TW201410831A - 晶圓加工用暫時黏著材料、使用此晶圓加工用暫時黏著材料之晶圓加工用構件、晶圓加工體及薄型晶圓的製作方法 - Google Patents

晶圓加工用暫時黏著材料、使用此晶圓加工用暫時黏著材料之晶圓加工用構件、晶圓加工體及薄型晶圓的製作方法 Download PDF

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Abstract

本發明的問題在於提供一種維持剝離後的清洗性，並具有適度的剝離力的晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料及使用此晶圓加工用暫時黏著材料之薄型晶圓的製作方法。為了解決此問題，本發明提供一種晶圓加工用暫時黏著材料，用以將表面具有電路面且背面應加工之晶圓，暫時黏著於支持體上，該晶圓加工用暫時黏著材料的特徵在於：該晶圓加工用暫時黏著材料，是由以下二層矽氧烷所構成：第一暫時黏著材料層，其是由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)所構成，該熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)是由含有R21R22R23SiO1/2單元(R21、R22及R23分別為未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基或羥基)和SiO4/2單元，且前述R21R22R23SiO1/2單元/SiO4/2單元的莫耳比為0.6~1.7的有機聚矽氧烷樹脂，與由下述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷進行部分脫水縮合而成；及，第二暫時黏著材料層，其是積層於該第一暫時黏著材料層上，並由黏著於上述支持體上且可剝離的熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；□(式中，R11及R12分別表示未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基，n為5000~10000)。

Description

晶圓加工用暫時黏著材料、使用此晶圓加工用暫時黏著材料之晶圓加工用構件、晶圓加工體及薄型晶圓的製作方法
本發明關於一種晶圓加工用暫時黏著材料、使用此晶圓加工用暫時黏著材料之晶圓加工用構件、晶圓加工體及薄型晶圓的製作方法。
為實現更進一步的高密度、大容量化，三維半導體構裝已成為必需。所謂的三維構裝技術，是指將1個半導體晶片薄型化，進而利用矽穿孔電極(through silicon via，TSV)將其接線，並積層為多層的半導體製作技術。為實現此技術，需要以下步驟：藉由磨削非電路形成面(亦稱作「背面」)，將形成有半導體電路之基板薄型化，進而於背面上形成包含TSV之電極。先前，在矽基板的背面磨削步驟中，於磨削面的相反側黏貼有背面保護膠帶，以防止磨削時損壞晶圓。但是，此膠帶是將有機樹脂薄膜用作基材，雖然具有彈性，但強度和耐熱性不充分，並不適合於進行TSV形成步驟或背面上的配線層形成步驟。
因此，提出一種系統，其藉由將半導體基板經由(隔著)黏著層接合於矽、玻璃等支持體上，而可充分耐受背面 磨削、形成TSV和背面電極的步驟。此時，將基板接合於支持體上時的黏著層非常重要。其需要充分的耐久性，以可將基板無間隙地接合於支持體上，並耐受後續步驟，進而要求最終可自支持體簡便地剝離薄型晶圓。如此一來，從最終進行剝離這一點看來，於本說明書中，將此黏著層稱作暫時黏著材料層。
作為以往公知的暫時黏著層及其剝離方法，提出以下技術：藉由對包含光吸收性物質之黏著材料照射高強度的光來分解黏著材料層，以自支持體剝離黏著材料層(專利文獻1)；及，將熱熔融性的碳氫化合物用作黏著材料，並於加熱熔融狀態下進行接合/剝離(專利文獻2)。前者的技術需要雷射儀等高價裝置，且存在每1片基板的處理時間變長等問題。又，後者的技術由於僅藉由加熱即可控制，較為簡便，但由於超過200℃的高溫時的熱穩定性不充分，因此應用範圍較窄。進而，若為這種暫時黏著材料層，亦不適用於高段差基板形成均勻的膜厚、及對支持體的完全黏著。
又，提出一種將聚矽氧黏著劑(silicone adhesive)用於暫時黏著材料層的技術(專利文獻3)。該技術是使用加成硬化型的聚矽氧黏著劑，將基板接合於支持體上，剝離時浸漬於溶解或分解矽樹脂之化學藥品中，而自支持體分離基板。因此，剝離需要非常長的時間，難以應用於實際的製作製程中。
這些暫時黏著材料由於剝離之後不再需要(無用)，因此需利用有機溶劑進行清洗、移除，且必須容易溶解 於清洗用有機溶劑中。然而，過於容易溶解於有機溶劑中之暫時黏著材料的黏著力較低，因此，於基板的處理過程中，可能會成為產生空隙或自支持體剝離的問題的原因。另一方面，具有強力的黏著力之暫時黏著材料，難以自支持體剝離或難以清洗剝離後的暫時黏著材料層，從而剝離力及清洗性的控制成為問題。
[先前技術文獻]
(專利文獻)
專利文獻1：日本特開2004-64040號公報
專利文獻2：日本特開2006-328104號公報
專利文獻3：美國專利第7541264號公報
本發明是有鑒於上述情況而完成，其目的在於提供一種維持剝離後的清洗性，並具有適度的剝離力的晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料及使用此晶圓加工用暫時黏著材料之薄型晶圓的製作方法。
本發明是為解決上述問題而完成，提供一種晶圓加工用暫時黏著材料，用以將表面具有電路面且背面應加工之晶圓，暫時黏著於支持體上，該晶圓加工用暫時黏著材料的特徵在於：該晶圓加工用暫時黏著材料，是由以下二層矽氧烷所構成：第一暫時黏著材料層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)所構 成，該熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)是由含有R21R22R23SiO1/2單元(R21、R22及R23分別為未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基或羥基)和SiO4/2單元，且前述R21R22R23SiO1/2單元/SiO4/2單元的莫耳比為0.6~1.7的有機聚矽氧烷樹脂，與由下述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷進行部分脫水縮合而成；及，第二暫時黏著材料層，其是積層於該第一暫時黏著材料層上，並由黏著於上述支持體且可剝離的熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；
(式中，R11及R12分別表示未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基，n為5000~10000)。
這種晶圓加工用暫時黏著材料，利用將上述有機聚矽氧烷與有機聚矽氧烷樹脂的部分縮合物作為脫模層使用，可調整晶圓與支持體的剝離力。將由包含樹脂改質有機聚矽氧烷之熱可塑性暫時黏著材料層(A)與包含以改質矽氧烷聚合物為主要成分之層之熱硬化性暫時黏著材料層(B)這二層所構成的暫時黏著材料，用於晶圓與支持體的接合，藉此可使用此暫時黏著材料簡單地製作具有穿孔電極結構或凸塊連接(bump connection)結構之薄型晶圓。本發明的晶圓加工用暫時黏著材料，由於可維持剝離後的清洗性，並調整晶圓與支持體的剝離力，而可容易地製作薄型晶圓，進而，可於製 作薄型晶圓後，於室溫下容易地自支持體剝離此晶圓，因此可容易地處理易碎的薄型晶圓。
又，此時，較佳為，於前述熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)中，前述脫水縮合之有機聚矽氧烷與前述有機聚矽氧烷樹脂的比率為99：1~50：50，進而較佳為重量平均分子量為400,000~1,500,000。
這種晶圓加工用暫時黏著材料，可維持清洗性，並容易地調整晶圓與支持體的剝離力，進而可容易地製作薄型晶圓，並可於製作薄型晶圓後，於室溫下更容易地自支持體剝離此晶圓。
又，前述熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)較佳為組成物的硬化物層，該組成物，相對於由具有由下述通式(2)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基(silphenylene)高分子化合物、或具有由下述通式(4)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基聚矽氧高分子化合物所構成的熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，含有0.1~50質量份的作為交聯劑的選自下述中的任意1種以上：藉由福馬林或福馬林-酒精(formalin alcohol)混合液而被改質後之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基(alkoxy methylol)之苯酚化合物、及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物，
[式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；m為1~100的整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(3)所表示之2價有機基，
(式中，Z為 -CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)]
(式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100的整數，a、b、c、d為0或正數，其中，c及d不會同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為由下述通式(3)所表示之2價有機基；Y為由下述通式(5)所表示之2價有機基)
(式中，Z為 -CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)
(式中，V為 -CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R7、R8分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h為0、1、2中的任一者)。
藉由使用前述熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)，可維持清洗性，並容易地調整晶圓與支持體的剝離力，進而可容易地製作薄型晶圓，並可於製作薄型晶圓後，於室溫下更容易地自支持體剝離此晶圓。
又，於本發明中，提供一種由前述晶圓加工用暫時黏著材料與支持體所構成之晶圓加工用構件。
這種晶圓加工用構件，有益於更容易地製作薄型晶圓。
又，於本發明中，提供一種晶圓加工體，其特徵在於：是於支持體上積層前述晶圓加工用暫時黏著材料，且於該暫時黏著材料上，積層表面具有電路面且背面應加工之晶圓而成。
由於藉由這種晶圓加工體可容易地製作薄型晶圓，進而，可於製作薄型晶圓後，於室溫下容易地自支持體剝離此晶圓，因此可容易地處理易碎的薄型晶圓。
進而，本發明提供一種薄型晶圓的製作方法，其特徵在於包含以下步驟： 步驟(a)，其經由前述晶圓加工用暫時黏著材料，將表面具有電路形成面和背面具有非電路形成面之晶圓的前述電路形成面，接合於支持體；步驟(b)，其磨削或研磨已與支持體接合之晶圓的非電路形成面；步驟(c)，其對晶圓的非電路形成面實施加工；及，步驟(d)，其自支持體剝離已實施加工之晶圓。
若為這種薄型晶圓的製作方法，由於可在對與支持體接合之晶圓的非電路形成面進行磨削或研磨並實施加工之後，自支持體容易地剝離已實施此加工之晶圓，因此可容易地製作薄型晶圓。
又，此時，較佳為，於前述步驟(d)也就是自支持體剝離已實施加工之晶圓之步驟後，進而進行步驟(e)也就是移除殘留在剝離後之晶圓的電路形成面上之暫時黏著材料層之步驟。
藉由上述步驟(e)，可完全移除殘留在前述晶圓的電路形成面上之暫時黏著材料層。
由於本發明的晶圓加工用暫時黏著材料為二層系暫時黏著材料，其是將由樹脂改質有機聚矽氧烷所構成的熱可塑性暫時黏著材料層作為脫模層，並將由以改質矽氧烷聚合物為主要成分之層所構成的熱硬化性暫時黏著材料層作為硬化層，因此可維持剝離後的清洗性，並調整與支持體的剝離力，可容易地製作薄型晶圓，進而，可於製作薄型晶圓後，於室 溫下容易地自支持體剝離此晶圓，因此，可容易地處理易碎的薄型晶圓。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧支持體
3‧‧‧晶圓加工用暫時黏著材料(暫時黏著材料層)
(A)‧‧‧熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層
(B)‧‧‧熱硬化性改質矽氧烷聚合物層
第1圖是表示本發明的晶圓加工體的一例之剖面圖。
於製作薄型晶圓時，暫時黏著材料需具有強力的黏著力。但是，具有強力的黏著力之暫時黏著材料，難以自支持體剝離或難以清洗剝離後的暫時黏著材料層。本發明人等進行努力研究，結果發現：若為本發明的晶圓加工用暫時黏著材料，則具有黏著力，並具有自支持體剝離的剝離力及之後的清洗力，從而完成本發明。
以下，詳細地說明包含樹脂改質有機聚矽氧烷之晶圓加工用暫時黏著材料、晶圓加工用構件、晶圓加工體、及薄型晶圓的製作方法，但本發明並不限定於此。
本發明提供一種晶圓加工用暫時黏著材料，用以將表面具有電路面且背面應加工之晶圓，暫時黏著於支持體上，該晶圓加工用暫時黏著材料的特徵在於：該晶圓加工用暫時黏著材料是，由以下二層矽氧烷所構成：第一暫時黏著材料層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)所構成，該熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)是由含含有R21R22R23SiO1/2單元(R21、R22及R23分別為未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基或羥基)和SiO4/2單元，且前述R21R22R23SiO1/2單元/SiO4/2單元 的莫耳比為0.6~1.7的有機聚矽氧烷樹脂，與由下述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷進行部分脫水縮合而成；及，第二暫時黏著材料層，其是積層於該第一暫時黏著材料層上，並由黏著於上述支持體上且可剝離的熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；
(式中，R11及R12分別表示未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基，n為5000~10000)。
如第1圖所示，本發明的晶圓加工用暫時黏著材料3，是由上述熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷聚合物層(A)(第一暫時黏著層)、熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)(第二暫時黏著層)的積層體所構成；本發明的晶圓加工用構件，具有：支持體2；熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)(第二暫時黏著層)，其積層於支持體2上；及，熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷聚合物層(A)(第一暫時黏著層)，其積層於熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)上。
本發明的晶圓加工體，具備：應加工之晶圓1；支持體2，其於加工晶圓1時支持晶圓1；及，暫時黏著材料層3，其位於這些晶圓1與支持體2之間；並且，此暫時黏著材料層3，是由熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷聚合物層(A)(第一暫時黏著層)及熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)(第二暫時黏著 層)所構成；其中，第一暫時黏著層可剝離地黏著於表面具有電路面且背面應加工之晶圓的表面上，第二暫時黏著層可剝離地黏著於支持體上。
[第一暫時黏著層/熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷聚合物層(A)]
將含有R21R22R23SiO1/2單元及SiO4/2單元，且R21R22R23SiO1/2單元/SiO4/2單元的莫耳比為0.6~1.7的有機聚矽氧烷樹脂，與兩末端以羥基封鎖之聚合度為5000~10000的由上述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷的部分縮合物，用作第一暫時黏著層/熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷聚合物層(A)。該層(A)是由於作為脫模層而發揮作用，因此可調整晶圓與支持體的剝離力。此處，由於有機聚矽氧烷的聚合度為5000~10000，因此可以說該層(A)為熱可塑性高聚合度樹脂改質有機聚矽氧烷聚合物層。
於上述中，R11及R12為未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基，具體而言，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、正戊基、環戊基及正己基等烷基；環己基等環烷基；苯基、甲苯基等芳基等1價烴基；及，這些氫原子的部分或全部被鹵原子取代的基團，較佳為甲基及苯基。
又，R21、R22及R23為未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基或羥基，具體而言，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、正戊基、環戊基及正己基等烷基；環己基等環烷基；苯基、甲苯基等芳基等1價烴 基；及，這些氫原子的部分或全部被鹵原子取代的基團、羥基等，較佳為甲基。
上述含有R21R22R23SiO1/2單元(M單元)及SiO4/2單元(Q單元)之有機聚矽氧烷樹脂(以下，亦稱作MQ樹脂)亦可具有鍵接於矽原子上的羥基。相對於MQ樹脂100g，羥基的含量為0~4.0質量%左右，較佳為0.5~1.5質量%。進而，此MQ樹脂亦可具有相對少量的R24SiO3/2單元(T單元)及R25R26SiO2/2(D單元)(R24、R25及R26與前述R21、R22及R23相同)。
又，此時，較佳為，於前述熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)中，前述脫水縮合之有機聚矽氧烷與前述有機聚矽氧烷樹脂的比率為99：1~50：50。
作為脫水縮合反應中所使用之有機溶劑，有戊烷、己烷、環戊烷、環己烷、甲基環己烷、辛烷、異辛烷、癸烷、十一烷、異十二烷、檸檬萜及松萜等，較佳為甲苯。 又，作為使用之胺系催化劑，有氨水、三乙基胺及吡啶等，較佳為使用氨水。進而，作為反應時間，為12~100小時，較佳為18~36小時。
亦可將使反應結束後所獲得之有機聚矽氧烷溶解於甲苯等溶劑中，並相對於有機聚矽氧烷100質量份，加入5~20質量份的六甲基二矽氮烷，使其回流3~5小時，將殘留的羥基作成三甲基矽氧基。
進而，亦可使用一種使所獲得之樹脂改質有機聚矽氧烷溶解於己烷等強溶媒中，並與相對於其總重量為1.5~3倍量 的丙酮等弱溶媒混合，而於下層析出之樹脂改質有機聚矽氧烷。
所獲得之樹脂改質有機聚矽氧烷的分子量是利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)，根據聚苯乙烯標準物質製作之檢量線而獲得之重量平均分子量(於本說明書中，所謂「重量平均分子量」，是表示此意思。)的值，重量平均分子量較佳為400,000以上，更佳為550,000以上，且較佳為1,500,000以下，更佳為1,200,000以下。
於所獲得之樹脂改質有機聚矽氧烷中，當重量平均分子量為400,000以上時，由於可充分耐受用以將晶圓薄型化之磨削步驟，因此較佳。另一方面，當重量平均分子量為1,500,000以下時，由於亦不存在於步驟結束後的清洗步驟中無法清洗之虞，因此較佳。
另一方面，若分子量為740以下之低分子量成分為0.5質量%以下，則由於對於穿孔電極形成中的熱處理或形成於晶圓背面之凸塊電極的熱處理，可獲得充分的耐熱性，因此較佳。
進而，較佳為，D單元構成樹脂中的95.000~99.999莫耳%，且若為95.000莫耳%以上，則由於可耐受用以晶圓薄型化之磨削步驟，因此較佳；當為99.999莫耳%以下時，由於不存在無法在步驟結束後與暫時黏著層(B)剝離之虞，因此較佳。
再者，反應前的有機聚矽氧烷及有機聚矽氧烷樹 脂可分別單獨使用1種或組合2種以上使用，所獲得之樹脂改質有機聚矽氧烷亦可為單獨1種或2種以上。
此熱可塑性有機聚矽氧烷層，預先作為薄膜，可使用輥壓貼合機(roll laminator)等將該薄膜貼合於晶圓上來使用，或利用旋塗、輥壓塗佈機(roll coater)等方法將其溶液形成於晶圓上來使用。當利用旋塗等方法於晶圓上形成此層(A)時，較佳為，將樹脂作成溶液來進行塗抹，但此時，適當使用戊烷、己烷、環己烷、癸烷、異十二烷及檸檬萜等烴系溶劑。又，較佳為，此層(A)的膜厚形成為0.1~10μm之間而使用。若厚度為0.1μm以上，可覆蓋元件晶圓的段差；若厚度為10μm以下，由於可耐受形成薄型晶圓時的磨削步驟，因此較佳。
[第二暫時黏著層/熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)]
第二暫時黏著層/熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)為第二暫時黏著材料層，其是積層於第一暫時黏著材料層上，且由黏著於支持體上且可剝離的熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；作為第二暫時黏著層(B)，可列舉以通式(2)或(4)中的任一者所表示之熱硬化性改質矽氧烷聚合物為主要成分之熱硬化性組成物的硬化物層。
通式(2)的聚合物：具有由下述通式(2)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基高分子化合物，
[式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的烷基等1價烴基；又，m為1~100的整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(3)所表示之2價有機基，
(式中，Z為 -CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)]。
此時，作為R1~R4的具體例，可列舉：甲基、乙基及苯基等，m較佳為3~60，更佳為8~40的整數。又，B/A為0~20，尤其為0.5~5。
通式(4)的聚合物：具有由下述通式(4)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000之含環氧基聚矽氧高分子化合物，
[式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的烷基等1價烴基；又，m為1~100的整數，a、b、c、d為0或正數，其中，c及d不會同時為0，且，0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0，較佳為0.1≦(c+d)/(a+b+c+d)≦0.8；進而，X為由下述通式(3)所表示之2價有機基，Y為由下述通式(5)所表示之2價有機基。
(式中，Z為 -CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)
(式中，V為 -CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R7、R8分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h為0、1、2中的任一者)]。
此時，R1~R4、m的具體例是與上述相同。
以這些式(2)或(4)的熱硬化性改質矽氧烷聚合物為主要成分之熱硬化性組成物，為進行其熱硬化，含有選自以下任意1種以上之交聯劑：藉由福馬林或福馬林-酒精混合液而被改質之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物；及，1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物。
尤其，可含有雙官能、三官能、四官能以上的多官能交聯劑，特別是環氧樹脂、例如，日本化藥(股)(Nippon Kayaku Co.,Ltd.)製作的EOCN-1020、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000和如下述式所述之交聯劑。
交聯劑的調配量，相對於上述熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，為0.1~50質量份，較佳為0.1~30質量份，進而較佳為1~20質量份，亦可混合2種或3種以上來調配。
又，此組成物中，可含有5質量份以下的如酸酐 之硬化催化劑。
另一方面，此組成物作為薄膜，可形成於已積層於晶圓上之層(A)上，或形成於用以製作薄型晶圓之支持體一側。又，亦可將此組成物溶解於溶液中，並利用塗佈，具體而言是利用旋塗、輥壓塗佈機及模具塗佈機等方法，形成於層(A)或支持體上。作為此時進行溶解之溶液，可列舉例如：環己酮、環戊酮、及甲基-2-正戊基酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、及1-乙氧基-2-丙醇等醇類；丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、及二乙二醇二甲醚等醚類；及，丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、醋酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、醋酸三級丁酯、丙酸三級丁酯、丙二醇單三級丁醚乙酸酯、及γ-丁內酯等酯類等；可單獨使用其中1種，或並用2種以上。
再者，亦可向此組成物中，添加50質量份以下的公知的抗氧化劑、二氧化矽等填充劑，以進一步提高耐熱性。
暫時黏著材料層(B)，較佳為以硬化時的膜厚為10~200μm、進而較佳為20~120μm來成膜。當膜厚為10μm以上時，可充分耐受晶圓薄型化的磨削步驟；當為200μm以下時，於TSV形成步驟等熱處理步驟中，不存在產生樹脂變形之虞，可耐受實際用途，因此較佳。
將此暫時黏著材料層(B)自支持體以180°剝離時 的剝離力較佳為0.5~50gf，進而較佳為1~40gf。當剝離力為0.5gf以上時，可充分耐受晶圓薄膜化的磨削步驟；當為50gf以下時，由於不存在製作薄型晶圓後難以自支持體之剝離之虞，因此較佳。
<薄型晶圓的製作方法>
本發明的薄型晶圓的製作方法，特徵在於使用由前述層(A)及層(B)的二層所組成之晶圓加工用暫時黏著材料，來作為具有半導體電路等之晶圓與支持體之間的黏著層。利用本發明的製作方法而獲得之薄型晶圓的厚度，典型為5~300μm，更典型為10~100μm。
本發明的薄型晶圓的製作方法具有(a)~(e)的步驟：
[步驟(a)]
步驟(a)，其是經由上述由層(A)與層(B)二層所構成之晶圓加工用暫時黏著材料，將表面具有電路形成面和背面具有非電路形成面之晶圓的電路形成面，與支持體接合之步驟。具有電路形成面及非電路形成面之晶圓，是一面為電路形成面，另一面為非電路形成面之晶圓。本發明可應用之晶圓一般為半導體晶圓。作為該半導體晶圓的示例，不僅限於矽晶圓，可列舉：還有鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、及鎵-砷-鋁晶圓等。該晶圓的厚度並無特別限制，典型為600~800μm，更典型為625~775μm。
作為支持體，可使用矽晶圓或玻璃、石英晶圓等基板。於本發明中，無需通過支持體向暫時黏著材料層上照射放射 能量線，且支持體無需透光性。
暫時黏著材料層(A)、(B)亦可分別以薄膜的形式，形成於晶圓或支持體上，或利用旋塗等方法將各自的溶液形成於晶圓或支持體上。此時，旋塗後，視其溶劑的揮發條件，以80~200℃的溫度，預先進行預烘烤(pre-baking)，然後以供使用。進而，(A)與(B)，於其薄膜預先彼此貼合後，可供將(A)置於晶圓一側而將(B)置於支持體一側來進行接合。
形成有層(A)與層(B)之晶圓及支持體，是經由層(A)與層(B)，作成已接合之基板而形成。此時，較佳為於40~230℃、更佳為於40~200℃的溫度範圍，藉由以此溫度減壓下，均勻壓接此基板，而形成晶圓與支持體接合之晶圓加工體(積層體基板)。
作為晶圓貼合裝置，可列舉市售的晶圓接合裝置，例如EVG公司(EV Group,Inc.)的EVG520IS、850TB；SUSS公司(SUSS MicroTec Co.,Ltd.)的XBC300等。
[步驟(b)]
步驟(b)，其是磨削或研磨已與支持體接合之晶圓的非電路形成面之步驟，亦即，對步驟(a)中貼合所獲得之晶圓加工體的晶圓背面側進行磨削或研磨，而使該晶圓的厚度變薄之步驟。晶圓背面的磨削的加工方式並無特別限制，可採用平面磨床等公知的磨削方式。較佳為，磨削是一邊對晶圓及研磨石(金剛石等)灑水冷卻一邊進行。作為磨削加工晶圓背面之裝置，可列舉例如日本株式會社迪思科(DISCO Corporation)製作的DAG-810(商品名)等。
[步驟(c)]
步驟(c)，其是對磨削或研磨非電路形成面後之晶圓加工體，也就是對藉由背面磨削或研磨而薄型化後之晶圓加工體的非電路形成面，實施加工之步驟。此步驟中，包含晶圓級(wafer level)所使用之各種製程。作為示例，可列舉：對非電路形成面之電極形成、金屬配線形成及保護膜形成等。更具體而言，可列舉以下先前公知的製程：用以形成電極等之金屬濺鍍；蝕刻金屬濺鍍層之濕式蝕刻；由用以作為金屬配線形成中的遮罩之抗蝕劑的塗佈、曝光、及顯影，來形成圖案；抗蝕劑的剝離；乾式蝕刻；金屬電鍍的形成；用以形成TSV之矽蝕刻；及、矽表面的氧化膜形成等。
[步驟(d)]
步驟(d)，其是自支持體剝離於前述步驟(c)中已實施加工後之晶圓之步驟，也就是於對已薄型化之晶圓實施各種加工後，且於切割之前，自支持體剝離之步驟。作為剝離方法，主要可列舉以下方法：一邊加熱晶圓及支持體(較佳為200~250℃)，一邊使其沿水平方向往相反方向滑動，藉此來分離兩者；水平地固定晶圓加工體的晶圓或支持體中的一者，並自水平方向以一定的角度地抬起另一者；及，向已磨削之晶圓的磨削面上黏貼保護薄膜，以剝除晶圓與保護膜之方式，自晶圓加工體剝離等；但可無特別限制地採用任意方法。
於本發明中，可應用所有這些剝離方法，但更適合為以下方法：水平地固定晶圓加工體的晶圓或支持體中的一者，並自水平方向以一定的角度地抬起另一者；及，向已 研削之晶圓的磨削面上黏貼保護薄膜，以剝除晶圓與保護膜之方式進行剝離等。這些剝離方法，一般於室溫下實施。
[步驟(e)]
步驟(e)，其是當於經剝離之晶圓的電路形成面上殘留有部分暫時黏著層(A)時，將其移除之步驟。於藉由步驟(d)自支持體剝離之晶圓的電路形成面上，有時會殘留有部分暫時黏著層(A)，且此暫時黏著層(A)的移除，可藉由例如清洗晶圓來進行。
於步驟(e)中，若為可溶解暫時黏著材料層中的層(A)也就是熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷之清洗液，則均可使用，具體而言，可列舉：戊烷、己烷、環己烷、癸烷、異十二烷、及檸檬萜等。這些溶劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。又，當難以移除時，亦可向上述溶劑中添加鹼類、酸類。作為鹼類的示例，可使用：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、及氨等胺類；及，羥化四甲銨(tetramethyl ammonium hydroxide)等銨鹽類。作為酸類，可使用醋酸、草酸、苯磺酸、及十二烷基苯磺酸等有機酸。按照清洗液中的濃度，添加量為0.01~10質量%，較佳為0.1~5質量%。又，亦可添加現有界面活性劑，以提升殘留物的移除性。作為清洗方法，可為以下方法：使用上述液體，利用拌槳(paddle)進行清洗之方法；利用噴霧器之清洗方法；及，浸漬於清洗液槽中之方法。溫度適合為10~80℃，較佳為15~65℃，最終進行水洗或乙醇清洗，並施加乾燥處理，從而獲得薄型晶圓。
[實施例]
以下，示出實施例與比較例，具體說明本發明，但本發明並不限制於下述實施例。再者，下述「份」及「%」分別意味著質量份、質量%。
[樹脂合成例1]
在四口燒瓶中，將二甲基聚矽氧烷80份、及甲基聚矽氧烷樹脂20份溶解於甲苯900份中；其中，該二甲基聚矽氧烷，是分子鏈兩末端被羥基封鎖之生橡膠狀(於通式(1)中，n為9000)，且其在25℃下的30%甲苯溶液中的黏度為98,000mPa.s；該甲基聚矽氧烷樹脂，是由(CH3)SiO1/2單元0.75莫耳與SiO4/2單元1莫耳的比例所構成，且固體成分100中包含1.0莫耳%的羥基。向所獲得之溶液中添加28%的氨水1份，於室溫下攪拌24小時以使其縮合反應。繼而，於減壓狀態下加熱至180℃，移除甲苯、縮合水、及氨等，而獲得已固體化之部分縮合物。
向上述所獲得之部分縮合物100份中，加入甲苯900份，使其溶解。向此溶液中加入六甲基二矽氮烷20份，於130℃下攪拌3小時以封鎖殘留的羥基。繼而，於減壓狀態下加熱至180℃，移除溶劑等，而獲得已固體化之非反應性部分縮合物。
進而，向上述非反應性部分縮合物100份中加入己烷900份並使其溶解後，將其投入2000份的丙酮中，回收析出的樹脂，之後，於真空下移除己烷等，而獲得分子量為740以下的低分子量成分為0.05質量%、重量平均分子量為950,000的二甲基聚矽氧烷聚合物。
將此聚合物20g溶解於異十二烷80g中，利用0.2μm的膜濾器(membrane filter)過濾，而獲得二甲基聚矽氧烷聚合物的異十二烷溶液(A-1)。
[樹脂合成例2]
在四口燒瓶中，將二甲基聚矽氧烷90份、及甲基聚矽氧烷樹脂10份溶解於甲苯900份中；其中，該二甲基聚矽氧烷，是分子鏈兩末端被羥基封鎖之生橡膠狀(於通式(1)中，n為9000)，且其在25℃下的30%甲苯溶液中的黏度為98,000mPa.s；該甲基聚矽氧烷樹脂，是由(CH3)SiO1/2單元0.75莫耳與SiO4/2單元1莫耳的比例所構成，且固體成分100中包含1.0莫耳%的羥基。向所獲得之溶液中添加28%的氨水1份，於室溫下攪拌24小時以使其縮合反應。繼而，於減壓狀態下加熱至180℃，移除甲苯、縮合水、及氨等，而獲得已固體化之部分縮合物。向此部分縮合物100份中加入甲苯900份，並使其溶解。向此溶液中加入六甲基二矽氮烷20份，於130℃下攪拌3小時以封鎖殘留的羥基。接著，於減壓狀態下加熱至180℃，移除溶劑等，而獲得已固體化之非反應性部分縮合物。進而，向上述非反應性部分縮合物100份中加入己烷900份並使其溶解後，將其投入2000份的丙酮中，回收析出的樹脂，之後，於真空下移除己烷等，而獲得分子量為740以下的低分子量成分為0.05質量%、重量平均分子量為900,000的二甲基聚矽氧烷聚合物。
將此聚合物20g溶解於異十二烷80g中，利用0.2μm的膜濾器過濾，而獲得二甲基聚矽氧烷聚合物的異十 二烷溶液(A-2)。
[樹脂合成例3]
在四口燒瓶中，將二甲基聚矽氧烷95份、及甲基聚矽氧烷樹脂5份溶解於甲苯900份中；其中，該二甲基聚矽氧烷，是分子鏈兩末端被羥基封鎖之生橡膠狀(於通式(1)中，n為9000)，且其在25℃下的30%甲苯溶液中的黏度為98,000mPa.s；該甲基聚矽氧烷樹脂，是由(CH3)SiO1/2單元0.75莫耳與SiO4/2單元1莫耳的比例所組成，且固體成分100中包含1.0莫耳%的羥基。向所獲得之溶液中添加28%的氨水1份，於室溫下攪拌24小時以使其縮合反應。接著，於減壓狀態下加熱至180℃，移除甲苯、縮合水及氨等，而獲得已固體化之部分縮合物。向此部分縮合物100份中加入甲苯900份，並使其溶解。向此溶液中加入六甲基二矽氮烷20份，於130℃下攪拌3小時以封鎖殘留的羥基。接著，於減壓狀態下加熱至180℃，移除溶劑等，而獲得已固體化之非反應性部分縮合物。進而，向上述非反應性部分縮合物100份中加入己烷900份並使其溶解後，將其投入2000份的丙酮中，回收析出的樹脂，之後，於真空下移除己烷等，從而獲得分子量為740以下之低分子量成分為0.05質量%、重量平均分子量為800,000的二甲基聚矽氧烷聚合物。
將此聚合物20g溶解於異十二烷80g中，利用0.2μm的膜濾器過濾，而獲得二甲基聚矽氧烷聚合物的異十二烷溶液(A-3)。
[樹脂合成例4]
向具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置及回流冷卻器之5L燒瓶內，將化合物(M-1)396.9g、化合物(M-2)45.0g溶解於甲苯1,875g後，加入化合物(M-3)949.6g、化合物(M-4)6.1g，加溫至60℃。之後，投入碳載鉑催化劑(5質量%)2.2g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，進而，經3小時加溫至90℃，然後再次冷卻至60℃，投入碳載鉑催化劑(5質量%)2.2g，花1小時向燒瓶內滴入化合物(M-5)107.3g。此時，燒瓶內溫度上升至78℃。滴入結束後，進而，以90℃熟化3小時，接著冷卻至室溫，然後加入甲基異丁基酮(methyl isobutyl ketone，MIBK)1,700g，利用過濾器加壓過濾本反應溶液，藉此移除鉑催化劑。進而，向所獲得之高分子化合物溶液加入純水760g並進行攪拌、靜置分液，移除下層的水層。重複6次此分液水洗操作，移除高分子化合物溶液中的微量酸成分。減壓餾出移除此樹脂溶液中的溶劑，並添加環戊酮950g，而獲得以固體成分濃度60質量%的環戊酮作為溶劑之樹脂溶液。利用GPC測定此樹脂溶液中的樹脂的分子量，以聚苯乙烯換算，重量平均分子量為62,000，式(2)中的(c+d)/(a+b+c+d)為0.10。進而，向此樹脂溶液100g中，添加甲酚酚醛清漆(cresol novolac)的環氧體(日本化藥(股)製作，EOCN1020-55)15g、四氫鄰苯二甲酸酐(新日本理化(股)(New Japan Chemical Co.,Ltd.)製作，Rikacid HH-A)0.2g，並利用0.2μm的薄膜過濾器進行過濾，而獲得樹脂溶液(B-1)。
[實施例1至3及比較例1、2]
將整個表面上形成有高度為10μm、直徑為40μm的銅柱(copper post)之直徑200mm矽晶圓(厚度：725μm)，利用旋塗並以表1所示之膜厚，將(A-1)、(A-2)及(A-3)成膜於晶圓凸塊形成面上。另一方面，將直徑200mm(厚度：500μm)的玻璃板作為支持體，利用旋塗將(B-1)塗佈於此支持體上，成形為表1之膜厚的薄膜。此時，塗佈樹脂後，均以120℃在加熱板上進行加熱處理2分鐘。分別在真空貼合裝置內，以使樹脂面相合的方式，按下述所示之條件貼合具有此樹脂層之矽晶圓及玻璃板(壓接條件)。比較例1為不具有樹脂層(B)之矽晶圓及玻璃板；比較例2為不具有樹脂層(A)之矽晶圓及玻璃板。
之後，進行下述試驗。將結果示於表1。
<黏著性試驗>
直徑200mm的晶圓接合，是使用EVG公司的晶圓接合裝置EVG520IS進行。於接合溫度為表1所記載之值，接合時的腔室內壓力為10-3mbar以下，荷重為5kN的條件下實施。接合後，暫時以180℃使用烘箱將基板加熱1小時，並實施(B) 層的硬化，而製作經由晶圓加工用暫時黏著材料之晶圓加工體。之後，目測確認冷卻至室溫後的界面的黏著狀況，將界面上未產生氣泡等異常的情況評價為良好並以「○」表示；將產生異常的情況評價為不良並以「×」表示。
<背面磨削耐受性試驗>
利用磨床(DISCO製作，DAG810)，並使用金剛石磨石，進行矽晶圓的背面磨削。最終將基板厚度研磨至50μm後，利用光學顯微鏡(100倍)，檢查有無裂縫、剝離等異常。將未產生異常的情況評價為良好並以「○」表示；將產生異常的情況評價為不良並以「×」表示。
<耐熱性試驗>
將已對矽晶圓進行背面磨削後的晶圓加工體，放入氮環境下的250℃烘箱內2小時後，於270℃的加熱板上加熱10分鐘後，檢查有無外觀異常。將未產生外觀異常的情況評價為良好並以「○」表示；將產生外觀異常的情況評價為不良並以「×」表示。
<剝離性試驗>
晶圓的剝離性，是使用切割框架，將切割膠帶黏貼於薄型化至50μm之晶圓側，並利用真空吸附將此切割膠帶面，裝配至吸附板上。之後，於室溫下，利用鑷子抬起玻璃的1點，藉此剝離玻璃支持體。將厚度50μm的晶圓不破碎即可剝離的情況以「○」表示；將產生破損等異常的情況評價為不良並以「×」表示。
<清洗移除性試驗>
將黏著層置於上面，將隔著上述剝離性試驗結束後的切割膠帶而安裝於切割框架上之200mm晶圓(暴露於耐熱性試驗條件下)裝配於旋塗機上，將異十二烷作為清洗溶劑進行噴霧3分鐘後，使晶圓旋轉並利用噴霧異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)進行漂洗。之後，觀察外觀，目測檢查有無殘留的黏著材料樹脂。將未觀察到樹脂殘留的情況評價為良好並以「○」表示，將觀察到樹脂殘留的情況評價為不良並以「×」表示。
<剝離力試驗>
向上述黏著及耐熱性試驗後的矽晶圓上，貼附5條長150mm×寬25mm的聚醯亞胺膠帶，並移除膠帶未黏貼到的部分的暫時黏著材料層。使用島津製作所(Shimadzu Corporation)的AUTOGRAPH(AG-1)，自膠帶的一端以180°剝離來剝除120mm，此時，將相關力度的平均(120mm行程(stroke)×5次)作為其暫時黏著層的剝離力。
如上述表1所示，比較例1的背面磨削耐受性不良，比較例2的剝離性不良，相對於此，本發明的晶圓加工用暫時黏著材料由於可維持剝離後的清洗性，並調整晶圓與支持體的剝離力，可容易地製作薄型晶圓，進而可於製作薄型晶圓後，於室溫下容易地自支持體剝離此晶圓，因此可容易地處理易碎的薄型晶圓。其表示使層(A)的成分也就是樹脂改質有機聚矽氧烷中的樹脂的量發生變化，藉此可製作一種維持清洗性，並具有任意的剝離力之暫時黏著材料層。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧支持體
3‧‧‧晶圓加工用暫時黏著材料(暫時黏著材料層)
(A)‧‧‧熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層
(B)‧‧‧熱硬化性改質矽氧烷聚合物層

Claims (8)

  1. 一種晶圓加工用暫時黏著材料，用以將表面具有電路面且背面應加工之晶圓，暫時黏著於支持體上，該晶圓加工用暫時黏著材料的特徵在於：該晶圓加工用暫時黏著材料，是由以下二層矽氧烷所構成：第一暫時黏著材料層，其是由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)所構成，該熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)是由含有R21R22R23SiO1/2單元(R21、R22及R23分別為未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基或羥基)和SiO4/2單元，且前述R21R22R23SiO1/2單元/SiO4/2單元的莫耳比為0.6~1.7的有機聚矽氧烷樹脂，與由下述通式(1)所表示之有機聚矽氧烷進行部分脫水縮合而成；及，第二暫時黏著材料層，其是積層於該第一暫時黏著材料層上，並由黏著於上述支持體上且可剝離的熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成； (式中，R11及R12分別表示未取代或取代的碳原子數1~10的1價烴基，n為5000~10000)。
  2. 如請求項1所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，於前述熱可塑性樹脂改質有機聚矽氧烷層(A)中，前述脫水縮合之有機聚矽氧烷與前述有機聚矽氧烷樹脂的比率為99：1~50：50，進而重量平均分子量為400,000~1,500,000。
  3. 如請求項1所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)為組成物的硬化物層，該組成物，相對於由具有下述通式(2)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基高分子化合物、或具有由下述通式(4)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基聚矽氧高分子化合物所構成的熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，含有0.1~50質量份的作為交聯劑的選自下述中的任意1種以上：藉由福馬林或福馬林-酒精混合液而被改質後之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、及1分子中平均具有2個以上的環氧基之環氧化合物， [式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；m為1~100的整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(3)所表示之2價有機基， (式中，Z為 -CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)] (式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100的整數，a、b、c、d為0或正數，其中，c及d不會同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為由下述通式(3)所表示之2價有機基；Y為由下述通式(5)所表示之2價有機基) (式中，Z為 -CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者) (式中，V為 -CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R7、R8分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h為0、1、2中的任一者)。
  4. 如請求項2所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)為組成物的硬化物層，該組成物，相對於包含由具有下述通式(2)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基高分子化合物、或具有由下述通式(4)所表示之重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基聚矽氧高分子化合物所構成的熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，含有0.1~50質量份的作為交聯劑的選自下述中的任意1種以上：藉由福馬林或福馬林-酒精混合液而被改質後之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物， [式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；m為1~100的整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(3)所表示之2價有機基， (式中，Z為 -CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)] (式中，R1~R4表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100的整數，a、b、c、d為0或正數，其中，c及d不會同時為0，且0<(c+d)/(a+b+c+d)≦1.0；進而，X為由下述通式(3)所表示之2價有機基；Y為由下述通式(5)所表示之2價有機基) (式中，Z為 -CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R5、R6分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者) (式中，V為 -CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R7、R8分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；h為0、1、2中的任一者)。
  5. 一種晶圓加工用構件，其特徵在於：由如請求項1~請求項4中的任一項所述之晶圓加工用暫時黏著材料與支持體所構成。
  6. 一種晶圓加工體，其特徵在於：是於支持體上積層如請求項1~請求項4中的任一項所述之晶圓加工用暫時黏著材料，且於該暫時黏著材料上，積層表面具有電路面且背面應加工之晶圓而成。
  7. 一種薄型晶圓的製作方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟(a)，其經由如請求項1~請求項4中的任一項所述之晶圓加工用暫時黏著材料，將表面具有電路形成面和背面具有非電路形成面之晶圓的前述電路形成面，接合於支持體上；步驟(b)，其磨削或研磨已與支持體接合之晶圓的非電路形成面；步驟(c)，其對晶圓的非電路形成面實施加工；及，步驟(d)，其自支持體剝離已實施加工之晶圓。
  8. 如請求項7所述之薄型晶圓的製作方法，其中，於前述步驟(d)也就是自支持體剝離已實施加工之晶圓之步驟後，進行步驟(e)也就是移除殘留在剝離後之晶圓的電路形成面上之暫時黏著材料層之步驟。
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