JP2013235939A - ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】剥離後の洗浄性を維持しながら、適度な剥離力を有するウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及びそれを使用した薄型ウエハの作製方法を提供する。
【解決手段】ウエハの表面に剥離可能に接着される、Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位（Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ_４／２単位を含有し、Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位／ＳｉＯ_４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、オルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものである熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層（Ａ）からなる第一仮接着材層と、第一仮接着材層に積層され、上記支持体に接着かつ剥離可能な熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着材層との二層のシロキサンからなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、ウエハ加工用仮接着材、それを用いたウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法に関する。

３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を非回路形成面（「裏面」ともいう）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に裏面保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。

そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐えうるシステムが提案されている。この際に重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着層を仮接着材層と呼ぶ。

これまでに公知の仮接着層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着材に高強度の光を照射し、接着材層を分解することによって支持体から接着材層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着材に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザ等の高価な装置が必要であり、かつ基板１枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着材層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。

また、シリコーン粘着剤を仮接着材層に用いる技術が提案されている（特許文献３）。これは基板を支持体に付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて接合し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解、あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである。そのため剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難である。

これらの仮接着材は、剥離した後は不要になるため、有機溶剤で洗浄、除去する必要があり、洗浄用有機溶剤に容易に溶解しなければならない。しかしながら、有機溶剤にあまりに容易に溶解してしまう仮接着材は、接着力が低く、このため、基板の処理過程において、ボイドの発生や支持体からの剥離といった問題の原因となる恐れがある。一方で、強力な接着力を有する仮接着材は、支持体からの剥離が困難または剥離後の仮接着材層の洗浄が困難であり、剥離力と洗浄性のコントロールが問題となっている。

特開２００４−６４０４０号公報 特開２００６−３２８１０４号公報 米国特許第７５４１２６４号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、剥離後の洗浄性を維持しながら、適度な剥離力を有するウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及びそれを使用した薄型ウエハの作製方法を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、該ウエハ加工用仮接着材は、前記ウエハの表面に剥離可能に接着される、Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位（Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ_４／２単位を含有し、前記Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位／ＳｉＯ_４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものである熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層（Ａ）からなる第一仮接着材層と、該第一仮接着材層に積層され、上記支持体に接着かつ剥離可能な熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着材層との二層のシロキサンからなるものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材を提供する。

（式中、Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）

このようなウエハ加工用仮接着材は、上記オルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサンレジンとの部分縮合物を離形層として用いることで、ウエハと支持体との剥離力を調整することを可能とする。レジン変性オルガノポリシロキサンからなる熱可塑性仮接着材層（Ａ）と、変性シロキサン重合体を主成分とする層からなる熱硬化性仮接着材層（Ｂ）との二層からなる仮接着材を、ウエハと支持体の接合に使用することで、この仮接着材を使用して貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを簡単に作製することができる。本発明のウエハ加工用仮接着材は、剥離後の洗浄性を維持しながら、ウエハと支持体との剥離力の調整が可能であり、容易に薄型ウエハの作製ができ、さらに薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体より室温で容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハを容易に扱うことができる。

また、この場合、前記熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層（Ａ）において、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、９９：１〜５０：５０であり、さらに重量平均分子量が４００，０００〜１，５００，０００であることが好ましい。

このようなウエハ加工用仮接着材は、洗浄性を維持しながら、ウエハと支持体との剥離力の調整が容易であり、さらに容易に薄型ウエハを作製することができ、薄型ウエハ作製後に、このウエハを支持体より室温でさらに容易に剥離することができる。

また、前記熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）が、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物又は下記一般式（４）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることが好ましい。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。

（式中、Ｚは、

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。Ｙは下記一般式（５）で示される２価の有機基である。）

（式中、Ｚは、

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）

（式中、Ｖは、

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ⁷、Ｒ⁸はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）

前記熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）を用いることにより、洗浄性を維持しながら、ウエハと支持体との剥離力の調整が容易であり、さらに容易に薄型ウエハを作製することができ、薄型ウエハ作製後に、このウエハを支持体より室温でさらに容易に剥離することができる。

また、本発明では、前記ウエハ加工用仮接着材と支持体とからなるウエハ加工用部材を提供する。

このようなウエハ加工用部材は、より容易に薄型ウエハを作製するのに有益である。

また、本発明では、支持体上に前記ウエハ加工用仮接着材が積層され、かつ当該仮接着材上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されたものであることを特徴とするウエハ加工体を提供する。

このようなウエハ加工体により容易に薄型ウエハを作製することができ、さらに薄型ウエハ作製後に、このウエハを支持体より室温で容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハを容易に扱うことができる。

さらに、本発明は、
（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、前記ウエハ加工用仮接着材を介して、支持体に接合する工程と、
（ｂ）支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｃ）ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｄ）加工を施したウエハを支持体から剥離する工程と、
を含むことを特徴とする薄型ウエハの作製方法を提供する。

このような薄型ウエハの作製方法であれば、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨して加工を施した後に、この加工を施したウエハを支持体から容易に剥離することができるため、容易に薄型ウエハを作製することができる。

またこの場合、前記（ｄ）加工を施したウエハを支持体から剥離する工程後に、さらに（ｅ）剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことが好ましい。

上記（ｅ）の工程により前記ウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を完全に除去することができる。

本発明のウエハ加工用仮接着材は、レジン変性オルガノポリシロキサンからなる熱可塑性仮接着材層を離形層、変性シロキサン重合体を主成分とする層からなる熱硬化性仮接着材層を硬化層とする二層系の仮接着材であるため、剥離後の洗浄性を維持しながら、支持体との剥離力の調整が可能であり、容易に薄型ウエハの作製ができ、さらに薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体より室温で容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハを容易に扱うことができる

図１は、本発明のウエハ加工体の一例を示す断面図である。

薄型ウエハを作製するには、仮接着材が強力な接着力を有する必要がある。しかし、強力な接着力を有する仮接着材は、支持体からの剥離が困難または剥離後の仮接着材層の洗浄が困難である。本発明者らは、鋭意検討を行った結果、本発明のウエハ加工用仮接着材であれば、接着力を有しながら、支持体からの剥離力と、その後の洗浄力とを有することを見出して、本発明を完成させた。

以下、レジン変性オルガノポリシロキサンを含むウエハ加工用仮接着材、ウエハ加工用部材、ウエハ加工体、及び薄型ウエハの作製方法について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明は、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、該ウエハ加工用仮接着材は、前記ウエハの表面に剥離可能に接着される、Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位（Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ_４／２単位を含有し、前記Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位／ＳｉＯ_４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものである熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層（Ａ）からなる第一仮接着材層と、該第一仮接着材層に積層され、上記支持体に接着かつ剥離可能な熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着材層との二層のシロキサンからなるものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材を提供する。

（式中、Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）

図１に示したように、本発明のウエハ加工用仮接着材３は、上記熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）（第一仮接着層）、熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）（第二仮接着層）の積層体からなるものであり、本発明のウエハ加工用部材は、支持体２と、その上に積層された熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）（第二仮接着層）と、その上に積層された熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）（第一仮接着層）とを有するものである。
本発明のウエハ加工体は、加工すべきウエハ１と、ウエハ１の加工時にウエハ１を支持する支持体２と、これらウエハ１と支持体２との間に介在する仮接着材層３を備え、この仮接着材層３が、熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）（第一仮接着層）と熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）（第二仮接着層）からなり、第一仮接着層が表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハの表面に剥離可能に接着され、第二仮接着層が支持体に剥離可能に接着されているものである。

［第一仮接着層／熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）］
Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位及びＳｉＯ_４／２単位を含有し、Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位／ＳｉＯ_４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、両末端が水酸基で封鎖された重合度が５０００〜１００００である上記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとの部分縮合物を、第一仮接着層／熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサン重合体層（Ａ）として用いる。該層（Ａ）は、離形層として働くため、ウエハと支持体との剥離力を調整することができる。ここで、オルガノポリシロキサンの重合度が５０００〜１００００であるので、該層（Ａ）は、熱可塑性高重合度レジン変性オルガノポリシロキサン重合体層であるといえる。

上記において、Ｒ¹¹及びＲ^1２は、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの１価炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられ、好ましくはメチル基及びフェニル基である。

また、Ｒ^２１、Ｒ^２２及びＲ^２３は非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基等のアルキル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、トリル基等のアリール基などの１価炭化水素基、これら水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基、水酸基等が挙げられ、好ましくはメチル基である。

上記のＲ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）及びＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）を含有するオルガノポリシロキサンレジン（以下、ＭＱレジンともいう）は、ケイ素原子に結合した水酸基を有するものであってもよい。ＭＱレジン１００ｇに対して水酸基の含有量は、０〜４．０質量％程度であり、好ましくは０．５〜１．５質量％である。更に、このＭＱレジンは、Ｒ^２４ＳｉＯ_３/２単位（Ｔ単位）、及びＲ^２５Ｒ^２６ＳｉＯ_２/２（Ｄ単位）の比較的少量を有するものであってもよい（Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６は前記Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３と同様である。）

また、この場合、前記熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層（Ａ）において、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、９９：１〜５０：５０であることが好ましい。

脱水縮合反応に用いる有機溶剤としては、ペンタン、へキサン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、オクタン、イソオクタン、デカン、ウンデカン、イソドデカン、リモネン、ピネン等があり、トルエンが好ましい。また、用いるアミン系触媒としては、アンモニア水、トリエチルアミン、ピリジン等があり、アンモニア水を用いることが好ましい。更に、反応時間としては、１２〜１００時間、好ましくは１８〜３６時間である。

反応終了後に得られたオルガノポリシロキサンをトルエン等の溶剤に溶解させ、オルガノポリシロキサン１００質量部に対して５〜２０質量部のヘキサメチルジシラザンを加えて、３〜５時間還流させ、残存する水酸基をトリメチルシロキシ基としても良い。
更に、得られたレジン変性オルガノポリシロキサンをヘキサン等の富溶媒に溶解させ、その総重量に対して１．５〜３倍量のアセトン等の貧溶媒と混合し、下層に析出したレジン変性オルガノポリシロキサンを用いても良い。

得られたレジン変性オルガノポリシロキサンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）にて、ポリスチレン標準物質によって作製した検量線に則って得られる重量平均分子量（本明細書では、「重量平均分子量」とはこれを意味する。）の値で、重量平均分子量が好ましくは４００，０００以上、より好ましくは５５０，０００以上であり、かつ、好ましくは１，５００，０００以下、より好ましく１，２００，０００以下である。

得られたレジン変性オルガノポリシロキサンにおいて、重量平均分子量が４００，０００以上の場合、ウエハを薄型化するための研削工程に十分に耐えることができるため好ましい。一方、重量平均分子量が１，５００，０００以下の場合には、工程終了後の洗浄工程で洗浄できない恐れも生じないため好ましい。
一方、分子量が７４０以下の低分子量成分が０．５質量％以下であれば、貫通電極形成中の熱処理やウエハ裏面に形成されるバンプ電極の熱処理に対して、十分な耐熱性が得られるため好ましい。

更に、Ｄ単位は樹脂中の９５．０００〜９９．９９９モル％を構成することが好ましく、９５．０００モル％以上であれば、ウエハ薄型化のための研削工程に耐えることができるため好ましく、９９．９９９モル％以下の場合には、工程終了後の仮接着層（Ｂ）との剥離が行えないおそれがないため好ましい。

なお、反応前のオルガノポリシロキサン及びオルガノポリシロキサンレジンは、それぞれ１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができ、得られるレジン変性オルガノポリシロキサンも、１種単独でも２種以上であってもよい。

この熱可塑性オルガノポリシロキサン層は、予めフィルムとし、該フィルムをロールラミネータ等を使用してウエハに貼り合わせ使用しても、その溶液をスピンコート、ロールコータなどの方法によってウエハ上に形成して使用してもよい。スピンコートなどの方法によってウエハ上にこの層（Ａ）を形成する場合には、樹脂を溶液としてコートすることが好ましいが、このときには、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネンなどの炭化水素系溶剤が好適に使用される。また、この層（Ａ）は、膜厚０．１〜１０μｍの間で形成されて使用されることが好ましい。厚さが０．１μｍ以上でれば、デバイスウエハの段差をカバーすることができ、厚さが１０μｍ以下であれば、薄型ウエハを形成する場合の研削工程に耐えることができるため好ましい。

［第二仮接着層／熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）］
第二仮接着層／熱硬化性変性シロキサン重合体層（Ｂ）は、第一仮接着材層に積層され、支持体に接着かつ剥離可能な熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着材層であり、一般式（２）あるいは（４）のいずれかで示される熱硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする熱硬化性組成物の硬化物の層が第二仮接着層（Ｂ）として挙げられる。

一般式（２）の重合体：
下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物である。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８のアルキル基等の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。

（式中、Ｚは

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
この場合、Ｒ¹〜Ｒ⁴の具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基等が挙げられ、ｍは、好ましくは３〜６０、より好ましくは８〜４０の整数である。また、Ｂ／Ａは０〜２０、特に０．５〜５である。

一般式（４）の重合体：
下記一般式（４）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物である。

［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８のアルキル基等の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０、好ましくは０．１≦（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦０．８である。更に、Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基、Ｙは下記一般式（５）で示される２価の有機基である。

（式中、Ｚは

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）

（式中、Ｖは

のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ⁷、Ｒ⁸はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）］
この場合、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｍの具体例は上記と同様である。

これらの式（２）又は（４）の熱硬化性変性シロキサン重合体を主成分とする熱硬化性組成物は、その熱硬化のために、ホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上の架橋剤を含有する。
特に、２官能、３官能、４官能以上の多官能架橋剤、とりわけエポキシ樹脂、例えば、日本化薬（株）製のＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＸＤ−１０００、ＮＣ−２０００−Ｌ、ＥＰＰＮ−２０１、ＧＡＮ、ＮＣ６０００や下記式のような架橋剤を含有することができる。

架橋剤の配合量は、上記熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して０．１〜５０質量部、好ましくは０．１〜３０質量部、更に好ましくは１〜２０質量部であり、２種類又は３種類以上を混合して配合してもよい。

また、この組成物には、酸無水物のような硬化触媒を、５質量部以下含有させることが可能である。

一方、この組成物は、フィルムで、ウエハに積層された層（Ａ）の上に形成しても、あるいは、薄型ウエハを作製するための支持体側に形成してもよい。また、この組成物を溶液に溶解し、塗布、具体的にはスピンコート、ロールコータ、ダイコータなどの方法によって層（Ａ）、あるいは、支持体に形成してもよい。その場合には、溶解する溶液としては、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類；３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等のエステル類等が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を併用することができる。

なお、この組成物には、耐熱性を更に高めるため、公知の酸化防止剤、シリカ等のフィラーを５０質量部以下添加してもよい。

仮接着材層（Ｂ）は、硬化時の膜厚が１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１２０μｍで成膜することがさらに好ましい。膜厚が１０μｍ以上の場合には、ウエハ薄型化の研削工程に十分耐えることができ、２００μｍ以下の場合には、ＴＳＶ形成工程などの熱処理工程で樹脂変形を生じるおそれがなく、実用に耐えることができるため好ましい。

この仮接着材層（Ｂ）を支持体から１８０°で剥離する場合の剥離力は、０．５〜５０ｇｆが好ましく、さらに好ましくは１〜４０ｇｆである。剥離力が０．５ｇｆ以上の場合には、ウエハ薄膜化の研削工程に十分耐えることができ、５０ｇｆ以下の場合には、薄型ウエハ作製後における支持体からの剥離が困難になるおそれがないため好ましい。

＜薄型ウエハの作製方法＞
本発明の薄型ウエハの作製方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との接着層として、前述の層（Ａ）と層（Ｂ）の二層とからなるウエハ加工用仮接着材を用いることを特徴とする。本発明の作製方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には５〜３００μｍ、より典型的には１０〜１００μｍである。

本発明の薄型ウエハの作製方法は（ａ）〜（ｅ）の工程を有する。
［工程（ａ）］
工程（ａ）は、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの回路形成面を、上述した層（Ａ）と層（Ｂ）の二層からなるウエハ加工用仮接着材を介して支持体と接合する工程である。回路形成面及び回路非形成面を有するウエハは、一方の面が回路形成面であり、他方の面が回路非形成面であるウエハである。本発明が適用できるウエハは、通常、半導体ウエハである。該半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ等が挙げられる。該ウエハの厚さは、特に制限はないが、典型的には６００〜８００μｍ、より典型的には６２５〜７７５μｍである。
支持体としては、シリコンウエハやガラス、石英ウエハ等の基板が使用可能である。本発明においては、支持体を通して仮接着材層に放射エネルギー線を照射する必要はなく、支持体の光線透過性は不要である。

仮接着材層（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれフィルムで、ウエハや支持体に形成することもでき、あるいは、それぞれの溶液をスピンコートなどの方法によりウエハや支持体に形成することができる。この場合、スピンコート後、その溶剤の揮発条件に応じ、８０〜２００℃の温度で、予めプリベークを行ったのち、使用に供される。更に、（Ａ）と（Ｂ）は、予めそのフィルム同士を貼り合わせた後、（Ａ）をウエハ側に、（Ｂ）を支持体側にして接合に供することも可能である。

層（Ａ）と層（Ｂ）が形成されたウエハ及び支持体は、層（Ａ）と層（Ｂ）を介して、接合された基板として形成される。このとき、好ましくは４０〜２３０℃、より好ましくは４０〜２００℃の温度領域で、この温度にて減圧下、この基板を均一に圧着することで、ウエハが支持体と接合したウエハ加工体（積層体基板）が形成される。
ウエハ貼り合わせ装置としては、市販のウエハ接合装置、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ社のＸＢＣ３００等が挙げられる。

［工程（ｂ）］
工程（ｂ）は、支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、即ち、工程（ａ）にて貼り合わせて得られたウエハ加工体のウエハ裏面側を研削又は研磨して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、平面研削盤等の公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ−８１０（商品名）等が挙げられる。

［工程（ｃ）］
工程（ｃ）は、回路非形成面を研削又は研磨したウエハ加工体、即ち、裏面研削又は研磨によって薄型化されたウエハ加工体の回路非形成面に加工を施す工程である。この工程にはウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、回路非形成面に対する電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。

［工程（ｄ）］
工程（ｄ）は、前記工程（ｃ）で加工を施したウエハを支持体から剥離する工程、即ち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前に支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、主にウエハと支持体を加熱（好ましくは２００〜２５０℃）しながら、水平方向に沿って反対方向にスライドさせることにより両者を分離する方法、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ加工体から剥離する方法等が挙げられるが、特に制限なく採用することができる。

本発明には、これらの剥離方法すべてに適用可能であるが、ウエハ加工体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式で剥離する方法等がより適している。これらの剥離方法は、通常、室温で実施される。

［工程（ｅ）］
工程（ｅ）は、剥離したウエハの回路形成面に仮接着層（Ａ）が一部残存した場合に、これを除去する工程である。工程（ｄ）により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、仮接着層（Ａ）が一部残存している場合があり、この仮接着層（Ａ）の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
工程（ｅ）には、仮接着材層中の層（Ａ）である熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンを溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソドデカン、リモネンなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。また、除去しにくい場合は、上記溶剤に、塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．１〜５質量％である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。洗浄方法としては、上記液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が可能である。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、薄型ウエハが得られる。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記において「部」及び「％」は、それぞれ質量部、質量％を意味する。

［樹脂合成例１］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン８０部と、（ＣＨ_３）ＳｉＯ_１/２単位０．７５モルとＳｉＯ_４/２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン２０部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。

上記で得られた部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。

更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空化でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量９５０，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。

この重合体２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−１）を得た。

［樹脂合成例２］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン９０部と、（ＣＨ_３）ＳｉＯ_１/２単位０．７５モルとＳｉＯ_４/２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン１０部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空化でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量９００，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。

この重合２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−２）を得た。

［樹脂合成例３］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン９５部と、（ＣＨ_３）ＳｉＯ_１/２単位０．７５モルとＳｉＯ_４/２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン５部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空化でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量８００，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。

この重合２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−３）を得た。

［樹脂合成例４］
撹拌機、温度計、窒素置換装置及び還流冷却器を具備した５Ｌフラスコ内に化合物（Ｍ−１）３９６．９ｇ、化合物（Ｍ−２）４５．０ｇをトルエン１，８７５ｇに溶解後、化合物（Ｍ−３）９４９．６ｇ、化合物（Ｍ−４）６．１ｇを加え、６０℃に加温した。その後、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、内部反応温度が６５〜６７℃に昇温するのを確認後、更に、３時間９０℃まで加温後、再び６０℃まで冷却して、カーボン担持白金触媒（５質量％）２．２ｇを投入し、化合物（Ｍ−５）１０７．３ｇを１時間掛けてフラスコ内に滴下した。このときフラスコ内温度は、７８℃まで上昇した。滴下終了後、更に、９０℃で３時間熟成し、次いで室温まで冷却後、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１，７００ｇを加え、本反応溶液をフィルターにて加圧濾過することで白金触媒を取り除いた。更に、得られた高分子化合物溶液に純水７６０ｇを加えて撹拌、静置分液を行い、下層の水層を除去した。この分液水洗操作を６回繰り返し、高分子化合物溶液中の微量酸成分を取り除いた。この樹脂溶液中の溶剤を減圧留去すると共に、シクロペンタノンを９５０ｇ添加して、固形分濃度６０質量％のシクロペンタノンを溶剤とする樹脂溶液を得た。この樹脂溶液中の樹脂の分子量をＧＰＣにより測定すると、ポリスチレン換算で重量平均分子量６２，０００であり、式（２）における（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）は０．１０である。更にこの樹脂溶液１００ｇにクレゾールノボラックのエポキシ体（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ１０２０−５５）を１５ｇ、テトラヒドロ無水フタル酸（新日本理化（株）製、リカシッドＨＨ−Ａ）０．２ｇを添加して、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、樹脂溶液（Ｂ−１）を得た。

［実施例１〜３及び比較例１，２］
表面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）にスピンコートにて（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）を表１に示す膜厚で、ウエハバンプ形成面に成膜した。一方、直径２００ｍｍ（厚さ：５００μｍ）のガラス板を支持体とし、この支持体に（Ｂ−１）をスピンコートにて、表１の膜厚のフィルムを成型した。このとき、樹脂をコート後、いずれも、１２０℃で２分間ホットプレート上で加熱処理した。この樹脂層を有するシリコンウエハ及びガラス板をそれぞれ、樹脂面が合わされるように、真空貼り合わせ装置内で下記に示す条件にて貼り合わせた（圧着条件）。比較例１は、樹脂層（Ｂ）を有しないシリコンウエハ及びガラス板、比較例２は、樹脂層（Ａ）を有しないシリコンウエハ及びガラス板である。
その後、下記試験を行った。結果を表１に示す。

−接着性試験−
直径２００ｍｍのウエハ接合は、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて行った。接合温度は表１に記載の値、接合時のチャンバー内圧力は１０^-3ｍｂａｒ以下、荷重は５ｋＮで実施した。接合後、一旦、１８０℃で１時間オーブンを用いて基板を加熱し、（Ｂ）層の硬化を実施し、ウエハ加工用仮接着材を介したウエハ加工体を作製した。その後、室温まで冷却した後の界面の接着状況を目視で確認し、界面での気泡などの異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−裏面研削耐性試験−
グラインダー（ＤＩＳＣＯ製、ＤＡＧ８１０）でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。最終基板厚５０μｍまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−耐熱性試験−
シリコンウエハを裏面研削した後のウエハ加工体を窒素雰囲気下の２５０℃オーブンに２時間入れた後、２７０℃のホットプレート上で１０分加熱した後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−剥離性試験−
ウエハの剥離性は、５０μｍまで薄型化したウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープを貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着版にセットした。その後、室温にて、ガラスの１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラス支持体を剥離した。５０μｍのウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。

−洗浄除去性試験−
上記剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された２００ｍｍウエハ（耐熱性試験条件に晒されたもの）を、接着層を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてイソドデカンを３分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着材樹脂の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。

−剥離力試験−
上記、接着及び耐熱性試験後のシリコンウエハ上に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが張られていない部分の仮接着材層を除去した。島津製作所社のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ（ＡＧ−１）を用いてテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、その仮接着層の剥離力とした。

上記表１に示されるように、比較例１は、裏面研削耐性が不良であり、比較例２は、剥離性が不良であるのに対し、本発明のウエハ加工用仮接着材は、剥離後の洗浄性を維持しながら、ウエハと支持体との剥離力の調整が可能であり、容易に薄型ウエハの作製ができ、さらに薄型ウエハ作製後、このウエハを支持体より室温で容易に剥離することができるため、割れ易い薄型ウエハを容易に扱うことができる。層（Ａ）の成分であるレジン変性オルガノポリシロキサン中のレジンの量を変化させることで、洗浄性を維持しながらも、任意の剥離力を有する仮接着材層を作製可能であることが示された。

１…ウエハ、 ２…支持体、 ３…ウエハ加工用仮接着材（仮接着材層）、 ３（Ａ）…熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層、 ３（Ｂ）…熱硬化性変性シロキサン重合体層。

上記のＲ ^２１ Ｒ ^２２ Ｒ ^２３ ＳｉＯ_１／２単位（Ｍ単位）及びＳｉＯ_４／２単位（Ｑ単位）を含有するオルガノポリシロキサンレジン（以下、ＭＱレジンともいう）は、ケイ素原子に結合した水酸基を有するものであってもよい。ＭＱレジン１００ｇに対して水酸基の含有量は、０〜４．０質量％程度であり、好ましくは０．５〜１．５質量％である。更に、このＭＱレジンは、Ｒ^２４ＳｉＯ_３/２単位（Ｔ単位）、及びＲ^２５Ｒ^２６ＳｉＯ_２/２（Ｄ単位）の比較的少量を有するものであってもよい（Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６は前記Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３と同様である。）

更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量９５０，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。

［樹脂合成例２］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン９０部と、（ＣＨ_３）ＳｉＯ_１/２単位０．７５モルとＳｉＯ_４/２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン１０部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量９００，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。

この重合体２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−２）を得た。

［樹脂合成例３］
４つ口フラスコに分子鎖両末端が水酸基で封鎖された生ゴム状のジメチルポリシロキサン（一般式（１）において、ｎは９０００）であって、その３０％トルエン溶液の２５℃における粘度が９８，０００ｍＰａ・ｓであるジメチルポリシロキサン９５部と、（ＣＨ_３）ＳｉＯ_１/２単位０．７５モルとＳｉＯ_４/２単位１モルの割合からなり、かつ固形分１００中に１．０モル％の水酸基を含むメチルポリシロキサンレジン５部とを、トルエン９００部に溶解した。得られた溶液に、２８％のアンモニア水を１部添加し、室温にて２４時間撹拌して縮合反応させた。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、トルエン、縮合水、アンモニア等を除去させて、固形化された部分縮合物を得た。この部分縮合物１００部に、トルエン９００部を加えて、溶解させた。この溶液にヘキサメチルジシラザン２０部を加え、１３０℃にて３時間撹拌して残存する水酸基を封鎖した。次いで、減圧状態で１８０℃に加熱し、溶剤等を除去させて、固形化された非反応性部分縮合物を得た。更に、上記非反応性部分縮合物１００部にヘキサン９００部を加えて溶解させた後、これを２０００部のアセトン中に投入し、析出した樹脂を回収して、その後、真空下でヘキサン等を除去して、分子量７４０以下の低分子量成分が０．０５質量％である、重量平均分子量８００，０００のジメチルポリシロキサン重合体を得た。

この重合体２０ｇをイソドデカン８０ｇに溶解し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、ジメチルポリシロキサン重合体のイソドデカン溶液（Ａ−３）を得た。

Claims (7)

1. 表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着材であって、該ウエハ加工用仮接着材は、前記ウエハの表面に剥離可能に接着される、Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位（Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３はそれぞれ、非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基又は水酸基である。）及びＳｉＯ_４／２単位を含有し、前記Ｒ^２１Ｒ^２２Ｒ^２３ＳｉＯ_１／２単位／ＳｉＯ_４／２単位のモル比が０．６〜１．７であるオルガノポリシロキサンレジンと、下記一般式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンとが、部分的に脱水縮合したものである熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層（Ａ）からなる第一仮接着材層と、該第一仮接着材層に積層され、上記支持体に接着かつ剥離可能な熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）からなる第二仮接着材層との二層のシロキサンからなるものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着材。
   

   

   （式中、Ｒ^１１及びＲ^１２はそれぞれ非置換又は置換の炭素原子数１〜１０の１価炭化水素基を示し、ｎは５０００〜１００００である。）
2. 前記熱可塑性レジン変性オルガノポリシロキサンの層（Ａ）において、前記脱水縮合させるオルガノポリシロキサンと前記オルガノポリシロキサンレジンとの比率が、９９：１〜５０：５０であり、さらに重量平均分子量が４００，０００〜１，５００，０００であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用仮接着材。
3. 前記熱硬化変性シロキサン重合体層（Ｂ）が、下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のシルフェニレン含有高分子化合物又は下記一般式（４）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が３，０００〜５００，０００のエポキシ基含有シリコーン高分子化合物からなる熱硬化性変性シロキサン重合体１００質量部に対して、架橋剤としてホルマリン又はホルマリン−アルコールにより変性されたアミノ縮合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、１分子中に平均して２個以上のメチロール基又はアルコキシメチロール基を有するフェノール化合物、及び１分子中に平均して２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物から選ばれるいずれか１種以上を０．１〜５０質量部含有する組成物の硬化物層であることを特徴とする請求項１又は２に記載のウエハ加工用仮接着材。
   

   

   ［式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。ｍは１〜１００の整数であり、Ａは正数、Ｂは０又は正数である。Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。
   

   

   （式中、Ｚは、
   

   

   のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）］
   

   

   （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は同一でも異なっていてもよい炭素原子数１〜８の１価炭化水素基を示す。また、ｍは１〜１００の整数であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄは０又は正数であり、但し、ｃ及びｄが同時に０になることはなく、かつ、０＜（ｃ＋ｄ）／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）≦１．０である。更に、Ｘは下記一般式（３）で示される２価の有機基である。Ｙは下記一般式（５）で示される２価の有機基である。）
   

   

   （式中、Ｚは、
   

   

   のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｎは０又は１である。また、Ｒ⁵、Ｒ⁶はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｋは０、１、２のいずれかである。）
   

   

   （式中、Ｖは、
   

   

   のいずれかより選ばれる２価の有機基であり、ｐは０又は１である。また、Ｒ⁷、Ｒ⁸はそれぞれ炭素原子数１〜４のアルキル基又はアルコキシ基であり、相互に同一でも異なっていてもよい。ｈは０、１、２のいずれかである。）
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材と支持体とからなることを特徴とするウエハ加工用部材。
5. 支持体上に請求項１〜３のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材が積層され、かつ当該仮接着材上に、表面に回路面を有し、裏面を加工すべきウエハが積層されたものであることを特徴とするウエハ加工体。
6. （ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項１〜３のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着材を介して、支持体に接合する工程と、
   （ｂ）支持体と接合したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
   （ｃ）ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
   （ｄ）加工を施したウエハを支持体から剥離する工程と、
   を含むことを特徴とする薄型ウエハの作製方法。
7. 前記（ｄ）加工を施したウエハを支持体から剥離する工程後に、
   （ｅ）剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着材層を除去する工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の薄型ウエハの作製方法。
   

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