JP2017079245A - ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents
ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017079245A JP2017079245A JP2015205913A JP2015205913A JP2017079245A JP 2017079245 A JP2017079245 A JP 2017079245A JP 2015205913 A JP2015205913 A JP 2015205913A JP 2015205913 A JP2015205913 A JP 2015205913A JP 2017079245 A JP2017079245 A JP 2017079245A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer layer
- wafer
- layer
- laminated
- temporary adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 335
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 313
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 110
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims abstract description 74
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 65
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 54
- -1 siloxane units Chemical group 0.000 claims description 44
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 34
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 33
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 33
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 27
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 26
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical group O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 13
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 11
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 7
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 claims description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 2
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 208
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 57
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 26
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 26
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 26
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 2-methylundecane Chemical compound CCCCCCCCCC(C)C GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N Isobutylhexyl Natural products CCCCCCCC(C)C SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N isododecane Natural products CC(C)(C)CC(C)CC(C)(C)C VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 2-propanol Substances CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N isononane Chemical compound CCCCCCC(C)C ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 3
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 3
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N (4-dimethylsilylidenecyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)C1=CC=C([Si](C)C)C=C1 UHXCHUWSQRLZJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propan-2-yl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)COC(C)(C)C JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(hydroxymethyl)-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC(CO)=C(O)C(CO)=C1 KUMMBDBTERQYCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 2-[tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonyl-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)C SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 C*(C)(C*C(F)(F)F)C(F)(F)F Chemical compound C*(C)(C*C(F)(F)F)C(F)(F)F 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGMZNZABJYWAEC-UHFFFAOYSA-N Methyltris(trimethylsiloxy)silane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C RGMZNZABJYWAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMPRWOVDLKORBV-UHFFFAOYSA-N [(4,6-diamino-1,3,5-triazin-2-yl)-(trimethoxymethyl)amino]methanol Chemical compound COC(OC)(OC)N(CO)C1=NC(N)=NC(N)=N1 ZMPRWOVDLKORBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001462 antimony Chemical class 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical group NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940116315 oxalic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003017 phosphorus Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012321 sodium triacetoxyborohydride Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
- B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/06—Preparatory processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
- C09J5/06—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers involving heating of the applied adhesive
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/35—Heat-activated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
- C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
- C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3512—Cracking
- H01L2924/35121—Peeling or delaminating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
Abstract
【解決手段】支持体上に仮接着材層が形成され、かつ該仮接着材層上に、表面に回路面を有し裏面を加工すべきウエハが積層されたウエハ加工体であって、前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)からなる第三仮接着層の3層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであるウエハ加工体。
【選択図】図1
Description
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)からなる第三仮接着層の3層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体を提供する。
前記ウエハの表面に剥離可能に積層可能な、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層可能な、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)からなる第三仮接着層の3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材を提供する。
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層(A’)を一体で剥離する工程と、
(f)前記工程(e)を行った後の前記ウエハから前記重合体層(B)を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層(A’)を一体で剥離する工程と、
(f)前記工程(e)を行った後の前記ウエハから前記重合体層(B)を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法を提供する。
(A)の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層からなる膜厚100nm未満の熱可塑性仮接着層と、
(B)の熱硬化性シロキサン変性重合体層からなる熱硬化性仮接着層と、
(A’)の熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体からなる膜厚100nm未満の熱可塑性仮接着層
との3層系を有する仮接着材層を、ウエハと支持体の接合にウエハ側から(A)、(B)、(A’)の順で形成した構造として使用することで、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを、簡単に製造する方法を見出した。
[仮接着材層]
−第一仮接着層(A)及び第三仮接着層(A’)/熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層−
第一仮接着層及び第三仮接着層は、熱可塑性のオルガノポリシロキサン重合体から構成される。本発明において重合体層(A)と(A’)は、同じであっても良く、違っていても良い。
本発明のウエハ加工体及びウエハ加工用仮接着材の構成要素である熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)は、熱硬化性シロキサン変性重合体層であれば特に限定されないが、下記一般式(2)あるいは(4)で示される熱硬化性シロキサン変性重合体を主成分とする熱硬化性組成物の硬化物の層が好ましい。なお、重合体層(B)には、下記一般式(2)で示される重合体と、下記一般式(4)で示される重合体を併用することができる。その場合の割合(重合比)は、好ましくは(2):(4)=0.1:99.9〜99.9:0.1、より好ましくは(2):(4)=1:99〜99:1である。
下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000、好ましくは10,000〜100,000のシロキサン結合含有重合体(フェノール基含有オルガノシロキサン結合含有高分子化合物)。
下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体(エポキシ基含有シリコーン高分子化合物)。
本発明のウエハ加工用仮接着材には、上記各成分以外に任意成分を添加することができる。例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリジメチルジフェニルシロキサンなどの非反応性のポリオルガノシロキサン;フェノール系、キノン系、アミン系、リン系、ホスファイト系、イオウ系、チオエーテル系などの酸化防止剤;トリアゾール系、ベンゾフェノン系などの光安定剤;リン酸エステル系、ハロゲン系、リン系、アンチモン系などの難燃剤;カチオン活性剤、アニオン活性剤、非イオン系活性剤などの帯電防止剤;塗工の際の粘度を下げるための溶剤として、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、ヘキサン、オクタン、イソパラフィンなどの脂肪族系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸イソブチルなどのエステル系溶剤、ジイソプロピルエーテル、1,4−ジオキサンなどのエーテル系溶剤、又はこれらの混合溶剤などが使用される。
本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)と、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)の3層からなる複合仮接着材層を用いることを特徴とする。本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には5〜300μm、より典型的には10〜100μmである。
工程(a)は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハ(回路付きウエハ)の前記回路形成面を、上記本発明のウエハ加工体に用いられる熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)と、熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)とからなる複合仮接着材層を介して、支持体に接合する際に、前記支持体上に前記重合体層(A’)が積層され、該重合体層(A’)の上に前記重合体層(B)が積層された支持体と、前記重合体層(A)が積層された回路付きウエハとを真空下で貼り合わせる工程、又は、前記回路形成面上に前記重合体層(A)が積層され、該重合体層(A)上に前記重合体層(B)が積層された回路付きウエハと、前記重合体層(A’)が積層された前記支持体とを真空下で貼り合わせる工程である。
工程(b)は、前記重合体層(B)を熱硬化させる工程である。上記ウエハ加工体(積層体基板)が形成された後、120〜220℃、好ましくは150〜200℃で10分〜4時間、好ましくは30分〜2時間加熱することによって、前記重合体層(B)の硬化を行う。
工程(c)は、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、即ち、工程(a)にて貼り合わせて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削又は研磨して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石(ダイヤモンド等)に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば(株)ディスコ製DAG−810(商品名)等が挙げられる。また、ウエハ裏面側をCMP研磨してもよい。
工程(d)は、回路非形成面を研削したウエハ、即ち、裏面研削によって薄型化されたウエハの回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、ウエハ表面処理、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、ウエハ表面処理のためのCVD、レーザーアニール、電極等の形成のための金属スパッタリング、蒸着、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、表面保護用の有機膜形成、TSV形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。このようなプロセスにおいては、400℃程度までの高温領域で広い範囲にウエハ加工体として耐性を有することが望ましく、特に300℃以上の温度でも強度、寿命のあるウエハ加工体であることがよい。
工程(e)は、工程(d)で加工を施したウエハから支持体及びこの支持体に積層された前記重合体層(A’)を一体に剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ウエハ加工体から、支持体及び重合体層(A’)を一体で剥離する工程である。この剥離工程は、一般に室温から60℃程度の比較的低温の条件で実施され、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる機械剥離方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをウエハ加工体から剥離するピール剥離方法等が挙げられる。
(g)加工を施したウエハの加工面(裏面)にダイシングテープを接着する工程と、
(h)ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程と、
(i)吸着面の温度が10℃から100℃の温度範囲で、支持体及び重合体層(A’)を、加工を施した前記ウエハからピールオフにて剥離する工程と、を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体及び重合体層(A’)を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。なお、ダイシングテープはポリエステル、ポリエチレンフィルム等を使用した公知のものを使用することができる。
工程(f)は、工程(e)で前記支持体及び重合体層(A’)を剥離した後、加工を施したウエハから前記重合体層(B)をテープピール等により剥離する工程である。
4つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン1,000g(3.38モル)及びヘキサメチルジシロキサン0.24g(0.0015モル)を仕込み、温度を110℃に保った。次いで、これに10質量%テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート4gを加え、4時間かけて重合した後、160℃で2時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを29Si−NMR法でD単位とM単位の割合を調べたところ、D単位99.978%、M単位0.022%で、おおよそ重合度9,000の下記構造のジメチルポリシロキサンと同定された。
4つ口フラスコにオクタメチルシクロテトラシロキサン1,000g(3.38モル)及びトリス(トリメチルシロキシ)メチルシラン0.93g(0.003モル)を仕込み、温度を110℃に保った。次いで、これに10質量%テトラブチルホスホニウムハイドロオキサイドシリコネート4gを加え、4時間かけて重合した後、160℃で2時間、後処理を行って、ジメチルポリシロキサンを得た。
このジメチルポリシロキサンを29Si−NMR法でD単位、M単位、T単位のそれぞれの割合を調べたところ、D単位99.911%、M単位0.067%、T単位0.022%であり、下記構造の分岐状ジメチルポリシロキサンと同定された。
4つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン(一般式(1)において、nは9000)であって、その30%トルエン溶液の25℃における粘度が98,000mPa・sであるジメチルポリシロキサン80部と、(CH3)3SiO1/2単位0.75モルとSiO4/2単位1モルの割合からなり、かつ固形分100中に1.0モル%の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン20部とを、トルエン900部に溶解した。得られた溶液に、28%のアンモニア水を1部添加し、室温にて24時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。上記で得られた部分縮合物100部に、トルエン900部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン20部を加え、130℃にて3時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物100部にヘキサン900部を加えて溶解させた後、これを2000部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量740以下の低分子量成分が0.05質量%である、重量平均分子量950,000のジメチルポリシロキサン重合体(a3)を得た。
4つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン(一般式(1)において、nは9000)であって、その30%トルエン溶液の25℃における粘度が98,000mPa・sであるジメチルポリシロキサン90部と、(CH3)3SiO1/2単位0.75モルとSiO4/2単位1モルの割合からなり、かつ固形分100中に1.0モル%の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン10部とを、トルエン900部に溶解した。得られた溶液に、28%のアンモニア水を1部添加し、室温にて24時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物100部に、トルエン900部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン20部を加え、130℃にて3時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物100部にヘキサン900部を加えて溶解させた後、これを2000部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量740以下の低分子量成分が0.05質量%である、重量平均分子量900,000のジメチルポリシロキサン重合体(a4)を得た。
4つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン(一般式(1)において、nは9000)であって、その30%トルエン溶液の25℃における粘度が98,000mPa・sであるジメチルポリシロキサン95部と、(CH3)3SiO1/2単位0.75モルとSiO4/2単位1モルの割合からなり、かつ固形分100中に1.0モル%の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン5部とを、トルエン900部に溶解した。得られた溶液に、28%のアンモニア水を1部添加し、室温にて24時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物100部に、トルエン900部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン20部を加え、130℃にて3時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で180℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物100部にヘキサン900部を加えて溶解させた後、これを2000部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量740以下の低分子量成分が0.05質量%である、重量平均分子量800,000のジメチルポリシロキサン重合体(a5)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備したフラスコ内に9,9’−ビス(3−アリル−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(M−1)43.1g、平均構造式(M−3)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン29.5g、トルエン135g、塩化白金酸0.04gを仕込み、80℃に昇温した。その後、1,4−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン(M−5)17.5gを1時間掛けてフラスコ内に滴下した。このとき、フラスコ内温度は、85℃まで上昇した。滴下終了後、更に80℃で2時間熟成した後、トルエンを留去すると共に、シクロヘキサノンを80g添加して、樹脂固形分濃度50質量%のシクロヘキサノンを溶剤とする樹脂溶液(b1)を得た。この溶液の樹脂分の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量45,000であった。
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した5Lフラスコ内にエポキシ化合物(M−2)84.1gをトルエン600gに溶解後、化合物(M−3)294.6g、化合物(M−4)25.5gを加え、60℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒(5質量%)1gを投入し、内部反応温度が65〜67℃に昇温するのを確認後、更に、90℃まで加温し、3時間熟成した。次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン(MIBK)600gを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)270gを添加して、固形分濃度60質量%のPGMEAを溶剤とする樹脂溶液(b2)を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をGPCにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量28,000であった。
重合体(a1)0.5gをイソドデカン100gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−1)を得た。
重合体(a2)0.3gをイソドデカン100gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−2)を得た。
重合体(a3)0.1gをイソドデカン100gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−3)を得た。
重合体(a4)1.0gをイソドデカン100gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−4)を得た。
重合体(a5)0.3gをイソドデカン100gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−5)を得た。
重合体(a4)1.5gをイソドデカン100gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−6)を得た。
樹脂溶液(b1)50gに、架橋剤としてエポキシ架橋剤であるEOCN−1020(日本化薬(株)製)を7.5g、硬化触媒として、和光純薬工業(株)製、BSDM(ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン)を0.2g、更に、酸化防止剤として、テトラキス[メチレン−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメート)]メタン(商品名:アデカスタブ AO−60)を0.1g添加し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(B−1)を得た。
樹脂溶液(b2)100gに4官能フェノール化合物であるTEP−TPA(旭有機材工業製)を9g、テトラヒドロ無水フタル酸(新日本理化(株)製、リカシッドHH−A)0.2gを添加して、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液(B−2)を得た。
重合体(a1)2.5gをイソドデカン100gに溶解し、0.2μmのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液(A−7)を得た。
表面に高さ10μm、直径40μmの銅ポストが全面に形成された直径200mmシリコンウエハ(厚さ:725μm)に上記の樹脂溶液(A−1)〜(A−7)をスピンコート後、ホットプレートにて、180℃で5分間加熱することにより、(A)層に対応する材料を、ウエハバンプ形成面に成膜した。なお実施例6については、スピンコート後に、イソドデカンを用いて、ウエハ外周部の(A)層を表1に示す幅でエッジカット処理した。一方、直径200mm(厚さ:500μm)のガラス板を支持体とし、この支持体に(A’)層に相当する重合体溶液を、ガラス支持体上に、やはりスピンコートした。更にその後、180℃で5分間、ホットプレート上で加熱した。この支持体上の(A’)層上に(B)層に相当する重合体溶液を、やはりスピンコートした。更にその後、150℃で3分間、ホットプレート上で加熱し、(B)層を仮硬化させた。このようにして作製されたシリコンウエハ及びガラス板をそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で表1に示す条件にて貼り合わせ、積層体を作製した(圧着条件)。表1に、この積層体(ウエハ加工体)における(A)層、(B)層及び(A’)層の膜厚を示した。なお(A)層、(B)層及び(A’)層の膜厚は、200mmベアSiウエハ上に同条件でスピンコートした際の膜厚を、光干渉式膜厚計(大日本スクリーン製、VM−1210)にて測定した値を用いている。
200mmのウエハ接合は、EVG社のウエハ接合装置EVG520ISを用いて行った。接合温度は表1に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は10−3mbar以下、荷重は5kNで実施した。接合後、一旦、180℃で1時間オーブンを用いて基板を加熱し、(B)層の硬化を実施したのち、室温まで冷却し、その後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
グラインダー(DISCO製、DAG810)でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚50μmまでグラインドした後、光学顕微鏡(100倍)にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
シリコンウエハを裏面研削した後の積層体を窒素雰囲気下の200℃オーブンに2時間入れた後、320℃のホットプレート上で10分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ等の外観異常が発生した場合を「×」で示した。
耐熱性試験終了後の50μmまで薄型化したウエハの加工面(回路非形成面)側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの1点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。50μmのウエハを割ることなく支持体を剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。なお、エッジカット処理を行った実施例6のみ、エッジカット部分をダイサーでトリミング処理してから試験を行った。
支持体剥離性試験まで終えたウエハを、引き続きダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、(株)寺岡製作所製ポリエステルフィルム粘着テープNo.648を表面に露出した重合体層(B)に貼り、テープピール剥離を行うことでウエハから重合体層(B)を剥離した。50μmのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。なお、外周部のエッジカット処理を行った実施例6に関しては、エッジカット処理を行っていない部分のみ剥離できていれば、「○」と評価した。
上記テープピール剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された200mmウエハ(耐熱性試験条件に晒されたもの)を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソノナンを3分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール(IPA)を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
上記洗浄除去性試験までで使用したのと同じ銅ポストが形成されたシリコンウエハ上に、上記実施例及び比較例で作製したのと同じ条件で重合体層(A)を形成し、その上に重合体層(B)を形成し、重合体層(B)の硬化を実施した後、150mm長×25mm幅のポリイミドテープを5本貼り付け、テープが張られていない部分の(B)層を除去した。島津製作所社のAUTOGRAPH(AG−1)を用いてテープの一端から180°剥離で120mm剥がし、そのときにかかる力の平均(120mmストローク×5回)を、(A)層のピール剥離力とした。
2…仮接着材層、
(A)…熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(第一仮接着層)、
(B)…熱硬化性シロキサン変性重合体層(第二仮接着層)、
(A’)…熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(第三仮接着層)、
3…支持体。
Claims (21)
- 支持体上に仮接着材層が形成され、かつ該仮接着材層上に、表面に回路面を有し裏面を加工すべきウエハが積層されたウエハ加工体であって、
前記仮接着材層が、前記ウエハの表面に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層された、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)からなる第三仮接着層の3層構造を有する、複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工体。 - 前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が積層され、更に該重合体層(A)に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力が、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)が積層され、更に該重合体層(A’)に前記重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A’)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力よりも強いことを特徴とする請求項1に記載のウエハ加工体。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)及び/又は(A’)が、R11R12SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)を99.000〜99.999モル%、R13R14R15SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)を1.000〜0.001モル%、R16SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)を0.000〜0.500モル%含有し(但し、R11、R12、R13、R14、R15、R16はそれぞれ非置換又は置換の1価炭化水素基を示す。)、かつ重量平均分子量が200,000〜1,000,000で、更には分子量740以下の低分子量成分が0.5質量%以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウエハ加工体。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)及び/又は(A’)が、R21R22R23SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基又は水酸基である。)及びSiO4/2単位を含有し、前記R21R22R23SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式(1)で表わされるオルガノポリシロキサンとが部分的に脱水縮合したものであり、該脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が99:1〜50:50であり、重量平均分子量が400,000〜1,500,000であり、更には分子量740以下の低分子量成分が0.5質量%以下である、非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウエハ加工体。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)及び/又は(A’)の膜厚が1〜80nmであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- 前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が積層され、更に該重合体層(A)に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力が、25mm幅の試験片の180°ピール剥離力で1gf以上500gf以下であり、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)が積層され、更に該重合体層(A’)に前記重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A’)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力が、25mm幅の試験片の180°ピール剥離力で0.5gf以上50gf以下であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が、前記ウエハの表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)が、前記支持体の表面に部分的に形成され、剥離可能に接着されたものであることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のウエハ加工体。
- (a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)と、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記支持体上に前記重合体層(A’)が積層され、該重合体層(A’)の上に前記重合体層(B)が積層された支持体と、前記重合体層(A)が積層された前記ウエハとを真空下で貼り合わせる工程と、
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層(A’)を一体で剥離する工程と、
(f)前記工程(e)を行った後の前記ウエハから前記重合体層(B)を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。 - (a)表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のウエハ加工体に用いられる前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)と、前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)と、前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)とからなる複合仮接着材層を介して支持体に接合する際に、前記回路形成面上に前記重合体層(A)が積層され、該重合体層(A)上に前記重合体層(B)が積層された前記ウエハと、前記重合体層(A’)が積層された前記支持体とを真空下で貼り合わせる工程と、
(b)前記重合体層(B)を熱硬化させる工程と、
(c)前記支持体と接合した前記ウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
(d)前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
(e)前記加工を施したウエハから、前記支持体と前記支持体に積層された前記重合体層(A’)を一体で剥離する工程と、
(f)前記工程(e)を行った後の前記ウエハから前記重合体層(B)を剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。 - 表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、
前記ウエハの表面に剥離可能に積層可能な、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)からなる第一仮接着層と、該第一仮接着層に剥離可能に積層された熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)からなる第二仮接着層と、該第二仮接着層に剥離可能に積層され、前記支持体上に剥離可能に積層可能な、膜厚100nm未満である熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)からなる第三仮接着層の3層構造を有する複合仮接着材層を備えたものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。 - 前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が積層され、更に該重合体層(A)に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力が、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)が積層され、更に該重合体層(A’)に前記重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A’)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力よりも強いことを特徴とする請求項13に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)及び/又は(A’)が、R11R12SiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位)を99.000〜99.999モル%、R13R14R15SiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位)を1.000〜0.001モル%、R16SiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位)を0.000〜0.500モル%含有し(但し、R11、R12、R13、R14、R15、R16はそれぞれ非置換又は置換の1価炭化水素基を示す。)、かつ重量平均分子量が200,000〜1,000,000で、更には分子量740以下の低分子量成分が0.5質量%以下である非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項13又は請求項14に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)及び/又は(A’)が、R21R22R23SiO1/2単位(R21、R22、R23はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数1〜10の1価炭化水素基又は水酸基である。)及びSiO4/2単位を含有し、前記R21R22R23SiO1/2単位/SiO4/2単位のモル比が0.6〜1.7であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式(1)で表わされるオルガノポリシロキサンとが部分的に脱水縮合したものであり、該脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が99:1〜50:50であり、重量平均分子量が400,000〜1,500,000であり、更には分子量740以下の低分子量成分が0.5質量%以下である、非反応性オルガノポリシロキサン層であることを特徴とする請求項13又は請求項14のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)及び/又は(A’)の膜厚が1〜80nmであることを特徴とする請求項13から請求項16のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、1分子中に平均して2個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項13から請求項17のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が、下記一般式(4)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が3,000〜500,000のシロキサン結合含有重合体100質量部に対して、架橋剤として1分子中に平均して2個以上のフェノール基を有するフェノール化合物、及び1分子中に平均して2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか1種以上を0.1〜50質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項13から請求項17のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記ウエハの表面に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)が積層され、更に該重合体層(A)に前記熱硬化性シロキサン変性重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力が、25mm幅の試験片の180°ピール剥離力で1gf以上500gf以下であり、前記支持体上に前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A’)が積層され、更に該重合体層(A’)に前記重合体層(B)が積層された状態で、前記重合体層(A’)から熱硬化後の前記重合体層(B)を剥離するのに必要な剥離力が、25mm幅の試験片の180°ピール剥離力で0.5gf以上50gf以下であることを特徴とする請求項13から請求項19のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
- 前記熱可塑性オルガノポリシロキサン重合体層(A)及び/又は(A’)は、周辺部が一部除去されているものであることを特徴とする請求項13から請求項20のいずれか1項に記載のウエハ加工用仮接着材。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015205913A JP6502824B2 (ja) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
US15/283,904 US10147632B2 (en) | 2015-10-19 | 2016-10-03 | Wafer processing laminate, temporary adhesive material for wafer processing, and method for manufacturing thin wafer |
EP16002215.8A EP3159924B1 (en) | 2015-10-19 | 2016-10-14 | Wafer processing laminate, temporary adhesive material for wafer processing, and method for manufacturing thin wafer |
KR1020160133334A KR102350892B1 (ko) | 2015-10-19 | 2016-10-14 | 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 |
TW105133577A TWI693269B (zh) | 2015-10-19 | 2016-10-18 | 晶圓加工體、晶圓加工用暫時接著材料、及薄型晶圓之製造方法 |
CN201610912284.0A CN106952854B (zh) | 2015-10-19 | 2016-10-19 | 晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015205913A JP6502824B2 (ja) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017079245A true JP2017079245A (ja) | 2017-04-27 |
JP6502824B2 JP6502824B2 (ja) | 2019-04-17 |
Family
ID=57178188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015205913A Active JP6502824B2 (ja) | 2015-10-19 | 2015-10-19 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10147632B2 (ja) |
EP (1) | EP3159924B1 (ja) |
JP (1) | JP6502824B2 (ja) |
KR (1) | KR102350892B1 (ja) |
CN (1) | CN106952854B (ja) |
TW (1) | TWI693269B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112017002732T5 (de) | 2016-05-31 | 2019-02-28 | Denso Corporation | Gusskern und Verfahren zum Herstellen desselben |
JP2019186470A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 信越化学工業株式会社 | 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法 |
WO2020111069A1 (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 日産化学株式会社 | 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法 |
JP2020097217A (ja) * | 2018-11-01 | 2020-06-25 | 信越化学工業株式会社 | 積層体の製造方法、及び基板の製造方法 |
WO2022202653A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 三井化学東セロ株式会社 | ウエハの処理方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6023737B2 (ja) * | 2014-03-18 | 2016-11-09 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6443241B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2018-12-26 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6463664B2 (ja) | 2015-11-27 | 2019-02-06 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体及びウエハ加工方法 |
KR20180069185A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-25 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 및 접착층 세정 조성물 |
JP7025171B2 (ja) * | 2017-10-12 | 2022-02-24 | 株式会社ディスコ | 被加工物の研削方法 |
JP7139048B2 (ja) * | 2018-07-06 | 2022-09-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7035915B2 (ja) * | 2018-09-03 | 2022-03-15 | 信越化学工業株式会社 | 薄型ウエハの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010098151A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
JP2013110391A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-06-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP2013235939A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6887580B2 (en) * | 2000-02-01 | 2005-05-03 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | Adhesive polyimide resin and adhesive laminate |
JP4565804B2 (ja) | 2002-06-03 | 2010-10-20 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置 |
US7534498B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-05-19 | 3M Innovative Properties Company | Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body |
US7541264B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-06-02 | Dow Corning Corporation | Temporary wafer bonding method for semiconductor processing |
JP2006328104A (ja) | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Jsr Corp | 接着剤組成物 |
US20100196703A1 (en) * | 2007-04-25 | 2010-08-05 | Yoshitsugu Matsuura | Adhesive sheet |
JP5617835B2 (ja) | 2009-02-24 | 2014-11-05 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011060848A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 |
JP5846060B2 (ja) | 2011-07-27 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
EP2657963B1 (en) | 2012-04-24 | 2017-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer-trilayer adhesive layer-support composite, wafer support with trilayer adhesive layer for use in wafer processing, trilayer adhesive layer for use in wafer processing, method of manufacturing said composite and method of manufacturing a thin wafer using said composite |
JP5975528B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2016-08-23 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6059631B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-11 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP6083233B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2017-02-22 | Jnc株式会社 | インモールド成形用転写フィルム、インモールド成形体の製造方法および成形体 |
JP6404787B2 (ja) | 2014-09-26 | 2018-10-17 | 信越化学工業株式会社 | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
-
2015
- 2015-10-19 JP JP2015205913A patent/JP6502824B2/ja active Active
-
2016
- 2016-10-03 US US15/283,904 patent/US10147632B2/en active Active
- 2016-10-14 EP EP16002215.8A patent/EP3159924B1/en active Active
- 2016-10-14 KR KR1020160133334A patent/KR102350892B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-18 TW TW105133577A patent/TWI693269B/zh active
- 2016-10-19 CN CN201610912284.0A patent/CN106952854B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010098151A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nichia Corp | 半導体発光素子 |
JP2013110391A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-06-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 |
JP2013235939A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112017002732T5 (de) | 2016-05-31 | 2019-02-28 | Denso Corporation | Gusskern und Verfahren zum Herstellen desselben |
JP2019186470A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 信越化学工業株式会社 | 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法 |
JP7045765B2 (ja) | 2018-04-16 | 2022-04-01 | 信越化学工業株式会社 | 回路付基板加工体及び回路付基板加工方法 |
JP2020097217A (ja) * | 2018-11-01 | 2020-06-25 | 信越化学工業株式会社 | 積層体の製造方法、及び基板の製造方法 |
JP7220135B2 (ja) | 2018-11-01 | 2023-02-09 | 信越化学工業株式会社 | 積層体の製造方法、及び基板の製造方法 |
WO2020111069A1 (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 日産化学株式会社 | 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法 |
JPWO2020111069A1 (ja) * | 2018-11-28 | 2021-10-14 | 日産化学株式会社 | 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法 |
US11776837B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-10-03 | Nissan Chemical Corporation | Adhesive agent composition, layered product and production method for layered product, and method for reducing thickness of semiconductor forming substrate |
JP7460963B2 (ja) | 2018-11-28 | 2024-04-03 | 日産化学株式会社 | 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法 |
WO2022202653A1 (ja) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 三井化学東セロ株式会社 | ウエハの処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170110360A1 (en) | 2017-04-20 |
US10147632B2 (en) | 2018-12-04 |
TW201731997A (zh) | 2017-09-16 |
CN106952854A (zh) | 2017-07-14 |
EP3159924A1 (en) | 2017-04-26 |
CN106952854B (zh) | 2021-12-14 |
TWI693269B (zh) | 2020-05-11 |
JP6502824B2 (ja) | 2019-04-17 |
EP3159924B1 (en) | 2019-07-31 |
KR102350892B1 (ko) | 2022-01-13 |
KR20170045720A (ko) | 2017-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6404787B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP6130522B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP6502824B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP5983519B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP6023737B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP5958262B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
JP5846060B2 (ja) | ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法 | |
KR102355192B1 (ko) | 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP6225894B2 (ja) | ウエハの仮接着方法及び薄型ウエハの製造方法 | |
KR102494875B1 (ko) | 웨이퍼 가공용 가접착재, 웨이퍼 가공체 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP2013235939A (ja) | ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法 | |
JP2020097217A (ja) | 積層体の製造方法、及び基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190322 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6502824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |