WO2024190884A1 - フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 Download PDF

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mass
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孝博 黒田
順一 市川
慶太 細野
孝明 丹羽
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株式会社レゾナック
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Definitions

  • This disclosure relates to a film-like adhesive, a dicing/die bonding integrated film, and a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
  • stacked MCPs Multi Chip Packages
  • MCPs Multi Chip Packages
  • mobile phones and other devices become more multifunctional, efforts are being made to make semiconductor packages faster, more dense, and more highly integrated.
  • a commonly used method for manufacturing semiconductor devices is to attach an integrated dicing/die bonding film with an adhesive layer and a pressure-sensitive adhesive layer to the back surface of a semiconductor wafer, and then cut and separate the semiconductor wafer, adhesive layer, and part of the pressure-sensitive adhesive layer (semiconductor wafer back surface attachment method).
  • Patent Documents 1 and 2 disclose film-like adhesives that can be used for the adhesive layer in this type of method.
  • the film adhesive used in the dicing/die bonding integrated film is required to have sufficient breaking strength even when a thin film (e.g., 15 ⁇ m or less in thickness) is formed. If the film adhesive has sufficient breaking strength, it tends to have excellent processability when a thin film is formed (e.g., film cuttability for cutting into a specified shape).
  • chip cracks may occur, for example, during wire bonding, which connects the circuit layer of the semiconductor chip to an electrode on the substrate with a bonding wire. It is presumed that such chip cracks occur when the semiconductor layer becomes thin and brittle, and are caused by vibrations during wire bonding. For this reason, there is a demand for film-like adhesives used in dicing and die bonding integrated films to be able to suppress the occurrence of chip cracks.
  • the primary objective of this disclosure is to provide a film-like adhesive that has excellent processability when formed into a thin film and can suppress the occurrence of chip cracks.
  • the inventors conducted extensive research to solve the above problems and discovered that by setting the elastomer content in the film-like adhesive to a predetermined range or more, setting the inorganic filler content in the film-like adhesive to a predetermined range or less, and setting the storage modulus of the film-like adhesive after curing to a predetermined range or more, it is possible to improve the processability when a thin film is formed and further suppress the occurrence of chip cracks, which led to the completion of the disclosed invention.
  • a film-like adhesive comprising a thermosetting resin component and an elastomer, and optionally further comprising an inorganic filler, wherein the content of the elastomer is 18 mass% or more, based on the total amount of the film-like adhesive, and the content of the inorganic filler is 0 to 25 mass%, based on the total amount of the film-like adhesive, and when the film-like adhesive is cured under conditions of 140°C and 30 minutes, the cured product has a storage modulus at 150°C of 80 MPa or more, and the thickness of the film-like adhesive is 15 ⁇ m or less.
  • [2] The film-like adhesive described in [1], wherein the content of the elastomer is 18 to 35 mass % based on the total amount of the film-like adhesive.
  • [3] The film-like adhesive according to [1] or [2], wherein the content of the inorganic filler is 0 to 3 mass % based on the total amount of the film-like adhesive.
  • [4] The film-like adhesive according to any one of [1] to [3], wherein when the film-like adhesive is cured under conditions of 140°C and 30 minutes, the cured product has a storage modulus at 30°C of 2000 MPa or less.
  • thermosetting resin component comprises an epoxy resin and a phenolic resin.
  • thermosetting resin component comprises an epoxy resin and a phenolic resin.
  • elastomer has a glass transition temperature of 0 to 30° C.
  • a film-like adhesive according to any one of [1] to [6] which is used in a manufacturing process for a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are stacked.
  • a dicing and die bonding integrated film comprising, in this order, a base layer, a pressure-sensitive adhesive layer, and an adhesive layer made of the film-like adhesive according to any one of [1] to [6].
  • a semiconductor device comprising: a first semiconductor chip; a support member on which the first semiconductor chip is mounted; and a cured film-like adhesive according to any one of [1] to [6], which is provided between the first semiconductor chip and the support member and bonds the first semiconductor chip to the support member.
  • the semiconductor device according to [10] further comprising a second semiconductor chip different from the first semiconductor chip, stacked on a surface of the first semiconductor chip.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: attaching the adhesive layer of the dicing/die bonding integrated film described in [9] to a semiconductor wafer; cutting the semiconductor wafer to which the adhesive layer has been attached to produce a plurality of individual adhesive piece-attached semiconductor chips; and adhering a first adhesive piece-attached semiconductor chip having a first semiconductor chip and a first adhesive piece to a support member via the adhesive piece as the adhesive piece-attached semiconductor chip.
  • a film-like adhesive that has excellent processability when formed into a thin film and is capable of suppressing the occurrence of chip cracks. Some embodiments of the film-like adhesive can also suppress warping of a semiconductor device (semiconductor package).
  • a dicing/die bonding integrated film using such a film-like adhesive, as well as a semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided. Furthermore, according to the present disclosure, a method for manufacturing a semiconductor device using such a dicing/die bonding integrated film is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a film-like adhesive.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a dicing/die bonding integrated film.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a semiconductor device.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device.
  • FIG. 6 is a diagram showing the shape of a test piece used for measuring breaking strength.
  • a numerical range indicated using “ ⁇ ” indicates a range that includes the numerical values described before and after " ⁇ " as the minimum and maximum values, respectively.
  • the upper limit or lower limit described in one numerical range may be replaced with the upper limit or lower limit of another numerical range described in stages.
  • the upper limit or lower limit of that numerical range may be replaced with a value shown in an example.
  • the upper limit and lower limit values described individually can be arbitrarily combined.
  • “A or B" may include either A or B, or may include both.
  • the materials exemplified below may be used alone or in combination of two or more types, unless otherwise specified.
  • the content of each component in the composition means the total amount of the multiple substances present in the composition, unless otherwise specified.
  • (meth)acrylate means acrylate or the corresponding methacrylate.
  • Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a film-like adhesive.
  • the film-like adhesive 1 shown in Fig. 1 may be thermosetting, and may be capable of going through a semi-cured (B stage) state and then becoming fully cured (C stage) after a curing process.
  • the film adhesive 1 satisfies the following conditions. - Storage modulus at 150°C after curing at 140°C for 30 minutes is 80 MPa or more. - Thickness is 15 ⁇ m or less.
  • the storage modulus of the film-like adhesive 1 at 150°C after curing under conditions of 140°C and 30 minutes is 80 MPa or more, and may be 85 MPa or more, 90 MPa or more, 95 MPa or more, 100 MPa or more, 105 MPa or more, 110 MPa or more, 115 MPa or more, 120 MPa or more, 125 MPa or more, or 130 MPa or more. If the storage modulus is 80 MPa or more, it is possible to compensate for the brittleness of the semiconductor chip due to thinning, and as a result, it is possible to suppress the occurrence of chip cracks.
  • the upper limit of the storage modulus is not particularly limited, but may be, for example, 500 MPa or less, 300 MPa or less, 250 MPa or less, or 200 MPa or less.
  • the storage modulus of the film-like adhesive 1 at 30°C after curing under conditions of 140°C and 30 minutes may be 2000 MPa or less, or may be 1800 MPa or less, 1600 MPa or less, 1400 MPa or less, or 1200 MPa or less. If the storage modulus is 2000 MPa or less, the film-like adhesive can be more easily thinned, and the cured film-like adhesive tends to be more sufficiently prevented from becoming too hard.
  • the lower limit of the storage modulus is not particularly limited, but may be, for example, 600 MPa or more, 700 MPa or more, 800 MPa or more, 900 MPa or more, or 1000 MPa or more.
  • the storage modulus at 150°C after the film-like adhesive has been cured can be measured, for example, by the following method.
  • a sample for measurement is prepared by laminating multiple 5 ⁇ m-thick film-like adhesives to a thickness of 100 ⁇ m or more, and cutting this into a size of 4 mm wide x 20 mm long or more.
  • the prepared sample is cured under conditions of 140°C and 30 minutes, and then the cured sample is set in a dynamic viscoelasticity measuring device (e.g., Rheogel E-4000, manufactured by UBM Co., Ltd.) and dynamic viscoelasticity is measured in a temperature dependence measurement mode in which a tensile load is applied and measurements are made from room temperature (25°C) to 300°C under conditions of a chuck distance of 20 mm, a frequency of 10 Hz, and a heating rate of 3°C/min.
  • a dynamic viscoelasticity measuring device e.g., Rheogel E-4000, manufactured by UBM Co., Ltd.
  • dynamic viscoelasticity measuring device e.g., Rheogel E-4000, manufactured by UBM Co., Ltd.
  • the thickness of the film-like adhesive 1 is 15 ⁇ m or less, and may be 12 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or less, 8 ⁇ m or less, 7 ⁇ m or less, 6 ⁇ m or less, or 5 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the thickness of the film-like adhesive is not particularly limited, but may be, for example, 1 ⁇ m or more.
  • the film-like adhesive 1 contains a thermosetting resin component (hereinafter sometimes referred to as “component (A)”) and an elastomer (hereinafter sometimes referred to as “component (B)”), and may further contain an inorganic filler (hereinafter sometimes referred to as “component (C)”).
  • component (A) component may contain, for example, an epoxy resin (hereinafter sometimes referred to as “component (A1)”) and a phenolic resin (hereinafter sometimes referred to as “component (A2)”).
  • component (B) component is 18 mass% or more based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (C) component is 0 to 25 mass% based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the film-like adhesive 1 may further contain a coupling agent (hereinafter sometimes referred to as “component (D)”), a curing accelerator (hereinafter sometimes referred to as “component (E)”), other components, and the like.
  • component (D) a coupling agent
  • component (E) a curing accelerator
  • other components and the like.
  • (A) component thermosetting resin component
  • (A1) component epoxy resin
  • the (A1) component can be used without any particular limitation as long as it has an epoxy group in the molecule.
  • (A1) component includes, for example, bisphenol A type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; bisphenol S type epoxy resin; phenol novolac type epoxy resin; cresol novolac type epoxy resin; bisphenol A novolac type epoxy resin; bisphenol F novolac type epoxy resin; stilbene type epoxy resin; triazine skeleton-containing epoxy resin; fluorene skeleton-containing epoxy resin; triphenol methane type epoxy resin; biphenyl type epoxy resin; xylylene type epoxy resin; biphenyl aralkyl type epoxy resin; naphthalene type epoxy resin; polyfunctional phenols, diglycidyl ether compounds of polycyclic aromatics such as anthracene, etc.
  • the (A1) component may contain cresol novolac type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, or naphthalene type epoxy resin from the viewpoint of film tackiness, flexibility, etc.
  • Bisphenol F type epoxy resins have a relatively low softening point, and many of them have a softening point of 40° C. or lower.
  • the (A1) component may contain an epoxy resin having a softening point of 40°C or less (or an epoxy resin that is liquid at 30°C, hereinafter sometimes referred to as "(A1a) component").
  • the (A1) component may be a combination of the (A1a) component and an epoxy resin having a softening point of more than 40°C (or an epoxy resin that is solid at 30°C, hereinafter sometimes referred to as "(A1b) component").
  • the (A1) component contains the (A1a) component, it tends to be easier to improve the storage modulus after curing.
  • the (A1) component is a combination of the (A1a) component and the (A1b) component, it tends to be easier to achieve a thin film.
  • the (A1a) component may contain, for example, a bisphenol F type epoxy resin.
  • the softening point refers to the value measured by the ring and ball method in accordance with JIS K7234:1986.
  • component (A1a) Commercially available products of component (A1a) include, for example, EXA-830CRP (product name, manufactured by DIC Corporation, liquid at 30°C), YDF-8170C (product name, manufactured by Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd., liquid at 30°C), and EP-4088S (product name, manufactured by ADEKA Corporation, liquid at 30°C).
  • EXA-830CRP product name, manufactured by DIC Corporation, liquid at 30°C
  • YDF-8170C product name, manufactured by Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd., liquid at 30°C
  • EP-4088S product name, manufactured by ADEKA Corporation, liquid at 30°C
  • the content of the (A1a) component may be 5 mass% or more, 10 mass% or more, or 15 mass% or more, and 70 mass% or less, 60 mass% or less, or 50 mass% or less, based on the total amount of the (A1) component.
  • the content of the (A1a) component in the (A1) component in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be in the same range as above.
  • the content of the (A1b) component may be 30 mass% or more, 40 mass% or more, or 50 mass% or more, and 95 mass% or less, 90 mass% or less, or 85 mass% or less, based on the total amount of the (A1) component.
  • the content of the (A1b) component in the (A1) component in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be in the same range as above.
  • the epoxy equivalent of component (A1) is not particularly limited, but may be 90 to 300 g/eq or 110 to 290 g/eq. When the epoxy equivalent of component (A1) is in such a range, it tends to be easier to ensure the fluidity of the adhesive composition when forming the film-like adhesive while maintaining the bulk strength of the film-like adhesive.
  • Component (A2) Phenol resin Component (A2) is a component that acts as a curing agent for component (A1), i.e., it can be a curing agent for epoxy resin. By including component (A2) in the film-like adhesive, the film-like adhesive can be highly crosslinked, improving the storage modulus after curing.
  • the (A2) component can be used without any particular restriction as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule.
  • the (A2) component is not particularly limited as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule.
  • Examples of the (A2) component include novolac-type phenolic resins obtained by condensing or co-condensing phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, aminophenol, etc. and/or naphthols such as ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, dihydroxynaphthalene, etc.
  • the phenolic resin may include a novolac type phenolic resin or a phenylaralkyl type phenolic resin.
  • the hydroxyl equivalent of component (A2) may be 70 g/eq or more, or 70 to 300 g/eq. If the hydroxyl equivalent of component (A2) is 70 g/eq or more, the storage modulus tends to be improved, and if it is 300 g/eq or less, it becomes possible to prevent defects due to the generation of foaming, outgassing, etc.
  • the softening point of the (A2) component is not particularly limited, but may be, for example, 90°C or higher, 100°C or higher, or 110°C or higher.
  • the upper limit of the softening point of the (A2) component may be, for example, 200°C or lower.
  • component (A2) Commercially available products of component (A2) include, for example, PSM-4326 (trade name, manufactured by Gun-ei Chemical Industry Co., Ltd., softening point: 120°C), J-DPP-140 (trade name, manufactured by JFE Chemical Corporation, softening point: 140°C), and GPH-103 (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., softening point: 99-106°C).
  • the ratio of the epoxy equivalent of component (A1) to the hydroxyl equivalent of component (A2) may be 0.30/0.70 to 0.70/0.30, 0.35/0.65 to 0.65/0.35, 0.40/0.60 to 0.60/0.40, or 0.45/0.55 to 0.55/0.45, from the viewpoint of curability. If the equivalent ratio is 0.30/0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained. If the equivalent ratio is 0.70/0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming too high, and more sufficient fluidity can be obtained.
  • the content of the (A1) component (the sum of the (A1a) component and the (A1b) component) may be 20% by mass or more, 25% by mass or more, 30% by mass or more, 35% by mass or more, 40% by mass or more, or 45% by mass or more, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (A1) component may be 70% by mass or less, 65% by mass or less, 60% by mass or less, or 55% by mass or less, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (A1) component (the sum of the (A1a) component and the (A1b) component) in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be the same as the above range.
  • the content of the (A2) component may be 10% by mass or more, or may be 12% by mass or more, 15% by mass or more, 18% by mass or more, 20% by mass or more, or 22% by mass or more, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (A2) component may be 35% by mass or less, 32% by mass or less, or 30% by mass or less, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (A2) component in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be the same as the above range.
  • the content of the (A) component (the sum of the (A1) component and the (A2) component) may be 40% by mass or more, 45% by mass or more, 50% by mass or more, 55% by mass or more, 60% by mass or more, 65% by mass or more, or 70% by mass or more, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (A) component may be 90% by mass or less, 85% by mass or less, or 80% by mass or less, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (A) component (the sum of the (A1) component and the (A2) component) in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be the same as the above range.
  • (B) component elastomer
  • the (B) component include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, butadiene resin, and modified products of these resins.
  • the (B) component include polymers having organopolysiloxane in the side chain.
  • the (B) component may be an acrylic resin (acrylic rubber) having a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester as a main component, since it has less ionic impurities and is more excellent in heat resistance, it is easier to ensure the connection reliability of the semiconductor device, and it is more excellent in fluidity.
  • the content of the structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester in the (B) component may be, for example, 70% by mass or more, 80% by mass or more, or 90% by mass or more based on the total amount of the structural units.
  • the acrylic resin (acrylic rubber) may include a structural unit derived from a (meth)acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxyl group.
  • the glass transition temperature (Tg) of the (B) component may be 0 to 30°C. If the Tg of the (B) component is 0°C or higher, the adhesive strength of the film-like adhesive can be improved, and the flexibility of the film-like adhesive tends to be prevented from becoming too high. If the Tg of the (B) component is 30°C or lower, the film-like adhesive tends to be prevented from decreasing in flexibility, and the adhesive tends to have excellent breaking strength and excellent processability when a thin film is formed.
  • the glass transition temperature (Tg) of the (B) component may be 5°C or higher or 10°C or higher, and may be 25°C or lower or 20°C or lower.
  • Tg means a value measured using a DSC (differential scanning calorimeter) (for example, Thermo Plus 2, manufactured by Rigaku Corporation).
  • the Tg of the (B) component can be adjusted to a desired range by adjusting the type and content of the constituent units constituting the (B) component (when the (B) component is an acrylic resin (acrylic rubber), the constituent units derived from (meth)acrylic acid esters).
  • the weight average molecular weight (Mw) of component (B) may be 100,000 or more, 300,000 or more, or 500,000 or more, and may be 3,000,000 or less, 2,000,000 or less, or 1,000,000 or less.
  • Mw means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve of standard polystyrene. Note that, when multiple peaks are observed in GPC, the weight average molecular weight resulting from the peak with the highest peak intensity is defined as the weight average molecular weight in this specification.
  • component (B) Commercially available products of component (B) include SG-P3 and SG-80H (both manufactured by Nagase ChemteX Corporation) and KH-CT-865 (manufactured by Resonac Corporation).
  • the content of the (B) component is 18% by mass or more, and may be 18 to 35% by mass, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (B) component may be 20% by mass or more, 22% by mass or more, or 24% by mass or more, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the thin film has excellent breaking strength and excellent processability, and tends to be able to suppress warping of the semiconductor device (semiconductor package).
  • the content of the (B) component when the content of the (B) component is 18% by mass or more, based on the total amount of the film-like adhesive, the storage modulus at 30°C after curing tends to be suppressed from becoming too high.
  • the content of the (B) component may be 35% by mass or less, 33% by mass or less, 30% by mass or less, or 28% by mass or less, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of component (B) is 35% by mass or less based on the total amount of the film-like adhesive, the storage modulus after curing tends to be improved.
  • the content of component (B) in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be in the same range as above.
  • Component (C) Inorganic Filler
  • the film-like adhesive 1 may further contain component (C). That is, the film-like adhesive 1 may exist in an embodiment that contains component (C) and an embodiment that substantially does not contain component (C).
  • component (C) examples include fillers such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whiskers, boron nitride, and silica.
  • component (C) may be a silica filler from the viewpoint of adjusting the melt viscosity.
  • the shape of component (C) is not particularly limited, but may be spherical.
  • the average particle size of the (C) component may be 0.7 ⁇ m or less, 0.6 ⁇ m or less, 0.5 ⁇ m or less, 0.4 ⁇ m or less, or 0.3 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the (C) component may be, for example, 0.01 ⁇ m or more.
  • the average particle size means the particle size with an accumulated frequency of 50% in the particle size distribution determined by the laser diffraction/scattering method.
  • the average particle size of the (C) component can also be determined by using a film-like adhesive containing the (C) component.
  • the film-like adhesive is heated to decompose the resin component, and the residue obtained is dispersed in a solvent to prepare a dispersion, and the average particle size of the (C) component can be determined from the particle size distribution obtained by applying the laser diffraction/scattering method to the dispersion.
  • the content of the (C) component is 0 to 25% by mass based on the total amount of the film-like adhesive, and may be 0 to 22% by mass, 0 to 20% by mass, 0 to 17% by mass, 0 to 15% by mass, 0 to 12% by mass, 0 to 10% by mass, 0 to 7% by mass, 0 to 5% by mass, 0 to 4% by mass, 0 to 3% by mass, 0 to 2% by mass, 0 to 1% by mass, 0 to 0.5% by mass, or 0 to 0.1% by mass.
  • the content of the (C) component is in such a range, it tends to be possible to further reduce the thickness.
  • the content of the (C) component when the content of the (C) component is 25% by mass or less based on the total amount of the film-like adhesive, the thin film has excellent breaking strength and excellent processability when formed, and warping of the semiconductor device (semiconductor package) tends to be suppressed.
  • the content of the (C) component may be 22% by mass or less, 20% by mass or less, 17% by mass or less, 15% by mass or less, 12% by mass or less, 10% by mass or less, 7% by mass or less, 5% by mass or less, 4% by mass or less, 3% by mass or less, 2% by mass or less, 1% by mass or less, 0.5% by mass or less, or 0.1% by mass or less, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (C) component may be 0% by mass, based on the total amount of the film-like adhesive. That is, in one embodiment, the film-like adhesive does not need to contain the (C) component.
  • the lower limit of the content of the (C) component may be 0% by mass or more, more than 0% by mass, 1% by mass or more, 3% by mass or more, or 5% by mass or more, based on the total amount of the film-like adhesive.
  • the content of the (C) component in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be the same as the above range.
  • the (A) component and the (B) component, or the (A), (B), and (C) components may be the main components of the film-like adhesive of this embodiment.
  • the total content of the (A) component and the (B) component, or the total content of the (A), (B), and (C) components may be, for example, 70% by mass or more, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass or more, 96% by mass or more, 97% by mass or more, 98% by mass or more, 99% by mass or more, 99.5% by mass or more, 99.7% by mass or more, or 99.9% by mass or more.
  • the total content of the (A) component and the (B) component, or the total content of the (A), (B), and (C) components may be, for example, 100% by mass or less, 99.9% by mass or less, 99.7% by mass or less, or 99.5% by mass or less.
  • Component (D) Coupling Agent
  • Component (D) may be a silane coupling agent.
  • the silane coupling agent include ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and 3-(2-aminoethyl)aminopropyltrimethoxysilane.
  • Component (E) Curing Accelerator
  • the component (E) include imidazoles and derivatives thereof, organic phosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts, etc.
  • the component (E) may be imidazoles and derivatives thereof.
  • imidazoles examples include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-methylimidazole.
  • Component (E) may contain 2-phenylimidazole, which helps promote curing at low temperatures.
  • the film adhesive may further contain other components.
  • other components include pigments, ion scavengers, antioxidants, etc.
  • the total content of the (D) component, the (E) component, and other components may be 0 mass% or more, 0.1 mass% or more, 0.3 mass% or more, or 0.5 mass% or more based on the total amount of the film-like adhesive, and may be 30 mass% or less, 20 mass% or less, 10 mass% or less, 5 mass% or less, 4 mass% or less, 3 mass% or less, 2 mass% or less, or 1 mass% or less.
  • the total content of the (D) component, the (E) component, and other components in the adhesive composition when forming the film-like adhesive may be in the same range as above.
  • the film-like adhesive 1 shown in FIG. 1 is formed by forming an adhesive composition containing components (A) and (B), and, if necessary, component (C) and added components, into a film.
  • a film-like adhesive 1 can be formed by applying the adhesive composition to a support film.
  • a varnish containing the adhesive composition and a solvent may be used in forming the film-like adhesive 1.
  • the adhesive varnish is prepared by mixing or kneading components (A) and (B), and, if necessary, component (C) and added components in a solvent, and the obtained adhesive varnish is applied to a support film, and the solvent is removed by heating and drying to obtain the film-like adhesive 1.
  • the support film is not particularly limited as long as it can withstand the above-mentioned heat drying, but may be, for example, a polyester film, a polypropylene film, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyethylene naphthalate film, a polymethylpentene film, or the like.
  • the support film may be a multi-layer film combining two or more types, and may have a surface treated with a silicone-based, silica-based, or other release agent.
  • the thickness of the support film may be, for example, 10 to 200 ⁇ m or 20 to 170 ⁇ m.
  • Mixing or kneading can be carried out using a conventional mixer, a mixing machine, a triple roll mill, a ball mill, or other dispersing machine, in any suitable combination.
  • the solvent used in preparing the adhesive varnish is not limited as long as it can dissolve, knead, or disperse each component uniformly, and any conventionally known solvent can be used.
  • solvents include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone, as well as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, and xylene. From the standpoint of drying speed and cost, the solvent may be methyl ethyl ketone or cyclohexanone.
  • any known method can be used to apply the adhesive varnish to the support film, such as knife coating, roll coating, spray coating, gravure coating, bar coating, curtain coating, etc.
  • the heat drying conditions there are no particular restrictions on the heat drying conditions as long as the solvent used is sufficiently evaporated, but the conditions may be 50 to 150°C and 1 to 30 minutes.
  • the film-like adhesive 1 can be thinned, it can be suitably used in the manufacturing process of a semiconductor device in which multiple semiconductor chips are stacked.
  • the semiconductor device may be a stacked MCP or a three-dimensional NAND memory.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a dicing/die bonding integrated film.
  • the dicing/die bonding integrated film 10 shown in Fig. 2 includes a base layer 2, a pressure-sensitive adhesive layer 3, and an adhesive layer 1A made of the above-mentioned film-like adhesive 1, in this order.
  • a laminate made of the base layer 2 and the pressure-sensitive adhesive layer 3 is sometimes called a dicing film 4 (dicing tape).
  • dicing film 4 dicing tape
  • the dicing/die bonding integrated film may be in the form of a film, a sheet, a tape, or the like.
  • the dicing film 4 comprises a base layer 2 and an adhesive layer 3 provided on the base layer 2.
  • the substrate layer 2 examples include plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film. These substrate layers 2 may be subjected to surface treatments such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment, as necessary.
  • the adhesive layer 3 is a layer made of an adhesive.
  • the adhesive may be either a radiation-curable or non-radiation-curable adhesive.
  • the radiation may be, for example, ultraviolet light.
  • a non-radiation-curable adhesive is an adhesive that exhibits a certain level of adhesiveness when pressure is applied for a short period of time.
  • a radiation-curable adhesive is an adhesive that has the property of decreasing adhesiveness when exposed to radiation (for example, ultraviolet light).
  • the thickness of the dicing film 4 may be 60 to 150 ⁇ m or 70 to 130 ⁇ m from the standpoint of economy and ease of handling of the film.
  • the dicing/die bonding integrated film 10 can be obtained, for example, by preparing a film-like adhesive 1 and a dicing film 4, and bonding the film-like adhesive 1 to the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the dicing film 4.
  • the dicing/die bonding integrated film 10 can also be obtained, for example, by preparing a dicing film 4, and applying an adhesive composition (adhesive varnish) onto the pressure-sensitive adhesive layer 3 of the dicing film 4 in the same manner as in the method of forming the film-like adhesive 1 described above.
  • the dicing/die-bonding integrated film 10 can be formed by laminating the film-like adhesive 1 onto the dicing film 4 under specified conditions (e.g., room temperature (25°C) or in a heated state) using a roll laminator, vacuum laminator, or the like.
  • the dicing/die-bonding integrated film 10 can be produced continuously and is highly efficient, so it may be formed in a heated state using a roll laminator.
  • the film-like adhesive and the integrated dicing and die bonding film may be used in a manufacturing process for a semiconductor device, or may be used in a manufacturing process for a semiconductor device in which multiple semiconductor chips are stacked.
  • the film-like adhesive and the integrated dicing and die bonding film may be used in a manufacturing process for a semiconductor device that includes a process of bonding an adhesive layer of the film-like adhesive or the integrated dicing and die bonding film to a semiconductor wafer or an already-singulated semiconductor chip, and obtaining a semiconductor chip with an adhesive piece by cutting with a rotary blade, laser, or stretching, and a process of adhering the semiconductor chip with the adhesive piece onto a support member or a semiconductor chip via an adhesive piece.
  • the film-like adhesive is also suitable for use as an adhesive for bonding semiconductor chips together in stacked MCPs (e.g., three-dimensional NAND memory), which are semiconductor devices made by stacking multiple semiconductor chips.
  • stacked MCPs e.g., three-dimensional NAND memory
  • the film adhesive can also be used, for example, as a protective sheet to protect the back surface of the semiconductor chip of a flip-chip type semiconductor device, or as a sealing sheet to seal the gap between the front surface of the semiconductor chip of a flip-chip type semiconductor device and an adherend.
  • the semiconductor device manufactured using the film-like adhesive and the integrated dicing and die bonding film is specifically described below with reference to the drawings. Note that in recent years, semiconductor devices with various structures have been proposed, and the applications of the film-like adhesive and integrated dicing and die bonding film of this embodiment are not limited to semiconductor devices with the structures described below.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a semiconductor device.
  • the semiconductor device 100 shown in Fig. 3 includes a semiconductor chip 11 (first semiconductor chip), a support member 12 on which the semiconductor chip 11 is mounted, and an adhesive member 15.
  • the adhesive member 15 is provided between the semiconductor chip 11 and the support member 12, and bonds the semiconductor chip 11 and the support member 12.
  • the adhesive member 15 is a cured product of an adhesive composition (cured product of a film-like adhesive).
  • the connection terminals (not shown) of the semiconductor chip 11 are electrically connected to external connection terminals (not shown) via bonding wires 13, and are sealed with a sealing material 14.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device.
  • the first-stage semiconductor chip 11a first semiconductor chip
  • the second-stage semiconductor chip 11b second semiconductor chip
  • the connection terminals (not shown) of the first-stage semiconductor chip 11a and the second-stage semiconductor chip 11b are electrically connected to external connection terminals via bonding wires 13 and sealed by a sealing material 14.
  • the semiconductor device 110 shown in FIG. 4 can be said to further include another semiconductor chip (11b) stacked on the surface of the semiconductor chip (11a) in the semiconductor device 100 shown in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device.
  • the semiconductor device 120 shown in FIG. 5 includes a support member 12 and semiconductor chips 11a (first semiconductor chip), 11b (second semiconductor chip), 11c (third semiconductor chip), and 11d (fourth semiconductor chip) stacked on the support member 12.
  • the four semiconductor chips 11a, 11b, 11c, and 11d are stacked at positions shifted from each other in the horizontal direction (direction perpendicular to the stacking direction) for connection with a connection terminal (not shown) formed on the surface of the support member 12 (see FIG. 5).
  • the semiconductor chip 11a is adhered to the support member 12 by an adhesive member 15a (cured product of an adhesive composition (cured product of a film-like adhesive)), and adhesive members 15b, 15c, and 15d (cured product of an adhesive composition (cured product of a film-like adhesive)) are also interposed between the three semiconductor chips 11b, 11c, and 11d.
  • the semiconductor device 120 shown in FIG. 5 can be said to be the semiconductor device 100 shown in FIG. 3, further including other semiconductor chips (11b, 11c, 11d) stacked on the surface of the semiconductor chip (11a).
  • FIG. 5 illustrates a semiconductor device in which four semiconductor chips are stacked, but the number of stacked semiconductor chips is not limited to this.
  • FIG. 5 illustrates a semiconductor device in which the semiconductor chips are stacked in positions shifted from each other in the horizontal direction (direction perpendicular to the stacking direction), but the semiconductor device may be one in which the semiconductor chips are stacked in positions that are not shifted from each other in the horizontal direction (direction perpendicular to the stacking direction).
  • the semiconductor device (semiconductor package) shown in Figures 3, 4, and 5 can be obtained by a method including a step of interposing the above-mentioned film-like adhesive between a semiconductor chip (first semiconductor chip) and a support member, or between a semiconductor chip (first semiconductor chip) and a semiconductor chip (second semiconductor chip), and bonding the semiconductor chip (first semiconductor chip) and the support member, or between a semiconductor chip (first semiconductor chip) and a semiconductor chip (second semiconductor chip).
  • the above-mentioned film-like adhesive is interposed between a semiconductor chip and a support member, or between a semiconductor chip (first semiconductor chip) and a semiconductor chip (second semiconductor chip), and these are heated and pressed to bond the two together, and then, as necessary, a heat curing step, a wire bonding step, a sealing step using a sealing material, a heating and melting step including reflow using solder, and the like can be obtained.
  • a method for interposing a film-like adhesive between a semiconductor chip (first semiconductor chip) and a support member, or between a semiconductor chip (first semiconductor chip) and a semiconductor chip (second semiconductor chip) a method may be used in which a semiconductor chip with an adhesive piece is first produced and then attached to a support member or another semiconductor chip, as described below.
  • the semiconductor device can be obtained, for example, by a method comprising a step of attaching a semiconductor wafer to the adhesive layer of the above-mentioned dicing/die bonding integrated film (lamination step), a step of cutting the semiconductor wafer with the adhesive layer attached to produce a plurality of individual adhesive piece-attached semiconductor chips (dicing step), and a step of adhering a first adhesive piece-attached semiconductor chip having a first semiconductor chip and a first adhesive piece to a support member via the first adhesive piece as the adhesive piece-attached semiconductor chip (step of adhering the adhesive piece-attached semiconductor chip to a support member via an adhesive piece) (first adhering step).
  • the method for manufacturing a semiconductor device may further include a step of adhering a second semiconductor chip with adhesive piece, which has a second semiconductor chip and a second adhesive piece, to the surface of the first semiconductor chip in the first semiconductor chip with adhesive piece adhered to the support member via the second adhesive piece (a step of adhering another semiconductor chip with adhesive piece to the surface of the semiconductor chip adhered to the support member via an adhesive piece possessed by the other semiconductor chip with adhesive piece) (second adhering step).
  • the lamination process is a process in which a semiconductor wafer is pressed against the adhesive layer 1A of the dicing/die bonding integrated film 10, and the semiconductor wafer is adhered and held in place. This process may be performed while pressing with a pressing means such as a pressing roll.
  • Semiconductor wafers include, for example, single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, and compound semiconductors such as gallium arsenide.
  • the dicing process is a process in which a semiconductor wafer is diced. This allows the semiconductor wafer to be cut to a predetermined size, producing a number of individual semiconductor chips with adhesive pieces attached. Dicing can be performed, for example, from the circuit side of the semiconductor wafer in a conventional manner.
  • This process can employ, for example, a method known as full cut, in which a cut is made all the way to the dicing film, a method in which a half cut is made in the semiconductor wafer and the wafer is divided by cooling and pulling, or a method in which the wafer is divided by a laser.
  • a method known as full cut in which a cut is made all the way to the dicing film
  • a method in which a half cut is made in the semiconductor wafer and the wafer is divided by cooling and pulling
  • a method in which the wafer is divided by a laser There are no particular limitations on the dicing device used in this process, and any conventionally known device can be used.
  • Semiconductor chips are composed of, for example, a circuit layer and a semiconductor layer (for example, single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, compound semiconductors such as gallium arsenide, etc.).
  • semiconductor chips include ICs (integrated circuits).
  • support members include lead frames such as 42 alloy lead frames and copper lead frames; plastic films such as polyimide resin and epoxy resin; modified plastic films in which a substrate such as glass nonwoven fabric is impregnated and hardened with plastics such as polyimide resin and epoxy resin; and ceramics such as alumina.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include a pick-up step as necessary.
  • the pick-up step is a step of picking up the semiconductor chips with adhesive pieces attached in order to peel off the semiconductor chips with adhesive pieces attached that have been adhesively fixed to the dicing/die bonding integrated film.
  • the pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be used.
  • such a method includes a method in which each semiconductor chip with adhesive pieces is pushed up from the dicing/die bonding integrated film side by a needle, and the pushed-up semiconductor chips with adhesive pieces are picked up by a pick-up device.
  • the adhesive layer is of a radiation (e.g., ultraviolet) curing type
  • pick-up can be performed after irradiating the adhesive layer with radiation. This reduces the adhesive strength of the adhesive layer to the adhesive piece, making it easier to peel off the semiconductor chip with the adhesive piece attached. As a result, pick-up is possible without damaging the semiconductor chip with the adhesive piece attached.
  • a radiation e.g., ultraviolet
  • the first bonding step is a step of bonding a semiconductor chip with a first adhesive piece formed by dicing to a support member for mounting the semiconductor chip via the first adhesive piece.
  • the manufacturing method of a semiconductor device may include a step (second bonding step) of bonding a semiconductor chip with a second adhesive piece to the surface of the semiconductor chip bonded to the support member via the second adhesive piece, as necessary. Both bonding steps can be performed by pressure bonding. There are no particular limitations on the pressure bonding conditions, and they can be set appropriately as necessary.
  • the pressure bonding conditions may be, for example, a temperature of 80 to 160°C, a load of 5 to 15 N, and a time of 1 to 10 seconds.
  • the support member can be, for example, the same support member as above.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include a step of further thermally curing the adhesive pieces (the first adhesive piece in the semiconductor chip with the first adhesive piece, and the second adhesive piece in the semiconductor chip with the second adhesive piece) or the film-like adhesive (thermal curing step) as necessary.
  • the adhesive pieces the first adhesive piece in the semiconductor chip with the first adhesive piece, and the second adhesive piece in the semiconductor chip with the second adhesive piece
  • pressure may be applied at the same time to harden them.
  • the heating temperature in this step can be appropriately changed depending on the constituent components of the adhesive pieces.
  • the heating temperature may be, for example, 60 to 200°C or 100 to 180°C.
  • the temperature or pressure may be changed stepwise.
  • the heating time may be, for example, 1 to 120 minutes or 15 to 60 minutes.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may include, as necessary, a step of electrically connecting the first and second semiconductor chips to the support member with bonding wires, more specifically, a step of electrically connecting the electrode pads on the semiconductor chips to the tips of the terminal portions (inner leads) of the support member with bonding wires (wire bonding step).
  • wire bonding step For example, gold wire, aluminum wire, copper wire, etc., are used as the bonding wire.
  • the temperature during wire bonding may be within a range of 80 to 250°C or 80 to 220°C. The heating time may be several seconds to several minutes.
  • Wire bonding may be performed by combining ultrasonic vibration energy and compression energy by applied pressure while heated within the above temperature range.
  • the manufacturing method of a semiconductor device may include a step of sealing the semiconductor chip with a sealing material (sealing step) as necessary. This step is performed to protect the semiconductor chip or bonding wires mounted on the support member. This step can be performed by molding the sealing resin (sealing resin) in a mold.
  • the sealing resin may be, for example, an epoxy-based resin. The support member and residue are embedded by the heat and pressure during sealing, and peeling due to air bubbles at the adhesive interface can be prevented.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may, if necessary, include a process (post-curing process) for completely curing any encapsulating resin that is not fully cured in the encapsulating process. Even if the adhesive pieces are not thermally cured in the encapsulating process, in this process, the adhesive pieces are thermally cured together with the encapsulating resin, making it possible to bond and fix the pieces.
  • the heating temperature in this process can be set appropriately depending on the type of encapsulating resin, and may be within the range of 165 to 185°C, for example, and the heating time may be approximately 0.5 to 8 hours.
  • the method for manufacturing a semiconductor device may, as necessary, include a step of heating the semiconductor chip attached to the support member or the semiconductor chip using a reflow furnace (heating and melting step).
  • the resin-encapsulated semiconductor device may be surface-mounted on the support member.
  • surface mounting methods include reflow soldering, in which solder is first supplied onto a printed wiring board, then heated and melted by hot air or the like, and soldered.
  • heating methods include hot air reflow and infrared reflow.
  • the heating method may be one that heats the entire surface or one that heats localized areas.
  • the heating temperature may be, for example, within the range of 240 to 280°C.
  • Component (A2) Phenolic resin (A2-1) PSM-4326 (trade name, manufactured by Gun-ei Chemical Industry Co., Ltd., novolac type phenolic resin, hydroxyl equivalent: 105 g/eq, softening point: 120° C.)
  • Component (D) Coupling agent (D-1) Z-6119 (trade name, manufactured by Dow Toray Co., Ltd., ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane) (D-2) A-189 (trade name, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane)
  • the prepared adhesive varnish was filtered through a 100 mesh filter and vacuum degassed.
  • a 38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate (PET) film that had been subjected to a release treatment was prepared as a support film, and the adhesive varnish after vacuum degassing was applied onto the PET film.
  • the applied adhesive varnish was heated and dried at 90° C. for 5 minutes and then at 140° C. for 5 minutes to obtain film-like adhesives in a B-stage state in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4.
  • the thickness of the film-like adhesive was adjusted to 5 ⁇ m by the amount of adhesive varnish applied.
  • the storage modulus after curing was measured using the film-like adhesives of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4.
  • the storage modulus after curing was measured by the following method. That is, a thickness of 100 ⁇ m or more was made by laminating a plurality of film-like adhesives having a thickness of 5 ⁇ m, and a size of 4 mm wide x 20 mm long or more was prepared as a sample for measurement. The prepared sample was cured under conditions of 140° C.
  • the storage modulus at 30° C. e.g., 2000 MPa or less
  • the storage modulus at 30° C. e.g., 2000 MPa or less
  • the film-like adhesives of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 were measured for breaking strength at 25°C using a tensile tester (RTF-1250-HS-PL, A&D Co., Ltd.). More specifically, a test piece having the shape shown in FIG. 6 was prepared using a film-like adhesive in a B-stage state. A tensile test was performed by gripping both ends of the prepared test piece with the tester. The tensile test was performed in an environment of 25°C, and the tensile speed was 100 mm/min.
  • the breaking strength was calculated from the average thickness (0.005 mm (5 ⁇ m)) and width (10 mm) of the test piece before the test, and the maximum load (N) until the test piece broke, using the following formula.
  • the results are shown in Table 1.
  • the values shown in Table 1 are values converted to loads when the average thickness of the test piece before the test was 5 ⁇ m (unit: N/10 mm).
  • a larger breaking strength value eg, 0.7 N/10 mm or more
  • Breaking strength (MPa) maximum load (N) until the test piece breaks / (average thickness (mm) x width (mm) of the test piece)
  • Evaluation samples were prepared using the dicing and die bonding integrated films of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4. Evaluation samples for evaluating warpage were prepared as follows. A semiconductor wafer with a thickness of 40 ⁇ m was prepared, and the film-like adhesive side of the dicing and die bonding integrated film was laminated to the semiconductor wafer at a stage temperature of 70° C. to prepare a dicing sample. The obtained dicing sample was cut using a fully automatic dicer DFD-6362 (manufactured by Disco Corporation). Cutting was performed using a single cut method using one blade, and ZH05-SD4000-N1-70-EE (manufactured by Disco Corporation) was used.
  • the cutting conditions were a blade rotation speed of 40,000 rpm, a cutting speed of 50 mm/sec, and a chip size of 10 mm ⁇ 6 mm. Cutting was performed so that a cut of about 20 ⁇ m was made in the dicing film. Next, the adhesive layer made of the ultraviolet curing adhesive was irradiated with ultraviolet light to cure the adhesive layer, and the semiconductor chip with the adhesive piece was picked up.
  • the adhesive piece of the semiconductor chip with the adhesive piece was pressed onto an organic substrate with a solder resist of thickness 90 ⁇ m ⁇ width 240 mm ⁇ length 74 mm under conditions of a temperature of 130 ° C., a load of 10 N, and a time of 1 second, to prepare evaluation samples of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4.
  • 60 semiconductor chips in the first row were arranged side-by-side in 15 rows and 4 columns, and then 60 semiconductor chips in the second row were arranged on each surface of the semiconductor chips in the first row.
  • the warpage of the semiconductor device was evaluated using the evaluation samples of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4. Each evaluation sample was placed in an oven, heated from 35°C to 140°C at a heating rate of 3°C/min, and heated at 140°C for 30 minutes. The evaluation sample after the heat treatment was removed from the pressure oven, and the amount of warpage of the semiconductor device (semiconductor package) was measured.
  • the evaluation sample after the heat treatment was placed on a flat surface with the semiconductor chip side facing down, and a Digimatic Indicator ID-H0530 (manufactured by Mitutoyo Corporation) was used to measure five points on the upper left, upper right, center, lower left, and lower right of the evaluation sample after the heat treatment placed on the flat surface, and the difference between the maximum and minimum values of the measurement results was obtained, which was taken as the amount of warpage.
  • the amount of warpage was 3.0 mm or less, the amount of warpage was evaluated as being sufficiently suppressed as "A”, and when the amount of warpage was more than 3.0 mm, it was evaluated as "B".
  • Table 1 The results are shown in Table 1.
  • the film-like adhesives of Examples 1 to 5 were excellent in both storage modulus and breaking strength at 150°C, whereas the film-like adhesives of Comparative Examples 1 to 4 were insufficient in at least one of storage modulus and breaking strength at 150°C. These results confirmed that the film-like adhesives disclosed herein have excellent processability when formed into thin films, and are capable of suppressing the occurrence of chip cracks.
  • 1...film-like adhesive 1A...adhesive layer, 2...base material layer, 3...adhesive layer, 4...dicing film, 10...dicing and die bonding integrated film, 11, 11a, 11b, 11c, 11d...semiconductor chip, 12...support member, 13...bonding wire, 14...sealing material, 15, 15a, 15b, 15c, 15d...adhesive member, 16...terminal, 100, 110, 120...semiconductor device.

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Abstract

熱硬化性樹脂成分と、エラストマーとを含有し、無機フィラーをさらに含有していてもよい、フィルム状接着剤が開示される。エラストマーの含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上である。無機フィラーの含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０～２５質量％である。フィルム状接着剤を１４０℃、３０分の条件で硬化させたときの硬化物の１５０℃における貯蔵弾性率は、８０ＭＰａ以上である。フィルム状接着剤の厚さは、１５μｍ以下である。

Description

フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
　本開示は、フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
　近年、半導体チップを多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）が普及しており、携帯電話、携帯オーディオ機器用のメモリ半導体パッケージ等として搭載されている。また、携帯電話等の多機能化に伴い、半導体パッケージの高速化、高密度化、高集積化等も推し進められている。
　半導体装置の製造方法として、半導体ウェハの裏面に、接着剤層及び粘着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを貼り付け、その後、半導体ウェハ、接着剤層、及び粘着剤層の一部を切断して個片化する方式（半導体ウェハ裏面貼付け方式）が、一般的に用いられている。例えば、特許文献１、２には、このような方式における接着剤層に使用されるフィルム状接着剤が開示されている。
国際公開第２０１３／１３３２７５号 国際公開第２０２０／０１３２５０号
　ところで、スタックドＭＣＰにおいては、半導体チップが多段に積層されることから、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに使用されるフィルム状接着剤には、薄膜（例えば、厚さ１５μｍ以下）を形成したときにおいても充分な破断強度を有することが求められている。フィルム状接着剤が充分な破断強度を有すると、薄膜を形成したときの加工性（例えば、所定の形状に型抜きするためのフィルム切断性）に優れる傾向がある。
　加えて、近年の半導体パッケージにおいては、回路層と半導体層とから構成される半導体チップにおいて、回路層が厚く、半導体層が薄くなる傾向がある。このような半導体パッケージにおいては、例えば、半導体チップの回路層と基板の電極とをボンディングワイヤで接続するワイヤボンディングの際に、チップクラックが発生する場合がある。このようなチップクラックは、半導体層が薄くなって脆くなり、ワイヤボンディング時の振動によって発生すると推測される。そのため、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに使用されるフィルム状接着剤には、チップクラックの発生を抑制できることも求められている。
　そこで、本開示は、薄膜を形成したときの加工性に優れるとともに、チップクラックの発生を抑制することが可能なフィルム状接着剤を提供することを主な目的とする。
　本発明者らが、上記課題を解決すべく鋭意検討したところ、フィルム状接着剤におけるエラストマーの含有量を所定の範囲以上とすること、フィルム状接着剤における無機フィラーの含有量を所定の範囲以下とすること、及び硬化後のフィルム状接着剤の貯蔵弾性率を所定の範囲以上とすることにより、薄膜を形成したときの加工性を改善することができ、さらにはチップクラックの発生を抑制することができることを見出し、本開示の発明を完成するに至った。
　本開示は、［１］～［８］に記載のフィルム状接着剤、［９］に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、［１０］、［１１］に記載の半導体装置、及び［１２］、［１３］に記載の半導体装置を提供する。
［１］熱硬化性樹脂成分と、エラストマーとを含有し、無機フィラーをさらに含有していてもよい、フィルム状接着剤であって、前記エラストマーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上であり、前記無機フィラーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、０～２５質量％であり、前記フィルム状接着剤を１４０℃、３０分の条件で硬化させたときの硬化物の１５０℃における貯蔵弾性率が８０ＭＰａ以上であり、前記フィルム状接着剤の厚さが１５μｍ以下である、フィルム状接着剤。
［２］前記エラストマーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８～３５質量％であり、［１］に記載のフィルム状接着剤。
［３］前記無機フィラーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、０～３質量％であり、［１］又は［２］に記載のフィルム状接着剤。
［４］前記フィルム状接着剤を１４０℃、３０分の条件で硬化させたときの硬化物の３０℃における貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ以下である、［１］～［３］のいずれかに記載のフィルム状接着剤。
［５］前記熱硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む、［１～［４］のいずれかに記載のフィルム状接着剤。
［６］前記エラストマーのガラス転移温度が０～３０℃である、［１］～［５］にいずれかに記載のフィルム状接着剤。
［７］複数の半導体チップを積層してなる半導体装置の製造プロセスに用いられる、［１］～［６］にいずれかに記載のフィルム状接着剤。
［８］前記半導体装置が三次元ＮＡＮＤ型メモリである、［７］に記載のフィルム状接着剤。
［９］基材層と、粘着剤層と、［１］～［６］にいずれかに記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
［１０］第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップを搭載する支持部材と、前記第１の半導体チップ及び前記支持部材の間に設けられ、前記第１の半導体チップと前記支持部材とを接着する、［１］～［６］にいずれかに記載のフィルム状接着剤の硬化物とを備える、半導体装置。
［１１］前記第１の半導体チップの表面上に積層された、前記第１の半導体チップとは異なる第２の半導体チップをさらに備える、［１０］に記載の半導体装置。
［１２］［９］に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける工程と、前記接着剤層を貼り付けた前記半導体ウェハを切断することによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを作製する工程と、前記接着剤片付き半導体チップとして、第１の半導体チップ及び第１の接着剤片を有する第１の接着剤片付き半導体チップを支持部材に接着剤片を介して接着する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
［１３］前記接着剤片付き半導体チップとして、第２の半導体チップ及び第２の接着剤片を有する第２の接着剤片付き半導体チップを、前記支持部材に接着された前記第１の接着剤片付き半導体チップにおける前記第１の半導体チップの表面に、前記第２の接着剤片を介して接着する工程をさらに備える、［１２］に記載の半導体装置の製造方法。
　本開示によれば、薄膜を形成したときの加工性に優れるとともに、チップクラックの発生を抑制することが可能なフィルム状接着剤が提供される。いくつかの態様のフィルム状接着剤は、半導体装置（半導体パッケージ）の反りを抑制することも可能となる。また、本開示によれば、このようなフィルム状接着剤を用いたダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法が提供される。さらに、本開示によれば、このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図３は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。 図４は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。 図５は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。 図６は、破断強度の測定に用いられる試験片の形状を示す図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。また、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。また、「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
　本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
［フィルム状接着剤］
　図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示されるフィルム状接着剤１は、熱硬化性であってよく、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化（Ｃステージ）状態となり得るものであってよい。
　フィルム状接着剤１は、以下の条件を満たす。
・１４０℃、３０分の条件で硬化させた後の１５０℃における貯蔵弾性率が８０ＭＰａ以上であること
・厚さが１５μｍ以下であること
　フィルム状接着剤１の１４０℃、３０分の条件で硬化させた後の１５０℃における貯蔵弾性率は、８０ＭＰａ以上であり、８５ＭＰａ以上、９０ＭＰａ以上、９５ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以上、１０５ＭＰａ以上、１１０ＭＰａ以上、１１５ＭＰａ以上、１２０ＭＰａ以上、１２５ＭＰａ以上、又は１３０ＭＰａ以上であってもよい。当該貯蔵弾性率が８０ＭＰａ以上であると、薄膜化による半導体チップの脆さをカバーすることができ、結果として、チップクラックの発生を抑制することが可能となる。当該貯蔵弾性率の上限は、特に制限されないが、例えば、５００ＭＰａ以下、３００ＭＰａ以下、２５０ＭＰａ以下、又は２００ＭＰａ以下であってよい。
　フィルム状接着剤１の１４０℃、３０分の条件で硬化させた後の３０℃における貯蔵弾性率は、２０００ＭＰａ以下であってよく、１８００ＭＰａ以下、１６００ＭＰａ以下、１４００ＭＰａ以下、又は１２００ＭＰａ以下であってもよい。当該貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ以下であると、フィルム状接着剤をより容易に薄膜化が可能となり、フィルム状接着剤の硬化物において、硬くなり過ぎることをより充分に抑制することが可能となる傾向がある。当該貯蔵弾性率の下限は、特に制限されないが、例えば、６００ＭＰａ以上、７００ＭＰａ以上、８００ＭＰａ以上、９００ＭＰａ以上、又は１０００ＭＰａ以上であってよい。
　本明細書において、フィルム状接着剤の硬化させた後の１５０℃における貯蔵弾性率は、例えば、以下の方法によって測定することができる。厚さ５μｍのフィルム状接着剤を複数積層することによって厚さを１００μｍ以上とし、これを幅４ｍｍ×長さ２０ｍｍ以上のサイズにすることによって測定用の試料を作製する。作製した試料を１４０℃、３０分の条件で硬化させた後、硬化後の試料を動的粘弾性測定装置（例えば、Ｒｈｅｏｇｅｌ　Ｅ－４０００、株式会社ユービーエム製）にセットし、引張荷重をかけて、チャック間距離２０ｍｍ、周波数１０Ｈｚ、及び昇温速度３℃／分の条件で室温（２５℃）～３００℃まで測定する温度依存性測定モードにて、動的粘弾性を測定する。ここで、３０℃及び１５０℃のときの貯蔵弾性率の値を読み取り、それぞれの値を３０℃及び１５０℃における貯蔵弾性率とする。
　フィルム状接着剤１の厚さは、１５μｍ以下であり、１２μｍ以下、１０μｍ以下、８μｍ以下、７μｍ以下、６μｍ以下、又は５μｍ以下であってよい。フィルム状接着剤の厚さの下限は、特に制限されないが、例えば、１μｍ以上であってよい。
　フィルム状接着剤１は、熱硬化性樹脂成分（以下、「（Ａ）成分」という場合がある。）と、エラストマー（以下、「（Ｂ）成分」という場合がある。）とを含有し、無機フィラー（以下、「（Ｃ）成分」という場合がある。）をさらに含有していてもよい。（Ａ）成分は、例えば、エポキシ樹脂（以下、「（Ａ１）成分」という場合がある。）と、フェノール樹脂（以下、「（Ａ２）成分」という場合がある。）とを含んでいてもよい。（Ｂ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上である。（Ｃ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０～２５質量％である。また、フィルム状接着剤１は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分に加えて、カップリング剤（以下、「（Ｄ）成分」という場合がある。）、硬化促進剤（以下、「（Ｅ）成分」という場合がある。）、その他の成分等をさらに含有していてもよい。このような構成成分を採用することにより、上記の硬化後の貯蔵弾性率及び上記の厚さの条件を満たすフィルム状接着剤を作製し易い傾向がある。
（Ａ）成分：熱硬化性樹脂成分
・（Ａ１）成分：エポキシ樹脂
　（Ａ１）成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。（Ａ１）成分としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；トリアジン骨格含有エポキシ樹脂；フルオレン骨格含有エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂；ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらの中でも、（Ａ１）成分は、フィルムのタック性、柔軟性等の観点から、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂を含んでいてもよい。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂は、比較的に軟化点が低く、軟化点が４０℃以下であるものが多い。
　（Ａ１）成分は、軟化点が４０℃以下であるエポキシ樹脂（又は３０℃で液状であるエポキシ樹脂、以下、「（Ａ１ａ）成分」という場合がある。）を含んでいてもよい。（Ａ１）成分は、（Ａ１ａ）成分と軟化点が４０℃を超えるエポキシ樹脂（又は３０℃で固形であるエポキシ樹脂、以下、「（Ａ１ｂ）成分」という場合がある。）との組み合わせであってよい。（Ａ１）成分が、（Ａ１ａ）成分を含むことによって、硬化後の貯蔵弾性率をより向上させ易い傾向がある。また、（Ａ１）成分が、（Ａ１ａ）成分と（Ａ１ｂ）成分との組み合わせであることによって、薄膜化をより一層達成し易い傾向がある。（Ａ１ａ）成分は、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を含んでいてもよい。
　なお、本明細書において、軟化点とは、ＪＩＳ　Ｋ７２３４：１９８６に準拠し、環球法によって測定される値を意味する。
　（Ａ１ａ）成分の市販品としては、例えば、ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、３０℃で液状）、ＹＤＦ－８１７０Ｃ（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製、３０で液状）、ＥＰ－４０８８Ｓ（商品名、株式会社ＡＤＥＫＡ製、３０℃で液状）等が挙げられる。
　（Ａ１）成分が（Ａ１ａ）成分と（Ａ１ｂ）成分との組み合わせである場合、（Ａ１ａ）成分の含有量は、（Ａ１）成分の全量を基準として、５質量％以上、１０質量％以上、又は１５質量％以上であってよく、７０質量％以下、６０質量％以下、又は５０質量％以下であってよい。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ａ１）成分における（Ａ１ａ）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。
　（Ａ１）成分が（Ａ１ａ）成分と（Ａ１ｂ）成分との組み合わせである場合、（Ａ１ｂ）成分の含有量は、（Ａ１）成分の全量を基準として、３０質量％以上、４０質量％以上、又は５０質量％以上であってよく、９５質量％以下、９０質量％以下、又は８５質量％以下であってよい。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ａ１）成分における（Ａ１ｂ）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。
　（Ａ１）成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３００ｇ／ｅｑ又は１１０～２９０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ１）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤のバルク強度を維持しつつ、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物の流動性を確保し易い傾向がある。
・（Ａ２）成分：フェノール樹脂
　（Ａ２）成分は、（Ａ１）成分の硬化剤として作用する成分、すなわち、エポキシ樹脂の硬化剤であり得る。フィルム状接着剤が（Ａ２）成分を含有することによって、フィルム状接着剤が高架橋化し、硬化後の貯蔵弾性率を向上させることができる。
　（Ａ２）成分は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。（Ａ２）成分は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に限定されない。（Ａ２）成分としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂；アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂；ナフトールアラルキル樹脂；ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂；フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらの中でも、フェノール樹脂は、ノボラック型フェノール樹脂又はフェニルアラルキル型フェノール樹脂を含んでいてもよい。
　（Ａ２）成分の水酸基当量は、７０ｇ／ｅｑ以上又は７０～３００ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ２）成分の水酸基当量が７０ｇ／ｅｑ以上であると、貯蔵弾性率がより向上する傾向があり、３００ｇ／ｅｑ以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。
　（Ａ２）成分の軟化点は、特に制限されないが、例えば、９０℃以上、１００℃以上、又は１１０℃以上であってよい。（Ａ２）成分の軟化点の上限は、例えば、２００℃以下であってよい。
　（Ａ２）成分の市販品としては、例えば、ＰＳＭ－４３２６（商品名、群栄化学工業株式会社製、軟化点：１２０℃）、Ｊ－ＤＰＰ－１４０（商品名、ＪＦＥケミカル株式会社製、軟化点：１４０℃）、ＧＰＨ－１０３（商品名、日本化薬株式会社製、軟化点：９９～１０６℃）等が挙げられる。
　（Ａ１）成分のエポキシ当量と（Ａ２）成分の水酸基当量との比（（Ａ１）成分のエポキシ当量／（Ａ２）成分の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向がある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
　（Ａ１）成分（（Ａ１ａ）成分及び（Ａ１ｂ）成分の合計）の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、２０質量％以上であってよく、２５質量％以上、３０質量％以上、３５質量％以上、４０質量％以上、又は４５質量％以上であってもよい。（Ａ１）成分の含有量がこのような範囲であると、硬化後の貯蔵弾性率をより向上させ易い傾向がある。（Ａ１）成分の含有量は、取扱い性の観点から、フィルム状接着剤の全量を基準として、７０質量％以下、６５質量％以下、６０質量％以下、又は５５質量％以下であってよい。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ａ１）成分（（Ａ１ａ）成分及び（Ａ１ｂ）成分の合計）の含有量は上記範囲と同様であってよい。
　（Ａ２）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、１０質量％以上であってよく、１２質量％以上、１５質量％以上、１８質量％以上、２０質量％以上、又は２２質量％以上であってもよい。（Ａ２）成分の含有量がこのような範囲であると、硬化後の貯蔵弾性率をより向上させ易い傾向がある。（Ａ２）成分の含有量は、取扱い性の観点から、フィルム状接着剤の全量を基準として、３５質量％以下、３２質量％以下、又は３０質量％以下であってよい。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ａ２）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。
　（Ａ）成分（（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の合計）の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、４０質量％以上であってよく、４５質量％以上、５０質量％以上、５５質量％以上、６０質量％以上、６５質量％以上、又は７０質量％以上であってもよい。（Ａ）成分の含有量がこのような範囲であると、硬化後の貯蔵弾性率をより向上させ易い傾向がある。（Ａ）成分の含有量は、取扱い性の観点から、フィルム状接着剤の全量を基準として、９０質量％以下、８５質量％以下、又は８０質量％以下であってよい。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ａ）成分（（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分の合計）の含有量は上記範囲と同様であってよい。
（Ｂ）成分：エラストマー
　（Ｂ）成分としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエン樹脂；これら樹脂の変性体等が挙げられる。また、（Ｂ）成分としては、例えば、オルガノポリシロキサンを側鎖に有する重合体等が挙げられる。これらの中でも、（Ｂ）成分は、イオン性不純物が少なく耐熱性により優れること、半導体装置の接続信頼性をより確保し易いこと、流動性により優れることから、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を主成分として有するアクリル樹脂（アクリルゴム）であってよい。（Ｂ）成分における（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位の含有量は、構成単位全量を基準として、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、又は９０質量％以上であってよい。アクリル樹脂（アクリルゴム）は、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むものであってよい。
　（Ｂ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、０～３０℃であってよい。（Ｂ）成分のＴｇが０℃以上であると、フィルム状接着剤の接着強度をより向上させることが可能となり、さらにはフィルム状接着剤の柔軟性が高くなり過ぎることを防ぐことができる傾向がある。（Ｂ）成分のＴｇが３０℃以下であると、フィルム状接着剤の柔軟性の低下を抑制でき、薄膜を形成したときの破断強度に優れるとともに加工性にも優れる傾向がある。（Ｂ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、５℃以上又は１０℃以上であってもよく、２５℃以下又は２０℃以下であってもよい。ここで、Ｔｇは、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　２）を用いて測定した値を意味する。（Ｂ）成分のＴｇは、（Ｂ）成分を構成する構成単位（（Ｂ）成分がアクリル樹脂（アクリルゴム）である場合、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位）の種類及び含有量を調整することによって、所望の範囲に調整することができる。
　（Ｂ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万以上、３０万以上、又は５０万以上であってよく、３００万以下、２００万以下、又は１００万以下であってよい。（Ｂ）成分のＭｗがこのような範囲にあると、フィルム形成性、フィルム強度、可撓性、タック性等を適切に制御することができるとともに、リフロー性に優れ、埋め込み性を向上することができる。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。なお、ＧＰＣにおいて複数のピークが観測された場合、最もピーク強度の高いピークに起因する重量平均分子量を、本明細書における重量平均分子量と定義する。
　（Ｂ）成分の市販品としては、ＳＧ－Ｐ３、ＳＧ－８０Ｈ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）、ＫＨ－ＣＴ－８６５（株式会社レゾナック製）等が挙げられる。
　（Ｂ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上であり、１８～３５質量％であってよい。（Ｂ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、２０質量％以上、２２質量％以上、又は２４質量％以上であってもよい。（Ｂ）成分の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上であると、薄膜を形成したときの破断強度に優れ、加工性にも優れるとともに、半導体装置（半導体パッケージ）の反りを抑制できる傾向がある。また、（Ｂ）成分の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上であると、硬化後の３０℃における貯蔵弾性率が高くなり過ぎることを抑制できる傾向がある。（Ｂ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、３５質量％以下、３３質量％以下、３０質量％以下、又は２８質量％以下であってもよい。（Ｂ）成分の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、３５質量％以下であると、硬化後の貯蔵弾性率をより向上させ易い傾向がある。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ｂ）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。
（Ｃ）成分：無機フィラー
　フィルム状接着剤１は（Ｃ）成分をさらに含有していてもよい。すなわち、フィルム状接着剤１は、（Ｃ）成分を含有する態様と（Ｃ）成分を実質的に含有しない態様とが存在し得る。
　（Ｃ）成分としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、シリカ等のフィラーが挙げられる。これらの中でも、（Ｃ）成分は、溶融粘度の調整の観点から、シリカフィラーであってもよい。（Ｃ）成分の形状は、特に制限されないが、球状であってよい。
　（Ｃ）成分の平均粒径は、流動性及び貯蔵弾性率の観点から、０．７μｍ以下であってよく、０．６μｍ以下、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下、又は０．３μｍ以下であってもよい。（Ｃ）成分の平均粒径は、例えば、０．０１μｍ以上であってよい。ここで、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求められる粒度分布における積算頻度５０％の粒径を意味する。なお、（Ｃ）成分の平均粒径は、（Ｃ）成分が含有されるフィルム状接着剤を用いることによっても求めることができる。この場合、フィルム状接着剤を加熱して樹脂成分を分解することによって得られる残渣を溶媒に分散して分散液を作製し、これにレーザー回折・散乱法を適用して得られる粒度分布から、（Ｃ）成分の平均粒径を求めることができる。
　（Ｃ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０～２５質量％であり、０～２２質量％、０～２０質量％、０～１７質量％、０～１５質量％、０～１２質量％、０～１０質量％、０～７質量％、０～５質量％、０～４質量％、０～３質量％、０～２質量％、０～１質量％、０～０．５質量％、又は０～０．１質量％であってもよい。（Ｃ）成分の含有量がこのような範囲にあると、薄膜化がより一層可能となる傾向がある。また、（Ｃ）成分の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、２５質量％以下であると、薄膜を形成したときの破断強度に優れ、加工性にも優れるとともに、半導体装置（半導体パッケージ）の反りを抑制できる傾向がある。（Ｃ）成分の含有量は、一実施形態において、フィルム状接着剤の全量を基準として、２２質量％以下、２０質量％以下、１７質量％以下、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、７質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、１質量％以下、０．５質量％以下、又は０．１質量％以下であってもよい。（Ｃ）成分の含有量は、一実施形態において、フィルム状接着剤の全量を基準として、０質量％であってもよい。すなわち、フィルム状接着剤は、一実施形態において、（Ｃ）成分を含有していなくてもよい。（Ｃ）成分の含有量の下限は、一実施形態において、フィルム状接着剤の全量を基準として、０質量％以上、０質量％超、１質量％以上、３質量％以上、又は５質量％以上であってもよい。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ｃ）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。
　（Ａ）成分及び（Ｂ）成分、又は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分は、本実施形態のフィルム状接着剤の主成分であり得る。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量、又は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分の合計の含有量は、例えば、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９６質量％以上、９７質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、９９．７質量％以上、又は９９．９質量％以上であってもよい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量、又は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分の合計の含有量は、例えば、１００質量％以下、９９．９質量％以下、９９．７質量％以下、又は９９．５質量％以下であってよい。
（Ｄ）成分：カップリング剤
　（Ｄ）成分は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤としては、例えば、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
（Ｅ）成分：硬化促進剤
　（Ｅ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの中でも、反応性の観点から（Ｅ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってもよい。
　イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。
　（Ｅ）成分は、低温での硬化を促進し易いことから、２－フェニルイミダゾールを含んでいてもよい。
　フィルム状接着剤は、その他の成分をさらに含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、顔料、イオン補捉剤、酸化防止剤等が挙げられる。
　（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、及びその他の成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０質量％以上、０．１質量％以上、０．３質量％以上、又は０．５質量％以上であってよく、３０質量％以下、２０質量％以下、１０質量％以下、５質量％以下、４質量％以下、３質量％以下、２質量％以下、又は１質量％以下であってよい。なお、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤組成物中の（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、及びその他の成分の合計の含有量は上記範囲と同様であってよい。
　図１に示されるフィルム状接着剤１は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分、並びに、必要に応じて、（Ｃ）成分及び添加される成分を含有する接着剤組成物をフィルム状に成形してなるものである。このようなフィルム状接着剤１は、接着剤組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。フィルム状接着剤１の形成においては、接着剤組成物及び溶剤を含むワニス（接着剤ワニス）を用いてもよい。接着剤ワニスを用いる場合は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分、並びに、必要に応じて、（Ｃ）成分及び添加される成分を溶剤中で混合又は混練して接着剤ワニスを調製し、得られた接着剤ワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによってフィルム状接着剤１を得ることができる。
　支持フィルムは、上記の加熱乾燥に耐えるものであれば特に限定されないが、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等であってよい。支持フィルムは、２種以上を組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。支持フィルムの厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
　混合又は混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロールミル、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。
　接着剤ワニスの調製に用いられる溶剤は、各成分を均一に溶解、混練、又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。溶剤は、乾燥速度及び価格の観点から、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノンであってよい。
　接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。加熱乾燥条件は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、５０～１５０℃で、１～３０分であってよい。
　フィルム状接着剤１は、薄膜化が可能であることから、複数の半導体チップを積層してなる半導体装置の製造プロセスに好適に用いることができる。この場合、半導体装置は、スタックドＭＣＰであってよく、三次元ＮＡＮＤ型メモリであってもよい。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム］
　図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図２に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、基材層２と、粘着剤層３と、上記のフィルム状接着剤１からなる接着剤層１Ａとをこの順に備える。基材層２及び粘着剤層３からなる積層体は、ダイシングフィルム４（ダイシングテープ）と呼ばれることがある。このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０を用いると、半導体ウェハへのラミネート工程が１回となることから、作業の効率化が可能である。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、フィルム状、シート状、テープ状等であってもよい。
　ダイシングフィルム４は、基材層２と、基材層２上に設けられた粘着剤層３とを備えている。
　基材層２としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。これらの基材層２は、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。
　粘着剤層３は、粘着剤からなる層である。粘着剤は、ダイシング工程においては半導体チップが飛散しない充分な粘着力を有し、その後の半導体チップのピックアップ工程においては半導体チップを傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限なく、ダイシングフィルムの分野で従来公知のものを使用することができる。粘着剤は、放射線硬化型又は非放射線硬化型のいずれであってもよい。放射線は、例えば、紫外線であってよい。非放射線硬化型粘着剤は、短時間の加圧で一定の粘着性を示す粘着剤である。一方、放射線硬化型粘着剤は、放射線（例えば、紫外線）の照射によって、粘着性が低下する性質を有する粘着剤である。
　ダイシングフィルム４（基材層２及び粘着剤層３）の厚さは、経済性及びフィルムの取扱い性の観点から、６０～１５０μｍ又は７０～１３０μｍであってよい。
　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、例えば、フィルム状接着剤１及びダイシングフィルム４を準備し、フィルム状接着剤１とダイシングフィルム４の粘着剤層３とを貼り合わせることによって得ることができる。また、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、例えば、ダイシングフィルム４を準備し、上記のフィルム状接着剤１を形成する方法と同様に、接着剤組成物（接着剤ワニス）をダイシングフィルム４の粘着剤層３上に塗布することによっても得ることができる。
　フィルム状接着剤１とダイシングフィルム４の粘着剤層３とを貼り合わせる場合、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば、室温（２５℃）又は加熱状態）でダイシングフィルム４にフィルム状接着剤１をラミネートすることによって形成することができる。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０は、連続的に製造ができ、効率に優れることから、加熱状態でロールラミネーターを用いて形成してもよい。
　フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、半導体装置の製造プロセスに用いられるものであってよく、複数の半導体チップを積層してなる半導体装置の製造プロセスに用いられるものであってもよい。フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、半導体ウェハ又はすでに個片化されている半導体チップに、フィルム状接着剤又はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層を貼り合わせて、回転刃、レーザー又は伸張による分断で接着剤片付き半導体チップを得る工程と、当該接着剤片付き半導体チップを、支持部材又は半導体チップ上に接着剤片を介して接着する工程とを含む半導体装置の製造プロセスに用いられるものであってよい。
　フィルム状接着剤は、複数の半導体チップを積層してなる半導体装置であるスタックドＭＣＰ（例えば、三次元ＮＡＮＤ型メモリ）において、半導体チップ同士を接着するための接着剤としても好適に用いられる。
　フィルム状接着剤は、例えば、フリップチップ型半導体装置の半導体チップの裏面を保護する保護シート、フリップチップ型半導体装置の半導体チップの表面と被着体との間を封止するための封止シート等としても用いることできる。
　フィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて製造された半導体装置について、以下、図面を用いて具体的に説明する。なお、近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本実施形態のフィルム状接着剤及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。
［半導体装置］
　図３は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図３に示される半導体装置１００は、半導体チップ１１（第１の半導体チップ）と、半導体チップ１１を搭載する支持部材１２と、接着部材１５とを備えている。接着部材１５は、半導体チップ１１及び支持部材１２の間に設けられ、半導体チップ１１と支持部材１２とを接着している。接着部材１５は、接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物）である。半導体チップ１１の接続端子（図示せず）はボンディングワイヤ１３を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材１４によって封止されている。
　図４は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。図４に示される半導体装置１１０において、一段目の半導体チップ１１ａ（第１の半導体チップ）は、接着部材１５ａ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））によって、端子１６が形成された支持部材１２に接着され、一段目の半導体チップ１１ａ上にさらに接着部材１５ｂ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））によって二段目の半導体チップ１１ｂ（第２の半導体チップ）が接着されている。一段目の半導体チップ１１ａ及び二段目の半導体チップ１１ｂの接続端子（図示せず）は、ボンディングワイヤ１３を介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材１４によって封止されている。図４に示される半導体装置１１０は、図３に示される半導体装置１００において、半導体チップ（１１ａ）の表面上に積層された他の半導体チップ（１１ｂ）をさらに備えているともいえる。
　図５は、半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。図５に示される半導体装置１２０は、支持部材１２と、支持部材１２上に積層された半導体チップ１１ａ（第１の半導体チップ），１１ｂ（第２の半導体チップ），１１ｃ（第３の半導体チップ），１１ｄ（第４の半導体チップ）とを備える。四つの半導体チップ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、支持部材１２の表面に形成された接続端子（図示せず）との接続のために、横方向（積層方向と直交する方向）に互いにずれた位置に積層されている（図５参照）。半導体チップ１１ａは、接着部材１５ａ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））によって支持部材１２に接着されており、三つの半導体チップ１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの間にも、接着部材１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ（接着剤組成物の硬化物（フィルム状接着剤の硬化物））がそれぞれ介在している。図５に示される半導体装置１２０は、図３に示される半導体装置１００において、半導体チップ（１１ａ）の表面上に積層された他の半導体チップ（１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ）をさらに備えているともいえる。
　以上、本開示の実施形態について半導体装置（半導体パッケージ）を詳細に説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、図５においては、四つの半導体チップが積層された態様の半導体装置を例示したが、積層する半導体チップの数はこれに限定されるものではない。また、図５においては、半導体チップが横方向（積層方向と直交する方向）に互いにずれた位置に積層されている態様の半導体装置を例示したが、半導体チップが横方向（積層方向と直交する方向）に互いにずれていない位置に積層されている態様の半導体装置であってもよい。
［半導体装置の製造方法］
　図３、図４、及び図５に示される半導体装置（半導体パッケージ）は、半導体チップ（第１の半導体チップ）と支持部材との間、又は、半導体チップ（第１の半導体チップ）と半導体チップ（第２の半導体チップ）との間に上記のフィルム状接着剤を介在させ、半導体チップ（第１の半導体チップ）及び支持部材、又は、半導体チップ（第１の半導体チップ）及び半導体チップ（第２の半導体チップ）を接着させる工程を備える方法によって得ることができる。より具体的には、半導体チップと支持部材との間、又は、半導体チップ（第１の半導体チップ）と半導体チップ（第２の半導体チップ）との間に上記のフィルム状接着剤を介在させ、これらを加熱圧着して両者を接着させ、その後、必要に応じて、熱硬化工程、ワイヤボンディング工程、封止材による封止工程、はんだによるリフローを含む加熱溶融工程等を経ることによって得ることができる。
　半導体チップ（第１の半導体チップ）と支持部材との間、又は、半導体チップ（第１の半導体チップ）と半導体チップ（第２の半導体チップ）との間にフィルム状接着剤を介在させる方法としては、後述のように、予め接着剤片付き半導体チップを作製した後、支持部材又は他の半導体チップに貼り付ける方法であってよい。
　次に、図２に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一実施形態について説明する。なお、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムによる半導体装置の製造方法は、以下に説明する半導体装置の製造方法に限定されるものではない。
　半導体装置は、例えば、上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程（ラミネート工程）と、接着剤層を貼り付けた半導体ウェハを切断することによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを作製する工程（ダイシング工程）と、接着剤片付き半導体チップとして、第１の半導体チップ及び第１の接着剤片を有する第１の接着剤片付き半導体チップを支持部材に第１の接着剤片を介して接着する工程（接着剤片付き半導体チップを支持部材に接着剤片を介して接着する工程）（第１の接着工程）とを備える方法によって得ることができる。半導体装置の製造方法は、接着剤片付き半導体チップとして、第２の半導体チップ及び第２の接着剤片を有する第２の接着剤片付き半導体チップを、支持部材に接着された第１の接着剤片付き半導体チップにおける第１の半導体チップの表面に、第２の接着剤片を介して接着する工程（他の接着剤片付き半導体チップを、支持部材に接着された半導体チップの表面に、他の前記接着剤片付き半導体チップが有する接着剤片を介して接着する工程）（第２の接着工程）をさらに備えていてもよい。
　ラミネート工程は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０における接着剤層１Ａに半導体ウェハを圧着し、これを接着保持させて貼り付ける工程である。本工程は、圧着ロール等の押圧手段によって押圧しながら行ってもよい。
　半導体ウェハとしては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素等の化合物半導体などが挙げられる。
　ダイシング工程は、半導体ウェハのダイシングを行う工程である。これによって、半導体ウェハを所定のサイズに切断して、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを製造することができる。ダイシングは、例えば、半導体ウェハの回路面側から常法に従って行うことができる。また、本工程では、例えば、ダイシングフィルムまで切り込みを設けるフルカットと呼ばれる方式、半導体ウェハに半分切り込みを設け、冷却化して引っ張ることによって分断する方式、レーザーによって分断する方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
　半導体チップは、例えば、回路層と半導体層（例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素等の化合物半導体）とから構成される。半導体チップとしては、例えば、ＩＣ（集積回路）等が挙げられる。支持部材としては、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させた変性プラスチックフィルム；アルミナ等のセラミックスなどが挙げられる。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、ピックアップ工程を備えていてもよい。ピックアップ工程は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに接着固定された接着剤片付き半導体チップを剥離するために、接着剤片付き半導体チップのピックアップを行う工程である。ピックアップの方法としては、特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。このような方法としては、例えば、個々の接着剤片付き半導体チップをダイシング・ダイボンディング一体型フィルム側からニードルによって突き上げ、突き上げられた接着剤片付き半導体チップをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
　ここでピックアップは、粘着剤層が放射線（例えば、紫外線）硬化型の場合、該粘着剤層に放射線を照射した後に行うことができる。これによって、粘着剤層の接着剤片に対する粘着力が低下し、接着剤片付き半導体チップの剥離が容易になる。その結果、接着剤片付き半導体チップを損傷させることなく、ピックアップが可能となる。
　第１の接着工程は、ダイシングによって形成された第１の接着剤片付き半導体チップを、半導体チップを搭載するための支持部材に第１の接着剤片を介して接着する工程である。半導体装置の製造方法は、必要に応じて、第２の接着剤片付き半導体チップを、支持部材に接着された半導体チップの表面に第２の接着剤片を介して接着する工程（第２の接着工程）を備えていてもよい。接着はいずれも圧着によって行うことができる。圧着条件としては、特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。圧着条件は、例えば、８０～１６０℃の温度、５～１５Ｎの荷重、１～１０秒の時間であってよい。なお、支持部材は、上記と同様の支持部材を例示することができる。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、接着剤片（第１の接着剤片付き半導体チップにおける第１の接着剤片、及び、第２の接着剤片付き半導体チップにおける第２の接着剤片）又はフィルム状接着剤をさらに熱硬化させる工程（熱硬化工程）を備えていてもよい。半導体チップ（第１の半導体チップ）及び支持部材、並びに、半導体チップ（第１の半導体チップ）及び半導体チップ（第２の半導体チップ）を接着している接着剤片（第１の接着剤片付き半導体チップにおける第１の接着剤片、及び、第２の接着剤片付き半導体チップにおける第２の接着剤片）をさらに熱硬化させることによって、より強固に接着固定が可能となる。熱硬化を行う場合、圧力を同時に加えて硬化させてもよい。本工程における加熱温度は、接着剤片を構成成分によって適宜変更することができる。加熱温度は、例えば、６０～２００℃又は１００～１８０℃であってよい。なお、温度又は圧力は、段階的に変更しながら行ってもよい。加熱時間は、例えば、１～１２０分又は１５～６０分であってよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、第１の半導体チップ及び第２の半導体チップと支持部材とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程、より具体的には、半導体チップ上の電極パッドと支持部材の端子部（インナーリード）の先端とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程（ワイヤボンディング工程）を備えていてもよい。ボンディングワイヤとしては、例えば、金線、アルミニウム線、銅線等が用いられる。ワイヤボンディングを行う際の温度は、８０～２５０℃又は８０～２２０℃の範囲内であってよい。加熱時間は数秒～数分であってよい。ワイヤボンディングは、上記温度範囲内で加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧とによる圧着エネルギーの併用によって行ってもよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止材によって半導体チップを封止する工程（封止工程）を備えていてもよい。本工程は、支持部材に搭載された半導体チップ又はボンディングワイヤを保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂（封止樹脂）を金型で成型することによって行うことができる。封止樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂であってよい。封止時の熱及び圧力によって支持部材及び残渣が埋め込まれ、接着界面での気泡による剥離を防止することができる。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止工程で硬化不足の封止樹脂を完全に硬化させる工程（後硬化工程）を備えていてもよい。封止工程において、接着剤片が熱硬化されない場合でも、本工程において、封止樹脂の硬化とともに接着剤片を熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類よって適宜設定することができ、例えば、１６５～１８５℃の範囲内であってよく、加熱時間は０．５～８時間程度であってよい。
　半導体装置の製造方法は、必要に応じて、支持部材又は半導体チップに接着された半導体チップに対して、リフロー炉を用いて加熱する工程（加熱溶融工程）を備えていてもよい。本工程では支持部材上に、樹脂封止した半導体装置を表面実装してもよい。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めはんだを供給した後、温風等によって加熱溶融し、はんだ付けを行うリフローはんだ付けなどが挙げられる。加熱方法としては、例えば、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、加熱方法は、全体を加熱するものであってもよく、局部を加熱するものであってもよい。加熱温度は、例えば、２４０～２８０℃の範囲内であってよい。
　以下に、本開示を実施例に基づいて具体的に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。
［フィルム状接着剤の作製］
（実施例１～５及び比較例１～４）
＜接着剤ワニスの調製＞
　表１に示す成分及び含有量（単位：質量部）で、（Ａ）成分（（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分）、並びに（Ｃ）成分からなる混合物にシクロヘキサノンを加え、撹拌混合した。これに、表１に示す成分及び含有量（単位：質量部）で、（Ｂ）成分を加えて撹拌し、さらに（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を加えて、各成分が均一になるまで撹拌して、接着剤ワニスを調製した。なお、表１に示す各成分は下記のものを意味し、表１に示す数値は溶媒等を除いた成分（固形分）の質量部を意味する。
（Ａ）成分：熱硬化性樹脂成分
・（Ａ１）成分：エポキシ樹脂
（Ａ１ａ－１）ＥＸＡ８３０－ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５５～１６３ｇ／ｅｑ、軟化点：４０℃以下、３０℃で液状）
（Ａ１ｂ－１）Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ、軟化点：７５～８５℃、３０℃で固形）
（Ａ１ｂ－２）ＨＰ－４７１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ナフタレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１７０ｇ／ｅｑ、軟化点：９５℃、３０℃で固形）
・（Ａ２）成分：フェノール樹脂
（Ａ２－１）ＰＳＭ－４３２６（商品名、群栄化学工業株式会社製、ノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点：１２０℃）
（Ｂ）成分：エラストマー
（Ｂ－１）ＳＧ－Ｐ３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃）
（Ｃ）成分：無機フィラー
（Ｃ－１）シリカフィラー分散液（ＣＩＫナノテック株式会社製、シリカフィラー、平均粒径：０．１０μｍ）
（Ｃ－２）ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名、アドマテックス株式会社製、シリカフィラー分散液、平均粒径：０．５０μｍ）
（Ｄ）成分：カップリング剤
（Ｄ－１）Ｚ－６１１９（商品名、ダウ・東レ株式会社製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）
（Ｄ－２）Ａ－１８９（商品名、日本ユニカー株式会社製、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）
（Ｅ）成分：硬化促進剤
（Ｅ－１）２ＰＺ（商品名、四国化成工業株式会社製、２－フェニルイミダゾール）
（Ｅ－２）２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
＜フィルム状接着剤の作製＞
　作製した接着剤ワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。支持フィルムとして、厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用意し、真空脱泡後の接着剤ワニスをＰＥＴフィルム上に塗布した。塗布した接着剤ワニスを、９０℃で５分、続いて１４０℃で５分加熱乾燥し、Ｂステージ状態にある実施例１～５及び比較例１～４のフィルム状接着剤を得た。実施例１～５及び比較例１～４のフィルム状接着剤においては、接着剤ワニスの塗布量によって、フィルム状接着剤の厚さが５μｍになるように調整した。
［フィルム状接着剤の評価］
＜貯蔵弾性率の測定＞
　実施例１～５及び比較例１～４のフィルム状接着剤を用いて、硬化後の貯蔵弾性率を測定した。硬化後の貯蔵弾性率は、以下の方法で測定した。すなわち、厚さ５μｍのフィルム状接着剤を複数積層することによって厚さを１００μｍ以上とし、これを幅４ｍｍ×長さ２０ｍｍ以上のサイズにすることによって測定用の試料を作製した。作製した試料を１４０℃、３０分の条件で硬化させた後、硬化後の試料を動的粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｇｅｌ　Ｅ－４０００、株式会社ユービーエム製）にセットし、引張荷重をかけて、チャック間距離２０ｍｍ、周波数１０Ｈｚ、及び昇温速度３℃／分の条件で室温（２５℃）～３００℃まで測定する温度依存性測定モードにて、動的粘弾性を測定し、３０℃及び１５０℃のときの貯蔵弾性率の値を読み取り、それぞれの値を３０℃及び１５０℃における貯蔵弾性率とした。表１に結果を示す。１５０℃における貯蔵弾性率は、数値が大きい（例えば、８０ＭＰａ以上）ほど、薄膜化による半導体チップの脆さをカバーすることができ、結果として、チップクラックの発生を抑制することが可能となることを意味する。３０℃における貯蔵弾性率は、数値が小さい（例えば、２０００ＭＰａ以下）ほど、フィルム状接着剤をより容易に薄膜化が可能となり、フィルム状接着剤の硬化物において、硬くなり過ぎることをより充分に抑制することが可能となることを意味する。
＜破断強度の測定＞
　実施例１～５及び比較例１～４のフィルム状接着剤について、引張試験機（ＲＴＦ－１２５０－ＨＳ－ＰＬ、株式会社エー・アンド・デイ）を用いて、２５℃における破断強度を測定した。より具体的には、Ｂステージ状態にあるフィルム状接着剤を用いて、図６に示す形状の試験片を作製した。作製した試験片の両端を試験機で掴んで引張試験を実施した。引張試験は、２５℃の環境下で行い、引張速度は１００ｍｍ／分とした。破断強度は、試験前の試験片の平均厚さ（０．００５ｍｍ（５μｍ））及び幅（１０ｍｍ）と、試験片が切断するまでの最大荷重（Ｎ）とから、下記式により算出した。結果を表１に示す。なお、表１に示す数値は、試験前の試験片の平均厚さ５μｍのときの荷重に換算した値（単位：Ｎ／１０ｍｍ）である。破断強度は、数値が大きい（例えば、０．７Ｎ／１０ｍｍ以上）ほど、薄膜を形成したときの加工性に優れることを意味する。
　破断強度（ＭＰａ）＝試験片が切断するまでの最大荷重（Ｎ）／（試験片の平均厚さ（ｍｍ）×幅（ｍｍ））
＜半導体装置（半導体パッケージ）の反りの評価＞
（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製）
　基材と粘着剤層とを有するダイシングフィルム（商品名６３６３－４５、株式会社レゾナック製）を用意し、実施例１～５及び比較例１～４のフィルム状接着剤のそれぞれに、ダイシングフィルムの粘着剤層をゴムロールにて張り合わせて、基材、粘着剤層、及び接着剤層（フィルム状接着剤）をこの順に備える実施例１～５及び比較例１～４のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを作製した。
（評価用サンプルの作製）
　実施例１～５及び比較例１～４のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて、評価用サンプルを作製した。反りを評価するための評価用サンプルは、以下のようにして作製した。厚さ４０μｍの半導体ウェハを用意し、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのフィルム状接着剤側を、ステージ温度７０℃で半導体ウェハにラミネートし、ダイシング用サンプルを作製した。フルオートダイサーＤＦＤ－６３６２（株式会社ディスコ製）を用いて、得られたダイシング用サンプルを切断した。切断には、１枚のブレードを用いるシングルカット方式で行い、ＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＥＥ（株式会社ディスコ製）を用いた。切断条件は、ブレード回転数４００００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／秒、チップサイズ１０ｍｍ×６ｍｍとした。切断は、ダイシングフィルムに２０μｍ程度の切り込みが入るように切断を行った。次いで、紫外線硬化型粘着剤からなる粘着剤層に紫外線を照射して、粘着剤層を硬化させ、接着剤片付き半導体チップをピックアップした。続いて、接着剤片付き半導体チップの接着剤片を温度１３０℃、荷重１０Ｎ、及び時間１秒の条件で、厚さ９０μｍ×幅２４０ｍｍ×長さ７４ｍｍのソルダーレジスト付き有機基板に圧着し、実施例１～５及び比較例１～４の評価用サンプルを作製した。評価用サンプルにおいて、半導体チップは、サイドバイサイドで１５行４列となるように一段目の半導体チップを６０個配置し、続いて、一段目の半導体チップのそれぞれの表面上に、二段目の半導体チップを６０個配置した。
（半導体装置（半導体パッケージ）の反りの評価）
　実施例１～５及び比較例１～４の評価用サンプルを用いて、半導体装置（半導体パッケージ）の反りを評価した。各評価サンプルをオーブンに投入し、３５℃から３℃／分の昇温速度で１４０℃まで昇温させ、１４０℃で３０分加熱した。加熱処理後の評価サンプルを加圧オーブンから取り出し、半導体装置（半導体パッケージ）の反り量を測定した。より具体的には、平面上に半導体チップ側を下向きにして加熱処理後の評価サンプルを置き、デジマチックインジケータＩＤ－Ｈ０５３０（株式会社ミツトヨ製）を使用し、平面上に置いた加熱処理後の評価サンプルの左上、右上、中心、左下及び右下の５点を測定点として、測定結果の最大値から最小値の差を求めることによって、これを反り量とした。反り量が３．０ｍｍ以下である場合を、反り量が充分に抑制されているとして「Ａ」と評価し、反り量が３．０ｍｍを超える場合を「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すとおり、実施例１～５のフィルム状接着剤は、１５０℃における貯蔵弾性率及び破断強度の両方に優れていたのに対して、比較例１～４のフィルム状接着剤は、１５０℃における貯蔵弾性率及び破断強度の少なくとも一方が充分でなかった。これらの結果から、本開示のフィルム状接着剤が、薄膜を形成したときの加工性に優れるとともに、チップクラックの発生を抑制することが可能であることが確認された。
　１…フィルム状接着剤、１Ａ…接着剤層、２…基材層、３…粘着剤層、４…ダイシングフィルム、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ…半導体チップ、１２…支持部材、１３…ボンディングワイヤ、１４…封止材、１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ…接着部材、１６…端子、１００，１１０，１２０…半導体装置。

Claims (13)

  1. 　熱硬化性樹脂成分と、エラストマーとを含有し、無機フィラーをさらに含有していてもよい、フィルム状接着剤であって、
    　前記エラストマーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８質量％以上であり、
    　前記無機フィラーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、０～２５質量％であり、
    　前記フィルム状接着剤を１４０℃、３０分の条件で硬化させたときの硬化物の１５０℃における貯蔵弾性率が８０ＭＰａ以上であり、
    　前記フィルム状接着剤の厚さが１５μｍ以下である、
    　フィルム状接着剤。
  2. 　前記エラストマーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、１８～３５質量％であり、
    　請求項１に記載のフィルム状接着剤。
  3. 　前記無機フィラーの含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、０～３質量％であり、
    　請求項１に記載のフィルム状接着剤。
  4. 　前記フィルム状接着剤を１４０℃、３０分の条件で硬化させたときの硬化物の３０℃における貯蔵弾性率が２０００ＭＰａ以下である、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  5. 　前記熱硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  6. 　前記エラストマーのガラス転移温度が０～３０℃である、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  7. 　複数の半導体チップを積層してなる半導体装置の製造プロセスに用いられる、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤。
  8. 　前記半導体装置が三次元ＮＡＮＤ型メモリである、
    　請求項７に記載のフィルム状接着剤。
  9. 　基材層と、粘着剤層と、請求項１～３のいずれか一項に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える、
    　ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  10. 　第１の半導体チップと、
    　前記第１の半導体チップを搭載する支持部材と、
    　前記第１の半導体チップ及び前記支持部材の間に設けられ、前記第１の半導体チップと前記支持部材とを接着する、請求項１又は２に記載のフィルム状接着剤の硬化物と、
    を備える、
    　半導体装置。
  11. 　前記第１の半導体チップの表面上に積層された、前記第１の半導体チップとは異なる第２の半導体チップをさらに備える、
    　請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 　請求項９に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層を半導体ウェハに貼り付ける工程と、
    　前記接着剤層を貼り付けた前記半導体ウェハを切断することによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを作製する工程と、
    　前記接着剤片付き半導体チップとして、第１の半導体チップ及び第１の接着剤片を有する第１の接着剤片付き半導体チップを支持部材に接着剤片を介して接着する工程と、
    を備える、
    　半導体装置の製造方法。
  13. 　前記接着剤片付き半導体チップとして、第２の半導体チップ及び第２の接着剤片を有する第２の接着剤片付き半導体チップを、前記支持部材に接着された前記第１の接着剤片付き半導体チップにおける前記第１の半導体チップの表面に、前記第２の接着剤片を介して接着する工程をさらに備える、
    　請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090111262A (ko) * 2008-04-21 2009-10-26 주식회사 엘지화학 다이어태치 필름 및 반도체 웨이퍼
JP2013010849A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体用接着部材、それを用いたダイシング・ダイボンディング一体型接着部材及び半導体装置の製造方法
JP2021143299A (ja) * 2020-03-12 2021-09-24 株式会社コバヤシ 繊維強化複合材料製造用硬化性樹脂組成物
WO2022149582A1 (ja) * 2021-01-08 2022-07-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
JP7178529B1 (ja) * 2021-07-13 2022-11-25 古河電気工業株式会社 熱伝導性フィルム状接着剤、半導体パッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016190964A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 日立化成株式会社 接着フィルム
JP2021097091A (ja) * 2019-12-13 2021-06-24 デクセリアルズ株式会社 アンダーフィル材、及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090111262A (ko) * 2008-04-21 2009-10-26 주식회사 엘지화학 다이어태치 필름 및 반도체 웨이퍼
JP2013010849A (ja) * 2011-06-29 2013-01-17 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体用接着部材、それを用いたダイシング・ダイボンディング一体型接着部材及び半導体装置の製造方法
JP2021143299A (ja) * 2020-03-12 2021-09-24 株式会社コバヤシ 繊維強化複合材料製造用硬化性樹脂組成物
WO2022149582A1 (ja) * 2021-01-08 2022-07-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
JP7178529B1 (ja) * 2021-07-13 2022-11-25 古河電気工業株式会社 熱伝導性フィルム状接着剤、半導体パッケージ及びその製造方法

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