WO2004109786A1 - 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2004109786A1
WO2004109786A1 PCT/JP2004/008150 JP2004008150W WO2004109786A1 WO 2004109786 A1 WO2004109786 A1 WO 2004109786A1 JP 2004008150 W JP2004008150 W JP 2004008150W WO 2004109786 A1 WO2004109786 A1 WO 2004109786A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive sheet
wafer
dicing tape
molecular weight
semiconductor
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/008150
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Teiichi Inada
Michio Mashino
Michio Uruno
Original Assignee
Hitachi Chemical Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020127008271A priority Critical patent/KR101177250B1/ko
Application filed by Hitachi Chemical Co., Ltd. filed Critical Hitachi Chemical Co., Ltd.
Priority to KR1020117015582A priority patent/KR101169182B1/ko
Priority to KR1020057023097A priority patent/KR101204197B1/ko
Priority to JP2005506837A priority patent/JP5017861B2/ja
Priority to KR1020127008270A priority patent/KR101177251B1/ko
Priority to KR1020117029423A priority patent/KR101215728B1/ko
Priority to US10/559,684 priority patent/US20060128065A1/en
Publication of WO2004109786A1 publication Critical patent/WO2004109786A1/ja
Priority to US12/047,200 priority patent/US20080171187A1/en
Priority to US12/219,187 priority patent/US7968194B2/en
Priority to US12/219,188 priority patent/US7875500B2/en
Priority to US12/219,189 priority patent/US7968195B2/en
Priority to US13/658,985 priority patent/US8617930B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83856—Pre-cured adhesive, i.e. B-stage adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/266—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension of base or substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y10T428/31573—Next to addition polymer of ethylenically unsaturated monomer
    • Y10T428/31587—Hydrocarbon polymer [polyethylene, polybutadiene, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31721—Of polyimide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31725—Of polyamide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31725—Of polyamide
    • Y10T428/31736—Next to polyester
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31725—Of polyamide
    • Y10T428/3175—Next to addition polymer from unsaturated monomer[s]
    • Y10T428/31757—Polymer of monoethylenically unsaturated hydrocarbon
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31786—Of polyester [e.g., alkyd, etc.]
    • Y10T428/31797—Next to addition polymer from unsaturated monomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31826—Of natural rubber
    • Y10T428/3183—Next to second layer of natural rubber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31909—Next to second addition polymer from unsaturated monomers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31909—Next to second addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31913—Monoolefin polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31909—Next to second addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31913—Monoolefin polymer
    • Y10T428/3192—Next to vinyl or vinylidene chloride polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31909—Next to second addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31928—Ester, halide or nitrile of addition polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31938—Polymer of monoethylenically unsaturated hydrocarbon

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive sheet, a dicing tape-integrated adhesive sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device, which are suitable for joining a semiconductor element and a semiconductor element mounting support member.
  • silver paste has been mainly used for joining a semiconductor element and a supporting member for mounting the semiconductor element.
  • the supporting members used have also been required to be miniaturized and fine.
  • silver paste suffered from problems such as the occurrence of defects during wire bonding due to protrusion and inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling the thickness of the adhesive sheet, and the generation of voids in the adhesive sheet. It is becoming increasingly difficult to handle demand. Therefore, in order to meet the above demand, a sheet-like adhesive has recently been used.
  • This adhesive sheet is used in an individual piece bonding method or a wafer backside bonding method.
  • a reel-shaped adhesive sheet is cut into individual pieces by cutting or punching, and then the individual pieces are adhered to a support member to attach the adhesive sheet.
  • Dicing process to support member A semiconductor device is obtained by joining the singulated semiconductor elements to form a support member with a semiconductor element; and thereafter, if necessary, through a wire pond process, a sealing process, and the like.
  • a special assembly device for cutting out the adhesive sheet and adhering it to the supporting member is required, so that the manufacturing cost is lower than the method using silver paste.
  • the adhesive sheet is attached to the backside of the semiconductor wafer, and then a dicing tape is attached to the other surface of the adhesive sheet;
  • the semiconductor device is obtained by dicing the semiconductor device into individual pieces by dicing; picking up the individualized semiconductor elements with an adhesive sheet and bonding them to a support member; and performing a subsequent process such as heating, curing, and wire pond to obtain a semiconductor device. Will be done.
  • the adhesive sheet of the wafer backside bonding method does not require a device for dividing the adhesive sheet into individual pieces because the semiconductor element with the adhesive sheet is bonded to the support member.
  • An object of the present invention is to provide an adhesive sheet that can be attached to a wafer at a low temperature, is flexible enough to be handled at room temperature, and can be cut at the same time as a wafer under ordinary cutting conditions.
  • the present inventors have specified the breaking strength and breaking elongation of the adhesive sheet in the B-stage state at 25 t: within a specific numerical range, thereby providing an adhesive sheet that can be cut at the same time as wafer cutting at room temperature. I found that I could get it.
  • the present inventors require that the adhesive sheet maintain flexibility at room temperature and that the adhesive sheet be cut at the same time when cutting at room temperature. It was found that it was necessary to have Here, the frequency dependence is a phenomenon in which the elastic modulus varies depending on the frequency of the strain applied to the sample in the measurement of the dynamic viscoelastic modulus.
  • the present invention features the following items ⁇ 1> to ⁇ 15>.
  • An adhesive sheet containing at least a high molecular weight component, wherein B An adhesive sheet characterized in that the adhesive sheet in a stage state has a breaking strength at 25 ° C of from 0.1 MPa to 10 MPa and an elongation at break of from 1% to 40%.
  • ⁇ 6> The high molecular weight component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, wherein the glass transition temperature is 130 to 50 ° C, and the weight average molecular weight is 50,000 to 1,000,000. 3.
  • the adhesive sheet according to 1. ⁇ 7> The high molecular weight component having a glass transition temperature of 30 ° C. to 50 ° C. and a weight average molecular weight of 50,000 to 1,000,000 is converted into a weight obtained by subtracting the filler weight from the total weight of the adhesive sheet.
  • the adhesive sheet described in 6> above characterized in that it is contained in an amount of 50% by weight or less.
  • a dicing tape integrated adhesive sheet wherein the adhesive sheet according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11> above and a dicing tape are laminated.
  • ⁇ 1 3> I) a step of attaching the adhesive sheet described in any one of the above ⁇ 1> to ⁇ 11> to a semiconductor wafer; II) a step of allowing the semiconductor wafer to be cut; and III) a step of attaching the adhesive sheet. Attaching a dicing tape in the order of 1-11-111, II-I-III or I-III-II, and IV) by cutting the semiconductor wafer and the adhesive sheet. A step of obtaining a plurality of individualized semiconductor chips with an adhesive sheet; and V) a step of bonding the semiconductor chip with an adhesive sheet to a support member for mounting a semiconductor chip. Production method.
  • ⁇ 15> The method for manufacturing a semiconductor device according to ⁇ 13> or ⁇ 14>, wherein the method for cutting the semiconductor wafer is half-cut dicing or stealth dicing.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing one embodiment of the step I) in the present invention.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing one embodiment of step (i) in the present invention.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram showing one embodiment of the step III) in the present invention.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing one embodiment of the step IV) in the present invention.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram showing one embodiment of step V) in the present invention.
  • FIG. 6 is a conceptual diagram showing one embodiment of the step I ′) in the present invention.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram showing one embodiment of the step II) in the present invention.
  • FIG. 8 is a conceptual diagram showing a state where an external force is applied to the wafer of FIG. 7 to cut the wafer and the adhesive sheet.
  • FIG. 9 is a conceptual diagram showing one embodiment of the step V) in the present invention.
  • FIG. 10 is a conceptual diagram showing one embodiment of a semiconductor chip with an adhesive sheet.
  • FIG. 11 is a conceptual diagram showing one embodiment of the steps I-1), II) and IV) in the present invention. Best mode for carrying out the invention.
  • the adhesive sheet of the present invention comprises at least a high molecular weight component and is in a B-stage state.
  • the adhesive sheet has a breaking strength at 25 ° C of 0.1 MPa or more and 1 OMPa or less, and a breaking elongation. Is 1% or more and 40% or less.
  • the breaking strength is less than 0. IMPa, the adhesive sheet is brittle and the handleability is reduced. On the other hand, if it exceeds 10 MPa, the adhesive sheet cannot be cut at the same time when the wafer is cut, which is inappropriate. Similarly, when the elongation at break is less than 1%, the adhesive sheet is brittle and the handleability is reduced. If the elongation at break exceeds 40%, the adhesive sheet cannot be cut at the same time when the wafer is cut, which is inappropriate. It is preferable that the breaking strength is 1 to 8 MPa and the breaking elongation is 5 to 35% from the viewpoint that the adhesive sheet can be reliably broken when the wafer breaks and that it has sufficient strength and is excellent in handleability. More preferably, the strength is 3 to 7 MPa and the elongation at break is 10 to 30%.
  • Breaking strength (Pa) Maximum strength (N) Sample cross-sectional area (m 2 )
  • Elongation at break (%) (Sample length at break (mm)-20) / 20 X 100
  • oligomers and monomers having a low Tg and a high molecular weight component and a softening point of less than 30 ° C are effective. It is effective to increase the amount of addition.
  • it is effective to increase the amount of oligomers and monomers having a softening point of 30 ° C or higher, the amount of high Tg high molecular weight components, and to reduce the toughness by adding fillers. is there.
  • the adhesive sheet of the present invention contains at least a high molecular weight component, and the adhesive sheet in the B-stage state has an elastic modulus of 1 to 3000 MPa by dynamic viscoelasticity measurement at 25 ° C and 10 Hz, It is characterized in that the elastic modulus by dynamic viscoelasticity measurement at 900 Hz at 25 ° C is 400 to 2000 MPa.
  • the elastic modulus at 25 Hz and 10 Hz is preferably from 100 to 150 MPa, and preferably from 100 to 120 OMPa. More preferred. If the elastic modulus is less than IMP a, the adhesive sheet will have a large elongation and will be difficult to handle. Exceeding 300 OMPa is not preferable because cracks occur in the adhesive sheet during handling. Further, the elastic modulus at 25 ° C. and 900 Hz is preferably 5000 to 15000 MPa. If the elastic modulus is less than 400 OMPa, cutting tends to be difficult, and if it exceeds 20000 MPa, cracks tend to occur during handling.
  • the adhesive sheet of the present invention contains at least a high molecular weight component, and the elastic modulus of the adhesive sheet in the B-stage state by dynamic viscoelasticity measurement at 10 Hz at 25 ° C. is 1 to 3 It is characterized by a dynamic modulus of 400 MPa to 2000 OMPa at 100 ° C. at 100 ° C. at 100 ° C.
  • the elastic modulus at 10 Hz at ⁇ 20 ° C. is preferably 5000 to 15000 MPa. If the elastic modulus is less than 4000 MPa, cutting tends to be difficult, and if it exceeds 2000 OMPa, cracks tend to occur during handling.
  • the adhesive sheet according to the present invention may be in the range of the various characteristic values defined above when it is cut after being attached to the wafer, and may not be in this range when it is attached. In other words, any material that falls within the above-mentioned various characteristic values after a certain storage period after being attached to the wafer or after processing by irradiation with radiation such as heat treatment or photo-curing may be used. If an adhesive sheet with large breaking strength and breaking elongation is used before being attached to the body, the adhesive sheet can be attached to the semiconductor wafer at a low temperature. By setting the elongation at break within the above numerical range, the breakability can be improved.
  • the adhesive sheet has strong tackiness when attached to the wafer and has room temperature. Then, laminating can be easily performed, and thereafter, by setting the elastic modulus within the above numerical range, the breakability can be improved.
  • the adhesive sheet of the present invention When the adhesive sheet of the present invention is used, it is preferable to laminate the wafer at a temperature of 40 to 100 ° C. in order to reduce the warpage of the wafer and improve the handleability at room temperature. Therefore, the adhesive sheet of the present invention has an elastic modulus of 0.1 to 20 MPa according to a dynamic viscosity measurement at 60 ° C. and 10 Hz at 60 ° C. of the adhesive sheet in the B-stage state.
  • the pressure is more preferably 0.1 to 10 MPa, and particularly preferably 0.1 to 5 MPa. If it is less than 0. IMPa, the sheet may peel off or slip off from the wafer after application, which is not preferable.
  • the adhesive sheet of the present invention preferably has, in addition to the above properties, heat resistance and moisture resistance required when a semiconductor element is mounted on a support member for mounting a semiconductor element.
  • the adhesive sheet of the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the above-mentioned properties. However, since the adhesive sheet has an appropriate backing strength and is easy to handle in a sheet form, the adhesive sheet has a high molecular weight. It is preferable to include a thermosetting component and a filler in addition to the amount component, and may further include a curing accelerator, a catalyst, an additive, a coupling agent, and the like in addition to these components.
  • breaking strength and breaking elongation tend to increase as the amount of the high molecular weight component contained in the adhesive sheet increases and the amount of the filler decreases, so that these components have the breaking strength and breaking elongation specified in the present invention. It is important to make adjustments within the specified numerical range.
  • the high molecular weight component in the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the properties of the adhesive sheet.
  • (Tg) is -30 ° (: It is preferable that the weight average molecular weight is 50,000 to 100,000 at ⁇ 50 ° C. If Tg exceeds 50 ° C, it is disadvantageous in that the flexibility of the sheet is low. If the Tg is less than -30 ° C, the sheet is too flexible, which is inconvenient in that the sheet does not easily break when the wafer breaks, and the weight-average molecular weight is less than 50,000, This is inconvenient in that the heat resistance is reduced, and when the molecular weight exceeds 1,000,000, the fluidity of the sheet is reduced.
  • a high molecular weight component having a ⁇ g of ⁇ 20 ° (: a weight average molecular weight of 100,000 to 900,000 at up to 40 ° C. is more preferable, however, a high molecular weight component having a weight average molecular weight of 50,000 to 1,000,000 at 50 ° C is preferred, and a weight average molecular weight of 500,000 to 90 at Tg of -10 to 30 ° C.
  • the weight-average molecular weight is a value converted to polystyrene using a calibration curve based on standard polystyrene by gel permeation chromatography (GPC), and Hitachi pump L_6000 is used.
  • the high molecular weight component examples include polyimide, polystyrene, polyethylene, polyester, polyamide, butadiene rubber, acrylic rubber, (meth) acrylic resin, urethane resin, polyphenylene ether resin, polyetherimide resin, and phenoxy resin.
  • Resin, modified polyphenylene Examples include a lenether resin, a phenoxy resin, a polycarbonate, and a mixture thereof.
  • a high molecular weight component containing a functional monomer and having a weight average molecular weight of 100,000 or more for example, a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate, and having a weight average molecular weight of 100,000 or more
  • a functional monomer such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate
  • an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymers are preferred.
  • the epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer for example, a (meth) acrylic ester copolymer, acrylic rubber and the like can be used, and acrylic rubber is more preferable.
  • the acryl rubber is a rubber having an acrylic ester as a main component and mainly comprising a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, or a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile.
  • the high molecular weight component is preferably contained in an amount of 50% by weight or less, more preferably 35% by weight or less, and more preferably 25% by weight or less, based on the total weight of the adhesive sheet excluding the weight of the filler. % Or more and not more than 35% by weight. If the blending amount of the high molecular weight component is large, the breakability of the adhesive sheet tends to deteriorate, and if the blending amount is too small, the fluidity at the time of bonding is too large, and thus a void tends to be generated.
  • thermosetting component examples include an epoxy resin, a cyanate resin, a phenol resin, and a curing agent thereof, and an epoxy resin is preferable because of its high heat resistance.
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action.
  • Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A-type epoxy, and nopolak epoxy resins such as phenol nopolak epoxy resin and cresol nopolak epoxy resin can be used.
  • polyfunctional epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, heterocyclic epoxy resin or alicyclic epoxy resin For example, commonly known ones can be applied.
  • the adhesive sheet of the present invention includes a B-stage adhesive sheet having a reduced breaking strength, reduced elongation at break, improved adhesive handleability, improved thermal conductivity, adjusted melt viscosity, and improved thixotropic properties. It is preferable to add a filler, preferably an inorganic filler, for the purpose of imparting.
  • Inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium magnesium oxide, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, and crystals. Silica, amorphous silica, antimony oxide and the like. In order to improve the thermal conductivity, alumina, aluminum nitride, boron nitride, crystalline silica, amorphous silicon, and the like are preferable.
  • Aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium gateate, magnesium gayate, calcium oxide, magnesium oxide, alumina, crystalline silica were used for the purpose of adjusting the melt viscosity and adding thixotropic properties. And amorphous silica are preferred. In order to improve moisture resistance, alumina, silica, aluminum hydroxide, and antimony oxide are preferable.
  • the amount of the filler is preferably 5% by weight or more and 70% by weight or less, more preferably 35% by weight or more and 60% by weight or less based on the total weight of the adhesive sheet. If the amount is too large, problems such as an increase in the storage elastic modulus of the adhesive sheet, a decrease in adhesiveness, and a decrease in electrical properties due to residual voids are likely to occur. Therefore, the content is particularly preferably 50% by weight or less.
  • the specific gravity of the filler is preferably 1 to 10 g / cm 3 .
  • the adhesive sheet of the present invention has a UV curable property by containing an acrylic monomer having at least one unsaturated double bond in a molecule and a photoinitiator thereof. After laminating at a low temperature, UV irradiation reduces breaking elongation, thereby improving breakability.
  • the adhesive sheet of the present invention is prepared by mixing and kneading the high molecular weight component, and further, if necessary, a thermosetting component, a filler, and other components in an organic solvent to prepare a varnish, and then forming the varnish on a base film. After forming a varnish layer and drying by heating, the substrate can be removed.
  • the above-mentioned mixing and kneading can be carried out by appropriately combining ordinary dispersing machines such as a stirrer, a grinder, a three-roll mill and a pole mill.
  • the heating and drying conditions are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized. Usually, the heating and drying are performed at 60 to 200 ° C. for 0.1 to 90 minutes. .
  • the organic solvent used for preparing the varnish in the production of the adhesive sheet is not particularly limited as long as the material can be uniformly dissolved, kneaded or dispersed, and a conventionally known organic solvent can be used.
  • a conventionally known organic solvent examples include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methylethylketone and cyclohexanone, toluene, xylene and the like. It is preferable to use methyl ethyl ketone, cyclohexanone, or the like because the drying speed is high and the price is low.
  • the amount of the organic solvent used is not particularly limited as long as the residual volatile matter after the production of the adhesive sheet is 0.01 to 3% by weight based on the total weight. It is preferably from 0.1 to 2.0% by weight, more preferably from 0.01 to 1.5% by weight based on the total weight.
  • a plurality of adhesive sheets of the present invention may be laminated to form a multilayer adhesive sheet as long as the adhesive sheet can be cut.
  • the adhesive sheet of the present invention may be formed by combining a film made of a thermoplastic film, an adhesive, a thermosetting resin, or the like, and superposing an adhesive sheet on both sides of the film.
  • the range in which the adhesive sheet can be cut means that the breaking strength, the breaking elongation and the elastic modulus of the multilayer adhesive sheet are within the above numerical ranges.
  • examples of such a film include films made of thermoplastic resins such as polyimide and polyester, epoxy resins, silicone resins, and mixtures thereof. These films may contain various fillers.
  • the thickness of the adhesive sheet of the present invention is not particularly limited, but is preferably 1 to 250 m. If the thickness is less than 1 m, the stress relaxation effect and adhesiveness tend to be poor.If the thickness is more than 250 m, it is not economical, and furthermore, the demand for miniaturization of semiconductor devices cannot be met and breakage becomes difficult. Tend. The thickness is preferably from 3 to 100 m, more preferably from 5 to 55 m, from the viewpoint of high adhesiveness and reduction in thickness of the semiconductor device.
  • the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention can be obtained by laminating the adhesive sheet of the present invention on a known dicing tape.
  • the use of the dicing tape-integrated adhesive sheet requires only one laminating step on the wafer, which can increase the efficiency of work.
  • a method of laminating the adhesive sheet on the dicing tape in addition to printing, a method of pressing an adhesive sheet prepared in advance on the dicing tape and a hot roll laminating method can be cited.However, it can be manufactured continuously and is efficient. The hot laminating method is preferred.
  • Examples of the dicing tape used in the present invention include polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, and polymethylpentene. And plastic films such as polyimide films. If necessary, a surface treatment such as primer application, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, etching treatment, etc. may be performed.
  • the dicing tape needs to have adhesiveness, and an adhesive layer may be provided on one surface of the dicing tape. This can be formed by applying and drying a resin composition having an appropriate tack strength obtained by adjusting the ratio of the liquid component and the Tg of the high molecular weight component in the resin composition of the pressure-sensitive adhesive layer. .
  • the thickness of the dicing tape is not particularly limited, and is appropriately determined based on the knowledge of a person skilled in the art according to the thickness of the adhesive sheet and the use of the dicing tape-integrated adhesive sheet.
  • the thickness is preferably from 60 to 150 m, and more preferably from 70 to 130 PLm, in terms of good film handling.
  • the adhesive sheet of the present invention or the adhesive sheet with a dicing tape integrated adhesive sheet has an adhesive force such that semiconductor elements do not scatter during dicing when manufacturing a semiconductor device, and can be peeled off from the dicing tape during pick-up thereafter.
  • the 90 ° peel strength of the adhesive sheet of the present invention and the dicing tape in the B-stage state is preferably 15 ON nm or less, more preferably 5 to 10 ON Zm, and 5 to 10 ON Zm. More preferably, it is 550 N / m.
  • peel strength exceeds 150 NZm, the chip tends to break easily during pick-up.
  • the peel strength was measured by dicing the adhesive sheet in an atmosphere of 25 ° C at an angle of 90 and a pulling speed of 5 Omm / min. The result when peeled off from the tape.
  • the tack strength of the adhesive sheet In order to make the 90 ° peel strength equal to or less than 150 NZm, it is desirable to appropriately adjust the tack strength of the adhesive sheet.
  • increasing the fluidity of the adhesive sheet at room temperature tends to increase the adhesive strength and tack strength
  • decreasing the fluidity tends to decrease the adhesive strength and tack strength. This can be done by using the property that there is.
  • to increase the fluidity there are methods such as increasing the content of a plasticizer and increasing the content of a tackifier.
  • the content of the compound may be reduced.
  • the plasticizer include a monofunctional acrylic monomer, a monofunctional epoxy resin, a liquid epoxy resin, an acrylic resin, and an epoxy so-called diluent.
  • a semiconductor device By using the above-described adhesive sheet of the present invention or the dicing tape-integrated adhesive sheet including the adhesive sheet of the present invention, a semiconductor device can be manufactured.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes: I) a step of attaching the adhesive sheet of the present invention to a semiconductor wafer, a step of allowing the semiconductor wafer to be cut, and III) attaching a dicing tape to the adhesive sheet of the present invention. 1) —1—1—11, II—I—III or I—III—II, and IV) by cutting the semiconductor wafer and the adhesive sheet of the present invention. And v) a step of bonding the semiconductor chip with the adhesive sheet to a supporting member for mounting the semiconductor chip.
  • FIG. 1 shows the process of attaching the adhesive sheet 1 of the present invention to the semiconductor wafer A.
  • FIG. 2 shows that the laser beam is applied to the cutting line 4 of the semiconductor wafer A. Irradiation to form a modified area (scheduled section) 5 inside the wafer so that the wafer can be cut.
  • Figure 3 shows the adhesive layer 1a and the base layer 2 on the adhesive sheet 1.
  • b) a step of attaching dicing tape 2 consisting of b
  • FIG. 4 shows a step of cutting semiconductor wafer A and adhesive sheet 1 by expanding dicing tape 2
  • FIG. 5 shows a semiconductor chip with an adhesive sheet Bonding the semiconductor chip 6 to the semiconductor chip mounting support member 7.
  • the temperature at which the adhesive sheet is attached to the wafer in the above step I), that is, the lamination temperature is preferably in the range of 0 ° C to 170 ° C, and 20 ° C to reduce the warpage of the wafer.
  • the temperature is more preferably in the range of 130 ° C to 130 ° C, particularly preferably in the range of 20 ° C to 60 ° C.
  • the wafer can be cut, for example, a method of processing a groove to be a fold without completely cutting a chip with a dicing cutter or irradiating laser light inside the wafer on the line to be cut And a method of easily cutting the wafer by applying an external force or the like thereafter.
  • the method of laser processing of the wafer the methods described in Japanese Patent Publication No. 2002-192370 and Japanese Patent Publication No. 2003-338467 can be used.
  • For the equipment for example, use MAHOHD ICI NG MACHINE manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Can be.
  • the laser beam to the semiconductor wafer may be irradiated from the front surface of the semiconductor wafer, that is, the surface on which the circuit is formed, or the back surface of the semiconductor wafer, that is, the adhesive sheet on which the circuit is not formed, is attached. Irradiation may be performed from the side surface.
  • the adhesive sheet or the dicing tape can irradiate the semiconductor wafer with laser light. It is preferable to use a tape that transmits laser light as the dicing tape. Further, it is preferable that the adhesive sheet is different from the dicing tape in transparency and color tone from the viewpoint of easily recognizing a broken part, that is, a part that could not be cut.
  • a laser beam is irradiated from the front side of the silicon wafer along the line to be cut along a line to be cut, by setting a focal point inside the silicon wafer using the above-mentioned laser processing apparatus under the following conditions.
  • a modified region is formed inside the box. With this modified region, the wafer can be cut along the line to be cut.
  • the modified region is preferably a melt-processed region formed by locally heating and melting the inside of the semiconductor wafer by multiphoton absorption.
  • Pulse width 30 ns
  • Output 20 J / pulse
  • step III Moving speed of the mounting table on which the semiconductor substrate is mounted: 10 OmmZ seconds
  • step III a dicing tape is formed by a conventionally known method, and the surface of the adhesive sheet on which the semiconductor layer 8 is adhered is bonded to the dicing tape. Can be attached to the opposite side.
  • Pasting temperature, that is, laminating temperature is o ° c ⁇
  • the reaction is preferably performed in the range of 60 ° C, more preferably in the range of 1 O: to 40 ° C, and still more preferably in the range of 15 ° C to 30 ° C.
  • step III) after step II), it is preferable to perform lamination while supporting the wafer so that the wafer is not deformed in order to prevent the wafer from being broken due to stress or deformation in the laminating step.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention may include a step of attaching the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention to a semiconductor wafer as step I ′) instead of steps I) and III).
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes the following steps: I ′) a step of attaching the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention to a semiconductor wafer; and II) a step of cutting the semiconductor wafer. II or II-I ', in order. IV) By cutting the semiconductor wafer and the adhesive sheet of the dicing table-type adhesive sheet of the present invention, a plurality of individualized semiconductor chips with the adhesive sheet are obtained. Process, and V) adhesive Bonding the semiconductor chip with the support to the semiconductor chip mounting support member.
  • FIG. 6 shows a process of attaching the dicing tape-integrated adhesive sheet 3 of the present invention to the semiconductor wafer A.
  • FIG. 7 shows a process of cutting the semiconductor wafer A by half-cutting using a dicing saw 23.
  • FIG. 8 shows a state in which an external force is applied to the dicing tape-integrated adhesive sheet 3 to cut off the wafer A and the adhesive sheet 1 of the dicing tape-integrated adhesive sheet 3, and
  • FIG. 9 shows the semiconductor chip 6 with the adhesive sheet. Bonding the semiconductor chip to the support member 7 for mounting a semiconductor chip. Further, FIG.
  • the combination of the method of attaching the adhesive sheet and the dicing tape to the wafer and the dicing method are not particularly limited. From the viewpoint of workability and efficiency, it is most preferable that the combination is such that the dicing tape-integrated adhesive sheet of the present invention is attached to a wafer and stealth dicing is performed.
  • the bonding temperature that is, the lamination temperature is preferably in the range of 0 ° C to 170 ° C, and in the range of 20 ° C to 130 ° C in order to reduce the warpage of the wafer. Is better Particularly preferably, it is in the range of 20 ° (: to 60 ° C).
  • step IV) is performed.
  • the cutting of the semiconductor wafer and the adhesive sheet is performed using a dicing tape or a dicing tape. This can be done by applying an external force to the body adhesive sheet.
  • the external force is preferably applied in a bending direction or a twisting direction, and in the case of stealth dicing, it is preferable to apply the external force in a pulling (expanding) direction.
  • a commercially available wafer expanding device can be used. More specifically, as shown in FIG. 4, the ring 11 is attached and fixed to the periphery of the dicing tape 2 placed on the stage 13, and then the push-up portion 12 is raised, whereby the dicing is performed. Apply tension to tape 2 from both ends. If the speed at which the push-up portion rises at this time is defined as the expand speed, and the height 14 at which the push-up portion rises is defined as the expand amount, in the present invention, the expanse speed is 10 to 100 O mmZ seconds.
  • the expanded amount is preferably from 5 to 3 Omm, more preferably from 10 to 3 Omm, and particularly preferably from 15 to 2 Omm. If the expansion speed is less than 1 Om mZ seconds, it tends to be difficult to cut the semiconductor wafer and the adhesive sheet, and if it exceeds 100 O mmZ seconds, the dicing tape tends to be broken. . Further, if the expanded amount is less than 5 mm, it tends to be difficult to cut the semiconductor wafer and the adhesive sheet, If it exceeds 30 mm, the dicing tape tends to break easily.
  • the expansion amount exceeds 25 mm, it is preferable to use a vinyl chloride base material as the base layer of the dicing tape.However, when the stretch amount is small, use various polyolefin base materials. It is preferable to do so.
  • the expansion is preferably performed at room temperature, but may be adjusted at a temperature between ⁇ 50 T and 100 ° C. as necessary. In the present invention, the temperature is preferably from 50 to 60 ° C, more preferably from 0 to 40 ° C. Temperature Expanded is more towards the low temperature, less elongation at break of contact adhesive sheet, for easy cutting preferable because of preventing the yield decreases due to poor cutting of the adhesive sheet ⁇
  • a UV-curable adhesive is used for the adhesive layer of the dicing tape, irradiate ultraviolet light from the side opposite to the surface where the semiconductor chip is attached to the dicing tape before or after expanding, Curing The adhesive is cured. As a result, the adhesion between the UV-curable pressure-sensitive adhesive and the adhesive sheet is reduced, and pickup in the subsequent step V) is facilitated.
  • step V) a plurality of individualized contacts are used as a pickup means using an adsorption collet 21 and a needle 22 as shown in FIGS. 5 and 9.
  • the semiconductor chip with the contact sheet is picked up, placed on the semiconductor chip mounting portion of the semiconductor chip mounting support member, and the adhesive sheet is heated and cured. Heat curing is usually performed at a temperature of 100 to 220 ° C.
  • the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is not limited to the above steps, but may include any steps. For example, at any stage after performing step I) or step I ') and before performing step IV), irradiating the adhesive sheet with ultraviolet light, infrared light, or microwave, or heating or bonding the adhesive sheet. A cooling step may be included. After performing step V), a wire bonding step, a sealing step, and the like shall be included as necessary.
  • Bisphenol F-type epoxy resin (epoxy equivalent: 160, trade name: YD-811 C manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) used as epoxy resin 30 parts by weight, cresol nopolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 21 0, using YDCN—703 manufactured by Toto Kasei Co., Ltd.) 10 parts by weight; phenol nopolak resin as a curing agent for epoxy resin (Plaofen LF 288 8 2 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 27 parts by weight; epoxy group-containing acrylic rubber as epoxy group-containing acryl-based copolymer (weight average molecular weight 800,000 by gel permeation chromatography, glycidyl methacrylate 3% by weight, T g _ 7 ° C , Nagase ChemteX Corporation brand name HTR-860 P-3 table 1
  • HTR-860 P-3 parts by weight 28 44.1 33.1 31.7 28.3 28.0 180 28.3 66.1 44.1 66.1
  • Polymer fraction The weight fraction of the high molecular weight component having a weight average molecular weight of 50,000 to 100,000 at a Tg of -10 to 50 ° C and excluding the filler component from all components of the adhesive sheet. rate
  • This adhesive varnish was applied on a 50 im-thick release-treated polyethylene terephthalate film, and was heated and dried at 90 ° C for 10 minutes and at 120 ° C for 5 minutes to obtain a film thickness of 25 z / As a m-thick coating film, an adhesive sheet in a B-stage state was produced. In addition, an adhesive sheet in a B stage state having a film thickness of 75/2 m was produced by the same operation.
  • An adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1 for the compositions shown in Table 1.
  • the adhesive sheet of Example 6 was obtained by heat-treating the sheet obtained in Example 1 at 40 ° C. for 24 hours to reduce the elongation at break.
  • An adhesive sheet was produced in the same manner as in Example 1 for the compositions shown in Table 1.
  • the adhesive sheet having a film thickness of 75 m was used for the elastic modulus, and the film thickness was 25 for the other items.
  • the evaluation was performed using an m adhesive sheet. Table 2 shows the obtained results.
  • the tensile strength and breaking elongation of the adhesive sheet in the B-stage state at 25 ° C were measured for a sample with a width of 10 mm, a length of 30 mm, and a thickness of 25 / m. 55), the stress and strain curves were measured at a chuck distance of 20 mm and a pulling speed of 0.5 m / min.
  • Breaking strength (P a) the maximum intensity (N) cross-sectional area of Z samples (m 2)
  • Elongation at break (%) (length between chucks of sample at break (mm)-20) / 20X100
  • Mass A For residual volatiles, weigh a B-stage film cut to 5 cm square (mass A), leave it in a dryer at 170 ° C for 1 hour on a releasable substrate, and measure it again. (Mass B) was obtained from the following equation.
  • Residual volatiles () (A-B) X 1 00 / A
  • the storage elastic modulus of the adhesive sheet in the B-stage state was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVE-V4, manufactured by Rheology Inc.) (sample size: length 20 mm, width 4 mm, film thickness 75 m, Temperature range 1 to 30; L 0 ° C, heating rate 5 ° CZmin, tensile mode, 10 Hz or 900 Hz, automatic static load).
  • DVE-V4 dynamic viscoelasticity measuring device
  • a chip (5 mm square) is plated with gold on an adhesive sheet.
  • (Flexible substrate with copper foil is plated with gold (Ni: 5 m, Au: 0.3 ⁇ m) ) And cured at 130 ° C., 30 min + 170 ° C. for 1 h.
  • the peel strength of this sample was measured at 260 ° C. before moisture absorption at 85 ° C. and 85% RH for 48 hours.
  • thermo-compression tester manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.
  • the sample obtained by punching the adhesive sheet and PET film into a 1 x 2 cm strip was used for 18 seconds at a hot plate temperature of 160 and a pressure of IMP a
  • the length of the resin protruding from the end of the sample was measured with an optical microscope, and this was defined as the amount of the opening.
  • the thickness of the dicing tape was 80 / im.
  • a semiconductor wafer to be diced was attached to the adhesive sheet surface of the dicing tape integrated adhesive sheet. At this time, a semiconductor wafer having a thickness of 80 m was used as the semiconductor wafer.
  • the laminating temperature was 60 ° C.
  • the wafer is half-cut dicing using a dicing cutter, followed by washing and drying, and processing is performed so that at least two or more semiconductor chips can be obtained when an external force is applied to the semiconductor wafer. did.
  • the adhesive sheet and the semiconductor wafer were cut by bending the dicing tape-integrated adhesive sheet to obtain a semiconductor chip with an adhesive sheet.
  • the semiconductor wafer and the adhesive sheet were cut 90% or more of the half-cut dicing distance and cut at the same time.
  • a semiconductor device sample (formed with a solder pole on one side) was prepared by bonding a semiconductor element and an adhesive sheet cut into a square of 5 mm and a wiring board using a polyimide film with a thickness of 25 m as a base material. was examined. For the evaluation method of heat resistance, reflow crack resistance and temperature cycle test were applied.
  • the evaluation of the reflow crack resistance was performed by measuring the maximum temperature of the sample surface at 260 ° C and setting the IR reflow temperature to maintain this temperature for 20 seconds. —The sample was passed through a furnace, and the process of cooling it by leaving it at room temperature was repeated twice. Cracks in the sample were visually observed and observed with an ultrasonic microscope. Samples in which no cracks occurred in all 10 samples were marked with “ ⁇ ”, and samples in which one or more samples had cracks were marked with “X”.
  • the temperature cycling resistance was as follows: the sample was left for 30 minutes in an atmosphere of -55 ° C for 30 minutes, and then left for 30 minutes in an atmosphere of 125 ° C. Using an acoustic microscope, specimens in which delamination such as peeling or cracking did not occur in all 10 samples were designated as ⁇ , and those in which one or more specimens occurred were designated as X.
  • Example 1 the elastic modulus, the breaking strength and the breaking elongation were within the ranges specified in the present invention, and the laminating property and the breaking property were good. In addition, because of its low tack strength at room temperature, it has excellent handling properties, and because of its excellent high-temperature adhesive strength, it has excellent reflow crack resistance and temperature cycle resistance. In Example 5, the breakability was good, but the laminability at 60 ° C was poor, and it was not suitable for low-temperature lamination. In Comparative Examples 1 to 5, the elastic modulus, the breaking strength, and the breaking elongation were out of the range of the present invention, and all of them were poor in breaking properties.
  • An adhesive sheet was laminated on a semiconductor wafer (80 m thick) of a semiconductor wafer to be diced by hot roll laminating (Riston manufactured by DuPont) at 60 ° C.
  • the resulting semiconductor wafer A with an adhesive sheet was irradiated with a laser beam as shown in FIG. 2 to form a modified region inside the wafer.
  • a dicing tape (UC 3004M-80, manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd.) was laminated on the other side of the adhesive sheet.
  • a stainless steel ring was attached to the outer periphery of the dicing tape.
  • the ring was fixed and the dicing tape was expanded using an expendable device. In this expanding condition, the expanding speed was 30 mm / and the expanse amount was 15 mm.
  • a semiconductor wafer 80 m thick
  • a dicing tape integrated sheet with an adhesive sheet and a dicing tape (Furukawa Electric Co., Ltd. (UC3004M-80)) laminated on the wafer is used for hot-opening and laminating (DuPont). (Riston) at 60 ° C.
  • a stainless steel ring was attached to the outer periphery of the dicing tape.
  • the ring was fixed and the dicing tape was expanded by an expanding device. In this expanding condition, the expanding speed was 30 mm / s, and the expanding amount was 15 mm.
  • a semiconductor wafer 80 m thick was irradiated with laser light to form a modified region inside the wafer.
  • the adhesive sheet was laminated on the wafer with a hot laminator (Riston manufactured by Du Pont) at 60, and then the adhesive sheet was heated at 120 ° C for 10 minutes.
  • a dicing tape (Furukawa Electric Co., Ltd. (UC 3 004 M—80)) were laminated.
  • a stainless steel ring was attached to the outer periphery of the dicing tape. The ring was fixed and the dicing tape was expanded by an expanding device. Under these expanding conditions, the expanding speed was 30 mm / s, and the expanding amount was 15 mm.
  • the length 8 of the adhesive sheet that protruded from the end of the chip without being ruptured was used as the protruding length.
  • the case where the length is 0 to less than 20 zm is extremely good ( ⁇ ) 20 to;
  • the modulus of elasticity, the breaking strength, and the breaking elongation were out of the range of the present invention, and all of them had poor breaking properties.
  • the present invention can be attached to a wafer at a low temperature of 10 ° C. or less, is flexible enough to be handled at room temperature, and can be cut simultaneously with the wafer under ordinary cutting conditions. It is possible to provide a certain adhesive sheet.
  • the adhesive sheet of the present invention in the dicing step in the manufacture of a semiconductor device, a wafer cutting method such as half-cut dicing and stealth dicing and a method using an adhesive sheet of a wafer backside bonding method are simultaneously applied. Therefore, the dicing step can be performed efficiently.
  • the adhesive sheet of the present invention even when an ultra-thin wafer having a thickness of 100 m or less is used, it is not necessary to cut the wafer and the adhesive sheet at the same time using a dicing machine. Speed can be increased. Therefore, according to the adhesive sheet of the present invention, it is possible to improve the processing speed and the yield of the semiconductor device.
  • the cut surfaces of the chip and the adhesive sheet can be matched within 100 or less. Even if the cutting is not performed, it is possible to easily confirm whether or not the adhesive sheet can be separated, so that the semiconductor device can be efficiently manufactured without causing a pickup failure.
  • the bonding reliability is excellent in the bonding process of the semiconductor element and the supporting member for mounting the semiconductor element in the manufacture of the semiconductor device. That is, the adhesive sheet of the present invention has heat resistance and moisture resistance necessary for mounting a semiconductor element on a support member, and is excellent in workability.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本発明は、１００℃以下の低温でウエハに貼付可能であり、室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、かつ、通常に行われる切断条件において、ウェハと同時に切断可能である接着シート、該接着シートとダイシングテープを積層してなるダイシングテープ一体型接着シート、およびこれらを用いた半導体装置の製造方法を提供するために、接着シートの破断強度、破断伸び、弾性率をそれぞれ特定の数値範囲に規定することを特徴とするものである。

Description

明 細 書 接着シート、 ダイシングテープ一体型接着シート、 及び半導体装置の 製造方法 技術分野
本発明は、 半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合に好適な 接着シート、 ダイシングテープ一体型接着シート、 及び半導体装置の 製造方法に関する。 背景技術
従来、 半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には銀ペース トが主に使用されていた。 しかし、 近年の半導体素子の小型化 ·高性 能化に伴い、 使用される支持部材にも小型化 ·細密化が要求されるよ うになつてきている。 こうした要求に対して、 銀ぺ一ストでは、 はみ 出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における 不具合の発生、 接着シートの膜厚の制御困難性、 および接着シートの ボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。 そ のため、 前記要求に対処するべく、 近年、 シート状の接着剤が使用さ れるようになってきた。
この接着シートは、 個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式 において使用されている。 前者の個片貼付け方式の接着シートを用い て半導体装置を製造する場合、 リール状の接着シートをカツティング あるいはパンチングによって個片に切り出した後その個片を支持部 材に接着し前記接着シート付き支持部材にダイシング工程によって 個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製 し；その後必要に応じてワイヤポンド工程、 封止工程などを経ること によって半導体装置が得られることとなる。 しかし、 前記個片貼付け 方式の接着シートを用いるためには、 接着シートを切り出して支持部 材に接着する専用の組立装置が必要であることから、 銀ペーストを使 用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。 一方、 後者のウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用いて半導体装 置を製造する場合、 まず半導体ウェハの裏面に接着シートを貼付けさ らに接着シートの他面にダイシングテープを貼り合わせ；その後前記 ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し；個片化した接 着シート付き半導体素子をピックアップしそれを支持部材に接合 し；その後の加熱、 硬化、 ワイヤポンドなどの工程を経ることにより 半導体装置が得られることとなる。 このゥェハ裏面貼付け方式の接着 シートは、 接着シート付き半導体素子を支持部材に接合するため接着 シートを個片化する装置を必要とせず、 従来の銀べ一スト用の組立装 置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良する ことにより使用できる。 そのため、 接着シートを用いた組立方法の中 で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。 しかしながら、 ウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用いる方法に あっては、 前記ダイシング工程までに、 接着シートとダイシングテ一 プを貼付するといった 2つの貼付工程が必要であつたことから、 作業 工程の簡略化が求められている。 そこで、 接着シートをダイシングテ ープ上に付設し、 これをウェハに貼り付ける方法が提案されている (例えば、 日本国特許公開 2 0 0 2— 2 2 6 7 .9 6号公報、 日本国特 許公開 2 0 0 2 - 1 5 8 2 7 6号公報、 日本国特許公開 2— 3 2 1 8 1号公報）。
また、 ウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用いる方法は、 ウェハ のダイシング時に接着シートも同時に切断することが必要であるが、 ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、 ウェハと接着シートを同時に切断するために切断速度を遅くする必 要があり、 コストの上昇を招いていた。
一方、 ウェハの切断方法として、 ウェハを完全に切断せずに、 折り 目となる溝を加工する工程や切断予定ライン上のウェハ内部にレ一 ザ光を照射して改質領域を形成する工程など、 ウェハを容易に切断可 能とする工程を施し、 その後に外力を加えるなどして切断する方法が 近年提案されており、 前者はハーフカットダイシング、 後者はステル スダイシング （例えば、 日本国特許公開 2 0 0 2— 1 9 2 3 7 0号、 日本国特許公開 2 0 0 3— 3 3 8 4 6 7号） と呼ばれる。 これらの方 法は、 特にウェハの厚さが薄い場合にチッビングなどの不良を低減す る効果があり、 カーフ幅を必要としないことから収率向上効果などを 期待することができる。
ここで、 上記ハーフカツトダイシングゃステルスダイシングを用い て、 上記ウェハ裏面貼付け方式による半導体装置の製造工程を行うた めには、 接着シートをウェハと同時に切断する必要が生じるが、 一般 的な接着シートを用いた場合には、 ウェハと同時に切断することは困 難であり、 また、 接着シートとして破断性の良い、 非伸縮性のものを 使用した場合には、 ウェハと接着シートの切断面をほぼ一致させて同 時に切断することができるが、 非伸縮性の接着シートはその流動性が 低いために、 1 0 o °c以下の低温でウェハに貼付することが難しく、 また、 接着シート自体が脆いため、 クラックが発生し、 接着信頼性が 低下する恐れがある 発明の開示
前述の通り、 ウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用いる方法では、 効率的にウェハと接着シートを切断できる手法が見出されていなか つた。そのため、半導体装置を製造する際のダイシング工程において、 上記ウェハを切断可能とする加工を行った後、 ウェハと同時に切断す ることが可能な接着シートが求められていた。 また、 半導体装置の製 造における半導体素子と支持部材の接合工程において、 接着信頼性に 優れる接着シートが求められていた。
本発明は、 低温でウェハに貼付可能であり、 室温で取扱い可能な程 度に柔軟であり、 かつ、 通常に行われる切断条件においてウェハと同 時に切断可能である接着シートを提供することを目的とする。
本発明者らは、 2 5 t:における Bステージ状態の接着シートの破断 強度及び破断伸びを特定の数値範囲内に規定することで、 室温におい てウェハ切断と同時に切断することができる接着シートを得ること ができるということを見出した。
さらに、 本発明者らは、 接着シートが室温で可撓性を維持し、 かつ 室温でゥェ八切断時に接着シートも同時に切断されるためには、 接着 シートの弾性率が特定の周波数依存性を有することが必要であるこ とを見出した。 ここで周波数依存性とは、動的粘弾性率測定において、 試料に加える歪みの周波数により弾性率が異なる現象である。
すなわち、 本発明は以下の < 1 >〜< 1 5 >に記載の事項をその特 徵とするものである。
< 1 >高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、 B ステージ状態の前記接着シートの 2 5°Cにおける破断強度が 0. 1M P a以上 1 0 MP a以下であり、 かつ破断伸びが 1 %以上 40 %以下 であることを特徴とする接着シート。
<2>高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、 B ステージ状態の前記接着シートの、 2 5 °Cで 10 H zにおける動的粘 弾性測定による弾性率が l〜3000MP aであり、 2 5 °Cで 900 H zにおける動的粘弾性測定による弾性率が 40 00〜 20000 MP aであることを特徴とする接着シート。
<3>高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、 B ステージ状態の前記接着シートの、 25°Cで 1 0Hzにおける動的粘 弾性測定による弾性率が l〜3000MP aであり、 — 20 °Cで 1 0 H zにおける動的粘弾性測定による弾性率が 40 00〜 20 0 0 0 MP aであることを特徴とする接着シート。
く 4>高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、 B ステージ状態の前記接着シートの、 60DCで 1 OHzにおける動的粘 弾性測定による弾性率が 0. 1〜2 OMP aであることを特徴とする 上記ぐ 2 >または < 3 >に記載の接着シート。
<5>高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、 B ステージ状態の前記接着シートの 2 5°Cにおける破断強度が 0. 1M P a以上 1 OMP a以下であり、 かつ破断伸びが 1 %以上 40 %以下 であることを特徴とする上記く 2 >〜< 4 >のいずれかに記載の接 着シート。
< 6 >前記高分子量成分は、 ガラス転移温度が一 30で〜 50°Cで、 重量平均分子量が 5万〜 1 00万であることを特徴とする上記 < 1 >〜< 5 >のいずれかに記載の接着シート。 < 7 >ガラス転移温度が一 30°C〜50°Cで、 重量平均分子量が 5 万〜 1 00万である前記高分子量成分が、 接着シートの全重量からフ ィラーの重量を除いた重量に対し、 50重量％以下含まれることを特 徴とする上記ぐ 6 >記載の接着シー卜。
く 8 >さらに熱硬化性成分を含むことを特徴とする上記く 7 >記 載の接着シ一卜。
く 9>さらにフィラーを 5〜7 0重量％含むことを特徴とする上 記 < 7 >または < 8 >のいずれかに記載の接着シート。
く 10>残存揮発分が 0. 0 1〜3重量％であることを特徴とする 上記 < 1 >〜< 9 >のいずれかに記載の接着シート。
< 1 1 >膜厚が 1〜 2 5 0 mであることを特徴とする上記く 1 >〜く 10>のいずれかに記載の接着シート。
< 1 2>上記< 1 >〜<1 1〉のいずれかに記載の接着シートと ダイシングテープを積層したことを特徴とするダイシングテープ一 体型接着シート。
<1 3> I) 半導体ウェハに上記 <1>〜<1 1〉のいずれかに記 載の接着シートを貼り付ける工程、 II) 前記半導体ウェハを切断可能 とする工程、 III) 前記接着シートにダイシングテープを貼り付ける 工程、 を 1—11— 111、 II一 I一 III又は I一 III一 IIの順で含み、 さ らに、 IV) 前記半導体ウェハ及び前記接着シートを切断することによ り、 複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程、 及 び、 V) 前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持 部材に接着する工程、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
<14> 1 ' ) 半導体ウェハに上記ぐ 1 2 >に記載のダイシングテ 一ブー体型接着シートを貼り付ける工程、 Π) 前記半導体ウェハを切 断可能とする工程、 を I ' —II 又は II一 I ' の順で含み、 さらに、 IV) 前記半導体ウェハ及び前記ダイシングテープ一体型接着シートの 接着シートを切断することにより、 複数の個片化された接着シート付 き半導体チップを得る工程、 及び、 V) 前記接着シート付き半導体チ ップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程、 を含むことを特 徵とする半導体装置の製造方法。
<1 5 >前記半導体ウェハを切断可能とする方法が、 ハーフカット ダイシングまたはステルスダイシングであること特徴とする上記く 1 3>または <14 >に記載の半導体装置の製造方法。
本出願は、 同出願人により先にされた日本国特許出願、 すなわち、 2003— 1 6 16 56号 （出願日 2003年 6月 6日） および 20 03— 402748号 （出願日 2003年 12月 2日） に基づく優先 権主張を伴うものであって、 これらの明細書を参照のためにここに組 み込むものとする。 図面の簡単な説明
図 1は、本発明における工程 I )の一実施態様を示す概念図である。 図 2は、本発明における工程 Π)の一実施態様を示す概念図である。 図 3は、 本発明における工程 III) の一実施態様を示す概念図であ る。
図 4は、本発明における工程 IV)の一実施態様を示す概念図である。 図 5は、本発明における工程 V)の一実施態様を示す概念図である。 図 6は、 本発明における工程 I ') の一実施態様を示す概念図であ る。
図 7は、本発明における工程 II)の一実施態様を示す概念図である。 図 8は、 図 7のウェハに外力を加え、 ウェハ及び接着シートが切断 された状態を示す概念図である。
図 9は、本発明における工程 V)の一実施態様を示す概念図である。 図 1 0は、 接着シート付き半導体チップの一実施態様を示す概念図 である。
図 1 1は、 本発明における工程 I 一）、 工程 II) および工程 IV) の 一実施態様を示す概念図である。 発明を実施するた.めの最良の形態.
本発明の接着シートは、 高分子量成分を少なくとも含有してなり、 Bステージ状態の.前記接着シートの 2 5 °Cにおける破断強度が 0. .1 MP a以上 1 OMP a以下であり、 破断伸びが 1 %以上 40 %以下で あることを特徴とするものである。
破断強度が 0. IMP a未満の場合は接着シートが脆く、 取り扱い 性が低下する。また、 1 0 MP a超の場合、ウェハを切断するときに、 同時に接着シートを切断することができないため不適当である。 同様 に、 破断伸び 1 %未満の場合は接着シートが脆く、 取り扱い性が低下 する。 破断伸びが 40 %超の場合には、 ウェハを切断するときに、 同 時に接着シートを切断することができないため不適当である。 ウェハ 破断時に接着シートも確実に破断できる点および十分な強度を有し 取り扱い性に優れる点で、 破断強度が 1〜8MP aであり、 破断伸び が 5〜3 5 %であることが好ましく、 破断強度が 3〜7MP a、 破断 伸びが 1 0〜 30%であることがより好ましい。
Bステージ状 ^の接着シートの 2 5 °Cにおける破断強度、 破断伸び は、 幅 1 0mm、 チヤック間距離 20mm, 厚さ 5〜2 50 mの試' 料について、 引っ張り試験機を用いて引っ張り速度 0. 5m/m i n で応力、ひずみ曲線を測定し、それから、下式により得たものである。 破断強度 （P a) =最大強度 （N) 試料の断面積 （m2 )
破断伸び (%) = (破断時の試料長さ（mm) - 20)/20 X 1 00 破断強度を上昇させるためには、 弾性率を高くするとともに、 材料 の靱性を大きくすることが有効である。 具体的には、 各種フイラ一添 加により弾性率を高くするとともに、 材料の靱性を改良するために、 少量のゴムなどを添加することが有効である。 破断強度を低減するた めには、 オリゴマ、 モノマの添加量を多くし、 フィルムの破断伸びを 低減することが有効である。
破断伸びを上昇させるためには、 材料の可撓性、 靱性を向上させる ことが有効であり、 例えば、 低 Tgで分子量の大きい高分子量成分の 量、 軟化点が 30°C未満のオリゴマ、 モノマの添加量を多くすること が有効である。 破断伸びを低減するためには、 軟化点が 30°C以上の オリゴマ、モノマの添加量、高 Tgの高分子量成分量を多くすること、 フィラーを添加することで靱性を低下することが有効である。
本発明の接着シートは、 高分子量成分を少なくとも含有してなり、 Bステージ状態の前記接着シートの、 2 5°Cで 10 Hzにおける動的 粘弾性測定による弾性率が l〜3000MP aであり、 25°Cで 90 0 H z'における動的粘弾性測定による弾性率が 40 0 0〜 2 0 00 0 MP aであることを特徴とするものである。
取扱い時に接着シートにクラックが発生し難い点から、 25 で 1 0 H zにおける弾性率は 1 0〜 1 5 0 0MP aであることが好まし く、 1 00〜 1 20 OMP aであることがより好ましい。 この弾性率 が IMP a未満であると、 接着シートの伸びが大きく、 取扱い難く、 300 OMP aを超えると、 取扱い時に接着シートにクラックが発生 するため好ましくない。また、 2 5°Cで 900 H zにおける弾性率は、 5000〜 1 5000 MP aであることが好ましい。 この弾性率が 4 00 OMP a未満であると切断し難くなる傾向があり、 20000 M P aを超えると取り扱い時にクラックが発生し易い傾向がある。
また、 本発明の接着シートは、 高分子量成分を少なくとも含有して なり、 Bステージ状態の前記接着シートの、 2 5°Cで 1 0Hzにおけ る動的粘弾性測定による弾性率が 1〜 3 0 0 0 M P aであり、 一 2 0 °Cで 1 0 H zにおける動的粘弾性測定による弾性率が 40 0 0〜 2000 OMP aであることを特徴とするものである。
- 20°Cで 1 0Hzにおける弾性率は、 5000〜1 5000MP aであることが好ましい。 この弾性率が 4000 MP a未満であると 切断し難くなる傾向があり、 2000 OMP aを超えると取り扱い時 にクラックが発生し易い傾向がある。
本発明における接着シートは、 ウェハに貼り付けた後、 切断する時 に上記で規定した各種特性値の範囲にあれば良く、 貼り付ける際には この範囲に無くともよい。 つまり、 ウェハに貼り付けた後に一定の保 存期間を経た後や、 熱処理、 光硬化等の放射線照射による加工を経た 後に、 上記各種特性値の範囲に入るものであればよく、 例えば、 半導 体ゥェ八に貼り付ける前の状態において破断強度及び破断伸びの大 きい接着シートを用いた場合、 接着シートを低温で半導体ウェハに貼 り付けすることが可能であり、 貼り付け後に破断強度及び破断伸びを 上記数値範囲内にすることで破断性を向上させることができる。 同様 に、 接着シートの初期における 25 °C、 1 0Hzにおける弾性率が 1 MP a未満であっても、 ウェハ貼り付け時には強い粘着性を有し室温 で容易にラミネート可能であり、 その後、 弾性率を上記数値範囲にす ることで破断性を向上させることができる。
本発明の接着シートを使用する場合、 ウェハの反りを小さくし、 室 温での取扱い性を良くするため、 4 0〜 1 0 0 °Cの間でウェハにラミ ネートすることが好ましい。 そのため、 本発明の接着シートは、 Bス テ一ジ状態の前記接着シートの 6 0 °Cで 1 0 H zにおける動的粘弹 性測定による弾性率が 0 . l〜2 0 M P aであることが好ましく、 0 . 1〜 1 0 M P aであることがより好ましく、 0 . l〜5 M P aである ことが特に好ましい。 0 . I M P a未満であると貼付後にシートがゥ ェハから剥離したり、 ずれることがあるため好ましくない。
尚、 本発明の接着シートは、 上記各特性に加えて、 半導体素子搭載 用支持部材に半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性および 耐湿性を有するものであることが好ましい。 また、 本発明の接着シー 卜は、 上記特性を満足するものであれば特に制限はないが、 適当な夕 ック強度を有しシート状での取り扱い性が良好であることから、 高分 子量成分の他に熱硬化性成分およびフィラーを含むことが好ましく、 さらにこれらの他に、 硬化促進剤、 触媒、 添加剤、 カップリング剤等 を含んでも良い。 また、 破断強度や破断伸びは、 接着シートに含まれ る高分子量成分が多く、 フィラーが少ないほど高くなる傾向があるの で、 これらの成分は、 破断強度や破断伸びが、 本発明において規定さ れた数値範囲内になるよう調節することが重要である。
次に、 本発明の接着シ一トを構成する成分についてより詳細に説明 する。
本発明における高分子量成分としては、 前記接着シートの特性を満 足させるものであれば特に制限はないが、そのガラス転移温度（以下、 T g) がー 30° (：〜 50°Cで重量平均分子量が 5万〜 1 00万である ことが好ましい。 Tgが 50°Cを超えると、 シートの柔軟性が低い点 で不都合であり、 Tgがー 30°C未満であると、 シートの柔軟性が高 すぎるため、 ウェハ破断時にシートが破断し難い点で都合が悪い。 ま た、 重量平均分子量が 5万未満であるとシートの耐熱性が低下する点 で不都合であり、 分子量が 100万を超えるとシートの流動性が低下 する点で不都合である。
ウェハ切断時における接着シートの破断性や耐熱性の観点から、 τ gがー 2 0° (：〜 40 °Cで重量平均分子量が 1 0万〜 90万の高分子 量成分がより好ましく、 Tgが— 1 0° (：〜 50°Cで重量平均分子量が 5万〜 1 00万の高分子量成分が好ましく、 T gがー 1 0°C〜30°C で重量平均分子量が 50万〜 90万の高分子量成分が特に好ましい。 なお、 重量平均分子量は、 ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー 法 （GPC) で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン 換算値であり、 ポンプとして日立製作所製 L_ 6000を使用し、 力 ラムとして日立化成工業 （株） 製ゲルパック （Gelpack) GL-R4 40、 ゲルパック GL— R450、 及びゲルパック GL— R400 M (各 1 0. 7mm(i) X 300mm) をこの順に連結したカラムを使用 し、 溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、 試料 1 2 Omgを T HF 5m 1に溶解させたサンプルについて、 流速 1. 7 5mL/分で 測定した。
高分子量成分として、 具体的には、 ポリイミド、 ポリスチレン、 ポ リエチレン、 ポリエステル、 ポリアミド、 ブタジエンゴム、 アクリル ゴム、 （メタ） アクリル樹脂、 ウレタン樹脂、 ポリフエ二レンェ一テ ル樹脂、 ポリエーテルイミド樹脂、 フエノキシ樹脂、 変性ポリフエ二 レンエーテル樹脂、 フエノキシ樹脂、 ポリカーボネート及びそれらの 混合物などが挙げられる。 特に、 官能性モノマを含む重量平均分子量 が 1 0万以上である高分子量成分、 例えば、 グリシジルァクリレート またはグリシジルメ夕クリレートなどの官能性モノマを含有し、 かつ 重量平均分子量が 1 0万以上であるエポキシ基含有 （メタ） アクリル 共重合体などが好ましい。 エポキシ基含有 （メタ） アクリル共重合体 としては、 例えば、 （メタ） アクリルエステル共重合体、 アクリルゴ ムなどを使用することができ、 アクリルゴムがより好ましい。 ァクリ ルゴムは、 アクリル酸エステルを主成分とし、 主として、 プチルァク リレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、 ェチルァクリレート とアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。
高分子量成分は、 接着シー卜の全重量からフィラーの重量を除いた 重量に対し、 5 0重量％以下含まれることが好ましく、 3 5重量％以. 下含まれることがより好ましく、 2 5重量％以上 3 5重量％以下含ま れることが特に好ましい。 高分子量成分の配合量が多いと接着シート の破断性が悪化する傾向があり、 配合量が少ないと接着時の流動性が 大きすぎるため、 ポイドが発生する傾向がある。
上記熱硬化性成分としては、 エポキシ樹脂、 シァネート樹脂、 フエ ノール樹脂及びその硬化剤等があるが、 耐熱性が高い点で、 エポキシ 樹脂が好ましい。 エポキシ樹脂は、 硬化して接着作用を有するもので あれば特に限定されない。 ビスフエノール A型エポキシなどの二官能 エポキシ樹脂、 フエノ一ルノポラック型エポキシ樹脂ゃクレゾ一ルノ ポラック型エポキシ樹脂などのノポラック型エポキシ樹脂などを使 用することができる。 また、 多官能エポキシ樹脂、 グリシジルァミン 型エポキシ樹脂、 複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂 など、 一般に知られているものを適用することができる。
さらに、 本発明の接着シートには、 Bステージ状態の接着シートの 破断強度、破断伸びの低減、接着剤の取扱性の向上、熱伝導性の向上、 溶融粘度の調整、 チクソ卜口ピック性の付与などを目的としてフィラ 一、 好ましくは無機フィラーを配合することが好ましい。
無機フイラ一としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、 炭酸カルシウム、 炭酸マグネシウム、 ケィ酸カルシウム、 ゲイ酸マグ ネシゥム、 酸化カルシウム、 酸化マグネシウム、 アルミナ、 窒化アル ミニゥム、 ホウ酸アルミウイスカ、 窒化ホウ素、 結晶性シリカ、 非晶 性シリカ、 アンチモン酸化物などが挙げられる。 熱伝導性向上のため には、 アルミナ、 窒化アルミニウム、 窒化ホウ素、 結晶性シリカ、 非 晶性シリ力等が好ましい。 溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付 与の目的には、 水酸化アルミニウム、 水酸化マグネシウム、 炭酸カル シゥム、炭酸マグネシウム、ゲイ酸カルシウム、ゲイ酸マグネシウム、 酸化カルシウム、 酸化マグネシウム、 アルミナ、 結晶性シリカ、 非晶 性シリカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるためにはアルミナ、 シリカ、 水酸化アルミニウム、 アンチモン酸化物が好ましい。
上記フィラー量は接着シートの全重量に対して 5重量％以上 7 0 重量％以下であることが好ましく、 さらに好ましくは 3 5重量％以上 6 0重量％以下である。 配合量が多くなると、 接着シートの貯蔵弾性 率の上昇、 接着性の低下、 ポイド残存による電気特性の低下等の問題 が起きやすくなるので 5 0重量％以下とするのが特に好ましい。 また、 フィラ一の比重は 1〜 1 0 g / c m 3であることが好ましい。
また、 本発明の接着シートは、 分子内に不飽和 2重結合を 1個以上 有するアクリルモノマとその光開始剤を含むなどにより、 U V硬化性 を有していても良く、 低温でラミネート後、 U V照射により、 破断伸 びを低下させることで、 破断性を向上できる。
本発明の接着シートは、 前記高分子量成分、 さらに必要に応じて熱 硬化性成分、 フィラー、 及び他の成分を有機溶媒中で混合、 混練して ワニスを調製した後、 基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、 加熱乾燥した後、 基材を除去して得ることができる。
上記の混合、 混練は、 通常の攪拌機、 らいかい機、 三本ロール、 ポ —ルミル等の分散機を適宜、 組み合わせて行うことができる。 上記の 加熱乾燥の条件は、 使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に 制限はないが、 通常 6 0 °C〜2 0 0 °Cで、 0 . 1〜9 0分間加熱して 行う。
上記接着シートの製造における上記ワニスの調製に用いる有機溶 媒は、 材料を均一に溶解、 混練又は分散できるものであれば制限はな く、 従来公知のものを使用することができる。 このような溶剤として は、 例えば、 ジメチルホルムアミド、 ジメチルァセトアミド、 N—メ チルピロリドン、 アセトン、 メチルェチルケトン、 シクロへキサノン などのケトン系溶媒、 トルエン、 キシレン等が挙げられる。 乾燥速度 が速く、 価格が安い点でメチルェチルケトン、 シクロへキサノンなど を使用することが好ましい。
有機溶媒の使用量は、 接着シート製造後の残存揮発分が全重量基準 で 0 . 0 1〜3重量％であれば特に制限はないが、 耐熱信頼性の観点 からは全重量基準で 0 . 0 1〜2 . 0重量％が好ましく、 全重量基準 で 0 . 0 1〜 1 . 5重量％がさらに好ましい。
また、 切断可能である範囲で、 本発明の接着シ一卜を複数重ね合わ せ、 複層の接着シートにしてもよい。 また、 本発明の接着シートと、 例えば、 熱可塑フィルム、 粘着剤、 熱硬化樹脂などからなるフィルム を組合せ、 フィルムの両面に接着シートを重ね合わせるなどし、 複層 の接着シートにしても良い。 なお、 切断可能である範囲とは、 複層に した接着シートの破断強度及び破断伸びや弾性率が上記数値範囲内 にあることをいう。このようなフィルムとして、例えば、ポリイミド、 ポリエステルなどの熱可塑性樹脂、 エポキシ樹脂、 シリコーン樹脂、 およびこれらの混合物等からなるフィルムを挙げることができる。 こ れらのフィルムは、 各種フィラーを含んでいてもよい。
本発明の接着シートの膜厚は、 特に制限はないが、 l〜 2 5 0 m が好ましい。 1 mより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾 向があり、 2 5 0 mより厚いと経済的でなくなる上に、 半導体装置 の小型化の要求に応えられない、破断が困難になる傾向がある。なお、 接着性が高く、 また、 半導体装置を薄型化できる点で 3〜 1 0 0 m が好ましく、 さらに好ましくは 5〜 5 5 mである。
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、 本発明の接着シ一 トを公知のダイシングテープ上に積層することで得ることができる。 このダイシングテープ一体型接着シートを用いることで、 ウェハへの ラミネート工程が一回で済み、 作業の効率化が可能である。 ダイシン グテープ上に接着シートを積層する方法としては、 印刷のほか、 予め 作成した接着シートをダイシングテープ上にプレス、 ホットロールラ ミネート方法が挙げられるが、 連続的に製造でき、 効率が良い点でホ ットロ一ルラミネ一ト方法が好ましい。
本発明に使用するダイシングテープとしては、 例えば、 ポリテトラ フルォロエチレンフィルム、 ポリエチレンテレフタレートフィルム、 ポリエチレンフィルム、 ポリプロピレンフィルム、 ポリメチルペンテ ンフィルム、 ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙 げられる。 また、 必要に応じてプライマー塗布、 U V処理、 コロナ放 電処理、 研磨処理、 エッチング処理等の表面処理を行っても良い。 ダ ィシングテープは粘着性を有することが必要であり、 ダイシングテー プの片面に粘着剤層を設けても良い。 これは、 粘着剤層の樹脂組成物 において、 特に液状成分の比率、 高分子量成分の T gを調整すること によって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥 することで形成可能である。
また、 ダイシングテープの膜厚は、 特に制限はなく、 接着シートの 膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、 当業 者の知識に基づいて定められるものであるが、 経済性がよく、 フィル ムの取扱い性が良い点で 6 0〜 1 5 0 m、 好ましくは 7 0〜 1 3 0 PL mである。
また、 本発明の接着シートまたはダイシングテープ一体型接着シー 卜の接着シートは、 半導体装置を製造する際、 ダイシング時には半導 体素子が飛散しない接着力を有し、 その後ピックアツプ時にはダイシ ングテープから剥離可能である必要がある。 例えば、 接着シートやダ イシングテープの粘着性が高すぎると、 溝端部の樹脂が融着して分離 が困難になることがある。 それゆえ、 本発明の接着シートとダイシン グテープとの Bステージ状態における 9 0 ° ピール強度は、 1 5 O N ノ m以下であることが好ましく、 5〜 1 0 O N Zmであることがより 好ましく、 5〜 5 0 N /mであることがさらに好ましい。 ピール強度 が 1 5 0 N Zmを超えるとピックアツプ時にチップが割れやすくな る傾向がある。 なお、 ピール強度の測定は、 2 5 °Cの雰囲気中で、 9 0 の角度で、 5 O mm/分の引張り速度で接着シートをダイシング テープから剥がした際の結果である。
上記 9 0 ° ピール強度が 1 5 0 N Zm以下となるようにするため には、 適宜、 接着シートのタック強度を調節することが望ましい。 夕 ック強度を調節する方法としては、 接着シートの室温における流動性 を上昇させると接着強度及びタック強度が上昇する傾向があり、 流動 性を低下させると接着強度及びタック強度が低下する傾向があると いう性質を利用して行えばよい。 例えば、 流動性を上昇させる場合に は、可塑剤の含有量の増加、粘着付与材含有量の増加等の方法がある。 逆に流動性を低下させる場合には、 前記化合物の含有量を減らせばよ い。 前記可塑剤としては、 例えば、 単官能のアクリルモノマー、 単官 能エポキシ樹脂、 液状エポキシ樹脂、 アクリル系樹脂、 エポキシ系の いわゆる希釈剤等が挙げられる。
上記した本発明の接着シートまたは本発明の接着シートを備える ダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、 半導体装置 を製造することができる。
つまり、 本発明の半導体装置の製造方法は、 I ) 半導体ウェハに本 発明の接着シートを貼り付ける工程、 1 0 半導体ウェハを切断可能と する工程、 I I I ) 本発明の接着シートにダイシングテープを貼り付け る工程、 を 1 —1 1— 1 1 1、 I I一 I —I I I 又は I —I I I— I I の順で含み、 さらに、 I V) 半導体ウェハ及び本発明の接着シートを切断することに より、 複数の個片化された接着シート付き半導体チップを得る工程、 及び、 V) 接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部 材に接着する工程、 を含むことをその特徴とするものである。
図 1には、 半導体ウェハ Aに本発明の接着シート 1を貼り付けるェ 程、 図 2には、 半導体ウェハ Aの切断予定ライン 4上にレ一ザ一光を 照射して、 ウェハ内部に改質領域 （切断予定部） 5を形成して、 ゥェ Λを切断可能とする工程、 図 3には、 接着シート 1に粘着剤層 2 aと 基材層 2 bとからなるダイシングテープ 2を貼り付ける工程、 図 4に は、 ダイシングテープ 2をエキスパンドすることで半導体ウェハ A及 び接着シート 1を切断する工程、 図 5には、 接着シート付き半導体チ ップ 6を半導体チップ搭載用支持部材 7に接着する工程、 のそれぞれ 一実施形態を示す。
上記半導体ウェハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、 各種セラミック、 ガリゥム砒素などの化合物半導体などが使用される。 上記工程 I ) における接着シートをウェハに貼り付ける温度、 即ち ラミネ一ト温度は、 0°C〜 170°Cの範囲であることが好ましく、 ゥ ェハの反りを少なくするためには 20°C〜 1 3 0°Cの範囲であるこ とがより好ましく、 20°C〜60°Cの範囲であることが特に好ましい。 また、 工程 II) の後に工程 I) を行う場合、 ラミネート工程での応力 や変形によりウェハが破断することを防止するため、 ウェハが変形し ないように支持してラミネ一卜を行うことが好ましい。
上記工程 II) におけるウェハを切断可能とする加工方法としては、 ダイシングカッターなどによりチップを完全に切断せずに、 折り目と なる溝を加工する方法や切断予定ライン上のウェハ内部にレーザ光 を照射して改質領域を形成する方法など、 その後に外力などを加える ことで容易にウェハを切断することができる方法が挙げられる。 なお、 ウェハのレーザ加工の方法については、 日本国特許公開 2002 - 1 92370号、 日本国特許公開 2003— 338467号に記載の方 法を使用することができる。 装置については、 例えば、 株式会社東京 精密製の MAHOHD I C I NG M A C H I N Eを使用すること ができる。 半導体ウェハへのレーザ光は、 半導体ウェハの表面、 つま り、 回路が形成されている面から照射してもよく、 また半導体ウェハ の裏面、 つまり、 回路が形成されていない、 接着シートを貼り付ける 側の面から照射してもよい。工程 10を工程 I )や後述する工程 I ' ) 又は工程 III) の後に行う場合、 接着シートやダイシングテープ側か らも半導体ウェハにレーザ光を照射することが可能になる点で、 接着 シ一トゃダイシングテープとして、 レーザ光を透過するものを用いる ことが好ましい。 また、 破断、 つまり切断できなかった部分を認識し やすい点で、 接着シートはダイシングテープと透明性や色調が異なる ものであることが好ましい。
本発明において、 例えば、 下記の条件で、 上記のレーザ加工装置を 用いてシリコンウェハの内部に集光点を合わせて、 切断予定ラインに 沿つてシリコンウェハの表面側からレーザ光を照射し、 シリコンゥェ 八の内部に改質領域を形成する。 この改質領域により切断予定ライン に沿ってウェハを切断することができる。 改質領域は、 多光子吸収に より半導体ウェハ内部が局所的に加熱溶融することにより形成され た溶融処理領域であることが好ましい。
(レーザー加工条件）
(A) 半導体基板：シリコンウェハ （厚さ 350 ^m、 外径 6インチ） (B) レーザ光源：半導体レーザ励起 Nd ： YAGレーザ
波長： 1 064 nm
レ一ザ光スポット断面積： 3. 14 X 1 0— 8 cm2 発振形態： Qスィッチパルス
繰り返し周波数： 1 00 kHz
パルス幅： 30 n s 出力 ： 20 J /パルス
レーザ光品質： TEM0 0
偏光特性：直線偏光
(C) 集光用レンズ
倍率： 50倍
NA： 0. 5 5
レーザ光波長に対する透過率： 60パーセント
(D) 半導体基板が載置される載置台の移動速度： 1 0 OmmZ秒 工程 III)においては、従来公知の方法によりダイシングテープを、 接着シートの半導体ゥェ八が貼り付けられている面とは反対の面に 貼り付ければよい。 貼り付ける温度、 即ちラミネート温度は、 o°c〜
60°Cの範囲で行われることが好ましく、 1 O ：〜 40°Cの範囲で行 われることがより好ましく、 1 5°C〜30°Cの範囲で行われることが さらに好ましい。 工程 II) の後に工程 III) を行う場合、 ラミネート 工程での応力や変形によりウェハが破断することを防止するため、 ゥ ェハが変形しないように支持してラミネートを行うことが好ましレ^ 本発明の半導体装置の製造方法においては、 工程 I ) 及び III) に 変え、 工程 I ' ) として、 半導体ウェハに本発明のダイシングテープ 一体型接着シートを貼り付ける工程を含んでいてもよい。
この場合、 本発明の半導体装置の製造方法は、 I ' ) 半導体ウェハ に本発明のダイシングテープ一体型接着シ一トを貼り付ける工程、 II) 半導体ウェハを切断可能とする工程、 を I ' —II 又は II— I ' の順で含み、 さらに、 IV) 半導体ウェハ及び本発明のダイシングテー ブー体型接着シートの接着シートを切断することにより、 複数の個片 化された接着シート付き半導体チップを得る工程、 及び、 V) 接着シ 一ト付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着するェ 程、 を含むことをその特徴とするものである。
図 6には、 半導体ウェハ Aに本発明のダイシングテープ一体型接着 シート 3を貼り付ける工程、 図 7には、 半導体ウェハ Aをダイシング ソ一 2 3によりハーフカットして切断可能とする工程、 図 8には、 ダ イシングテープ一体型接着シート 3に外力を加え、 ウェハ A及びダイ シングテープ一体型接着シート 3の接着シー卜 1が切断された状態、 図 9には、 接着シート付き半導体チップ 6を半導体チップ搭載用支持 部材 7に接着する工程、 のそれぞれ一実施形態を示す。 また、 図 1 1 には、 半導体ウェハ Aに本発明のダイシングテープ一体型接着シート 3を貼り付ける工程、 半導体ウェハ Aの切断予定ライン上にレーザー 光を照射して、 ウェハ内部に改質領域 （切断予定部） 5を形成して、 ウェハを切断可能とする工程、 ダイシングテープ 2またはダイシング テープ一体型接着シート 3に外力を加えて半導体ウェハ A及び接着 シ一ト 1を切断する工程、 をまとめて示す。 なお、 本発明の半導体装 置の製造方法において、 ウェハに接着シートおよびダイシングテープ を貼り付ける方法とダイシング方法の組み合わせは、 特に限定される ものではない。 作業性や効率性の観点からは、 ウェハに本発明のダイ シングテープ一体型接着シートを貼り付け、 ステルスダイシングを行 う組み合わせであることが最も好ましい。
半導体ウェハにダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける 際には、 半導体ウェハとダイシングテープ一体型接着シートの接着シ —ト面が接するように貼り付ける。 貼り付ける温度、 即ちラミネート 温度は、 0 °C〜 1 7 0 °Cの範囲であることが好ましく、 ウェハの反り を少なくするためには 2 0 °C〜 1 3 0 °Cの範囲であることがより好 ましく、 2 0 ° (：〜 6 0 °Cの範囲であることが特に好ましい。
上記工程 1 )、 I I) 及び 111)、 又は、 工程 I ' ) 及び I I) の後、 ェ 程 IV) を行うが、 当該工程において半導体ウェハ及び接着シートの切 断は、 ダイシングテープまたはダイシングテープ一体型接着シートに 外力を加えることで行うことができる。 この外力は、 例えば、 ハーフ カツトダイシングの場合には、 曲げ方向やねじれ方向に加えることが 好ましく、 ステルスダイシングの場合には、 引っ張り （エキスパンド） 方向に加えることが好ましい。
例えば、 ステルスダイシングにおいて、 ダイシングテープの両端を 引っ張り、 外力を加えることでウェハと接着シートの切断を行う場合 には、 市販のウェハ拡張装置によって行うことができる。 より具体的 には、 図 4に示すように、 ステージ 1 3上に配置されたダイシングテ ープ 2周辺部にリング 1 1を貼り付け、 固定し、 ついで突き上げ部 1 2を上昇させることで、 ダイシングテープ 2に両端から張力をかける。 この時の突き上げ部が上昇する速度をエキスパンド速度とし、 突き上 げ部が上昇した高さ 1 4をエキスパンド量とすると、 本発明では、 ェ キスパンド速度は 1 0〜 1 0 0 O mmZ秒であることが好ましく、 1 0〜： L 0 O mm/秒であることがより好ましく、 1 0〜 5 O mmZ秒 であることが特に好ましい。 また、 エキスパンド量は 5〜3 O mmで あることが好ましく、 1 0〜3 O mmであることがより好ましく、 1 5〜2 O mmであることが特に好ましい。 エキスパンド速度が 1 O m mZ秒未満であると、 半導体ウェハ及び接着シートの切断が困難とな る傾向があり、 1 0 0 O mmZ秒を超えると、 ダイシングテープが破 断しやすくなる傾向がある。 また、 エキスパンド量が 5 mm未満であ ると、 半導体ゥェ八及び接着シートの切断が困難となる傾向があり、 3 0 mmを超えるとダイシングテープが破断しやすくなる傾向があ る。
このようにダイシングテ一プを引っ張り、 外力を加えることで、 ゥ ェ八内部の改質領域を起点として半導体ウェハの厚さ方向に割れが 発生し、 この割れがウェハ表面と裏面、 さらには、 半導体ウェハと密 着する接着シートの裏面まで到達し、 半導体ウェハ及び接着シートが 破断、 つまり、 切断される。 これにより接着シート付き半導体チップ を得ることができる。
なお、 エキスパンド量が 2 5 mmを超す場合には、 ダイシングテー プの基材層として、 塩化ビニル基材を使用することが好ましいが、 引 つ張り量が少ない場合は、 各種ポリオレフィン基材を使用することが 好ましい。 また、 エキスパンドは室温で行うことが好ましいが、 必要 に応じて— 5 0 T：〜 1 0 0 °Cの間で調整しても良い。 本発明において は、 一 5 0 °C〜6 0 °Cであることが好ましく、 0 °C〜4 0 °Cであるこ とがより好ましい。 エキスパンド時の温度は、 より低温のほうが、 接 着シートの破断伸びが少なく、 切断しやすいため、 接着シートの切断 不良による歩留低下を防ぐ点で好ましい ό
ダイシングテープの粘着剤層に U V硬化粘着剤を使用している場 合は、 エキスパンドの前あるいは後にダイシングテープに半導体ゥェ 八が貼り付けられている面の反対面側から紫外線を照射し、 U V硬化 粘着剤を硬化させる。 これにより、 U V硬化粘着剤と接着シ一卜との 密着力が低下することになり、 後の工程 V) におけるピックアップが し易くなる。
続いて、 工程 V) では、 ピックアップ手段として図 5や図 9に示す ような吸着コレツト 2 1、 針扦 2 2等を用いて複数の個片化された接 着シ一卜付き半導体チップをピックァップし、 これを半導体チップ搭 載用支持部材の半導体チップ搭載部に載せ、 接着シ一トを加熱硬化す る。 加熱硬化は、 通常 1 0 0〜2 2 0 °Cの間で行われる。
本発明における半導体装置の製造方法は、 上記工程に限定されるも のではなく、 任意の工程を含み得る。 例えば、 工程 I ) 又は工程 I ' ) を行った後、 工程 IV) を行う前のいずれかの段階において、 接着シー トに紫外線、 赤外線若しくはマイクロ波を照射する工程、 又は、 接着 シートを加熱若しくは冷却する工程を含んでいてもよい。 工程 V) を 行った後には、 必要に応じ、 ワイヤボンディング工程、 封止工程等が 含まれるものとする。
実施例
以下、 本発明を実施例を用いてより詳細に説明するが、 本発明はこ れらに限定されるものではない。
[接着シートの組成と製造方法]
(実施例 1 )
エポキシ樹脂としてビスフエノール F型エポキシ樹脂 （エポキシ当 量 1 6 0、 東都化成株式会社製商品名 Y D— 8 1 7 0 Cを使用） 3 0 重量部、クレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量 2 1 0、 東都化成株式会社製商品名 Y D C N— 7 0 3を使用） 1 0重量部；ェ ポキシ樹脂の硬化剤としてフエノールノポラック樹脂 （大日本インキ 化学工業株式会社製商品名プライォーフェン L F 2 8 8 2を使用） 2 7重量部；エポキシ基含有ァクリル系共重合体としてエポキシ基含有 アクリルゴム （ゲル パーミエーシヨン クロマトグラフィーによる 重量平均分子量 8 0万、 グリシジルメタクリレート 3重量％、 T gは _ 7 °C、 ナガセケムテックス株式会社製商品名 H T R— 8 6 0 P— 3 表 1
実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 比較例 比較例 比較例 比較例 項目 単位
1 2 3 4 5 6 2 3 4 5
YD- 8 1 7 0 C 重量部 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30
YD CN- 7 0 3 重量部 10 10 10 10 10 . 10 10 10 10 10 10
L F- 28 82 mnP 27 27 27 27 27 27 27 27 27 27 27
2 P Z -CN 重量部 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 - 0.1 0.1 0.1 0.1
A- 1 8 9 重量部 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25
A- 1 1 6 0 重量部 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
HTR- 8 6 0 P - 3 重量部 28 44.1 33.1 31.7 28.3 28.0 180 28.3 66.1 44.1 66.1
S 0 - C 2 重量部 95 110 66.1 132.2 180.6 95. 0 0 253 47.2 56.7 ポリマ分率※ 29.2 39.4 32.8 31.8 29.4 29.2 72.6 29.4 49.3 39.4 49.3 フィラーの重量分率 7ο 49.8 49.6 39.6 57.0 65.3 49.8 0 0 65.4 29.7 29.7 フィラーの体積分率 34.1 34.0 25.5 40.9 49.6 34.1 0 0 49.7 18.1 18.1
※ポリマ分率： Tgがー 1 0 〜 5 0°Cで重量平均分子量が 5万〜 1 0 0万の高分子量成分の、 接着シートの全構成成分からフィ ラー成分を除いた成分に対する重量分率
26
DRを使用） 28重量部；硬化促進剤としてイミダゾ一ル系硬化促進 剤 （四国化成工業株式会社製キュアゾ一ル 2 P Z— CNを使用） 0. 1重量部；シリカフィラー （ァドマファイン株式会社製、 S 0— C 2 (比重： 2. 2 gZ cm3 ) を使用） 9 5重量部； シランカップリン グ剤として （日本ュニカー株式会社製商品名 A— 1 89を使用） 0. 2 5重量部および （日本ュニカー株式会社製商品名 A— 1 1 60を使 用） 0. 5重量部；からなる組成物に、 シクロへキサノンを加えて撹 拌混合し、 真空脱気して接着剤ワニスを得た。
この接着剤ワニスを、 厚さ 50 imの離型処理したポリエチレンテ レフタレ一トフイルム上に塗布し、 90°C 1 0分間、 1 20°Cで 5分 間加熱乾燥して膜厚が 25 z/mの塗膜とし、 Bステージ状態の接着シ ートを作製した。 また、 同様な操作により膜厚が 7 5 /2mの Bステー ジ状態の接着シ一トを作製した。
(実施例 2〜6)
表 1に示す組成物について実施例 1と同様にして、 接着シートを製 造した。 なお、 実施例 6の接着シートは、 実施例 1で得られたシート を 40°C 24 h熱処理し、 破断伸びを低下させたものである。
(比較例 1〜5)
表 1に示す組成物について実施例 1と同様にして、 接着シートを製 造した。 実施例 1〜 6及び比較例 1〜 5の接着シートについて、 下記の評価 項目のうち、 弾性率については膜厚が 7 5 mの接着シートを用いて、 その他の項目については膜厚が 2 5 m接着シートを用いて評価し た。 得られた結果を表 2に示す。
[接着シートの評価方法]
(1) 破断強度、 破断伸び
Bステージ状態の接着シートの 2 5 °Cにおける破断強度、 破断伸び を幅 1 0 mm、 長さ 30 mm、 厚さ 2 5 /mの試料について、 引っ張 り試験機 （今田製作所製デジタル荷重計 SV 55) を用いてチャック 間距離 2 0mm、 引っ張り速度 0. 5 m/m i nで応力、 ひずみ曲線 を測定し、 それから、 下式により得た。
破断強度 （P a) =最大強度 （N) Z試料の断面積 （m2)
破断伸び（％) = (破断時の試料のチヤック間長さ（mm)— 20)/20X100
(2) 残存揮発分
残存揮発分は、 5 cm四方に切り取った Bステージ状態のフィルム を秤量し （質量 A) 、 離型性のある基板上で 1 70°C 1時間乾燥機中 に放置した後、 再び抨量し （質量 B) 、 下式より得た。
残存揮発分 ( ) = (A-B) X 1 00/A
(3) 弾性率 （貯蔵弾性率）
Bステージ状態の接着シートの貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置 (レオロジ一社製、 DVE— V4) を用いて測定した （サンプルサイ ズ：長さ 20mm、 幅 4mm、 膜厚 7 5 m、 温度範囲一 30〜； L 0 0°C、 昇温速度 5°CZm i n、 引張りモード、 10Hzまたは900 Hz、 自動静荷重）。
(4) タック強度 Bステージ状態の接着シートのタック強度を、 レス力株式会社製夕 ッキング試験機を用いて、 J I S Z 0237— 1 99 1に記載の方法 (プローブ直径 5. lmm、 引き剥がし速度 1 OmmZ s、 接触荷重 100 g f / c m2 、 接触時間 I s) により、 2 5 °Cで測定した。 (5) 接着力
120°Cのホットプレ一ト上で、接着シート上にチップ（5mm角） を金めつき基板 （銅箔付フレキ基板電解金めつき （N i ： 5 m, A u ： 0. 3 ^m)) を積層し、 1 30°C、 30m i n+ 1 70°C, 1 hキュアした。 この試料について吸湿前、 85°CZ85 %RH、 48 h吸湿後の 26 0 °Cでのピール強度を測定した。
(6) ラミネート性
ホットロールラミネ一夕 （60° (：、 0. 3m/分、 0. 3MP a) で幅 1 Ommの接着シートとウェハを貼り合わせ、 その後、 接着シー トを TOYOBALWI N製 UTM— 4— 1 0 0型テンシロンを用 いて、 25°Cの雰囲気中で、 90° の角度で、 50mmZ分の引張り 速度で剥がしたときのピール強度を求めた。 ピール強度が 30 N/m 以上の場合はラミネート性良好、 ピール強度が 3 ONZm未満の場合 はラミネート性不良とした。
(7) フロ一
接着シ一トと P E Tフィルムを 1 X 2 c mの短冊状に打ち抜いた サンプルについて、 熱圧着試験装置 （テスター産業 （株） 製） を用い て熱板温度 1 6 0 、 圧力 IMP aで 1 8秒間プレスした後、 サンプ ルの端部からはみだした樹脂の長さを光学顕微鏡で測定し、 これをフ 口一量とした。
(8) ハーフカットダイシングによる破断性 それぞれ個別に作製された接着シートとダイシングテープとを、 ダ イシングテープ上に接着シートが積層されるように配置し、 これらを ホットロ一ルラミネ一夕 （Du P o n t製 R i s t o n) を用いて
25 °Cでラミネートしてダイシングテープ一体型接着シートを得た。 この際ダイシングテープには古河電工 （株） 製 （UC 3 004M— 8
0) を用いた。 ダイシングテープの膜厚は、 80/imであった。 次に ダイシングテープ一体型接着シートの接着シート面にダイシング加 ェすべき半導体ウェハを貼着した。 この際、 半導体ウェハとして、 厚 さ 80 mの半導体ウェハを使用した。 また、 ラミネート温度は 6 0°Cであった。 続いて、 ダイシングカッターを用いてウェハをハーフ カットダイシング、 さらに洗浄、 乾燥を行い、 半導体ウェハに外力を 加えた際に少なくとも 2以上の半導体チップが得られるように、 ゥェ 八を切断可能に加工した。 その後、 ダイシングテープ一体型接着シー トを曲げることにより接着シートおよび半導体ウェハを切断して、 接 着シート付き半導体チップを得た。 ここで、 半導体ウェハと接着シ一 トがハーフカツトダイシングを施した距離の 90 %以上、 同時に切断 されたものを破断性良好、 90 %未満のものを不良とした。
(9) 耐リフロークラック性、 耐温度サイクル性
5 mm角に切断された半導体素子及び接着シートと、 厚み 2 5 m のポリイミドフィルムを基材に用いた配線基板を貼り合せた半導体 装置サンプル （片面にはんだポールを形成） を作製し、 耐熱性を調べ た。 耐熱性の評価方法には、 耐リフロークラック性と耐温度サイクル 試験を適用した。
耐リフロークラック性の評価は、 サンプル表面の最高温度が 26 0 °Cでこの温度を 2 0秒間保持するように温度設定した I Rリフロ —炉にサンプルを通し、 室温で放置することにより冷却する処理を 2 回繰り返したサンプル中のクラックを目視と超音波顕微鏡で視察し た。 試料 1 0個すべてでクラックの発生していないものを〇とし、 1 個以上発生していたものを Xとした。
耐温度サイクル性は、 サンプルを— 5 5 °C雰囲気に 3 0分間放置し、 その後 1 2 5 °Cの雰囲気に 3 0分間放置する工程を 1サイクルとし て、 1 0 0 0サイクル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やクラッ ク等の破壊が試料 1 0個すべてで発生していないものを〇、 1個以上 発生したものを Xとした。
表 2
実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 比較例 比較例 比較例 比較例 比較例 項目 単位 条件
1. 2 3 4 ' 5 6 1 . 2 3 4 5 破断強度 MP a 25°C 5.8 4.6 4.4 5.5 7.4 5.7 19.4 1.4 7.2 2.3 2.2 破断のび 25で 28 35 40 20 15 20 330 425 145 103 ' 100 フロー . m 160で 660 328' 790 380 50 450 523 >1000 50 346 222 残存揮発分 ― 0.4 0.3 0.4 0.4 0.3 0.4 0.4 0.4 0.4 0.3 0.4 吸湿前 Kg 260"Ό , 1.1 1.2 1.1 1.1 0. 1.1 1.6 1.4 0.3 1 1.3 接着力
吸湿後 Kg 260で 0.8 0.7 0.7 0.7 0.3 0.8 1.5 1 0.3 0.7 1
25"C10Hz 1000 1900 720 1800 - 1300 ■300 - 一 1200 1300
60Ό10ΗΖ 4.2 13 2.5 20 35 6.4 5 . 5 30 7 12 弾性率 MP a
25"Ό900Ηζ 5400 7000 ' 5800 6200 一 6600 3000 - - 3800 3600
-20·Ό10Ηζ 7800 8000 6700 7800 - 7900 3200 - - 3900 3800
25 5 5 8 3 3 4 6 18 3 11 7 タック強度 40で 12 27 40 27 12 10 18 37 11 63 38 gf
エア面 60X 41 62 ' 85 55 23 32 40 67 23 96 58
80で 90 161 198 111 . 34 78 64 200 40 176 89 5t 8 7 9 4 4 6 11 19 4 9 9 タック強度 40で 15 31 45 27 14 13 . 36 55 10 155 61 gf
基材フイルム面 60"C 97 290 240 120 27 88 67 102 34 290 302
80 162 300 300 173 49 142 171 300 40 300 340 ラミネ一ト性 一 60°C 良好 良好 良好 良好 不良 良好 良好 良好 不良 ' 良好 良好 破断性 ― 破断 破断 破断 破断 破断 ― 被断せず 破断せず 破断せず 破断せず 破断せず 耐リフロークラック性 一 一 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 · 〇 〇 〇 耐温度サイクル性 一 - 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇
実施例 1〜4は弾性率、 破断強度、 破断伸びが本発明の規定の範囲 にあり、 ラミネート性、 破断性が良好である。 また、 室温でのタック 強度が小さいことから、 取扱い性に優れ、 更に高温の接着力に優れる ことから、 耐リフロークラック性、 耐温度サイクル性にも優れる。 実 施例 5は破断性は良好であるが、 60°Cでのラミネート性が不良であ り、 低温ラミネートには適さない。 比較例 1〜5は、 弾性率、 破断強 度、破断伸びが本発明の規定外であり、いずれも破断性が不良である。
[ステルスダイシングによる接着シ一卜付き半導体チップの作製] 実施例 1〜3、 実施例 6、 比較例 1および比較例 5の接着シートと 下記工程 1〜4を適宜組合せて、 接着シート付き半導体チップを製造 し、 その破断性および端部はみ出しを評価した。 各工程の概略を表 3 に示す。 また、 接着シートと工程の組合せ及び破断性と端部はみ出し の評価結果を表 4に示す。
(工程 1 )
ダイシング加工すべき半導体ウェハ （厚さ 80 m) の半導体ゥェ 八に接着シートをホットロ一ルラミネ一夕 （Du P o n t製 R i s t o n) で 60°Cでラミネートした。 得られた接着シート付き半導体 ウェハ Aに図 2に示されるようにレーザ光を照射し、 ウェハ内部に改 質領域を形成した。 次に、 接着シートの他面にダイシングテープ （古 河電工 （株） 製 （UC 3004M— 80)) を積層した。 ダイシング テープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。 続いて、 ェキ スパンド装置により、 リングを固定しダイシングテープをエキスパン ドした。 このエキスパンド条件はエキスパンド速度が 30mm/、 ェ キスパンド量が 1 5 mmであった。
(工程 2) 半導体ウェハ （厚さ 8 0 m) に図 2に示されるようにレーザ光を 照射し、 ウェハ内部に改質領域を形成した。 次に、 半導体ウェハ Aに 接着シ一トをホットロールラミネ一夕 （Du P o n t製 R i s t o n) で 60°Cでラミネートした。 ついで、 接着シートの他面にダイシ ングテープ （古河電工 （株） 製 （UC 3004M— 80)) を積層し た。 ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。 続いて、 エキスパンド装置により、 リングを固定しダイシングテープ をエキスパンドした。 このエキスパンド条件はエキスパンド速度が 3 0 mm/ s , エキスパンド量が 1 5mmであった。
(工程 3 )
半導体ウェハ （厚さ 80 m) に図 2に示されるようにレーザ光を 照射し、 ウェハ内部に改質領域を形成した。 ついで、 接着シートとダ イシングテープ （古河電工 （株） 製 （UC 30 04M— 80)) を積 層したダイシングテープ一体型シ一トをウェハにホッ卜口一ルラミ ネ一夕（Du P o n t製 R i s t o n)で 60°Cでラミネートした。 ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。 続 いて、 エキスパンド装置により、 リングを固定しダイシングテープを エキスパンドした。 このエキスパンド条件はエキスパンド速度が 30 mm/ s , エキスパンド量が 1 5mmであった。
(工程 4)
半導体ウェハ （厚さ 80 m) に図 2に示されるようにレーザ光を 照射し、 ウェハ内部に改質領域を形成した。 ウェハに接着シ一トをホ ットロ一ルラミネ一夕 （Du P o n t製 R i s t o n) で 60 で ラミネートし、 その後接着シートを 1 20°Cで 10分間加熱した。 次 に、 接着シートの他面にダイシングテープ （古河電工 （株） 製 （UC 3 0 0 4 M— 8 0 ) ) を積層した。 ダイシングテープの外周部にはス テンレス製のリングを貼付けた。 エキスパンド装置により、 リングを 固定しダイシングテ一プをエキスパンドした。 このエキスパンド条件 はエキスパンド速度が 3 0 mm/ s、 エキスパンド量が 1 5 mmであ つた。
表 3
Figure imgf000037_0001
(破断性）
エキスパンド後に半導体ウェハと接着シートが破断されたか否か を光学顕微鏡で観察した。 ダイシングを施した距離の 9 8 %以上破断 されたものを極めて良好（◎)、 9 0 %以上破断されたものを良好（〇） 5 0〜9 0 %未満破断されたのものを部分的に良好 （△) 5 0 %未満 のものを不良 （X) とした。
(端部はみ出し）
また、 ピックアップされた接着シート付き半導体チップについて、 半導体チップと接着シートの端部を図 1 0に示すように観察した。 破 断されずにチップ端部からはみ出した接着シートの長さ 8をはみ出 し長さとした。その長さが 0〜 2 0 zm未満の場合を極めて良好（◎) 2 0〜； L 0 0 mの場合を良好 （〇）、 1 0 0 mを超える場合を不 良 （X) とした。
表 4
実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 項目
7 8 9 1 0 1 1 12 1 3 14 接着シート 実施例 1 実施例 1 実施例 1 実施例 1 実施例 2 実施例 2 実施例 1 実施例 2 工程 工程 1 工程 2 工程 3 工程 4 工程 1 工程 2 工程 3 工程 4 破断性 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 Δ Δ ◎ 端部はみだし ◎ 〇 〇 ◎ 〇 〇 〇 ◎ 破断強度（MPa) 5.8 5.8 5.8 8 4.6 4.6 4.6 7.8 破断伸び «) 28 28 28 6.1 35 35 35 9.5
25t:iOHz 1000 1000 1000 1400 1900 1900 1900 2200 弾性
60°C10Hz 4.2 4.2 4.2 15 13 13 13 20 率
25 :900Hz 5400 5400 5400 6500 7000 7000 7000 7500 (MPa)
-20Π0Ηζ 7800 7800 7800 7850 8000 8000 8000 8100 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 実施例 項目
1 5 1 6 1 7 1 8 1 9 20 2 1 22 接着シ一卜 実施例 3 実施例 3 実施例 3 実施例 3 実施例 6 実施例 6 実施例 6 実施例 s 工程 工程 1 工程 2 工程 3 工程 4 工程 1 工程 2 工程 3 工程 4 破断性 〇 Δ Δ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 端部はみだし 〇 〇 〇 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 破断強度（MPa) 4.4 4.4 4.4 7.8 5.7 5.7 5.7 8 破断伸び «0 40 40 40 12 20 20 20 6.4
25 10ΗΖ 720 720 720 1200 1300 1300 1300 1600 弾性
60°C10Hz 2.5 2.5 2.5 12 6.4 6.4 6.4 15 率
25°C 900Hz 5800 5800 5800 6800 6600 6600 6600 7500
(MPa)
-20Π0Ηζ 6700 6700 6700 7500 7900 7900 7900 8200 比較例 比較例 比較例 比較例
項目
6 7 8 9
接着シート 比較例 1 比較例 5 比較例 1 比較例 5
工程 工程 1 工程 2 工程 3 工程 4
破断性 X X X X
端部はみだし X X X X
破断強度（MPa) 19.4 2.2 19.4 2.2
破断伸び（« 330 100 330 100
25°C10Hz 300 1300 300 1300
弾性
60 :iOHz 5 12 5 12
率
25ΐ:900Ηζ 3000 3600 3000 3600
(MPa)
- 20で 10Hz 3200 1800 3200 1800 実施例 7〜 2 2は弾性率、 破断強度、 破断伸びが本発明の規定の範 囲にあり、 ラミネート性、 破断性が良好である。 また、 室温でのタツ ク強度が小さいことから、 取扱い性に優れ、 更に高温の接着力に優れ ることから、 耐リフロークラック性、 耐温度サイクル性にも優れる。 特に実施例 1 0、 1 4、 1 8、 2 2は接着シートに後加熱を行ったこ とで、 破断性が向上している。 また、 接着シートの破断伸びを低減し た実施例 1 9〜 2 2も破断性が優れている。
比較例は弾性率、 破断強度、 破断伸びが本発明の規定外であり、 い ずれも破断性が不良である。
本発明によれば、 1 0 o °c以下の低温でウェハに貼付可能であり、 室温で取扱い可能な程度に柔軟であり、 かつ、 通常に行われる切断条 件において、 ウェハと同時に切断可能である接着シートを提供するこ とが可能となる。
また、 本発明の接着シートによれば、 半導体装置の製造におけるダ イシング工程において、 ハーフカットダイシングゃステルスダイシン グなどのウェハ切断方法と、 ウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用 いる方法とを同時に適用することができるため、 効率的にダイシング 工程を行うことができる。
また、 本発明の接着シートを用いることにより、 厚さ 1 0 0 m以 下の極薄ウェハを使用した場合でも、 ダイシングソ一などで、 ウェハ と接着シートを同時に切断する必要がないため、 ダイシングの速度を 早くすることができる。 そのため、 本発明の接着シートによれば、 半 導体装置の加工速度、 歩留の向上をはかることが可能となる。
また、 本発明の接着シートを使用することで、 チップと接着シート の切断面を 1 0 0 以内で一致させることができ、 また、 万一、 切 断が行われなかった場合にも、 容易に接着シートの分断の可否を確認 可能であるので、 ピックアップ不良が発生することなく、 効率的に半 導体装置の製造が可能である。
また、 半導体装置の製造における半導体素子と半導体素子搭載用支 持部材の接合工程においても、 接着信頼性に優れる。 即ち、 本発明の 接着シートは、 支持部材に半導体素子を実装する場合に必要な耐熱性、 耐湿性を有し、 かつ作業性に優れるものである。
前述したところが、 この発明の好ましい実施態様であること、 多く の変更及び修正をこの発明の精神と範囲とにそむくことなく実行で きることは当業者によって了承されよう。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、
Bステージ状態の前記接着シートの 2 5°Cにおける破断強度が 0. I MP a以上 1 OMP a以下であり、 かつ破断伸びが 1 %以上 40 % 以下であることを特徴とする接着シート。
2. 高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、
Bステージ状態の前記接着シートの、 2 5°0で1 OHzにおける動 的粘弹性測定による弾性率が l〜3 00 0MP aであり、 2 5°Cで 9 0 0 H zにおける動的粘弾性測定による弾性率が 40 0 0〜 2 0 0. 0 OMP aであることを特徴とする接着シート。
3. 高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、
Bステージ状態の前記接着シートの、 2 5°Cで 1 0 H zにおける動的 粘弾性測定による弾性率が l〜3 0 0 0MP aであり、 一 2 0°Cで 1 O H zにおける動的粘弹性測定による弾性率が 4 0 0 0〜 2 0 0 0 0 MP aであることを特徴とする接着シート。
4. 高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、
Bステージ状態の前記接着シートの、 6 0°( で1 OHzにおける動的 粘弾性測定による弾性率が 0. l〜2 0MP aであることを特徴とす る請求項 2または 3に記載の接着シート。
5. 高分子量成分を少なくとも含有する接着シートであって、 Bステージ状態の前記接着シートの 2 5°Cにおける破断強度が 0. IMP a以上 1 0 MP a以下であり、 かつ破断伸びが 1 %以上 40 % 以下であることを特徴とする請求項 2〜 4のいずれか 1項に記載の 接着シート。
6. 前記高分子量成分は、 ガラス転移温度が一 30°C〜5 O で、 重 量平均分子量が 5万〜 1 0 0万であることを特徴とする請求項 1〜 5のいずれか 1項に記載の接着シート。
7. ガラス転移温度が一 30°C〜 50°Cで、 重量平均分子量が 5万〜 100万である前記高分子量成分が、 接着シートの全重量からフィラ 一の重量を除いた重量に対し、 50重量％以下含まれることを特徴と する請求項 6記載の接着シート。
8. さらに熱硬化性成分を含むことを特徴とする請求項 7記載の接着 シー卜。
9. さらにフィラーを 5〜 70重量％含むことを特徴とする請求項 7 または 8のいずれか 1項に記載の接着シート。
10. 残存揮発分が 0. 0 1〜3重量％であることを特徴とする請求 項 1〜 9のいずれか 1項に記載の接着シート。
1 1. 膜厚が 1〜250 mであることを特徴とする請求項 1〜 1 0 のいずれか 1項に記載の接着シート。
12. 請求項 1〜1 1のいずれか 1項に記載の接着シートとダイシン グテープを積層したことを特徴とするダイシングテープ一体型接着 シ一卜。
13. I ) 半導体ウェハに請求項 1〜 1 1のいずれか 1項に記載の接 着シートを貼り付ける工程、
II) 前記半導体ウェハを切断可能とする工程、
III) 前記接着シートにダイシングテ一プを貼り付ける工程、 を 1 —11— 111、 II— I —III又は I —III— IIの順で含み、 さらに、
IV) 前記半導体ウェハ及び前記接着シートを切断することにより、 複数の個片化された接着シ一ト付き半導体チップを得る工程、 及び、
V) 前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部 材に接着する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. I ' ) 半導体ウェハに請求項 1 2に記載のダイシングテープ一 体型接着シートを貼り付ける工程、
II) 前記半導体ウェハを切断可能とする工程、 ·
を I ' —II又は II— I ' の順で含み、 さらに、
IV) 前記半導体ウェハ及び前記ダイシングテープ一体型接着シート の接着シ一トを切断することにより、 複数の個片化された接着シート 付き半導体チップを得る工程、 及び、
V) 前記接着シート付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部 材に接着する工程、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
1 5 . 前記半導体ウェハを切断可能とする方法が、 ハーフカットダイ シングまたはステルスダイシングであること特徴とする請求項 1 3 または 1 4に記載の半導体装置の製造方法。
PCT/JP2004/008150 2003-06-06 2004-06-04 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法 WO2004109786A1 (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020117029423A KR101215728B1 (ko) 2003-06-06 2004-06-04 반도체 장치의 제조방법
KR1020117015582A KR101169182B1 (ko) 2003-06-06 2004-06-04 반도체 장치의 제조방법
KR1020057023097A KR101204197B1 (ko) 2003-06-06 2004-06-04 접착시트, 다이싱 테이프 일체형 접착시트 및 반도체장치의 제조방법
JP2005506837A JP5017861B2 (ja) 2003-06-06 2004-06-04 接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
KR1020127008270A KR101177251B1 (ko) 2003-06-06 2004-06-04 접착시트, 다이싱 테이프 일체형 접착시트 및 반도체 장치의 제조방법
KR1020127008271A KR101177250B1 (ko) 2003-06-06 2004-06-04 접착시트, 다이싱 테이프 일체형 접착시트 및 반도체 장치의 제조방법
US10/559,684 US20060128065A1 (en) 2003-06-06 2004-06-04 Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method
US12/047,200 US20080171187A1 (en) 2003-06-06 2008-03-12 Adhesive sheet, dicing tape integrated type adhesive sheet, and method of producing semiconductor device
US12/219,188 US7875500B2 (en) 2003-06-06 2008-07-17 Bonding semiconductor wafer stuck on dicing tape laminated adhesive sheet onto mounting support
US12/219,187 US7968194B2 (en) 2003-06-06 2008-07-17 Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, thermosetting resin and filler
US12/219,189 US7968195B2 (en) 2003-06-06 2008-07-17 Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, epoxy resin and filler
US13/658,985 US8617930B2 (en) 2003-06-06 2012-10-24 Adhesive sheet, dicing tape integrated type adhesive sheet, and method of producing semiconductor device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-161656 2003-06-06
JP2003161656 2003-06-06
JP2003402748 2003-12-02
JP2003-402748 2003-12-02

Related Child Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10559684 A-371-Of-International 2004-06-04
US12/047,200 Division US20080171187A1 (en) 2003-06-06 2008-03-12 Adhesive sheet, dicing tape integrated type adhesive sheet, and method of producing semiconductor device
US12/219,188 Division US7875500B2 (en) 2003-06-06 2008-07-17 Bonding semiconductor wafer stuck on dicing tape laminated adhesive sheet onto mounting support
US12/219,187 Division US7968194B2 (en) 2003-06-06 2008-07-17 Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, thermosetting resin and filler
US12/219,189 Division US7968195B2 (en) 2003-06-06 2008-07-17 Dicing tape laminated with adhesive sheet of polymer, epoxy resin and filler

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004109786A1 true WO2004109786A1 (ja) 2004-12-16

Family

ID=33513388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/008150 WO2004109786A1 (ja) 2003-06-06 2004-06-04 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (6) US20060128065A1 (ja)
JP (2) JP5017861B2 (ja)
KR (5) KR101215728B1 (ja)
TW (3) TWI401302B (ja)
WO (1) WO2004109786A1 (ja)

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006176719A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート
JP2006183020A (ja) * 2004-04-20 2006-07-13 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP2006261482A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護フィルム及び該保護フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2007027250A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハに装着された接着フィルムの破断装置
JP2007126622A (ja) * 2005-10-06 2007-05-24 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2007150206A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ
JP2007158026A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ用保護膜形成用シート
JP2007189057A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置
JP2007270125A (ja) * 2006-03-08 2007-10-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、一体型シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP2007335643A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
JP2008081734A (ja) * 2006-08-31 2008-04-10 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、一体型シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
WO2008126718A1 (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. 半導体チップの製造方法、並びに半導体用接着フィルム及びこれを用いた複合シート
WO2008126717A1 (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. 半導体用接着フィルム、複合シート及びこれらを用いた半導体チップの製造方法
WO2009048060A1 (ja) * 2007-10-09 2009-04-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法
JP2009130320A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP2010027666A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 破断方法及び破断装置
JP2010074129A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法、それにより製造される半導体装置、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2010251727A (ja) * 2009-03-24 2010-11-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用テープ
JP2012060068A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012530376A (ja) * 2009-06-15 2012-11-29 エルジー・ケム・リミテッド ウェーハ加工用シート
WO2013005470A1 (ja) * 2011-07-01 2013-01-10 古河電気工業株式会社 接着フィルム、並びにダイシングダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体加工方法
JP2014165462A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Lintec Corp 半導体チップの製造方法
US9142457B2 (en) 2010-10-01 2015-09-22 Nitto Denko Corporation Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device
WO2016027888A1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-25 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法
JP5980438B2 (ja) * 2014-03-24 2016-08-31 リンテック株式会社 加工物の製造方法
CN106206375A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 日东电工株式会社 半导体背面用薄膜及其用途
US9708509B2 (en) 2012-10-09 2017-07-18 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
WO2017145979A1 (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
WO2017169387A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
JP2019009324A (ja) * 2017-06-27 2019-01-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着性シート
US10526511B2 (en) 2016-12-22 2020-01-07 Avery Dennison Corporation Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth)acrylate oligomers
US11049421B2 (en) 2015-02-05 2021-06-29 Avery Dennison Corporation Label assemblies for adverse environments
KR20210144731A (ko) 2019-03-27 2021-11-30 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 다이본딩 필름, 및 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트
JP2022000933A (ja) * 2017-05-19 2022-01-04 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101215728B1 (ko) 2003-06-06 2012-12-26 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조방법
CN101451053A (zh) * 2004-05-18 2009-06-10 日立化成工业株式会社 粘接接合片与使用该粘接接合片的半导体装置以及其制造方法
US20060121698A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Chih-Ming Hsu Plastic film and heat-dissipating ring for chip cutting
EP1844495B1 (en) * 2005-01-24 2011-07-27 Panasonic Corporation Manufacturing method for semiconductor chips
JP4630692B2 (ja) * 2005-03-07 2011-02-09 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JPWO2006118033A1 (ja) * 2005-04-27 2008-12-18 リンテック株式会社 シート状アンダーフィル材および半導体装置の製造方法
JP4809632B2 (ja) * 2005-06-01 2011-11-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US20060289966A1 (en) * 2005-06-22 2006-12-28 Dani Ashay A Silicon wafer with non-soluble protective coating
JP4621595B2 (ja) * 2006-01-11 2011-01-26 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP4719042B2 (ja) * 2006-03-16 2011-07-06 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP5054933B2 (ja) * 2006-05-23 2012-10-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
EP1884981A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-06 STMicroelectronics Ltd (Malta) Removable wafer expander for die bonding equipment.
EP1891898A1 (de) * 2006-08-25 2008-02-27 Roche Diagnostics GmbH Stechgerät
US8137417B2 (en) * 2006-09-29 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device
KR101040439B1 (ko) * 2006-10-24 2011-06-09 주식회사 엘지화학 다이싱-다이본딩 필름 및 이를 이용하는 반도체 패키징방법
JP4343943B2 (ja) 2006-11-24 2009-10-14 日東電工株式会社 半導体装置製造用の耐熱性粘着テープ
JP5008999B2 (ja) * 2007-02-06 2012-08-22 リンテック株式会社 ダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
EP2033997A4 (en) 2007-04-26 2012-02-29 Hitachi Chemical Co Ltd METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER FILM
KR101176431B1 (ko) 2007-10-09 2012-08-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착 필름이 부착된 반도체칩의 제조 방법, 이 제조 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2009060927A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
JP2010027857A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体デバイスの製造方法
KR20100050793A (ko) * 2008-11-06 2010-05-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
US8580612B2 (en) * 2009-02-12 2013-11-12 Infineon Technologies Ag Chip assembly
US7985662B2 (en) * 2009-04-14 2011-07-26 Powertech Technology Inc. Method for manufacturing dies formed with a dielectric layer
CN101924056A (zh) 2009-06-15 2010-12-22 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
JP2011018804A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP2011018806A (ja) * 2009-07-09 2011-01-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP5128575B2 (ja) * 2009-12-04 2013-01-23 リンテック株式会社 ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法
US8287996B2 (en) * 2009-12-21 2012-10-16 Intel Corporation Coating for a microelectronic device, treatment comprising same, and method of managing a thermal profile of a microelectronic die
JP4976522B2 (ja) * 2010-04-16 2012-07-18 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
TW201205098A (en) * 2010-07-16 2012-02-01 Chroma Ate Inc Inspection fixture for semiconductor die test maintaining flatness of carrier portion
JP5066231B2 (ja) * 2010-07-28 2012-11-07 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、短冊状半導体裏面用フィルムの製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
JP5384443B2 (ja) * 2010-07-28 2014-01-08 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
CN103890908B (zh) * 2011-10-18 2016-08-24 富士电机株式会社 固相键合晶片的支承基板的剥离方法及半导体装置的制造方法
KR20130073190A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 제일모직주식회사 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
TWI476259B (zh) * 2012-05-31 2015-03-11 Taiwan First Li Bond Co Ltd 熱熔型無鹵難燃導熱環氧樹脂黏著劑之背膠銅箔及其製造方法
JP6009240B2 (ja) * 2012-06-22 2016-10-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US8679947B1 (en) * 2012-11-07 2014-03-25 International Business Machines Corporation Self-formation of high-density defect-free and aligned nanostructures
CN104871295B (zh) * 2012-12-26 2018-07-06 日立化成株式会社 扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置
JP6021687B2 (ja) * 2013-02-25 2016-11-09 株式会社ディスコ 積層ウェーハの加工方法
US9059013B2 (en) 2013-03-21 2015-06-16 International Business Machines Corporation Self-formation of high-density arrays of nanostructures
JP2014204033A (ja) * 2013-04-08 2014-10-27 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP6205646B2 (ja) * 2014-03-31 2017-10-04 リンテック株式会社 ダイ接着用複合シート
WO2015178369A1 (ja) * 2014-05-23 2015-11-26 日立化成株式会社 ダイボンドダイシングシート
JP6399923B2 (ja) * 2014-12-24 2018-10-03 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法
JP6486176B2 (ja) * 2015-04-15 2019-03-20 株式会社ディスコ 被加工物の切削加工方法
JP6523042B2 (ja) * 2015-05-26 2019-05-29 日東電工株式会社 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置
US10468361B2 (en) * 2015-08-27 2019-11-05 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting diodes having a supporting layer attached to temporary adhesive
JP2017088782A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 積層体および合同体・組み合わせの回収方法・半導体装置の製造方法
JP2017092335A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 半導体パッケージの製造方法
CN105436710B (zh) 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
CN107286325B (zh) * 2016-04-01 2021-06-01 深圳光启高等理工研究院 树脂组合物及其应用
FR3053526B1 (fr) * 2016-07-01 2018-11-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication collective de dispositifs electroniques et dispositif electronique
JP2018113281A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ディスコ 樹脂パッケージ基板の加工方法
JP7017334B2 (ja) * 2017-04-17 2022-02-08 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
US10269756B2 (en) * 2017-04-21 2019-04-23 Invensas Bonding Technologies, Inc. Die processing
US10325889B1 (en) 2018-01-12 2019-06-18 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Display device including LED devices with selective activation function
JP7366490B2 (ja) 2019-04-19 2023-10-23 株式会社ディスコ チップの製造方法
US10991621B2 (en) * 2019-08-05 2021-04-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die singulation
JP7471880B2 (ja) * 2020-03-18 2024-04-22 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
JP7471879B2 (ja) * 2020-03-18 2024-04-22 リンテック株式会社 フィルム状接着剤及びダイシングダイボンディングシート
US11521863B2 (en) 2020-07-10 2022-12-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor package

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060716A (ja) * 2000-08-24 2002-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置
JP2002226796A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP2002327165A (ja) * 2001-04-20 2002-11-15 Three M Innovative Properties Co 熱硬化性の接着剤フィルム及びそれを用いた接着構造

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112345A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JPH03159153A (ja) * 1989-11-16 1991-07-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の分割方法
JPH054485A (ja) 1991-06-26 1993-01-14 Fuji Electric Co Ltd 任意範囲出力可能なプロツタ装置
JPH05160258A (ja) * 1991-12-03 1993-06-25 Matsushita Electron Corp 半導体装置の製造方法
JPH06125002A (ja) * 1992-10-13 1994-05-06 Sony Corp ウエハブレーキング装置とその方法
EP0799285A1 (en) * 1994-12-20 1997-10-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroreflective sheeting articles
US5965269A (en) * 1995-04-04 1999-10-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive, adhesive film and adhesive-backed metal foil
JP3467611B2 (ja) * 1995-09-29 2003-11-17 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置の製造方法
US6342434B1 (en) * 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3787889B2 (ja) 1996-05-09 2006-06-21 日立化成工業株式会社 多層配線板及びその製造方法
JP3411748B2 (ja) 1996-05-09 2003-06-03 日立化成工業株式会社 接着剤付き金属箔、接着シート及び多層配線板
JP3195236B2 (ja) * 1996-05-30 2001-08-06 株式会社日立製作所 接着フィルムを有する配線テープ，半導体装置及び製造方法
EP0831528A3 (en) * 1996-09-10 1999-12-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Multilayer wiring board for mounting semiconductor device and method of producing the same
CN1237274A (zh) * 1996-10-08 1999-12-01 日立化成工业株式会社 半导体装置、半导体芯片装载用基板、它们的制造方法、粘合剂和双面粘合膜
JPH10178067A (ja) * 1996-10-15 1998-06-30 Toray Ind Inc 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート
JP2000248025A (ja) 1999-02-26 2000-09-12 Hitachi Chem Co Ltd アクリル樹脂とこれを用いた接着剤及び接着フィルム並びにアクリル樹脂の製造法
DE60025720T2 (de) * 1999-06-18 2006-11-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Klebstoff, klebstoffgegenstand, schaltungssubstrat für halbleitermontage mit einem klebstoff und eine halbleiteranordnung die diesen enthält
JP2001181586A (ja) * 1999-12-28 2001-07-03 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
KR101237137B1 (ko) * 2000-02-15 2013-02-25 히타치가세이가부시끼가이샤 반도체 장치
JP4505769B2 (ja) * 2000-03-31 2010-07-21 日立化成工業株式会社 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法
US7070670B2 (en) * 2000-03-31 2006-07-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Adhesive composition, method for preparing the same, adhesive film using the same, substrate for carrying semiconductor and semiconductor device
JP2001302991A (ja) * 2000-04-20 2001-10-31 Lintec Corp 塗装用粘着テープ
JP4537555B2 (ja) * 2000-09-11 2010-09-01 新日鐵化学株式会社 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3408805B2 (ja) * 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP4109823B2 (ja) * 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3827520B2 (ja) * 2000-11-02 2006-09-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2002212536A (ja) 2001-01-22 2002-07-31 Hitachi Chem Co Ltd 接着部材とその製造方法、該接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP2002222819A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
JP4286488B2 (ja) 2001-02-21 2009-07-01 キヤノンマシナリー株式会社 基板切断方法
JP2002256235A (ja) * 2001-03-01 2002-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP3724790B2 (ja) 2001-03-21 2005-12-07 住友ベークライト株式会社 半導体装置及びその製造方法
US20040068061A1 (en) * 2001-04-20 2004-04-08 Kohichiro Kawate Thermosetting adhesive film, and an adhesive structure based on the use thereof
JP2003096426A (ja) * 2001-09-26 2003-04-03 Hitachi Chem Co Ltd 接着部材
JP2003147323A (ja) * 2001-11-08 2003-05-21 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、接着フィルム、半導体支持部材、半導体装置およびその製造方法
JP3912076B2 (ja) * 2001-11-09 2007-05-09 日立化成工業株式会社 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
ES2356817T3 (es) * 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
JP2004095844A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Lintec Corp ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP4770126B2 (ja) 2003-06-06 2011-09-14 日立化成工業株式会社 接着シート
KR101215728B1 (ko) * 2003-06-06 2012-12-26 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조방법
US20050227064A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-13 Hwail Jin Dicing die bonding film

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002060716A (ja) * 2000-08-24 2002-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置
JP2002226796A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP2002327165A (ja) * 2001-04-20 2002-11-15 Three M Innovative Properties Co 熱硬化性の接着剤フィルム及びそれを用いた接着構造

Cited By (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006183020A (ja) * 2004-04-20 2006-07-13 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP2006176719A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート
JP2006261482A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護フィルム及び該保護フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2007027250A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハに装着された接着フィルムの破断装置
JP2007126622A (ja) * 2005-10-06 2007-05-24 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2007150206A (ja) * 2005-11-30 2007-06-14 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ
JP2007158026A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ用保護膜形成用シート
JP2007189057A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置
JP2007270125A (ja) * 2006-03-08 2007-10-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、一体型シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP2007335643A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
JP2008081734A (ja) * 2006-08-31 2008-04-10 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、一体型シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP5045745B2 (ja) * 2007-04-05 2012-10-10 日立化成工業株式会社 半導体チップの製造方法、並びに半導体用接着フィルム及びこれを用いた複合シート
WO2008126718A1 (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. 半導体チップの製造方法、並びに半導体用接着フィルム及びこれを用いた複合シート
US8232185B2 (en) 2007-04-05 2012-07-31 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for manufacturing semiconductor chip, adhesive film for semiconductor, and composite sheet using the film
WO2008126717A1 (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. 半導体用接着フィルム、複合シート及びこれらを用いた半導体チップの製造方法
CN102709201A (zh) * 2007-04-06 2012-10-03 日立化成工业株式会社 半导体用粘接膜、复合片及使用它们的半导体芯片的制造方法
US8404564B2 (en) 2007-04-06 2013-03-26 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive film for semiconductor, composite sheet, and method for producing semiconductor chip using them
JPWO2008126717A1 (ja) * 2007-04-06 2010-07-22 日立化成工業株式会社 半導体用接着フィルム、複合シート及びこれらを用いた半導体チップの製造方法
JP2012188673A (ja) * 2007-04-06 2012-10-04 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体用接着フィルム、複合シート及びこれらを用いた半導体チップの製造方法
JP2013179316A (ja) * 2007-10-09 2013-09-09 Hitachi Chemical Co Ltd 接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法
US8071465B2 (en) 2007-10-09 2011-12-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device
JPWO2009048060A1 (ja) * 2007-10-09 2011-02-17 日立化成工業株式会社 接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法
JP5353702B2 (ja) * 2007-10-09 2013-11-27 日立化成株式会社 接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法
WO2009048060A1 (ja) * 2007-10-09 2009-04-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. 接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法
JP2009130320A (ja) * 2007-11-28 2009-06-11 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP2010027666A (ja) * 2008-07-15 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 破断方法及び破断装置
JP2010074129A (ja) * 2008-08-20 2010-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法、それにより製造される半導体装置、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2010251727A (ja) * 2009-03-24 2010-11-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウエハ加工用テープ
US9165815B2 (en) 2009-06-15 2015-10-20 Lg Chem, Ltd. Wafer processing sheet
JP2012530376A (ja) * 2009-06-15 2012-11-29 エルジー・ケム・リミテッド ウェーハ加工用シート
US9123794B2 (en) 2010-09-13 2015-09-01 Nitto Denko Corporation Dicing die bond film
JP2012060068A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
US9142457B2 (en) 2010-10-01 2015-09-22 Nitto Denko Corporation Dicing die bond film and method of manufacturing semiconductor device
KR20140033100A (ko) 2011-07-01 2014-03-17 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 접착 필름 및 다이싱 다이 본딩 필름 및 그것을 이용한 반도체 가공방법
WO2013005470A1 (ja) * 2011-07-01 2013-01-10 古河電気工業株式会社 接着フィルム、並びにダイシングダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体加工方法
US10533117B2 (en) 2012-10-09 2020-01-14 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US10040974B2 (en) 2012-10-09 2018-08-07 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US11008483B2 (en) 2012-10-09 2021-05-18 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US10457838B2 (en) 2012-10-09 2019-10-29 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US10597560B2 (en) 2012-10-09 2020-03-24 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US10040973B2 (en) 2012-10-09 2018-08-07 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US10040978B2 (en) 2012-10-09 2018-08-07 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US9708509B2 (en) 2012-10-09 2017-07-18 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US9714365B2 (en) 2012-10-09 2017-07-25 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US9725623B2 (en) 2012-10-09 2017-08-08 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US9738817B2 (en) 2012-10-09 2017-08-22 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US11685841B2 (en) 2012-10-09 2023-06-27 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US11292942B2 (en) 2012-10-09 2022-04-05 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
US10035930B2 (en) 2012-10-09 2018-07-31 Avery Dennison Corporation Adhesives and related methods
JP2014165462A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Lintec Corp 半導体チップの製造方法
JP5980438B2 (ja) * 2014-03-24 2016-08-31 リンテック株式会社 加工物の製造方法
US10510578B2 (en) 2014-03-24 2019-12-17 Lintec Corporation Protective film forming film, protective film forming sheet and work product manufacturing method
JPWO2016027888A1 (ja) * 2014-08-22 2017-06-01 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法
JPWO2016027883A1 (ja) * 2014-08-22 2017-06-01 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法
WO2016027888A1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-25 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法
WO2016027883A1 (ja) * 2014-08-22 2016-02-25 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法
US11049421B2 (en) 2015-02-05 2021-06-29 Avery Dennison Corporation Label assemblies for adverse environments
CN106206375A (zh) * 2015-06-01 2016-12-07 日东电工株式会社 半导体背面用薄膜及其用途
CN106206375B (zh) * 2015-06-01 2021-07-02 日东电工株式会社 半导体背面用薄膜及其用途
JPWO2017145979A1 (ja) * 2016-02-23 2018-12-13 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
WO2017145979A1 (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
JP2021050338A (ja) * 2016-03-30 2021-04-01 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
JPWO2017169387A1 (ja) * 2016-03-30 2019-02-07 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
WO2017169387A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
JP7177811B2 (ja) 2016-03-30 2022-11-24 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
US10526511B2 (en) 2016-12-22 2020-01-07 Avery Dennison Corporation Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth)acrylate oligomers
JP2022000933A (ja) * 2017-05-19 2022-01-04 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7208327B2 (ja) 2017-05-19 2023-01-18 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2019009324A (ja) * 2017-06-27 2019-01-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着性シート
KR20210144731A (ko) 2019-03-27 2021-11-30 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법, 다이본딩 필름, 및 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120051080A (ko) 2012-05-21
US7875500B2 (en) 2011-01-25
KR101204197B1 (ko) 2012-11-26
TW200504230A (en) 2005-02-01
TWI401302B (zh) 2013-07-11
KR101215728B1 (ko) 2012-12-26
TWI401326B (zh) 2013-07-11
US20130045585A1 (en) 2013-02-21
JP5556474B2 (ja) 2014-07-23
US20090186216A1 (en) 2009-07-23
US7968194B2 (en) 2011-06-28
JPWO2004109786A1 (ja) 2006-07-20
US20080286594A1 (en) 2008-11-20
KR20060021337A (ko) 2006-03-07
US8617930B2 (en) 2013-12-31
TW200909595A (en) 2009-03-01
US20080171187A1 (en) 2008-07-17
KR20110138301A (ko) 2011-12-26
KR101177250B1 (ko) 2012-08-24
JP2011006687A (ja) 2011-01-13
TW200911956A (en) 2009-03-16
KR101169182B1 (ko) 2012-07-30
US20080305583A1 (en) 2008-12-11
US20130224932A9 (en) 2013-08-29
TWI318649B (en) 2009-12-21
KR20110094117A (ko) 2011-08-19
US20060128065A1 (en) 2006-06-15
JP5017861B2 (ja) 2012-09-05
KR101177251B1 (ko) 2012-08-24
KR20120051081A (ko) 2012-05-21
US7968195B2 (en) 2011-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5017861B2 (ja) 接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP5206769B2 (ja) 接着シート
JP4770126B2 (ja) 接着シート
JP5556070B2 (ja) ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法
JPWO2005112091A1 (ja) 粘接着シート並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法
JP2013179316A (ja) 接着フィルム付き半導体チップの製造方法及びこの製造方法に用いられる半導体用接着フィルム、並びに、半導体装置の製造方法
JP2006093213A (ja) 接着剤層付き半導体素子の製造方法
JP2009283925A (ja) ダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP5613982B2 (ja) 半導体チップの製造方法及びダイシングテープ
JP2008088411A (ja) 接着シート
JP4401625B2 (ja) 接着シート
JP2006080142A (ja) 接着シート付き半導体素子の製造方法、接着シート、及びダイシングテープ一体型接着シート
JP2004256695A (ja) 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法
JP2010001453A (ja) 接着フィルム、接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2009238770A (ja) ダイシングテープ、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP2010258430A (ja) 接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム及び半導体装置の製造方法
JP2014003300A (ja) 接着シート

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005506837

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057023097

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004815569X

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006128065

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10559684

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057023097

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10559684

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase