JP4868708B2 - レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、レーザー光の紫外吸収アブレーションにより半導体ウエハをダイシングする際、及び半導体ウエハをダイシングして得られる半導体チップを被着体にボンディングする際に使用するレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートに関する。また本発明は、前記粘着シートを用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置に関する。

最近の電気・電子機器の小型化等に伴って部品の小型化・高精細化が進んでいる。そのため、各種材料の切断加工についても、加工精度が±５０μｍあるいはそれ以下の高精細・高精度化が求められてきている。小型化・高密度化が強く求められている半導体分野では、現在、回転刃を用いたブレードダイシングにより半導体ウエハを切断している。

ブレードダイシングを行う場合には、半導体チップにチッピングが生じる問題がある。また、半導体ウエハに粘着性シートが設けられている場合、粘着性シートはブレードでの切断が困難であったり、半導体ウエハとの切断性が異なるため切断形状が悪くなるという問題がある。

近年、その解決方法として、レーザー光を用いた半導体ウエハの切断方法が注目されている。特に、熱ダメージが少なく、高精細の加工が可能であるレーザー光の紫外吸収アブレーションによる切断方法は、精密な切断方法として注目されている。

上記技術としては、例えば、被加工物をダイシングシートに支持固定して、レーザー光線により被加工物をダイシングする方法が提案されている（特許文献１）。そして、前記ダイシングシートとしては、支持シートを含む基材と、前記基材の片面表面に配置される粘着剤層とからなり、前記粘着剤層はレーザー光線により切断可能であり、前記支持シートはレーザー光線により切断不可能であるものが開示されている。

また、ウォーターマイクロジェットとレーザーを組み合わせて半導体ウエハをダイシングする方法も提案されている（特許文献２）。そして、基材の片面上に、非放射線硬化型粘着剤層及び放射線硬化型粘着剤層を有してなり、基材がウォータージェットのジェット水流を透過しうるものであり、かつ、非放射線硬化型粘着剤層が基材と放射線硬化型粘着剤層の間に設けられているレーザーダイシング用粘着テープが開示されている。

ところで、レーザー光を用いた場合には、レーザー加工時に被加工物、粘着テープ、又は吸着板から発生するカーボン等の分解物が被加工物の表面に付着するため、それを除去するデスミアといわれる後処理が必要となる。分解物の付着強度は、レーザー光のパワーに比例して強固となるため、レーザー光のパワーを高くすると後処理での分解物の除去が困難となる傾向にある。

特許文献１に記載のダイシングシートを使用した場合、粘着剤層は使用されるＹＡＧレーザーの基本波（波長１０６４ｎｍ）やルビーレーザー（波長６９４ｎｍ）のレーザー光線により熱加工的に切断されるが、熱分解しにくいためダイシングシートと被加工物との界面に粘着剤層の分解物が侵入してその界面部分で強固に付着する恐れがある。そのため、レーザー加工後に被加工物からダイシングシートを剥離することが困難になったり、後処理をしても付着物を完全に除去することが困難となったり、レーザー加工精度が低下するなどの問題がある。

また、特許文献２に記載の粘着テープは、ウォーターマイクロジェットとレーザーを組み合わせて半導体ウエハをダイシングする方法に使用した場合には、粘着テープの熱的ダメージはウォータージェットの冷却効果により低減されるため、レーザー照射による熱によって粘着剤層や基材が溶融や分解することを抑制できると考えられる。しかし、該粘着テープをレーザーのみを用いて半導体ウエハをダイシングする方法に使用した場合には、レーザー照射による熱によって粘着剤層や基材が溶融したり、粘着シートと半導体ウエハの界面に粘着剤層や基材の分解物が侵入してその界面部分で強固に付着し、前記と同様の問題が起こる恐れがある。また、ウォーターマイクロジェットを使用した場合には、ダイシング時の切断幅がウォータージェットの径により規定されるため、切断幅を小さくするには限界があり、半導体チップの製造効率の面で劣る。

一方、従来、半導体装置の製造過程においてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着には、銀ペーストが用いられている。かかる固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペースト状接着剤を塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト状接着剤層を硬化させて行われていた。

しかしながら、ペースト状接着剤はその粘度挙動や劣化等により塗工量や塗工形状等に大きなバラツキを生じる。その結果、形成されるペースト状接着剤厚は不均一となるため半導体チップに係わる固着強度の信頼性が乏しい。すなわち、ペースト状接着剤の塗工量が不足すると半導体チップと電極部材との間の固着強度が低くなり、後続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離する。一方、ペースト状接着剤の塗工量が多すぎると半導体チップの上までペースト状接着剤が流延して特性不良を生じ、歩留まりや信頼性が低下する。このような固着処理における問題は、半導体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなっている。そのため、ペースト状接着剤の塗工量の制御を頻繁に行う必要があり、作業性や生産性に支障をきたす。

このペースト状接着剤の塗工工程において、ペースト状接着剤をリードフレームや形成チップに別途塗布する方法がある。しかし、この方法では、ペースト状接着剤層の均一化が困難であり、またペースト状接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。

このため、ダイシング工程で半導体ウエハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（特許文献３）。

このダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものであり、その接着剤層による保持下に半導体ウエハをダイシングしたのち、支持基材を延伸して形成チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。

しかし、前記ダイシング・ダイボンドフィルムは、ブレードダイシングする際に用いられるダイシングフィルムであり、レーザーダイシングに適したダイシングフィルムではない。そのため、レーザー光の紫外吸収アブレーションにより半導体ウエハをレーザーダイシングするのに適しており、さらに個片化した半導体チップをダイボンドすることのできるレーザーダイシング・ダイボンドフィルムが求められていた。
特開２００２−３４３７４７号公報 特開２００３−３４７８０号公報 特開昭６０−５７６４２号公報

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、レーザー光の紫外吸収アブレーションにより半導体ウエハを切断する場合に、分解物による半導体ウエハ表面の汚染を効果的に抑制することができ、半導体ウエハを高精度・高速に切断でき、かつ個片化した半導体チップを容易に回収でき、さらに半導体チップを被着体に容易にダイボンドすることのできるレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートを提供することを目的とする。また本発明は、前記粘着シートを用いて生産効率よくかつ容易に半導体装置を製造する方法、及び該方法によって製造される半導体装置を提供することを目的とする。

本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（以下、粘着シートともいう）により上記目的を達成できることを見出し本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられており、粘着剤層のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ² ）〕以上であり、かつ基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ² ）〕未満であることを特徴とするレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートに関する。

前記粘着シートは、レーザー光の紫外吸収アブレーションにより半導体ウエハをレーザー加工する前に、半導体ウエハの吸着ステージ面側（レーザー光出射面側）に貼付され、切断時及びその後の工程で個片化した半導体チップを支持固定したり、半導体チップを被着体にダイボンドするために用いられる。

粘着剤層や基材のエッチング速度（μｍ／ｐｕｌｓｅ）を、使用するレーザーのエネルギーフルエンス（Ｊ／ｃｍ² ）で割った値であるエッチング率は、粘着剤層や基材のレーザーダイシング性の程度を示すものであり、該エッチング率が小さいほどエッチングされ難いことを示す。前記エッチング率の算出方法は詳しくは実施例の記載による。

本発明においては、エッチング率が０．４以上の粘着剤層を用いることにより、粘着剤層を短時間で、かつ容易にエッチングすることができる。そのため、粘着剤層の分解物による半導体ウエハ表面の汚染を効果的に防止することができる。エッチング率が０．４未満の場合には、粘着剤層のエッチングに時間がかかりすぎたり、完全に分解することができないため、分解物が半導体ウエハ表面を汚染する恐れがある。半導体ウエハ表面が分解物によって汚染されると、レーザーダイシング後の後処理において分解物除去が困難になったり、半導体ウエハの切断精度が低下する傾向にある。粘着剤層のエッチング率は、０．４５以上であることが好ましく、さらに好ましくは０．５以上である。

また、本発明においては、エッチング率が０．４未満の基材を用いることにより、基材のエッチングを効果的に抑制することができ、基材や吸着板の分解物による半導体ウエハ表面の汚染を防止することができる。また、基材が切断されないため、個片化した半導体チップがバラバラになったり、落下することを防止することができる。エッチング率が０．４以上場合には、基材のレーザーエネルギー利用効率が大きくなるため、基材のエッチングが進行しやすくなる傾向にある。そのため、基材のエッチングにより生じた分解物や吸着ステージ上に設けられた吸着板の分解物などが、半導体ウエハの表面を汚染する恐れがある。半導体ウエハ表面が分解物によって汚染されると、レーザーダイシング後の後処理において分解物除去が困難になったり、半導体ウエハの切断精度が低下する傾向にある。基材のエッチング率は、０．２以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．１以下である。

本発明において、前記粘着剤層は、熱硬化性樹脂を含有する粘着剤組成物からなることが好ましい。レーザーダイシング後においては、前記粘着剤層は半導体チップを被着体にダイボンドする機能を有する。半導体ウエハに予め粘着剤層を設けておくことにより、半導体ウエハをレーザーダイシングすれば半導体チップ裏面にダイボンド材がすでに設けられている状態となり、各チップごとにダイボンド材を設ける必要がなくなり製造効率が向上する。

また、前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂であることが好ましい。熱硬化性樹脂として前記樹脂を用いることにより低い溶融粘度と高耐熱性の両立が可能となる。

また、本発明においては、前記基材が、ポリオレフィン系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、ポリウレタン系樹脂、又はポリアルキレングリコール系樹脂を含有してなるものであることが好ましい。前記ポリオレフィン系樹脂は、ポリエチレンであることが好ましい。また、前記ポリオレフィン系樹脂の側鎖の官能基は、メチレン結合又はエーテル結合により主鎖に連結していることが好ましい。基材の形成材料として前記材料を用いることにより、基材のエッチング率を０．４未満に調整しやすくなる。

本発明は、半導体ウエハのレーザー光出射面側に前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートを貼付する工程、半導体ウエハにレーザー光を照射してレーザーダイシングすることにより、半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程、個片化した半導体チップから前記粘着シートの基材を剥離する工程、前記半導体チップの片面に有する粘着剤層を被着体に貼付して、半導体チップを被着体上に固着する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

また、本発明は、半導体ウエハのレーザー光出射面側に前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートを貼付する工程、半導体ウエハのレーザー光入射面側にレーザーダイシング用保護シートを設ける工程、半導体ウエハにレーザー光を照射してレーザーダイシングすることにより、半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程、個片化した半導体チップから前記保護シートを剥離する工程、個片化した半導体チップから前記粘着シートの基材を剥離する工程、前記半導体チップの片面に有する粘着剤層を被着体に貼付して、半導体チップを被着体上に固着する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

前記レーザーダイシング用保護シートは、基材フィルム上に少なくとも接着剤層が設けらたものであり、基材フィルムのエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ² ）〕以上であることが好ましい。

また、本発明は、前記製造方法によって得られる半導体装置に関する。

本発明で用いられるレーザーとしては、レーザーダイシング時の熱的なダメージにより半導体ウエハの切断壁面の精度及び外見を悪化させないために、熱加工プロセスを経由しない非熱的加工である紫外光吸収によるアブレーション加工が可能なレーザーを用いる。特に、レーザー光を２０μｍ以下の細い幅に集光でき、４００ｎｍ以下の紫外線を放射するレーザーを用いることが好ましい。

具体的には、４００ｎｍ以下に発振波長を持つレーザー、例えば、発振波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、３０８ｎｍのＸｅＣＩエキシマレーザー、ＹＡＧレーザーの第三高調波（３５５ｎｍ）や第四高調波（２６６ｎｍ）、又は４００ｎｍ以上の波長を持つレーザーの場合には、多光子吸収過程を経由した紫外線領域の光吸収が可能で、かつ多光子吸収アブレーションにより２０μｍ以下の幅の切断加工などが可能である波長７５０〜８００ｎｍ付近のチタンサファイヤレーザー等でパルス幅が１ｅ^-9秒（０．００００００００１秒）以下のレーザーなどが挙げられる。

半導体ウエハとしては、上記レーザーにより出力されたレーザー光の紫外吸収アブレーションにより加工できるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコンウエハ、ゲルマニウムウエハ、ガリウム・ヒ素ウエハ、回路基板、セラミック基板、金属基板、半導体レーザー等の発光あるいは受光素子基板、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）基板、及び半導体パッケージなどが挙げられる。

本発明の粘着シートは、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられており、粘着剤層のエッチング率が０．４以上であり、かつ基材のエッチング率が０．４未満のものである。

粘着剤層の形成材料としては、エッチング率を０．４以上にでき、半導体ウエハに粘着可能な粘着剤であれば特に制限されず、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などを含有する粘着剤組成物が挙げられる。特に、低溶融粘度と高耐熱性の両立が可能である熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。また、粘着剤層のエッチング率を０．４以上にするために芳香環構造を有する樹脂を用いることが好ましい。

粘着剤組成物の主材料である熱硬化性樹脂は特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ベンゾシクロブテン等が挙げられる。これら熱硬化性樹脂は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。特に、低い溶融粘度、高耐熱性、及び溶融時の濡れ性に優れるエポキシ樹脂やフェノール樹脂が好適に用いられる。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、及びヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型等のグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらエポキシ樹脂は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。

前記粘着剤組成物には必要により硬化剤を配合することができる。硬化剤は公知のものを特に制限なく使用することができ、例えば、フェノール樹脂、酸無水物、アミン化合物、イミダゾール化合物、ポリアミン化合物、ヒドラジド化合物、ジシアンジアミド等があげられる。特に、フェノールアラルキル樹脂、及びフェノールノボラック樹脂などの低粘度のフェノール樹脂を用いることが好ましい。

硬化剤の添加量は、熱硬化性樹脂を硬化させるのに十分な量であればよく、例えば、硬化剤としてフェノール樹脂を用いた場合には、熱硬化性樹脂の官能基１当量に対してフェノール樹脂中の水酸基当量が０．５〜１．６となる量であることが好ましく、さらに好ましくは０．８〜１．２となる量である。

前記粘着剤組成物には熱可塑性成分を加えてもよい。熱可塑性成分は特に制限されないが、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリスチレン、アクリルゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム等があげられる。

前記粘着剤組成物は、固形分（溶剤以外のもの）１００重量％に対して熱可塑性成分を３〜５０重量％含有するように調整することが好ましい。

また、前記粘着剤組成物には必要に応じて硬化促進剤を配合することもできる。硬化促進剤は、従来から知られている種々の硬化促進剤が使用可能であり、例えば、アミン系、イミダゾール系、リン系、ホウ素系、リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。具体的には、エチルグアニジン、トリメチルグアニジン、フェニルグアニジン、ジフェニルグアニジン等のアルキル置換グアニジン類、３−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−フェニル−１，１−ジメチル尿素、３−（４−クロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素等の３−置換フェニル−１，１−ジメチル尿素類、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−へプタデシルイミダゾリン等のイミダゾリン類、２−アミノピリジン等のモノアミノピリジン類、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロピル）アミン−Ｎ−ラクトイミド等のアミンイミド系類、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、フェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン／トリフェニルボラン錯体、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノネン−５等のジアザビシクロアルケン系化合物等があげられる。これら硬化促進剤は１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、これらをマイクロカプセルに封入したものからなる潜在性触媒は好適に用いられる。

また、前記粘着剤組成物には必要に応じて有機材料や無機材料を加えることもできる。有機材料としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、表面調整剤、酸化防止剤、粘着付与剤等があげられる。無機材料としては、アルミナ、シリカ、窒化珪素、酸化マンガン、及び炭酸カルシウム等の各種充填剤、チタン、銅、銀、アルミ、ニッケル、及び半田等の金属粒子があげられる。無機材料は、粒径が小さく、かつ所定の粒度分布を有するものを使用することが好ましい。これらのなかで、球状シリカ粉末または破砕状シリカ粉末が好ましく、特に球状シリカ粉末が好ましい。その他、顔料や染料等があげられる。無機材料の配合割合は特に制限されないが、組成物（固形分）中に７５重量％以下が好ましく、さらに好ましくは６０重量％以下、特に好ましくは５０重量％以下である。これ以上の無機材料等を配合すると、溶融粘度が高くなり、被着体との十分な濡れが確保できない傾向にある。

本発明の粘着シートは、例えば、次のようにして作製することができる。すなわち、前記各成分を配合した粘着剤組成物を、従来公知の有機溶剤に溶解させ、溶解装置を用いて均一に混合、分散して、液状ワニス（無機充填剤を使用する場合は分散液）等の粘着剤組成物溶液を作製する。そして、基材上に従来公知の塗工機等を用いて上記粘着剤組成物溶液を塗工した後、これを５０〜１６０℃で乾燥することにより作製することができる。

上記溶解装置としては、例えば、フラスコ装置、ホモミキサ−装置等があげられる。また上記塗工機としては、熱風循環式乾燥装置を有するものが好ましい。

上記有機溶剤としては、粘着剤組成物の形成材料である各成分を溶解できるものであれば特に限定はないが、低沸点溶剤を用いることが好ましい。上記有機溶剤としては、ケトン系溶剤、グリコ−ルジエーテル系溶剤、含窒素系溶剤等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。また、有機溶剤の一部は、粘着剤組成物の各成分の溶解性を損なわない範囲で炭化水素系溶剤、エステル系溶剤、多価アルコール誘導体を使用してもよい。

上記ケトン系溶剤としては、特に限定はない。例えば、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノン等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。これらのなかでも、蒸発速度を早めるという点で、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロへキサノン、アセトフェノンが好適に用いられる。

上記グリコールジエーテル系溶剤としては、特に限定はない。例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。

上記炭化水素系溶剤としては、特に限定はい。例えば、トルエン、キシレン等があげられる。上記エステル系溶剤としては、特に限定はなく、例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等があげられる。上記多価アルコール誘導体としては、特に限定はなく、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等があげられる。これらは１種を単独で、または２種以上を併用して用いられる。

粘着剤層の厚さは、一般には１〜２００μｍであり、好ましくは１０〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜５０μｍである。

また粘着剤層の接着力は、ＳＵＳ３０４に対する常温（レーザー照射前）での接着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．００１〜１０Ｎ／２０ｍｍ、特に好ましくは０．０１〜８Ｎ／２０ｍｍである。

前記基材の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、（メタ）アクリル系ポリマー、ポリウレタン系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、ポリエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコールなどのポリアルキレングリコール系樹脂、シリコン系ゴム、及びポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリビニルアルコール、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン系樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

これらのうち、ポリオレフィン系樹脂を用いることが好ましく、特にポリエチレンなどの直鎖状飽和炭化水素系樹脂を用いることが好ましい。側鎖に官能基を有しないポリエチレンのエッチング率は極めて小さく、レーザーダイシング性が特に低いため、ポリエチレン分解物の発生を効果的に抑制することができる。

また、側鎖に官能基を有するポリオレフィン系樹脂であっても、側鎖の官能基がメチレン結合（−ＣＨ₂ −）又はエーテル結合（−Ｏ−）により主鎖に連結している場合には、メチル基やフェニル基などの側鎖官能基が主鎖に直接連結しているポリプロピレンやポリスチレンなど場合に比べてエッチング率は小さく、レーザーダイシング性が低いため、ポリオレフィン分解物の発生を抑制することができる。その理由は明らかではないが、メチレン結合やエーテル結合はスペーサーとして主鎖と側鎖との距離をある程度保持でき、その距離とポリマーの熱的緩和性や運動性とがレーザーダイシング性に関係していると思われる。

側鎖の官能基がメチレン結合又はエーテル結合により主鎖に連結しているポリオレフィン系樹脂としては、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコールなどが挙げられる。

また、ポリウレタン系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、又はポリアルキレングリコール系樹脂を基材として用いることにより、エッチング率を小さくすることができ、基材の分解物の発生を抑制することができる。その理由は明らかではないが、ポリウレタン系樹脂やポリノルボルネン系樹脂は非晶性樹脂であり、ポリアルキレングリコール系樹脂は主鎖にエーテル結合を有しており、この非晶性やエーテル結合がレーザーダイシング性に関係していると考えられる。

基材は単層であってもよく複層であってもよい。また、膜状やメッシュ状など種々の形状を取り得る。

基材の厚さは、半導体ウエハへの貼り合わせ、半導体ウエハの切断、及び半導体チップからの剥離などの各工程における操作性や作業性を損なわない範囲で適宜調整することができるが、通常５００μｍ以下であり、好ましくは３〜３００μｍ程度であり、さらに好ましくは５〜２５０μｍである。基材の表面は、吸着板などの隣接する材料との密着性、保持性などを高めるために慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン曝露、火炎曝露、高圧電撃曝露、及びイオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、あるいは下塗り剤（例えば、後述の粘着物質）によるコーティング処理が施されていてもよい。

以下、前記粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を説明する。半導体ウエハのレーザーダイシングは、図１の如く半導体ウエハ１の片面を吸着板６上に設けられた粘着シート４に貼り合わせ、所定のレーザー発振器より出力されるレーザー光７をレンズにて半導体ウエハ１上に集光・照射するとともに、そのレーザー照射位置を所定の加工ライン上に沿って移動させることによりレーザーダイシングを行う。レーザー光７の移動手段としては、ガルバノスキャンあるいはＸ−Ｙステージスキャン、マスク、イメーソング加工といった公知の方法が用いられる。かかる半導体ウエハのダイシング条件は、半導体ウエハ１及び粘着剤層２が切断され、かつ基材３が切断されない条件であれば特に限定されないが、基材３まで切断されることを回避するため、半導体ウエハ１がダイシングされるエネルギー条件の２倍以内とすることが好ましい。

また、切りしろ（切断溝）はレーザー光の集光部のビーム径を絞ることにより細くできるが、切断端面の精度を出すために、
ビーム径（μｍ）＞２×（レーザー光移動速度（μｍ／ｓｅｃ）／レーザー光の繰り返し周波数（Ｈｚ））を満たすことが好ましい。

また、ヘリウム、窒素、酸素等のガスをレーザー光照射部に吹き付けることにより、分解物の飛散除去を効率化することもできる。

半導体ウエハ１のレーザー光入射面側には、図２の如くレーザーダイシング用保護シート８が設けられていてもよい。前記保護シートは、基材フィルム上に少なくとも接着剤層が設けらたものであり、基材フィルムのエッチング率が０．４以上であることが好ましい。

前記保護シート８は、レーザー光の紫外吸収アブレーションにより半導体ウエハ１をレーザーダイシングする前に、半導体ウエハ１のレーザー光照射面側（レーザー光入射面側）に積層（貼付）され、アブレーションによって発生する分解物や飛散物から半導体ウエハ表面を保護するために用いられるものである。

基材フィルムのエッチング率が０．４以上である保護シートを用いることにより、分解物による半導体ウエハ表面の汚染を効果的に抑制することができる。その理由としては、以下のように考えらる。基材フィルムのエッチング率が０．４以上の場合には、基材フィルムのレーザーエネルギー利用効率が大きいため、半導体ウエハよりも先に基材フィルムがエッチングされる。そして、保護シートのレーザー光照射部がエッチングされた後に半導体ウエハがエッチングされるが、半導体ウエハの分解物は、保護シートのエッチング部分から外部に効率的に飛散するため、保護シートと半導体ウエハとの界面部分に進入しにくくなり、その結果、半導体ウエハ表面の汚染を抑制できると考えられる。

前記基材フィルムのエッチング率は、０．５以上であることが好ましく、さらに好ましくは０．６以上である。エッチング率が０．４未満の場合には、光エネルギー吸収体である半導体ウエハへのエネルギー伝達が増加し、基材フィルムがレーザー光により十分にエッチングされる前に、保護シートを透過したレーザー光により半導体ウエハのエッチングが進行する。そして、その場合には、半導体ウエハのエッチングにより生じた分解物の飛散経路がないため、保護シートと半導体ウエハとの界面部分に分解物が入り込んで半導体ウエハ表面を汚染する恐れがある。前記のように半導体ウエハ表面が分解物によって汚染されると、半導体ウエハをレーザーダイシングした後に、保護シートを半導体ウエハから剥離することが困難になったり、後処理での分解物除去が困難になったり、半導体ウエハのダイシング精度が低下する傾向にある。

前記保護シートは、基材フィルム上に少なくとも接着剤層が設けられているものであることが好ましい。保護シートに接着性を付与することにより、保護シートと半導体ウエハとの界面の密着性を向上させることができるため、分解物の界面への侵入を抑制することができ、その結果、分解物による半導体ウエハ表面の汚染をさらに抑制することが可能となる。

基材フィルムの形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、（メタ）アクリル系ポリマー、ポリウレタン、シリコン系ゴム、及びポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンオキサイドなどのポリオレフィン系ポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらのうち、芳香族系ポリマーを用いることが好ましく、特にポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、又はポリカーボネートを用いることが好ましい。また、シリコン系ゴムを用いることも好ましい。

基材フィルムには、充填剤を添加することが好ましい。充填剤とは、エッチング率を０．４以上にするために添加する材料であり、例えば、顔料、染料、色素、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ等の金属微粒子、及び金属コロイド、カーボン等の無機微粒子などが挙げられる。

色素は、使用するレーザーの特定波長の光を吸収するものであればよく、また染料としては、塩基性染料、酸性染料、直接染料などの各種染料を用いることができる。前記染料又は色素としては、例えば、ニトロ染料、ニトロソ染料、スチルベン染料、ピラゾロン染料、チアゾール染料、アゾ染料、ポリアゾ染料、カルボニウム染料、キノアニル染料、インドフェノール染料、インドアニリン染料、インダミン染料、キノンイミン染料、アジン染料、酸化染料、オキサジン染料、チアジン染料、アクリジン染料、ジフェニルメタン染料、トリフェニルメタン染料、キサンテン染料、チオキサンテン染料、硫化染料、ピリジン染料、ピリドン染料、チアジアゾール染料、チオフェン染料、ベンゾイソチアゾール染料、ジシアノイミダゾール染料、ベンゾピラン染料、ベンゾジフラノン染料、キノリン染料、インジゴ染料、チオインジゴ染料、アントラキノン染料、ベンゾフェノン染料、ベンゾキノン染料、ナフトキノン染料、フタロシアニン染料、シアニン染料、メチン染料、ポリメチン染料、アゾメチン染料、縮合メチン染料、ナフタルイミド染料、ペリノン染料、トリアリールメタン染料、ザンセン染料、アミノケトン染料、オキシケトン染料、及びインジゴイド染料などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、染料又は色素は、非線形光学色素であってもよい。非線形光学色素としては、特に制限されず、公知の非線形光学色素（例えば、ベンゼン系非線形光学色素、スチルベン系非線形光学色素、シアニン系非線形光学色素、アゾ系非線形光学色素、ローダミン系非線形光学色素、ビフェニル系非線形光学色素、カルコン系非線形光学色素、及びシアノ桂皮酸系非線形光学色素など）が挙げられる。

さらに、染料又は色素としては、いわゆる「機能性色素」も用いることができる。前記機能性色素は、例えば、キャリアー生成材料とキャリアー移動材料とで構成されている。キャリアー生成材料としては、例えば、ペリレン系顔料、キノン系顔料、スクアリリウム色素、アズレニウム色素、チアピリリウム色素、ビスアゾ系顔料などが挙げられる。キャリアー移動材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン誘導体、及びアリールアミン誘導体などが挙げられる。

前記充填剤の添加量は、使用するベースポリマー自体のエッチング率などによって適宜調整することができるが、通常ベースポリマー１００重量部に対して５重量部程度であり、好ましくは３重量部程度である。

基材フィルムは単層であってもよく複層であてもよい。また、膜状やメッシュ状など種々の形状を取り得る。

基材フィルムの厚さは、貼り合わせや剥離時の操作性や作業性を損なわない範囲で適宜調整することができるが、通常５００μｍ以下であり、好ましくは３〜３００μｍ程度であり、さらに好ましくは５〜２５０μｍである。基材フィルムの表面は、接着剤層との密着性、保持性などを高めるために慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン曝露、火炎曝露、高圧電撃曝露、及びイオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理が施されていてもよい。

接着剤層の形成材料としては、（メタ）アクリル系ポリマーやゴム系ポリマーなどを含む公知の接着剤を用いることができる。

（メタ）アクリル系ポリマーを形成するモノマー成分としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プルピル基、イソプルピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、及びドデシル基などの炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

上記以外のモノマー成分としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、及び（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマーなどが挙げられる。これらモノマー成分は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

また、（メタ）アクリル系ポリマーの架橋処理等を目的に多官能モノマーなども必要に応じて共重合モノマー成分として用いることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これら多官能モノマーは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

多官能モノマーの使用量は、接着特性等の観点より全モノマー成分の３０重量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは２０重量％以下である。

（メタ）アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上のモノマー成分を含む混合物を溶液重合方式、乳化重合方式、塊状重合方式、又は懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。

重合開始剤としては、過酸化水素、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキサイドなどの過酸化物系が挙げられる。単独で用いるのが望ましいが、還元剤と組み合わせてレドックス系重合開始剤として使用することもできる。還元剤としては、例えば、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩などのイオン化の塩、トリエタノールアミン等のアミン類、アルドース、ケトース等の還元糖などを挙げることができる。また、アゾ化合物も好ましい重合開始剤であり、２，２’−アゾビス−２−メチルプロピオアミジン酸塩、２，２’−アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２’−アゾビス−Ｎ，Ｎ’−ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド等を使用することができる。また、上記重合開始剤を２種以上併用して使用することも可能である。

反応温度は通常５０〜８５℃程度、反応時間は１〜８時間程度とされる。また、前記製造法のなかでも溶液重合法が好ましく、（メタ）アクリル系ポリマーの溶媒としては一般に酢酸エチル、トルエン等の極性溶剤が用いられる。溶液濃度は通常２０〜８０重量％程度とされる。

前記接着剤には、ベースポリマーである（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量を高めるため、架橋剤を適宜に加えることもできる。架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は引き剥がし接着力が下がり過ぎないことを考慮し、一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、０．０１〜５重量部程度配合するのが好ましい。また接着剤層を形成する接着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることができる。

半導体チップからの剥離性を向上させるため、接着剤は、紫外線、電子線等の放射線により硬化する放射線硬化型接着剤とすることが好ましい。なお、接着剤として放射線硬化型接着剤を用いる場合には、レーザーダイシング後に接着剤層に放射線が照射されるため、前記基材フィルムは十分な放射線透過性を有するものが好ましい。

放射線硬化型接着剤としては、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ接着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型接着剤としては、例えば、前述の（メタ）アクリル系ポリマーに放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した放射線硬化性接着剤が挙げられる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、及び１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、特に制限されるものではないが、接着性を考慮すると、接着剤を構成する (メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、５〜５００重量部程度であることが好ましく、さらに好ましくは７０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型接着剤としては、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いることもできる。このようなベースポリマーとしては、（メタ）アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。この場合においては、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を特に加えなくてもよく、その使用は任意である。

前記放射線硬化型接着剤には、紫外線線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシーα，α−メチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシー２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニゾインメチルエーテルの如きベンゾインエーテル系化合物、２−メチル−２−ヒドロキシプロピルフェノンなどのα−ケトール系化合物、ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物、２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナートなどが挙げられる。

光重合開始剤の配合量は、接着剤を構成する (メタ）アクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、０．１〜１０重量部程度であることが好ましく、さらに好ましくは０．５〜５重量部程度である。

前記保護シートは、例えば、基材フィルムの表面に接着剤溶液を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）接着剤層を形成することにより製造することができる。また、別途、剥離ライナーに接着剤層を形成した後、それを基材フィルムに貼り合せる方法等を採用することができる。

接着剤層は、半導体チップへの汚染防止等の点より低分子量物質の含有量が少ないことが好ましい。かかる点より（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は３０万以上であることが好ましく、さらに好ましくは４０万〜３００万である。

接着剤層の厚さは、半導体ウエハから剥離しない範囲で適宜選択できるが、通常５〜３００μｍ程度、好ましくは１０〜１００μｍ程度、さらに好ましくは１０〜５０μｍ程度である。

また接着剤層の接着力は、ＳＵＳ３０４に対する常温（レーザー照射前）での接着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．００１〜１０Ｎ／２０ｍｍ、特に好ましくは０．０１〜８Ｎ／２０ｍｍである。

個々の半導体チップに個片化した後、保護シート８、粘着シート４の基材３を剥離して粘着剤層２を有する半導体チップを回収する。剥離する方法は制限されないが、剥離時に半導体チップが永久変形するような応力がかからないようにすることが肝要である。例えば、保護シートの接着剤層に放射線硬化型接着剤を用いた場合には、接着剤の種類に応じて放射線照射により接着剤層を硬化させ接着性を低下させる。放射線照射により、接着剤層の接着性が硬化により低下して剥離を容易化させることができる。放射線照射の手段は特に制限されないが、例えば、紫外線照射等により行われる。

半導体チップを回収する方法としては、従来より知られるダイボンダーなどの装置によりニードルと呼ばれる突き上げピンを用いてピックアップする方法、或いは、特開２００１−１１８８６２号公報に示される方式などが挙げられる。

次いで、粘着剤層２を有する半導体チップを被着体、例えばリードフレームのダイパッド上に載せて加熱処理して固着する。加熱処理は、例えばヒーター、超音波、紫外線など、公知の適宜の手段を用いてよい。加熱温度は通常は５０〜３００℃、好ましくは１００〜２５０℃であり、加熱時間は０．１秒間〜３０分間、好ましくは０．５秒間〜３分間である。このような加熱処理により、粘着剤層２中の樹脂を硬化させ、半導体チップと被着体（電極部材）とを固着する。

その後、公知の方法により、例えば、リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する工程、及び封止樹脂により半導体チップ側を片面封止する工程などにより半導体装置を製造することができる。

以下に、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。

〔数平均分子量の測定〕
合成した（メタ）アクリル系ポリマーの数平均分子量は以下の方法で測定した。合成した（メタ）アクリル系ポリマーをＴＨＦに０．１ｗｔ％で溶解させて、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）を用いてポリスチレン換算により数平均分子量を測定した。詳しい測定条件は以下の通りである。
ＧＰＣ装置：東ソー製、ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ
カラム：東ソー製、（ＧＭＨ_HR−Ｈ）＋（ＧＭＨ_HR−Ｈ）＋（Ｇ２０００Ｈ_HR）
流量：０．８ｍｌ／ｍｉｎ
濃度：０．１ｗｔ％
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ

〔エッチング率の測定〕
トップハット形状にビーム整形したＹＡＧレーザー（最大出力５Ｗ、繰り返し周波数３０ｋＨｚ）の第三高調波（波長３５５ｎｍ）をｆθレンズにより集光し、パルス数５（ｐｕｌｓｅ）の条件で粘着剤層、基材、又は基材フィルム表面に照射した。照射後、形成された溝の深さ（μｍ）を光学顕微鏡で測定した。エッチング速度は下記式により算出される。
エッチング速度＝溝深さ（μｍ）／パルス数（ｐｕｌｓｅ）
また前記ＹＡＧレーザーのエネルギーフルエンスは３（Ｊ／ｃｍ² ）であった。エッチング率は、上記エッチング速度とエネルギーフルエンスとから下記式により算出される。エッチング率＝エッチング速度（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／エネルギーフルエンス（Ｊ／ｃｍ² ）

実施例１
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
塗工機（コンマコーター）を用いて、ポリエチレンからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０）上に熱硬化性樹脂組成物を塗布し、６０℃で乾燥して粘着剤層（厚さ５０μｍ、エッチング率：０．６３）を形成してレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ａ）を作製した。

前記熱硬化性樹脂組成物は以下の方法で調製した。フェノール型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＰＰＮ５０１ＨＹ）２２重量部、硬化剤としてフェノールアラルキル系樹脂（三井化学社製、ＹＬＣ−ＬＬ）２３重量部、無機充填剤として球状シリカ粉末３０重量部、低応力化剤としてアクリロニトリルブタジエンゴム２４重量部、触媒として１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７（ＤＢＵ）０．２重量部、及びカップリング剤としてグリシドキシプロピルトリメトキシシラン０．３重量部をメチルエチルケトン中に加えて混合して熱硬化性樹脂組成物を調製した。

（レーザーダイシング用保護シートの作製）
ポリスチレンからなる基材フィルム（厚さ２０μｍ、エッチング率：０．４８）上に、紫外線により硬化可能なアクリル系接着剤溶液（１）を塗布、乾燥して接着剤層（厚さ１０μｍ）を形成してレーザーダイシング用保護シート（Ａ）を得た。

なお、前記アクリル系接着剤溶液（１）は以下の方法で調製した。ブチルアクリレート／エチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリル酸を重量比６０／４０／４／１で共重合させてなる数平均分子量８０万のアクリル系ポリマー１００重量部、光重合性化合物としてジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート９０重量部、光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール（イルガキュア６５１）５重量部、及びポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン製、コロネートＬ）２重量部をトルエンに加え、均一に混合してアクリル系接着剤溶液（１）を調製した。

（半導体装置の作製）
高さ５０μｍの金メッキバンプ（ペリフェラル２００バンプ／チップ、ピッチ１８０μｍ）付きシリコンウエハ（直径１５０μｍ、厚さ２００μｍ）の裏面（バックグラインド研磨表面）に前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ａ）を貼付し、表面（バンプ面）に前記レーザーダイシング用保護シート（Ａ）を貼付して粘着・保護シート付きウエハを作製した。

そして、ガラスエポキシ樹脂製吸着板をのせたＸＹステージ上に、粘着シート面を下にして粘着・保護シート付きウエハを配置した。波長３５５ｎｍ、平均出力５Ｗ、繰り返し周波数３０ｋＨｚのＹＡＧレーザーの第三高調波（３５５ｎｍ）をｆθレンズによりウエハ表面に２５μｍ径に集光して、ガルバノスキャナーによりレーザー光を２０ｍｍ／秒の速度でスキャンして、半導体チップ（９．４ｍｍ×９．４ｍｍ）に個片化した。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ａ）の基材は全く切断されていなかった。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。次に、半導体チップから粘着シート（ａ）の基材を剥離し、半導体チップの粘着面をリードフレームのダイパッド上に載せて加熱処理し、粘着剤層を溶融・硬化させて半導体チップを固着した。加熱処理条件は、ステージ温度５０℃、ツール温度２５０℃、ボンディング荷重９８Ｎ／チップ、ボンディング時間３０秒である。

その後、リードフレームの端子部先端と前記半導体チップ上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続し、さらに封止樹脂により半導体チップ側を片面封止することにより半導体装置を製造した。

実施例２
実施例１において、保護シート（Ａ）を半導体ウエハに貼付しなかった以外は実施例１と同様の方法により粘着シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着シート付きウエハをレーザーダイシングした。レーザー加工周辺部を観察したところ、ウエハの分解物が付着していたが、純水洗浄により容易に除去できた。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例３
（レーザーダイシング用保護シートの作製）
シリコーンゴムからなる基材フィルム（厚さ２０μｍ、エッチング率：０．５２）上に、紫外線により硬化可能なアクリル系接着剤溶液（２）を塗布、乾燥して接着剤層（厚さ１０μｍ）を形成してレーザーダイシング用保護シート（Ｂ）を得た。

なお、前記アクリル系接着剤溶液（２）は以下の方法で調製した。ブチルアクリレート／エチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートを重量比５０／５０／１６で共重合させてなる数平均分子量５０万のアクリル系ポリマー１００重量部、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート２０重量部を付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した（この時の側鎖の長さは原子数で１３個）。このポリマー１００重量部、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン製、コロネートＬ）１重量部、及び光重合開始剤としてα−ヒドロキシケトン（イルガキュア１８４）３重量部をトルエンに加え、均一に混合してアクリル系粘着剤溶液（２）を調製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング用保護シート（Ｂ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ｂ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ａ）の基材は全く切断されていなかった。その後、保護シート（Ｂ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例４
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリテトラフルオロエチレンからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｂ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｂ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｂ）の基材は全く切断されていなかった。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例５
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、エチレン・ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）からなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｃ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｃ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｃ）の基材は全く切断されていなかった。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例６
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、エチレン−酢酸ビニル共重合体からなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｄ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｄ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｄ）の基材は全く切断されていなかった。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例７
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリブタジエンからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０．２４）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｅ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｅ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｅ）の基材は切断されていなかった（溝深さ８μｍ）。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例８
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリメチルペンテンからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０．１４）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｆ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｆ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｆ）の基材は切断されていなかった（溝深さ３μｍ）。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例９
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリノルボルネンからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０．１４）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｇ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｇ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｇ）の基材は切断されていなかった（溝深さ４μｍ）。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例１０
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリビニルアルコールからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０．００１）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｈ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｈ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｈ）の基材は全く切断されていなかった。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例１１
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリウレタンからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０．２９）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｉ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｉ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｉ）の基材は切断されていなかった（溝深さ１２μｍ）。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

実施例１２
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリエチレングリコールからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０．０５）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｊ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｊ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着剤層は切断されていたが、粘着シート（ｊ）の基材は全く切断されていなかった。その後、保護シート（Ａ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物（付着物）は観察されなかった。その後、実施例１と同様の方法より半導体装置を製造した。

比較例１
（レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートの作製）
実施例１において、ポリエチレンテレフタレートからなる基材（厚さ１００μｍ、エッチング率：０．７６）を用いた以外は実施例１と同様の方法によりレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｋ）を作製した。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート（ｋ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、保護シート（Ａ）、ウエハ、及び粘着シート（ｋ）が切断されていた。その後、保護シート（Ａ）及び粘着シート（ｋ）の基材を剥離して、半導体チップのレーザー加工周辺部を観察したところ、吸着板に由来する分解物が多量に付着しており、純水洗浄によって完全に除去することができなかった。

比較例２
（レーザーダイシング用保護シートの作製）
ポリエチレンからなる基材フィルム（厚さ２０μｍ、エッチング率：０）上に、紫外線により硬化可能なアクリル系接着剤溶液（１）を塗布、乾燥して接着剤層（厚さ１０μｍ）を形成してレーザーダイシング用保護シート（Ｃ）を得た。

（半導体装置の作製）
前記レーザーダイシング用保護シート（Ｃ）を用いた以外は実施例１と同様の方法により粘着・保護シート付きウエハを作製した。

実施例１と同様の方法より粘着・保護シート付きウエハをレーザーダイシングした。このとき、ウエハ及び粘着剤層は切断されていたが、保護シート（Ｃ）及び粘着シート（ａ）の基材は切断されておらず、保護シート（Ｃ）とウエハとの界面は分解物を含む気泡によって膨れていた。その後、保護シート（Ｃ）を剥離して、半導体チップの保護シート貼り合わせ面（レーザー光入射面側）のレーザー加工周辺部を観察したところ、分解物が多量に付着しており、純水洗浄によって完全に除去することができなかった。

上記実施例及び比較例から明らかなように、粘着剤層のエッチング率が０．４以上であり、かつ基材のエッチング率が０．４未満である粘着シートを用いることにより、分解物による半導体ウエハ表面の汚染を効果的に抑制することができる。

レーザー光の紫外吸収アブレーションにより切断された半導体ウエハの断面を示す概略図である。 レーザー光の紫外吸収アブレーションにより切断された半導体ウエハの断面を示す概略図である。

符号の説明

１：半導体ウエハ
２：粘着剤層
３：基材
４：レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート
５：吸着ステージ
６：吸着板
７：レーザー光
８：レーザーダイシング用保護シート

Claims (12)

1. レーザー光の紫外吸収アブレーションにより半導体ウエハをダイシングする際、及びダイシングして得られる半導体チップを被着体にボンディングする際に用いられ、基材上に少なくとも粘着剤層が設けられており、粘着剤層は、熱硬化性樹脂を含有する粘着剤組成物からなり、粘着剤層のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕以上であり、かつ基材のエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕未満であることを特徴とするレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
2. 前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
3. 前記基材が、ポリオレフィン系樹脂を含有してなるものである請求項１又は２に記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
4. 前記ポリオレフィン系樹脂が、ポリエチレンである請求項３記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
5. 前記ポリオレフィン系樹脂の側鎖の官能基が、メチレン結合により主鎖に連結している請求項３記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
6. 前記ポリオレフィン系樹脂の側鎖の官能基が、エーテル結合により主鎖に連結している請求項３記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
7. 前記基材が、ポリノルボルネン系樹脂を含有してなるものである請求項１又は２に記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
8. 前記基材が、ポリウレタン系樹脂を含有してなるものである請求項１又は２に記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
9. 前記基材が、ポリアルキレングリコール系樹脂を含有してなるものである請求項１又は２に記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
10. 半導体ウエハのレーザー光出射面側に請求項１〜９のいずれかに記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートを貼付する工程、半導体ウエハに紫外線レーザー光を照射してレーザーダイシングすることにより、半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程、個片化した半導体チップから前記粘着シートの基材を剥離する工程、前記半導体チップの片面に有する粘着剤層を被着体に貼付して、半導体チップを被着体上に固着する工程を含む半導体装置の製造方法。
11. 半導体ウエハのレーザー光出射面側に請求項１〜９のいずれかに記載のレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートを貼付する工程、半導体ウエハのレーザー光入射面側にレーザーダイシング用保護シートを設ける工程、半導体ウエハに紫外線レーザー光を照射してレーザーダイシングすることにより、半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程、個片化した半導体チップから前記保護シートを剥離する工程、個片化した半導体チップから前記粘着シートの基材を剥離する工程、前記半導体チップの片面に有する粘着剤層を被着体に貼付して、半導体チップを被着体上に固着する工程を含む半導体装置の製造方法。
12. 前記レーザーダイシング用保護シートは、基材フィルム上に少なくとも接着剤層が設けられたものであり、基材フィルムのエッチング率（エッチング速度／エネルギーフルエンス）が０．４〔（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ^２）〕以上である請求項１１記載の半導体装置の製造方法。

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