JP2002093825A - 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ - Google Patents

半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ

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徳之 切替
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公孝 西尾
Sei Yajima
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Mutsumi Masumoto
睦 升本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐温度サイクル性や耐吸湿リフロー性等の信
頼性とダイアタッチ特性や連続ダイシング特性等のよう
な作業性（量産性）を両立させた半導体パッケージの製
造方法を提供する。 【解決手段】 多数の半導体素子が形成されたウェハ裏
面に単層のフィルム状の熱硬化性接着剤からなる接着剤
層を設け、これにダイシングテープを接着剤層側に貼り
合せ、接着剤層とウェハを同時にダイシングすることに
より接着剤付き半導体素子とする工程、接着剤付き半導
体素子をダイシングテープから剥がし被着体のインター
ポーザー基板とダイアタッチする工程を含み、前記フィ
ルム状の熱硬化性接着剤が、エポキシ樹脂、エポキシ樹
脂硬化剤及びフェノキシ樹脂を含有し、かつ球状シリカ
を５０〜８０ｗｔ％含有し、接着剤層の厚さが１００μ
ｍ以上である半導体パッケージの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
【０００１】本発明は、半導体パッケージの製造方法及
びその方法により製造された半導体パッケージに関する
ものである。
【従来の技術】
【０００２】半導体パッケージを構成する材料の中で、
半導体素子（以下、チップともいう）とインターポーザ
ー基板のような被着体を接着するダイアタッチ材料は、
従来Ａｕ−Ｓｉ共晶合金、はんだ、銀ペースト等が使用
されてきた。現在、汎用及び大型の半導体パッケージに
は生産性、放熱性、大型半導体素子適用性、価格等の総
合的な判断から銀ペーストによる接着が主流となってい
る。銀ペーストは、ディスペンス方式でインターポーザ
ー基板のような被着体に塗布し、半導体素子の仮圧着も
容易にできることから優れた生産性を示す反面、液状で
あるために接着厚み、塗布位置、完全充填及びボイド抑
制のコントロールが難しいという問題があった。
【０００３】近年、半導体パッケージは周辺端子配列の
クワッドフラットパッケージ（以下、ＱＦＰ）に代わ
り、面端子配列のチップサイズパッケージ（以下、ＣＳ
Ｐ）やボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）が登場し携帯機
器の軽薄短小化に大きく貢献しているが、このような方
法において使用される基板は、実装するプリント配線基
板と区別してインターポーザー基板と呼ばれる。ＣＳＰ
等では、半導体素子の大きさと半導体パッケージの外観
寸法が限りなく近づく構造設計になることから、半導体
素子とインターポーザー基板を接着するときの接着剤層
は、はみ出しや未充填が無く、半導体素子とほぼ同じ面
積であることを要求されている。また、形成された接着
剤層内部のボイドは耐湿信頼性（長時間放置され吸湿し
た状態での半導体素子上の配線腐食に対する耐性）や耐
吸湿リフロー性（長時間放置され吸湿した状態でリフロ
ーソルダリングされることによるパッケージ内部のクラ
ックや剥離に対する耐性）に大きく影響を及ぼすことか
ら、接着剤層のボイドフリー化も求められる。これらの
ことから、従来のペースト状接着剤並みの生産性で、厚
み精度、位置精度が高く、ボイドフリーのフィルム状接
着剤が求められていた。
【０００４】フィルム状の接着剤を使うダイアタッチ
は、例えば特開昭６３−２８９８２２号公報及び特開平
１−１９７３５号公報に示されている。しかし、これら
に記載の方法では、始めにフィルム状接着剤を半導体素
子の大きさに応じて切断する必要があることから、多種
類の金型を準備しなければならなかったり、フィルムの
貼付けに際し、専用の高価な装置が必要となる等の欠点
があった。更に、半導体素子の大きさへの加工では、廃
棄されるフィルム接着剤が多いことやその廃棄フィルム
を無くすためには半導体素子の大きさ毎に多品種のスリ
ット品を準備しなければならなかった。
【０００５】そこで、予めウェハ裏面にフィルム状の接
着剤を貼り付けた後、ダイシングして、接着剤付き半導
体素子にする方法が、例えば、特開平７−２２４４０号
公報や特開平１１−２１９９６２号公報に示されてい
る。しかし、これらの公報に記載されたフィルム状の接
着剤に使用される材料は、ポリマー成分比率が高いこと
が原因で、溶融粘度が高いことから高温でのウェハへの
ラミネートが必要、ダイシング時の切れ味が悪い、ダイ
アタッチの際に高温、高圧、長時間を必要とする等の問
題があった。低温でのラミネートを可能とするために、
接着層にオリゴマー成分を主体とする材料を用いること
が考えられ、エポキシ樹脂系などのようなオリゴマー成
分を主体とする材料を用いれば、ラミネート、ダイアタ
ッチも低温、低圧、短時間で可能であるが、ダイシング
時に発生する樹脂成分の融着によるダイシングブレード
汚れの影響で、長時間の連続ダイシングができないとい
う問題が未解決であった。
【０００６】ところで、ＣＳＰのような半導体パッケー
ジに組み立てられ、プリント配線板に実装された後の耐
温度サイクル性を向上させる方法として特開２０００−
３１３２７号公報には、接着剤層を１００μｍ以上にす
ることが示され、例として耐熱性フィルムをベースにし
て両面に接着剤層を形成する方法が示されているが、こ
の方法は、耐温度サイクル性には優れるが、ポリマーフ
ィルムの影響でダイシング性能が低いことから、ダイシ
ング性能の高い１００μｍ以上の膜厚のフィルム状接着
剤が求められていた。
【０００７】更に、ＣＳＰのような表面実装型半導体パ
ッケージは、プリント配線板の両面に実装されることか
ら、高い温度、高い湿度、長時間の吸湿条件での高い耐
吸湿リフロー性が要求されていた。例えば、表面実装技
術（ＳＭＴ）として代表的なリフロー炉を使用した実装
方法では、赤外線、熱風、レーザ等各種熱源により、は
んだを溶かすことで実装することが行われるが、この際
の耐リフロー性が要求されていた。
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】本発明の目的は、ダイシング性に優れ、低
温低圧でのダイアタッチが可能で、更にプリント配線板
へ実装された後の耐温度サイクル性と耐吸湿リフロー性
に優れた半導体パッケージの製造方法及びその方法を用
いて製造される半導体パッケージを提供することにあ
る。
【課題を解決するための手段】
【０００９】本発明者等は、上記課題を達成するために
鋭意検討を重ねた結果、特に半導体パッケージの製造方
法において使用される接着剤層を調整することで上記課
題が解決されることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１０】すなわち、本発明は、多数の半導体素子が
形成されたウェハ裏面に単層のフィルム状の熱硬化性接
着剤からなる接着剤層を設け接着剤層付ウェハとする工
程、接着剤層付ウェハにダイシングテープを接着剤層付
ウェハの接着剤層側に貼り合せ、接着剤層とウェハを同
時にダイシングすることにより接着剤付き半導体素子と
する工程、接着剤付き半導体素子をダイシングテープか
ら剥がし被着体としてのインターポーザー基板とダイア
タッチする工程を含み、前記フィルム状の熱硬化性接着
剤からなる接着剤層の厚さが１００μｍ以上であり、か
つ熱硬化性接着剤中に球状シリカが５０〜８０ｗｔ％含
有されていることを特徴とする半導体パッケージの製造
方法である。ここで用いられるフィルム状の熱硬化性接
着剤は、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、エポキシ
樹脂硬化剤及びフェノキシ樹脂を必須として含有するこ
とが好ましい。また、本発明はこれら半導体パッケージ
の製造方法により製造された半導体パッケージにも関す
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージの製造
方法は、多数の半導体素子が形成されたウェハ裏面に単
層のフィルム状の熱硬化性接着剤からなる接着剤層を設
け接着剤層付ウェハとする工程、接着剤層付ウェハにダ
イシングテープを接着剤層付ウェハの接着剤層側に貼り
合せ、接着剤層とウェハを同時にダイシングすることに
より接着剤付き半導体素子とする工程、接着剤付き半導
体素子をダイシングテープから剥がしインターポーザー
基板とダイアタッチする工程を含む。
【００１２】本発明によって製造される半導体パッケー
ジは、インターポーザー基板のような被着体にダイアタ
ッチされた半導体素子が金線により被着体と電気的に接
続されたワイヤーボンディングタイプのＣＳＰと呼ばれ
る半導体パッケージである。このような半導体パッケー
ジは、ウェハからダイシング装置によって半導体素子個
片に切り出され、ダイアタッチ用の接着剤を介してイン
ターポーザー基板に接着された後、金線によるワイヤー
ボンドで半導体素子と被着体とを電気的に結び、トラン
スファーモールドあるいはポッティングにより樹脂封止
された後に、はんだボールを搭載することで製造される
ものである。本発明においては、ウェハのダイシング前
に予めウェハ裏面に接着剤層を形成させ、接着剤層付き
ウェハの状態でダイシングすることで、接着剤層がチッ
プサイズに制御可能となる。
【００１３】まず、半導体素子が形成されたウェハ裏面
に単層のフィルム状の熱硬化性接着剤からなる接着剤層
を熱圧着し接着剤層付ウェハとする工程について説明す
る。ここで使用されるウェハの代表的なものとしては、
シリコン製で通常片側に半導体回路の形成されたもので
サイズは通常６インチ、８インチ、１２インチのものが
挙げられる。
【００１４】本発明に用いられるフィルム状接着剤層の
形成方法としては、ラミネート、スクリーン印刷（メタ
ルマスクを含む）、スピンコート等が挙げられるが、予
めフィルム（シート）状に作られた接着剤を常温又は加
熱によりラミネートすることが好ましい。ラミネートに
よる例としては、接着剤層用の組成物を低沸点の溶剤に
溶かしワニス状とし、これを離型処理を施したＰＰやＰ
ＥＴ等の基材フィルム上に塗工し、加熱乾燥して溶剤を
取り除くことでフィルム（シート）状の接着剤を作るこ
とができる。そして、このフィルム状接着剤をウェハ裏
面に設ける場合、通常、熱圧着によることが好ましく、
例として耐熱シリコーンゴム製の加熱ラミネーターで７
０〜１５０℃程度で０．1〜１MPa・cm（１〜１０kg/cm線
圧）の圧力により貼り合せることが挙げられる。
【００１５】ここで、形成される接着剤層の厚さは、マ
ザーボード実装後の温度サイクル特性向上のためにはで
きるだけ厚い層であることがよく、０．８mmピッチの
０．５mmの大きさのはんだボールを使用した半導体パッ
ケージの−４０℃／１２５℃での耐温度サイクル性で１
０００サイクル以上のためには１００μm以上とするこ
とが必要である。なお、接着剤層の厚さが、２００μm
以上となると半導体パッケージの厚み設計範囲を超える
ことになるので、１００〜２００μmの範囲が好まし
い。
【００１６】また、この接着剤層の線膨張率をインター
ポーザー基板のような被着体の線膨張率とできるだけ一
致させることが応力低減のためには好ましい。接着剤層
の線膨張率を低下させる方法としては、接着剤剤中にセ
ラミック（シリカやアルミナ）成分を添加することが効
果的であるが、樹脂粘度の著しい増加を抑えるためや、
ダイシング時のブレードの磨耗低減のためには、球状シ
リカの添加が好ましく、５０〜８０ｗｔ％含有させるこ
とが線膨張率低下の観点からも必要である。
【００１７】本発明のように接着剤付きウェハとするこ
とのメリットは、接着剤の厚み、大きさを精度良く一定
にできることであり、半導体パッケージの信頼性が向上
することである。信頼性とは、半導体パッケージがプリ
ント配線板に実装された後の耐温度サイクル特性や実装
される前の吸湿によるリフローソルダリング時のパッケ
ージ内部のクラックや剥離である。本発明の特徴の１つ
に、半導体素子とインターポーザー基板との低温低圧で
のダイアタッチと優れた長期連続ダイシング特性を両立
させたことが挙げられる。この特徴は、接着剤層中の樹
脂成分のオリゴマー成分比率が高く、更に球状シリカ成
分を５０〜８０ｗｔ％含有することで発現できる。
【００１８】次に、接着剤層付ウェハにダイシングテー
プを接着剤層付ウェハの接着剤層側に貼り合せ、接着剤
層とウェハをダイシングすることにより接着剤付き半導
体素子とする工程について説明する。フィルム状接着剤
層付ウェハにダイシングテープを貼り合せる際には、ウ
ェハの接着剤層と金属製の型枠に支持されたダイシング
テープの粘着剤層が接するように貼り合せられる。ダイ
シングテープはＵＶ硬化型または非ＵＶ硬化型の公知の
ものを用いることができ、必要に応じて熱、圧力下に積
層してもよい。
【００１９】本発明において、接着剤層とウェハのダイ
シングは、ダイシングの対象が接着層剤付ウェハとなっ
ていることから同時に行われる。ダイシングは、シング
ルブレードタイプのダイシング装置でも問題なくダイシ
ングできるが、ツインブレードタイプのダインシグ装置
によってウェハ層と接着剤層を別々にダイシングするこ
とが好ましい。
【００２０】このようにして形成された接着剤付き半導
体素子は、ダイシングテープから剥がしインターポーザ
ー基板のような被着体とダイアタッチされる。ダイアタ
ッチは、通常のダイアタッチ装置が使用できるが、低
温、低圧のダイアタッチのためには、ダイアタッチステ
ージが加熱できるものであることが好ましい。
【００２１】ダイアタッチ工程を経た半導体素子は、通
常ワイヤーボンドされ、更に樹脂封止される。ワイヤー
ボンドは、通常のワイヤーボンディング装置を使用でき
るが、加熱と超音波により金線を溶かして接合できるも
のが低温、短時間接合の為に好ましい。また、樹脂封止
は、トランスファーモールド、ポッティング、印刷等の
通常の半導体パッケージに使用される封止方法であれば
何れの方法も利用できる。
【００２２】前記した接着剤層についてさらに詳述すれ
ば、その厚さは１００μｍ以上であることが必要である
が、加えて、接着剤層中の球状シリカの含有割合を調整
することで、ダイシング特性等が良好となり、更に好ま
しい半導体パッケージの提供が可能となる。
【００２３】本発明に用いられる球状シリカは、球状の
溶融シリカ粉末が好ましいものとして挙げられる。球状
シリカの含有割合は、５０〜８０ｗｔ％の範囲であるこ
とが必要であり、６０〜７５ｗｔ％の範囲がより好まし
い。球状シリカの含有割合をこの範囲にすることで、前
記した線膨張率を制御しやすい他、低温、低圧、短時間
でのダイアタッチ特性をも良好なものとすることができ
る。また、ダイシング時にブレード汚れやブレード磨耗
を起こすこと無く長時間連続してダイシング可能なもの
とすることができる。球状シリカが５０ｗｔ％より少な
い場合は、樹脂成分がブレードに融着して長時間連続し
たダイシングが出来ず、また球状シリカが８０ｗｔ％を
超える場合は、バインダーとして働く樹脂成分の不足に
より硬くて脆い接着層となり、ダイシングの時に割れや
欠けが発生するおそれがあり、熱圧着性能を著しく低下
させる。本発明に用いられる球状のシリカは天然珪石を
原料として高温下で溶射する方法、四塩化ケイ素を原料
としたヒュームドシリカを溶融球状化する方法、金属シ
リコンを爆発燃焼する方法、アルコキシシランを原料と
するゾルーゲル法から加熱溶融する方法で作られた溶融
シリカ粉末が好ましいものとして挙げられる。球状シリ
カの平均粒径は、０．１〜３０μmのものを使用するこ
とが好ましいが、例えば平均粒径５μｍと平均粒径０．
５μｍのように平均粒径の異なる複数の球状シリカを組
み合わせてブロードな粒度分布にすることがより好まし
い。
【００２４】球状シリカが含有される接着剤の組成は、
球状シリカの他にグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、
エポキシ樹脂硬化剤、フェノキシ樹脂を必須成分とする
ことが好ましい。より好ましくは、球状シリカを除く成
分の５０wt％以上、好ましくは８０wt％以上がこれらの
必須成分であることがよい。また、グリシジルエーテル
型エポキシ樹脂１００重量部に対し、エポキシ樹脂硬化
剤１０〜５０重量部及びフェノキシ樹脂１０〜５０重量
部の割合とすることが有利である。
【００２５】グリシジルエーテル型エポキシ樹脂は、単
独あるいは複数の混合物を使用することが可能である。
使用できるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂として
は、分子量が２０００以下のものが好ましい。例として
は、フェノールノボラックグリシジルエーテル型、オル
ソクレゾールノボラックグリシジルエーテル型、フルオ
レンビスフェノールグリシジルエーテル型、トリアジン
型ナフトールグリシジルエーテル型、ナフタレンジオー
ルグリシジルエーテル型、トリフェニルグリシジルエー
テル型、テトラフェニルグリシジルエーテル型、ビスフ
ェノールＡグルシジルエーテル型、ビスフェノールＦグ
ルシジルエーテル型、ビスフェノールＡＤグルシジルエ
ーテル型、ビスフェノールＳグルシジルエーテル型、ト
リメチロールメタングルシジルエーテル型等が挙げられ
る。これらの中でも、分子内に２個以上のグルシジルエ
ーテル基を持つものが好ましい。
【００２６】エポキシ樹脂硬化剤には、アミン類、酸無
水物類、多価フェノール類等の公知の硬化剤を使用する
ことができるが、所定の温度で硬化性を発揮し、しかも
速硬化性を発揮する潜在性硬化剤が好ましい。潜在性硬
化剤としては、ジシアンジアミド、イミダゾール類、ヒ
ドラジド類、三弗化ホウ素−アミン錯体、アミンイミ
ド、ポリアミン塩及びこれらの変性物、更にマイクロカ
プセル型のものが例示される。これらは、単独あるいは
２種以上併用してもよい。潜在性硬化剤を使用すること
で室温での長期保存も可能な高い保存安定性の熱硬化性
接着層を提供できる。
【００２７】フェノキシ樹脂は、公知のフェノキシ樹脂
を用いることができる。フェノキシ樹脂は、例えば、ビ
スフェノールＡのようなビスフェノールとエピクロロヒ
ドリンとから得られる通常、分子量が１０,０００以上
の熱可塑性樹脂である。このフェノキシ樹脂は、エポキ
シ樹脂と構造が類似していることから相溶性がよく、ま
た、接着性もよいという特徴を示す。好ましいフェノキ
シ樹脂は、主骨格がビスフェノールＡ型のものである
が、その他にビスフェノールＡ／Ｆ混合型フェノキシ樹
脂や臭素化フェノキシ樹脂等市販のフェノキシ樹脂が好
ましいものとして挙げられる。
【００２８】本発明の接着剤には上記した必須成分の
他、本発明の接着剤層の特性を損なわない範囲で他の樹
脂成分や添加剤等を含有させることができるが、球状シ
リカを除いた際の組成物の軟化点が６０〜９０℃の範囲
にあることが好ましい。軟化点の範囲をこの範囲に制御
することで、球状シリカを含有させフィルム状接着剤と
した際のフィルム特性とダイシング特性を両立させるこ
とができる。
【００２９】
【実施例】実施例１ エポキシ樹脂としてｏ−クレゾールノボラック型の固形
エポキシ樹脂（Ｍｎ＝約１０００）６０部とビスフェノ
ールＡ型の液状エポキシ樹脂（Ｍｗ＝約４００）４０
部、更に主骨格がビスフェノールＡ型のフェノキシ樹脂
（Ｍｗ＝約５０、０００）３０部を所定の比率で混ぜ、
軟化点７０℃の樹脂混合物を得て、これを溶剤のメチル
イソブチルケトンに加熱溶解させた。得られた樹脂ワニ
ス中の固形分１３０部に対して球状シリカ（平均粒径６
μｍ）を２６０部添加し、プラネタリーミキサーで３０
分混練した。更に、潜在性硬化剤としてＨＸ−３７４２
（旭チバ製）を２５部添加し、均一に攪拌した後、減圧
脱泡し接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニスを離型処
理された５０μｍ厚のＰＥＴフィルム上に乾燥後１２０
μｍの厚みになるように塗工し、１００℃、１０分乾燥
することで接着剤シート（ＰＥＴフィルム付フィルム状
接着剤）を作製した。
【００３０】次に、表面にアルミ配線の施された３００
μｍ厚の６インチサイズのシリコンウェハの裏面に上記
接着剤シートをウェハ裏面と接着剤層とが接するように
ＰＥＴフィルムと共に１００℃、０．２MPa・cm、２m/m
inの条件で加熱ラミネートして、接着剤層付きウェハを
得た。その後、ＰＥＴフィルムを剥がし、この接着剤層
付きウェハにＵＶ硬化型ダイシングテープを型枠ととも
にラミネートし、そのままツインブレードタイプのダイ
シング装置で８．０×８．０mmのサイズにダイシングし
て、接着剤付き半導体素子とした。この接着剤付き半導
体素子を、片側に回路加工されたポリイミド系インター
ポーザー基板に対して、ダイアタッチ装置により１５０
℃、５００ｇ、０．５秒でダイアタッチした。樹脂封止
は、トランスファーモールド装置により行なった。最終
的にパッケージ裏面に０．５mm径のはんだボールを載
せ、検討用のチップサイズパッケージとした。
【００３１】比較例１〜２ 球状シリカの配合量を、６５０部又は１３０部にした以
外は、実施例１と全て同じ条件で行ない、検討用のチッ
プサイズパッケージとした。
【００３２】比較例３ 接着剤シート厚みを６０μｍにした以外は、実施例１と
全て同じ条件で行ない、検討用のチップサイズパッケー
ジとした。
【００３３】比較例４ 実施例１と比較例１〜３では、予めシリコンウェハに接
着剤シートを貼り合わせたが、比較例４では、接着剤シ
ートを予めインターポーザー基板に貼り付けて、その接
着剤シート上に半導体素子（チップ）をダイアタッチす
ることで、パッケージ製造方法の違いによる実施例１と
の特性の比較を行なった。実施例１に記載した方法によ
り厚さ１２０μｍの接着剤シートを作製し、これを８．
５mm×８．５mmのサイズに切り出して、ほぼ半導体素子
の大きさとし、これを１００℃、０．２MPa・cm、３sec
の条件でポリイミド系インターポーザー基板に加熱圧着
し、その後、ＰＥＴフィルムを剥がし、この接着剤面に
検討用の８．０×８．０mmのサイズのチップをダイアタ
ッチ装置にて１５０℃、５００ｇ、２秒でダイアタッチ
し、その後は実施例記載の方法で検討用のチップサイズ
パッケージを作製した。
【００３４】なお、実施例及び比較例において、特性の
評価は以下の評価方法により行い、その結果を接着剤の
配合組成と共に表１に記載した。 ［連続ダイシング性評価］接着層付きウェハを５００ラ
インダイシングし、ブレードに付着した樹脂を顕微鏡観
察で評価した。また、ダイシング時に割れや欠けが発生
しないかについては目視で評価した。 ［ダイアタッチ性］１５０℃、５００ｇの条件に固定
し、圧着時間を変化させたときの圧着状態を顕微鏡で観
察した。
【００３５】［耐温度サイクル性］各実施例、比較例で
得られたチップサイズパッケージを厚さ１．６mmのＦＲ
−４基板に実装し、−４０℃／１２５℃（保持時間３０
分）の条件で温度サイクル試験を行い、故障発生開始サ
イクルで評価した。
【００３６】［耐吸湿リフロー性：JEDEC；L-2a］上記
チップサイズパッケージを６０℃、６０％で１２０Ｈ吸
湿し、ＩＲリフローを３回通した後に超音波探傷装置
（ＳＡＴ）により観察することで、内部のクラック、剥
離の確認を行なった。
【００３７】
【表１】
【００３８】表１に示すように、球状シリカが５０〜８
０ｗｔ％の範囲内にあるときには、接着剤層の厚みに関
わらず、優れた連続ダイシング性を示し、優れたダイア
タッチ性を示した。また、接着剤層の厚みが１００μｍ
以上の時には１０００サイクル以上の優れた耐温度サイ
クル性を示した。更に、比較例４より予め基板にフィル
ム状の熱硬化性接着剤を貼り付けるよりも、予めウェハ
にフィルム状の熱硬化性接着剤を貼り付ける方が優れた
耐吸湿リフロー性を示すことも判った。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、単層の接着剤層をダイ
シング前のウェハに予め形成させ、その接着剤層中に適
量の球状シリカを含有させることで、耐温度サイクル性
や耐吸湿リフロー性等の信頼性とダイアタッチ特性や連
続ダイシング特性等のような作業性（量産性）を両立さ
せた半導体パッケージの製造が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/301 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｍ (72)発明者 切替 徳之 千葉県木更津市築地１番地 新日鐵化学株 式会社電子材料開発センター内 (72)発明者 西尾 公孝 千葉県木更津市築地１番地 新日鐵化学株 式会社電子材料開発センター内 (72)発明者 矢島 聖 大分県速見郡日出町大字川崎字高尾4260番 地日本テキサス・インスツルメンツ株式会 社内 (72)発明者 升本 睦 大分県速見郡日出町大字川崎字高尾4260番 地日本テキサス・インスツルメンツ株式会 社内 Ｆターム(参考） 4J040 EC061 EC071 EC081 EC101 EC161 EE062 HA306 JA09 KA03 KA16 LA07 LA08 MA04 NA20 5F047 BA34 BB03 BB05 BB19

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多数の半導体素子が形成されたウェハ裏
    面に単層のフィルム状の熱硬化性接着剤からなる接着剤
    層を設け接着剤層付ウェハとする工程、接着剤層付ウェ
    ハにダイシングテープを接着剤層側に貼り合せて接着剤
    層とウェハを同時にダイシングすることにより接着剤付
    き半導体素子とする工程、接着剤付き半導体素子をダイ
    シングテープから剥がし、被着体のインターポーザー基
    板とダイアタッチする工程を含み、前記フィルム状の熱
    硬化性接着剤からなる接着剤層の厚さが１００μｍ以上
    であり、かつ熱硬化性接着剤中に球状シリカが５０〜８
    ０ｗｔ％含有されていることを特徴とする半導体パッケ
    ージの製造方法。
  2. 【請求項２】 フィルム状の熱硬化性接着剤が、グリシ
    ジルエーテル型エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤及び
    フェノキシ樹脂を必須として含有する請求項１記載の半
    導体パッケージの製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の半導体パッ
    ケージの製造方法により製造された半導体パッケージ。
JP2000275343A 2000-09-11 2000-09-11 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ Expired - Lifetime JP4537555B2 (ja)

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