KR100963675B1 - 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100963675B1
KR100963675B1 KR1020080024027A KR20080024027A KR100963675B1 KR 100963675 B1 KR100963675 B1 KR 100963675B1 KR 1020080024027 A KR1020080024027 A KR 1020080024027A KR 20080024027 A KR20080024027 A KR 20080024027A KR 100963675 B1 KR100963675 B1 KR 100963675B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
tape
dicing
semiconductor substrate
chip
Prior art date
Application number
KR1020080024027A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090098563A (ko
Inventor
황용하
조재현
송규석
정창범
Original Assignee
제일모직주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제일모직주식회사 filed Critical 제일모직주식회사
Priority to KR1020080024027A priority Critical patent/KR100963675B1/ko
Priority to TW098108220A priority patent/TWI405272B/zh
Priority to PCT/KR2009/001264 priority patent/WO2009113831A2/ko
Priority to CN2009801090229A priority patent/CN101971311B/zh
Priority to JP2010550605A priority patent/JP5436461B2/ja
Publication of KR20090098563A publication Critical patent/KR20090098563A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100963675B1 publication Critical patent/KR100963675B1/ko
Priority to US12/881,577 priority patent/US8309219B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/2908—Plural core members being stacked
    • H01L2224/29082—Two-layer arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731—Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2848—Three or more layers

Abstract

이면연삭공정, 다이싱 공정, 및 픽업-다이 어태칭 공정을 하나의 테이프에 의해 수행할 수 있다는 장점이 있으며, 특히 점착층과 제2 접착층의 계면에 자외선 경화제를 포함하여 자외선 경화시 점착층과 함께 경화되는 제1 접착층을 둠으로서 점착층의 박리특성을 월등히 향상시킬 수 있는 반도체 패키지용 복합기능 테이프가 제공된다. 본 발명에 따른 반도체 패키지용 복합기능 테이프는 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함한다.
반도체, 패키지, 복합, 이면연삭, 다이싱, 다이본딩, 어태칭, 점착층, 접착층

Description

반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법{Multi-function tape for semiconductor package and method for fabricating the semiconductor device thereby}
본 발명은 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 고용량화를 위해서는 단위면적당 셀의 갯수를 늘리는 질적인 측면의 고집적화 방법과, 여러 개의 칩을 적층하여 용량을 늘리는 양적인 측면의 패키징 기술적인 방법이 있다.
이러한 패키징 방법에 있어서 종래에는 다층 칩 적층 패키지 방법(multi-chip package; 이하 MCP라 함) 방법이 주로 사용되어 왔는데, 이는 여러 개의 칩을 접착제에 의해 적층하고, 상하 칩을 와이어 본딩(wire bonding)을 이용하여 전기적으로 연결해주는 구조로서, 와이어 본딩을 해야하는 공간만큼 전체 패키지 크기가 적층된 칩의 공간보다 크게 되어 불필요한 공간이 존재하였다.
이러한 MCP 방법의 미비점을 개선하고자 등장한 것이 웨이퍼 레벨 적층 패키지(wafer level stack package; 이하 WSP라 함)인데, WSP는 회로가 형성된 웨이퍼에 관통전극(through silicon via)를 형성하고 이를 통전물질로 채워 전기적으로 층간을 직접연결하는 패키징 방법이다.
상기와 같은 MCP방법과 WSP 방법은 모두 복수개의 칩을 접착제에 의해 접착하여 적층하는 방식으로 양적인 측면에서 반도체 장치의 용량을 늘리는 방법으로서, 이중 MCP 방법은 와이어 본딩에 의해 칩과 칩을 전기적으로 연결하므로 칩의 회로형성면은 오픈되도록 하고 그 반대쪽 면(연삭된 면)에 접착제를 형성하고 칩들을 연결하도록 되어 있다.
따라서, MCP 방법에서는 이면연삭공정에서만 별도의 점착테이프를 회로형성면에 붙여서 수행하고, 그 이후의 다이싱공정과 픽업 및 다이 어태칭 공정은 점착층과 접착층이 함께 형성된 테이프를 회로형성면의 반대면(연삭된 면)에 붙여서 공정을 수행할 수 있었다.
즉, MCP 방법상 이면연삭공정에 사용되는 점착테이프에는 이면연삭공정에 사용되는 기능 이외에 다른 기능을 부여하는 것이 불가능하였다.
그런데, WSP 방법은 와이어 본딩 방식이 아니라 칩과 칩을 관통전극에 의해 직접 연결해주는 방식이므로 칩의 회로형성면에 접착제를 형성하고 칩들을 연결하여야 한다.
따라서, WSP 방법에서는 종래의 이면연삭공정에 사용되는 테이프를 개선하여, 이면연삭공중 뿐만아니라 다이싱 공정과 픽업 및 다이 어태칭 공정을 동시에 수행할 수도 있는 테이프의 제조도 가능해 지게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 WSP 방법에 있어서 이면연삭공정, 다이싱 공정 또는/및 픽업-다이 어태칭 공정을 동시에 수행할 수 있도록 하는 반도체 소자 패키지용 복합기능 테이프를 제공하는데에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 과제는 상기 복합기능 테이프를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 제공하는데에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 패키징용 복합기능 테이프는 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하며, 복수개의 소자가 형성된 반도체 기판의 소자 형성면에 접착된 상태로 상기 반도체 기판의 소자 형성면의 반대면을 연삭하는 공정을 수행하고, 이후 연삭된 반도체 기판면에 자외선 경화형 점착층이 형성된 다이싱 테이프를 붙여 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱 하는 공정을 수행하고, 다이싱 공정에 의해 분리된 각각의 칩은 제1 접착층과 제2 접착층이 접착된 상태로 픽업(pick up) 되어 다이 어태칭(die attaching) 되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 패키징용 복합기능 테이프는 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하며, 복수개의 소자가 형성된 반도체 기판의 소자 형성면에 접착된 상태로 반도체 기판의 소자 형성면의 반대면을 연삭하는 공정과 상기 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱 하는 공정을 수행할 수 있고, 다이싱 공정에 의해 분리된 각각의 칩은 제1 접착층과 제2 접착층이 접착된 상태로 픽업(pick up) 되어 다이 어태칭(die attaching) 되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하는 복합기능 테이프를 범퍼(회로패턴)가 형성된 반도체 기판에 접합시키는 공정; 반도체 기판의 이면을 연삭하는 공정; 연삭된 반도체 기판의 면에 다이싱 테이프를 접합시키는 공정; 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱하는 공정; 다이싱 테이프를 제거하고 상기 칩을 상기 제1 접착층과 제2 접착층과 결합된 상태로 픽업하는 공정; 및 픽업된 칩을 제1 접착층 및 제2 접착층을 이용하여 다이 어태칭하는 공정을 포함한다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자의 제조방법은 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하는 복합기능 테이프를 범퍼(회로패턴)가 형성된 반도체 기판에 접합시키는 공정; 반도체 기판의 이면을 연삭하는 공정; 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱하는 공정;다이싱 된 칩을 제1 접착층과 제2 접착층과 결합된 상태로 픽업하는 공 정; 및 픽업된 칩을 상기 제1 접착층 및 제2 접착층을 이용하여 다이 어태칭하는 공정을 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 패키징용 복합기능 테이프에 의하면 이면연삭공정, 다이싱 공정, 및 픽업-다이 어태칭 공정을 하나의 테이프에 의해 수행할 수 있다는 장점이 있으며, 특히 점착층과 제2 접착층의 계면에 자외선 경화제를 포함하여 자외선 경화시 점착층과 함께 경화되는 제1 접착층을 둠으로서 점착층의 박리특성을 월등히 향상시킬 수 있다는 장점이 있다.
이러한 복합기능 테이프를 이용하게 되면 이면연삭공정과 픽업-다이어태칭 공정을 하나의 테이프를 통해 수행하거나, 더 나아가 이면연삭공정, 다이싱공정, 및 픽업-다이 어태칭 공정까지도 하나의 테이프를 통해 수행할 수 있다는 장점이 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지용 복합기능 테이프를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 패키지용 복합기능 테이프는 기재 필름(100), 점착층(110), 제1 접착층(105), 제2 접착층(120), 및 보호필름(130)을 포함한다.
다만, 본 발명에서 "접착층"은 오직 접착을 가능하게 하는 층을 의미하며, "점착층"은 점착 후에 경화 등의 처리 후에 제거될 수 있는 층을 의미한다. 예컨대, 자외선 경화성 점착제는 웨이퍼 등에 점착제를 적용한 후, 자외선을 조사하는 것에 의하여 경화시킴으로써 박리할 수 있는 점착제를 의미한다.
또한, 접착층은 반도체 웨이퍼 등이 접합되어 다이싱 된 후, 칩이 픽업될 때에, 점착층과 박리되어 칩에 부착되어 있고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용할 수 있는 층을 의미한다.
또한, 점착제층은 접착제층 보다 피착체와의 박리력이 작고, 일시적인 결합을 위해서 사용될 수 있는 층을 의미한다.
본 발명의 복합기능 테이프는 웨이퍼의 이면연삭공정(back grinding), 다이싱 공정(dicing), 및 다이본딩공정(die bonding) 공정을 통해 일관하여 사용할 수 있으므로, 특히 접착제를 회로형성면에 형성하여 다이 어태칭하는 WSP 방법에 사용할 경우 매우 유용하다.
<기재필름>
본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프(10)를 구성하는 기재필름(100)에 대하여 설명한다.
본 발명의 기재필름(100)은 기본적으로 종래에 이면연삭공정(back grinding) 공정시 사용되던 테이프의 기재필름과 동일하다.
이면연삭공정용 테이프의 기재필름으로써 다양한 플라스틱 필름이 사용될 수 있는데, 그 중에서도 일반적인 기재필름으로써는 열가소성의 플라스틱 필름이 사용되는데, 익스팬딩(expanding)이 가능한 것이어야 한다.
이면연삭 공정 중 발생하는 물리적 충격을 웨이퍼가 받으면 크랙이 발생하거나 깨져서 회로 설계된 웨이퍼가 손상받는다.
따라서 기재필름이 열가소성 및 익스팬딩이 가능한 필름이어야 한다는 의미는 그라인딩 공정에 의한 물리적 충격을 필름이 흡수하여 충격을 완화시킴으로 인해 웨이퍼를 보호해야 한다는 것이다.
기재필름(100)은 익스팬딩이 가능해야 할 뿐만 아니라 자외선 투과성인 것이 바람직하고 특히 점착층(110)이 자외선(UV) 경화형 점착 조성물이므로 점착 조성물이 경화 가능한 파장의 자외선에 대해서 투과성이 우수한 필름인 것이 바람직하다.
따라서, 기재필름(100)에는 자외선 흡수제 등이 포함되어서는 안된다.
또한 기재필름(100)은 화학적으로 안정한 것이어야 한다. 이면연삭 공정시 물리적 충격도 크지만 최종적으로 CMP 슬러리에 의해 폴리싱이 진행되므로 이에 접하는 기재필름(100)은 화학적으로 안정한 것이어야 한다.
일반적으로 폴리머 형태, 특히 폴리 올레핀계 고분자는 화학적으로 안정하므로 기재필름(100)으로 적합하다.
이러한 기재필름으로써 사용할 수 있는 폴리머 필름의 예로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌/프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 에틸렌/초산비닐 공중합체, 폴리에틸렌/스타이렌부타디엔 고무의 혼합물, 폴리비닐클로라이드 필름 등의 폴리올레핀계 필름 등이 주로 사용될 수 있다.
또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리(메틸메타크릴레이트)등의 플라스틱이나 폴리우레탄, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
또한 이들 기재필름(100)은 백그라인딩 시의 충격 흡수성이나 점착측에의 접착력을 개선하기 위해 복층의 구조를 가져도 좋다.
상기 기재필름은 주로 폴리올레핀 칩을 블렌딩하여 용융시켜 압출 방식으로 필름을 형성할 수도 있고 블로잉 방식으로도 필름을 형성 할 수도 있다.
블렌딩하는 칩의 종류에 따라 형성되는 필름의 내열성 및 기계적 물성이 결정된다. 상기 제조되는 기재필름은 점착층(110)과의 접착력을 증가시키기 위하여 표면 개질을 하는 것이 바람직하다.
표면 개질은 물리적 방법, 화학적 방법 모두 가능하며 물리적 방법으로는 코로나 처리나 플라즈마 처리를 할 수 있으며 화학적 방법으로는 인라인코팅 처리 내지 프라이머 처리 등의 방법을 사용할 수 있다. 본 발명에서는 코로나 방전 처리에 의해 점착층(110)이 코팅 가능하도록 표면을 개질하였다.
기재필름(100)의 두께는 작업성, 자외선 투과성 등의 측면에서 통상 30~300㎛가 바람직하다.
기재필름이 30㎛ 이하이면 자외선 조사 시 발생하는 열에 의해 쉽게 필름의 변형이 일어나고 백그라인딩시 발생하는 물리적 충격을 충분히 완화해주지 못하며 기재필름(100)이 300㎛ 이상이면 설비상 완제품 한 롤의 길이가 두께 대비 길지 않아 롤 교체 시간의 증가로 비용 측면에서 바람직하지 않다.
범프가 형성된 요철이 심한 웨이퍼 표면을 충진하기 위해서는 기재필름(100)은 50~200㎛가 보다 바람직하다.
<점착층>
본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프(10)를 구성하는 자외선 경화형 점착층(100)에 대하여 설명한다.
점착층(100)은 특별히 제한은 없고 자외선 조사 전에는 강한 택(Tack)으로 상부의 제1 절연접착층(105) 및 제2 절연접착층(120) 및 웨이퍼를 강하게 지지하여 백그라인딩 공정 시 흔들리거나 움직여 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하고 각 층의 계면으로 CMP 등의 화학 물질이 침투하는 것을 방지하고 자외선 조사 후에는 점착층이 가교 반응에 의해 도막 응집력이 증가하고 수축하여 제1 절연접착층(4)과의 계면에서 접착력이 현저히 감소함으로써 릴(Reel) 형태의 접착 테이프에 의해 제1 절연접착층(105)과 제2 절연접착층(120)이 부착된 웨이퍼로부터 점착층(110)과 기재필름(2)이 쉽게 박리되는 것이면 어느 것이나 가능하다.
일반적으로 이면연삭공정 테이프에 사용되는 점착층(110)은 자외선 경화형 조성물 및 자외선 비경화형 조성물이 있다.
일반적인 이면연삭공정 테이프에서 자외선 비경화물 조성물은 자외선 조사전에 상대적으로 작은 접착력을 가져서 자외선을 조사하지 않더라도 릴(Reel) 형태의 접착 테이프에 의해 점착층과 웨이퍼 계면 사이에서 쉽게 박리가 되었다.
그러나 WSP용 테이프는 점착층(110)과 유기 계면인 제1 절연접착층(105) 사이에서의 박리가 이루어져야 하는데 이럴 경우 자외선 비경화물 조성물로는 릴(Reel) 형태의 접착 테이프에 의해 박리가 거의 이루어지지 않으므로 자외선 경화형 조성물을 사용해야 한다.
자외선 경화형 조성물은 크게 두가지 형태의 조성물이 있다. 먼저 도막을 형성시키고 코팅층을 지지해주는 역할을 하는 아크릴 점착 바인더와 자외선 경화형 아크릴레이트의 혼합 형태가 있고 다른 하나는 아크릴 점착 바인더의 측쇄에 자외선 경화형 아크릴레이트를 도입한 형태이다.
혼합 조성물 형태는 일반 백그라인딩 테이프에 적용한 경우에 자외선 경화형 아크릴레이트가 대부분 저분자 물질이라 하더라도 접착하는 상대 부재가 웨이퍼와 같은 무기물이기 때문에 전이가 발생하지 않으므로 자외선 조사 후 점착층과 웨이퍼 계면 사이의 접착력이 현저히 감소하여 릴(Reel) 형태의 접착 테이프에 의해 박리하는 것이 가능하다.
그러나 WSP용 접착필름과 같이 점착층(110)이 제1 절연접착층(105)과 같은 유기 계면과 접한 경우에는 점착층이 혼합조성인 경우 저분자 아크릴레이트가 제1 절연접착층(105)으로 일부 전이가 일어나고 전이 과정에 있는 아크릴레이트가 자외선에 의해 경화되면서 오히려 자외선 조사 후에 계면간에 접착력이 증가하게 되는 현상이 발생한다.
따라서 본 발명에서의 점착층(110)은 혼합조성이 아닌 바인더 측쇄에 자외선 경화가 가능한 탄소-탄소 이중결합을 도입한 형태가 바람직하다.
점착 성분을 나타내는 점착 수지 측쇄에 탄소-탄소 이중결합을 가지는 저분자 물질을 화학적 반응에 의해 도입하여 한 분자처럼 거동하도록 한 형태를 내재형 점착 조성물이라 한다.
내재형 점착 조성물의 제조방법은 2단계로 이루어지는데 1단계는 점착 수지 중합 단계, 2단계는 중합된 점착 수지에 탄소-탄소 이중 결합을 부가 하는 단계이다.
내재형 점착 바인더의 2단계 부가반응에 의해 탄소-탄소 이중결합을 갖는 저분자 아크릴레이트를 도입하는 반응 기구는 다음과 같은 것들이 있다.
카르복실기와 에폭시기, 히드록실기와 이소시아네이트기, 카르복실기와 아민기 등의 아크릴 측쇄에 고분자 반응시키기 쉬운 관능기들의 조합이다.
이 이외에도 탄소-탄소 이중결합을 가진 저분자 아크릴레이트를 점착 고분자 측쇄에 도입할 수 있는 반응기구이면 어느 관능기의 조합이든 사용이 가능하다. 각 관능기들은 고분자 점착 바인더 또는 저분자 아크릴레이트에 선택적으로 적용하여 제조하는 것이 가능하다.
본 발명에서 제조한 내재형 점착 바인더는 분자량이 100,000 ~ 1,000,000 사이이며 공중합한 고분자 바인더 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 저분자 물질로 이소시아네이트기가 말단에 도입된 저분자 물질을 사용하여 우레탄 반응으로 측쇄에 부가 반응시킨 점착 바인더를 제조하였다.
제조된 점착 바인더 이외에 열경화제, 광개시제 등을 혼합하여 자외선 경화 형 점착 조성물을 제조하였다.
점착 조성물 중 열경화제는 점착바인더 측쇄에 도입된 관능기와 반응하여 경화할 수 있는 것이면 어느 것이든 가능하다.
측쇄에 도입된 관능기가 카르복실계인 경우에는 주로 경화제로 에폭시계를 많이 사용하며 측쇄에 도입된 관능기가 히드록실계이면 이소시아네이트 경화제를 주로 사용한다.
이 외에도 멜라민계 등을 사용할 수 있으며 에폭시계, 이소시아네이트계, 멜라민계 등을 2성분 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
폴리올레핀계 기재필름에의 접착력을 위해서 열경화제는 반드시 첨가해야 한다.
광개시제로는 케톤계, 아세톤페논계 등 자외선에 의해 분자 사슬이 끊겨 라디칼을 생성할 수 있는 것이면 어느 것이든 가능하다.
광개시제를 첨가하면 점착층 성분 중 점착바인더 측쇄의 탄소-탄소 이중결합이 라디칼에 의해 가교 반응을 하고 가교반응에 의해 점착층의 유리전이온도가 상승해 점착층은 택(Tack)을 소실하게 된다.
택(Tack)을 소실하게 되면 상부의 제1 절연접착층(105)으로부터 박리하는데 힘이 작게 소요된다.
기재필름(100)에 점착층(110)을 형성시키는 방법은 직접 코팅할 수도 있고 이형필름 등에 코팅한 후에 건조 완료 후 전사방식에 의해 전사시킬 수도 있다.
일반적으로 폴리올레핀계 필름에 직접 점착 코팅을 진행하는 경우에는 점착 조성물의 건조 온도가 60℃ 이상이므로 건조기를 거치는 동안 폴리올레핀계 필름의 수축이 크게 일어나 치수가 불안정해지므로 전사 코팅을 진행하는 경우가 많다.
전자이건 후자이건 점착층(110)을 형성시키는 도포 방법은 바 코팅, 그라비아 코팅, 콤마 코팅, 리버스 롤 코팅, 어플리케이터 코팅, 스프레이 코팅 등 도막을 형성시킬 수 있는 방식이면 어떤 방식이든 제한이 없다.
<제1 접착층>
본 발명에 의한 반도체 패키지용 복합기능 테이프(10)는 상기에 언급한 기재필름(100) 위에 점착층(110)을 코팅하고 다시 점착층(110) 상에 제1 (절연)접착층(105)이 적층되어 있다.
제1 절연접착층(105)은 접착층의 일부가 자외선에 반응하여 경화되도록 설계되어 자외선 조사에 의해 점착층(110)의 경화 뿐만 아니라 이에 접하는 제1 절연접착층(105)도 경화되어 박리 특성을 월등히 향상시킨 형태이다.
상기 제1 절연접착층(105)은 최종적으로 칩 상하 간을 부착시키는 접착제로 사용하므로 반도체 패키징 수준의 신뢰성을 만족하기 위한 물성을 가져야 하는 동시에 패키징을 하기 위한 공정성, 즉 백그라인딩 완료 후 제1 절연접착층(105), 제2 절연접착층(120)으로부터 이들 접착층의 손상 없이 상부의 기재필름(100), 점착층(110)을 제거하기 위해서 박리성능을 개선한 형태이어야 한다.
상기 제1 절연접착층(105)도 제2 절연접착층(120)과 같이 60℃ 근처의 온도 에서 회로가 설계된 요철이 심한 웨이퍼 표면에 부착되고 다이싱이 완료된 후에는 약 200℃의 온도에서 리드프레임이나 PCB 기판과 같은 지지부재에 다이 어태치하게 된다.
제1 절연접착층(105)을 구성하는 조성물은 반도체 패키징 수준의 신뢰성을 만족하면서 칩 상하 간 접착력을 유지하는 것이면 어느 것이든 가능하다.
공정적인 측면에서 박리성을 개선이 필요하긴 하지만 WSP에서 칩을 다단으로 적층하는 경우 제2 절연접착층(120)과 접하고 있는 제1 절연접착층(105)도 반대면으로 웨이퍼 등과 접착을 이루기 때문이다.
본 발명에서의 제1 절연접착층(105)의 조성물은 크게 필름 형성능을 갖는 고분자량의 아크릴 수지와 경화부인 에폭시 수지의 혼합 형태로 구성하였다.
제1 절연접착층(105)이든 제2 절연접착층(120)이든 모두 필름 형태의 접착제이기 때문에 접착력을 나타내는 경화부 이외에 필름형성능이 우수한 열가소성 수지를 사용하게 된다.
본 발명에서는 이 열가소성 수지로 아크릴계 수지를 사용하였다. 아크릴계 수지는 아크릴산 에스테르나 메타크릴산 에스테르 및 아크릴로니트릴 등의 공중합체인 아크릴 고무를 예로 들 수 있다.
에폭시 수지는 경화되어서 접착력을 나타내는 것이면 특별한 제한은 없으나, 경화반응을 하기 위해서는 관능기가 2 이상이어야 하므로, 비스페놀 A형 에폭시 수지나 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다.
또한 제1 절연접착층(105)에는 에폭시 수지를 경화시키기 위한 경화촉진제를 사용할 수 있는데, 경화촉진제로는 이미다졸계나 아민계, 페놀계 등을 사용할 수 있다.
아크릴 수지, 에폭시 수지 및 경화 촉진제는 경화시 수분 흡수율이 작은 것을 사용하여야 한다. 또한 제1 절연접착층(4)의 치수 안정 및 내열 특성 향상을 위해 실리카 등의 무기 입자를 첨가할 수 있다.
제1 절연접착층(105)은 필요하다면 실란커플링제를 혼합 사용할 수 있다.
반도체 패키징 수준의 신뢰성을 가지면서 접착성능을 갖는 상기의 조성물에 더하여 본 발명에서의 제1 절연접착층(105)은 자외선에 반응하여 경화 가능한 분자내 탄소-탄소 이중결합을 갖는 고분자 물질을 혼합하였다.
제1 절연접착층(105) 상부의 점착층(110)만의 자외선 경화에 의한 택(Tack) 감소로는 릴(reel) 형태의 접착필름에 의한 박리가 어렵기 때문에 제1 절연접착층(105)도 자외선 경화 반응을 일으켜 상대적으로 박리성을 증가시키는 것이다.
본 발명에서 제1 절연접착층(105)에 첨가한 분자내 탄소-탄소 이중결합을 갖는 화합물은 보다 바람직하게는 고분자 형태가 바람직하다.
자외선 경화를 하더라고 올리고머나 모노머 형태의 저분자 화합물들은 접하고 있는 점착층(110)으로의 일부 전이가 발생하기 쉽고 전이 과정에 있는 화합물들이 자외선을 받으면 계면에서 경화가 이루어져 거꾸로 자외선 조사 후에 박리성이 상당히 나빠진다.
따라서 본 발명에서는 제1 절연접착층(105)에 첨가하는 자외선 경화형 화합 물로 고분자 측쇄에 탄소-탄소 이중결합을 도입한 형태인 고분자 형태의 화합물을 첨가하였다.
본 발명에서 사용한 고분자 형태의 자외선 경화형 화합물은 분자량이 100,000 ~ 1,000,000 사이이며 공중합한 고분자 바인더 측쇄에 탄소 탄소 이중 결합을 갖는 저분자 물질로 이소시아네이트기가 말단에 도입된 저분자 물질을 사용하여 우레탄 반응으로 측쇄에 부가 반응시킨 점착 바인더이다.
첨가하는 함량은 접착층의 주 구성 성분인 아크릴 수지, 에폭시 수지, 경화촉진제를 합한 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부를 혼합하였다.
혼합하는 양이 0.1 중량부 이하이면 자외선 경화 반응을 하지 않으므로 택(tack) 저하가 크지 않아 점착층(110)과 제1 절연접착층(105) 간의 박리성이 개선되지 않으며, 혼합하는 양이 10 중량부 이상이면 제1 절연접착층(105) 자체의 칩간 접착력의 저하를 가져온다.
자외선 경화형 화합물을 혼합하였으므로 자외선 조사시 라디칼 경화 반응을 일으킬 수 있는 광개시제를 혼합해야 한다.
첨가하는 광개시제는 자외선 경화형 혼합물 100중량부 대비 0.1 내지 5중량부를 혼합한다.
자외선 조사에 의한 제1 절연접착층(105)과 점착층(110) 계면의 180도 평균 박리력이 0.01N/25mm 이하의 값을 가진다.
제1 절연접착층(105)의 코팅 방식도 점착층(110)과 마찬가지로 균일한 도막 두께를 형성시킬 수 있는 것이면 특별한 제한은 없다.
제1 절연접착층(105)의 코팅두께는 1 내지 100 ㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛이 좋은데, 2㎛ 이하의 두께에서는 칩 상하간 적합한 접착력을 나타내지 못하고, 30㎛ 이상의 두께는 경박단소화의 반도체 패키징 경향에 배치되며, 고두께일수록 칩과 칩, 칩과 기판 사이를 접착할 때 두께 균일도를 맞추기가 어려워 액상 접착제를 사용할 때와 같은 필레(Fillet) 현상이 발생하게 되어 패키징시 신뢰성에 문제를 유발시킬 우려가 있다.
<제2 접착층>
본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프 중 제2 (절연)접착층(120)에 대하여 설명한다.
제2 절연접착층(120)은 웨이퍼 표면과 직접 접착하는 접착층으로 WSP의 경우에는 범프 등이 형성된 요철이 큰 표면을 가진 웨이퍼 표면을 보이드 없이 라미네이션 해야 하며 이 이후 다이 어태치를 통해 칩 상하간을 강하게 접착시켜야 한다.
즉, 상기 제2 절연접착층(120)은 최종적으로 칩 상하 간을 부착시키는 접착제로 사용하므로 반도체 패키징 수준의 신뢰성을 만족하기 위한 물성을 가져야 하는 동시에 패키징을 하기 위한 공정성, 즉 마운팅 공정시 요철이 포함된 웨이퍼면을 보이드 없이 충진시켜 다이싱 공정시 칩핑(Chipping)이나 칩 크랙을 방지하고 다이 어태치 이후에도 스웰링(Swelling)등으로 인한 신뢰도 저하를 발생시키지 않는다.
제2 절연접착층(120)은 통상 60℃ 근처의 온도에서 회로가 설계된 범프 형성 웨이퍼의 표면에 부착된다.
제2 절연접착층(120)은 60℃에서의 저장 탄성율이 0.1 MPa 이상 10MPa 이하여야 한다.
제2 절연접착층(120)이 60℃에서 저장탄성율이 0.1MPa 미만인 경우에는 유동성이 너무 커 접착층의 휠렛(Fillet) 등이 발생할 우려가 있고 10MPa 초과인 경우에는 마운팅 온도인 60℃에서 접착층이 범프가 형성된 굴곡면을 충분히 충진하기에 알맞은 유동성 및 점도를 갖지 못하기 때문이다.
본 발명에서의 제2 절연접착층(120)의 조성물은 제1 절연접착층(105)의 조성물과 크게 다르지 않다.
제1 절연접착층(105)과 마찬가지로 필름 형성능을 갖는 고분자량의 아크릴 수지와 경화부인 에폭시 수지의 혼합 형태로 구성하였다.
다만 제1 절연접착층(105)에서와 같은 자외선 경화형 폴리머 화합물 및 광개시제는 혼합하지 않는다.
제2 절연접착층(120)도 필름 형태의 접착제이기 때문에 접착력을 나타내는 경화부 이외에 필름형성능이 우수한 열가소성 수지를 사용하게 된다.
제1 절연접착층(105)의 조성물과 같이 제2 절연접착층(120)도 열가소성 수지로 아크릴 수지를 사용하였다.
아크릴계 수지는 아크릴산 에스테르나 메타크릴산 에스테르 및 아크릴로니트릴 등의 공중합체인 아크릴 고무 등이다.
에폭시 수지는 경화되어서 접착력을 나타내는 것이면 특별한 제한은 없으나, 경화반응을 하기 위해서는 관능기가 2 이상이어야 하므로, 비스페놀 A형 에폭시 수지나 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다.
또한 제2 절연접착층(120)에는 에폭시 수지를 경화시키기 위한 경화촉진제를 사용할 수 있는데, 경화촉진제로는 이미다졸계나 아민계, 페놀계 등을 사용할 수 있다. 이처럼 제2 절연접착층(120)은 바인더로 사용하는 아크릴 수지, 경화부로 사용하는 에폭시 수지 및 이에 반응하는 경화촉진제로 크게 구성되어지는데 제2 절연접착층(120)이 앞서서 언급한 60℃ 저장탄성율이 0.1MPa 이상 10MPa 이하의 값을 가지기 위해서는 바인더로 사용하는 아크릴 수지의 함량이 제2 절연접착층(120)의 조성물 중 아크릴 바인더를 제외한 나머지 조성물 100 중량부 대비 30 중량부 내지 70 중량부이면서 아크릴 수지의 유리전이 온도가 -20℃ 내지 20℃의 것이어야 한다.
아크릴 수지의 유리전이 온도가 -20℃ 내지 20℃의 것을 사용하여야 60℃의 마운팅 온도에서 범프 형성 굴곡부를 충분히 충진할 수 있는 유동성을 가지며 -20℃ 내지 20℃의 유리전이 온도를 가지는 바인더이더라도 아크릴 바인더를 제외한 나머지 조성물 100 중량부에 대하여 30 중량부 미만이면 바인더의 절대량이 부족하여 필름형성능도 부족해 필름상 접착제가 쉽게 깨져 롤상으로 권취하기 힘들며 70 중량부 초과인 경우에는 접착층 자체의 유동성이 너무 커 칩간 접착시 치수 안정성이 떨어지며 Fillet 등의 현상이 발생한다.
또한 제2 절연접착층(120)의 치수 안정 및 내열 특성 향상을 위해 실리카 등 의 무기 입자를 첨가할 수 있다.
특히 웨이퍼 표면과 접하는 제2 절연접착층(5)에는 웨이퍼와의 부착력을 증가시키기 위해 다양한 실란 커플링제를 1종 또는 2종 이상의 혼합으로 사용할 수 있다. 제2 절연접착층(120)의 코팅 방식도 점착층(110), 제1 절연접착층(105)과 마찬가지로 균일한 도막 두께를 형성시킬 수 있는 것이면 특별한 제한은 없다.
제2 절연접착층(120)의 코팅두께는 1 내지 100 ㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 30 ㎛이 좋은데, 2 ㎛ 이하의 두께에서는 칩 상하간 적합한 접착력을 나타내지 못하고, 30 ㎛ 이상의 두께는 경박단소화의 반도체 패키징 경향에 배치되므로 적용하는데 유리하지 않다.
<보호필름>
본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프에 있어서 보호필름(6)에 대하여 설명한다.
본 발명에 사용한 보호필름(130)은 최외곽 제2 절연접착층(120)을 외부 이물이나 충격으로부터 보호할 수 있는 것이면 어떤 것이든 가능하다.
일반적으로는 최외곽 제2 절연접착층(120)을 코팅하기 위한 주행필름으로 사용하는 필름을 주로 사용한다.
반도체 패키징 공정 중에는 최외곽 보호 필름을 제거하여 공정을 진행하므로 제거가 용이한 필름을 사용하는데 일반적으로 가장 많이 사용하는 것이 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 사용한다.
보호필름(130)은 또한 이형성을 더 부여하기 위해서 표면을 폴리디메틸실록산이나 플루오린계 이형제 등으로 개질시킨 것을 사용할 수도 있다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여, 상기에서 설명한 본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프를 이용한 반도체 소자의 제조방법에 대해서 설명하기로 한다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프를 이용한 반도체 소자의 제조방법의 제1 실시예 설명하기 위한 공정단면도들이다.
이하의 설명에 있어서, 각 도면에서 상기에서 설명한 것과 동일한 요소에 대해서는 동일부호를 붙이고 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2a에 도시된 바와 같이 본 발명의 복합기능 테이프는 기재필름(100)에 점착층(110), 제1 접착층(105), 제2 접착층(120)이 적층되어 있으며, 보호필름(도 1은 130 참조)은 제거된 상태로 사용된다.
또한, 웨이퍼(200)에는 복수개의 반도체소자가 형성되어 있으며, 이들 반도체 소자에는 범퍼(볼록금속부; 210)가 형성되어 있다.
다음으로, 복합기능 테이프를 웨이퍼(200)의 회로 형성 면에 접합시키는데, 구체적으로 범퍼(210)부가 제1 접착층(105) 및 제2 접착층(120)에 매립되는 방식으로 복합기능 테이프를 웨이퍼(200)에 접합시킨다.(도 2b 참조)
이때 접합력을 크게 해주고 보이드의 발생을 억제해주기 위해 소정의 온도에서 가열해주어도 무방하다.
다음으로, 웨이퍼(200)의 이면을 점선으로 나타낸 깊이까지 연삭가공한 다.(도 2c 참조)
다음으로, 웨이퍼(200)의 연삭된 면에 다이싱용 점착테이프(203)을 접합시킨다.(도 2d 참조), 그 후 웨이퍼(200)에 형성된 복수개의 반도체 소자를 각각의 칩으로 다이싱 한다.(도 2e 참조), 이때 다이싱용 점착테이프(203)는 자외선 경화형 점착층(204)이 형성되어 있다.
다이싱은 블레이드 다이싱 및 레이저 다이싱을 할 수 있는데, 블레이드 다이싱이든 레이저 다이싱이든 열이 발생하고 발생된 열을 제거하기 위하여 다량의 물을 분사시키기 때문에 제1 접착층(105)과 제2 접착층(120)은 열에 의한 고착이 발생하지 않으며, 또한 제1 접착층(105)과 제2 접착층(120)은 수분흡수율도 낮으므로 수분에 의한 영향을 거의 받지 아니한다.
다음으로, 자외선을 조사하여 점착층(110, 204)를 경화시키고, 다이싱 된 칩들의 이격간격을 늘려주어 픽업을 용이하게 해주기 위해 익스팬딩(expanding) 하는 공정을 실시해 준다(도 2f 참조).
마지막으로, 다이싱 테이프(203)를 제거하고, 복합기능 테이프에서 기재필름(100)과 점착층(110) 부분을 제거해 주고, 제1 접착층(105)과 제2 접착층(120)을 가지는 칩을 픽업(pick up) 해주게 된다.(도 2g 참조)
이때 제1 접착제층(105)과 제2 접착제층(120)은 다이본드공정에서 접착제로서 사용되며 이러한 방식으로 반도체 패키징 공정을 실시하여 반도체 소자를 제조하게 된다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프를 이용한 반도체 소자의 제조방법의 제2 실시예 설명하기 위한 공정단면도들이다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 상기와 동일한 복합기능 테이프가 준비되고, 범퍼(210)가 형성된 웨이퍼(200)가 준비된다.
이후 복합기능 테이프를 웨이퍼(200)의 회로형성면에 접합시키고(도 3b), 웨이퍼(200)의 이면을 점선의 깊이만큼 연삭가공한다(도 3c).
다음으로, 별도의 다이싱 테이프를 사용하지 않고 복합기능 테이프를 사용하여 다이싱 공정을 수행하여 웨이퍼(200)에 형성된 복수개의 반도체 소자를 각각의 칩으로 분리시켜 준다.(도 3d)
다음으로, 자외선을 조사하여 점착층(110, 204)를 경화시키고, 다이싱 된 칩들의 이격간격을 늘려주어 픽업을 용이하게 해주기 위해 익스팬딩(expanding) 하는 공정을 실시해 준다(도 3e 참조).
마지막으로, 복합기능 테이프에서 제1 접착층(105)과 제2 접착층(120)이 붙여진 채로 칩을 픽업(pick up) 해주게 된다.(도 3f 참조)
이때 제1 접착제층(105)과 제2 접착제층(120)은 다이본드공정에서 접착제로서 사용되며 이러한 방식으로 반도체 패키징 공정을 실시하여 반도체 소자를 제조하게 된다.
도 3a 내지 도 3f의 경우엔 하나의 복합기능 테이프를 이용하여 이면연삭공정, 다이싱공정, 및 다이 어태칭 공정을 동시에 수행하고 있음을 알 수 있다.
이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 상세하게 설명하고자 하나 하기의 실시 예는 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다.
<실시예 1>
1. (점착층, A-1 제조)
2L용량의 4구 플라스크에 에틸아세테이트 220g, 톨루엔 150g을 먼저 넣고, 환류냉각기, 온도계, 드롭핑 판넬을 설치하였다.
플라스크 용액 온도를 60℃로 올린 후 메틸메타크릴레이트 112g, 부틸아크릴레이트모노머 75g, 2-에틸헥실아크릴레이트 187g, 2하이드록시에틸메타크릴레이트 120g, 아크릴산 30g을 벤조일퍼옥사이드 2.0g의 혼합액을 드롭핑 판넬을 사용하여 90℃에서 3시간 동안 적하 하였다.
적하 시 교반 속도는 250rpm으로 하였으며, 적하 종료 후 동 온도에서 3시간 동안 반응물을 숙성시킨 후, 다아조비스이소부틸로나이트릴 1.0g을 투입한 후 5시간 동안 유지하여 중합을 완료하였다.
제조된 고분자 바인더 수지에 이소시아노에틸메타크릴레이트 (Isocyanoethylmethacrylate) 15g을 투입하고 상온에서 24시간 반응시켜 내재형 점착 바인더(CA-100)를 제조하였다.
제조한 점착 바인더(CA-100)의 점도는 8000cps, 고형분의 함량은 40%로 보정하였다.
40% 고형분의 중량평균분자량 40만인 상기 점착 바인더(CA-100) 100g에 대하여 2g의 폴리이소시아네이트 경화제 AK-75(애경화학)와 1g의 IC-184(Ciba-Geigy사) 를 첨가하여 자외선 경화형 점착 조성물을 제조하였다.
제조된 자외선 경화형 점착 조성물을 38마이크론의 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 편면에 어플리케이터를 사용하여 10 마이크론의 두께로 코팅하여 80℃ 2분간 건조시킨 후에 100 마이크론 PO 필름(OD-100, Riken Technos사)에 60℃의 온도에서 라미네이션 후 40℃ 오븐에서 3일간 Aging을 실시하여 점착층 A-1을 제조하였다.
2. (제1 절연접착층, B-1 제조)
아크릴 수지 WS-023(수산기값 혹은 산가 20 mgKOH/g, Tg -5℃, 평균분자량 500,000, 수산기 혹은 카르복시기 함유량 20, 나가세켐텍사) 260g, 크레졸 노볼락계로 이루어진 에폭시 수지 YDCN-500-4P(분자량 10,000이하, 국도화학사) 120g, 크레졸 노볼락계 경화제 MEH-7800SS(메이와플라스틱산업) 40g, 이미다졸계 경화촉매 2P4MZ(시코쿠화학사) 0.1g, 머켑토 실란커플링제 KBM-803(신네츠사) 0.5g, 에폭시 실란커플링제KBM-303(신네츠사) 0.5g 및 무정형 실리카 충진제 OX-50 (Degussa) 20g, 내재형 점착 바인더 CA-100 8g, 0.1g의 IC-184(Ciba-Geigy사)를 혼합한 후, 500rpm에서 2시간 정도 1차 분산시킨 후 밀링을 실시하였다.
밀링이 완료된 후 38마이크론의 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 편면에 어플리케이터를 사용하여 10 마이크론의 두께로 코팅하여 80℃ 2분간 건조시킨 후에 38마이크론 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)에 80℃의 온도에서 라미네이션 후 25℃ 상온에서 3일간 Aging을 실시하여 제1 절연접착층 B-1을 제조하였다
3. (제2 절연접착층, C-1 제조)
아크릴 수지 SG-80H(중량평균분자량 350,000, 유리전이 온도 7.5℃, 나가세켐텍사) 150g, 크레졸 노볼락계로 이루어진 에폭시 수지 YDCN-500-90P(분자량 10,000이하, 국도화학사) 150g, 크레졸 노볼락계 경화제 MEH-7800SS(메이와플라스틱산업) 20g, 이미다졸계 경화촉매 2P4MZ(시코쿠화학사) 0.2g, 에폭시 실란커플링제KBM-303(신네츠사) 0.4g 및 무정형 실리카 충진제 OX-50 (Degussa) 40g을 혼합한 후, 500rpm에서 2시간 정도 1차 분산시킨 후 밀링을 실시하였다.
밀링이 완료된 후 38마이크론의 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 편면에 어플리케이터를 사용하여 10 마이크론의 두께로 코팅하여 80℃ 2분간 건조시킨 후에 38마이크론 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)에 80℃의 온도에서 라미네이션 후 25℃ 상온에서 3일간 Aging을 실시하여 제2 절연접착층 C-1을 제조하였다
4. (접착필름, D-1 제조)
상기 제조된 점착층 A-1, 제1 절연접착층(B-1), 제2 절연접착층(C-1)을 라미네이터(laminator)를 사용하여 차례로 적층시켜 접착필름 D-1을 제조하였다.
< 비교예 1>
1. 점착층, a-1 제조
유리전이 온도 -50℃, 중량평균 분자량 60만의 아크릴 점착 바인더 AT- 4842(삼원화학) 100g에 6관능 우레탄아크릴레이트로 U-324A(신나카무라사) 80g을 혼합하고 1g의 폴리이소시아네이트 경화제 L-45(일본폴리우레탄사)와 1.2g의 IC-184(Ciba-Geigy사)를 첨가하여 자외선 경화형 점착 조성물을 제조하였다. 제조된 자외선 경화형 점착 조성물을 38마이크론의 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 편면에 어플리케이터를 사용하여 10 마이크론의 두께로 코팅하여 80℃ 2분간 건조시킨 후에 100 마이크론 PO 필름(OD-100, Riken Technos사)에 60℃의 온도에서 라미네이션 후 40℃ 오븐에서 3일간 Aging을 실시하여 점착층 a-1을 제조하였다.
점착층 a-1를 제외하고는 제1접착필름 B-1, 제2 접착필름 C-1은 실시예 1과 동일한 방법에 의해 제조하여 이들을 적층하여 접착필름 d-1을 제조하였다
<비교예 2>
상기 실시예에서 제1 접착층을 제조함에 있어서, 자외선 경화제(광개시제)인 IC-184를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하다.
<비교예 3>
1. 제2 절연접착층, c-1 제조
아크릴 수지 KLS-1045(중량평균분자량 750,000, 유리전이 온도 30℃, 후지쿠라사) 150g, 크레졸 노볼락계로 이루어진 에폭시 수지 YDCN-500-90P(분자량 10,000이하, 국도화학사) 150g, 크레졸 노볼락계 경화제 MEH-7800SS(메이와플라스틱산업) 20g, 이미다졸계 경화촉매 2P4MZ(시코쿠화학사) 0.2g, 에폭시 실란커플링제KBM- 303(신네츠사) 0.4g 및 무정형 실리카 충진제 OX-50 (Degussa) 40g을 혼합한 후, 500rpm에서 2시간 정도 1차 분산시킨 후 밀링을 실시하였다.
밀링이 완료된 후 38마이크론의 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 편면에 어플리케이터를 사용하여 10 마이크론의 두께로 코팅하여 80℃ 2분간 건조시킨 후에 38마이크론 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)에 80℃의 온도에서 라미네이션 후 25℃ 상온에서 3일간 Aging을 실시하여 제2 절연접착층 c-1을 제조하였다
제2 절연접착층 c-1을 제외하고는 점착층 A-1, 제1 접착필름 B-1은 실시예 1과 동일한 방법에 의해 제조하여 이들을 적층하여 접착필름 d-3를 제조하였다.
<비교예 4>
1. 단일접착층, c-2 제조
아크릴 수지 WS-023(수산기값 혹은 산가 20 mgKOH/g, Tg -5℃, 평균분자량 500,000, 수산기 혹은 카르복시기 함유량 20, 나가세켐텍사) 150g, 크레졸 노볼락계로 이루어진 에폭시 수지 YDCN-500-90P(분자량 10,000이하, 국도화학사) 150g, 크레졸 노볼락계 경화제 MEH-7800SS(메이와플라스틱산업) 20g, 이미다졸계 경화촉매 2P4MZ(시코쿠화학사) 0.2g, 에폭시 실란커플링제KBM-303(신네츠사) 0.4g 및 무정형 실리카 충진제 OX-50 (Degussa) 40g을 혼합한 후, 500rpm에서 2시간 정도 1차 분산시킨 후 밀링을 실시하였다.
밀링이 완료된 후 38마이크론의 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)의 편면 에 어플리케이터를 사용하여 20 마이크론의 두께로 코팅하여 80℃ 2분간 건조시킨 후에 38마이크론 PET 이형필름(SRD-T38, 새한미디어)에 80℃의 온도에서 라미네이션 후 25℃ 상온에서 3일간 Aging을 실시하여 단일 접착층 c-2을 제조하였다.
단일 접착층 c-2를 제외하고는 점착층 A-1은 실시예 1과 동일한 방법에 의해 제조하여 이들을 적층하여 접착필름 d-4를 제조하였다.
실시예1, 비교예1~4을 통해 제조된 접착필름 D1, d1, d2, d3, d4의 물성 평가는 다음과 같은 방법으로 진행하였다.
<접착필름의 물성 시험>
① 웨이퍼의 이면 연삭성
실시예 및 비교예에 의해서 얻어진 접착필름을 Back-Lap 설비를 사용하여 720미크론 웨이퍼에 마운팅 후 80미크론까지 백그라인딩까지 진행한 후 하기와 같이 판단한다.
웨이퍼의 파손 및 마이크로크랙의 발생이 없다 (○)
웨이퍼의 파손 및 마이크로크랙의 발생이 있다 (X)
② 점착층-제1 절연접착층간의 180도 평균 박리력 측정(UV 경화 전 후)
점착층-제1 절연접착층간 180도 박리력은 JIS Z0237 규격에 의거하여 측정한 다.
실시예 및 비교예에 의해서 얻어진 접착필름 시료를 UV 조사한 후 25mm*150mm 크기로 절단한다.
절단된 각 시료의 점착층과 제1 절연접착층 계면을 핀셋을 이용하여 박리한 후 박리된 부분을 인장시험 측정기(Instron Series lX/s Automated materials Tester-3343)를 사용하여 10N Load Cell에서 상하 지그에 물리고 인장속도 300mm/min의 속도로 박리하여 박리 시 필요한 하중을 측정하였다.
UV 조사는 DS-MUV128-S1(대성엔지니어링)를 이용하여 70W/cm의 조도를 가진 고압수은등에서 3초간 조사하여 노광량 300mJ/cm2으로 조사하였으며 샘플은 UV 조사 전후로 5개씩 측정하여 평균값을 측정하였다.
③ 점착층과 기재필름의 박리성
실시예 및 비교예에 의해서 얻어진 접착필름을 보호필름을 제거한 후에 60℃로 8인치 웨이퍼의 한쪽면에 Aaron사 Mounter AR-08WM을 이용하여 마운팅한다.
접착필름이 부착되어 있는 웨이퍼의 기재필름면에 아크릴 접착 테이프(서통 OPP Tape)를 폭 25mm 길이는 300mm로 하여 열 압착시킨다. (접착 테이프의 300mm 중 200mm만 압착이 이루어진다).
DS-MUV128-S1(대성엔지니어링)를 이용하여 70W/cm의 조도를 가진 고압수은등에서 3초간 조사하여 노광량 300mJ/cm2으로 UV 조사한다.
인장시험 측정기(Instron Series lX/s Automated materials Tester-3343)를 사용하여 10N Load Cell에서 상하 지그에 웨이퍼와 접착테이프를 물리고 인장속도 1500mm/min을 이용하여 박리한다. 박리후 제1 절연접착층(4)의 뜯김상태나 탈리 상태를 관찰한다.
제1 절연접착층의 뜯김, 탈리, 늘어남이 없다 ○
제1 절연접착층의 뜯김, 탈리, 늘어남이 있다 X
④ Mounting Void, Chipping, Chip Crack
실시예 및 비교예를 통해 얻어진 접착필름을 Aaron사 Mounter AR-08WM을 사용하여 범프가 형성된 8인치 80㎛의 웨이퍼의 표면에 60℃로 열 압착 시킨 후 광학 현미경 Nikon사 ME600L을 통해 표면의 Void 상태를 관찰한다.
또한 마운팅 완료된 웨이퍼를 DFD-650(Disco사)을 이용하여 크기 10.0mm * 10.0mm의 크기로 다이싱하여 100개의 칩들의 표면 및 단면을 관찰하여 칩핑 및 칩 크랙을 관찰한다.
Void, Chipping, Chip Crack 등이 없다 (○)
Void, Chipping, Chip Crack 등이 있다 (X)
⑤ 저장 탄성율
실시예 및 비교예를 통해 얻어진 접착필름 중 제2 절연접착층을 두께 200um으로 만든 후 7mm * 14mm로 만든 다음 DMA Q800(TA Instrument)을 사용하여 -10℃ ~ 150℃로 승온속도 4℃/min으로 증가시키면서 탄성율을 측정한다. 본 발명에서는 60℃의 Data를 취한다.
⑥ 칩간 접착력(Die Shear Strength)
이산화 막으로 코팅되어있는 두께 525um 웨이퍼를 하기의 그림과 같이 5mm x 5mm 크기로 자른 뒤 제1 절연접착층 및 제2 절연접착층만 60℃ 조건에서 라미네이션(Lamination)하고 접착부분만 남기고 절단하였다.
온도가 120℃인 열판 위에 두께가 525um이고 크기가 10mm x 10mm 인 웨이퍼를 놓고 그 위에 접착제가 라미네이션된 웨이퍼 조각을 붙인 뒤 20초 동안 500gf의 힘으로 압착한 뒤 125℃에서 2시간경화 한 뒤 175℃에서 4시간 동안 완전 경화하였다.
측정방법은 250℃에서 100um/sec속도로 전단강도를 전단강도 측정기 Dage-100을 이용하여 측정하였다.
표 1은 상기의 실시예 및 비교예들에 대한 물성측정 결과를 나타낸다.
Figure 112008018859193-pat00001
표 1을 참조하면, 실시예에 의한 발명은 점착층은 박리성을 개선하기 위해 내재형 점착 바인더를 사용하며 접착층은 두 층으로 하여 제1 절연접착층은 접착층내에 자외선 경화형 고분자 물질을 혼합하여 점착층과의 자외선 조사 후 박리력이 0.1N/25mm 이하로 백그라인딩 완료 후 릴(reel) 형태의 접착 테이프에 의해서 쉽게 박리됨을 알 수 있다.
제2 절연접착층은 유리전이온도가 -20℃에서 20℃ 사이인 아크릴 바인더를 사용했으므로 60℃ 저장 탄성율이 3.2MPa로 마운팅 보이드, 칩핑, 칩 크랙등이 발생하지 않았다.
실시예에 의한 칩 접착시 칩간 전단강도는 대략 12Kgf 정도이다.
반면에 자외선 경화형 점착층을 내재형 바인더가 아닌 혼합형태로 구성한 비교예 1은 점착층과 제1 절연접착층의 자외선 조사 후 박리력이 0.87N/25mm로 백그라인딩 완료 후 릴(reel) 형태의 접착 테이프에 의해서 박리되지 않고 필름이 찢어지는 현상이 나타난다.
비교예 2는 점착층, 제2 절연접착층은 실시예와 동일하며 제1 절연접착이 자외선 경화형 화합물을 혼합하지 않은 형태이다.
이 경우 점착층과 제1 절연접착층의 자외선 조사 후 박리력이 0.18N/25mm로 자외선 조사 후 박리력이 감소하지만 백그라인딩 완료 후 릴(reel) 형태의 접착 테이프에 의해서 박리될 정도의 박리력은 아니므로 박리시 제1 절연접착층의 표면이 들뜨는 현상이 나타난다.
비교예 3은 점착층, 제1 절연접착층은 실시예와 동일하게 하며 제2 절연접착층의 사용 바인더가 유리전이온도가 30℃인 바인더를 사용하였다.
이 경우 60℃에서의 저장탄성율이 22.8MPa로 범프가 형성된 웨이퍼 굴곡면을 모두 충진하지 못한다. 따라서 보이드가 생기고 보이드가 생긴 부위에서 다이싱 작업시 칩핑과 칩 크랙이 발생한다.
마지막으로 비교예4는 접착층이 두층이 아닌 단일 접착층 사용하였으나 자외선 조사 후 접착층과 점착층 사이의 박리력이 0.20N/25mm로 릴(reel) 형태의 접착 테이프에 의해서 박리되지 않는다.
이상의 결과로서 본 발명은 기재필름, 점착층, 제1 절연접착층, 제2 절연접착층, 보호필름으로 구성된 반도체 패키지용 복합기능 테이프로 점착층은 고분자 점착 바인더 측쇄에 자외선 경화가 가능한 탄소-탄소 이중결합이 도입한 형태의 점착 바인더로 이루어지고 제1 절연접착층은 자외선에 반응하여 경화 가능한 분자내 탄소-탄소 이중결합을 갖는 고분자 물질을 아크릴 수지, 에폭시 수지, 경화촉진제를 합한 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부 혼합하여 이루어졌으며 자외선 조사 후 점착층과의 180도 평균 박리력이 0.1N/25mm 이하이다.
제2 절연접착층은 아크릴 수지가 아크릴 수지를 제외한 나머지 조성물 100 중량부 대비 30 중량부 내지 70 중량부이면서 아크릴 수지의 유리전이 온도는 -20℃ 내지 20℃로 이들 성분으로 구성된 접착필름은 반도체 패키지용으로 사용되며 특히 이면 연삭 공정과 다이 어태치 공정을 동시에 진행하는 것이 특징이다.
이상 첨부된 도면 및 표를 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 패키지용 복합기능 테이프를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2h는 본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프를 이용한 반도체 소자의 제조방법의 제1 실시예 설명하기 위한 공정단면도들이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 반도체 패키지용 복합기능 테이프를 이용한 반도체 소자의 제조방법의 제2 실시예 설명하기 위한 공정단면도들이다.

Claims (12)

  1. 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하는 테이프로서,
    상기 테이프는 복수개의 소자가 형성된 반도체 기판의 소자 형성면에 접착된 상태로 상기 반도체 기판의 소자 형성면의 반대면을 연삭하는 공정을 수행하고, 이후 연삭된 반도체 기판면에 자외선 경화형 점착층이 형성된 다이싱 테이프를 붙여 상기 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱 하는 공정을 수행하고, 다이싱 공정에 의해 분리된 각각의 칩은 상기 제1 접착층과 제2 접착층이 접착된 상태로 픽업(pick up) 되어 다이 어태칭(die attaching) 되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 복합기능 테이프.
  2. 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하는 테이프로서,
    상기 테이프는 복수개의 소자가 형성된 반도체 기판의 소자 형성면에 접착된 상태로 상기 반도체 기판의 소자 형성면의 반대면을 연삭하는 공정과 상기 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱 하는 공정을 수행할 수 있고, 다이싱 공정에 의해 분리된 각각의 칩은 상기 제1 접착층과 제2 접착층이 접착된 상태로 픽업(pick up) 되어 다이 어태칭(die attaching) 되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 복합 기능 테이프.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 접착층은 상기 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층에 자외선 조사 후 상기 기재필름의 일면에 형성된 점착층-제2 접착층과의 박리성을 개선하기 위해 게재되며 자외선 경화물질을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 복합기능 테이프.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 접착층은 자외선에 조사 후 상기 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층과의 180도 평균박리력이 0.1N/25mm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 복합기능 테이프.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 접착층과 제2 접착층은 열경화형인 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 복합기능 테이프.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 접착층은 60℃ 저장탄성율이 0.1~10MPa의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키징용 복합기능 테이프.
  7. 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하는 복합기능 테이프를 범퍼가 형성된 반도체 기판에 접합시키는 공정;
    상기 반도체 기판의 이면을 연삭하는 공정;
    상기 연삭된 반도체 기판의 면에 다이싱 테이프를 접합시키는 공정;
    상기 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱하는 공정;
    다이싱 테이프를 제거하고 상기 칩을 상기 제1 접착층과 제2 접착층과 결합된 상태로 픽업하는 공정; 및
    픽업된 상기 칩을 상기 제1 접착층 및 제2 접착층을 이용하여 다이 어태칭하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  8. 기재필름의 일면에 형성된 자외선 경화형 점착층, 상기 점착층 상에 형성되는 제1 접착층, 및 제2 접착층을 포함하는 복합기능 테이프를 범퍼가 형성된 반도체 기판에 접합시키는 공정;
    상기 반도체 기판의 이면을 연삭하는 공정;
    상기 반도체 기판을 각각의 칩으로 다이싱하는 공정;
    다이싱 된 상기 칩을 상기 제1 접착층과 제2 접착층과 결합된 상태로 픽업하는 공정; 및
    픽업된 상기 칩을 상기 제1 접착층 및 제2 접착층을 이용하여 다이 어태칭하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 다이싱 공정 후, 픽업공정 이전에 상기 복합기능 테이프 및 다이싱 테이프에 자외선을 조사하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 다이싱 공정 후, 픽업공정 이전에 상기 복합기능 테이프에 자외선을 조사하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 픽업공정 수행 전에 상기 다이싱 테이프를 익스팬딩(expanding) 해주어 다이싱된 상기 각각의 칩 간격을 늘려주는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 픽업공정 수행 전에 상기 복합기능 테이프를 익스팬딩(expanding) 해주어 다이싱된 상기 각각의 칩 간격을 늘려주는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
KR1020080024027A 2008-03-14 2008-03-14 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 KR100963675B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080024027A KR100963675B1 (ko) 2008-03-14 2008-03-14 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
TW098108220A TWI405272B (zh) 2008-03-14 2009-03-13 用於半導體封裝體之多功能膠帶及利用該膠帶製造半導體裝置之方法
PCT/KR2009/001264 WO2009113831A2 (ko) 2008-03-14 2009-03-13 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
CN2009801090229A CN101971311B (zh) 2008-03-14 2009-03-13 半导体封装用多功能胶带和用该胶带制造半导体元件的方法
JP2010550605A JP5436461B2 (ja) 2008-03-14 2009-03-13 半導体パッケージ用複合機能テープ及びこれを用いた半導体素子の製造方法
US12/881,577 US8309219B2 (en) 2008-03-14 2010-09-14 Multi-function tape for a semiconductor package and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080024027A KR100963675B1 (ko) 2008-03-14 2008-03-14 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090098563A KR20090098563A (ko) 2009-09-17
KR100963675B1 true KR100963675B1 (ko) 2010-06-15

Family

ID=41065679

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080024027A KR100963675B1 (ko) 2008-03-14 2008-03-14 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8309219B2 (ko)
JP (1) JP5436461B2 (ko)
KR (1) KR100963675B1 (ko)
CN (1) CN101971311B (ko)
TW (1) TWI405272B (ko)
WO (1) WO2009113831A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210101588A (ko) 2020-02-10 2021-08-19 주식회사 나노인 기판의 구조충진을 위한 가역적 코팅 방법 및 봉지 방법

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
JP6041463B2 (ja) * 2009-12-25 2016-12-07 デクセリアルズ株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた接合体の製造方法、並びに接合体
KR101033045B1 (ko) * 2009-12-30 2011-05-09 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름
JP2012033637A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP5385247B2 (ja) * 2010-12-03 2014-01-08 信越化学工業株式会社 ウエハモールド材及び半導体装置の製造方法
JP5957794B2 (ja) * 2011-01-26 2016-07-27 日立化成株式会社 積層シート及び半導体装置の製造方法
JP5666335B2 (ja) 2011-02-15 2015-02-12 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5889625B2 (ja) * 2011-12-16 2016-03-22 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
US8975157B2 (en) 2012-02-08 2015-03-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer
JP5965185B2 (ja) * 2012-03-30 2016-08-03 デクセリアルズ株式会社 回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法
EP2657963B1 (en) * 2012-04-24 2017-09-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer-trilayer adhesive layer-support composite, wafer support with trilayer adhesive layer for use in wafer processing, trilayer adhesive layer for use in wafer processing, method of manufacturing said composite and method of manufacturing a thin wafer using said composite
JP6059631B2 (ja) * 2012-11-30 2017-01-11 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9330993B2 (en) * 2012-12-20 2016-05-03 Intel Corporation Methods of promoting adhesion between underfill and conductive bumps and structures formed thereby
JP2014154704A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Hitachi Chemical Co Ltd ダイシング・ダイボンディング一体型テープ
US20150147850A1 (en) * 2013-11-25 2015-05-28 Infineon Technologies Ag Methods for processing a semiconductor workpiece
KR101414393B1 (ko) 2014-01-09 2014-07-10 주식회사 이녹스 다이싱 다이 어태치 필름 및 그 제조 방법
JP6334197B2 (ja) * 2014-02-25 2018-05-30 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート、保護膜付きチップ、及び保護膜付きチップの製造方法
US20150371916A1 (en) * 2014-06-23 2015-12-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pre-applied underfill
JP2015092594A (ja) * 2014-12-10 2015-05-14 日東電工株式会社 保護層形成用フィルム
JP6524972B2 (ja) * 2015-09-28 2019-06-05 Jsr株式会社 対象物の処理方法、仮固定用組成物、半導体装置及びその製造方法
KR102619466B1 (ko) * 2016-06-13 2024-01-02 삼성전자주식회사 팬 아웃 패널 레벨 패키지의 제조 방법 및 그에 사용되는 캐리어 테이프 필름
GB2551732B (en) * 2016-06-28 2020-05-27 Disco Corp Method of processing wafer
KR101676025B1 (ko) * 2016-06-30 2016-11-15 (주) 화인테크놀리지 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트
WO2018113341A1 (en) * 2016-12-23 2018-06-28 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Housing assembly for terminal, terminal and mobile phone
KR102494902B1 (ko) * 2017-02-02 2023-02-01 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 전자 부품의 제조 방법, 가보호용 수지 조성물 및 가보호용 수지 필름
KR102465139B1 (ko) * 2017-12-14 2022-11-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102187162B1 (ko) 2017-12-14 2020-12-04 주식회사 엘지화학 금속 박막 코팅용 열경화성 수지 조성물 및 이를 이용한 금속 적층체
WO2020110785A1 (ja) * 2018-11-29 2020-06-04 日立化成株式会社 半導体用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法
KR20210107031A (ko) * 2018-12-28 2021-08-31 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 광경화성 점착제의 평가 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 필름과 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2020174529A1 (ja) * 2019-02-25 2020-09-03 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法
US10991621B2 (en) * 2019-08-05 2021-04-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die singulation
CN111226313A (zh) * 2020-01-07 2020-06-02 长江存储科技有限责任公司 用于多晶圆堆叠和切割的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000007964A (ko) * 1998-07-09 2000-02-07 이효범 접착 사용이 편리한 양면점착 테이프
KR20020063673A (ko) * 2001-01-30 2002-08-05 삼성전자 주식회사 경화형 웨이퍼 실장 테이프를 이용한 플립 칩 패키지제조방법
KR20040081038A (ko) * 2003-03-11 2004-09-20 가부시기가이샤 디스코 반도체 웨이퍼의 분할방법

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2665383B2 (ja) * 1989-11-09 1997-10-22 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JPH04196246A (ja) * 1990-11-27 1992-07-16 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
US6007920A (en) * 1996-01-22 1999-12-28 Texas Instruments Japan, Ltd. Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3535318B2 (ja) * 1996-09-30 2004-06-07 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6174578B1 (en) * 1997-10-24 2001-01-16 Rexam Industries Corp. Radiation deactivatable adhesive tape
EP0979852B1 (en) * 1998-08-10 2004-01-28 LINTEC Corporation A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
DE60015289T2 (de) * 1999-08-26 2006-02-02 Asahi Glass Co., Ltd. Phasenverschieber und damit ausgestatteter Optik-Kopf
JP4180206B2 (ja) * 1999-11-12 2008-11-12 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
CN1238458C (zh) * 2000-01-19 2006-01-25 日立化成工业株式会社 半导体用粘接膜、带有半导体用粘接膜的导线框及使用了该导线框的半导体装置
US6555908B1 (en) * 2000-02-10 2003-04-29 Epic Technologies, Inc. Compliant, solderable input/output bump structures
US6425971B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-30 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes
JP4042347B2 (ja) * 2001-05-18 2008-02-06 新科實業有限公司 磁気ヘッドスライダの浮上面形状加工方法及び磁気ヘッドスライダの製造方法
US6873059B2 (en) * 2001-11-13 2005-03-29 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with metal foil attachment film
TWI241674B (en) * 2001-11-30 2005-10-11 Disco Corp Manufacturing method of semiconductor chip
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP3838637B2 (ja) * 2002-06-10 2006-10-25 日東電工株式会社 ガラス基板ダイシング用粘着シートおよびガラス基板ダイシング方法
JP4169268B2 (ja) * 2002-09-13 2008-10-22 日東電工株式会社 被膜シートの製造方法、光学機能層、光学素子および画像表示装置
JP2004123963A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート
JP4364535B2 (ja) * 2003-03-27 2009-11-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP4171898B2 (ja) * 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
KR101204197B1 (ko) * 2003-06-06 2012-11-26 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착시트, 다이싱 테이프 일체형 접착시트 및 반도체장치의 제조방법
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP4405246B2 (ja) * 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
JP4614700B2 (ja) * 2004-07-08 2011-01-19 日東電工株式会社 ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP4776188B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
JP4794971B2 (ja) * 2005-03-23 2011-10-19 古河電気工業株式会社 ダイシングダイボンドシート
JP2006310846A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Ls Cable Ltd 半導体用ダイシングダイ接着フィルム
KR100593814B1 (ko) * 2005-12-06 2006-06-28 에이스 인더스트리 주식회사 반도체 다이본딩용 점착테이프
US7875501B2 (en) * 2006-03-15 2011-01-25 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Holding jig, semiconductor wafer grinding method, semiconductor wafer protecting structure and semiconductor wafer grinding method and semiconductor chip fabrication method using the structure
KR100669134B1 (ko) * 2006-05-08 2007-01-16 주식회사 이녹스 반도체 패키지용 접착필름
JP2007305679A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Furukawa Electric Co Ltd:The レーザーダイシング用ダイシングダイボンドシート
JP4874011B2 (ja) * 2006-06-23 2012-02-08 電気化学工業株式会社 粘着剤、粘着剤を用いた粘着シート、粘着シートを用いた多層粘着シート、及び多層粘着シートを用いた電子部品の製造方法。
KR101461243B1 (ko) * 2006-07-19 2014-11-12 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 다이싱·다이본딩 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법
KR100816881B1 (ko) * 2006-08-31 2008-03-26 한국화학연구원 다이싱 다이본드 필름
KR100831153B1 (ko) * 2006-10-26 2008-05-20 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름
US7910206B2 (en) * 2006-11-10 2011-03-22 Nitto Denko Corporation Self-rolling laminated sheet and self-rolling pressure-sensitive adhesive sheet
KR100844383B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
KR100934558B1 (ko) * 2007-10-08 2009-12-29 제일모직주식회사 실란커플링제와 선반응된 페놀형 경화수지를 포함하는반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이에 의한 접착 필름
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
KR20110010601A (ko) * 2008-03-31 2011-02-01 헨켈 코포레이션 다중층 ｕｖ-경화성 접착 필름
JP5141366B2 (ja) * 2008-05-14 2013-02-13 東レ株式会社 半導体用接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JPWO2009144985A1 (ja) * 2008-05-29 2011-10-06 電気化学工業株式会社 ダイシング方法
JP2010263041A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Nitto Denko Corp ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法
JP5257314B2 (ja) * 2009-09-29 2013-08-07 大日本印刷株式会社 積層体、準備用支持体、積層体の製造方法、及びデバイスの製造方法
JP5501938B2 (ja) * 2009-12-24 2014-05-28 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5456642B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-02 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP5580719B2 (ja) * 2009-12-24 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP2011151362A (ja) * 2009-12-24 2011-08-04 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP2011224853A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Nitto Denko Corp フィルム及び粘接着シート
JP5158896B2 (ja) * 2010-08-09 2013-03-06 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法
KR101397686B1 (ko) * 2010-12-06 2014-05-22 제일모직주식회사 기재필름 및 이를 이용한 반도체용 접착필름
JP2012180494A (ja) * 2011-02-10 2012-09-20 Nitto Denko Corp 自発巻回性粘着シート及び切断体の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000007964A (ko) * 1998-07-09 2000-02-07 이효범 접착 사용이 편리한 양면점착 테이프
KR20020063673A (ko) * 2001-01-30 2002-08-05 삼성전자 주식회사 경화형 웨이퍼 실장 테이프를 이용한 플립 칩 패키지제조방법
KR20040081038A (ko) * 2003-03-11 2004-09-20 가부시기가이샤 디스코 반도체 웨이퍼의 분할방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210101588A (ko) 2020-02-10 2021-08-19 주식회사 나노인 기판의 구조충진을 위한 가역적 코팅 방법 및 봉지 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101971311B (zh) 2012-04-25
TWI405272B (zh) 2013-08-11
WO2009113831A3 (ko) 2009-12-10
US20100330780A1 (en) 2010-12-30
KR20090098563A (ko) 2009-09-17
WO2009113831A2 (ko) 2009-09-17
CN101971311A (zh) 2011-02-09
JP2011515839A (ja) 2011-05-19
US8309219B2 (en) 2012-11-13
TW201001565A (en) 2010-01-01
JP5436461B2 (ja) 2014-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100963675B1 (ko) 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
KR102532978B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름
KR101832450B1 (ko) 반도체용 접착 필름
KR101722137B1 (ko) 다이싱 필름 및 다이싱 다이본딩 필름
KR101807807B1 (ko) 반도체 접착용 수지 조성물 및 반도체용 접착 필름
KR100907982B1 (ko) 점착필름 형성용 조성물에 의한 반도체 패키지용 점착필름을 포함하는 다이싱 다이본드 필름
KR102169223B1 (ko) 필름상 접착제, 반도체 접합용 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102152605B1 (ko) 보호막 형성용 필름
KR102491928B1 (ko) 다이 본드 필름, 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치 제조 방법
CN108727999B (zh) 切割芯片接合薄膜
KR102391661B1 (ko) 반도체 칩의 제조 방법, 표면 보호 테이프
WO2014157329A1 (ja) 半導体チップの製造方法
KR102296363B1 (ko) 다이본드층 형성 필름, 다이본드층 형성 필름이 부착된 가공물, 및 반도체 장치
KR20190071599A (ko) 접착 필름 및 다이싱 테이프 구비 접착 필름
TW202035605A (zh) 接著膜、附有切晶帶之接著膜、及半導體裝置製造方法
KR101284978B1 (ko) 접착제 조성물, 상기를 포함하는 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
KR102105515B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본딩 시트
KR100815383B1 (ko) 점착필름 형성용 광경화성 조성물 및 이를 포함하는 다이싱다이본딩 필름
KR20190138457A (ko) 대전방지 다이 어태치 필름, 이의 제조방법 및 이를 이용한 웨이퍼 다이싱 공정
CN111004588A (zh) 切割芯片接合薄膜
KR101248008B1 (ko) 반도체 패키지용 접착필름
CN111826100A (zh) 切割芯片接合薄膜
KR101266217B1 (ko) 점착 필름, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 패키징 방법
KR102236280B1 (ko) 반도체용 접착 필름
TWI439530B (zh) 熱固型晶片接合膜、切割晶片接合膜、以及半導體裝置的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130313

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170526

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180518

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190527

Year of fee payment: 10