KR20130098926A - 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체에 있어서, 상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공체이다.
이에 따라, 웨이퍼와 지지체의 가접착이 용이하고, 또한, TSV 형성, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높을 뿐 아니라, 박리도 용이하여, 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조 방법이 제공된다.

Description

웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법{WAFER PROCESSING LAMINATE, WAFER PROCESSING MEMBER, TEMPORARY BONDING ARRANGEMENT, AND THIN WAFER MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 박형 웨이퍼를 효과적으로 얻을 수 있도록 하는 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가(假)접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것이다.
3차원의 반도체 실장은, 한층 더 고밀도, 대용량화, 고속화, 저소비 전력화를 실현하기 위해 필수적인 것이 되고 있다. 3차원 반도체 실장 기술이란, 1개의 반도체 칩을 박형화하고, 다시 이것을 실리콘 관통 전극(TSV; through silicon via)에 의해 결선(結線)하면서 다층으로 적층시켜 가는 반도체 제작 기술이다. 이를 실현하기 위해서는, 반도체 회로를 형성한 기판을 비회로 형성면(「이면(裏面)」이라고 함) 연삭에 의해 박형화하고, 다시 이면에 TSV를 포함하는 전극 형성을 행하는 공정이 필요하다.
종래, 실리콘 기판의 이면 연삭 공정에서는, 연삭면의 반대측에 보호 테이프를 붙여, 연삭시의 웨이퍼 파손을 막고 있다. 그러나, 이 테이프는 유기 수지 필름을 기재로 이용하고 있으므로, 유연성이 있는 반면, 강도나 내열성이 불충분하여, TSV 형성 공정이나 이면에서의 배선층 형성 공정을 행하기에는 적합하지 않다.
이에, 반도체 기판을 실리콘, 유리 등의 지지체에 접착층을 개재하여 접합함으로써, 이면 연삭, TSV 및 이면 전극 형성의 공정에 충분히 견딜 수 있는 시스템이 제안되어 있다. 이때 중요한 것이, 기판을 지지체에 접합할 때의 접착층이다. 이것은 기판을 지지체에 간극없이 접합할 수 있어야 하고, 후 공정에 견딜 수 있을 만한 충분한 내구성이 필요하고, 또한 마지막에 박형 웨이퍼를 지지체로부터 간편하게 박리할 수 있는 것이 필요하다. 이처럼, 마지막에 박리한다는 점에서, 본 명세서에서는, 이 접착층을 가접착재층이라 부르기로 한다.
지금까지 공지의 가접착재층과 그 박리 방법으로는, 광흡수성 물질을 포함하는 접착재에 고강도의 빛을 조사하여, 접착재층을 분해함으로써 지지체로부터 접착재층을 박리하는 기술(특허문헌 1), 및, 열용융성 탄화수소계 화합물을 접착재에 이용하여, 가열용융 상태로 접합·박리를 행하는 기술(특허문헌 2)이 제안되어 있다. 전자(前者)의 기술은 레이저 등의 고가의 장치가 필요하고, 또한, 지지체에 레이저광을 투과하는 유리 기판과 같은 특정 기판을 사용할 필요도 있었으며, 또한 기판 1매당 처리 시간이 길어지는 등의 문제가 있었다. 또한 후자(後者)의 기술은 가열만으로 제어하기 때문에 간편한 반면, 200℃을 넘는 고온에서의 열안정성이 불충분하기 때문에, 적용 범위가 좁았다. 더욱이, 이들 가접착재층은, 고단차 기판의 균일한 막두께 형성과, 지지체에 완전 접착하기에도 적합하지 않았다.
또한, 실리콘 점착제를 가접착재층에 이용하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 3). 이는 기판을 지지체에 부가경화형 실리콘 점착제를 이용하여 접합하고, 박리시에는 실리콘 수지를 용해, 혹은 분해하는 약제에 침지하여 기판을 지지체로부터 분리하는 것이다. 그 때문에 박리에 매우 장시간을 요하므로, 실제의 제조 프로세스로 적용하기에는 곤란하다.
일본특허공개 2004-64040호 공보 일본특허공개 2006-328104호 공보 미국특허 제7541264호 공보
상기와 같은 문제를 해결하는 수법으로서, 가접착재층으로서 열경화성 수지층과 열가소성 수지층을 적층하는 방법 및 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산의 고중합체를 단층으로 이용하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 전자는 열가소성 수지의 상온에서의 탄성률이 낮고 유동성을 가지기 때문에, 적층체 기판의 구성에 따라서는 프로세스 중에 수지 변형이나 장치 오염을 일으킬 가능성이 있었고, 후자는 박리 방법으로서 가열에 의한 수평 슬라이드 방식에는 호적하게 이용되지만, 적층체 기판의 한쪽 면을 수평 고정하여 다른 쪽을 수평 방향으로부터 일정한 각도를 주어 들어올리는 방식에 대해서는, 지지체나 웨이퍼의 밀착성이 강하고 딱딱하기 때문에 벗기기 어려워, 실제 제조 프로세스에 적용시키기는 어렵다는 문제점이 있었다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼와 지지체의 가접착이 용이하고, 또한, TSV 형성 공정, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높을 뿐 아니라, 박리도 용이하여, 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼와 지지체의 가접착이 용이하고, 또한, TSV 형성 공정, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높을 뿐 아니라, 박리도 용이하며, 지지체를 세정 후 재이용할 수 있어, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있는 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 이것을 사용하는 박형 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며 이면을 가공해야 하는, 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체에 있어서,
상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공체를 제공한다.
또한 본 발명에서는, 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 가접착되는 웨이퍼 가공용 부재에 있어서,
상기 가접착재층이, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층 상에 적층되어, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착할 수 있는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공용 부재를 제공한다.
또한 본 발명에서는, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면에 접착 및 박리 가능한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 접착 및 박리 가능한 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층을 가지는 웨이퍼 가공용 가접착재를 제공한다.
이러한, 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재를 이용하면, 웨이퍼와 지지체의 가접착이 용이하고, 또한, 고단차 기판의 균일한 막두께로의 형성도 가능하며, TSV 형성, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높을 뿐 아니라, 박리도 용이하여, 생산성을 높일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체에 있어서, 상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층, 및 상기 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된, 상기 제1 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A’)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 가지는 복합 가접착층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체를 제공한다.
또한 본 발명에서는, 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며 이면을 가공해야 하는, 웨이퍼가 가접착되는 웨이퍼 가공용 부재에 있어서, 상기 가접착재층이, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A’)으로 이루어진 제3 가접착층과, 상기 제3 가접착층 상에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층 상에 적층되어, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 및 접착 가능한, 상기 제3 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재를 제공한다.
또한 본 발명에서는, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면에 접착 및 박리 가능한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 접착 및 박리 가능한, 상기 제1 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A’)으로 이루어진 제3 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공용 가접착재를 제공한다.
이러한, 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재를 이용하면, 웨이퍼와 지지체의 가접착이 용이하고, 또한, 고단차 기판에서도 균일한 막두께의 가접착층의 형성이 가능하고, TSV 형성 공정, 웨이퍼 이면 배선 공정에 대한 공정 적합성이 높을 뿐 아니라, 박리도 용이하며, 지지체를 세정 후 재이용할 수 있어, 박형 웨이퍼의 생산성을 높일 수 있다.
또한 이 경우, 상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것이 바람직하다.
(I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
(II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
(III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
(상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
Figure pat00001

또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
이처럼, 상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 상기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산으로부터 형성되는 층이면, 접착성, 내열성이 우수하다. 또한, 비극성 유기용제에는 가용(可溶)이기 때문에, 지지체로부터 박리된 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 용이하게 제거할 수 있다. 한편, 접합기판(웨이퍼 가공체)의 반도체(웨이퍼)측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용(難溶)의 층이 되므로 바람직하다.
또한 이 경우, 상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
(I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
(II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
(III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
(상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
Figure pat00002

또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
하기 평균 조성식(1)
R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
(식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
으로 표시되며, 1분자 중에 적어도 2개의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것이 바람직하다.
이러한, 고분자량화한 오르가노폴리실록산의 층이면, 비극성 유기용제에는 가용인 한편, 접합기판(웨이퍼 가공체)의 반도체(웨이퍼)측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용인데다가, 접착성, 내열성이 한층 우수한 오르가노폴리실록산층이 되므로 바람직하다.
또한 이 경우, 상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
(I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
(II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
(III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
(상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
Figure pat00003

또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과 하기 평균 조성식(2)
R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
(단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
으로 표시되며, 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것이 바람직하다.
이러한, 고분자량화한 오르가노폴리실록산의 층이면, 비극성 유기용제에는 가용인 한편, 접합기판(웨이퍼 가공체)의 반도체(웨이퍼)측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용인데다가, 접착성, 내열성이 한층 우수한 오르가노폴리실록산층이 되므로 바람직하다.
또한 이 경우, 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pat00004
(식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
Figure pat00005
(식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
이러한, 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이면, 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 알케닐기와의 하이드로실릴화 반응이 진행되기 쉽고, 또한 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과 상용성이 좋은 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이 되므로 하이드로실릴화 반응의 관점에서 볼 때 바람직하다.
또한 이 경우, 상기 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)이, 하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌(silphenylene) 함유 고분자 화합물, 또는 하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물로 이루어진 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것이 바람직하다.
Figure pat00006
[식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, A는 정수, B는 0 또는 정수이다. X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
Figure pat00007
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
Figure pat00008
[식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0<(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이다. 또한, X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, Y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
Figure pat00009
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
Figure pat00010
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R24, R25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
이러한 중합체층(B)은, 내열성에 의해 한층 우수한 것이 되어, 또한, 막두께 균일성이 좋은 가접착층이 되므로 바람직하다.
또한, 본 발명에서는,
(a) 상기 웨이퍼 가공체에 대하여, 상기 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정,
(b) 상기 웨이퍼의 회로 비형성면에 가공을 실시하는 공정,
(c) 상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
이러한 박형 웨이퍼의 제조 방법을 이용하면, 본 발명에서의 2층계로 이루어진 가접착재층을, 웨이퍼와 지지체의 접합에 사용함으로써, 관통 전극 구조나, 범프 접속 구조를 가지는 박형 웨이퍼를, 용이하게 제조할 수 있다.
이러한 박형 웨이퍼의 제조 방법을 이용하면, 본 발명에서의 3층계로 이루어지는 가접착재층을, 웨이퍼와 지지체의 접합에 사용함으로써, 관통 전극 구조나 범프 접속 구조를 가지는 박형 웨이퍼를, 용이하게 제조할 수 있다.
또한 이 경우, 상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정은,
가공을 실시한 웨이퍼의 가공면에 다이싱 테이프를 접착하고, 상기 다이싱 테이프면을 흡착면에 진공 흡착하고, 상기 흡착면의 온도가 10℃~100℃인 온도 범위에서, 상기 지지체를 상기 가공을 실시한 웨이퍼로부터 필오프(peel off) 박리함으로써 행하는 것이 바람직하다.
이러한 박리 공정에 의하면, 지지체를 가공을 실시한 웨이퍼로부터 용이하게 박리할 수 있고, 또한, 이후 다이싱 공정을 용이하게 행할 수 있다.
또한 이 경우, 상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정 후에,
(d) 상기 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 제거하는 공정을 행하는 것이 바람직하다.
공정(c)에 의해 지지체로부터 박리된 웨이퍼의 회로 형성면에는, 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중합체층(A)이 일부 잔존해 있는 경우가 있다. 이 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중합체(A)의 제거는, 예를 들면, 비극성 유기용제에 의해 웨이퍼를 세정함으로써 행할 수 있다.
본 발명에서의 가접착재층은, 내열성이 높기 때문에, 폭넓은 반도체 성막 프로세스에 적용할 수 있고, 단차를 가지는 웨이퍼에 대하여도, 막두께 균일성이 높은 접착재층을 형성할 수 있으므로, 이 막두께 균일성으로 인해 용이하게 50㎛ 이하의 균일한 박형 웨이퍼를 얻을 수 있게 되고, 나아가, 박형 웨이퍼 제작 후, 이 웨이퍼를 지지체로부터 실온에서 용이하게 박리할 수 있으므로, 균열되기 쉬운 박형 웨이퍼를 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 웨이퍼 가공체의 일 예를 나타낸 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 웨이퍼 가공체의 일 예를 나타낸 단면도이다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행한 결과,
(A)의 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(제1 가접착층)과,
(B)의 열경화성 변성 실록산 중합체층(제2 가접착층)
의 2층계로 이루어진 가접착재층을, 웨이퍼와 지지체의 접합에 사용함으로써, 이 가접착재층을 사용하여 관통 전극 구조 및 범프 접속 구조를 가지는 박형 웨이퍼를, 간단하게 제조하는 방법을 발견하였다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 가공체(10)는, 가공해야 하는 웨이퍼(1)와, 웨이퍼(1)의 가공시에 웨이퍼(1)를 지지하는 지지체(2)와, 이들 웨이퍼(1)와 지지체(2) 사이에 개재하는 가접착재층(3)을 구비하고, 이 가접착재층(3)이, 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)(제1 가접착층)과 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)(제2 가접착층)으로 이루어지며, 제1 가접착층이 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착되고, 제2 가접착층이 지지체에 박리 가능하게 접착되어 있는 것이다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 가공용 부재는, 상기 지지체(2)와, 그 위에 적층된 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)과, 그 위에 적층된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 가지는 것이며, 본 발명의 웨이퍼 가공용 가접착재는, 상기 층(A), (B)의 적층체로 이루어진 것이다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, (A) 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산으로 이루어진 열가소성 가접착층과, (B) 변성 실록산 중합체를 주성분으로 하는 층으로 이루어진 열경화성 가접착층과, 나아가 상기 (A)와 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산으로 이루어진 열가소성 가접착층(A’)의 3층계로 이루어지는 가접착재층을, 웨이퍼와 지지체의 접합에 사용함으로써, 관통 전극 구조나, 범프 접속 구조를 가지는 박형 웨이퍼를, 간단하게 제조하는 방법을 발견하였다.
본 발명의 웨이퍼 가공체(10’)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 가공해야 하는 웨이퍼(1’)와, 웨이퍼(1’)의 가공시에 웨이퍼(1’)를 지지하는 지지체(2’)와, 이들 웨이퍼(1’)와 지지체(2’) 사이에 개재하는 가접착재층(3’)을 구비하고, 이 가접착재층(3’)이, 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)(제1 가접착층)과, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)(제2 가접착층)과, 나아가 상기 제1 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산으로 이루어진 층(A’)(제3 가접착층)의 3층 구조로 이루어지고, 제1 가접착층이 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼(1’)의 표면에 박리 가능하게 접착되고 제3 가접착층이 지지체(2’)에 박리 가능하게 접착되어 있는 것이다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 가공용 부재는, 상기 지지체(2’)와, 그 위에 적층된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A’)과, 그 위에 적층된 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)과, 그 위에 적층된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 가지는 것이며, 본 발명의 웨이퍼 가공용 가접착재는, 상기 층((A), (B) 및 (A’))의 적층체로 이루어지는 것이다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
<가접착재층>
- 제1 가접착층(A) 및 제3 가접착층(A’)/비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층-제1 가접착층(A) 및 제3 가접착층(A’)에서 사용되는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산은 동일하거나 상이할 수도 있고, 상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산으로서, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.
(I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
(II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
(III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
(상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
Figure pat00011
또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이다. 또한, R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상, 바람직하게는 60몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상, 바람직하게는 50몰% 이상, 보다 바람직하게는 60몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 상기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이다. 뿐만 아니라, R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.
이러한 오르가노폴리실록산은, 유기기를 비방향족 포화 탄화수소기로 함으로써, 접합기판의 반도체측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용인 한편, 비극성 유기용제에는 가용이 된다. 즉, T, D, M 단위의 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상을 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기로 함으로써, 상술한 극성 유기용제에는 난용인 한편, 헥산, 옥탄, 이소도데칸 등의 비극성 탄화수소 용제에는 가용이며, 내열성도 우수한 오르가노폴리실록산이 된다. 또한, 비방향족 포화 탄화수소기, 특히 탄소수 5~7의 상기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기의 함유량을 늘림으로써, 보다 내열성이 우수한 오르가노폴리실록산이 된다.
비방향족 포화 탄화수소기의 구체적인 예로는, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, 옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 노르보르닐기, 노르보르닐에틸기, 아다만틸기를 들 수 있는데, 보다 바람직하게는 n-프로필기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기가 좋다. 특히 높은 내열성을 갖기 위해 환상 탄화수소기(환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기)의 함유량은 중요하다. 비방향족 포화 탄화수소기로서의 환상 탄화수소기 함유량이, R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상인 경우에는, 260℃ 이상의 고온에서의 내구성이 뛰어나, 보다 내열성이 우수한 오르가노폴리실록산이 된다. 이들 환상 탄화수소기로는, 하기 도시한, 1가 및/또는 2가의 시클로펜틸 골격, 시클로헥실 골격, 비시클로[2.2.1] 골격, 비시클로[3.1.1] 골격을 포함하는 구조가 바람직하다.
Figure pat00012

상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산은, (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위)를 40~99몰%, (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위)를 59몰% 이하, (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위)를 1~30몰% 포함한다. 상기 구조의 오르가노폴리실록산은, 원료가 되는 가수분해성 실란의 가수분해, 및 축합반응을 제어하면서 행함으로써 제조할 수 있다. 또한, 상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산으로는 40℃을 넘지 않는 온도에서 고체 형상을 가지는 것이 취급상 바람직하다.
원료로 이용할 수 있는 가수분해성 실란으로는, 메틸트리클로로실란, 페닐트리클로로실란, n-프로필트리클로로실란, 이소프로필트리클로로실란, n-부틸트리클로로실란, 이소부틸트리클로로실란, n-펜틸트리클로로실란, 이소펜틸트리클로로실란, 시클로펜틸트리클로로실란, n-헥실트리클로로실란, 시클로헥실트리클로로실란, n-옥틸트리클로로실란, n-데실트리클로로실란, n-도데실클로로실란, 비시클로[2.2.1]헵틸트리클로로실란(C1), 비시클로[2.2.1]노닐트리클로로실란(C2), 비시클로[3.1.1]데실트리클로로실란(C3, C4), 디메틸디클로로실란, n-프로필메틸디클로로실란, 이소프로필메틸디클로로실란, n-부틸메틸디클로로실란, 이소부틸메틸디클로로실란, n-헥실메틸디클로로실란, 시클로헥실메틸디클로로실란, 디페닐디클로로실란, 및 이들 가수분해성기가 메톡시기, 에톡시기인 것을 들 수 있다.
특히, 환상 구조를 복수개 가지는 하기 (C1)~(C4)은, endo체, exo체의 입체이성체가 존재하지만, 이들은 특별히 구분하지 않고 사용 가능하다.
Figure pat00013

T단위를 40~99몰% 포함함으로써, 본 발명의 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산은 40℃ 이하에서 고체가 되기 쉽고, 또한, 비극성 유기용제에는 가용인 한편, 접합기판의 반도체측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용이 된다. 또한, 본 발명의 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중에는 반응성의 말단기, 즉 실라놀이나 가수분해성 잔기가 잔존하지 않는 것이, 후술하는 열안정성의 관점에서 볼 때 바람직하다. 따라서 말단에 M단위를 도입하는 구조가 바람직하고, M단위의 함유량으로는 1몰% 이상 포함하는 것이 바람직하다.
D단위를 59몰% 이하 포함함으로써, 본 발명의 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산은 40℃ 이하에서 고체가 되기 쉽고, 또한, 가접착재 조성물에 이용한 경우에 웨이퍼와 지지 기판을 충분히 접합할 수 있다. 즉, 유동성이 있는 점조(consistency;粘稠)물질, 혹은 액상물이 될 우려가 없고, 따라서 지지 기판과 반도체 회로를 가지는 웨이퍼와 충분히 접합되어, 이면 연삭, 혹은 그 후의 가공에서 적층 웨이퍼가 어긋나는 등의 문제가 발생할 우려가 없으므로 바람직하다.
M단위를 1~30몰% 포함함으로써, 본 발명의 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산은, 접합기판의 반도체측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용이 되므로, 실라놀이나 가수분해성 잔기 등의 반응성 말단기를 충분히 저감시킨 구조가 된다. 또한, 30몰% 이하인 경우, 말단기가 많아져 상대적으로 분자량이 작아질 우려가 없으므로 바람직하다.
M단위로 봉지되어 있지 않은 분자 말단기, 즉 실라놀기, 또는 알콕시실릴기 등의 가수분해성 잔기가 존재하는 경우, 이들 반응성 말단기의 함유량은 가능한 한 적은 것이 바람직하다. 실라놀기 및 알콕시실릴기의 말단 잔기가 분자 내에 소량 있다면, 열이 가해졌을 때에 축합반응에 의한 가교가 생성되어, 기판의 박리성이 크게 변하는 것을 억제할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 실라놀기의 OH기, 및 알콕시실릴기(Si-OR: R는 원료로서 이용한 알콕시실란의 알콕시기 잔기, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기 등)의 OR기의 총량이, 전체 수지 고형분 중 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 3 질량% 이하인 것이 바람직하다. M단위의 도입에 의해, 이러한 반응성 말단기를 원하는 양까지 줄일 수 있다.
본 발명의 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산의 분자량 분포는 중요하다. 즉, GPC(겔 침투 크로마토그래피)에서, 폴리스티렌 표준물질에 의해 제작한 검량선을 따라 얻어지는 중량평균 분자량의 값으로, 2,000 이상인 것이 바람직하다. 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산의 중량평균 분자량이 2,000 이상이면, 내열성이 우수하므로 바람직하다. 보다 바람직한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산의 중량평균 분자량의 범위로는, 3,000~200,000 정도, 더욱 바람직하게는 5,000~150,000 정도가 바람직하다.
이러한 분석, 해석이 가능한 GPC 장치로는, Tosoh Corporation제의 HLC-8120 GPC, HLC-8220 GPC, HLC-8230 GPC를 사용할 수 있다.
이러한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산은 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 가수분해 축합반응에 의해 상기의 실록산 단위(T, D, M 단위)를 형성할 수 있는 오르가노클로로실란 및/또는 오르가노알콕시실란, 혹은 그 부분 가수분해 축합물을 이용할 수 있다. 예를 들면, 모든 가수분해성기(클로로기, 알콕시기 등)를 가수분해하는데 과잉량의 물과 원료 실란 화합물 및 생성되는 오르가노폴리실록산을 용해 가능한 유기용제와의 혼합 용액에 혼합하고, 가수분해 축합반응시킴으로써 얻을 수 있다. 원하는 중량평균 분자량의 오르가노폴리실록산은, 반응온도 및 시간, 물, 유기용제의 배합량을 조절함으로써 얻을 수 있다. 이렇게 하여 제조된 오르가노폴리실록산은, 예를 들면 가접착제로 사용할 때, 불필요한 유기용제 성분을 제거하여, 한 차례 고형화하고 나서 사용해도 된다.
또한, 본 발명에서의 제1 가접착층(A) 및 제3 가접착층(A’)은, 상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산을 원료로 하여, 고분자량화한 오르가노폴리실록산의 층으로 할 수도 있다. 이하, 이러한 고분자량화한 오르가노폴리실록산에 대하여 설명한다.
이러한 고분자량화한 오르가노폴리실록산으로는, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
(I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
(II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
(III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
(상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
Figure pat00014
또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
하기 평균 조성식(1)
R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
(식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
으로 표시되며, 1분자 중에 적어도 2개의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 고분자량화한 오르가노폴리실록산을 들 수 있다.
이때, 알케닐기의 함유량은, 적어도 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자의 2몰%~30몰%이다. 알케닐기의 함유량이 2몰% 이상이면, 하이드로실릴화 반응에 의한 분자량 증가가 커져, 내열성 등 물성이 우수한 오르가노폴리실록산이 되므로 바람직하다. 또한 30몰% 이하이면, 접합기판의 반도체측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에 대한 용해성이 더욱 낮아지므로 바람직하다.
이러한 알케닐기의 예로는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기, 노르보르네닐기를 들 수 있는데, 반응성의 관점에서 볼 때, 비닐기가 바람직하다.
또한, 상기 평균 조성식(1) 중, 상기 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, 상기 R8은 2가의 유기기이다. R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기라면 특별히 한정되지 않지만, 메틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 헥실기, 시클로헥실기, 페닐기가 예시된다. 또한, R8은 2가의 유기기라면 특별히 한정되지 않지만, 메틸렌기, 에틸렌기, 부타닐렌기, 헥실렌기, 시클로헥실렌기, 페닐렌기가 예시된다.
또한, 상기 평균 조성식(1) 중, a, b는 분자 중 유기기의 함유량을나타내고, a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다. a＋b가 0.75보다 작은 경우, 상대적으로 c의 값, 즉 SiH기의 함유량이 많아진다. 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 알케닐기와 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)의 SiH기와의 하이드로실릴화 반응을 고려한 경우, SiH의 양이 많으면 가교도가 너무 높아 고분자량화한 오르가노폴리실록산이 겔화되는 경향이 있다. 또한, SiH기가 다량으로 잔존하는 경우, 열 열화에 의한 가스 발생의 가능성이 높아진다. 또한, a＋b가 2.5 이하이면, SiH기의 양은 적절하고, 반응에 의한 고분자량화가 적절히 진행된다. 나아가, a가 2.5 이하이면, 가교에 관여하는 SiH기의 양은 적절하며 분자량이 목표로 하는 값까지 상승하므로, 내열성이 우수하다. 그러므로, a, b 및 c는 상기 범위인 것이 바람직하다. 또한, c의 값은, 또한, 규소원료를 입수하기 쉽다는 점에서 1.0 이하가 바람직하고, 또한 가교반응을 충분히 진행시키기 위해서는 0.005 이상이 바람직하다.
또한, (A1)성분의 총 알케닐기에 대한 (A2)성분의 총 SiH의 양은, 0.4~1.0이 바람직하다. 0.4 이상이면, 분자량의 증가는 충분하고, 원하는 내열성, 접착성을 얻을 수 있다. 또한, 1.0 이하이면, 수지의 가교가 적절히 이루어져 겔화되기 어렵고, 또한 수지 내에 잔존하는 SiH기도 저감시킬 수 있고, 접합 후의 내열 시험시에 발포도 억제할 수 있으므로 바람직하다.
보다 구체적인 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)의 예로는, 양 말단에 SiH기를 가지는 직쇄 폴리실록산, 폴리실릴알킬렌, 폴리실릴알릴렌을 사용할 수 있다. 특히, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pat00015
(식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
Figure pat00016
(식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
상기 R12~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. R12~R17로는, 특별히 한정되지 않지만, 탄소수 1~8의 1가의 탄화수소기, 구체적으로는 메틸기, 프로필기, 헥실기, 시클로헥실기, 페닐기가 예시된다. 특히 바람직하게는 메틸기, 시클로헥실기, 페닐기가 예시된다.
상기 구조식(3)으로 표시되는 오르가노하이드로젠폴리실록산의 중합도 n은 0~400이다. 이 n의 범위 내에서 중합도 n이 200 이상으로 큰 것은, (A1)의 알케닐기와의 하이드로실릴화 반응이 진행되기 어렵기 때문에, 중합도 0~40의 실록산과 병용하는 것이 바람직하다. 한편, n이 200 이하이면, 오르가노하이드로젠폴리실록산과 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과의 상용성이 좋고, 또한 말단 SiH기의 반응성도 저하되지 않으므로 바람직하다.
상기 구조식(4)으로 표시되는 비스실릴 화합물의 연결기 W는, 2가의 유기기이다. W로는, 특별히 한정되지 않지만, 탄소수 1~10의 2가 탄화수소기, 및 페닐렌기가 예시된다. 특히 고분자량화된 오르가노폴리실록산의 내열성의 관점에서 볼 때, 페닐렌기가 바람직하다.
이러한, 고분자량화한 오르가노폴리실록산이면, 비극성 유기용제에는 가용인 한편, 접합기판의 반도체측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용인데다가, 접착성, 내열성이 한층 우수한 오르가노폴리실록산이 된다.
게다가, 본 발명에서의 제1 가접착층(A) 및 제3 가접착층(A’)은, 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)의 부가반응 생성물 이외에, 반응성기를 교환한 화합물의 조합, 즉 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과 알케닐기 함유 화합물(A4)을 부가반응하여 고분자량화한 오르가노폴리실록산의 층으로 할 수도 있다.
이러한 오르가노폴리실록산에는, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
(I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
(II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
(III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
(상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
Figure pat00017
또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과,
하기 평균 조성식(2)
R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
(단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
으로 표시되며, 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 고분자량화한 오르가노폴리실록산이 포함된다.
이때, 수소원자의 함유량은, 적어도 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자의 2몰%~20몰%이다. 수소원자의 함유량이 2몰% 이상이면, 하이드로실릴화 반응에 의한 분자량 증가가 커져, 내열성 등의 물성이 우수한 오르가노폴리실록산이 되므로 바람직하다. 또한 20몰% 이하이면, 접합기판의 반도체측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에 대한 용해성이 더욱 낮아지므로 바람직하다.
상기 평균 조성식(2) 중의 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. 여기서 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기라면 특별히 한정되지 않지만, 메틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 헥실기, 시클로헥실기, 페닐기가 예시된다. 또한, R10은 2가의 유기기이고, 특별히 한정되지 않지만, 메틸렌기, 에틸렌기, 부타닐렌기, 헥실렌기, 시클로헥실렌기, 페닐렌기가 예시된다. 나아가, R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이며, 특별히 한정되지 않지만, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기, 노르보르네닐기를 들 수 있는데, 반응성의 관점에서 볼 때, 비닐기가 바람직하다.
상기 평균 조성식(2) 중 d, e, f는 분자 중 유기기의 함유량을 나타내고, d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.
(A3) 성분의 총 SiH의 양에 대한(A4) 성분의 총 알케닐기는, 1.0~2.5배가 되는 양이 바람직하다. 1.0배 이상이면, 분자량의 증가는 충분하므로, 원하는 내열성, 접착성을 얻을 수 있다. 또한, 2.5배 이하이면, 수지의 가교가 적절히 이루어져 겔화되기 어렵고, 또한 수지 내에 잔존하는 SiH기도 저감시킬 수 있고, 접합 후의 내열 시험시에 발포도 억제할 수 있으므로 바람직하다.
이러한, 고분자량화한 오르가노폴리실록산이면, 비극성 유기용제에는 가용인 한편, 접합기판의 반도체측에 포토레지스트를 도포하거나, 제거할 때 등에 사용하는 극성 유기용제에는 난용인데다가, 접착성, 내열성이 한층 우수한 오르가노폴리실록산이 된다.
알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)의 반응은, 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)을 유기용제에 용해시켜, 하이드로실릴화 촉매인 백금계의 금속 촉매를 첨가 후, 50~150℃로 가열하면서, 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을 적하함으로써, 고분자량화한 오르가노폴리실록산을 얻을 수 있다. 백금계의 금속 촉매는 SiH기와의 하이드로실릴화 부가반응을 촉진시키기 위한 촉매이며, 이 부가반응 촉매로는, 백금흑, 염화 제2 백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올의 반응물, 염화백금산과 올레핀류의 착체, 백금 비스아세트아세테이트 등의 백금계 촉매, 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매 등의 백금족 금속 촉매를 들 수 있다. 한편, 이 부가반응 촉매의 배합량은 촉매량으로 할 수 있지만, 통상, 백금족 금속으로서 (A1)성분의 중량에 대하여 1~800ppm, 특히 2~300ppm 정도 배합하는 것이 바람직하다.
또한, 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과 알케닐기 함유 화합물(A4)의 반응도 상기와 마찬가지로, 양자를 부가반응 촉매 존재 하에 가열 혼합함으로써 행할 수 있으며, 이에 따라 고분자량화한 오르가노폴리실록산을 얻을 수 있다. 이들 하이드로실릴화 부가반응 후의 오르가노폴리실록산의 분자량은, 가접착제의 특성, 특히 가열시의 열변형, 접착계면에서의 보이드 발생 등에 영향을 준다.
부가반응 후의 고분자량화한 폴리오르가노실록산의 중량평균 분자량 Mw는, GPC(겔 침투 크로마토그래피)를 이용하여 폴리스티렌 표준 물질에 의해 제작한 검량선을 따라 얻어지는 중량평균 분자량의 값으로, 15,000 이상인 것이 바람직하다. 중량평균 분자량이 15,000 이상이면, 내열성이 우수한 오르가노폴리실록산이 된다. 보다 바람직한 중량평균 분자량의 범위로는, 20,000~200,000 정도, 더욱 바람직하게는 30,000~150,000 정도가 바람직하다.
이 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산은, 사전에 필름으로 한 후, 상기 필름을 롤 라미네이터 등을 사용하여 웨이퍼에 접합하여 사용하더라도, 그 용액을 스핀 코트, 롤 코터 등의 방법에 의해 웨이퍼 상에 형성하여 사용할 수도 있다. 스핀 코트 등의 방법에 의해 웨이퍼 상에 이 (A) 및 (A’)층을 형성하는 경우에는, 수지를 용액으로 하여 코팅하고 그 후 가열 건조하는 것이 바람직하지만, 이 경우에는, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 데칸, 이소도데칸, 리모넨 등의 탄화수소계 용제가 호적하게 사용된다. 이 경우의 (A)층 및 (A’)층의 고형분 농도는 5~70%가 바람직하고, 동일할 수도 상이할 수도 있다. 또한, 이 (A)층 및 (A’)층은, 막두께 0.1~30㎛, 바람직하게는 0.5~10㎛로 형성되어 사용되며, (A)층 및 (A’)층의 막두께는 동일하거나 상이할 수도 있다. 0.1㎛ 이상인 경우, 디바이스 웨이퍼의 단차를 충분히 커버할 수 있는 한편, 30㎛ 이하인 경우, 막에 크랙이 생길 우려가 없으므로 바람직하다. 한편, 이 열가소성 실록산에는, 내열성을 더욱 높이기 위해, 실리카 등의 필러를 50질량부 이하 첨가할 수도 있다.
- 제2 가접착층(B)/열경화성 변성 실록산 중합체층 -
일반식(5) 혹은 (6) 중 어느 하나로 표시되는 열경화성 변성 실록산 중합체를 주성분으로 하는 열경화성 조성물의 경화물 층을 제2 가접착층(B)으로 사용할 수 있다.
일반식(5)의 중합체:
하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌 함유 고분자 화합물.
Figure pat00018
[식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 알킬기 등의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, A는 정수, B는 0 또는 정수이다. X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
Figure pat00019
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
이 경우, R18~R21의 구체적인 예로는, 메틸기, 에틸기, 페닐기 등을 들 수 있으며, m은, 바람직하게는 3~60, 보다 바람직하게는 8~40의 정수이다. 또한, B/A는 0~20, 특히 0.5~5이다.
일반식(6)의 중합체:
하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물.
Figure pat00020
[식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 알킬기 등의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0<(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이고, 바람직하게는 0.1≤(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤0.8이다. 또한, X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, Y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
Figure pat00021
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다.
또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
Figure pat00022
중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R24, R25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
이 경우, R18~R21, m의 구체적인 예는 상기와 같다.
이러한 식(5) 또는 (6)의 열경화성 변성 실록산 중합체를 주성분으로 하는 열경화성 조성물은, 그 열경화를 위해, 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상의 가교제를 함유한다.
특히, 2관능, 3관능, 4관능 이상의 다관능 가교제, 특히 에폭시 수지, 예를 들면, Nippon Kayaku Co., Ltd.제의 EOCN-1020, EOCN-102 S, XD-1000, NC-2000-L, EPPN-201, GAN, NC6000 및 하기 식과 같은 가교제를 함유할 수 있다.
Figure pat00023

가교제의 배합량은, 상기 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여 0.1~50질량부, 바람직하게는 0.1~30질량부, 더욱 바람직하게는 1~20질량부이며, 2종류 또는 3종류 이상을 혼합하여 배합할 수도 있다.
또한, 이 조성물에는, 산무수물과 같은 경화 촉매를 5질량부 이하로 함유하는 것이 가능하다.
한편, 이 조성물은, 필름으로서, 웨이퍼에 형성된 (A)층에 형성할 수도 있고, 혹은, 박형 웨이퍼를 제작하기 위한 지지체 측에 형성할 수도 있다. 또한, 이 조성물을 용액에 용해하고, 도포, 구체적으로는 스핀 코트, 롤 코터, 다이 코터 등의 방법에 의해 (A)층, 혹은, 지지체에 형성할 수도 있다. 그 경우에 이용할 수 있는 용제로는, 예를 들면, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸-2-n-아밀케톤 등의 케톤류; 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 유산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산 tert-부틸, 프로피온산 tert-부틸, 프로필렌글리콜모노-tert-부틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 등의 에스테르류 등을 들 수 있으며, 이들 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
한편, 이 조성물은, 필름으로, 웨이퍼에 형성된 (A)층에 형성할 수도 있고, 혹은, 박형 웨이퍼를 제작하기 위한 지지체 측에 형성할 수도 있다. 또한, 이 조성물을 용액에 용해하고, 도포, 구체적으로는 스핀 코트, 롤 코터, 다이 코터등의 방법에 의해 (A)층, 혹은, (A’)층에 형성할 수도 있다. 그 경우에는, 예를 들면, 용액으로서 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸-2-n-아밀케톤 등의 케톤류; 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 유산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산 tert-부틸, 프로피온산 tert-부틸, 프로필렌글리콜모노-tert-부틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 등의 에스테르류 등을 들 수 잇으며, 이들 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
한편, 조성물에는, 내열성을 더욱 높이기 위해, 공지의 산화 방지제, 실리카 등의 필러를 50질량부 이하 첨가할 수도 있다.
제2 가접착층(B)은, 경화시의 막두께 10~200㎛, 바람직하게는 20~120㎛로 성막하는 것이 바람직하다.
막두께가 10㎛ 이상인 경우에는, 웨이퍼 박형화의 연삭 공정에 충분히 견딜 수 있고, 200㎛ 이하인 경우에는, TSV 형성 공정 등의 열처리 공정에서 수지 변형을 일으킬 우려가 없고, 실용(實用)에 견딜 수 있으므로 바람직하다.
<박형 웨이퍼의 제조 방법>
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조 방법은, 반도체 회로 등을 가지는 웨이퍼와 지지체의 접착층으로서 상술한 (A)층과 (B)층의 2층으로 이루어진 가접착재층을 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 박형 웨이퍼의 두께는, 전형적으로는 5~300㎛, 보다 전형적으로는 10~100㎛이다.
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조 방법은, 반도체 회로 등을 가지는 웨이퍼와 지지체의 접착층으로서, 상술한 (A), (B) 및 (A’)의 3층으로 이루어진 가접착재층을 이용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 박형 웨이퍼의 두께는, 전형적으로는 5~300㎛, 보다 전형적으로는 10~100㎛이다.
본 발명의 박형 웨이퍼의 제조 방법은 (a)~(c)의 공정을 가진다.
(a) 상술한 웨이퍼 가공체에 대하여, 상기 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정,
(b) 상기 웨이퍼의 회로 비형성면에 가공을 실시하는 공정,
(c) 상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정.
또한, 상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정은,
가공을 실시한 웨이퍼의 가공면에 다이싱 테이프를 접착하고, 상기 다이싱 테이프면을 흡착면에 진공 흡착하고, 상기 흡착면의 온도가 10℃~100℃인 온도 범위에서, 상기 지지체를 상기 가공을 실시한 웨이퍼로부터 필오프 박리함으로써 행하는 것이 바람직하다.
상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정 후에,
(d) 상기 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 제거하는 공정을 행하는 것이 바람직하다.
[웨이퍼 가공체 제조 방법]
웨이퍼 가공체는, 표면에 회로 형성면 및 이면에 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼의 회로 형성면을, 상술한 제1 가접착층(A)과 제2 가접착층(B)의 2층으로 이루어진 가접착재층을 개재하여 지지체와 접합함으로써 얻을 수 있다.
회로 형성면 및 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼는, 한쪽 면이 회로 형성면이고, 다른 한쪽 면이 회로 비형성면인 웨이퍼이다. 본 발명을 적용할 수 있는 웨이퍼는, 통상 반도체 웨이퍼이다. 상기 반도체 웨이퍼의 예로는, 실리콘 웨이퍼 뿐만 아니라, 게르마늄 웨이퍼, 갈륨-비소 웨이퍼, 갈륨-인 웨이퍼, 갈륨-비소-알루미늄 웨이퍼 등을 들 수 있다. 상기 웨이퍼의 두께는, 특별한 제한은 없지만, 전형적으로는 600~800㎛, 보다 전형적으로는 625~775㎛이다.
지지체로는, 실리콘 웨이퍼나 유리, 석영 웨이퍼 등의 기판을 사용할 수 있다. 본 발명에서는, 지지체를 통과하여 가접착재층에 방사 에너지선을 조사할 필요는 없으므로, 지지체의 광선 투과성은 불필요하다.
가접착층(A), (B)는 각각 필름이며, 웨이퍼나 지지체에 형성할 수도 있으며, 혹은, 각각의 용액을 스핀 코트 등의 방법에 의해 웨이퍼나 지지체에 형성할 수 있다. 이 경우, 스핀 코팅한 후, 그 용제의 휘발 조건에 따라, 80~190℃의 온도에서, 미리 프리베이크를 행한 후, 사용에 제공된다. 나아가, 제1 가접착층(A)과 제2 가접착층(B)은, 미리 그 필름끼리 접합한 후, 제1 가접착층(A)을 웨이퍼측으로, 제2 가접착층(B)을 지지체측으로 하여, 접합에 제공할 수도 있다.
가접착층(A), (B)가 형성된 웨이퍼 및 지지체는, 가접착층(A), (B)를 개재하여, 접합된 기판으로서 형성된다. 이때, 바람직하게는 40~230℃, 보다 바람직하게는 40~200℃의 온도 영역에서, 이 온도에서 감압 하, 이 기판을 균일하게 압착함으로써, 웨이퍼가 지지체와 접합된 적층체 기판이 형성된다.
웨이퍼 접합 장치로는, 시판의 웨이퍼 접합 장치, 예를 들면 EVG사의 EVG520IS, 850 TB, SUSS사의 XBC300 등을 들 수 있다.
그 후, 100~260℃, 바람직하게는 140~220℃에서 10분~5시간, 바람직하게는 30분~2시간 가열함으로써, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)의 경화를 행하여 웨이퍼 가공체로 하는 것이 바람직하다.
[웨이퍼 가공체 제조 방법]
웨이퍼 가공체는, 표면에 회로 형성면 및 이면에 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼의 회로 형성면을, 상술한 (A), (B)와 (A’)의 3층으로 이루어진 가접착재층을 개재하여 지지체와 접합해 얻을 수 있다.
회로 형성면 및 회로 비형성면을 가지는 웨이퍼는, 한쪽 면이 회로 형성면이고, 다른 한쪽 면이 회로 비형성면인 웨이퍼이다. 본 발명을 적용할 수 있는 웨이퍼는, 통상, 반도체 웨이퍼이다. 상기 반도체 웨이퍼의 예로는, 실리콘 웨이퍼뿐만 아니라, 게르마늄 웨이퍼, 갈륨-비소 웨이퍼, 갈륨-인 웨이퍼, 갈륨-비소-알루미늄 웨이퍼 등을 들 수 있다. 상기 웨이퍼의 두께는, 특별한 제한은 없지만, 전형적으로는 600~800㎛, 보다 전형적으로는 625~775㎛이다.
지지체로는, 실리콘 웨이퍼나 유리, 석영 웨이퍼 등의 기판을 사용할 수 있다. 본 발명에서는, 지지체를 통과하여 가접착재층에 방사 에너지선을 조사할 필요는 없으므로, 지지체의 광선 투과성은 불필요하다.
(A), (B) 및 (A’)층은 각각 필름이며, 웨이퍼나 지지체에 형성할 수도 있으며, 혹은, 각각의 용액을 스핀 코트 등의 방법에 의해 웨이퍼나 지지체에 형성할 수 있다. 이 경우, 스핀 코팅한 후, 그 용제의 휘발 조건에 따라 80~190℃의 온도에서, 미리 프리베이크를 실시한 후, 사용에 제공된다. 또한, (A), (A’) 및 (B)은, 미리 그 필름끼리 접합한 후, (A)를 웨이퍼측으로, (A’)를 지지체측으로 하여 접합에 제공할 수도 있다.
(A)층, (B)층 및 (A’)층이 형성된 웨이퍼 및 지지체는, (A), (B) 및 (A’)층을 개재하여, 접합된 기판으로서 형성된다. 이때, 바람직하게는 40~230℃, 보다 바람직하게는 40~200℃의 온도 영역에서, 이 온도에서 감압 하, 이 기판을 균일하게 압착함으로써, 웨이퍼가 지지체와 접합한 웨이퍼 가공체(적층체 기판)가 형성된다.
웨이퍼 접합 장치로는, 시판의 웨이퍼 접합 장치, 예를 들면 EVG사의 EVG520IS, 850 TB, SUSS사의 XBC300 등을 들 수 있다.
그 후, 100~260℃, 바람직하게는 140~220℃에서 10분~5시간, 바람직하게는 30분~2시간 가열함으로써, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)의 경화를 행하여 웨이퍼 가공체로 하는 것이 바람직하다.
[공정(a)]
공정(a)는, 지지체와 접합한 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정, 즉, 전술한 바와 같은 방법으로 접합하여 얻어진 웨이퍼 가공체의 웨이퍼 이면측을 연삭 또는 연마하여, 상기 웨이퍼의 두께를 얇게 하는 공정이다. 웨이퍼 이면의 연삭 또는 연마 가공의 방식에는 특별한 제한은 없으며, 공지의 방식이 채용된다. 연삭은, 웨이퍼와 숫돌 (다이아몬드 등)에 물을 끼얹어 냉각하면서 행하는 것이 바람직하다. 웨이퍼 이면을 연삭가공하는 장치로는, 예를 들면 DISCO Corporation제 DAG-810(상품명) 등을 들 수 있다.
[공정(b)]
공정(b)는, 회로 비형성면을 연삭 또는 연마한 웨이퍼 가공체, 즉, 이면 연삭(또는 연마)에 의해 박형화된 웨이퍼 가공체의 회로 비형성면에 가공을 실시하는 공정이다. 이 공정에는 웨이퍼 레벨에서 이용되는 여러가지 프로세스가 포함된다. 그 예로는, 전극 형성, 금속 배선 형성, 보호막 형성 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 전극 등의 형성을 위한 금속 스퍼터링(sputtering), 금속 스퍼터링층을 에칭하는 웨트 에칭, 금속 배선 형성의 마스크로 하기 위한 레지스터의 도포, 노광, 및 현상에 의한 패턴의 형성, 레지스터의 박리, 드라이 에칭, 금속 도금의 형성, TSV 형성을 위한 실리콘 에칭, 실리콘 표면의 산화막 형성 등, 종래 공지의 프로세스를 들 수 있다.
[공정(c)]
공정(c)는, 공정(b)에서 가공을 실시한 웨이퍼를 웨이퍼 가공체로부터 박리하는 공정, 즉, 박형화한 웨이퍼에 여러가지 가공을 실시한 후, 다이싱하기 전에 웨이퍼 가공체로부터 박리하는 공정이다. 박리 방법으로는, 주로 웨이퍼와 지지체를 가열(바람직하게는 200~250℃)하면서, 수평 방향을 따라 반대 방향으로 슬라이딩시켜 양자(兩者)를 분리하는 방법, 웨이퍼 가공체의 웨이퍼 또는 지지체 중 한쪽을 수평으로 고정해 두고, 다른 한쪽을 수평 방향으로부터 일정 각도를 주어 들어올리는 방법, 및, 가공을 실시한 웨이퍼의 가공면에 보호 필름을 붙여, 웨이퍼와 보호 필름을 필 방식으로 웨이퍼 가공체로부터 박리하는 방법 등을 들 수 있으나, 특별한 제한없이 채용할 수 있다.
본 발명에는, 이들 박리 방법을 모두 적용할 수 있지만, 웨이퍼 가공체의 웨이퍼 또는 지지체 중 한쪽을 수평으로 고정해 두고, 다른 한쪽을 수평 방향으로부터 일정 각도를 주어 들어올리는 방법, 및, 가공을 실시한 웨이퍼의 가공면에 보호 필름을 붙여, 웨이퍼와 보호 필름을 필 방식으로 박리하는 방법 등이 보다 적합하다. 이러한 박리 방법은, 통상 실온에서 실시된다.
또한, 가공을 실시한 웨이퍼의 가공면에 다이싱 테이프를 접착하고, 상기 다이싱 테이프면을 흡착면에 진공 흡착하고, 상기 흡착면의 온도가 10℃~100℃인 온도 범위에서, 상기 지지체를 상기 가공을 실시한 웨이퍼로부터 필오프 박리함으로써, 지지체를 가공을 실시한 웨이퍼로부터 용이하게 박리할 수 있고, 또한, 이후 다이싱 공정을 용이하게 행할 수 있다.
[공정(d)]
공정(d)는, 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 가접착층(A)이 일부 잔존한 경우에, 이를 제거하는 공정이다. 공정(c)에 의해 지지체로부터 박리된 웨이퍼의 회로 형성면에는, 가접착층(A)이 일부 잔존해 있는 경우가 있는데, 이 (A)의 제거는, 예를 들면, 웨이퍼를 세정함으로써 행할 수 있다.
공정(d)의 세정에는, 가접착재층 중 (A)층인 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산을 용해하는 세정액이라면 모두 사용 가능하고, 구체적으로는, 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 데칸, 이소도데칸, 리모넨 등을 들 수 있다. 이들 용제는, 1종 단독으로도 2종 이상 조합하여 이용할 수도 있다. 또한, 제거하기 어려운 경우에는, 상기 용제에, 염기류, 산류를 첨가할 수도 있다. 염기류의 예로는, 에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리에틸아민, 암모니아 등의 아민류, 테트라메틸암모늄 히드록사이드 등의 암모늄염류를 사용할 수 있다. 산류로는, 아세트산, 옥살산, 벤젠술폰산, 도데실벤젠술폰산 등의 유기산을 사용할 수 있다. 첨가량은, 세정액 중 농도로, 0.01~10 질량%, 바람직하게는 0.1~5질량%이다. 또한, 잔존물의 제거성을 향상시키기 위해, 기존의 계면활성제를 첨가할 수도 있다. 세정 방법으로는, 상기액을 이용하여 패들에서 세정을 행하는 방법, 스프레이 분무로 세정하는 방법, 세정액조에 침지하는 방법을 사용할 수 있다. 온도는 10~80℃, 바람직하게는 15~65℃가 호적하고, 필요하다면, 이들 용해액으로 (A)층을 용해한 후, 최종적으로 세면 또는 알코올로 린스하고, 건조 처리시켜, 박형 웨이퍼를 얻을 수도 있다.
[실시예]
이하, 실시예와 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 아래와 같은 실시예로 제한되는 것은 아니다.
[오르가노폴리실록산의 합성]
(합성예 1)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 부착한 1L 플라스크에, 물 234g(13몰), 톨루엔 35g을 투입하고, 오일배스에서 80℃로 가열하였다. 적하 깔때기에 노르보르닐트리클로로실란 183.6g(0.8몰), 디메틸디클로로실란 12.9g(0.1몰), 트리메틸클로로실란 10.9g(0.1몰)을 투입하고, 플라스크 내로 교반하면서 1시간 동안 적하하고, 적하 종료후, 추가로 80℃에서 1시간 교반 숙성을 행하였다. 실온까지 냉각하면서 정치하여, 분리한 수상(水相)을 제거하고, 계속해서 10% 황산나트륨 수용액을 혼합하여 10분간 교반한 후, 30분간 정치하고, 분리해 온 수상을 제거하는 물 세정 조작을 톨루엔상(相)이 중성이 될 때까지 반복하여 반응을 정지하였다. 에스테르 어댑터(adaptor)를 부착하여 오르가노폴리실록산을 포함하는 톨루엔상(相)을 가열 환류하여 톨루엔상으로부터 물을 제거하고, 내온이 110℃에 달한 후 1시간 더 계속한 후, 실온까지 냉각하였다. 얻어진 오르가노폴리실록산 용액을 여과하여 불용물을 제거하고, 계속해서 감압 증류에 의해 톨루엔을 제거하여, 고체의 오르가노폴리실록산(수지 1) 134g을 얻었다.
얻어진 오르가노폴리실록산(수지 1)은, T단위 80몰%과 D단위 10몰%과 M단위 10몰%를 포함하고, 말단은 오르가노폴리실록산(수지 1) 100g당 실라놀기를 0.1몰 함유하고, 외관은 무색 투명 고체로 중량평균 분자량은 7,100이었다. 전체 유기기 및 수소원자 중 노르보르닐기 함유량은 61%였다. 또한, R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 80%는 노르보르닐기였다. 이 오르가노폴리실록산(수지 1)을 이소도데칸 용액에 고형분 농도 20%로 용해하고, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 용액(A-1)을 얻었다. 또한 마찬가지로, 고형분 농도 10%로 용해하고, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 용액(A’-1)을 얻었다.
(합성예 2)
합성예 1과 마찬가지로, 1L 플라스크에, 물 234g(13몰), 톨루엔 35g을 투입하고, 오일배스에서 80℃로 가열하였다. 적하 깔때기에 노르보르닐트리클로로실란 206.6g(0.9몰), 메틸비닐디클로로실란 7.1g(0.05몰), 트리메틸클로로실란 5.4g(0.05몰)을 투여한 것을 제외하고는 합성예 1과 동일하게 조제하여, 고체의 오르가노폴리실록산(수지 2) 140g을 얻었다.
얻어진 오르가노폴리실록산은, T단위 90몰%과 D단위 5몰%과 M단위 5몰%를 포함하고, 말단은 오르가노폴리실록산 100g당 실라놀기를 0.1몰, 비닐기를 0.034몰 함유한다. 외관은 무색 투명 고체로 중량평균 분자량은 5,900이었다. 전체 유기기 및 수소원자 중 노르보르닐기 함유량은 78몰%, 비닐기는 4.3몰%였다. 또한, R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 90%가 노르보르닐기였다.
(합성예 3)
알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)으로서, 합성예 2에서 얻은 고형의 오르가노폴리실록산(수지 2) 100g을 톨루엔 100g에 용해하고, 고형분 농도 50%의 용액을 조제하였다. 이 용액에, 백금촉매를 수지에 대하여 백금 원자로 20ppm 첨가하고, 60℃로 가온한 상태로, 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)로서, 하기 식(9)으로 표시되는 화합물(SiH당량 1473g/mol) 27.5g을 적하한 결과, 반응에 의한 발열을 관측하였다. 이 양은, H/Vi비(총 알케닐기에 대한 SiH기의 비율)로 0.55에 상당한다. 100℃에서 2시간 반응을 행하여, 반응을 완결시켰다. 그 후, 감압 유거로 농축하고, 톨루엔을 유거하여 반응 생성물을 고형화한 후, 이소도데칸으로 재용해하고, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 고형분 농도 20%의 수지 용액(A-2)을 얻었다. 또한 마찬가지로, 고형분 농도 10%로 용해하고, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 용액(A’-2)을 얻었다. 또한, 고형분 농도 65%의 이소도데칸 용액을, 1.0㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 용액(A-3)을 얻었다. 또한, 이 수지를 GPC로 중량평균 분자량 Mw를 측정한 결과 30,000이었다.
Figure pat00024
(식 중, Me는 메틸기를 나타낸다.)
(합성예 4)
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 플라스크 내로 9, 9’-비스(3-알릴-4-하이드록시페닐)플루오렌(M-1) 43.1g, 평균 구조식(M-3)으로 표시되는 오르가노하이드로젠실록산 29.5g, 톨루엔 135g, 염화백금산 0.04g을 투입하고, 80℃로 승온하였다. 그 후, 1,4-비스(디메틸실릴)벤젠(M-5) 17.5g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내로 적하하였다. 이때, 플라스크 내 온도는, 85℃까지 상승하였다. 적하 종료후, 다시 80℃에서 2시간 숙성한 후, 톨루엔을 류거(留去)함과 동시에, 시클로헥사논을 43g 첨가하여, 수지 고형분 농도 65질량%의 시클로헥사논을 용제로 하는 수지 용액을 얻었다. 이 용액의 수지 분의 분자량을 GPC에 의해 측정한 바, 폴리스티렌 환산으로 중량평균 분자량 45,000이었다. 다시, 이 수지 용액 50g에, 헥사메톡시메틸올멜라민(Sanwa Chemical Co., Ltd.제, NIKALAC MW-390)을 5g, 비스(t-부틸술포닐) 디아조메탄(Wako Pure Chemical Industries, Ltd.제, BSDM)을 0.2g 첨가하고, 1.0㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 용액(B-1)을 얻었다.
(합성예 5)
교반기, 온도계, 질소 치환 장치 및 환류 냉각기를 구비한 5L 플라스크 내로 화합물(M-1) 396.9g, 화합물(M-2) 45.0g을 톨루엔 1,875 g에 용해한 후, 화합물(M-3) 949.6g, 화합물(M-4) 6.1g을 첨가하고, 60℃로 가온하였다. 그 후, 카본 담지 백금촉매(5질량%) 2.2g을 투입하고, 내부 반응온도가 65~67℃로 승온하는 것을 확인한 후, 추가로, 3시간 동안 90℃까지 가온한 후, 다시 60℃까지 냉각하여, 카본 담지 백금촉매(5질량%) 2.2g을 투입하고, 화합물(M-5) 107.3g을 1시간에 걸쳐 플라스크 내로 적하하였다. 이때 플라스크내 온도는, 78℃까지 상승하였다. 적하 종료 후, 다시, 90℃로 3시간 숙성시키고, 다음에 실온까지 냉각한 후, 메틸이소부틸케톤(MIBK) 1,700g을 첨가하고, 본 반응 용액을 필터로 가압 여과함으로써 백금촉매를 제거하였다. 그리고, 얻어진 고분자 화합물 용액에 순수 760g을 첨가하여 교반, 정치 분액을 행해, 하층의 수층을 제거하였다. 이 분액 세정 조작을 6회 반복하여, 고분자 화합물 용액 중 미량의 산성분을 제거하였다. 이 수지 용액 중 용제를 감압 유거함과 동시에, 시클로펜타논을 767g 첨가하여, 고형분 농도 60 질량%의 시클로펜타논을 용제로 하는 수지 용액을 얻었다. 이 수지 용액 중 수지의 분자량을 GPC에 의해 측정하면, 폴리스티렌 환산으로 중량평균 분자량 62,000이고, 식(6)에서의 (i＋j)/(g＋h＋i＋j)는 0.10이다. 그리고 이 수지 용액 100g에 크레졸노볼락의 에폭시체(Nippon Kayaku Co., Ltd.제, EOCN 1020-55)를 16g, 테트라하이드로 무수프탈산(New Japan Chemical Co., Ltd.제, RIKACID HH-A) 0.2g을 첨가하여, 1.0㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 용액(B-2)을 얻었다.
Figure pat00025

(실시예 1~3 및 비교예 1, 2)
표면에 높이 50㎛, 직경 60㎛의 구리 포스트가 전체면에 형성된 200㎜ 실리콘 웨이퍼(두께: 725㎛)에 스핀 코트에 의해 (A-1) 및 (A-2)을 표 1에 나타낸 막두께로, 웨이퍼 범프 형성면에 성막하였다. 이때, 수지를 코팅한 후, 150℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 가열 처리하였다. 한편, 직경 200㎜(두께: 700㎛)의 유리판을 지지체로 하고, 이 지지체에 (B-1), (B-2)는 스핀 코트에 의해, 표 1의 막두께의 필름을 성형했다. 이때, 수지를 코팅한 후, 120℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 가열 처리하였다. 이 양쪽 혹은 한쪽에 수지층을 가지는 실리콘 웨이퍼 및 유리판을 각각, 수지면이 맞대어지도록, 진공 접합 장치 내에서 접합하여, 적층체 기판을 제작하였다(압착 조건). 200㎜의 웨이퍼 접합은, EVG사의 웨이퍼 접합 장치 EVG520IS를 이용하여 행하였다. 접합 온도는 표 1에 기재된 값, 접합시의 챔버내 압력은 10-3mbar 이하, 하중은 5kN로 실시하였다.
그 후, 하기 시험을 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
- 접착성 시험 -
접합 후, 일단, 180℃에서 1시간 오븐을 이용하여 기판을 가열하고, 제2 가접착층(B)의 경화를 실시한 후, 실온까지 냉각한 후의 계면의 접착 상황을 육안으로 확인하고, 계면에서 기포 등의 이상이 발생하지 않은 경우를 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 이면 연삭 내성 시험 -
연삭기(글라인더)(DISCO제, DAG810)로 다이아몬드 숫돌을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 이면 연삭을 행하였다. 최종 기판 두께 50㎛까지 연삭한 후, 광학 현미경(100배)으로 크랙, 박리 등의 이상의 유무를 조사하였다. 이상이 발생하지 않은 경우를 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 내열성 시험 -
실리콘 웨이퍼를 이면 연삭한 후의 적층체를 질소 분위기 하 250℃오븐에 2시간 동안 넣은 후, 270℃의 핫 플레이트 상에서 10분 가열한 후 외관 이상의 유무를 조사하였다. 외관 이상이 발생하지 않은 경우를 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 외관 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 박리성 시험 -
기판의 박리성은, 50㎛까지 박형화한 웨이퍼측에 다이싱 프레임을 이용하여 다이싱 테이프를 붙이고, 이 다이싱 테이프면을 진공 흡착에 의해, 흡착판(吸着版)에 세팅하였다. 그 후, 실온에서, 유리의 1점을 핀셋으로 들어올려, 유리 기판을 박리하였다. 유리 지지체 및 50㎛의 웨이퍼를 균열시키는 일 없이 박리된 경우를 「○」로 표시하고, 균열 등의 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 세정 제거성 시험 -
상기 박리성 시험 종료 후의 다이싱 테이프를 통해 다이싱 프레임에 장착된 200㎜ 웨이퍼(내열성 시험 조건에 방치된 것)를, 접착층을 위로하여 스핀 코터에 세팅하고, 세정 용제로서 이소도데칸을 3분간 분무한 후, 웨이퍼를 회전시키면서 이소프로필 알코올(IPA)을 분무하여 린스하였다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착재 수지의 유무를 육안으로 체크하였다. 수지의 잔존이 확인되지 않는 것을 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 수지의 잔존이 인정된 것을 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
Figure pat00026
비교예 1과 같이 (B)층이 존재하지 않는 경우, 접합시에 웨이퍼에 데미지를 줄 가능성이 있는 260℃이라는 높은 온도가 필요할 뿐만 아니라, (A)층과 유리 지지체 및 웨이퍼의 밀착력이 강하여 벗겨낼 때에 유리 지지체가 균열되었다. 또한 비교예(2)와 같이 (A)층이 존재하지 않는 경우, 벗겨내는 것 자체를 할 수 없어, 웨이퍼가 진공 흡착대에서 벗어났다. 한편, 실시예 1~3에서는, 웨이퍼에 데미지가 없는 낮은 온도로 접합 가능하고, 또한 박리도 (A)층과 (B)층의 계면으로부터 깔끔하게 박리할 수 있었다.
(실시예 4~6 및 비교예 3, 4)
표면에 높이 50㎛, 직경 60㎛의 구리 포스트가 전체면에 형성된 200㎜ 실리콘 웨이퍼(두께: 725㎛)에 스핀 코트에 의해 (A-1) 및 (A-2)을 표 2에 나타낸 막두께로, 웨이퍼 범프 형성면에 성막하였다. 이때, 수지를 코팅한 후, 150℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 가열 처리하였다. 한편, 직경 200㎜(두께: 700㎛)의 유리판을 지지체로 하여, 이 지지체에 우선 (A’-1) 및 (A’-2)층을 스핀 코트에 의해 코팅하고, 다시, 그 (A’-1) 및 (A’-2)층 위에, (B-1), (B-2)를 스핀 코트에 의해 형성하는 방법으로, 폴리오르가노실록산층(A’) 층과 열경화성 변성 실록산층(B) 층의 2층을 형성하였다. 이때, (A’-1) 및 (A’-2) 층을 코팅한 후, 150℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 가열 처리하고, (B-1) 및 (B-2) 층을 코팅한 후, 120℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 가열 처리하였다. 이 수지층을 가지는 실리콘 웨이퍼 및 유리판을 각각, 수지면이 맞대어지도록, 진공 접합 장치 내에서 표 2에 나타낸 조건으로 접합하여, 적층체를 제작하였다(압착 조건).
그 후, 하기 시험을 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
- 접착성 시험 -
200㎜의 웨이퍼 접합은, EVG사의 웨이퍼 접합 장치 EVG520IS를 이용하여 행하였다. 접착(접합) 온도는 표 2에 기재된 값, 접합시의 챔버내 압력은 10-3mbar 이하, 하중은 5 kN로 실시하였다. 접합 후, 일단, 180℃에서 1시간 오븐을 이용하여 기판을 가열하고, (B)층의 경화를 실시한 후, 실온까지 냉각한 후의 계면의 접착 상황을 육안으로 확인하고, 계면에서 기포 등의 이상이 발생하지 않은 경우를 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 이면 연삭 내성 시험 -
연삭기(DISCO제, DAG810)로 다이아몬드 숫돌을 이용하여 실리콘 웨이퍼의 이면 연삭을 행하였다. 최종 기판 두께 50㎛까지 연삭한 후, 광학 현미경(100배)으로 크랙, 박리 등의 이상의 유무를 조사하였다. 이상이 발생하지 않은 경우를 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 내열성 시험 -
실리콘 웨이퍼를 이면 연삭한 후의 적층체를 질소 분위기 하의 250℃ 오븐에 2시간 동안 넣은 후, 270℃의 핫 플레이트 상에서 10분 가열한 후의 외관 이상의 유무를 조사하였다. 외관 이상이 발생하지 않은 경우를 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 외관 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 박리성 시험 -
기판의 박리성은, 50㎛까지 박형화한 웨이퍼 측에 다이싱 프레임을 이용하여 다이싱 테이프를 붙이고, 이 다이싱 테이프면을 진공 흡착에 의해, 흡착판에 세팅하였다. 그 후, 실온에서, 유리의 1점을 핀셋으로 들어올려, 유리 기판을 박리하였다. 유리 지지체 및 50㎛의 웨이퍼를 균열시키는 일 없이 박리된 경우를 「○」로 표시하고, 균열 등의 이상이 발생한 경우를 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
- 세정 제거성 시험 -
상기 박리성 시험 종료 후의 다이싱 테이프를 통해 다이싱 프레임에 장착된 200㎜ 웨이퍼(내열성 시험 조건에 방치된 것)를, 접착층을 위로하여 스핀 코터에 세팅하고, 웨이퍼 상에 경화한(B) 층이 잔존해 있는 경우에는 이것을 제거한 후, 세정 용제로서 이소도데칸을 3분간 분무한 후, 웨이퍼를 회전시키면서 이소프로필 알코올(IPA)을 분무하여 린스하였다. 그 후, 외관을 관찰하여 잔존하는 접착재 수지의 유무를 육안으로 체크하였다. 수지의 잔존이 확인되지 않은 것을 양호하다고 평가하여 「○」로 표시하고, 잔존한 (B)층을 제거할 수 없거나, 수지의 잔존이 확인되는 것을 불량으로 평가하여 「×」로 표시하였다.
Figure pat00027
비교예 3과 같이 (B)층이 존재하지 않는 경우, 접합시에 웨이퍼에 데미지를 줄 가능성이 있는 260℃이라는 높은 온도가 필요할 뿐만 아니라, (A)층과 유리 지지체 및 웨이퍼의 밀착력이 강하게 당겨 벗겨 때에 유리 지지체가 균열되었다. 또한 비교예 4와 같이 (A)층이 존재하지 않는 경우, (B)층과 (A’)층 간의 박리는 이루어졌지만, (B)층이 웨이퍼측에 남게 되어, 이것을 제거할 수는 없었다. 한편 실시예 4~6에서는, 웨이퍼에 데미지가 없는 낮은 온도로 접합 가능하고, 또한 박리도 (A)층과 (B)층의 계면 또는 (A’)층과 (B)층의 계면으로부터 깔끔하게 박리되었다.
한편, 본 발명은, 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이며, 본 발명의 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지고, 동일한 작용 효과를 나타낸 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 함유된다.
1, 1’ 웨이퍼
2, 2’ 지지체
3, 3’ 가접착재층
(A) 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(제1 가접착층)
(B) 열경화성 변성 실록산 중합체층(제2 가접착층)
(A’) 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(제3 가접착층)
10, 10’ 웨이퍼 가공체.

Claims (41)

  1. 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체에 있어서,
    상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공체.
  2. 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체에 있어서,
    상기 가접착재층이,
    상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층,
    상기 제1 가접착층에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층, 및
    상기 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된, 상기 제1 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A’)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 가지는 복합 가접착층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00028

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
  4. 제2항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00029

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
  5. 제1항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00030

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
    하기 평균 조성식(1)
    R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
    (식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00031

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
    하기 평균 조성식(1)
    R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
    (식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00032

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과,
    하기 평균 조성식(2)
    R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
    (단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 기재의 웨이퍼 가공체.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00033

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과,
    하기 평균 조성식(2)
    R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
    (단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 기재의 웨이퍼 가공체.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
    Figure pat00034

    (식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
    Figure pat00035

    (식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
  10. 제6항에 있어서,
    상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
    Figure pat00036

    (식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
    Figure pat00037

    (식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)이, 하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌 함유 고분자 화합물, 또는 하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물로 이루어진 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.
    Figure pat00038

    [식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, A는 정수, B는 0 또는 정수이다. X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.

    Figure pat00039

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]

    Figure pat00040

    [식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0<(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이다. 또한, X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, Y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.

    Figure pat00041

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)

    Figure pat00042

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R24, R25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
  12. (a) 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 가공체에 대하여, 상기 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정,
    (b) 상기 웨이퍼의 회로 비형성면에 가공을 실시하는 공정,
    (c) 상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  13. (a) 제11항에 기재된 웨이퍼 가공체에 대하여, 상기 웨이퍼의 회로 비형성면을 연삭 또는 연마하는 공정,
    (b) 상기 웨이퍼의 회로 비형성면에 가공을 실시하는 공정,
    (c) 상기 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정은,
    가공을 실시한 웨이퍼의 가공면에 다이싱 테이프를 접착하고, 상기 다이싱 테이프면을 흡착면에 진공 흡착하고, 상기 흡착면의 온도가 10℃~100℃인 온도 범위에서, 상기 지지체를 상기 가공을 실시한 웨이퍼로부터 필오프 박리함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정은,
    가공을 실시한 웨이퍼의 가공면에 다이싱 테이프를 접착하고, 상기 다이싱 테이프면을 흡착면에 진공 흡착하고, 상기 흡착면의 온도가 10℃~100℃인 온도 범위에서, 상기 지지체를 상기 가공을 실시한 웨이퍼로부터 필오프 박리함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정 후에,
    (d) 상기 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 제거하는 공정
    을 행하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정 후에,
    (d) 상기 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 제거하는 공정
    을 행하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정 후에,
    (d) 상기 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 제거하는 공정
    을 행하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 (c) 가공을 실시한 웨이퍼를 상기 지지체로부터 박리하는 공정 후에,
    (d) 상기 박리한 웨이퍼의 회로 형성면에 잔존하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)을 제거하는 공정
    을 행하는 것을 특징으로 하는 박형 웨이퍼의 제조 방법.
  20. 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 가접착되는 웨이퍼 가공용 부재에 있어서,
    상기 가접착재층이, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층 상에 적층되어, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착할 수 있는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공용 부재.
  21. 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 가접착되는 웨이퍼 가공용 부재에 있어서,
    상기 가접착재층이, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A’)으로 이루어진 제3 가접착층과, 상기 제3 가접착층 상에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층 상에 적층되어, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 및 접착 가능한, 상기 제3 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00043

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
  23. 제21항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00044

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
  24. 제20항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00045


    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
    하기 평균 조성식(1)
    R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
    (식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
  25. 제21항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00046

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
    하기 평균 조성식(1)
    R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
    (식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
  26. 제20항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00047

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과,
    하기 평균 조성식(2)
    R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
    (단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
  27. 제21항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00048

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과,
    하기 평균 조성식(2)
    R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
    (단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
  28. 제24항에 있어서,
    상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
    Figure pat00049

    (식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
    Figure pat00050

    (식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
  29. 제25항에 있어서,
    상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
    Figure pat00051

    (식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
    Figure pat00052

    (식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
  30. 제20항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체층(B)이, 하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌 함유 고분자 화합물, 또는 하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물로 이루어진 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.
    Figure pat00053

    [식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, A는 정수, B는 0 또는 정수이다. X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
    Figure pat00054

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다.
    또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
    Figure pat00055

    [식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0<(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이다. 또한, X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, Y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
    Figure pat00056

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
    Figure pat00057

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R24, R25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
  31. 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면에 접착 및 박리 가능한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 접착 및 박리 가능한 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층을 가지는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  32. 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼를 지지체에 가접착하기 위한 웨이퍼 가공용 가접착재에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면에 접착 및 박리 가능한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(B)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 접착 및 박리 가능한, 상기 제1 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A’)으로 이루어진 제3 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공용 가접착재.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00058

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
  34. 제32항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00059

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
  35. 제31항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00060

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
    하기 평균 조성식(1)
    R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
    (식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  36. 제32항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00061

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)과,
    하기 평균 조성식(1)
    R7 aR8 bHcSiO(4-a-b-c)/2 (1)
    (식 중 R7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0<a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 SiH기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(A1)의 총 알케닐기에 대하여 총 SiH기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  37. 제31항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00062

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과,
    하기 평균 조성식(2)
    R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
    (단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  38. 제32항에 있어서,
    상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(A) 및 (A’)가, 하기 (I)~(III)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,
    (I) R1SiO3 /2로 표시되는 실록산 단위(T단위): 40~99몰%
    (II) R2R3SiO2 /2로 표시되는 실록산 단위(D단위): 59몰% 이하
    (III) R4R5R6SiO1 /2로 표시되는 실록산 단위(M단위): 1~30몰%
    (상기 R1~R6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 R1~R3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며,
    Figure pat00063

    또한, 상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)
    상기 R1~R6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)과,
    하기 평균 조성식(2)
    R9 dR10 eR11 fSiO(4-d-e-f)/2 (2)
    (단, 식 중 R9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, R10은 2가의 유기기이다. R11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0<d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)
    으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(A3)의 총 SiH기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(A4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
  39. 제35항에 있어서,
    상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
    Figure pat00064

    (식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
    Figure pat00065

    (식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
  40. 제36항에 있어서,
    상기 하이드로실릴기 함유 화합물(A2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 SiH기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
    Figure pat00066

    (식 중, n은 0~400의 정수, R12~R14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)
    Figure pat00067

    (식 중, R15~R17은, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다. W는 2가의 유기기이다.)
  41. 제31항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중합체층(B)이, 하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌 함유 고분자 화합물, 또는 하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물로 이루어진 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.
    Figure pat00068

    [식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, A는 정수, B는 0 또는 정수이다. X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
    Figure pat00069

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다.
    또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
    Figure pat00070

    [식 중, R18~R21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0<(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이다. 또한, X는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, Y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.
    Figure pat00071

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, R22, R23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)
    Figure pat00072

    중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, R24, R25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]
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