，并且层叠片8的外周长度为500mm以上，更优选为800mm以上。另外，层叠片8的外周长度的上限没有特别限定，而考虑到实用范围，例如，可以设为3000mm以下。在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片10对多个半导体芯片23进行密封时，希望密封用片10对半导体芯片23的追随性更高。在本实施方式中，如后所述，由于在下侧加热板32与密封用片10之间隔着层叠体20，因此即使在使用外周长度为500mm以上之类的大面积的密封用片10对多个半导体芯片23进行密封时，也能够确保密封用片10对半导体芯片23的充分的追随性。
层叠片8可以通过将密封用片10和功能层8进行层叠而得到。对于层叠方法没有特别限定，例如，可以列举：分别预先制成密封用片10和功能层8，并通过压接等将它们贴合在一起的方法；在功能层8上涂布用于形成密封用片的混炼物等的方法等。
[配置层叠片和层叠体的工序]
在准备层叠体的工序(工序A)、以及准备层叠片的工序(工序B)之后，如图3所示，以安装有半导体芯片23的面朝上的方式将层叠体20配置在下侧加热板32上，并且，以将密封用片10表面作为下侧的方式将层叠片8配置在层叠体20的安装有半导体芯片23的面上(工序C)。在该工序C中，可以在下侧加热板32上首先配置层叠体20，然后，在层叠体20上配置层叠片8；也可以在层叠体20上预先层叠层叠片8，然后，将层叠有层叠体20和层叠片8的层叠物配置在下侧加热板32上。
[将电子部件埋入密封用片的工序]
在所述工序C后，如图4(a)所示，通过下侧加热板32和上侧加热板34进行热压，将半导体芯片23(电子部件)埋入密封用片10(工序D)。密封用片10作为用于保护半导体芯片23及其附带的要素免受外部环境影响的密封树脂发挥作用。由此，可以得到安装在半导体晶片22上的半导体芯片23被埋入密封用片10的结构体26。
作为将半导体芯片23埋入密封用片10时的热压条件，温度例如为40～100℃，优选为50～90℃，压力例如为0.1～10MPa，优选为0.5～8MPa，时间例如为0.3～10分钟，优选为0.5～5分钟。由此，可以得到半导体芯片23被埋入密封用片10的电子部件装置。另外，如果考虑密封用片10对半导体芯片23和半导体晶片22的密合性和追随性的提高，则优选在减压条件下进行压制。
作为所述减压条件，压力例如为0.1～5kPa，优选为0.1～100Pa，减压保持时间(从减压开始到压制开始的时间)例如为5～600秒，优选为10～300秒。
工序D之后，即，将半导体芯片23(电子部件)埋入密封用片10之后，功能层8的侧面的至少一部分被构成密封用片10的树脂被覆(参照图4(b))。这样的构成如下获得：由于将半导体芯片23(电子部件)埋入密封用片10时的压力，结果构成密封用片10的树脂的一部分被挤出到侧面方向，并且功能层8的一部分被埋入密封用片10。
此处，当将工序D之后的功能层8的厚度设为h，将功能层8的被所述树脂被覆的部分(被构成密封用片10的树脂被覆的部分)的厚度设为d时，工序D之后的所述d优选为[0.01×h]以上，更优选为[0.05×h]以上。另外，工序D之后的所述d优选为[0.99×h]以下，更优选为[0.50×h]以下。如果所述工序D之后的所述d为[0.01×h]以上，则可以更适宜地抑制密封用片的角部分的破裂或缺损。另一方面，如果所述工序D之后的所述d为[0.99×h]以下，则可以防止制造用的装置(例如，上侧加热板34)被所述树脂污染。工序D之后的所述d的数值可以通过进行工序D时的条件(例如，压力、加压时间)、构成密封用片10的树脂的选择而进行控制。
[热固化工序]
接着，对密封用片10进行热固化处理而形成电子部件装置28(参照图5)。具体而言，例如，对安装在半导体晶片22上的半导体芯片23被埋入密封用片10而成的结构体26整体进行加热，由此得到密封体28。
作为热固化处理的条件，加热温度优选为100℃以上，更优选为120℃以上。另一方面，加热温度的上限优选为200℃以下，更优选为180℃以下。加热时间优选为10分钟以上，更优选为30分钟以上。另一方面，加热时间的上限优选为180分钟以下，更优选为120分钟以下。另外，可以根据需要进行加压，压力优选为0.1MPa以上，更优选为0.5MPa以上。另一方面，上限优选为10MPa以下，更优选为5MPa以下。
[切割工序]
接着，可以进行密封体28的切割(参照图6)。由此，可以得到基于半导体芯片23单位的电子部件装置29。
[基板安装工序]
根据需要，可以对电子部件装置29(对于半导体晶片22的与半导体芯片23相反一侧的面)形成再布线和凸块，并将其安装于另外的基板(未图示)来进行基板安装工序。电子部件装置29向所述另外的基板的安装中，可以使用倒装芯片焊接机、芯片接合机等公知的装置。在进行该基板安装工序的情况下，可以得到FOWLP(扇出型晶片等级封装)。
以上，根据本实施方式的电子部件装置的制造方法，具有进行热压而通过将半导体芯片23埋入密封用片10来进行密封的工序D，并且在所述工序D之后，功能层8的侧面的至少一部分被构成密封用片10的树脂被覆。在密封半导体芯片23的树脂中，特别是在角部分容易发生破裂缺损。然而，根据本实施方式的电子部件装置的制造方法，由于功能层8的侧面的至少一部分被构成密封用片10的树脂被覆，因此可以抑制密封用片10的角部分的破裂或缺损。
在上述实施方式中，对使用半导体芯片23作为本发明的电子部件、使用半导体晶片22作为被安装体的情况进行了说明，但本发明并不限定于该例子，在使用半导体芯片以外的部件作为所述电子部件、使用半导体晶片以外的材料作为所述被安装体的情况下，也可以应用上述电子部件装置的制造方法。
实施例
以下，例示性地对本发明的优选实施例进行详细说明。但是，该实施例中记载的材料、配合量等只要不是特别限定的记载，则并没有将该发明的范围仅限定于此的意思。
对实施例中使用的成分进行说明。
环氧树脂a：新日铁化学(株)制的YSLV－80XY(双酚F型环氧树脂，环氧当量为200g/eq，软化点为80℃)
酚醛树脂a：明和化成公司制的MEH－7851－SS(具有联苯芳烷基骨架的酚醛树脂，羟基当量为203g/eq，软化点为67℃)
无机填充剂a：电气化学工业公司制的FB－9454FC(熔融球状二氧化硅，平均粒径为20μm)
固化促进剂a：四国化成工业公司制的2PHZ－PW(2－苯基－4,5－二羟基甲基咪唑)
热塑性树脂a：Kaneka公司制的SIBSTER072T(苯乙烯－异丁烯－苯乙烯嵌段共聚物)
(密封用片的制作)
实施例1～2，比较例1
按照表1记载的配合比，配合各成分，并使用辊式混炼机在60～120℃、10分钟、减压条件下(0.01kg/cm2)下进行熔融混炼，制备混炼物。接着，在120℃的条件下，通过狭缝模法涂布得到的混炼物，形成为片状，制作表1所示厚度的密封用片。需要说明的是，实施例、比较例的各密封用片的形状为圆形，其直径、外周长度如表1所述。
(最低熔融粘度的测定)
将使用粘弹性测定装置ARES(RHEOMETRICSCIENTIFIC公司制)测定各样品时的0～200℃下的熔融粘度的最低值作为最低熔融粘度。测定条件设为升温速度10℃/min、翘曲：20％、频率：0.1Hz。
(层叠片的制作)
将功能层粘贴于实施例和比较例的密封用片，得到层叠片。功能层在实施例、比较例中使用共同的材料。具体而言，使用圆形、厚度为50μm的铜箔。功能层的直径、外周长度如表1所述。需要说明的是，在粘贴时，以密封用片和功能层的中心点在俯视下一致的方式进行粘贴。
(安装有电子部件的基板的准备)
准备安装有电子部件的基板。基板使用直径为300mm、厚度为700μm的半导体晶片。电子部件使用纵向10mm、横向10mm、厚度为500μm的半导体芯片，并在所述基板上隔开10mm的间隔(1个电子部件的端部与相邻电子部件的端部的距离)，安装为纵向14个×横向14个。需要说明的是，凸块的高度为50μm。
(评价用样品的制作)
在瞬时真空层叠装置VS008－1515(MIKADOTECHNOS(株)制)的下侧加热板上，以安装有电子部件的面朝上的方式配置所述基板，并在其之上，以将密封用片表面作为下侧的方式配置层叠片。然后，在减压下进行热压。热压条件如表1所述。
热压后，在150℃的烘箱中加热1小时。然后，自然冷却至室温(23℃)而制成评价用样品。
(被覆率的测定)
使用测定显微镜系统(CCS－COREPLUS，INNOTECH公司制)，对各个样品测定功能层的被树脂被覆的部分的厚度d。然后，通过下述(式1)算出被覆率。需要说明的是，在本实施例、比较例中，[最初的功能层厚度]为50μm。结果示于表1。
(式1)[被覆率]＝d/[最初的功能层厚度]
(剥离性)
使用测定显微镜系统(CCS－COREPLUS，INNOTECH公司制)，观察在密封用片和功能层之间是否存在剥离。将未剥离的情况评价为○，将产生剥离的情况评价为×。需要说明的是，在未剥离的情况下，能够通过功能层来抑制密封用片的角部分的破裂或缺损。另一方面，在产生剥离的情况下，难以抑制密封用片的角部分的破裂或缺损。
[表1]
符号说明
8层叠片
10密封用片
12功能层
20层叠体
22半导体晶片(被安装体)
23半导体芯片(电子部件)
28电子部件装置
32下侧加热板

Claims (11)

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：
工序A，准备在被安装体上安装有电子部件的层叠体；
工序B，准备层叠片，该层叠片具有用于密封电子部件的密封用片、和由不同于所述密封用片的材质形成的功能层；
工序C，以安装有所述电子部件的面朝上的方式将所述层叠体配置在加热板上，并且，以将所述密封用片表面作为下侧的方式将所述层叠片配置在所述层叠体的安装有所述电子部件的面上；和
工序D，在所述工序C之后，进行热压，通过将所述电子部件埋入所述密封用片来进行密封，
在所述工序D之后，所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
当将所述功能层的厚度设为h，将所述功能层的被所述树脂被覆的部分的厚度设为d时，所述工序D之后的所述d为[0.01×h]以上且[0.99×h]以下。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件装置的制造方法，其特征在于，
所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件装置的制造方法，其特征在于，
所述密封用片与所述功能层在俯视下为相同形状，所述层叠片的外周长度为500mm以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子部件装置的制造方法，其特征在于，
所述密封用片含有环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂。
6.一种层叠片，其特征在于，
在权利要求1～5中任一项所述的电子部件装置的制造方法中使用。
7.根据权利要求6所述的层叠片，其特征在于，
所述密封用片的0～200℃下的最低熔融粘度为100000Pa·s以下。
8.根据权利要求6或7所述的层叠片，其特征在于，
所述密封用片与所述功能层在俯视下为相同形状，并且所述层叠片的外周长度为500mm以上。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的层叠片，其特征在于，
所述密封用片含有环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂。
10.一种电子部件装置，其特征在于，具有：
在被安装体上安装有电子部件的层叠体；
密封所述电子部件的密封用片；和
层叠在所述密封用片的与所述电子部件相反一侧的功能层，
所述功能层的侧面的至少一部分被构成所述密封用片的树脂被覆。
11.根据权利要求10所述的电子部件装置，其特征在于，
将所述功能层的厚度设为h，将所述功能层的被所述树脂被覆的部分的厚度设为d时，所述d为[0.01×h]以上且[0.99×h]以下。
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