WO2019106846A1 - 半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム - Google Patents

半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム Download PDF

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崇司 川守
振一郎 須方
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Abstract

支持部材上に、光線を吸収して熱を発生する仮固定材層を形成する形成工程と、仮固定材層上に半導体部材を配置し、半導体部材を支持部材に仮固定材層の硬化物を介して仮固定する仮固定工程と、支持部材に仮固定された前記半導体部材を加工する加工工程と、仮固定材層の硬化物に光線を照射し、加工された半導体部材を支持部材から分離する分離工程と、を備える、半導体装置の製造方法が開示される。

Description

半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルム
　本発明は、半導体装置の製造方法、仮固定材用樹脂組成物、及び仮固定材用積層フィルムに関する。
　半導体装置の分野では、近年、複数の半導体素子を積層したＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ　ｉｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージに関する技術が著しく成長している。ＳＩＰ型のパッケージでは半導体素子が多数積層されるため、半導体素子には、薄厚化が要求される。この要求に応じて、半導体素子には、半導体部材（例えば、半導体ウェハ）に集積回路を組み入れた後に、例えば、半導体部材の裏面を研削する薄厚化、半導体ウェハをダイシングする個別化等の加工処理が施される。これら半導体部材の加工処理は、通常、仮固定材層によって、半導体部材を支持部材に仮固定して行われる（例えば、特許文献１～３を参照。）。
　加工処理が施された半導体部材は、仮固定材層を介して支持部材と強固に固定されている。そのため、半導体装置の製造方法においては、半導体部材のダメージ等を防ぎつつ、加工処理後の半導体部材を支持部材から分離できることが求められる。特許文献１には、このような半導体部材を分離する方法として、仮固定材層を加熱しながら物理的に分離する方法が開示されている。また、特許文献２、３には、仮固定材層にレーザーを照射することによって、半導体部材を分離する方法が開示されている。
特開２０１２－１２６８０３号公報 特開２０１６－１３８１８２号公報 特開２０１３－０３３８１４号公報
　しかし、特許文献１に開示されている方法では、熱履歴によるダメージ等が半導体ウェハに発生し、歩留まりが低下してしまう問題がある。一方で、特許文献２、３に開示されている方法では、レーザーの照射面積が狭く、半導体部材全体に対して何度も繰り返して照射することから時間がかかってしまうこと、レーザーの焦点を制御してスキャン照射することから工程が複雑になってしまうこと、及び高価な装置を要することの問題がある。
　本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、仮固定された半導体部材を、支持部材から容易に分離することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、このような仮固定材に有用な仮固定材用樹脂組成物及び仮固定材用積層フィルムを提供することを目的とする。
　本発明の一側面は、支持部材上に、光線を吸収して熱を発生する仮固定材層を形成する形成工程と、仮固定材層上に半導体部材を配置し、半導体部材を支持部材に仮固定材層の硬化物を介して仮固定する仮固定工程と、支持部材に仮固定された半導体部材を加工する加工工程と、仮固定材層の硬化物に光線を照射し、加工された半導体部材を支持部材から分離する分離工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供する。
　分離工程における光線の光源は、キセノンランプであってもよい。分離工程における光線は、少なくとも赤外線を含む光線であってもよい。
　分離工程においては、支持部材側から仮固定材層の硬化物に光線を照射してもよい。
　一態様として、仮固定材層は、光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有していてもよい。
　導電性粒子の含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、３０～９０質量部であってもよい。
　仮固定材層は、熱可塑性樹脂をさらに含有していてもよい。また、仮固定材層は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含んでいてもよい。
　他の態様として、仮固定材層は、光線を吸収して熱を発生する光線吸収層と樹脂層とを有していてもよい。
　光線吸収層は、スパッタリングによって形成されていてもよい。
　別の側面において、本発明は、半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材用樹脂組成物であって、光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有する、仮固定材用樹脂組成物を提供する。
　導電性粒子の含有量は、仮固定材用樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、３０～９０質量部であってもよい。
　仮固定材用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂をさらに含有してもいてもよい。また、仮固定材用樹脂組成物は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含有してもいてもよい。
　仮固定材用樹脂組成物は、フィルム状に形成されていてもよい。
　本発明はさらに、光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有する組成物の仮固定材としての応用、又は光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有する組成物の仮固定材の製造のための応用に関してもよい。
　また、別の側面において、本発明は、半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材用積層フィルムであって、支持フィルムと光線を吸収して熱を発生する光線吸収層と樹脂層とを備える、仮固定材用積層フィルムを提供する。
　本発明によれば、仮固定された半導体部材を、支持部材から容易に分離することが可能な半導体装置の製造方法が提供される。また、本発明によれば、このような仮固定材に有用な仮固定材用樹脂組成物及び仮固定材用積層フィルムが提供される。いくつかの形態における仮固定材用樹脂組成物は、耐熱性に優れる仮固定材層を形成することが可能となる。
図１は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 図２は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 図３は、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。 図４は、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。 図５は、本発明の半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本明細書において、（メタ）アクリル酸は、アクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。
［半導体装置の製造方法］
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、支持部材上に、光線を吸収して熱を発生する仮固定材層を形成する形成工程と、仮固定材層上に半導体部材を配置し、半導体部材を支持部材に仮固定材層の硬化物を介して仮固定する仮固定工程と、支持部材に仮固定された半導体部材を加工する加工工程と、仮固定材層の硬化物に光線を照射し、加工された半導体部材を支持部材から分離する分離工程と、を備える。
＜仮固定材層の形成工程＞
　まず、支持部材上に、光線を吸収して熱を発生する仮固定材層（以下、単に「仮固定材層」という場合がある。）を形成する（図１（ａ）、図３（ａ）、図３（ｂ）及び図３（ｃ））。支持部材１０は、特に制限されないが、例えば、ガラス基板、樹脂基板、シリコンウェハ、金属薄膜等であってもよい。支持部材１０は、光線の透過を妨げない基板であることが好ましく、ガラス基板であることがより好ましい。
　支持部材１０の厚みは、例えば、０．１～２．０ｍｍであってもよい。厚みが０．１ｍｍ以上であると、ハンドリングが容易となる傾向にあり、厚みが２．０ｍｍ以下であると、材料費を抑制することができる傾向にある。
　光線は、赤外線、可視光線、又は紫外線のいずれかであってもよい。後述の導電性粒子２２及び光線吸収層３２において、熱を効率よく発生させることができることから、光線は、少なくとも赤外線を含む光線であることが好ましい。
　仮固定材層は、光線を照射したときに、光線を吸収して熱を発生する層である。一実施形態において、仮固定材層は、光線を吸収して熱を発生する導電性粒子（以下、単に「導電性粒子」という場合がある。）を含有する。このような仮固定材層２０は、図１（ａ）に示すとおり、導電性粒子２２と樹脂成分２４とから構成され得る。樹脂成分２４は、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂成分であり得る。
　導電性粒子２２は、光線を吸収して熱を発生するものであれば特に制限されないが、赤外線を吸収して熱を発生するものであることが好ましい。導電性粒子２２は、例えば、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミニウム粉、クロム粉、鉄粉、真鋳粉、スズ粉、チタン合金、金粉、合金銅粉、酸化銅粉、酸化銀粉、酸化スズ粉、及び導電性カーボン（炭素）粉からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。導電性粒子２２は、取り扱い性及び安全性の観点から、銀粉、銅粉、酸化銀粉、酸化銅粉、及びカーボン（炭素）粉からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。また、導電性粒子２２は、樹脂又は金属をコアとし、当該コアをニッケル、金、銀等の金属でめっきした粒子であってもよい。さらに、導電性粒子２２は、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。
　表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってもよい。シランカップリング剤としては、例えば、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
　導電性粒子２２の形状は、特に制限されず、粒状、扁平状等であってもよい。導電性粒子２２が、カーボン（炭素）粉である場合、粒状、チューブ状、ワイヤ状等であってもよい。
　導電性粒子２２の平均粒径は、例えば、０．１～５．０μｍであってもよい。ここで、平均粒径は、導電性粒子２２全体の体積に対する比率（体積分率）が５０％のときの粒径（Ｄ５０）である。導電性粒子２２の平均粒径（Ｄ５０）は、レーザー散乱型粒径測定装置（例えば、マイクロトラック）を用いて、レーザー散乱法により水中に正極活物質を懸濁させた懸濁液を測定することで得られる。
　導電性粒子２２の含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、３０～９０質量部であってもよい。なお、仮固定材層の導電性粒子以外の成分には、後述の溶剤は包含されない。導電性粒子２２の含有量は、３５質量部以上、４０質量部以上、又は４５質量部以上であってもよい。導電性粒子２２の含有量が、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、３０質量部以上であると、より低エネルギーの光線照射で支持部材から分離できる傾向にある。導電性粒子２２の含有量は、８０質量部以下、７０質量部以下、又は６０質量部以下であってもよい。導電性粒子２２の含有量が、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、９０質量部以下であると、仮固定材層の平坦性が確保され易い傾向にある。
　仮固定材層２０は、樹脂成分２４として、熱可塑性樹脂、重合性モノマー及び重合開始剤を含有していてもよい。
　熱可塑性樹脂は、熱可塑性を有する樹脂、又は少なくとも未硬化状態において熱可塑性を有し、加熱後に架橋構造を形成する樹脂であってもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、エラストマー、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリイミド、石油樹脂、ノボラック樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、バンプ埋め込み性及び低温貼付性の観点から、熱可塑性樹脂は、エラストマーであってもよい。
　エラストマーの具体例としては、エチレン・プロピレン共重合体エラストマー、エチレン・１－ブテン共重合体エラストマー、エチレン・プロピレン・１－ブテン共重合体エラストマー、エチレン・１－ヘキセン共重合体エラストマー、エチレン・１－オクテン共重合体エラストマー、エチレン・スチレン共重合体エラストマー、エチレン・ノルボルネン共重合体エラストマー、プロピレン・１－ブテン共重合体エラストマー、エチレン・プロピレン・非共役ジエン共重合体エラストマー、エチレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体エラストマー、エチレン・プロピレン・１－ブテン・非共役ジエン共重合体エラストマー、ポリイソプレン、ポリブタジエン、カルボキシル基末端ポリブタジエン、水酸基末端ポリブタジエン、１，２－ポリブタジエン、カルボキシル基末端１，２－ポリブタジエン、水酸基末端１，２－ポリブタジエン、アクリルゴム、スチレン－ブタジエンゴム、水酸基末端スチレン－ブタジエンゴム、アクリロニトリル－ブタジエンゴム、カルボキシル基、水酸基、（メタ）アクリロイル基又はモルホリン基をポリマ末端に含有するアクリロニトリル－ブタジエンゴム、カルボキシル化ニトリルゴム、水酸基末端ポリ（オキシプロピレン）、アルコキシシリル基末端ポリ（オキシプロピレン）、ポリ（オキシテトラメチレン）グリコール、ポリオレフィングリコール、ポリ－ε－カプロラクトン等が挙げられる。これらのエラストマーは、水添処理が施されていてもよい。これらのうち、エラストマーは、スチレンに由来するモノマー単位を含むエラストマーであってもよい。
　熱可塑性樹脂のＴｇは、－１００～５００℃、－５０～３００℃、又は－５０～５０℃であってもよい。熱可塑性樹脂のＴｇが５００℃以下であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性を確保し易く、低温貼付性を向上させることができる傾向にある。熱可塑性樹脂のＴｇが－１００℃以上であると、フィルム状の仮固定材を形成したときに、柔軟性が高くなり過ぎることによる取扱性及び剥離性の低下を抑制できる傾向にある。
　熱可塑性樹脂のＴｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって得られる中間点ガラス転移温度値である。熱可塑性樹脂のＴｇは、具体的には、昇温速度１０℃／分、測定温度：－８０～８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
　熱可塑性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１万～５００万又は１０万～２００万であってもよい。重量平均分子量が１万以上であると、形成される仮固定材層の耐熱性を確保し易くなる傾向にある。重量平均分子量が５００万以下であると、フィルム状の仮固定材層を形成したときに、フローの低下及び貼付性の低下を抑制し易い傾向にある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
　熱可塑性樹脂の含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってもよい。熱可塑性樹脂の含有量は、３０質量部以上、５０質量部以上、又は７０質量部以上であってもよい。熱可塑性樹脂の含有量は、８８質量部以下、８５質量部以下、又は８２質量部以下であってもよい。熱可塑性樹脂の含有量が上記範囲にあると、仮固定材層の薄膜形成性及び平坦性により優れる傾向にある。
　重合性モノマーは、加熱又は紫外線等の照射によって重合するものであれば特に制限されない。重合性モノマーは、材料の選択性及び入手の容易さの観点から、例えば、エチレン性不飽和基等の重合性官能基を有する化合物であってもよい。重合性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、ハロゲン化ビニリデン、ビニルエーテル、ビニルエステル、ビニルピリジン、ビニルアミド、アリール化ビニル等が挙げられる。これらのうち、重合性モノマーは、（メタ）アクリレートであってもよい。（メタ）アクリレートは、１官能、２官能、又は３官能以上のいずれであってもよいが、充分な硬化性を得る観点から、２官能以上の（メタ）アクリレートであってもよい。
　単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、（メタ）アクリル酸；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　２官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、３－メチル－１，５－ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、２－ブチル－２－エチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノール（メタ）アクリレート、エトキシ化２－メチル－１，３－プロパンジオールジ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；エトキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、エトキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、エトキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化フルオレン型ジ（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　３官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エトキシ化プロポキシ化ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の脂肪族（メタ）アクリレート；フェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等の芳香族エポキシ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
　これらの（メタ）アクリレートは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、これらの（メタ）アクリレートをその他の重合性モノマーと組み合わせて用いてもよい。
　重合性モノマーの含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってもよい。重合性モノマーの含有量は、１２質量部以上、１５質量部以上又は１８質量部以上であってもよい。重合性モノマーの含有量が、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０質量部以上であると、仮固定材層の耐熱性に優れる傾向にある。重合性モノマーの含有量は、７０質量部以下、５０質量部以下、又は３０質量部以下であってもよい。重合性モノマーの含有量が、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、９０質量部以下であると、プロセス中の剥離、破損等を抑制できる傾向にある。
　重合開始剤は、加熱又は紫外線等の照射によって重合を開始させるものであれば特に制限されない。例えば、重合性モノマーとして、エチレン性不飽和基を有する化合物を用いる場合、重合性開始剤は熱ラジカル重合開始剤又は光ラジカル重合開始剤であってもよい。
　熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、オクタノイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ステアリルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド；ｔ－ブチルパーオキシピバレート、ｔ－ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウリレート、ｔ－ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ－ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシアセテート等のパーオキシエステル；２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２’－ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物などが挙げられる。
　光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシドなどが挙げられる。
　これらの熱及び光ラジカル重合開始剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってもよい。重合開始剤の含有量は、０．０３質量部以上、又は０．０５質量部以上であってもよい。重合開始剤の含有量が、重合性モノマー総量１００質量部に対して、０．０１質量部以上であると、硬化性が向上し、耐熱性がより良好となる傾向にある。重合開始剤の含有量は、３質量部以下、１質量部以下、又は０．１質量部以下であってもよい。重合性モノマーの含有量が、重合性モノマー総量１００質量部に対して、５質量部以下であると、プロセス中のガス発生を抑制できる傾向にある。
　仮固定材層２０は、必要に応じて、熱硬化性樹脂、硬化促進剤、絶縁性フィラー、増感剤、酸化防止剤等をさらに含有していてもよい。
　熱硬化性樹脂は、熱により硬化する樹脂であれば特に制限されない。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、熱硬化性樹脂は、耐熱性、作業性、及び信頼性により優れることから、エポキシ樹脂であってもよい。熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂硬化剤と組み合わせて用いてもよい。
　エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、又は脂環式エポキシ樹脂であってもよい。
　エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂などが挙げられる。
　熱硬化性樹脂及び硬化剤の含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってもよい。熱硬化性樹脂及び硬化剤の含有量が上記範囲内であると、耐熱性がより良好になる傾向にある。
　硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール誘導体、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２－エチル－４－メチルイミダゾール－テトラフェニルボレート、１，８－ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン－７－テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び硬化剤の総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってもよい。硬化促進剤の含有量が上記範囲内であると、硬化性が向上し、耐熱性がより良好となる傾向にある。
　絶縁性フィラーは、樹脂組成物に低熱膨張性、低吸湿性を付与する目的で添加される。絶縁性フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、セラミック等の非金属無機フィラーなどが挙げられる。これらの絶縁性フィラーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。絶縁性フィラーは、溶剤との分散性の観点から、その表面が表面処理剤で処理された粒子であってもよい。表面処理剤は、上述のシランカップリング剤と同様のものを用いることができる。
　絶縁性フィラーの含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、５～２０質量部であってもよい。絶縁性フィラーの含有量が上記範囲内であると、光透過を妨げることなく耐熱性をより向上する傾向にある。また、軽剥離性にも寄与する可能性がある。
　増感剤としては、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンゾピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン－９－オン、２－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、４－イソプロピル－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン、１－クロロ－４‐プロポキシチオキサントン等が挙げられる。
　増感剤の含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であってもよい。増感剤の含有量が上記範囲内であると、樹脂成分の特性及び薄膜性への影響が少ない傾向にある。
　酸化防止剤としては、例えば、ベンゾキノン、ハイドロキノン等のキノン誘導体、４－メトキシフェノール、４－ｔ－ブチルカテコール等のフェノール誘導体、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル、４－ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン－１－オキシル等のアミノキシル誘導体、テトラメチルピペリジルメタクリレート等のヒンダードアミン誘導体などが挙げられる。
　酸化防止剤の含有量は、仮固定材層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、０．１～１０質量部であってもよい。酸化防止剤の含有量が上記範囲内であると、樹脂成分の分解を抑制し、汚染を防ぐことができる傾向にある。
　仮固定材層２０は、導電性粒子２２及びその他の成分（熱可塑性樹脂、重合性モノマー、重合開始剤等）を含有する樹脂組成物から形成することができる。樹脂組成物は、硬化性樹脂組成物であり得る。
　樹脂組成物は、溶剤で希釈された樹脂組成物のワニスとして用いてもよい。溶剤は、導電性粒子２２及び絶縁性フィラー以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらの溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、ヘプタン、又はシクロヘキサンであってもよい。
　ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってもよい。
　樹脂組成物は、導電性粒子２２及びその他の成分（熱可塑性樹脂、重合性モノマー、重合開始剤等）を混合、混練することによって調製することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。
　樹脂組成物は、フィルム状に形成されていてもよい。フィルム状に形成された樹脂組成物（樹脂フィルム）は、樹脂組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。溶剤で希釈された樹脂組成物のワニスを用いる場合、樹脂組成物を支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。
　樹脂フィルムの厚みは、仮固定材層２０の厚みに合わせて調整することができる。樹脂フィルムの厚みは、応力緩和の観点から、０．１～２０００μｍ又は１０～５００μｍであってもよい。
　支持フィルムとしては、特に制限されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリ（メタ）アクリレート、ポリスルホン、液晶ポリマのフィルム等が挙げられる。これらは、離型処理が施されていてもよい。支持フィルムの厚みは、例えば、３～２５０μｍであってもよい。
　樹脂組成物を支持フィルムに塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フィルム転写法、スリットコート法、スキャン塗布法、インクジェット法等が挙げられる。
　支持フィルム上に設けられた樹脂フィルムは、必要に応じて、保護フィルムを設けてもよい。保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィンなどが挙げられる。保護フィルムの厚みは、例えば、１０～２５０μｍであってもよい。
　樹脂フィルムは、例えば、ロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状のフィルムを好適なサイズに切り出して、シート状にして保存することもできる。
　仮固定材層２０は、樹脂組成物を、支持部材１０に直接塗布することによって形成することができる。溶剤で希釈された樹脂組成物のワニスを用いる場合、樹脂組成物を支持部材１０に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。
　樹脂組成物を支持部材１０に直接塗布する方法は、樹脂組成物を支持フィルムに塗布する方法と同様であってもよい。
　仮固定材層２０は、予め作製した樹脂フィルムを支持部材１０にラミネートすることによっても形成することができる。ラミネートは、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて、所定条件（例えば、室温（２０℃）又は加熱状態）で行うことができる。
　仮固定材層２０の厚みは、応力緩和の観点から、０．１～２０００μｍ又は１０～５００μｍであってもよい。
　他の実施形態において、仮固定材層は、光線を吸収して熱を発生する光線吸収層（以下、単に「光線吸収層」という場合がある。）と樹脂層とを有する。このような仮固定材層３０としては、光線吸収層３２と樹脂層３４とを有しているのであれば、その構成に特に制限されないが、例えば、光線吸収層３２と樹脂層３４とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図３（ａ））、樹脂層３４と光線吸収層３２とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図３（ｂ））、光線吸収層３２と樹脂層３４と光線吸収層３２とをこの順に有する構成（図３（ｃ））であってもよい。これらのうち、仮固定材層３０は、光線吸収層３２と樹脂層３４とを支持部材１０側からこの順に有する構成（図３（ａ））であることが好ましい。以下では、図３（ａ）で示す構成の仮固定材層３０を用いた形態について詳細に説明する。
　光線吸収層３２の一態様は、光線を吸収して熱を発生する導電体（以下、単に「導電体」という場合がある。）からなる層である。このような層を構成する導電体は、光線を吸収して熱を発生する導電体であれば特に制限されないが、赤外線を吸収して熱を発生する導電体であることが好ましい。導電体としては、例えば、クロム、銅、チタン、銀、白金、金等の金属、ニッケル－クロム、ステンレス鋼、銅－亜鉛等の合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化ニオブ等の金属酸化物、導電性カーボン等のカーボン材料などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、導電体は、クロム、チタン、又はカーボンであってもよい。
　光線吸収層３２は、これらの導電体を、真空蒸着、スパッタリング等の物理気相成長（ＰＶＤ）、電解めっき、無電解めっき、プラズマ化学蒸着等の化学気相成長（ＣＶＤ）によって、支持部材１０に直接形成することができる。これらのうち、導電体層は、大面積に導電体層を形成できることから、物理気相成長を用いて形成することが好ましく、スパッタリングを用いて形成することがより好ましい。
　光線吸収層３２の他の態様は、光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有する層である。導電性粒子は、上述の導電性粒子２２として例示したものと同様であってもよい。光線吸収層３２に含有される成分は、上述の仮固定材層２０に含有される成分として例示した成分と同様であってもよい。
　導電性粒子の含有量は、光線吸収層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってもよい。なお、光線吸収層の導電性粒子以外の成分には、後述の有機溶剤は包含されない。導電性粒子の含有量は、１５質量部以上、２０質量部以上、又は２５質量部以上であってもよい。導電性粒子の含有量は、８０質量部以下又は５０質量部以下であってもよい。
　光線吸収層３２は、熱硬化性樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤を含有していてもよい。熱硬化性樹脂の含有量は、光線吸収層の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってもよい。硬化剤及び硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂の総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってもよい。
　光線吸収層３２は、導電性粒子を含有する光線吸収層形成用組成物から形成することができる。光線吸収層形成用組成物は、有機溶剤で希釈された光線吸収層形成用組成物のワニスとして用いてもよい。有機溶剤としては、例えば、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いていてもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってもよい。
　光線吸収層３２は、光線吸収層形成用組成物を、支持部材１０に直接塗布することによって形成することができる。有機溶剤で希釈された光線吸収層形成用組成物のワニスを用いる場合、光線吸収層形成用組成物を支持部材１０に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。
　光線吸収層３２の厚みは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ又は１００～３０００ｎｍであってもよい。
　続いて、光線吸収層３２上に樹脂層３４を形成する。
　樹脂層３４は、導電性粒子を含有しない層であり、熱又は光によって硬化する硬化性樹脂層である。樹脂層３４に含有される成分は、上述の仮固定材層２０に含有される成分として例示した成分と同様であってもよい。樹脂層３４は、導電性粒子を含有しない樹脂層形成用組成物から形成することができる。樹脂層形成用組成物は、溶剤で希釈された樹脂層形成用組成物のワニスとして用いてもよい。ワニス中の固形成分濃度は、ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってもよい。
　樹脂層３４は、樹脂層形成用組成物を、光線吸収層３２に直接塗布することによって形成することができる。溶剤で希釈された樹脂層形成用組成物のワニスを用いる場合、樹脂層形成用組成物を光線吸収層３２に塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって形成することができる。
　樹脂層３４の厚みは、応力緩和の観点から、０．１～２０００μｍ又は１０～１５０μｍであってもよい。
　仮固定材層３０は、予め光線吸収層３２及び樹脂層３４を含む積層フィルムを作製し、これを光線吸収層３２と支持部材１０とが接するようにラミネートして作製してもよい。
　積層フィルムは、樹脂層形成用組成物を支持フィルムに塗布して樹脂層３４を形成し、次いで、樹脂層３４上に光線吸収層３２を形成することによって作製することができる。光線吸収層３２は、導電体からなる層であっても、導電性粒子を含有する層であってもよい。支持フィルム上に設けられた積層フィルムは、必要に応じて、光線吸収層３２上に保護フィルムを設けてもよい。
　積層フィルムにおける光線吸収層３２の厚みは、軽剥離性の観点から、１～５０００ｎｍ又は１００～３０００ｎｍであってもよい。
　積層フィルムにおける樹脂層３４の厚みは、応力緩和の観点から、０．１～２０００μｍ又は１０～１５０μｍであってもよい。
　積層フィルムの厚みは、仮固定材層２０又は３０の厚みに合わせて調整することができる。樹脂フィルムの厚みは、応力緩和の観点から、０．１～２０００μｍ又は１０～１５０μｍであってもよい。
　図３（ｂ）で示す構成の仮固定材層３０は、例えば、支持部材１０上に樹脂層３４を形成し、続いて、光線吸収層３２を形成することによって作製することができる。図３（ｃ）で示す構成の仮固定材層３０は、例えば、支持部材１０上に光線吸収層３２、樹脂層３４及び光線吸収層３２を形成することによって作製することができる。これらの仮固定材層３０は、予め上記構成の積層フィルムを作製し、支持部材１０にラミネートすることによって作製してもよい。
＜半導体部材の仮固定工程＞
　次に、仮固定材層上に半導体部材を配置し、半導体部材を支持部材に仮固定材層の硬化物を介して仮固定する（図１（ｂ）及び図４（ａ））。
　半導体部材４０は、半導体ウェハ又は半導体ウェハを所定サイズに切断してチップ状に個片化した半導体チップであってもよい。半導体部材４０として、半導体チップを用いる場合、通常、複数の半導体チップが用いられる。半導体部材４０の厚みは、半導体装置の小型化、薄型化に加えて、搬送時、加工工程等の際の割れ抑制の観点から、１～１０００μｍ、１０～５００μｍ、又は２０～２００μｍであってもよい。
　この工程では、上記で作製した仮固定材層２０又は３０を設けた支持部材１０を、真空プレス機又は真空ラミネーター上に設置し、半導体部材４０をプレスで圧着して配置することができる。
　真空プレス機を用いる場合は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着圧力１ＭＰａ、圧着温度１２０～２００℃、保持時間１００～３００秒間で、仮固定材層２０又は３０に半導体部材４０を圧着する。
　真空ラミネーターを用いる場合は、例えば、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度６０～１８０℃又は８０～１５０℃、ラミネート圧力０．０１～０．５Ｍｐａ又は０．１～０．５Ｍｐａ、保持時間１～６００秒間又は３０～３００秒間で、仮固定材層２０又は３０に半導体部材４０を圧着する。
　仮固定材層２０又は３０を介して支持部材１０上に半導体部材４０を配置した後、仮固定材層２０又は３０を所定条件で熱硬化又は光硬化させる。熱硬化の条件は、例えば、３００℃以下又は１００～２００℃で、１～１８０分間又は１～６０分間であってもよい。このようにして、半導体部材４０は、支持部材１０に仮固定材層２０又は３０の硬化物２０ｃ又は３０ｃを介して仮固定される。仮固定材層の硬化物２０ｃは、図１（ｂ）に示すとおり、導電性粒子２２と樹脂成分の硬化物２４ｃとから構成され得る。仮固定材層の硬化物３０ｃは、図４（ａ）に示すとおり、光線吸収層３２と樹脂層の硬化物３４ｃとから構成され得る。
＜半導体部材の加工工程＞
　次に、支持部材に仮固定された半導体部材を加工する（図１（ｃ）及び図４（ｂ））。半導体部材の加工は、特に制限されないが、例えば、半導体部材の薄化、貫通電極の作製、エッチング処理、めっきリフロー処理、スパッタリング処理等が挙げられる。
　半導体部材の薄化は、グラインダー等で、半導体部材４０の仮固定材層２０又は３０の反対側の面を研削することによって行う。薄化された半導体部材の厚みは、例えば、１００μｍ以下であってもよい。
　グラインダーを用いる場合の研削条件は、所望の半導体部材の厚み、研削状態等に応じて任意に設定することができる。
　貫通電極４４の作製は、薄化した半導体部材４０の仮固定材層２０又は３０の硬化物２０ｃ又は３０ｃの反対側の面に、ドライイオンエッチング、ボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理することによって行う。
　このようにして半導体部材４０に加工が施され、例えば、貫通電極４４を有する半導体部材（以下、単に「加工半導体部材」という場合がある。）が得られる（図１（ｃ）及び図４（ｂ）を参照）。
　加工半導体部材４２は、図１（ｄ）及び図４（ｃ）に示すように、封止層５０で覆われていてもよい。封止層５０の材質には特に制限はないが、耐熱性、その他の信頼性等の観点から、熱硬化性樹脂組成物であってもよい。封止層５０に用いられる熱硬化性樹脂としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルジエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。封止層５０を形成するための組成物には、フィラー及び／又はブロム化合物等の難燃性物質等の添加剤が添加されてもよい。
　封止層５０の供給形態には特に制限はなく、固形材、液状材、細粒材、フィルム材等が挙げられる。
　例えば、封止フィルムから形成される封止層５０による加工半導体部材４２の封止には、コンプレッション封止成形機、真空ラミネート装置等が用いられる。例えば、上記装置を使用して、４０～１８０℃（又は６０～１５０℃）、０．１～１０ＭＰａ（又は０．５～８ＭＰａ）、かつ０．５～１０分間の条件で熱溶融させた封止フィルムにて加工半導体部材４２を覆い、封止層５０を形成することができる。封止フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の剥離ライナー上に積層された状態で準備されてもよい。この場合、封止フィルムが加工半導体部材４２側に配置されて加工半導体部材４２を埋め込んだ後、剥離ライナーを剥離することによって封止層５０を形成することができる。
　封止フィルムの厚みは、封止層５０が加工半導体部材４２の厚み以上になるように調整する。封止フィルムの厚みは、５０～２０００μｍ、７０～１５００μｍ、又は１００～１０００μｍであってもよい。
　封止された加工半導体部材４２は、図２（ａ）及び図５（ａ）に示すように、ダイシングによって個片化されていてもよい。なお、ダイシングによる個片化は、後述の分離工程後に行われてもよい。
＜半導体部材の分離工程＞
　次いで、仮固定材層の硬化物に光線を照射し、加工された半導体部材を支持部材から分離する（図２（ｂ）及び図５（ｂ））。仮固定材層２０又は３０の硬化物２０ｃ又は３０ｃは、光線を照射することによって、硬化物２０ｃに含有される導電性粒子２２又は硬化物３０ｃに備えられる光線吸収層３２が光線を吸収して熱を瞬間的に発生し、その界面又はバルクにおいて熱による硬化物２０ｃ又は硬化物３０ｃの溶融、支持部材１０と加工半導体部材４２との応力、導電性粒子２２又は光線吸収層３２の飛散等が発生し得る。このため、仮固定材層に光線を照射することによって、仮固定されている加工半導体部材４２を、支持部材１０から容易に分離（剥離）することができる。なお、分離工程においては、光線の照射とともに、加工半導体部材４２に対して、支持部材１０の主面に対して平行な方向に応力をわずかに加えてもよい。
　分離工程における光線は、少なくとも赤外線を含む光線であってもよい。分離工程における光線の光源は、特に制限されないが、キセノンランプであってもよい。キセノンランプは、キセノンガスを封入した発光管での印加・放電による発光を利用したランプである。キセノンランプは、電離及び励起を繰り返しながら放電するため、紫外線領域から赤外線領域までの連続波長を安定的に有する。キセノンランプは、メタルハライドランプ等のランプと比較して始動に要する時間が短いため、工程に係る時間を大幅に短縮することができる。また、発光には、高電圧を印加する必要があるため、高熱が瞬間的に生じるが、冷却に長時間要さず、連続的な作業が可能である。また、キセノンランプの照射面積は、レーザーよりも圧倒的に広いため、照射回数を少なくすること（例えば、１回）が可能である。
　キセノンランプによる照射条件は、印加電圧、パルス幅、照射時間、照射距離（光源と仮固定材層との距離）等を任意に設定することができる。キセノンランプによる照射条件は、１回の照射で分離できる条件を設定してもよく、２回以上の照射で分離できる条件を設定してもよいが、加工半導体部材４２のダメージを低減する観点から、キセノンランプによる照射条件は、１回の照射で分離できる条件を設定することが好ましい。
　分離工程における仮固定材層２０又は３０の硬化物２０ｃ又は３０ｃに対する光線照射は、支持部材１０側からの照射であってもよい（図２（ｂ）及び図５（ｂ）の方向Ａ）。支持部材１０側から照射することによって、仮固定材層２０又は３０の硬化物２０ｃ又は３０ｃ全体を光線で照射することが可能となる。
　加工半導体部材４２に硬化物２０ｃの残さ２０ｃ１（図２（ｂ））又は硬化物３０ｃの残さ３０ｃ１（図５（ｂ））が付着している場合、これらは、溶剤で洗浄することができる。溶剤としては、特に制限されないが、エタノール、メタノール、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン等が挙げられる。これらは、１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これら溶剤に浸漬させてもよく、超音波洗浄を行ってもよい。さらに、１００℃以下の範囲で、加熱してもよい。
　このようにして、加工半導体部材４２を備える半導体素子６０が得られる（図２（ｃ）及び図５（ｃ）を参照）。得られた半導体素子６０を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより半導体装置を製造することができる。
＜仮固定材用樹脂組成物＞
　上述の光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有する樹脂組成物は、半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材用樹脂組成物として好適に用いることができる。仮固定材用樹脂組成物は、硬化性樹脂組成物であり得る。
　導電性粒子の含有量は、仮固定材用樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、３０～９０質量部であってもよい。なお、仮固定材用樹脂組成物の導電性粒子以外の成分には、溶剤は包含されない。導電性粒子の含有量は、３５質量部以上、４０質量部以上、又は４５質量部以上であってもよい。導電性粒子の含有量は、８０質量部以下、７０質量部以下、又は６０質量部以下であってもよい。
　仮固定材用樹脂組成物は、熱可塑性樹脂をさらに含有していてもよい。熱可塑性樹脂の含有量は、仮固定材用樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってもよい。熱可塑性樹脂の含有量は、３０質量部以上、５０質量部以上、又は７０質量部以上であってもよい。熱可塑性樹脂の含有量は、８８質量部以下、８５質量部以下、又は８２質量部以下であってもよい。
　仮固定材用樹脂組成物は、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含有していてもよい。重合性モノマーの含有量は、仮固定材用樹脂組成物の導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部であってもよい。重合性モノマーの含有量は、１２質量部以上、１５質量部以上、又は１８質量部以上であってもよい。重合性モノマーの含有量は、７０質量部以下、５０質量部以下、又は３０質量部以下であってもよい。重合開始剤の含有量は、重合性モノマーの総量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってもよい。重合開始剤の含有量は、０．０３質量部以上又は０．０５質量部以上であってもよい。重合開始剤の含有量は、３質量部以下、１質量部以下、又は０．１質量部以下であってもよい。
　仮固定材用樹脂組成物は、フィルム状に形成されていてもよい。
＜仮固定材用積層フィルム＞
　上述の、支持フィルムと光線を吸収して熱を発生する光線吸収層と樹脂層とを備える積層フィルムは、半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材用積層フィルムとして好適に用いることができる。積層フィルムにおける光線吸収層及び樹脂層の構成は、特に制限されないが、例えば、光線吸収層と樹脂層とを支持フィルムからこの順に備える構成、樹脂層と光線吸収層とを支持フィルムからこの順に備える構成、光線吸収層と樹脂層と光線吸収層とをこの順に備える構成等であってもよい。これらのうち、積層フィルムは、支持フィルムと光線吸収層と樹脂層とをこの順に備えることが好ましい。
　以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１－１）
＜仮固定材用樹脂組成物の調製＞
　熱可塑性樹脂として、水添スチレン・ブタジエンエラストマー（商品名：ダイナロン２３２４Ｐ、ＪＳＲ株式会社、Ｔｇ：－５０℃）８０質量部、重合性モノマーとして、１，９－ノナンジオールジアクリレ－ト（商品名：ＦＡ－１２９ＡＳ、日立化成株式会社）２０質量部、及び重合開始剤として、パーオキシエステル（商品名：パーヘキサ２５Ｏ、日油株式会社）１質量部を混合した。なお、水添スチレン・ブタジエンエラストマーはトルエンで固形分４０質量％に希釈して用いた。これに、導電性粒子Ａ（銅粉、商品名：１３００Ｙ、三井金属鉱業株式会社、形状：粒状、平均粒径（Ｄ５０）：３．５μｍ、タップ密度：５．０ｇ／ｃｍ３）５０質量部を添加した。得られた混合物を、自動撹拌装置を用いて、２２００ｒｐｍで１０分間撹拌することによって、溶剤としてトルエンを含む仮固定材用樹脂組成物のワニスを得た。
＜樹脂フィルムの作製＞
　得られた仮固定材用樹脂組成物のワニスを、精密塗工機を用いて、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚み：３８μｍ）の離型処理面に塗工し、８０℃で１０分間溶剤を乾燥除去し、約１００μｍの実施例１－１の樹脂フィルムを作製した。
（実施例１－２）
　導電性粒子Ａを導電性粒子Ｂ（銀粉、商品名：Ｋ００８２Ｐ、Ｍｅｔａｌｏｒ社、形状：粒状、平均粒径（Ｄ５０）：１．５μｍ、タップ密度：５．０ｇ／ｃｍ３）に変更した以外は、実施例１－１と同様にして、実施例１－２の樹脂フィルムを作製した。
（実施例１－３）
　導電性粒子Ａを導電性粒子Ｃ（銀粉、商品名：ＡｇＣ－２３９、福田金属箔粉工業株式会社、形状：扁平状、平均粒径（Ｄ５０）：２．０～３．４μｍ、タップ密度：４．２～６．１ｇ／ｃｍ３）に変更した以外は、実施例１－１と同様にして、実施例１－３の樹脂フィルムを作製した。
（実施例１－４）
　導電性粒子Ａを導電性粒子Ｄ（カーボン（炭素）粉、商品名：ＭＡ６００、三菱ケミカル株式会社製、形状：粒状）に変更した以外は、実施例１－１と同様にして、実施例１－４の樹脂フィルムを作製した。
（比較例１－１）
　導電性粒子Ａを加えなかった以外は、実施例１－１と同様にして、比較例１－１の樹脂フィルムを作製した。
＜評価サンプルの作製＞
　上記で作製した実施例１－１～１－４及び比較例１－１の樹脂フィルムを５ｍｍ×５ｍｍで切り出した。支持部材として、スライドガラス（サイズ：１５ｍｍ×２０ｍｍ、厚み：１ｍｍ）及び半導体部材として、シリコンウェハ（サイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ、厚み：７５０μｍ）を用い、各フィルムをシリコンウェハとスライドガラスとの間に挟み込み、熱圧着機を用いて、９０℃、５秒間、１ＭＰａの条件で仮熱圧着を行った。その後、防爆乾燥機で１５０℃、１時間の条件で熱硬化させることによって、実施例１－１～１－４及び比較例１－１の評価サンプルを得た。
＜剥離性試験＞
　表１に示す照射条件で、評価サンプルをキセノンランプで照射し、支持部材からの剥離性を評価した。キセノンランプは、Ｘｅｎｏｎ社製のＳ２３００（波長範囲：２７０ｎｍ～近赤外領域、単位面積あたりのエネルギー：１７Ｊ／ｃｍ２）を用い、キセノンランプ照射は、評価サンプルの支持部材（スライドガラス）側から行った。照射距離は、光源とスライドガラスを設置したステージとの距離である。剥離性試験の評価は、キセノンランプ照射後、自然にシリコンウェハがスライドガラスから剥離したもの、又はシリコンウェハとスライドガラスとの間にピンセットを差し込んだときに、シリコンウェハが破損することなく、分離したものを「Ａ」と評価し、分離しなかったものを「Ｂ」と評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
＜耐熱性試験＞
　評価サンプルを加熱し、加熱処理後の支持部材と半導体部材との接着性及び支持部材からの剥離性を耐熱性として評価した。加熱は、評価サンプルを２６０℃に加熱したホットプレートに１時間放置することで行った。加熱処理後の接着性は、シリコンウェハとスライドガラスとの間にピンセットを差し込んだときに、分離しないものを「Ａ」と評価し、分離したものを「Ｂ」と評価した。加熱処理後のスライドガラスからの剥離性は、上記剥離性試験と同様に評価した。キセノンランプ照射は、上記剥離性試験と同様のキセノンランプを用い、印加電圧３０００Ｖ、パルス幅５０００μｓ、照射距離１０ｍｍ、照射回数１回、及び照射時間５０００μｓで行った。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　実施例１－１～１－４の樹脂フィルムは、比較例１－１の樹脂フィルムと比較して、支持部材からの剥離性に優れていた。これらの結果から、本発明の半導体装置の製造方法が、仮固定された半導体部材を、支持部材から容易に分離できることが確認された。また、本発明の樹脂組成物（仮固定用樹脂組成物）は、耐熱性に優れる仮固定材層を形成することが可能であることが判明した。
（実施例２－１）
＜樹脂層形成用組成物の調製＞
　熱可塑性樹脂として、水添スチレン・ブタジエンエラストマー（商品名：ダイナロン２３２４Ｐ、ＪＳＲ株式会社）８０質量部、重合性モノマーとして、１，９－ノナンジオールジアクリレ－ト（商品名：ＦＡ－１２９ＡＳ、日立化成株式会社）２０質量部、及び重合開始剤として、パーオキシエステル（商品名：パーヘキサ２５Ｏ、日油株式会社）１質量部を混合した。なお、水添スチレン・ブタジエンエラストマーはトルエンで固形分４０質量％に希釈して用いた。このようにして、溶剤としてトルエンを含む樹脂層形成用組成物のワニスを調製した。
＜光線吸収層形成用組成物の調製＞
　エポキシ樹脂（商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ　ＥＸＡ－４８１６、ＤＩＣ株式会社）１４質量部、硬化剤（商品名：キュアゾール１Ｂ２ＭＺ、四国化成工業株式会社）１質量部、導電性粒子Ｅ（銀コート銅粉、商品名：Ａｇ１４００ＹＰ、三井金属鉱業株式会社、形状：扁平状）６０質量部、及び有機溶剤（酢酸エチル）２５質量部を混合して、光線吸収層形成用組成物のワニスを調製した。
＜仮固定材用積層フィルムの作製＞
　得られた樹脂層形成用組成物のワニスを、精密塗工機を用いて、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚み：３８μｍ）の離型処理面に塗工し、８０℃で１０分間溶剤を乾燥除去し、約１００μｍの樹脂層を作製した。
　次いで、光線吸収層形成用組成物のワニスを、精密塗工機を用いて、樹脂層上に塗工し、８０℃で１０分間有機溶剤を乾燥除去し、１０００ｎｍの光線吸収層を作製した。これによって、約１００μｍの実施例２－１の仮固定材用積層フィルムを得た。
（実施例２－２）
　光線吸収層を、光線を吸収して熱を発生する導電体（チタン／銅）からなる層に変更した以外は、実施例２－１と同様にして、実施例２－２の仮固定材用積層フィルムを得た。なお、当該光線吸収層は、逆スパッタリングによる前処理（Ａｒ流速：１．２×１０－２Ｐａ・ｍ３／ｓ（７０ｓｃｃｍ）、ＲＦ電力：３００Ｗ、時間：３００秒間）後、表３に示す処理条件でＲＦスパッタリングを行い、チタン／銅の厚みを５０ｎｍ／２００ｎｍとすることによって作製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
（比較例２－１）
　光線吸収層を設けなかった（樹脂層のみとした）以外は、実施例２－１と同様にして、比較例２－１の仮固定材用積層フィルムを得た。
＜評価サンプルの作製＞
　上記で作製した実施例２－１、２－２及び比較例２－１の仮固定材用積層フィルムを５ｍｍ×５ｍｍで切り出した。支持部材として、スライドガラス（サイズ：２０ｍｍ×１５ｍｍ、厚み：１ｍｍ）及び半導体部材として、シリコンウェハ（サイズ：８ｍｍ×１０ｍｍ、厚み：７５０μｍ）を用い、各フィルムをシリコンウェハとスライドガラスとの間に、光線吸収層がスライドガラスに接するように挟み込み、熱圧着機を用いて、９０℃、５秒間、１ＭＰａの条件で仮熱圧着を行った。その後、防爆乾燥機で１５０℃、１時間の条件で熱硬化させることによって、実施例２－１、２－２及び比較例２－１の評価サンプルを得た。
＜剥離性試験＞
　表３に示す照射条件で、評価サンプルをキセノンランプで照射し、支持部材からの剥離性を評価した。キセノンランプは、Ｘｅｎｏｎ社製のＳ２３００（波長範囲：２７０ｎｍ～近赤外領域、単位面積あたりのエネルギー：１７Ｊ／ｃｍ２）を用い、キセノンランプ照射は、評価サンプルの支持部材（スライドガラス）側から行った。照射距離は、光源とスライドガラスを設置したステージとの距離である。剥離性試験の評価は、キセノンランプ照射後、自然にシリコンウェハがスライドガラスから剥離したもの、又はシリコンウェハとスライドガラスとの間にピンセットを差し込んだときに、シリコンウェハが破損することなく、分離したものを「Ａ」と評価し、分離しなかったものを「Ｂ」と評価した。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　実施例２－１、２－２の仮固定材用積層フィルムは、比較例２－１の仮固定材用積層フィルムと比較して、支持部材からの剥離性に優れていた。
　以上の結果から、本発明の半導体装置の製造方法が、仮固定された半導体部材を、支持部材から容易に分離できることが確認された。
　１０…支持部材、２０…仮固定材層、２０ｃ…硬化物、２０ｃ１…残さ、２２…導電性粒子、２４…樹脂成分、２４ｃ…樹脂成分の硬化物、３０…仮固定材層、３０ｃ…硬化物、３０ｃ１…残さ、３２…光線吸収層、３４…樹脂層、３４ｃ…樹脂層の硬化物、４０…半導体部材、４２…加工半導体部材、４４…貫通電極、５０…封止層、６０…半導体素子。

Claims (16)

  1. 　支持部材上に、光線を吸収して熱を発生する仮固定材層を形成する形成工程と、
    　前記仮固定材層上に半導体部材を配置し、前記半導体部材を前記支持部材に前記仮固定材層の硬化物を介して仮固定する仮固定工程と、
    　前記支持部材に仮固定された前記半導体部材を加工する加工工程と、
    　前記仮固定材層の硬化物に光線を照射し、加工された前記半導体部材を前記支持部材から分離する分離工程と、
    を備える、半導体装置の製造方法。
  2. 　前記分離工程における前記光線の光源が、キセノンランプある、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記分離工程における前記光線が、少なくとも赤外線を含む光線である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　前記分離工程において、前記支持部材側から前記仮固定材層の硬化物に前記光線を照射する、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 　前記仮固定材層が、光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 　前記導電性粒子の含有量が、前記仮固定材層の前記導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、３０～９０質量部である、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　前記仮固定材層が、熱可塑性樹脂をさらに含有する、請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 　前記仮固定材層が、重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含有する、請求項５～７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 　前記仮固定材層が、光線を吸収して熱を発生する光線吸収層と樹脂層とを有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 　前記光線吸収層が、スパッタリングによって形成される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 　半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材用樹脂組成物であって、
    　光線を吸収して熱を発生する導電性粒子を含有する、仮固定材用樹脂組成物。
  12. 　前記導電性粒子の含有量が、前記仮固定材用樹脂組成物の前記導電性粒子以外の成分の総量１００質量部に対して、３０～９０質量部である、請求項１１に記載の仮固定材用樹脂組成物。
  13. 　熱可塑性樹脂をさらに含有する、請求項１１又は１２に記載の仮固定材用樹脂組成物。
  14. 　重合性モノマー及び重合開始剤をさらに含有する、請求項１３に記載の仮固定材用樹脂組成物。
  15. 　フィルム状に形成された、請求項１１～１４のいずれか一項に記載の仮固定材用樹脂組成物。
  16. 　半導体部材を支持部材に仮固定するための仮固定材用積層フィルムであって、
    　支持フィルムと光線を吸収して熱を発生する光線吸収層と樹脂層とを備える、仮固定材用積層フィルム。
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