JP6059631B2 - ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents

ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6059631B2
JP6059631B2 JP2013212947A JP2013212947A JP6059631B2 JP 6059631 B2 JP6059631 B2 JP 6059631B2 JP 2013212947 A JP2013212947 A JP 2013212947A JP 2013212947 A JP2013212947 A JP 2013212947A JP 6059631 B2 JP6059631 B2 JP 6059631B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
layer
temporary adhesive
resin
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013212947A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014131004A (ja
Inventor
菅生 道博
道博 菅生
加藤 英人
英人 加藤
昭平 田上
昭平 田上
浩之 安田
浩之 安田
正人 田辺
正人 田辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2013212947A priority Critical patent/JP6059631B2/ja
Publication of JP2014131004A publication Critical patent/JP2014131004A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6059631B2 publication Critical patent/JP6059631B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/14Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/16Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00Presence of polysiloxane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386Separation by peeling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1452Polymer derived only from ethylenically unsaturated monomer
    • Y10T428/1457Silicon

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

本発明は、薄型ウエハを効果的に得ることを可能にするウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法に関する。
3次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。3次元実装技術とは、1つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極(TSV;through silicon via)によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面(「裏面」ともいう)研削によって薄型化し、更に裏面にTSVを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に裏面保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、TSV形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。
そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、TSVや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着層(または仮接着材層)と呼ぶことにする。
これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術(特許文献1)、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術(特許文献2)が提案されている。前者の技術はレーザ等の高価な装置が必要であり、かつ基板1枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、200℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。
また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いる技術が提案されている(特許文献3)。これは基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難である。
特開2004−64040号公報 特開2006−328104号公報 米国特許第7541264号公報
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、TSV形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができるウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、
支持体上に仮接着材層が形成され、かつ仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層との3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体を提供する。
また、本発明では、支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが仮接着されるウエハ加工用部材であって、
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層との3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用部材を提供する。
また、本発明では、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、
前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱可塑性シロキサン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着可能な熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層の3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材を提供する。
このような、ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材を用いれば、ウエハと支持体との仮接着が容易であり、かつ、高段差基板の均一な膜厚での形成も可能であり、TSV形成、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、更には、剥離も容易で、薄型ウエハの生産性を高めることができる。
またこれらの場合、前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)が、R212223SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基又は水酸基である。)及びSiO4/2単位を含有し、前記R212223SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式(1)で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものであって、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、99:1〜50:50であり、重量平均分子量が200,000〜1,500,000であることが好ましい。
Figure 0006059631
(式中、R11及びR12はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基を示し、nは5000〜10000である。)
このような熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)であれば、接着性、耐熱性に優れるため好ましい。
またこれらの場合、前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)の25mm幅の試験片の180°ピール剥離力が2gf以上であることが好ましい。
このようなピール剥離力を有する熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)であれば、ウエハ研削時にウエハのズレが生じる恐れがないため好ましい。
さらにこれらの場合、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のフェノール基、メチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることが好ましい。
Figure 0006059631
[式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。Xは下記一般式(3)で示される2価の有機基である。
Figure 0006059631
(式中、Zは
Figure 0006059631
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)]
さらにこれらの場合、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることが好ましい。
Figure 0006059631
[式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。更に、Yは下記一般式(5)で示される2価の有機基である。
Figure 0006059631
(式中、Vは
Figure 0006059631
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。hは0、1、2のいずれかである。)]
また、本発明のウエハ加工体は、前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)からなる第二仮接着層の膜厚が0.1μm〜10μmであり、かつ、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層の膜厚が15μm〜150μmであることが好ましい。
熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)の膜厚が0.1μm以上であれば、熱硬化変性シロキサン重合体層(C)の上に塗布する場合に、塗布しきれない部分を生じることなく全体に塗布することができ、一方、該重合体層(B)の膜厚が10μm以下であれば、薄型ウエハを形成する場合の研削工程に耐えることができるため好ましい。また、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の膜厚が15μm以上であれば、ウエハ薄型化の研削工程に十分耐えることができ、該重合体層(C)の膜厚が150μm以下であれば、TSV形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。
また、本発明のウエハ加工体は、前記第一仮接着層の非シリコーン熱可塑性樹脂(A)が、非シリコーン熱可塑性エラストマーであることが好ましい。
このようなものであれば、薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体より室温で、より容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハをより容易に扱うことができる。
また、前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)、及び前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)のいずれか1つ以上に、さらに、酸化防止剤又はフィラーを含有することが好ましい。
上記(B)及び(C)のいずれか1つ以上に酸化防止剤又はフィラーを添加することによって、仮接着材層の耐熱性及び機械強度を向上することができる。
また、本発明では、
(a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、上記本発明のウエハ加工体に用いられる前記非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)と、前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)とからなる仮接着材層を介して、支持体に接合する際に、前記支持体上に形成された前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の上にスピンコート法で前記熱可塑性シロキサン重合体層(B)を形成した後、該重合体層(C)と(B)の形成された支持体と、前記樹脂層(A)の形成された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせる工程と、
(b)前記重合体層(C)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
このような薄型ウエハの製造方法であれば、本発明における3層系からなる仮接着材層を、ウエハと支持体の接合に使用することで、この仮接着材層を使用して貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、容易に製造することができる。
またこの場合、前記(e)加工を施したウエハを支持体から剥離する工程は、
(f)加工を施したウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程
(g)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
(h)吸着面の温度が10℃から100℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程とを含むことが好ましい。
このような剥離工程によれば、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
またこの場合、前記(e)加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
(i)剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことが好ましい。
工程(e)により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)が一部残存している場合がある。この非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)の除去は、非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)を溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、p−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。
本発明における仮接着材層は、3層構造を有し、特に熱硬化性シロキサン変性樹脂を基板接合用支持層として使用することで、樹脂の熱分解が生じないことはもとより、高温時での樹脂の流動も生じず、耐熱性が高いために、幅広い半導体成膜プロセスに適用でき、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い接着材層を形成でき、この膜厚均一性のため容易に50μm以下の均一な薄型ウエハを得ることが可能となり、更には、薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体より室温で、容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハを容易に製造することができる。
本発明のウエハ加工体の一例を示す断面図である。
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、
(A)の非シリコーン熱可塑性樹脂層からなる熱可塑性仮接着層と
(B)の熱可塑性シロキサンレジン重合体層からなる熱可塑性仮接着層と、さらには、
(C)の変性シロキサン重合体を主成分とする層からなる熱硬化性仮接着層
との3層系からなる仮接着材層を、ウエハと支持体の接合にウエハ側から(A)、(B)、(C)の順で形成した構造として使用することで、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、簡単に製造する方法を見出した。
図1に示したように、本発明のウエハ加工体10は、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハ1と、ウエハ1の加工時にウエハ1を支持する支持体3と、これらウエハ1と支持体3との間に介在する仮接着材層2を備え、この仮接着材層2が、非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)(第一仮接着層)と、熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)(第二仮接着層)と、更には熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)(第三仮接着層)の3層構造からなり、第一仮接着層がウエハ1の表面に剥離可能に接着され、第三仮接着層が支持体3に剥離可能に接着されているものである。
また、本発明のウエハ加工用部材は、前記支持体3と、その上に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)と、その上に積層された熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)と、その上に積層された非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)とを有するものであり、本発明のウエハ加工用仮接着材は、上記(A)、(B)および(C)の積層体からなるものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
<仮接着材層>
−第一仮接着層(A)層/非シリコーン熱可塑性樹脂層−
第一仮接着層(A)は、オルガノポリシロキサンを有しない熱可塑性樹脂から構成される。第一仮接着層(A)にシロキサン結合を有する重合体を使用した場合、熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)とのインターミキシングを生じる恐れがある。段差を有するシリコンウエハなどへの適用性から、良好なスピンコート性を有する熱可塑性樹脂が第一仮接着層(A)を形成する材料として好適に使用され、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、スチレン系熱可塑性エラストマー、スチレン・ブタジエン系熱可塑性エラストマー、スチレン・ポリオレフィン系熱可塑性エラストマーなどが挙げられ、特に耐熱性に優れた水素添加ポリスチレン系エラストマーが好適である。具体的にはタフテック(旭化成ケミカルズ)、エスポレックスSBシリーズ(住友化学)、ラバロン(三菱化学)、セプトン(クラレ)、DYNARON(JSR)などが挙げられる。またゼオネックス(日本ゼオン)に代表されるシクロオレフィンポリマーおよびTOPAS(日本ポリプラスチック)に代表される環状オレフィンコポリマーが挙げられる。
この非シリコーン熱可塑性樹脂層は、溶剤に溶解して、スピンコートやスプレーコート等の手法で、シリコンウエハ等の半導体基板等の上に形成される。溶剤としては、炭化水素系溶剤、好ましくは、ノナン、p−メンタン、ピネン、イソオクタン等が挙げられるが、そのコーティング性より、ノナン、p−メンタン、イソオクタンがより好ましい。このとき、形成される膜厚に制約はないが、その基板上の段差に応じて樹脂皮膜を形成することが望ましく、好適には、0.5ミクロンから50ミクロン、好ましくは1〜30μmの膜厚が形成される。また、この熱可塑性樹脂には、その耐熱性向上の目的で、酸化防止剤や、コーティング性向上のため、界面活性剤を添加することができる。酸化防止剤の具体例としては、ジ t−ブチルフェノールなどが好適に使用される。界面活性剤の例としては、フッ素シリコーン系界面活性剤X−70−1102(信越化学工業株式会社製)等が好適に使用される。
−第二仮接着層(B)/熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層−
本発明のウエハ加工体の構成要素である熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層(B)は、熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層であれば特に限定されないが、R212223SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基又は水酸基である。)及びSiO4/2単位を含有し、前記R212223SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式(1)で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものであって、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、99:1〜50:50であり、さらに重量平均分子量が200,000〜1,500,000であるものが好ましい。
Figure 0006059631
(式中、R11及びR12はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基を示し、nは5000〜10000である。)
上記一般式(1)において、有機置換基R11、R12、は、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基、好ましくはメチル基及びフェニル基である。
熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層の分子量は、GPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)にて、ポリスチレン標準物質によって作成した検量線に則って得られる重量平均分子量(本明細書では、「重量平均分子量」とはこれを意味する。)の値で、重量平均分子量が200,000以上、より好ましくは350,000以上、かつ、1,500,000以下、より好ましくは1,000,000以下である。更には分子量が740以下の低分子量成分含有量が0.5質量%以下、より好ましくは0.1質量%以下であることが好ましい。
前記熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層の重量平均分子量が200,000以上であれば、ウエハを薄型化するための研削工程に耐えられ、重量平均分子量が1,500,000以下であれば、工程終了後の洗浄工程で洗浄することができる。また、分子量が740以下の低分子量成分が0.5質量%以下であれば、貫通電極形成中の熱処理やウエハ裏面に形成されるバンプ電極の熱処理に対して、十分な耐熱性が得られるため好ましい。
前記熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層(B)は、その溶液をスピンコート、ロールコータなどの方法によって支持体上に形成された未硬化の熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)上に形成して使用する。スピンコートなどの方法によって支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層(B)を前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)上に形成する場合には、樹脂を溶液としてコートすることが好ましいが、このときには、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、イソオクタン、ノナン、デカン、p−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤が好適に使用される。また、この熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体溶液には、公知の酸化防止剤を耐熱性向上のために添加することができる。
また、前記熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層(B)は、膜厚が0.1〜10μmの間で形成されて使用されるのが好ましい。膜厚が0.1μm以上であれば、熱硬化変性シロキサン重合体層(C)の上に塗布する場合に、塗布しきれない部分を生じることなく全体に塗布することができ、一方、膜厚が10μm以下であれば、薄型ウエハを形成する場合の研削工程に耐えることができるため好ましい。なお、この熱可塑性シロキサンには、耐熱性を更に高めるため、シリカ等のフィラーを(B)熱可塑性オルガノシロキサンレジン重合体100質量部に対し50質量部以下添加してもよい。
また、前記熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層(B)は、25mm幅のポリイミド試験片の180°ピール剥離力が、通常2gf以上であり、好ましくは3gf以上30gf以下であり、さらに好ましくは5gf以上20gf以下である。2gf以上であればウエハ研削時にウエハのズレが生じる恐れがなく、30gf以下であればウエハの剥離が容易となるため好ましい。
−第三仮接着層(C)/熱硬化性変性シロキサン重合体層−
本発明のウエハ加工体の構成要素である熱硬化性変性シロキサン重合体層(C)は、熱硬化性変性シロキサン重合体層であれば特に限定されないが、下記一般式(2)あるいは(4)のいずれかで示される熱硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする熱硬化性組成物の硬化物の層が好ましい。
一般式(2)の重合体:
下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のフェノール基含有オルガノシロキサン結合含有高分子化合物。
Figure 0006059631
[式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8のアルキル基等の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。Xは下記一般式(3)で示される2価の有機基である。
Figure 0006059631
(式中、Zは
Figure 0006059631
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)]
この場合、R〜Rの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられ、mは、好ましくは3〜60、より好ましくは8〜40の整数である。また、B/Aは0〜20、特に0.5〜5である。
一般式(4)の重合体:
下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物。
Figure 0006059631
[式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。更に、Yは下記一般式(5)で示される2価の有機基である。
Figure 0006059631
(式中、Vは
Figure 0006059631
のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。hは0、1、2のいずれかである。)]
この場合、R〜R、mの具体例は上記一般式(2)と同様である。
上記一般式(2)又は(4)の熱硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする熱硬化性組成物は、その熱硬化のために、一般式(2)のフェノール性シロキサン重合体の場合には、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のフェノール基、メチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上の架橋剤を含有する。
一方、一般式(4)のエポキシ変性シロキサン重合体の場合には、1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物あるいは、1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物のいずれか1種以上を架橋剤として含有する。
ここで、一般式(2)および(4)に用いられる多官能エポキシ基としては、特にその
制約はないが、特に、2官能、3官能、4官能以上の多官能エポキシ樹脂、例えば、日本化薬(株)製のEOCN−1020、EOCN−102S、XD−1000、NC−2000−L、EPPN−201、GAN、NC6000や下記式のような架橋剤を含有することができる。
Figure 0006059631
前記熱硬化性変性シロキサン重合体が、上記一般式(4)のエポキシ変性シロキサン重合体の場合には、その架橋剤として、m、p−系クレゾールノボラック樹脂、例えば、旭有機材工業製EP−6030Gや、3官能フェノール化合物、例えば、本州化学製Tris−P−PA4官能性フェノール化合物、例えば、旭有機材工業製TEP−TPAなどが挙げられる。
架橋剤の配合量は、前記熱硬化性変性シロキサン重合体100質量部に対して0.1〜50質量部、好ましくは0.1〜30質量部、更に好ましくは1〜20質量部であり、2種類又は3種類以上を混合して配合してもよい。
また、この組成物には、酸無水物のような硬化触媒を(C)熱硬化性変性シロキサン重合体100質量部に対し10質量部以下含有させてもよい。
また、この組成物を溶液に溶解し、塗布、具体的にはスピンコート、ロールコータ、ダイコータなどの方法によって支持体上に形成してもよい。その場合には、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−2−n−アミルケトン等のケトン類;3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノ−tert−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を併用することができる。
なお、組成物には、耐熱性を更に高めるため、公知の酸化防止剤、シリカ等のフィラーを(C)熱硬化性変性シロキサン重合体100質量部に対し、50質量部以下添加してもよい。さらに、塗布均一性を向上させるため、界面活性剤を添加してもよい。
なお、本願では、(B)及び(C)のいずれか1以上の仮接着層に酸化防止剤又はフィラーを添加することが、耐熱性の向上および機械強度の向上の点で好ましく、特に(C)の仮接着層に配合することが好ましい。
具体的には、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物から選ばれる少なくとも1種の化合物であることが好ましい。
ヒンダードフェノール系化合物;
本発明で用いられるヒンダードフェノール系化合物は、特に限定されるものではないが、以下に挙げるヒンダードフェノール系化合物が好ましい。
1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン(商品名:IRGANOX 1330)、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール(商品名:Sumilizer BHT)、2,5−ジ−t−ブチル−ハイドロキノン(商品名:Nocrac NS−7)、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール(商品名:Nocrac M−17)、2,5−ジ−t−アミルハイドロキノン(商品名:Nocrac DAH)、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)(商品名:Nocrac NS−6)、3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ベンジルフォスフォネート−ジエチルエステル(商品名:IRGANOX 1222)、4,4’−チオビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)(商品名:Nocrac 300)、2,2’−メチレンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)(商品名:Nocrac NS−5)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)(アデカスタブ AO−40)、2−t−ブチル−6−(3−t−ブチル−2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート(商品名:Sumilizer GM)、2−[1−(2−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ペンチルフェニル)エチル]−4,6−ジ−t−ペンチルフェニルアクリレート(商品名:Sumilizer GS)、2,2’−メチレンビス[4−メチル−6−(α−メチル−シクロヘキシル)フェノール]、4,4’−メチレンビス(2,6−ジ−t−ブチルフェノール)(商品名:シーノックス226M)、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール(商品名:IRGANOX 1520L)、2,2’−エチレンビス(4,6−ジ−t−ブチルフェノール)、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート(商品名:IRGANOX 1076)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン(商品名:アデカスタブ AO−30)、テトラキス[メチレン−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタン(商品名:アデカスタブ AO−60)、トリエチレングリコールビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 245)、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルアニリノ)−1,3,5−トリアジン(商品名:IRGANOX 565)、N,N’−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)(商品名:IRGANOX 1098)、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 259)、2,2−チオ−ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1035)、3,9−ビス[2−[3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ]1,1−ジメチルエチル]2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン(商品名:Sumilizer GA−80)、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)イソシアヌレート(商品名:IRGANOX 3114)、ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジルホスホン酸エチル)カルシウム/ポリエチレンワックス混合物(50:50)(商品名:IRGANOX 1425WL)、イソオクチル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート(商品名:IRGANOX 1135)、4,4’−チオビス(6−t−ブチル−3−メチルフェノール)(商品名:Sumilizer WX−R)、6−[3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロポキシ]−2,4,8,10−テトラ−t−ブチルジベンズ[d,f][1,3,2]ジオキサフォスフェピン(商品名:Sumilizer GP)等が挙げられる。
ヒンダードアミン系化合物;
本発明で用いられるヒンダードアミン系化合物は、特に限定されるものではないが、以下に挙げるヒンダードアミン系化合物が好ましい。
p,p’−ジオクチルジフェニルアミン(商品名:IRGANOX 5057)、フェニル−α−ナフチルアミン(Nocrac PA)、ポリ(2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン)(商品名:Nocrac 224,224−S)、6−エトキシ−2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロキノリン(商品名:Nocrac AW)、N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac DP)、N,N’−ジ−β−ナフチル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac White)、N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac 810NA)、N,N’−ジアリル−p−フェニレンジアミン(商品名:Nonflex TP)、4,4’(α,α−ジメチルベンジル)ジフェニルアミン(商品名:Nocrac CD)、p,p−トルエンスルフォニルアミノジフェニルアミン(商品名:Nocrac TD)、N−フェニル−N’−(3−メタクロリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)−p−フェニレンジアミン(商品名:Nocrac G1)、N−(1−メチルヘプチル)−N’−フェニル−p−フェニレンジアミン(商品名:Ozonon 35)、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン(商品名:Sumilizer BPA)、N−フェニル−N’−1,3−ジメチルブチル−p−フェニレンジアミン(商品名: Antigene 6C)、アルキル化ジフェニルアミン(商品名:Sumilizer 9A)、コハク酸ジメチル−1−(2−ヒドロキシエチル)−4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン重縮合物(商品名:Tinuvin 622LD)、ポリ[[6−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)アミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジイル][(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ]ヘキサメチレン[(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ]](商品名:CHIMASSORB 944)、N,N’−ビス(3−アミノプロピル)エチレンジアミン−2,4−ビス[N−ブチル−N−(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)アミノ]−6−クロロ−1,3,5−トリアジン縮合物(商品名:CHIMASSORB 119FL)、ビス(1−オクチロキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート(商品名:TINUVIN 123)、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート(商品名:TINUVIN 770)、2−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−n−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)(商品名:TINUVIN 144)、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート(商品名:TINUVIN 765)、テトラキス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート(商品名:LA−57)、テトラキス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート(商品名:LA−52)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジノール及び1−トリデカノールとの混合エステル化物(商品名:LA−62)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジノール及び1−トリデカノールとの混合エステル化物(商品名:LA−67)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジノール及び3,9−ビス(2−ヒドロキシ−1,1−ジメチルエチル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカンとの混合エステル化物(商品名:LA−63P)、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸と2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジノール及び3,9−ビス(2−ヒドロキシ−1,1−ジメチルエチル)−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカンとの混合エステル化物(商品名:LA−68LD)、(2,2,6,6−テトラメチレン−4−ピペリジル)−2−プロピレンカルボキシレート(商品名:アデカスタブ LA−82)、(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)−2−プロピレンカルボキシレート(商品名:アデカスタブ LA−87)等が挙げられる。
用いる酸化防止剤は、各仮接着層((B)及び(C))100質量部に対し、好ましくは50質量部以下、より好ましくは、0.01〜10質量部配合する。
また、本発明に用いるフィラーとしては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリカが、組成物の低粘度化の点から好ましく、更には、ゾルゲル法又は爆燃法で製造された球状シリカが好ましい。充填性を良くするためにシランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、N−β(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については、特に制限されるものではない。
フィラーの粒径は、平均粒径(d50:メジアン径)が0.1〜5μmであることが好ましく、より好ましくは0.2〜2μmである。特に、ゾルゲル法又は爆燃法で製造された平均粒径0.1〜5μmの球状シリカであることが好ましい。
フィラーは、各仮接着層((B)及び(C))100質量部に対し、好ましくは50質量部以下、より好ましくは10〜50質量部配合する。
前記熱硬化性変性シロキサン重合体からなる熱硬化性変性シロキサン重合体層(C)は、ウエハ側の段差に応じて、硬化時の膜厚が15〜150μmであることが好ましく、20〜120μmで成膜することがさらに好ましい。膜厚が15μm以上であれば、ウエハ薄型化の研削工程に十分耐えることができ、150μm以下であれば、TSV形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。
<薄型ウエハの製造方法>
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)、熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)と熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の3層とからなる仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には5〜300μm、より典型的には10〜100μmである。
本発明の薄型ウエハの製造方法は(a)〜(e)の工程を有する。
[工程(a)]
工程(a)は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)と、熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)と、熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)とからなる仮接着材層を介して、支持体に接合する際に、前記支持体上に形成された前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の上にスピンコート法で前記重合体層(B)を形成した後、該重合体層(C)と(B)の形成された支持体と、前記樹脂層(A)の形成された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせる工程である。回路形成面及び回路非形成面を有するウエハは、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面であるウエハである。本発明が適用できるウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には600〜800μm、より典型的には625〜775μmである。
支持体としては、シリコンウエハやガラス板、石英ウエハ等の基板が使用可能であるがなんら制約はない。本発明においては、支持体を通して仮接着材層に放射エネルギー線を照射する必要はなく、支持体の光線透過性は不要である。
仮接着層(A)、(B)および(C)はそれぞれフィルムで、ウエハや支持体に形成することもでき、あるいは、それぞれの溶液をスピンコートなどの方法によりウエハや支持体に形成することができる。この場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じ、80〜200℃の温度で、予めプリベークを行ったのち、使用に供される。
仮接着層(A)層、(B)層と(C)層が形成されたウエハ及び支持体は、(A)、(B)および(C)層を介して、接合された基板として形成される。このとき、好ましくは40〜200℃、より好ましくは60〜180℃の温度領域で、この温度にて減圧下、この基板を均一に圧着することで、ウエハが支持体と接合したウエハ加工体(積層体基板)が形成される。
ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばEVG社のEVG520IS、850TB、SUSS社のXBC300等が挙げられる。
[工程(b)]
工程(b)は、前記重合体層(C)を熱硬化させる工程である。前記ウエハ加工体(積層体基板)が形成された後、120〜220℃、好ましくは150〜200℃で10分〜4時間、好ましくは30分〜2時間加熱することによって、前記重合体層(C)の硬化を行う。
[工程(c)]
工程(c)は、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、即ち、工程(a)にて貼り合わせて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石(ダイヤモンド等)に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば(株)ディスコ製DAG−810(商品名)等が挙げられる。また、ウエハ裏面側をCMP研磨してもよい。
[工程(d)]
工程(d)は、回路非形成面を研削したウエハ加工体、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハ加工体の回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
[工程(e)]
工程(e)は、工程(c)で加工を施したウエハをウエハ加工体から剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前にウエハ加工体から剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から60℃程度の比較的低温の条件で
実施され、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ加工体から剥離する方法等が挙げられる。
本発明には、これらの剥離方法のいずれにも適用可能であるが、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式で剥離する方法等がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。
また、前記(e)加工を施したウエハを支持体から剥離する工程は、
(f)加工を施したウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程
(g)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
(h)吸着面の温度が10℃から100℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
また、前記(e)加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
(i)剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことが好ましい。
前記工程(e)により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、仮接着層(A)が一部残存している場合があり、該仮接着層(A)の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
前記工程(i)は、仮接着材層中の(A)層である熱可塑性オルガノポリシロキサン非含有重合体を溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、p−メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。これらの溶剤は、1種単独でも2種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、0.01〜10質量%、好ましくは0.1〜5質量%である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は10〜80℃、好ましくは15〜65℃が好適であり、必要があれば、これらの溶解液で(A)層を溶解したのち、最終的に水洗又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理させて、薄型ウエハを得ることも可能である。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
[樹脂合成例1]
4つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン(一般式(1)において、nは9000)であって、その30%トルエン溶液の25℃における粘度が98,000mPa・sであるジメチルポリシロキサン90部と、(CHSiO1/2単位0.75モルとSiO4/2単位1モルの割合からなり、かつ固形分100中に1.0モル%の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン10部とを、トルエン900部に溶解した。得られた溶液に、28%のアンモニア水を1部添加し、室温にて24時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物100部に、トルエン900部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン20部を加え、130℃にて3時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物100部にヘキサン900部を加えて溶解させた後、これを2000部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量740以下の低分子量成分が0.05質量%である、重量平均分子量900,000のジメチルポリシロキサン重合体を得た。
この重合体20gをイソドデカン80gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(B−1)を得た。
[樹脂合成例2]
4つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン(一般式(1)において、nは9000)であって、その30%トルエン溶液の25℃における粘度が98,000mPa・sであるジメチルポリシロキサン95部と、(CHSiO1/2単位0.75モルとSiO4/2単位1モルの割合からなり、かつ固形分100中に1.0モル%の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン5部とを、トルエン900部に溶解した。得られた溶液に、28%のアンモニア水を1部添加し、室温にて24時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物100部に、トルエン900部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン20部を加え、130℃にて3時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物100部にヘキサン900部を加えて溶解させた後、これを2000部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量740以下の低分子量成分が0.05質量%である、重量平均分子量800,000のジメチルポリシロキサン重合体を得た。
この重合体20gをイソドデカン80gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(B−2)を得た。
[樹脂合成例3]
4つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン1,000g(3.38モル)及びヘキサメチルジシロキサン0.24g(0.0015モル)を仕込み、温度を110℃に保った。次いで、これに10質量%テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート4gを加え、4時間かけて重合した後、160℃で2時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを29Si−NMR法でD単位とM単位の割合を調べたところ、D単位99.978%、M単位0.022%で、おおよそ重合度9,000の下記構造のジメチルポリシロキサンと同定された。
Figure 0006059631
このジメチルポリシロキサン500gをヘキサン500gに溶解したのち、これを2Lのアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量740以下の低分子量成分が0.05質量%である、重量平均分子量が700,000のジメチルポリシロキサン重合体を得た。この重合体20gをp−メンタン80gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン(生ゴム)重合体のp−メンタン溶液(B−3)を得た。
[樹脂合成例4]
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に9,9’−ビス(3−アリル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(M−1)43.1g、平均構造式(M−3)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン29.5g、トルエン135g、塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、1,4−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン(M−5)17.5gを1時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、85℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを80g添加して、樹脂固形分濃度50質量%のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この溶液の樹脂分の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量45,000であった。更に、この樹脂溶液50gに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるEOCN−1020(日本化薬(株)製)を7.5g、硬化触媒として、和光純薬工業(株)製、BSDM(ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン)を0.2g、さらに、酸化防止剤としてAO−60を0.1g添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(C−1)を得た。
[樹脂合成例5]
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内にエポキシ化合物(M−2)84.1gをトルエン600gに溶解後、化合物(M−3)294.6g、化合物(M−4)25.5gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、90℃まで加温し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン(MIBK)600gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート(PGMEA)270gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量28,000であった。更にこの樹脂溶液100gに4官能フェノール化合物であるTEP−TPA(旭有機材工業製)を9g、テトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、リカシッドHH−A)0.2gを添加して、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(C−2)を得た。
Figure 0006059631
[樹脂合成例6]
上記樹脂溶液(C−2)100gに4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)(アデカスタブ AO−40)を0.2gに添加し溶解した後、さらに0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(C−3)を得た。
[樹脂合成例7]
上記樹脂溶液(B−1)100gにポリ[[6−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)アミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジイル][(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ]ヘキサメチレン[(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ]](商品名:CHIMASSORB 944 BASF製)を0.1g添加し溶解した後、さらに0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(B−4)を得た。
[樹脂合成例8]
上記樹脂溶液(C−1)100gにエアロジルR110 日本エアロジル製シランカップリング処理ヒューミドシリカ、平均粒径500nm)を20g添加混合し、樹脂溶液(C−4)を得た。
[樹脂溶液作製例1]
水素添加ポリスチレン系熱可塑性樹脂セプトン4033(クラレ製)20gをイソノナン180gに溶解し、10質量パーセントのセプトン4033のイソノナン溶液を得た。
得られた溶液を、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、熱可塑性オルガノポリシロキサン非含有重合体のイソノナン溶液(A−1)を得た。
[実施例1〜6及び比較例1、2、3]
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)にスピンコート後、ホットプレートにて、150℃で5分間加熱することにより、(A)層に対応する材料を表1に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に成膜した。一方、直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板を支持体とし、この支持体にまず(C)層に対応する重合体溶液をスピンコート、およびホットプレートにより、やはり、150℃加熱することで、表1中に記載された膜厚で、ガラス支持体上に形成した。その後、(B)層に相当する熱可塑性ポリオルガノシロキサン重合体の溶液を、ガラス支持体上に形成された(C)層上に、やはりスピンコートすることで、表1中の膜厚で形成した。さらにその後、150℃で3分間、ホットプレート上で加熱した。このようにしてこの熱可塑性オルガノポリシロキサン非含有層(A)を有するシリコンウエハ及び、熱硬化性変性シロキサン重合体からなる(C)層と、その(C)層上に(B)層を有するガラス板とをそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で表1に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した(圧着条件)。
なお、ここで、基板接着後の異常を目視で判別するために支持体としてガラス板を使用したが、ウエハなどの光を透過しない基板も使用可能である。
その後、この接合された基板に対し、下記試験を行い、実施例および比較例の結果を表1に示した。また、下記の順で評価を実施したが、途中で、異常(判定が「×」)となった時点で、それ以後の評価を中止した。
−接着性試験−
200mmのウエハ接合は、EVG社のウエハ接合装置EVG520ISを用いて行った。接合温度は表1に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は10−3mbar以下、荷重は5kNで実施した。接合後、一旦、180℃で1時間オーブンを用いて基板を加熱し、(C)層の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−裏面研削耐性試験−
グラインダー(DISCO製、DAG810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−耐熱性試験−
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の200℃オーブンに2時間入れた後、260℃のホットプレート上で10分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、わずかなウエハのゆがみが見られるものの、ボイド発生や、ウエハ膨れ、あるいはウエハ破損等の異常がなかった場合を概ね良好と評価して「△」、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。さらに評価が「○」であったものに対して300℃で10分加熱した場合の外観を観察し、異常がなかったものを「◎」とした。
−剥離性試験−
基板の剥離性は、まず、耐熱性試験を終えたウエハを、一旦、スピンコーターにセットし、このウエハをスピンコートで、1000回転にて60秒間回転し、この60秒間、
エッジベッドリンス用ノズルから、イソノナンをウエハエッジにかけ続け、さらにその後、1000回転で10秒間ウエハを回転し続けることで、このウエハエッジ部を乾燥させた。その後、この接合基板の、50μmまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、特に容易に剥離できた場合を「◎」とした。また、60秒間のイソノナンエッジベッドリンスでは不足で、さらに追加で、120秒間のイソノナンエッジベッドリンスを追加して剥離が可能であった場合を「△」、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
−洗浄除去性試験−
上記剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された200mmウエハ(耐熱性試験条件に晒されたもの)を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソノナンを3分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール(IPA)を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
−ピール剥離力試験−
直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)にスピンコート後、ホットプレートにて、150℃で5分間加熱することにより、(A)層に対応する材料を表1に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に成膜した。その後、(B)層に相当する熱可塑性ポリオルガノシロキサン重合体の溶液を、シリコンウエハ上に形成された(A)層上に、やはりスピンコートし、さらにその後、150℃で3分間、ホットプレート上で加熱して2μm膜厚で形成した。さらに(B)層上に(C)層に対応する重合体溶液をスピンコート、およびホットプレートにより、やはり、150℃加熱することで、50μm膜厚で、シリコンウエハ上に形成した。その後オーブンで180℃で1時間かけて硬化させた。
その後、上記ウエハの(C)層上に150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが張られていない部分の仮接着材層を除去した。島津製作所社のAUTOGRAPH(AG−1)を用いて300mm/分の速度でテープの一端から180°剥離で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、その(B)仮接着層の剥離力とした。
Figure 0006059631
実施例1〜6の(B)層のピール剥離力は5gf、10gfであるのに対し、比較例1、2は、2gf未満であるので、実施例1〜6は、ウエハ研削時にウエハのズレが生じる恐れがない。また、実施例1〜6は、比較例1、2と比較して、裏面研削性が極めて優れているので、薄型ウエハを格段に容易に作製することができる。
更には、酸化防止剤、フィラーを配合することにより、耐熱性、機械強度の点で更に優れる製品が得られた。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1…ウエハ、
2…仮接着材層
(A)…非シリコーン熱可塑性樹脂層(第一仮接着層)
(B)…熱可塑性オルガノポリシロキサンレジン重合体層(第二仮接着層)
(C)…熱硬化性変性シロキサン重合体層(第三仮接着層)
3…支持体、10…ウエハ加工体。

Claims (21)

  1. 支持体上に仮接着材層が形成され、かつ仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されてなるウエハ加工体であって、
    前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着された非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層との3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体。
  2. 請求項1に記載のウエハ加工体であって、
    前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)からなる第二仮接着層の膜厚が0.1μm〜10μmであり、かつ、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層の膜厚が15μm〜150μmであることを特徴とするウエハ加工体。
  3. 請求項1又は請求項2に記載のウエハ加工体であって、
    前記第一仮接着層の非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)が、非シリコーン熱可塑性エラストマーであることを特徴とするウエハ加工体。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のウエハ加工体であって、
    前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)が、R212223SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基又は水酸基である。)及びSiO4/2単位を含有し、前記R212223SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式(1)で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものであって、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、99:1〜50:50であり、重量平均分子量が200,000〜1,500,000であることを特徴とするウエハ加工体。
    Figure 0006059631
    (式中、R11及びR12はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基を示し、nは5000〜10000である。)
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のウエハ加工体であって、
    前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)の25mm幅の試験片の180°ピール剥離力が2gf以上であることを特徴とするウエハ加工体。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のウエハ加工体であって、
    前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のフェノール基、メチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工体。
    Figure 0006059631
    [式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。Xは下記一般式(3)で示される2価の有機基である。
    Figure 0006059631
    (式中、Zは
    Figure 0006059631
    のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)]
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のウエハ加工体であって、
    前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工体。
    Figure 0006059631
    [式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。更に、Yは下記一般式(5)で示される2価の有機基である。
    Figure 0006059631
    (式中、Vは
    Figure 0006059631
    のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。hは0、1、2のいずれかである。)]
  8. 前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)、及び前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)のいずれか1つ以上に、さらに、酸化防止剤又はフィラーを含有するものであることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
  9. (a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のウエハ加工体に用いられる前記非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)と、前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)とからなる仮接着材層を介して、支持体に接合する際に、前記支持体上に形成された前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)の上にスピンコート法で前記熱可塑性シロキサン重合体層(B)を形成した後、該重合体層(C)と(B)の形成された支持体と、前記樹脂層(A)の形成された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせる工程と、
    (b)前記重合体層(C)を熱硬化させる工程と、
    (c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
    (d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
    (e)前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と、
    を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
  10. 前記(e)加工を施したウエハを支持体から剥離する工程は、
    (f)加工を施したウエハのウエハ面にダイシングテープを接着する工程
    (g)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程
    (h)吸着面の温度が10℃から100℃の温度範囲で、前記支持体を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、
    を含むことを特徴とする請求項9に記載の薄型ウエハの製造方法。
  11. 前記(e)加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程後に、
    (i)剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の薄型ウエハの製造方法。
  12. 支持体上に仮接着材層が形成され、該仮接着材層上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが仮接着されるウエハ加工用部材であって、
    前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着された熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層との3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工部材。
  13. 請求項12に記載のウエハ加工用部材であって、
    前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)が、R212223SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基又は水酸基である。)及びSiO4/2単位を含有し、前記R212223SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式(1)で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものであって、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、99:1〜50:50であり、重量平均分子量が200,000〜1,500,000であることを特徴とするウエハ加工用部材。
    Figure 0006059631
    (式中、R11及びR12はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基を示し、nは5000〜10000である。)
  14. 請求項12又は請求項13に記載に記載のウエハ加工用部材であって、
    前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)の25mm幅の試験片の180°ピール剥離力が2gf以上であることを特徴とするウエハ加工用部材。
  15. 請求項12乃至14のいずれか1項に記載のウエハ加工用部材であって、
    前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のフェノール基、メチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工用部材。
    Figure 0006059631
    [式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。Xは下記一般式(3)で示される2価の有機基である。
    Figure 0006059631
    (式中、Zは
    Figure 0006059631
    のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)]
  16. 請求項12乃至15のいずれか1項に記載のウエハ加工用部材であって、
    前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工用部材。
    Figure 0006059631
    [式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。更に、Yは下記一般式(5)で示される2価の有機基である。
    Figure 0006059631
    (式中、Vは
    Figure 0006059631
    のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。hは0、1、2のいずれかである。)]
  17. 表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、
    前記ウエハの表面に剥離可能に接着可能な非シリコーン熱可塑性樹脂層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に積層された熱可塑性シロキサン重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に積層され、前記支持体に剥離可能に接着可能な熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)からなる第三仮接着層の3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
  18. 請求項17に記載のウエハ加工用仮接着材であって、
    前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)が、R212223SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基又は水酸基である。)及びSiO4/2単位を含有し、前記R212223SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式(1)で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものであって、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、99:1〜50:50であり、重量平均分子量が200,000〜1,500,000であることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
    Figure 0006059631
    (式中、R11及びR12はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基を示し、nは5000〜10000である。)
  19. 請求項17又は請求項18に記載に記載のウエハ加工用仮接着材であって、
    前記熱可塑性シロキサンレジン重合体層(B)の25mm幅の試験片の180°ピール剥離力が2gf以上であることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
  20. 請求項17乃至19のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材であって、
    前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のフェノール基、メチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
    Figure 0006059631
    [式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。Xは下記一般式(3)で示される2価の有機基である。
    Figure 0006059631
    (式中、Zは
    Figure 0006059631
    のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、Nは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。kは0、1、2のいずれかである。)]
  21. 請求項17乃至20のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材であって、
    前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(C)が、下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
    Figure 0006059631
    [式中、R〜Rは同一でも異なっていてもよい炭素原子数1〜8の1価炭化水素基を示す。また、mは1〜100の整数であり、Bは正数、Aは0又は正数である。更に、Yは下記一般式(5)で示される2価の有機基である。
    Figure 0006059631
    (式中、Vは
    Figure 0006059631
    のいずれかより選ばれる2価の有機基であり、pは0又は1である。また、R、Rはそれぞれ炭素原子数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。hは0、1、2のいずれかである。)]
JP2013212947A 2012-11-30 2013-10-10 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Active JP6059631B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013212947A JP6059631B2 (ja) 2012-11-30 2013-10-10 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012262542 2012-11-30
JP2012262542 2012-11-30
JP2013212947A JP6059631B2 (ja) 2012-11-30 2013-10-10 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014131004A JP2014131004A (ja) 2014-07-10
JP6059631B2 true JP6059631B2 (ja) 2017-01-11

Family

ID=49484071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013212947A Active JP6059631B2 (ja) 2012-11-30 2013-10-10 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9263333B2 (ja)
EP (1) EP2738797B1 (ja)
JP (1) JP6059631B2 (ja)
KR (1) KR101916971B1 (ja)
TW (1) TWI595068B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11183417B2 (en) 2018-11-01 2021-11-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing laminate and method for manufacturing substrate

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5983519B2 (ja) * 2012-04-24 2016-08-31 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6051302B2 (ja) * 2013-05-29 2016-12-27 三井化学東セロ株式会社 半導体ウエハ保護用フィルム及び半導体装置の製造方法
KR101730054B1 (ko) * 2013-12-13 2017-04-25 주식회사 엘지화학 다이싱 필름 점착층 형성용 조성물 및 다이싱 필름
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6193813B2 (ja) * 2014-06-10 2017-09-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法
KR102316850B1 (ko) * 2014-06-10 2021-10-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 가접착제를 이용한 적층체
TWI667311B (zh) * 2014-06-13 2019-08-01 日商富士軟片股份有限公司 Temporary fixing of the adhesive, adhesive film, adhesive support, laminate and adhesive kit
US10177022B2 (en) * 2014-08-08 2019-01-08 Toray Industries, Inc. Adhesive for temporary bonding, adhesive layer, wafer work piece and method for manufacturing semiconductor device using same, rework solvent, polyimide copolymer, polyimide mixed resin, and resin composition
TWI665239B (zh) 2014-09-29 2019-07-11 日商富士軟片股份有限公司 組成物、片的製造方法、片、積層體及帶有元件晶圓的積層體
WO2016076261A1 (ja) * 2014-11-11 2016-05-19 富士フイルム株式会社 仮接着膜の製造方法、仮接着膜、積層体、デバイスウエハ付き積層体、仮接着用組成物
JP6225894B2 (ja) * 2014-12-24 2017-11-08 信越化学工業株式会社 ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6325432B2 (ja) 2014-12-25 2018-05-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
WO2016132962A1 (ja) * 2015-02-20 2016-08-25 富士フイルム株式会社 仮接着用積層体、積層体およびキット
US10522383B2 (en) 2015-03-25 2019-12-31 International Business Machines Corporation Thermoplastic temporary adhesive for silicon handler with infra-red laser wafer de-bonding
KR101700636B1 (ko) * 2015-04-17 2017-01-31 재원산업 주식회사 접착제 제거용 조성물 및 이를 이용한 박형 웨이퍼의 제조방법
JP6361566B2 (ja) 2015-04-24 2018-07-25 信越化学工業株式会社 樹脂組成物、樹脂フィルム及び半導体装置とその製造方法
JP6443241B2 (ja) 2015-06-30 2018-12-26 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP6589766B2 (ja) 2015-08-18 2019-10-16 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用接着材、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法
JP6588404B2 (ja) * 2015-10-08 2019-10-09 信越化学工業株式会社 仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP7071260B2 (ja) * 2015-10-12 2022-05-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板の能動的/受動的結合及び脱結合のための基板キャリア
JP6502824B2 (ja) * 2015-10-19 2019-04-17 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6610510B2 (ja) 2015-11-26 2019-11-27 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法
JP6463664B2 (ja) 2015-11-27 2019-02-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体及びウエハ加工方法
JP6536464B2 (ja) * 2016-04-26 2019-07-03 信越化学工業株式会社 洗浄剤組成物及び薄型基板の製造方法
JP6791086B2 (ja) * 2016-10-11 2020-11-25 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体、その製造方法、及びウエハ積層用接着剤組成物
US11668864B2 (en) * 2016-12-22 2023-06-06 Analog Devices, Inc. Thin optical filter arrays
JP6662337B2 (ja) * 2017-03-27 2020-03-11 信越化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに積層体
WO2018216732A1 (ja) * 2017-05-24 2018-11-29 日産化学株式会社 エポキシ変性ポリシロキサンを含有する仮接着剤
JP6788549B2 (ja) 2017-06-05 2020-11-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法
CN109698590B (zh) * 2017-10-23 2020-11-13 株洲中车机电科技有限公司 一种永磁电机转子真空灌胶方法
WO2019106846A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム
US10847400B2 (en) * 2018-12-28 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Adhesive-less substrate bonding to carrier plate
EP3974070A4 (en) 2019-05-22 2023-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. DETERGENT COMPOSITION, METHOD OF CLEANING A SUBSTRATE AND METHOD OF CLEANING CARRIER OR SUBSTRATE
JP7220119B2 (ja) 2019-05-22 2023-02-09 信越化学工業株式会社 基板用仮接着剤の洗浄液、基板の洗浄方法および支持体または基板の洗浄方法
JP7454922B2 (ja) * 2019-07-11 2024-03-25 信越化学工業株式会社 基板加工用仮接着材料及び積層体の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3130176B2 (ja) * 1993-04-27 2001-01-31 ジーイー東芝シリコーン株式会社 感圧接着剤組成物
JP4565804B2 (ja) * 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
JP5068674B2 (ja) 2005-03-01 2012-11-07 ダウ・コーニング・コーポレイション 半導体加工のための一時的なウェハ結合法
JP2006328104A (ja) 2005-05-23 2006-12-07 Jsr Corp 接着剤組成物
US20080300358A1 (en) * 2005-12-08 2008-12-04 Leon Neal Cook Continuous Process For Production Of Silicone Pressure Sensitive Adhesives
KR100844383B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
KR100963675B1 (ko) * 2008-03-14 2010-06-15 제일모직주식회사 반도체 패키징용 복합기능 테이프 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법
JP5373696B2 (ja) * 2010-05-07 2013-12-18 信越化学工業株式会社 新規シルフェニレン骨格含有シリコーン型高分子化合物及びその製造方法
JP5447205B2 (ja) * 2010-06-15 2014-03-19 信越化学工業株式会社 薄型ウエハの製造方法
JP5348147B2 (ja) * 2011-01-11 2013-11-20 信越化学工業株式会社 仮接着材組成物、及び薄型ウエハの製造方法
JP5630451B2 (ja) * 2011-02-23 2014-11-26 信越化学工業株式会社 接着剤組成物及び接着性ドライフィルム
US9029269B2 (en) * 2011-02-28 2015-05-12 Dow Corning Corporation Wafer bonding system and method for bonding and debonding thereof
US8999817B2 (en) * 2012-02-28 2015-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer process body, wafer processing member, wafer processing temporary adhesive material, and method for manufacturing thin wafer
JP5983519B2 (ja) * 2012-04-24 2016-08-31 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11183417B2 (en) 2018-11-01 2021-11-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing laminate and method for manufacturing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US20140154868A1 (en) 2014-06-05
US9263333B2 (en) 2016-02-16
EP2738797B1 (en) 2017-08-16
KR20140070359A (ko) 2014-06-10
EP2738797A2 (en) 2014-06-04
JP2014131004A (ja) 2014-07-10
TWI595068B (zh) 2017-08-11
TW201435034A (zh) 2014-09-16
EP2738797A3 (en) 2016-06-22
KR101916971B1 (ko) 2018-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6059631B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5983519B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6130522B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5846060B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6023737B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5958262B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5767161B2 (ja) ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法
JP6325432B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
EP3038148B1 (en) Wafer temporary bonding method and thin wafer manufacturing method
JP6404787B2 (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP6193813B2 (ja) ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法
JP6443241B2 (ja) ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法
JP6588404B2 (ja) 仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法
JP6788549B2 (ja) 基板加工用仮接着フィルムロール、薄型基板の製造方法
JP5767155B2 (ja) ウエハ加工体、支持体の再生方法及びウエハ加工用仮接着材
JP2017079245A (ja) ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151027

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161117

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6059631

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150