JP2005206665A - シート状半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】80℃で測定される粘度が10000Pa・s以下であり、(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、(B)硬化剤、ならびに(C)平均粒径dmaxが3〜50nmでかつ半値幅が平均粒径dmaxの1.5倍以下であるシリカ粒子を含有してなるシート状半導体封止用樹脂組成物。
【選択図】なし
Description
(1)80℃で測定される粘度が10000Pa・s以下であり、
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
(B)硬化剤、ならびに
(C)平均粒径dmaxが3〜50nmでかつ半値幅が平均粒径dmaxの1.5倍以下であるシリカ粒子
を含有してなるシート状半導体封止用樹脂組成物、
(2)前記シリカ粒子が前記エポキシ樹脂に分散されていることを特徴とする前記(1)記載の半導体封止用樹脂組成物、
(3)波長650nmにおいて30%以上の透過率を有する前記(1)または(2)記載の半導体封止用樹脂組成物、
(4)半導体封止用樹脂組成物の硬化物のTgの温度で測定される熱膨張係数が70×10−6/K以下である前記(1)〜(3)いずれか記載の半導体封止用樹脂組成物、ならびに
(5)前記(1)〜(4)いずれか記載の半導体封止用樹脂組成物により封止されてなる半導体装置
に関する。
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
(B)硬化剤、ならびに
(C)平均粒径dmaxが3〜50nmでかつ半値幅が平均粒径dmaxの1.5倍以下であるシリカ粒子
を含有することに1つの大きな特徴を有する。
エポキシ樹脂として、
(a)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量:185g/eq)、または
(b)ビスフェノールF型エポキシ樹脂(エポキシ当量:158g/eq)
を用いた。
硬化剤として、
(a)キシリレン型フェノール樹脂(水酸基当量:174g/eq)、または
(b)シリコン変性フェノールノボラック樹脂(水酸基当量:137g/eq)
を用いた。
硬化促進剤として、
(a)マイクロカプセル化トリフェニルホスフィン(シェル:ポリウレア、コア/シェル比=50/50重量%)、または
(b)マイクロカプセル化トリフェニルホスフィン(シェル:ポリウレア、コア/シェル比=20/80重量%)
を用いた。
熱可塑性樹脂として、アクリロニトリルブタジエンゴム(ムーニー粘度:50ML(1+4)、結合アクリロニトリル量=30重量%)を用いた。
ハンダ接合助剤として、アジピン酸−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル重合体(酸当量:269g/mol、分子量(Mn)=1100)を用いた。
シリカ分散エポキシ樹脂として、
(a)シリカ分散エポキシ樹脂(エポキシ樹脂:ビスフェノールA型エポキシ樹脂;シリカ粒子径:平均粒径dmax=15nm、最大粒径=40nm、半値幅=10nm;シリカ濃度=50重量%;エポキシ当量=380g/eq;Hanse社製:NANOPOX XP22/0543)、または
(b)シリカ分散エポキシ樹脂(エポキシ樹脂:ビスフェノールF型エポキシ樹脂;シリカ粒子径:平均粒径dmax=15nm、最大粒径=40nm、半値幅=10nm;シリカ濃度=60重量%;エポキシ当量=425g/eq;Hanse社製:NANOPOX XP22/0540)
を用いた。
シリカ粒子として、
(a)シリカ分散溶液(平均粒径dmax=12nm、最大粒径=40nm、半値幅=20nm、溶媒:メチルエチルケトン、シリカ含量:12重量%、扶桑化学工業社製:PL−1)、または
(b)シリカ分散溶液(平均粒径dmax=300nm、最大粒径=350nm、半値幅=50nm、溶媒:メチルエチルケトン、シリカ含量:50重量%、日本触媒社製:KE−S30)
を用いた。
ウエハとして、
(a)金スタッドバンプ付ウエハ(材質:シリコン、8インチ、チップサイズ:10mm2、バンプ数:250ピン/チップ)、または
(b)共晶ハンダバンプ付ウエハ(材質:シリコン、8インチ、チップサイズ:10mm2、バンプ数:2000ピン/チップ)
を用いた。
樹脂組成物の透過性を、分光光度計(島津製作所社製:UV3101)を用いて、波長650nmで測定した。なお、透過率が30%以上の場合は、パターン認識可能であると評価した。
樹脂組成物1gを、プレートの直径を35mm、ギャップを100μm、回転速度速度を10(1/s)に設定したE型粘度計(HAAKE社製:RS−1)を用いて、80℃にて測定した。なお、E型粘度計の測定限界は、10000Pa・sであるため、測定限界以上の粘度のものは測定できない。
樹脂組成物を、金型注形により170℃で2時間硬化を行い、5mmφ×20mmの試験片を作製し、リガク社製MJ800GMを用いて5℃/分の昇温速度で、Tg以下におけるその熱膨張係数を測定した。
樹脂組成物が積層された個片チップを作製できたか否かを評価した。
評価基準
作製できた :○
作製できなかった:×
デイジーチェーン(ADVANTEST社製:デジタルマルチメーターTR6847)で半導体装置の電気抵抗値を測定し、抵抗値表示なしのものを不良品としてカウントした。
半導体装置を−55℃で10分間維持後、125℃で10分間維持する操作を行った。この操作を500回(TST500)または1000回(TST1000)行った後に、デイジーチェーン(ADVANTEST社製:デジタルマルチメーターTR6847)にて半導体装置の電気抵抗値を測定し、その電気抵抗値を初期値(前記操作を行う前の半導体装置の電気抵抗値)と比較した。この電気抵抗値が初期値の2倍以上となった半導体を不良品としてカウントした。
以下のようにして実施例1〜5および比較例1〜6の樹脂組成物を製造した。
2 剥離シート
3 ウエハ
4 バンプ
5 ダイシングテープ
6 個別チップ
7 配線回路基板
Claims (5)
- 80℃で測定される粘度が10000Pa・s以下であり、
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、
(B)硬化剤、ならびに
(C)平均粒径dmaxが3〜50nmでかつ半値幅が平均粒径dmaxの1.5倍以下であるシリカ粒子
を含有してなるシート状半導体封止用樹脂組成物。 - 前記シリカ粒子が前記エポキシ樹脂に分散されていることを特徴とする請求項1記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 波長650nmにおいて30%以上の透過率を有する請求項1または2記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 半導体封止用樹脂組成物の硬化物のTgの温度で測定される熱膨張係数が70×10−6/K以下である請求項1〜3いずれか記載の半導体封止用樹脂組成物。
- 請求項1〜4いずれか記載の半導体封止用樹脂組成物により封止されてなる半導体装置。
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