TWI545171B - Wafer processing body, wafer processing member, temporary adhesive material for wafer processing, and manufacturing method of thin wafer - Google Patents

Wafer processing body, wafer processing member, temporary adhesive material for wafer processing, and manufacturing method of thin wafer Download PDF

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Description

晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料及薄型晶圓的製造方法
本發明關於一種晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料及薄型晶圓的製造方法，該晶圓加工體可有效地獲得薄型晶圓。
為了實現更進一步的高密度、大容量化、高速化、低耗電化，三維半導體構裝已成為必須。三維半導體構裝技術，是指將一個半導體晶片薄型化，並利用矽穿孔電極(through silicon via，TSV)將其接線，並積層為多層之半導體製造技術。實現此技術需要以下步驟，利用非電路形成面(亦稱為「背面」)磨削，將形成有半導體電路之基板薄型化，進而於背面上形成包含TSV之電極。
先前，在矽基板的背面磨削步驟中，於磨削面的相反側黏貼有保護膠帶，以免磨削時損壞晶圓。然而，該膠帶是使用將有機樹脂膜作為基材，雖然具有彈性，但強度和耐熱性不充分，並不適於進行TSV形成步驟或背面的配線層形成步驟。
因此，提出一種系統，其藉由將半導體基板經由(隔 著)黏著層接合於矽、玻璃等支持體上，而可充分耐受背面磨削、TSV和背面電極形成等的步驟。此時，重要的是，將基板接合於支持體上的時候的黏著層。其需要足夠的耐久性，以可將基板無間隙地接合於支持體上，並耐受後續步驟，並且要求最終可將薄型晶圓自支持體簡便地剝離。如此一來，從最終剝離之點而言，於本說明書中，將該黏著層稱作暫時黏著材料層。
目前為止，作為公知的暫時黏著材料層與其剝離方法，提出以下技術：藉由對包含光吸收性物質之黏著材料照射高強度的光，分解黏著材料層，來將黏著材料層自支持體剝離(專利文獻1)；及，使用將熱熔融性的碳氫化合物作為黏著材料，於加熱熔融狀態下進行接合、剝離(專利文獻2)。前者的技術需要雷射等高價裝置，並且，需要使用向支持體中透過雷射光之玻璃基板這樣的特定的基板，且存在每片基板的處理時間變長等問題。又，後者的技術僅藉由加熱即可控制，較為簡便，而另一方面，由於超過200℃之高溫下的熱穩定性不充分，因而使用範圍較小。並且，若為這種暫時黏著材料層，亦不適用於高段差基板的均勻膜厚的形成、及對支持體的完全黏著。
又，提出一種將矽酮黏著劑用於暫時黏著材料層之技術(專利文獻3)。該技術是使用加成硬化型的矽酮黏著劑，將基板接合於支持體上，而在剝離時，浸漬於溶解或分解矽酮樹脂之化學藥品中，而將基板自支持體分離。因此，剝離需要非常長的時間，難以應用於實際製造製程中。
[先行技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2004-64040號公報
專利文獻2：日本特開2006-328104號公報
專利文獻3：美國專利第7541264號公報
作為解決上述問題之手法，提出以下方法：積層熱硬化性樹脂層與熱塑性樹脂層，來作為暫時黏著材料層；或者，單層地使用含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷的高聚合物。但是，前者由於熱塑性樹脂在常溫時的彈性率較低且具有流動性，因此由於積層體基板的構成，於製程中可能會導致樹脂變形或裝置污染；就後者來說，作為剝離方法，較適宜用於加熱而進行水平滑動方式，然而關於將積層體基板的一面水平地固定，並將另一面自水平方向附加一定角度地上抬之方式，由於與支持體或晶圓之間的密接性較強且堅硬，因而難以剝離，存在難以應用於實際製造製程之問題。
本發明是有鑒於上述狀況而完成，目的在於提供一種晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料及使用此之薄型晶圓的製造方法，該晶圓加工體的晶圓與支持體之間的暫時黏著較為容易，並且，對於TSV形成步驟、晶圓背面配線步驟之步驟適應性較高，進而，亦易於剝離，可提高生產率。
本發明是有鑒於上述狀況而完成，目的在於提供一種晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料及使用此之薄型晶圓的製造方法，該晶圓加工體的晶圓與支持體之間的暫時黏著較為容易，並且，對於TSV形成步驟、晶圓背面配線步驟之步驟適應性較高，進而，亦易於剝離，可清洗後再利用支持體，而可提高薄型晶圓的生產率。
為了解決上述問題，根據本發明，提供一種晶圓加工體，其於支持體上形成有暫時黏著材料層，並在該暫時黏著材料層上，積層有表面具有電路面且背面應加工之晶圓而構成，並且，前述暫時黏著材料層具備：第一暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；及，第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述支持體上之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成。
又，於本發明中，提供一種晶圓加工用構件，其於支持體上形成有暫時黏著材料層，並且在該暫時黏著材料層上要被暫時黏著表面具有電路面且背面應加工之晶圓，並且，前述暫時黏著材料層具備：第二暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述支持體上之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第一暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成。
又，於本發明中，提供一種晶圓加工用暫時黏著材 料，其用於將表面具有電路面且背面應加工之晶圓，暫時黏著於支持體上，並且具有：第一暫時黏著層，其由可於前述晶圓的表面上黏著且剝離之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；及，第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由可於前述支持體上黏著且剝離之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成。
如此，若使用這種晶圓加工體、晶圓加工用構件及晶圓加工用暫時黏著材料，則晶圓與支持體之間的暫時黏著較為容易，並且，亦可於高段差基板上形成均勻的膜厚，對於TSV形成、晶圓背面配線步驟之步驟適應性較高，進而，亦易於剝離，可提高生產率。
為了解決上述問題，根據本發明，提供一種晶圓加工體，其特徵在於：於支持體上形成有暫時黏著材料層，並在該暫時黏著材料層上，積層有表面具有電路面且背面應加工之晶圓而構成，並且，前述暫時黏著材料層為具有以下3層結構之複合暫時黏著層：第一暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第三暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述支持體上之與前述第一暫時黏著層同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)所構成。
又，於本發明中，提供一種晶圓加工用構件，其特徵在於：於支持體上形成有暫時黏著材料層，並且在該暫時 黏著材料層上要被暫時黏著表面具有電路面且背面應加工之晶圓，並且，前述暫時黏著材料層具備：第三暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述支持體之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)所構成；第二暫時黏著層，其積層於該第三暫時黏著層上，由熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第一暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可於前述晶圓的表面上剝離及黏著且與前述第三暫時黏著層同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成。
又，於本發明中，提供一種晶圓加工用暫時黏著材料，其用於將表面具有電路面且背面應加工之晶圓暫時黏著於支持體，且具備：第一暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第三暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述支持體上之與前述第一暫時黏著層同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)所構成。
若使用這種晶圓加工體、晶圓加工用構件、晶圓加工用暫時黏著材料，則晶圓與支持體之間的暫時黏著較為容易，並且，亦可形成高段差基板之均勻膜厚的暫時黏著層，對於TSV形成步驟、晶圓背面配線步驟之步驟適應性較高，進而，亦易於剝離，可清洗後再利用支持體，而可提高薄型晶圓的生產率。
又，此時，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷 層(A)及(A’)，較佳為包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層：(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
如此一來，若前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)，為由包含上述(I)~(Ⅲ)中所示單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷所形成之層，則黏著性、耐熱性優異。進而，由於可溶於非極性有機溶劑，因而可容易地移除自支持體剝離之晶圓的電路形成面上所殘留之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)。另一方面，該層難溶於當對 接合基板(晶圓加工體)的半導體(晶圓)側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑，因而較佳。
又，此時，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)，較佳為有機聚矽氧烷層，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基(hydrosilyl)化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非 芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)
該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
(式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
若為這種高分子量化之有機聚矽氧烷之層，則有機聚矽氧烷層，可溶於非極性有機溶劑，另一方面，難溶於當對接合基板(晶圓加工體)的半導體(晶圓)側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑，且黏著性、耐熱性更為優異，因而較佳。
又，此時，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)較佳為有機聚矽氧烷層，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%為氫原子；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、 (Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)
該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，1分子中含有至少2個烯基，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
若為這種高分子量化之有機聚矽氧烷之層，則有機聚矽氧烷層可溶於非極性有機溶劑，另一方面，難溶於當對 接合基板(晶圓加工體)的半導體(晶圓)側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑，且黏著性、耐熱性更為優異，因而較佳。
又，此時，前述含氫矽烷基化合物(A2)，較佳為由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基(bissilyl)化合物，
(式中，n為0~400之正數，R12~R14為相同或不同的取代或未取代之1價有機基)
(式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基；W為2價有機基)。
若為這種含氫矽烷基化合物(A2)，則含氫矽烷基化合物(A2)與含烯基有機聚矽氧烷(A1)的烯基間的矽氫化反應易於推進，又，與含烯基有機聚矽氧烷(A1)之相溶性良好，因而從矽氫化反應之觀點看來較佳。
又，此時，前述熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)較佳為組成物的硬化物層，該組成物相對於由具有由下述通式(5)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的 含矽伸苯基(silphenylene)之高分子化合物、或具有由下述通式(6)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基矽酮高分子化合物所組成之熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，含有0.1~50質量份的選自下述中的任意1種以上：以福爾馬林或福爾馬林-酒精(formalin alcohol)作為交聯劑經改質之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基(alkoxy methylol)之苯酚化合物、及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物，
[式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(7)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不 同；k為0、1、2中的任一者)]
[式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，g、h、i、j為0或正數，其中，i及j不會同時為0，且，0<(i+j)/(g+h+i+j)≦1.0；進而，X為由下述通式(7)所示的2價有機基，Y為由下述通式(8)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)
(式中，V為-CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R24、R25分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；q為0、1、2中的任一者)]。
這種聚合物層(B)，因耐熱性而更為優異，又，成為膜厚均勻性良好的暫時黏著層，因而較佳。
又，於本發明中，提供一種薄型晶圓的製造方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟(a)，其對於前述晶圓加工體，磨削或研磨前述晶圓的電路非形成面；步驟(b)，其對前述晶圓的電路非形成面實施加工；及，步驟(c)，其將前述已實施加工之晶圓自前述支持體剝離。
若為這種薄型晶圓的製造方法，利用將由本發明中的2層組織所構成之暫時黏著材料層，用於晶圓與支持體之接合，可容易地製造具有貫穿電極結構、及凸塊連接結構之薄型晶圓。
若為這種薄型晶圓的製造方法，利用將由本發明中 的3層組織所構成之暫時黏著材料層，用於晶圓與支持體之接合，可容易地製造具有貫穿電極結構、及凸塊連接結構之薄型晶圓。
又，此時，前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離，較佳為藉由以下來進行：於已實施加工之晶圓的加工面上黏著切割膠帶(dicing tape)，將該切割膠帶面真空吸附於吸附面上，並於前述吸附面的溫度為10℃~100℃的溫度範圍內，藉由將前述支持體自前述已實施加工之晶圓剝除而剝離。
根據這種剝離步驟，可容易地將支持體從已實施加工之晶圓上剝離，又，可容易地進行後續切割步驟。
又，此時，於前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離後，較佳為進行步驟(d)，該步驟(d)是移除殘留於(d)前述已剝離之晶圓的電路形成面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)。
在利用步驟(c)自支持體剝離之晶圓的電路形成面上，可能殘留有部分含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷聚合物層(A)。該含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷聚合物(A)的移除，例如，可藉由利用非極性有機溶劑清洗晶圓來進行。
本發明中的暫時黏著材料層，由於耐熱性較高，因而可應用於廣泛的半導體成膜製程中，對於具有段差之晶圓，亦可形成膜厚均勻性較高的黏著材料層，並且可因該膜厚均勻性，而可容易地獲得50μm以下的均勻的薄型晶圓，進而，於薄 型晶圓製造之後，由於在室溫下可容易地自支持體剝離，而可容易地製造容易分離的薄型晶圓。
1‧‧‧晶圓
1’‧‧‧晶圓
2‧‧‧支持體
2’‧‧‧支持體
3‧‧‧暫時黏著材料層
3’‧‧‧暫時黏著材料層
10‧‧‧晶圓加工體
10’‧‧‧晶圓加工體
(A)‧‧‧含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(第一暫時黏著層)
(B)‧‧‧熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(第二暫時黏著層)
(A’)‧‧‧含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(第三暫時黏著層)
第1圖是表示本發明的晶圓加工體的一例之剖面圖。
第2圖是表示本發明的晶圓加工體的一例之剖面圖。
本發明人，為了達成上述目的而進行深入研究，結果發現一種方法，利用將暫時黏著材料層用於晶圓與支持體之接合，可使用該暫時黏著材料層，來簡單地製造具有貫穿電極結構和凸塊連接結構之薄型晶圓，其中，該暫時黏著材料層是由以下2層組織所構成：(A)含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(第一暫時黏著層)；及，(B)熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(第二暫時黏著層)。
如第1圖所示，本發明的晶圓加工體10，具備：應加工之晶圓1；支持體2，其於加工晶圓1時支持晶圓1；及，暫時黏著材料層3，其介於這些晶圓1與支持體2之間；並且，該暫時黏著材料層3，是由含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)(第一暫時黏著層)與熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)(第二暫時黏著層)所構成；其中，第一暫時黏著層可剝離地黏著於表面具有電路面且背面應加工之晶圓的表面，第二暫時黏著層可剝離地黏著於支持體。
又，本發明的晶圓加工用構件，具有：上述支持體2；熱 硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)，其積層於上述支持體2上；及，含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)，其積層於熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)上；並且，本發明的晶圓加工用暫時黏著材料由上述層(A)、(B)的積層體所構成。
本發明人，為了達成上述目的而進行深入研究，結果發現一種方法，利用將暫時黏著材料層用於晶圓與支持體之接合，來簡單製造具有貫穿電極結構和凸塊連接結構之薄型晶圓，其中，暫時黏著材料層是由以下3層組織所構成：熱塑性暫時黏著層，其由(A)含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷所構成；熱硬化性暫時黏著層，其由以(B)改質矽氧烷聚合物為主要成分之層所構成；及，熱塑性暫時黏著層(A’)，其由與前述(A)同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷所構成。
如第2圖所示，本發明的晶圓加工體10’，具備：應加工之晶圓1’；支持體2’，其於加工晶圓1’時支持晶圓1’；及，暫時黏著材料層3’，其介於這些晶圓1’與支持體2’之間；並且，該暫時黏著材料層3’是由以下3層結構所構成：含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)(第一暫時黏著層)；熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)(第二暫時黏著層)；及，與前述第一暫時黏著層同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷所構成之層(A’)(第三暫時黏著層)；其中，第一暫時黏著層可剝離地黏著於表面具有電路面且背面應加工之晶圓1’的表面，第三暫時黏著層可剝離地黏著於支持體2’上。
又，本發明的晶圓加工用構件，具有：前述支持體2’；含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)，其積層於前述支持體2’上；熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)，其積層於該含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)上；及，含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)，其積層於該熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)上；並且，本發明的晶圓加工用暫時黏著材料是由上述層((A)、(B)及(A’))的積層體所構成。
以下，更為詳細地說明本發明。
<暫時黏著材料層>
[第一暫時黏著層(A)及第三暫時黏著層(A’)/含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層]
第一暫時黏著層(A)及第三暫時黏著層(A’)中所使用之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷，可相同或不同，作為該含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷，可列舉以下含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷，其特徵在於包含下述(I)~(Ⅲ)所示的單元：(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20 的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
前述R1~R6為一價有機基或氫原子。進而，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，較佳為60莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，較佳為50莫耳%以上，更佳為60莫耳%以上，為相同或不同的碳數5~7的包含上述環狀結構之非芳香族飽和烴基。並且，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基。
這種有機聚矽氧烷，利用使有機基為非芳香族飽和烴基，當用於在接合基板的半導體側塗佈或移除光阻劑等的時候，難溶於極性有機溶劑，並且，可溶於非極性有機溶劑。亦即，利用使T、D、M單元的由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，而使該有機聚矽氧烷難溶於上述極性有機溶劑，且可 溶於己烷、辛烷及異十二烷等非極性的烴溶劑，耐熱性亦優異。又，利用增加非芳香族飽和烴基，尤其是碳數5~7的包含上述環狀結構之非芳香族飽和烴基的含有量，使有機聚矽氧烷的耐熱性更為優異。
作為非芳香族飽和烴基的具體例，可列舉：正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、三級丁基、正戊基、環戊基、正己基、環己基、辛基、正癸基、正十二烷基、降冰片基(norbornyl)、降冰片基乙基及金剛烷基；更佳為正丙基、正己基、環戊基、環己基及降冰片基。尤其重要的是，具有較高的耐熱性、及環狀烴基(包含環狀結構之非芳香族飽和烴基)的含有量。當作為非芳香族飽和烴基之環狀烴基的含有量是由R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上時，有機聚矽氧烷在260℃以上的高溫下的耐久性優異，耐熱性更為優異。作為這些環狀烴基，較佳為包含如下圖所示的1價及/或2價環戊基骨架、環己基骨架、雙環[2.2.1]骨架、雙環[3.1.1]骨架之結構。
上述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷，含有：(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)40~99莫耳%；(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)59莫耳%以下；(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)1~30莫耳%。具有上述結構之有機聚矽氧烷，可藉由一邊控制一邊進行作 為原料之水解性矽烷的水解、及縮合反應來製造。又，作為上述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷，就操作上而言，較佳為在不超過40℃的溫度下，具有固體形狀。
作為可用作原料之水解性矽烷，可列舉：甲基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、正丙基三氯矽烷、異丙基三氯矽烷、正丁基三氯矽烷、異丁基三氯矽烷、正戊基三氯矽烷、異戊基三氯矽烷、環戊基三氯矽烷、正己基三氯矽烷、環己基三氯矽烷、正辛基三氯矽烷、正癸基三氯矽烷，正十二烷基氯矽烷(n-dodecyl chlorosilane)、雙環[2.2.1]庚基三氯矽烷(C1)、雙環[2.2.1]壬基三氯矽烷(C2)、雙環[3.1.1]癸基三氯矽烷(C3，C4)、二甲基二氯矽烷、正丙基甲基二氯矽烷、異丙基甲基二氯矽烷、正丁基甲基二氯矽烷、異丁基甲基二氯矽烷、正己基甲基二氯矽烷、環己基甲基二氯矽烷、二苯基二氯矽烷、及它們的水解性基為甲氧基、乙氧基者。
尤其是具有複數個環狀結構之下述(C1)~(C4)，存在endo體、exo體的立體異構體，該等均可使用。
由於含有40~99莫耳%的T單元，本發明的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷在40℃以下，易於成為固體，且，可溶於非極性有機溶劑，另一方面，難溶於當在接合基板的 半導體側塗佈或移除光阻劑等的時候所使用的極性有機溶劑。又，自後述熱穩定性的觀點來看，較佳為本發明的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，並未殘留反應性的端基，亦即，矽烷醇和水解性殘基等。因此，較佳為向末端導入M單元之結構，作為M單元的含有量，較佳為含有1莫耳%以上。
由於含有59莫耳%以下的D單元，本發明的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷在40℃以下，易於成為固體，並且，當用於暫時黏著材料組成物時，可充分接合晶圓與支持基板。亦即，不存在成為具有流動性的黏稠物質、或液狀物之虞，因此支持基板與具有半導體電路之晶圓之間的接合變得充分，且在背面磨削或後續加工中，不存在發生積層晶圓偏移等問題之虞，因而較佳。
由於含有1~30莫耳%的M單元，本發明的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷難溶於當在接合基板的半導體側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑，其結構係充分降低矽烷醇或水解性殘基等反應性端基。又，當為30莫耳%以下時，端基增多，相對地並不存在分子量變小之虞，因而較佳。
當存在未經M單元封端之分子端基，亦即，矽烷醇基、或烷氧矽烷基等的水解性殘基時，較佳為這些反應性端基的含有量儘量較少。若分子內的矽烷醇基、及烷氧矽烷基的末端殘基為少量，則可抑制受熱時因縮合反應而產生交聯、及基板的剝離性顯著變化，因而較佳。又，矽烷醇基的 OH基、及烷氧矽烷基(Si-OR：R作為原料使用之烷氧矽烷的烷氧基殘基、甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基等)的OR基的總量，較佳為佔全部樹脂固體成分中的5質量%以下，更佳為3質量%以下。藉由導入M單元，可將這種反應性端基降低為期望的量。
本發明的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷的分子量的分佈頗為重要。亦即，利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)，根據聚苯乙烯標準物質所製作的檢量線而獲取的重量平均分子量的值，較佳為2,000以上。若含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷的重量平均分子量為2,000以上，則耐熱性優異，因而較佳。作為含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷的重量平均分子量的更佳的範圍，為3,000~200,000左右，更佳為5,000~150,000左右。作為可進行這種分析、解析的GPC裝置，可使用日本東曹(Tosoh Corporation)製造的HLC-8120GPC、HLC-8220GPC、HLC-8230GPC。
這種含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷，可利用公知的方法來製造。可使用例如，藉由水解縮合反應可形成上述矽氧烷單元(T、D、M單元)之有機氯矽烷及/或有機烷氧矽烷、或其部分水解縮合物。例如，混合至水解全部水解性基(氯基、烷氧基等)所需的過量的水與可溶解原料矽烷化合物及生成的有機聚矽氧烷之有機溶劑之混合溶液中，使其進行水解縮合反應而獲得。所期望的重量平均分子量的有機聚矽氧烷，可利用調節反應溫度及時間、水、有機溶劑的調配量來 獲得。如此製造出來的有機聚矽氧烷，例如當作為暫時黏著劑使用時，亦可移除不需要的有機溶劑成分，暫且固化之後再使用。
又，本發明中的第一暫時黏著層(A)及第三暫時黏著層(A’)，亦可將上述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷作為原料，而作成高分子量化的有機聚矽氧烷之層。以下，說明這種高分子量化的有機聚矽氧烷。
作為這種高分子量化的有機聚矽氧烷，可列舉以下的一種高分子量化的有機聚矽氧烷，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機 基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)
該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
(式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
此時，烯基的含有量，至少為由R1~R6所示的全部有機基和氫原子的2莫耳%~30%。若烯基的含有量為2莫耳%以上，則有機聚矽氧烷藉由矽氫化反應，其分子量將大幅增加，耐熱性等物性優異，因而較佳。又，若為30莫耳%以下，則對在接合基板的半導體側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑之溶解性進而降低，因而較佳。
作為這種烯基之一例，可列舉：乙烯基、丙烯基、丁烯基、己烯基(hxenyl)、環己烯基及降冰片烯基(norbornenyl)，但自反應性之觀點看來，較佳為乙烯基。
又，上述平均化學式(1)中，前述R7為除烯基以外的1價有機基，前述R8為2價有機基。若R7為除烯基以外的1價有機基，則並無特別限定，可例示：甲基、正丙基、異丙基、己基、環己基及苯基。又，若R8為2價有機基，則並無特別限定，但可例示：亞甲基、亞乙基、亞丁基(butanylene)、亞己基(hexylene)、環亞己基及亞苯基。
進而，上述平均化學式(1)中，a、b表示分子中的有機基的含有量，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數。當a+b小於0.75時，相對地c的值，即SiH基的含有量會增多。考慮到含烯基有機聚矽氧烷(A1)的烯基、與含氫矽烷基化合物(A2)的SiH基之間的矽氫化反應，若SiH量較多，則交聯度過高，而使高分子量化之有機聚矽氧烷存在凝膠化之傾向。又，當SiH基大量殘留時，因熱劣化而使產生氣體的可能性變大。又，若a+b為2.5以下，則SiH基量適宜，反應所引起的高分子量化適宜地進行。進而，若a為2.5以下，則參與交聯之SiH基量適宜，分子量上升至目標值，耐熱性優異。因此，a、b、及c較佳為上述範圍。進而，進而從矽原料的獲取難易度考慮，c的值較佳為1.0以下，又，為使交聯反應充分地進行，較佳為0.005以上。
又，(A2)成分的總SiH量相對於(A1)成分的總烯基，較佳為0.4~1.0。若為0.4以上，則分子量的增加充分，將獲得期望的耐熱性，黏著性。又，若為1.0以下，則樹脂的交聯適度，不易凝膠化，又，樹脂內殘留的SiH基亦可降低，接 合後的耐熱試驗時的起泡亦得以被抑制，因而較佳。
作為含氫矽烷基化合物(A2)的更為具體的示例，可使用兩末端上具有SiH基之直鏈聚矽氧烷、聚矽亞烷基(polysilyl alkylene)、及聚矽亞芳基(polysilyl arylene)。尤其較佳為，由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基化合物， (式中，n為0~400之正數，R12~R14，為相同或不同的取代或未取代之1價有機基)
(式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基；W為2價有機基)。
前述R12~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基。作為R12~R17，並無特別限定，可以例示碳數1~8的1價烴基，具體可例示：甲基、丙基、己基、環己基及苯基。尤其較佳為例示：甲基、環己基及苯基。
由上述結構式(3)所示的有機氫聚矽氧烷的聚合度n為0~400。在該n的範圍內，聚合度n為200以上較大者，由於不易與(A1)的烯基進行矽氫化反應，因而較佳為與聚合 度為0~40的矽氧烷並用。再者，若n為200以下，則有機氫聚矽氧烷與含烯基有機聚矽氧烷(A1)間的相溶性良好，又，末端SiH基的反應性亦不會降低，因而較佳。
由上述結構式(4)所示的雙矽烷基化合物的連結基W，為2價有機基。W並無特別限定，可例示碳數1~10的2價烴基、及亞苯基。尤其自高分子量化之有機聚矽氧烷的耐熱性之觀點看來，較佳為亞苯基。
若為這種高分子量化之有機聚矽氧烷，則可溶於非極性有機溶劑，另一方面，難溶於在接合基板的半導體側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑，且有機聚矽氧烷的黏著性、耐熱性更為優異。
進而，本發明中的第一暫時黏著層(A)及第三暫時黏著層(A’)亦可為有機聚矽氧烷之層，該有機聚矽氧烷之層係將除了含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)之加成反應生成物以外，互換反應性基之化合物，即，含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)加成反應後進行高分子量化而成。
這種有機聚矽氧烷中，包含一種高分子量化之有機聚矽氧烷，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)，其在包含下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%，為氫原子； (I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的碳數5~7的下述環狀結構包含之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)
該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，為1分子中含有至少2個烯基之含烯基化合物，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-r)/2 (2)
(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0 ≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
此時，氫原子的含有量，至少為由R1~R6所示的全部有機基和氫原子的2莫耳%~20%。若氫原子的含有量為2莫耳%以上，則有機聚矽氧烷藉由矽氫化反應，其分子量將大幅增加，耐熱性等物性優異，因而較佳。又，若為20莫耳%以下，則對在接合基板的半導體側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑之溶解性進而降低，因此較佳。
上述平均化學式(2)中的R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基。R11為碳數2~6的烯基。此處R9若為除烯基以外的1價有機基，則並無特別限定，但可例示：甲基、正丙基、異丙基、己基、環己基及苯基。又，R10為2價有機基，並無特別限定，但可例示：亞甲基、亞乙基，亞丁基、亞己基、環亞己基及亞苯基。進而，R11為碳數2~6的烯基，並無特別限定，但可列舉：乙烯基、丙烯基、丁烯基、己烯基、環己烯基及降冰片烯基，而自反應性之觀點看來，較佳為乙烯基。
上述平均化學式(2)中的d、e、f表示分子中的有機基的含有量，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數。
(A4)成分的總烯基相對於(A3)成分的總SiH量，較佳為1.0~2.5倍的量。若為1.0倍以上，則分子量的增加充分，可獲得所期望的耐熱性、黏著性。又，若為2.5倍以下，則樹脂的交聯適度，不易凝膠化，又，樹脂內殘留之SiH基 亦可降低，接合後的耐熱試驗時的起泡亦得以被抑制，因而較佳。
若為這種高分子量化之有機聚矽氧烷，則可溶於非極性有機溶劑，另一方面，難溶於在接合基板的半導體側塗佈或移除光阻劑時等所使用的極性有機溶劑，且有機聚矽氧烷的黏著性、耐熱性更為優異。
含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)之間的反應，利用使含烯基有機聚矽氧烷(A1)溶解於有機溶劑，並添加矽氫化催化劑亦即鉑系金屬催化劑，然後，一邊加熱至50~150℃，一邊滴入含氫矽烷基化合物(A2)，而可獲得高分子量化之有機聚矽氧烷。鉑系金屬催化劑，係用於促進與SiH基之間的矽氫化加成反應之催化劑，作為該加成反應催化劑，可列舉：鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、氯鉑酸與一元醇的反應物、氯鉑酸與烯烴類的絡合物、鉑雙乙醯乙酸甲酯(platinum bis acetoacetate)等鉑系催化劑；鈀系催化劑；及，銠系催化劑等鉑族金屬催化劑。再者，該加成反應催化劑的調配量可作為催化劑量，但通常作為鉑族金屬，相對於(A1)成分的重量，較佳為調配1~800ppm，尤其較佳為調配2~300ppm左右。
又，含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)之間的反應，亦可與上述相同地，在加成反應催化劑之存在下將兩者加熱混合來進行，藉此可獲得高分子量化之有機聚矽氧烷。
這些矽氫化加成反應後的有機聚矽氧烷的分子量，會影 響暫時黏著劑的特性，尤其會影響加熱時的熱變形、黏著界面上的空隙(void)產生等。
加成反應後的高分子量化之聚有機矽氧烷的重量平均分子量Mw，是使用GPC(凝膠滲透層析法)，根據聚苯乙烯標準物質製作之檢量線而獲取之重量平均分子量的值，較佳為15,000以上。若重量平均分子量為15,000以上，則有機聚矽氧烷的耐熱性優異。作為重量平均分子量的更佳的範圍，較佳為20,000~200,000左右，更佳為30,000~150,000左右。
該含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷，事先作為薄膜，可使用輥壓貼合機(roll laminator)等貼合於晶圓上來使用，或利用旋塗(spin coat)、輥壓塗佈機(roll coater)等方法將其溶液形成於晶圓上來使用。當利用旋塗等方法在晶圓上形成該(A)及(A’)層時，較佳為將樹脂作為溶液進行塗抹，然後加熱乾燥，但此時，適合使用戊烷、己烷、環己烷、癸烷、異十二烷及檸檬烯等烴系溶劑。此時的(A)層及(A’)層的固體成分濃度較佳為5~70%，可相同或不同。又，該(A)層及(A’)層，膜厚形成為0.1~30μm、較佳為0.5~10μm之間並使用，(A)層及(A’)層的膜厚可相同或不同。當為0.1μm以上時，可充分覆蓋元件晶圓的段差；另一方面，當為30μm以下時，不存在膜上產生裂痕之虞，因而較佳。再者，亦可向該熱塑性矽氧烷中，添加50質量份以下的矽石等填充物，以進一步提高耐熱性。
[第二暫時黏著層(B)/熱硬化性改質矽氧烷聚合物層]
將由通式(5)或(6)中的任一者所示的熱硬化性改質矽氧烷聚合物，作為主要成分之熱硬化性組成物的硬化物之層，可作為第二暫時黏著層(B)來使用。
通式(5)的聚合物：具有由下述通式(5)所示的重複單元、重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基之高分子化合物。
[式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的烷基等1價烴基；又，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(7)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1。又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)]。
此時，作為R18~R21的具體例，可列舉甲基、乙基及苯基等，m較佳為3~60，更佳為8~40之整數。又，B/A 為0~20，尤其為0.5~5。
通式(6)的聚合物：具有由下述通式(6)所示的重複單元、重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基矽高分子化合物。
[式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的烷基等1價烴基；又，m為1~100之整數，g、h、i、j為0或正數，其中，i及j不同時為0，且，0<(i+j)/(g+h+i+j)≦1.0，較佳為0.1≦(i+j)/(g+h+i+j)≦0.8；進而，X為由下述通式(7)所示的2價有機基，Y為由下述通式(8)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)
(式中，V為-CH2-,
選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R24、R25分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；q為0、1、2中的任一者)]。
此時，R18~R21、m的具體例與上述相同。
以這些式(5)或(6)的熱硬化性改質矽氧烷聚合物作為主要成分之熱硬化性組成物，為完成其熱硬化，含有選自以下任意1種以上之交聯劑：經福爾馬林或福爾馬林-酒精改質之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物；及，1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物。
尤其，可含有雙官能、三官能、四官能以上的多官能交聯劑，特別是環氧樹脂，例如，日本化藥(股)(Kayaku Co.,Ltd.)製造之EOCN-1020、EOCN-102S、XD-1000、NC-2000-L、EPPN-201、GAN、NC6000和如下述式所示的交聯劑。
交聯劑的調配量，相對於上述熱硬化性改質矽氧烷 聚合物100質量份為0.1~50質量份，較佳為0.1~30質量份，更佳為1~20質量份，亦可混合2種或3種以上來調配。
又，該組成物中，可能含有5質量份以下的酸酐這樣的硬化催化劑。
另一方面，該組成物作為薄膜，可形成於晶圓上所形成之(A)層上，或形成於用於製造薄型晶圓之支持體一側。又，亦可將該組成物溶解於溶液後，利用塗佈、具體而言為旋塗、輥塗及模具塗佈機等方法，形成於(A)層、或支持體上。作為此時可用的溶劑，可列舉例如：環己酮、環戊酮、及甲基-2-正戊基酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、及1-乙氧基-2-丙醇等醇類；丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、及二乙二醇二甲醚等醚類；及，丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、醋酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸三級丁酯、丙酸三級丁酯、丙二醇單三級丁醚乙酸酯、及γ-丁內酯等酯類等；可單獨使用其中1種，或並用2種以上。
另一方面，該組成物，亦可以薄膜之形式，形成於晶圓上所形成之(A)層上，或形成於用於製造薄型晶圓之支持體一側。又，亦可將該組成物溶解於溶液後，利用塗佈、具體而言為旋塗、輥塗及模具塗佈機等方法，形成於(A)層、或(A’)層上。此時，例如作為溶液，可列舉：環己酮、環戊酮、及甲基-2-正戊基酮等酮類；3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、及1-乙氧基-2-丙醇等醇類；丙二醇 單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、及二乙二醇二甲醚等醚類；及，丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、醋酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸三級丁酯、丙酸三級丁酯、丙二醇單三級丁醚乙酸酯、及γ-丁內酯等酯類等，可單獨使用其中1種，或並用2種以上。
再者，亦可向組成物中添加50質量份以下的公知的抗氧化劑、矽石等填充物，以進一步提高耐熱性。
第二暫時黏著層(B)，較佳為以硬化時的膜厚為10~200μm、較佳為20~120μm之範圍來成膜。當膜厚為10μm以上時，可充分耐受晶圓薄型化之磨削步驟；當為200μm以下時，在TSV形成步驟等熱處理步驟中，不存在樹脂發生變形之虞，可耐受實際用途，因而較佳。
<薄型晶圓的製造方法>
本發明的薄型晶圓的製造方法，特徵在於使用由前述(A)層與(B)層這2層所構成之暫時黏著材料層，來作為具有半導體電路等之晶圓與支持體之間的黏著層。利用本發明的製造方法所獲得之薄型晶圓的厚度，典型為5~300μm，更典型為10~100μm。
本發明的薄型晶圓的製造方法，特徵在於使用由前述(A)、(B)及(A’)這3層所構成之暫時黏著材料層，來作為具有半導體電路等之晶圓與支持體之間的黏著層。利用本發明的製造方法所獲得之薄型晶圓的厚度，典型為5~300μm，更典型為10~100μm。
本發明的薄型晶圓的製造方法具有(a)~(c)的步驟：步驟(a)，其對於上述晶圓加工體，磨削或研磨前述晶圓的電路非形成面；步驟(b)，其對前述晶圓的電路非形成面實施加工；及，步驟(c)，其將前述已實施加工之晶圓自前述支持體剝離。
又，前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離，較佳為藉由以下步驟來進行：向已實施加工之晶圓的加工面上黏著切割膠帶，將該切割膠帶面真空吸附於吸附面上，並於前述吸附面的溫度為10℃~100℃的溫度範圍內，將前述支持體自前述已實施加工之晶圓剝除而剝離。
於前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離之後，較佳為進行步驟(A)，其係移除殘留於(d)前述已剝離之晶圓的電路形成面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層。
[晶圓加工體製造方法]
晶圓加工體可由以下方法來獲得：將表面具有電路形成面且背面具有電路非形成面之晶圓的電路形成面，隔著由上述第一暫時黏著層(A)與第二暫時黏著層(B)這2層所構成的暫時黏著材料層，接合於支持體。
具有電路形成面及電路非形成面之晶圓，是一面為電路形成面，另一面為電路非形成面之晶圓。本發明可適用之晶圓，通常為半導體晶圓。作為該半導體晶圓的示例，不僅限於矽晶圓，可列舉：鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、及鎵- 砷-鋁晶圓等。該晶圓的厚度並無特別限定，典型為600~800μm，更典型為625~775μm。
作為支持體，可使用矽晶圓或玻璃、石英晶圓等基板。在本發明中，無需通過支持體向暫時黏著材料層上照射放射能量線，支持體無需光線透過性。
暫時黏著層(A)、(B)亦可分別以薄膜形式，形成於晶圓或支持體上，或利用旋塗等方法將各自的溶液形成於晶圓或支持體上。此時，旋塗後，視其溶劑的揮發條件，以80~190℃的溫度，事先進行預烘烤(pre-baking)，之後以供使用。進而，第一暫時黏著層(A)與第二暫時黏著層(B)，其薄膜事先彼此貼合後，可供將第一暫時黏著層(A)接合於晶圓側，將第二暫時黏著層(B)接合於支持體一側。
暫時黏著層(A)、(B)所形成之晶圓及支持體，係形成為隔著暫時黏著層(A)、(B)而接合之基板。此時，較佳為40~230℃，更佳為40~200℃的溫度範圍，藉由以該溫度減壓下，將該基板均勻壓接，而形成晶圓與支持體接合之積層體基板。
作為晶圓貼合裝置，可列舉市售的晶圓接合裝置，例如EVG公司的EVG520IS、850TB；SUSS公司的XBC300等。
其後，較佳為，藉由以100~260℃、較佳為140~220℃，加熱10分鐘~5小時、較佳為30分鐘~2小時，來進行熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)的硬化，而形成晶圓加工體。
[晶圓加工體製造方法]
晶圓加工體可由以下方法來獲得：將表面具有電路形成 面且背面具有電路非形成面之晶圓的電路形成面，隔著由上述(A)、(B)與(A’)這3層所構成之暫時黏著材料層，接合於支持體。
具有電路形成面及電路非形成面之晶圓，是一面為電路形成面，另一面為電路非形成面之晶圓。本發明可適用之晶圓，通常為半導體晶圓。作為該半導體晶圓的示例，不僅限於矽晶圓，可列舉：鍺晶圓、鎵-砷晶圓、鎵-磷晶圓、及鎵-砷-鋁晶圓等。該晶圓的厚度並無特別限定，典型為600~800μm，更典型為625~775μm。
作為支持體，可使用矽晶圓或玻璃、石英晶圓等基板。在本發明中，無需通過支持體向暫時黏著材料層上照射放射能量線，支持體無需光線透過性。
(A)、(B)及(A’)層可分別以薄膜的形式，形成於晶圓或支持體上，或利用旋塗等方法將各自的溶液形成於晶圓或支持體上。此時，旋塗後，視其溶劑的揮發條件，以80~190℃的溫度，事先進行預烘烤，之後以供使用。進而，(A)、(B)及(A’)，其薄膜事先彼此貼合後，可供將(A)接合於晶圓側，將(A’)接合於支持體一側。
(A)層、(B)層及(A’)層所形成之晶圓及支持體，係形成為隔著(A)、(B)及(A’)層而接合之基板。此時，較佳為40~230℃，更佳為40~200℃的溫度範圍，藉由以該溫度減壓下，將該基板均勻壓接，而形成晶圓與支持體接合之晶圓加工體(積層體基板)。
作為晶圓貼合裝置，可列舉市售的晶圓接合裝置，例如 EVG公司的EVG520IS、850TB；SUSS公司的XBC300等。
其後，較佳為，藉由以100~260℃、較佳為140~220℃，加熱10分鐘~5小時、較佳為30分鐘~2小時，來進行熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)的硬化，而形成晶圓加工體。
[步驟(a)]
步驟(a)，其係磨削或研磨與支持體接合之晶圓的電路非形成面之步驟，即，對如上所述地貼合而獲得之晶圓加工體的晶圓背面側進行磨削或研磨，而使該晶圓的厚度變薄之步驟。晶圓背面的磨削或研磨的加工方式並無特別限定，可採用公知的方式。磨削較佳為向晶圓與磨石(金剛石等)上加水，一邊冷卻一邊進行。作為磨削加工晶圓背面之裝置，可列舉例如日本株式會社迪思科(DISCO Corporation)製造之DAG-810(商品名)等。
[步驟(b)]
步驟(b)，係對磨削或研磨電路非形成面之晶圓加工體、即對利用背面磨削(或研磨)而薄型化之晶圓加工體的電路非形成面，進行加工之步驟。於該步驟中，包含晶圓級所使用之各種製程。作為示例，可列舉：形成電極、形成金屬配線、形成保護膜等。更具體而言，可列舉先前公知的製程，例如：用於形成電極等之金屬濺鍍；蝕刻金屬濺鍍層之濕式蝕刻；藉由形成金屬配線時用於作為掩膜之抗蝕劑的塗佈、曝光、及顯影，來形成圖案；抗蝕劑的剝離；乾式蝕刻；金屬電鍍的形成；用於形成TSV之矽蝕刻；及，形成矽表面的氧化膜等。
[步驟(c)]
步驟(c)，係將步驟(b)中已實施加工之晶圓自晶圓加工體剝離之步驟，亦即，在對已薄型化之晶圓實施各種加工之後，且於切割前，自晶圓加工體剝離之步驟。作為剝離方法，主要可列舉以下方法：藉由一邊加熱(較佳為200~250℃)晶圓與支持體，一邊使其沿水平方嚮往相反方向滑動，來使兩者分離；水平地固定晶圓加工體的晶圓或支持體中的一者，將另一者自水平方向呈一定角度地上抬；及，在已實施加工之晶圓的加工面上黏貼保護膜，以揭除晶圓與保護膜之方式，自晶圓加工體剝離等；但並未特別限定採用何種方法。在本發明中，這些剝離方法均可適用，但更適合為以下方法：水平地固定晶圓加工體的晶圓或支持體中的一者，將另一者自水平方向呈一定角度上抬；及，向已實施加工之晶圓的加工面黏貼保護膜，以揭除晶圓與保護膜之方式，自晶圓加工體剝離。這些剝離方法，通常在室溫下實施。
又，向已實施加工之晶圓的加工面上黏著切割膠帶，將該切割膠帶面真空吸附於吸附面上，並於前述吸附面的溫度為10℃~100℃的溫度範圍內，藉由將前述支持體自前述已實施加工之晶圓剝除而剝離，藉此，可容易地將支持體自已實施加工之晶圓剝離，並且，可容易地進行後續切割步驟。
[步驟(d)]
步驟(d)，係於剝離之晶圓的電路形成面上殘留有部分暫時黏著層(A)時，將其移除之步驟。當在藉由步驟(c)自支持體 所剝離之晶圓的電路形成面上，殘留有部分暫時黏著層(A)時，該(A)的移除可藉由例如清洗晶圓來進行。
在步驟(d)的清洗中，若為可溶解暫時黏著材料層中的(A)層亦即含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷之清洗液，則均可使用，具體而言，可列舉：戊烷、己烷、環己烷、癸烷、異十二烷、及檸檬烯等。這些溶劑可單獨使用1種或組合2種以上使用。又，當難以移除時，亦可向上述溶劑中，添加鹼類、酸類。作為鹼類的示例，可使用：乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三乙胺、及氨等胺類；羥化四甲銨(tetramethyl ammonium hydroxide)等銨鹽類。作為酸類，可使用醋酸、草酸、苯磺酸、及十二烷基苯磺酸等有機酸。按照清洗液中的濃度，添加量為0.01~10質量%，較佳為0.1~5質量%。又，亦可添加現有的界面活性劑，以提高殘留物的移除性。作為清洗方法，可為以下方法：使用上述液體，利用攪拌槳(paddle)進行清洗之方法；利用噴霧器噴霧之清洗方法；及，浸漬於清洗液槽之方法。溫度適合為10~80℃，較佳為15~65℃，視需要，亦可以這些溶解液溶解(A)層之後，最後進行水洗或利用乙醇進行漂洗，並施以乾燥處理，來獲得薄型晶圓。
[實施例]
以下，示出實施例與比較例，來進一步詳細說明本發明，然而本發明並不限定於下述實施例。
[有機聚矽氧烷的合成]
(合成例1)
向安裝有攪拌裝置、冷卻裝置及溫度計之1L的燒瓶中， 裝入水234g(13莫耳)、甲苯35g，利用油浴加熱至80℃。向滴液漏斗中，裝入降冰片三氯矽烷(norbornyl trichloro silane)183.6g(0.8莫耳)、二甲基二氯矽烷12.9g(0.1莫耳)、三甲基氯矽烷10.9g(0.1莫耳)，在燒瓶內一邊攪拌一邊進行1小時的滴液，滴液結束後，進而以80℃進行1小時的攪拌熟化。冷卻至室溫並靜置，將分離之水相移除，繼續混合10%硫酸鈉水溶液並攪拌10分鐘後，靜置30分鐘，反復進行將分離之水相移除之水清洗操作，直至甲苯相變為中性後，停止反應。安裝酯接液管(ester adapter)，加熱回流包含有機聚矽氧烷之甲苯相，自甲苯相中移除水，內部溫度到達110℃，進一步持續1小時，然後冷卻至室溫。過濾所獲得之有機聚矽氧烷溶液，移除不溶物，繼續藉由減壓蒸餾來移除甲苯，而獲得固體的有機聚矽氧烷(樹脂1)134g。
所獲得之有機聚矽氧烷(樹脂1)，包含T單元80莫耳%、D單元10莫耳%與M單元10莫耳%，末端為每100g有機聚矽氧烷(樹脂1)含有矽烷醇基0.1莫耳，外觀為無色透明固體，重量平均分子量為7,100。全部有機基和氫原子中的降冰片基含有量為61%。又，由R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的80%為降冰片基。將該有機聚矽氧烷(樹脂1)按照固體成分濃度20%溶解於異十二烷溶液，用0.2μm的膜濾器(membrane filter)過濾，而獲得樹脂溶液(A-1)。又，相同地，以固體成分濃度10%溶解，用0.2μm的膜濾器過濾，而獲得樹脂溶液(A’-1)。
(合成例2)
與合成例1相同地，向1L燒瓶中，裝入水234g(13莫耳)、甲苯35g，利用油浴加熱至80℃。向滴液漏斗中，裝入降冰片三氯矽烷206.6g(0.9莫耳)、甲基乙烯基二氯矽烷7.1g(0.05莫耳)、三甲基氯矽烷5.4g(0.05莫耳)，除此以外，與合成例1相同地製備，而獲得固體的有機聚矽氧烷(樹脂2)140g。
所獲得之有機聚矽氧烷，包含T單元90莫耳%、D單元5莫耳%與M單元5莫耳%，末端為每100g有機聚矽氧烷含有矽烷醇基0.1莫耳、乙烯基0.034莫耳。外觀為無色透明固體，重量平均分子量為5,900。全部有機基和氫原子中的降冰片基含有量為78莫耳%，乙烯基為4.3莫耳%。又，由R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的90%為降冰片基。
(合成例3)
作為含烯基有機聚矽氧烷(A1)，將合成例2中獲得之100g固態的有機聚矽氧烷(樹脂2)溶解於100g甲苯中，製備固體成分濃度50%的溶液。向該溶液中，使鉑原子相對於樹脂為20ppm地，添加鉑催化劑，於加溫至60℃之狀態下，作為含氫矽烷基化合物(A2)，滴入由下述式(9)所示的化合物(SiH當量為1473g/mol)27.5g時，觀測反應所引起的發熱。該量按照H/Vi比(SiH基相對於總烯基之比率)相當於0.55。以100℃進行2小時反應，結束反應。然後，藉由減壓餾出來濃縮，餾出甲苯，將反應生成物進行固化，然後用異十二烷再溶解，並以0.2μm的膜濾器過濾，而獲得固體成分濃度20%的樹脂溶液(A-2)。又，相同地，以固體成分濃度10%溶解，並以0.2 μm的膜濾器過濾，而獲得樹脂溶液(A’-2)。又，利用1.0μm的膜濾器，過濾固體成分濃度65%的異十二烷溶液，而獲得樹脂溶液(A-3)。又，利用GPC，測定該樹脂的重量平均分子量Mw為30,000
(式中，Me表示甲基)。
(合成例4)
向具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及回流冷卻器之燒瓶內，裝入9,9’-雙(3-烯丙基-4-羥苯基)芴(M-1)43.1g、由平均結構式(M-3)所示的有機氫矽氧烷29.5g、甲苯135g、氯鉑酸0.04g，升溫至80℃。然後，經過1小時將17.5g的1,4-二(二甲基矽烷基)苯(M-5)滴入至燒瓶內。此時，燒瓶內部溫度上升至85℃。滴入結束後，進而以80℃熟化2小時，然後餾出甲苯，並添加環己酮43g，而獲得以樹脂固體成分濃度65質量%的環己酮為溶劑之樹脂溶液。利用GPC測定該溶液的樹脂部分的分子量，以聚苯乙烯換算，重量平均分子量為45,000。進而，向50g該樹脂溶液中，添加六羥甲基三聚氰胺((股)三和化工(Sanwa Chemical Co.,Ltd.)製造，NIKALAC MW-390)5g、雙(三級丁基磺醯基)重氮甲烷(和光純藥工業(股)(Wako Pure Chemical Industries,Ltd.)製造，BSDM)0.2g，並以1.0μm的膜濾器過濾，而獲得樹脂溶液(B-1)。
(合成例5)
向具備攪拌機、溫度計、氮取代裝置及回流冷卻器之5L燒瓶內，將化合物(M-1)396.9g、化合物(M-2)45.0g溶解於甲苯1,875g，然後加入化合物(M-3)949.6g、化合物(M-4)6.1g，並加溫至60℃。然後，投入碳載鉑催化劑(5質量%)2.2g，確認內部反應溫度升溫至65~67℃後，進而，經3小時加溫至90℃後，再次冷卻至60℃，並投入碳載鉑催化劑(5質量%)2.2g，經過1小時將107.3g化合物(M-5)滴入至燒瓶內。此時燒瓶內部溫度上升至78℃。滴入結束後，進而，以90℃進行3小時熟化，繼而冷卻至室溫後，加入甲基異丁基甲酮(MIBK)1,700g，利用過濾器，對本反應溶液加壓過濾，移除鉑催化劑。進而，向所獲得之高分子化合物溶液中加入純水760g並攪拌，進行靜置分液，移除下層的水層。重複6次該水洗分液操作，移除高分子化合物溶液中的微量酸成分。減壓餾出該樹脂溶液中的溶劑，並添加環戊酮767g，而獲得以固體成分濃度60質量%的環戊酮為溶劑之樹脂溶液。利用GPC測定該樹脂溶液中的樹脂的分子量，以聚苯乙烯換算，重量平均分子量為62,000，式(6)中的(i+j)/(g+h+i+j)為0.10。進而，向該樹脂溶液100g中，添加甲酚酚醛清漆(cresol novolac)的環氧體(日本化藥(股)製造，EOCN1020-55)16g、四氫鄰苯二甲酸酐(新日本理化(股)(New Japan Chemical Co.,Ltd.)製造，RIKACID HH-A)0.2g，並以1.0μm的膜濾器過濾，而獲得樹脂溶液(B-2)。
(實施例1至3及比較例1、2)
將整個表面上形成有高度為50μm、直徑為60μm的銅柱之200mm矽晶圓(厚度：725μm)，利用旋塗，以表1所示的(A-1)及(A-2)的膜厚，於晶圓凸塊形成面上成膜。此時，塗佈樹脂後，在加熱板(hot plate)上以150℃進行2分鐘加熱處理。另一方面，將直徑為200mm(厚度：700μm)的玻璃板作為支持體，於該支持體上，(B-1)、(B-2)是藉由旋塗，以表1之膜厚的薄膜成型。此時，塗佈樹脂後，在加熱板上以120℃進行2分鐘加熱處理。分別在真空貼合裝置內，使樹脂面合在一起地，將該兩者或一者上具有樹脂層之矽晶圓及玻璃板接合，而製造積層體基板(壓接條件)。200mm的晶圓接合，係使用EVG公司的晶圓接合裝置EVG520IS來進行。在接合溫度為表1所述之值、接合時的腔室內壓力為10-3mbar以下、負荷為5kN下來實施。
其後，進行下述試驗。結果示於表1。
[黏著性試驗]
接合後，暫且使用烘箱，以180℃加熱基板1小時，實施第二暫時黏著層(B)的硬化，然後目測確認冷卻至室溫後的界面的黏著狀況，當界面上未發生氣泡等異常時，評價為良好，以「○」表示；當發生異常時，評價為不良，以「×」表示。
[背面磨削耐受性試驗]
以磨床(DISCO製造，DAG810)，使用金剛石磨石，對矽晶圓的背面進行磨削。最終將基板厚度磨至50μm後，利用光學顯微鏡(100倍)，檢查有無裂痕、剝離等異常。當未發生異常時，評價為良好，以「○」表示；當發生異常時，評價為不良，以「×」表示。
[耐熱性試驗]
將已對矽晶圓進行背面磨削後的積層體，放入氮環境下250℃的烘箱內2小時，然後在加熱板上以270℃加熱10分鐘，然後檢查有無外觀異常。當未發生外觀異常時，評價為良好，以「○」表示；當發生異常時，評價為不良，以「×」表示。
[剝離性試驗]
基板的剝離性，使用切割框架將切割膠帶黏貼於薄型化至50μm之晶圓側，藉由真空吸附將該切割膠帶面，裝配於吸附版上。然後，在室溫下，用鑷子上抬玻璃的1點，而剝離玻璃基板。當玻璃支持體及50μm的晶圓不破碎即可剝離時，以「○」表示；當發生破損等異常時，評價為不良，以「×」表示。
[清洗移除性試驗]
將隔著上述剝離性試驗結束後的切割膠帶地安裝於切割框架上之200mm晶圓(暴露於耐熱性試驗條件之晶圓)，使黏著層在上地裝配於旋塗機上，並將異十二烷作為沖洗溶劑進行3分鐘噴霧，然後使晶圓旋轉，並藉由噴霧異丙基乙醇(IPA)來進行漂洗。然後，觀察外觀，目測檢查有無殘留之黏著材料樹脂。將未觀察到樹脂之殘留者，評價為良好，以「○」表示；將觀察到樹脂之殘留者，評價為不良，以「×」表示。
在如比較例1所述，不存在(B)層之情況下，貼合時，需要可能會破壞晶圓的260℃的高溫，除此以外，(A)層與玻璃支持體及晶圓之間的密接力，在強力剝除時，會導致玻璃支持體破損。又，在如比較例(2)所述，不存在(A)層之情況下， 要剝除之自體無法脫落，而晶圓會自真空吸附台脫落。另一方面，在實施例1至3中，可用不會破壞晶圓的較低的溫度來貼合，且亦可自(A)層與(B)層的界面乾淨地剝離。
(實施例4至實施例6及比較例3、4)
將整個表面上形成有高度為50μm、直徑為60μm的銅柱之200mm矽晶圓(厚度：725μm)，利用旋塗，以表2所示的(A-1)及(A-2)的膜厚，於晶圓凸塊形成面上成膜。此時，塗佈樹脂，然後在加熱板上以150℃進行2分鐘加熱處理。另一方面，將直徑200mm(厚度：700μm)的玻璃板作為支持體，首先利用旋塗向該支持體上塗佈(A’-1)及(A’-2)層，進而，利用旋塗在該(A’-1)及(A’-2)層上，形成(B-1)、(B-2)，藉由該方法，來形成聚有機矽氧烷層(A’)層與熱硬化性改質矽氧烷層(B)層這2層。此時，塗佈(A’-1)及(A’-2)層後，在加熱板上以150℃加熱處理2分鐘，塗佈(B-1)及(B-2)層後，在加熱板上以120℃加熱處理2分鐘。分別在真空貼合裝置內，以表2所示的條件，使樹脂面合在一起地，將該具有樹脂層之矽晶圓及玻璃板貼合，而製造積層體(壓接條件)。其後，進行下述試驗。結果示於表2。
[黏著性試驗]
200mm的晶圓接合，係使用EVG公司的晶圓接合裝置EVG520IS來進行。在黏著(接合)溫度為表2所述之值、接合時的腔室內壓力為10-3mbar以下、負荷為5kN下實施。接合後，暫且使用烘箱以180℃加熱基板1小時，實施(B)層的硬化，然後目測確認冷卻至室溫後之界面的黏著狀況，當界 面上未發生氣泡等異常時，評價為良好，以「○」表示；當發生異常時，評價為不良，以「×」表示。
[背面磨削耐受性試驗]
以磨床(DISCO製造，DAG810)，使用金剛石磨石，對矽晶圓的背面進行磨削。最終將基板厚度磨至50μm，然後利用光學顯微鏡(100倍)檢查有無裂痕、剝離等異常。當未發生異常時，評價為良好，以「○」表示；當發生異常時，評價為不良，以「×」表示。
[耐熱性試驗]
將已對矽晶圓進行背面磨削後之積層體，放入氮環境下250℃的烘箱內2小時，然後在加熱板上以270℃加熱10分鐘後，檢查有無外觀異常。當未發生外觀異常時，評價為良好，以「○」表示；當發生異常時，評價為不良，以「×」表示。
[剝離性試驗]
基板的剝離性，使用切割框架將切割膠帶黏貼於薄型化至50μm之晶圓側，藉由真空吸附將該切割膠帶面，裝配於吸附版上。然後，在室溫下，用鑷子上抬玻璃的1點，而剝離玻璃基板。當支持體及50μm的晶圓不破裂即可剝離時，以「○」表示；當發生破損等異常時，評價為不良，以「×」表示。
[清洗移除性試驗]
將隔著上述剝離性試驗結束後的切割膠帶而安裝於切割框架之200mm晶圓(暴露於耐熱性試驗條件之晶圓)，使黏著層在上地裝配於旋塗機上，並在晶圓上殘留已硬化之(B)層時 將其移除，然後將異十二烷作為清洗溶劑進行3分鐘噴霧，然後使晶圓旋轉，並噴霧異丙基乙醇(IPA)來漂洗。然後，觀察外觀，目測檢查有無殘留之黏著材料樹脂。將未觀察到樹脂之殘留者，評價為良好，以「○」表示；將無法移除殘留之(B)層、或觀察到樹脂之殘留者，評價為不良，以「×」表示。
在如比較例3所述，不存在(B)層之情況下，貼合時，需要可能會破壞晶圓的260℃的高溫，除此以外，(A)層與玻璃支持體及晶圓之間的密接力，在強力剝除時，會導致玻璃支持體破損。又，在如比較例4所述，不存在(A)層之情況下， 雖然可在(B)層與(A’)層之間剝離，但(B)層會殘留於晶圓側，無法將其移除。另一方面，在實施例4至實施例6中，可用不會破壞晶圓之較低溫度進行貼合，且亦可自(A)層與(B)層的界面、或自(A’)層與(B)層的界面乾淨地剝離。
再者，本發明並非限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，具有與本發明的申請專利範圍中所述的技術思想實質上相同的構成，並發揮同樣作用效果，所有內容均包含在本發明的技術範圍內。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧支持體
3‧‧‧暫時黏著材料層
10‧‧‧晶圓加工體
(A)‧‧‧含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(第一暫時黏著層)
(B)‧‧‧熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(第二暫時黏著層)

Claims (41)

  1. 一種晶圓加工體，是於支持體上形成有暫時黏著材料層，並在該暫時黏著材料層上，積層有表面具有電路面且背面應加工之晶圓而構成，且該電路面具有電路，而且該晶圓加工體是用於磨削或研磨前述背面來將前述晶圓薄型化；並且，前述暫時黏著材料層，具備：第一暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；及，第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述支持體上之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成。
  2. 一種晶圓加工體，其特徵在於：是於支持體上形成有暫時黏著材料層，並在該暫時黏著材料層上，積層有表面具有電路面且背面應加工之晶圓而構成；並且，前述暫時黏著材料層為具有以下3層結構之複合暫時黏著層：第一暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第三暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述支持體上之與前述第一暫時黏著層同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)所構成。
  3. 如請求項1所述之晶圓加工體，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)，為包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層：(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R6R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
  4. 如請求項2所述之晶圓加工體，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)，為包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層： (I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
  5. 如請求項1所述之晶圓加工體，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)為有機聚矽氧烷層，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~ R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1) (式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
  6. 如請求項2所述之晶圓加工體，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)為有機聚矽氧烷層，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R2R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)(式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
  7. 如請求項1所述之晶圓加工體，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)為有機聚矽氧烷層，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%為氫原子；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、 (Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，1分子中含有至少2個烯基，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
  8. 如請求項2所述之晶圓加工體，其中，前述含非芳香族飽 和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)為有機聚矽氧烷層，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%為氫原子；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基) 該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，1分子中含有至少2個烯基，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
  9. 如請求項5所述之晶圓加工體，其中，前述含氫矽烷基化合物(A2)，為由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基化合物， (式中，n為0~400之正數，R12~R14為相同或不同的取代或未取代之1價有機基) (式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基，W為2價有機基)。
  10. 如請求項6所述之晶圓加工體，其中，前述含氫矽烷基化合物(A2)，為由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基化合物， (式中，n為0~400之正數，R12~R14為相同或不同的取代或未取代之1價有機基) (式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基，W為2價有機基)。
  11. 如請求項1至請求項10中的任一項所述之晶圓加工體，其中，前述熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)為組成物的硬化物層，該組成物相對於由具有由下述通式(5)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基(silphenylene)之高分子化合物、或具有由下述通式(6)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基矽酮高分子化合物所組成之熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，含有0.1~50質量份的選自下述中的任意1種以上：以福爾馬林或福爾馬林-酒精作為交聯劑經改質之胺基縮合物、 三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物， [式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(7)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)] [式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，g、h、i、j為0或正數，其中，i及j不會同時為0，並且，0<(i+j)/(g+h+i+j)≦1.0；進而，X為由下述通式(7)所示的2價有機基，Y為由下述通式(8)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者) (式中，V為-CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R24、R25分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；q為0、1、2中的任一者)]。
  12. 一種薄型晶圓的製造方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟(a)，其對請求項1至請求項10中的任一項所述之晶圓加工體，磨削或研磨前述晶圓的電路非形成面；步驟(b)，其對前述晶圓的電路非形成面實施加工；及，步驟(c)，其將前述已實施加工之晶圓自前述支持體剝離。
  13. 一種薄型晶圓的製造方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟(a)，其對請求項11所述之晶圓加工體，磨削或研磨前述晶圓的電路非形成面；步驟(b)，其對前述晶圓的電路非形成面進行施工；及，步驟(c)，其將前述已實施加工之晶圓自前述支持體剝離。
  14. 如請求項12所述之薄型晶圓的製造方法，其中，前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離，是藉由以下來進行：於已實施加工之晶圓的加工面上黏著切割膠帶，將該切割膠帶面真空吸附於吸附面上，並於前述吸附面的溫度為10℃~100℃的溫度範圍內，藉由將前述支持體自前述已實施加工之晶圓剝除而剝離。
  15. 如請求項13所述之薄型晶圓的製造方法，其中，前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離，是藉由以下來進行：於已實施加工之晶圓的加工面上黏著切割膠帶，將該切割膠帶面真空吸附於吸附面上，並於前述吸附面的溫度為10℃~100℃的溫度範圍內，藉由將前述支持體自前述已實施加工之晶圓剝除而剝離。
  16. 如請求項12所述之薄型晶圓的製造方法，其中，於前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離後，進行步驟(d)，該步驟(d)是移除殘留於前述已剝離之晶圓的電路形成面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)。
  17. 如請求項13所述之薄型晶圓的製造方法，其中，於前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離後，進行步驟(d)，該步驟(d)是移除殘留於前述已剝離之晶圓的電路形成面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)。
  18. 如請求項14所述之薄型晶圓的製造方法，其中，於前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離後，進行步驟(d)， 該步驟(d)是移除殘留於前述已剝離之晶圓的電路形成面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)。
  19. 如請求項15所述之薄型晶圓的製造方法，其中，於前述步驟(c)將已實施加工之晶圓自前述支持體剝離後，進行步驟(d)，該步驟(d)是移除殘留於前述已剝離之晶圓的電路形成面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)。
  20. 一種晶圓加工用構件，是由支持體及形成於該支持體上之暫時黏著材料層所構成，並且在該暫時黏著材料層上要被暫時黏著表面具有電路面且背面應加工之晶圓，且該電路面具有電路，而且該晶圓加工用構件是用於磨削或研磨前述背面來將前述晶圓薄型化；並且，前述暫時黏著材料層，具備：第二暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述支持體上之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第一暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成。
  21. 一種晶圓加工用構件，其特徵在於：是由支持體及形成於該支持體上之暫時黏著材料層所構成，並且在該暫時黏著材料層上要被暫時黏著表面具有電路面且背面應加工之晶圓； 並且，前述暫時黏著材料層，具備：第三暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述支持體上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)所構成；第二暫時黏著層，其積層於該第三暫時黏著層上，由熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第一暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可於前述晶圓的表面上剝離和黏著之與前述第三暫時黏著層同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成。
  22. 如請求項20所述之晶圓加工用構件，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)，為包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層：(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
  23. 如請求項21所述之晶圓加工用構件，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)，為包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層：(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
  24. 如請求項20所述之晶圓加工用構件，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)為有機聚矽氧烷層，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基) 該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)(式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
  25. 如請求項21所述之晶圓加工用構件，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)為有機聚矽氧烷層，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20 的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)(式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
  26. 如請求項20所述之晶圓加工用構件，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)為有機聚矽氧烷層，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%為氫原子； (I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，1分子中含有至少2個烯基，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
  27. 如請求項21所述之晶圓加工用構件，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)為有機聚矽氧烷層，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%為氫原子；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO212所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，1分子中含有至少2個烯基，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
  28. 如請求項24所述之晶圓加工用構件，其中，前述含氫矽烷基化合物(A2)，為由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基化合物， (式中，n為0~400之正數，R12~R14為相同或不同的取代或未取代之1價有機基) (式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基，W為2價有機基)。
  29. 如請求項25所述之晶圓加工用構件，其中，前述含氫矽烷基化合物(A2)，為由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基化合物， (式中，n為0~400之正數，R12~R14為相同或不同的取代或未取代之1價有機基) (式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基，W為2價有機基)。
  30. 如請求項20至請求項29中的任一項所述之晶圓加工用構件，其中，前述聚合物層(B)為組成物的硬化物層，該組成物相對於由具有由下述通式(5)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基之高分子化合物、或具有由下述通式(6)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基矽酮高分子化合物所組成之熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，含有0.1~50質量份的選自下 述中的任意1種以上：以福爾馬林或福爾馬林-酒精作為交聯劑經改質之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物， [式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(7)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)] [式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，g、h、i、j為0或正數，其中，i及j不會同時為0，且，0<(i+j)/(g+h+i+j)≦1.0；進而，X為由下述通式(7)所示的2價有機基，Y為由下述通式(8)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者) (式中，V為-CH2-, 選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R24、R25分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；q為0、1、2中的任一者)]。
  31. 一種晶圓加工用暫時黏著材料，其用於將表面具有電路面且背面應加工之晶圓暫時黏著於支持體上，且該電路面具有電路，而且該晶圓加工用暫時黏著材料是用於磨削或研磨前述背面來將前述晶圓薄型化，並且具有：第一暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；及，第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述支持體上之熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成。
  32. 一種晶圓加工用暫時黏著材料，其用於將表面具有電路面且背面應加工之晶圓暫時黏著於支持體上，並且具備：第一暫時黏著層，其由可剝離地黏著於前述晶圓的表面上之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)所構成；第二暫時黏著層，其積層於該第一暫時黏著層上，由熱硬化性改質矽氧烷聚合物層(B)所構成；及，第三暫時黏著層，其積層於該第二暫時黏著層上，由可剝離地黏著於前述支持體上之與前述第一暫時黏著層同樣的含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A’)所構成。
  33. 如請求項31所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前 述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)，為包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層：(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R2R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
  34. 如請求項32所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)，為包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層： (I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)。
  35. 如請求項31所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)為有機聚矽氧烷層，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~ R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1) (式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
  36. 如請求項32所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)為有機聚矽氧烷層，其使含烯基有機聚矽氧烷(A1)與含氫矽烷基化合物(A2)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含烯基有機聚矽氧烷(A1)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~30莫耳%，為碳數2~7的烯基；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含氫矽烷基化合物(A2)，是由下述平均化學式(1)所示，1分子中含有至少2個SiH基，並且，總SiH基的量相對於前述含烯基有機聚矽氧烷(A1)的總烯基，為0.4~1.0倍，R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)(式中，R7為除烯基以外的1價有機基，R8為2價有機基，a、b、及c為滿足0<a≦2.5、0≦b≦1、0.75≦a+b≦2.5、0.005≦c≦1且0.8≦a+b+c≦4之正數)。
  37. 如請求項31所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)為有機聚矽氧烷層，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%為氫原子；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、 (Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基)該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，1分子中含有至少2個烯基，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
  38. 如請求項32所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前 述含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷層(A)及(A’)為有機聚矽氧烷層，其使含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)與含烯基化合物(A4)，在鉑族金屬系催化劑之存在下，矽氫化反應而獲得；該含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)，其在包含由下述(I)~(Ⅲ)所示的單元之含非芳香族飽和烴基有機聚矽氧烷中，由R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的2~20莫耳%為氫原子；(I)以R1SiO3/2所表示的矽氧烷單元(T單元)：40~99莫耳%、(Ⅱ)以R2R3SiO2/2所表示的矽氧烷單元(D單元)：59莫耳%以下、(Ⅲ)以R4R5R6SiO1/2所表示的矽氧烷單元(M單元)：1~30莫耳%，(前述R1~R6為一價有機基或氫原子，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中的50莫耳%以上，為碳數3~20的非芳香族飽和烴基，並且，由前述R1~R3所示的全部有機基和氫原子中的40莫耳%以上，為相同或不同的包含碳數5~7的下述環狀結構之非芳香族飽和烴基， 進而，由前述R1~R6所示的全部有機基和氫原子中，除了非芳香族飽和烴基以外，為相同或不同的氫原子或碳數1~7的取代或未取代之1價烴基) 該含烯基化合物(A4)，是由下述平均化學式(2)所示，1分子中含有至少2個烯基，並且，總烯基的量相對於前述含氫矽烷基有機聚矽氧烷(A3)的總SiH基，為1.0~2.5倍，R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)(其中，式中R9為除烯基以外的1價有機基，R10為2價有機基，R11為碳數2~6的烯基，d、e、f為滿足0<d≦2、0≦e≦1、0.75≦d+e≦3、0.01≦f≦1且0.8≦d+e+f≦4之正數)。
  39. 如請求項35所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述含氫矽烷基化合物(A2)，為由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基化合物， (式中，n為0~400之正數，R12~R14為相同或不同的取代或未取代之1價有機基) (式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基，W為2價有機基)。
  40. 如請求項36所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述含氫矽烷基化合物(A2)，為由下述結構式(3)所示的在兩末端含有SiH基之有機氫聚矽氧烷、或由下述結構式(4)所示的在兩末端含有SiH基之雙矽烷基化合物， (式中，n為0~400之正數，R12~R14為相同或不同的取代或未取代之1價有機基) (式中，R15~R17為相同或不同的取代或未取代之1價有機基，W為2價有機基)。
  41. 如請求項31至請求項40中的任一項所述之晶圓加工用暫時黏著材料，其中，前述聚合物層(B)為組成物的硬化物層，該組成物相對於由具有由下述通式(5)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含矽伸苯基之高分子化合物、或具有由下述通式(6)所示的重複單元且重量平均分子量為3,000~500,000的含環氧基矽酮高分子化合物所組成之熱硬化性改質矽氧烷聚合物100質量份，含有0.1~50質量份的選自下述中的任意1種以上：以福爾馬林或福爾馬林-酒精作為交聯劑經改質之胺基縮合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、1 分子中平均具有2個以上羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、及1分子中平均具有2個以上環氧基之環氧化合物， [式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，A為正數，B為0或正數；X為由下述通式(7)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者)] [式中，R18~R21表示相同或不同的碳原子數1~8的1價烴基；又，m為1~100之整數，g、h、i、j為0或正數， 其中，i及j不會同時為0，且，0<(i+j)/(g+h+i+j)≦1.0；進而，X為由下述通式(7)所示的2價有機基，Y為由下述通式(8)所示的2價有機基， (式中，Z為-CH2-,選自上述任一者之2價有機基，n為0或1；又，R22、R23分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；k為0、1、2中的任一者) (式中，V為-CH2-，選自上述任一者之2價有機基，p為0或1；又，R24、R25分別為碳原子數1~4的烷基或烷氧基，彼此可相同或不同；q為0、1、2中的任一者)]。
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