KR101102728B1 - 레이저 가공용 보호 시트 및 레이저 가공품의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
레이저광(7)의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물(1)을 가공하는 경우에, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 레이저 가공용 보호 시트(2)를 제공한다. 또한, 레이저 가공용 보호 시트(2)를 이용한 레이저 가공품(10)의 제조 방법을 제공한다. 레이저 가공용 보호 시트(2)는 레이저광(7)의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공할 때에, 피가공물(1)의 레이저광 입사면 측에 마련된다.
피가공물, 점착 시트, 흡착 스테이지, 레이저 가공용 보호 시트, 레이저 광
Description
본 발명은 레이저광의 자외 흡수 어블레이션(ablation)에 의해 피가공물을 가공할 때에 사용하는 레이저 가공용 보호 시트에 관한 것이다. 또한 본 발명은 시트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저 등의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 반도체 패키지, 천, 가죽, 또는 종이 등의 각종 피가공물에, 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 절단, 천공, 마킹, 홈 가공, 스크라이빙 가공, 또는 트리밍 가공 등의 형상 가공을 함으로써 얻을 수 있는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 전기·전자 기기의 소형화 등에 수반하여 부품의 소형화·고세밀화가 진행되고 있다. 그로 인해, 각종 재료의 외형 가공에 대해서도, 가공 정밀도가 ±50 ㎛ 혹은 그 이하의 고세밀·고정밀도화가 요구되고 있다. 그러나, 종래의 프레스 가공 등의 펀칭 가공에서는 정밀도가 기껏 ±100 ㎛ 정도이며, 최근 고정밀도화의 요구에는 대응할 수 없게 되어 있다. 또한, 각종 재료의 천공에 대해서도, 고세밀·고정밀도화가 요구되고 있어, 종래의 드릴이나 금형에 의한 천공에서는 대응이 불가능해지고 있다.
최근, 그 해결 방법으로서 레이저광을 이용한 각종 재료의 가공 방법이 주목받고 있다. 특히, 열 손실이 적고, 매우 세밀한 가공을 할 수 있는 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의한 가공 방법은, 정밀한 외형 가공 방법이나 미세 천공 방법으로서 주목받고 있다.
상기 기술로서는, 예컨대 피가공물의 다이싱 방법으로서, 피가공물을 다이싱 시트에 지지 고정하여, 레이저 광선에 의해 피가공물을 다이싱하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 1). 또한, 워터 마이크로 제트와 레이저를 조합하여 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 방법도 제안되어 있다(특허 문헌 2). 상기 특허 문헌에 기재된 다이싱 시트는, 피가공물의 레이저광 출사면 측에 마련되어, 다이싱 시 및 그 후의 각 공정에서 피가공물(레이저 가공품)을 지지 고정하기 위해 이용되는 것이다.
그런데, 레이저광을 이용한 경우에는 레이저 가공 시에 발생하는 카본 등의 분해물이 피가공물의 표면에 부착되므로, 그것을 제거하는 데스미어라 불리는 후처리가 필요해진다. 분해물의 부착 강도는, 레이저광의 파워에 비례하여 견고해지므로, 레이저광의 파워를 높게 하면 후처리에서의 분해물의 제거가 곤란해진다고 하는 문제가 있었다. 특히, 피가공물의 가공 테이블 또는 점착 시트에 접하는 면 측(레이저광 출사면 측)은, 피가공물의 분해물뿐만 아니라, 레이저광 조사에 의한 가공 테이블 또는 점착 시트의 분해물이 피가공물의 표면에 견고하게 부착되는 경향이 있다. 그로 인해, 가공의 처리량 향상을 방해하거나, 절단이나 천공의 신뢰성을 저하시킨다고 하는 문제가 있었다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2002-343747호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특허 공개 제2003-34780호 공보
본 발명은 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공하는 경우에, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 레이저 가공용 보호 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한 본 발명은, 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공할 때에, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있고, 또한 가공 정밀도를 높게 할 수 있는 레이저 가공용 보호 시트를 이용한 레이저 가공품의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 레이저 가공용 보호 시트(이하, 보호 시트라 함) 및 보호 시트를 이용한 레이저 가공품의 제조 방법에 의해 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내어 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.
즉, 제1 본 발명은 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공할 때에, 피가공물의 레이저광 입사면 측에 설치되는 레이저 가공용 보호 시트에 관한 것이다.
보호 시트는 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 레이저 가공하기 전에, 피가공물의 레이저광 입사면 측(레이저광 조사면 측)에 적층되어, 어블레이션에 의해 발생하는 분해물이나 비산물로부터 피가공물 표면을 보호하기 위해 이용되는 것이다. 그리고 보호 시트는 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물과 함께 가공된다. 상기 보호 시트를 사용함으로써, 레이저광 조사부에서 발생한 분해물이 피가공물을 피복하고 있는 보호 시트 표면에 부착되므로, 피가공물 표면에 분해물이 부착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기 보호 시트는, 레이저광 흡수 영역에서의 광 투과율이 50 % 미만인 것이 바람직하다. 광 투과율이 50 % 미만인 보호 시트를 사용함으로써, 보호 시트와 피가공물과의 계면으로 분해물이 침입하여 그 계면 부분에서 분해물이 부착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 그 결과, 레이저 가공 후에 피가공물로부터 보호 시트를 용이하게 박리할 수 있을 뿐만 아니라, 피가공물의 레이저 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다.
상기 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 계면 부분의 오염을 억제할 수 있는 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 보호 시트의 레이저광 흡수 영역에서의 광 투과율이 50 % 미만인 경우에는, 보호 시트의 레이저 에너지 이용 효율이 크기 때문에 피가공물보다도 먼저 보호 시트가 레이저광에 의해 침식된다. 보호 시트의 레이저광 조사부가 침식된 후에 하층의 피가공물이 침식되지만, 피가공물의 분해물은 보호 시트의 침식 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산되므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 보호 시트의 레이저광 흡수 영역에서의 광 투과율은 40 % 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 30 %이하, 특히 바람직하게는 0 %이다. 상기 광투과율이 50 % 이상인 경우에는, 광 에너지 흡수체인 피가공물에의 에너지 전달이 증가하여, 보호 시트가 레이저광에 의해 침식되기 전에, 보호 시트를 투과한 레이저광에 의해 피가공물의 침식이 진행되는 경향이 있다. 그 경우에는 피가공물의 침식에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 피가공물 사이로 분해물이 들어가 피가공물 표면을 오염시킨다고 생각된다. 즉, 보호 시트가 레이저 어블레이션에 의해 파단 또는 천공되지 않는 한, 피가공물의 분해 시의 가스압이 높기 때문에 보호 시트와 피가공물 사이에 가스형 분해물이 체류하여, 그 분해물이 피가공물 표면을 오염시키게 된다. 상기한 바와 같이 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 피가공물을 레이저 가공한 후에 보호 시트를 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
상기 보호 시트는, 기재 위에 점착제층이 설치되어 있는 것이 바람직하다.
보호 시트에 점착성을 부여함으로써, 보호 시트와 피가공물과의 계면의 밀착성을 향상시킬 수 있으므로, 분해물의 계면에의 침입을 억제할 수 있고, 그 결과 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 억제할 수 있다.
또, 제1 본 발명에 있어서는 상기 기재가 방향족계 폴리머를 함유하여 이루어지는 것인 것이 바람직하다. 기재의 형성 재료로서 방향족계 폴리머를 이용함으로써, 레이저광 흡수 영역에서의 광 투과율을 작게 할 수 있어, 보호 시트의 에칭 속도를 크게 할 수 있다.
또한, 상기 방향족계 폴리머를 구성하는 반복 단위 중의 방향환(芳香環)의 중량비는 41 중량% 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 50 중량% 이상이다. 방향환의 중량비가 41 중량% 미만인 경우에는, 레이저광 흡수 영역에서의 광 투과율을 충분히 작게 할 수 없으므로, 보호 시트의 에칭 속도를 충분히 높이기 어려워지는 경향이 있다.
제2 본 발명은 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공할 때에 사용하는 레이저 가공용 보호 시트이며, 상기 보호 시트는 기재 위에 적어도 점착제층이 설치되어 있는 것이고, 또한 기재의 에칭률(에칭 속도/에너지 플루언스)이 0.4[(㎛/pulse)/J/㎠)] 이상인 것을 특징으로 하는 레이저 가공용 보호 시트에 관한 것이다.
기재의 에칭 속도(㎛/pulse)를, 사용하는 레이저의 에너지 플루언스(J/㎠)로 나눈 값인 에칭률은 기재의 레이저 가공성의 정도를 나타내는 것이며, 상기 에칭률이 클수록 에칭되기 쉬운 것을 나타낸다. 상기 에칭률의 산출 방법은 상세하게는 실시예의 기재에 의한다.
제2 본 발명에 있어서는, 기재의 에칭률이 0.4 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 그 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 기재의 에칭률이 0.4 이상인 경우에는, 기재의 레이저 에너지 이용 효율이 크기 때문에 피가공물보다도 먼저 기재가 레이저광에 의해 에칭된다. 보호 시트의 레이저광 조사부가 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭되지만, 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 진입하기 어려워져, 그 결과 피가공물 표면의 오염을 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 기재의 에칭률은 0.5 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.6 이상이다. 에칭률이 0.4 미만인 경우에는, 광 에너지 흡수체인 피가공물에의 에너지 이전달이 증가하여, 기재가 레이저광에 의해 충분히 에칭되기 전에, 보호 시트를 투과한 레이저광에 의해 피가공물의 에칭이 진행된다. 그리고 그 경우에는, 피가공물의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 분해물이 들어가 피가공물 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기한 바와 같이 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 피가공물을 레이저 가공한 후에, 보호 시트를 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
보호 시트는, 기재 위에 적어도 점착제층이 설치되어 있는 것이다. 보호 시트에 점착성을 부여함으로써, 보호 시트와 피가공물과의 계면의 밀착성을 향상시킬 수 있으므로, 분해물의 계면에의 침입을 억제할 수 있어, 그 결과 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
제2 본 발명에 있어서는, 상기 기재가 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하여 이루어지는 것인 것이 바람직하다. 기재의 형성 재료로서 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 이용함으로써, 기재의 에칭률을 0.4 이상으로 조정하기 쉬워진다.
또한, 본 발명은 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트를 설치하는 공정 (1), 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정 (2), 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정 (3)을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 피가공물은 시트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지인 것이 바람직하다. 또한, 상기 가공은 피가공물을 절단 또는 천공하는 가공인 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 보호 시트는, 특히 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 제조하는 경우에 적합하게 이용된다.
제3 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수에 대한 상기 기재의 자외 영역 파장 λ에서의 흡광 계수(흡광 계수비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수/사용하는 피가공물의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수)가 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
제3 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 사용하는 피가공물의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수에 대한 상기 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수(흡광 계수비 = 보호 시트의 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수/사용하는 피가공물의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수)가 1 이상인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 본 발명자들은, 흡광 계수와 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 있어, 상기 흡광 계수비가 1 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기 자외 영역 파장 λ는, 355 ㎚인 것이 바람직하다.
흡광 계수비는 보호 시트의 기재와 사용하는 피가공물과의 레이저 가공성에 관해 중요한 파라미터이다. 어떤 파장에 있어서의 고체의 흡광 계수가 작을수록, 광 에너지의 흡수는 작다. 즉, 고체 중에서의 광 흡수는 광의 침입 길이(고체 표면에서의 유효 거리 : 1/흡광 계수)로 일어나, 흡광 계수가 작은 경우에는 광의 침입 길이가 길어지므로 체적당의 축적 에너지가 작아진다. 그로 인해, 흡광 계수가 작은 재료는 레이저 가공되기 어려워진다.
제3 본 발명과 같이, 흡광 계수비가 1 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 피가공물에 있어서의 레이저광의 침입 길이보다도 기재에 있어서의 레이저광의 침입 길이를 짧게 할 수 있다. 그로 인해, 피가공물보다도 기재에 있어서의 광 에너지의 흡수가 커져, 레이저 가공되기 훨씬 쉬워졌다고 생각된다.
그리고 상기 흡광 계수비가 1 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 흡광 계수비가 1 이상인 보호 시트는 피가공물과 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 피가공물과 동시 또는 피가공물보다도 먼저 레이저광에 의해 에칭된다. 그로 인해, 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산되어, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 진입하기 어려워진다. 그 결과, 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 흡광 계수비는, 1.5 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2 이상이다. 흡광 계수비가 1 미만인 경우에는, 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 피가공물의 에칭이 진행된다. 그 경우에는, 피가공물의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 분해물이 들어가 피가공물 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기한 바와 같이 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 피가공물을 레이저 가공한 후에, 보호 시트를 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
또한, 상기 기재는 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하는 것인 것이 바람직하다. 상기 재료는, 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수가 크기 때문에, 비교적 용이하게 흡광 계수비를 1 이상으로 조정할 수 있다.
제4 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수가 20 ㎝-1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 금속계 재료의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 금속계 재료를 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 금속계 재료로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
특히, 금속계 재료를 가공하는 경우, 금속계 재료의 흡광 계수를 측정하는 것은 곤란하다. 그러나 보호 시트의 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수를 20 ㎝-1 이상으로 함으로써, 분해물에 의한 금속계 재료 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있었다. 상기 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수는 50 ㎝-1 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 80 ㎝-1 이상이다. 상기 자외 영역 파장 λ는 355 ㎚인 것이 바람직하다.
제5 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 밀도에 대한 상기 기재의 밀도(밀도 비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 밀도/사용하는 피가공물의 밀도)가 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
제5 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 사용하는 피가공물의 밀도에 대한 상기 기재의 밀도(밀도 비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 밀도/사용하는 피가공물의 밀도)가 1 이상인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 본 발명자들은, 재료의 밀도와 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 있어, 밀도가 클수록 어블레이션이 생기기 쉬워, 레이저 가공성이 높은 것을 찾아내었다. 그리고 밀도 비가 1 이상인 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기한 바와 같이 밀도와 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 생기는 이유는 분명하지 않지만, 밀도가 큰 재료는 원자의 충전율이 높아, 조사 면적당에서의 레이저광이 원자에 충돌할 확률이 높아진다고 생각된다. 레이저광의 자외 흡수 어블레이션이라 함은 물질이 광자를 흡수하여 전자를 여기하고, 그에 의해 원자 사이의 결합이 절단되는 현상이다. 그로 인해, 레이저광의 광자 흡수 단면적이 클수록(즉, 밀도가 큼), 레이저 가공되기 쉬워진다고 생각된다.
또한, 상기 밀도 비가 1 이상인 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 밀도 비가 1 이상인 보호 시트는, 피가공물과 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 피가공물과 동시 또는 피가공물보다도 먼저 레이저광에 의해 에칭된다. 그로 인해, 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산되어, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 진입하기 어려워진다. 그 결과, 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 밀도 비는 1.1 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.4 이상이다. 밀도 비가 1 미만인 경우에는, 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 피가공물의 에칭이 진행된다. 그 경우에는, 피가공물의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 분해물이 들어가 피가공물 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기한 바와 같이 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 피가공물을 레이저 가공한 후에, 보호 시트를 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
상기 보호 시트의 기재는, 밀도가 높다고 하는 관점에서 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하는 것인 것이 바람직하다.
제6 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재의 밀도가 1.1 g/㎤ 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 금속계 재료의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 금속계 재료를 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 금속계 재료로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
특히, 금속계 재료를 레이저 가공하는 경우에는, 상기 밀도 비가 1 이상이라도 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 금속계 재료의 에칭이 진행되는 경우가 있다. 그리고 금속계 재료의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 금속계 재료와의 계면 부분으로 분해물이 들어가 금속계 재료 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기 현상이 생기는 원인으로서는, 고분자 재료 등과 금속계 재료와의 어블레이션 프로세스의 차이가 생각된다. 즉, 금속계 재료인 경우, 광 에너지를 주입함으로써 발생한 열에 기인하는 열화학 반응적 프로세스를 경유한다. 그로 인해, 고분자 재료 등의 가공 효율과 금속계 재료의 가공 효율을 단순하게 비교할 수는 없다.
본 발명자들은, 실리콘 등의 금속계 재료의 가공률과 보호 시트의 기재의 가공률을 비교 검토한 결과, 기재의 밀도가 1.1 g/㎤ 이상인 경우에는, 금속계 재료와 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 분해물에 의한 금속계 재료 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기 기재의 밀도는 1.3 g/㎤ 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.5 g/㎤ 이상이다.
상기 보호 시트의 기재는 밀도가 높다고 하는 관점에서 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하는 것인 것이 바람직하다.
제7 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 인장 강도에 대한 레이저 가공용 보호 시트의 인장 강도(인장 강도비 = 레이저 가공용 보호 시트의 인장 강도/사용하는 피가공물의 인장 강도)가 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
제7 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 사용하는 피가공물의 인장 강도에 대한 보호 시트의 인장 강도(인장 강도비 = 보호 시트의 인장 강도/사용하는 피가공물의 인장 강도)가 1 이상인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 본 발명자들은, 기계적 물성인 인장 강도와 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 있어, 상기 인장 강도비가 1 이상인 보호 시트를 선택하여 이용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기한 바와 같이 인장 강도와 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 생기는 이유는 분명하지는 않지만, 인장 강도가 높은 재료는 일반적으로 방향족계나 선형 구조를 하고 있는 경우가 많아, 그와 같은 강직인 구조를 갖는 분자는 서로의 환상 원자나 헤테로 원자의 전자에 의해 분자간력이 강해지기 때문에 정렬되어 있다. 그로 인해, 레이저 에너지를 흡수한 원자 사이의 충돌 확률이 높아져, 레이저 가공성이 커진다고 생각된다.
그리고 상기 인장 강도비가 1 이상인 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 인장 강도비가 1 이상인 보호 시트는, 피가공물과 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 피가공물과 동시 또는 피가공물보다도 먼저 레이저광에 의해 에칭된다. 그로 인해, 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산되어, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 진입하기 어려워진다. 그 결과, 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 인장 강도비는 2 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 이상이다. 인장 강도비가 1 미만인 경우에는, 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 피가공물의 에칭이 진행된다. 그 경우에는, 피가공물의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 분해물이 들어가 피가공물 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기한 바와 같이 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 피가공물을 레이저 가공한 후에, 보호 시트를 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
제8 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 인장 강도가 100 MPa 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 금속계 재료의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 금속계 재료를 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 금속계 재료로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
특히, 금속계 재료를 레이저 가공하는 경우에는, 상기 인장 강도비가 1 이상이더라도 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 금속계 재료의 에칭이 진행되는 경우가 있다. 그리고 금속계 재료의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 금속계 재료와의 계면 부분으로 분해물이 들어가 금속계 재료 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기 현상이 생기는 원인으로서는, 고분자 재료 등과 금속계 재료와의 어블레이션 프로세스의 차이가 생각된다. 즉, 금속계 재료인 경우, 광 에너지를 주입함으로써 발생한 열에 기인하는 열화학 반응적 프로세스를 경유한다. 그로 인해, 고분자 재료 등의 가공 효율과 금속계 재료의 가공 효율을 단순하게 비교할 수는 없다.
본 발명자들은, 실리콘 등의 금속계 재료의 가공률과 보호 시트의 기재의 가공률을 비교 검토한 결과, 보호 시트의 인장 강도가 100 MPa 이상인 경우에는, 금속계 재료와 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 분해물에 의한 금속계 재료 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기 보호 시트의 인장 강도는 120 MPa 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 140 MPa 이상, 특히 바람직하게는 200 MPa이다.
제9 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 비열에 대한 상기 기재의 비열(비열비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 비열/사용하는 피가공물의 비열)이 1 미만인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
제9 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 사용하는 피가공물의 비열에 대한 상기 기재의 비열(비열비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 비열/사용하는 피가공물의 비열)이 1 미만인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 본 발명자들은, 재료의 비열과 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 있어, 비열이 적을수록 어블레이션이 생기기 쉬워 레이저 가공성이 높은 것을 찾아내었다. 그리고 비열 비가 1 미만인 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기한 바와 같이 비열과 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 생기는 이유는 분명하지 않지만, 어블레이션은 광자가 재료 중의 전자를 여기하여 쿨롱 폭발을 생기게 하는 기구와, 열적으로 재료를 분해하는 기구에 의해 일어난다고 생각된다. 그리고 재료의 비열이 작은 경우에는, 열을 흡수하여 온도 상승하기 쉬워져, 열적 분해가 일어나기 쉬워지므로 레이저 가공성이 높아진다고 생각된다.
또한, 상기 비열 비가 1 미만인 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 비열 비가 1 미만인 보호 시트는, 피가공물과 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 피가공물과 동시 또는 피가공물보다도 먼저 레이저광에 의해 에칭된다. 그로 인해, 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산되어, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 진입하기 어려워진다. 그 결과, 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 비열 비는 0.9 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.8 이하이다. 비열 비가 1 이상인 경우에는, 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 피가공물의 에칭이 진행된다. 그 경우에는, 피가공물의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분으로 분해물이 들어가 피가공물 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기한 바와 같이 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 피가공물을 레이저 가공한 후에, 보호 시트를 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
제3, 제5, 제7 및 제9 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 상기 피가공물이 시트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지인 것이 바람직하다.
제4, 제6 및 제8 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 상기 금속계 재료가 반도체 웨이퍼 또는 금속 기판인 것이 바람직하다.
제10 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 유기계 피가공물의 파장 546 ㎚에서의 굴절률에 대한 상기 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률(굴절률 비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률/사용하는 유기계 피가공물의 파장 546 ㎚에서의 굴절률)이 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 유기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 유기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 유기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
제10 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 사용하는 유기계 피가공물의 파장 546 ㎚에서의 굴절률에 대한 상기 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률(굴절률 비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률/사용하는 유기계 피가공물의 파장 546 ㎚에서의 굴절률)이 1 이상인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 본 발명자들은, 굴절률과 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 있어, 상기 굴절률 비가 1 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 유기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수가 있는 것을 찾아내었다.
굴절률 비는, 보호 시트의 기재와 사용하는 유기계 피가공물과의 레이저 가공성에 관해 중요한 파라미터이다. 어떤 파장에 있어서의 고체의 굴절률이 클수록, 그 고체 중을 진행하는 광의 속도는 늦어져, 광자 흡수가 일어날 확률이 높아진다. 레이저 어블레이션의 발생 메카니즘은 광자 흡수에 의한 전자 여기에 기인하므로, 고체 중을 진행하는 광의 속도가 시간이 늦어질(즉, 굴절률이 큼)수록 레이저 가공성이 높아진다고 생각된다.
본 발명과 같이, 굴절률 비가 1 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 유기계 피가공물보다도 기재에서의 광자 흡수가 커져, 기재 쪽이 훨씬 레이저 가공되기 쉬워졌다고 생각된다.
그리고 상기 굴절률 비가 1 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 유기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 굴절률 비가 1 이상인 보호 시트는, 유기계 피가공물과 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 유기계 피가공물과 동시 또는 유기계 피가공물보다도 먼저 레이저광에 의해 에칭된다. 그로 인해, 유기계 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산되어, 보호 시트와 유기계 피가공물과의 계면 부분으로 진입하기 어려워진다. 그 결과, 유기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 굴절률 비는 1.05 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.1 이상, 특히 바람직하게는 1.2 이상이다. 굴절률 비가 1 미만인 경우에는, 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 유기계 피가공물의 에칭이 진행된다. 그 경우에는, 유기계 피가공물의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 유기계 피가공물과의 계면 부분으로 분해물이 들어가 유기계 피가공물 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기한 바와 같이 유기계 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 유기계 피가공물을 레이저 가공한 후에, 보호 시트를 유기계 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 유기계 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
제11 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률이 1.53 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 무기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 무기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 무기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서는, 상기 무기계 피가공물이 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지인 것이 바람직하다.
무기계 피가공물을 이용하는 경우에는, 그 굴절률을 측정하는 것은 곤란하지만, 보호 시트의 기재의 굴절률을 1.53 이상으로 함으로써, 분해물에 의한 무기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 기재의 굴절률은 1.57 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1.60 이상이다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 보호 시트의 기재는 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하는 것인 것이 바람직하다. 상기 재료는 파장 546 ㎚에서의 굴절률이 크기 때문에, 비교적 용이하게 굴절률 비를 1 이상으로 조정할 수 있다.
제12 본 발명은, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 총 결합 에너지 비(총 결합 에너지 비 = 기재를 구성하는 수지 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값 중에서 최소 값인 총 결합 에너지 A/사용하는 유기계 피가공물을 구성하는 원료 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값 중에서 최소 값인 총 결합 에너지 B)가 1 미만인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 유기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 유기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 유기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
제12 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 상기 총 결합 에너지 비가 1 미만인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다.
여기서, 총 결합 에너지 A는 기재를 구성하는 수지 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값(총 결합 에너지) 중에서 가장 작은 값이다. 폴리머 중 어느 하나의 탄소 원자는, 2 이상의 다른 원자와 결합하고 있지만, 결합하는 다른 원자의 종류에 의해 결합 에너지는 각각 다르기 때문에, 그 결합 에너지의 합(총 결합 에너지)도 각 탄소 원자의 결합 상태에 따라서 다르다. 본 발명에 있어서는, 폴리머 중에서 여러 가지의 결합 상태에 있는 탄소 원자 중에서 가장 총 결합 에너지가 낮은 탄소 원자에 주목하여, 상기 탄소 원자의 총 결합 에너지 A는 레이저 가공성과의 사이에 상관 관계가 있는 것을 찾아내었다.
또, 총 결합 에너지 B는 사용하는 유기계 피가공물을 구성하는 원료 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값(총 결합 에너지) 중에서 가장 작은 값이다. 본 발명에 있어서는, 원료 성분 중에서 여러 가지의 결합 상태에 있는 탄소 원자 중에서 가장 총 결합 에너지가 낮은 탄소 원자에 주목하여, 상기 탄소 원자의 총 결합 에너지 B는 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 있는 것을 찾아내었다.
그리고 본 발명자들은, 상기 총 결합 에너지 비가 1 미만인 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 유기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기한 바와 같이 총 결합 에너지와 레이저 가공성 사이에 상관 관계가 생기는 이유는 분명하지는 않지만, 결합 에너지가 작은 원자 사이의 결합은, 레이저가 조사되었을 때에 절단되기 쉬워 가공의 임계값도 저하된다. 그로 인해, 사용하는 재료 중의 특정 원자 사이의 총 결합 에너지가 작을수록 레이저 가공성이 커진다고 생각된다.
그리고 상기 총 결합 에너지 비가 1 미만인 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 유기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 이유로서는, 아래와 같이 생각된다. 총 결합 에너지 비가 1 미만인 보호 시트는, 유기계 피가공물과 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 유기계 피가공물과 동시 또는 유기계 피가공물보다도 먼저 레이저광에 의해 에칭된다. 그로 인해, 유기계 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 외부로 효율적으로 비산되어, 보호 시트와 유기계 피가공물과의 계면 부분으로 진입하기 어려워진다. 그 결과, 유기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다고 생각된다.
상기 총 결합 에너지 비는 0.9 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.8 이하이다. 총 결합 에너지 비가 1 이상인 경우에는, 보호 시트가 절단되거나 천공되기 전에 유기계 피가공물의 에칭이 진행된다. 그 경우에는, 유기계 피가공물의 에칭에 의해 생긴 분해물의 비산 경로가 없으므로, 보호 시트와 유기계 피가공물과의 계면 부분으로 분해물이 들어가 유기계 피가공물 표면을 오염시킬 우려가 있다. 상기한 바와 같이 유기계 피가공물 표면이 분해물에 의해 오염되면, 유기계 피가공물을 레이저 가공한 후에, 보호 시트를 유기계 피가공물로부터 박리하는 것이 곤란해지거나, 후처리에서의 분해물 제거가 곤란해지거나, 유기계 피가공물의 가공 정밀도가 저하되는 경향이 있다.
제13 본 발명은 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재를 구성하는 수지 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값 중에서 최소 값인 총 결합 에너지 A가 800 kJ/mol 미만인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 무기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 무기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 무기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서는, 상기 무기계 피가공물이 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지인 것이 바람직하다.
무기계 피가공물의 경우에는, 광 에너지를 주입함으로써 발생한 열에 기인하는 열화학 반응적 프로세스를 경유한다. 즉, 무기계 피가공물과 유기계 피가공물과의 어블레이션 프로세스는 크게 다르다. 그로 인해, 유기계 재료의 가공 효율과 무기계 재료의 가공 효율을 단순하게 비교할 수는 없다.
본 발명자들은 무기계 피가공물의 가공률과 보호 시트의 기재의 가공률을 비교 검토한 결과, 총 결합 에너지 A가 800 kJ/mol 미만인 기재를 갖는 보호 시트를 사용한 경우에는, 무기계 피가공물과 동등 또는 그 이상의 레이저 가공성을 가지므로, 분해물에 의한 무기계 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 찾아내었다. 상기 총 결합 에너지 A는 780 kJ/mol 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 760 kJ/mol 이하이다.
제3 내지 제13 본 발명에 있어서, 상기 보호 시트는 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 레이저 가공하기 전에, 피가공물의 레이저광 조사면 측(레이저광 입사면 측)에 적층되어, 어블레이션에 의해 발생하는 분해물이나 비산물로부터 피가공물 표면을 보호하기 위해 이용되는 것이다.
보호 시트로서는, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖는 것을 이용한다. 보호 시트에 점착성을 부여함으로써, 보호 시트와 피가공물과의 계면의 밀착성을 향상시킬 수 있으므로, 분해물의 계면에의 침입을 억제할 수 있어, 그 결과 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 억제하는 것이 가능해진다.
제3 내지 제13 본 발명에 있어서는, 상기 기재는 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하는 것인 것이 바람직하다.
제3 내지 제13 본 발명에 있어서는, 상기 가공이 절단 또는 천공인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 레이저 가공품의 제조 방법에 이용되는 레이저 가공용 보호 시트에 관한 것이다. 상기 보호 시트는, 특히 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩을 제조하는 경우에 적합하게 이용된다.
도1은 본 발명에 있어서의 레이저 가공품의 제조 방법이 예를 나타내는 개략 공정도이다.
도2는 본 발명에 있어서의 레이저 가공품의 제조 방법의 다른 예를 나타내는 개략 공정도이다.
도3은 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 가공된 적층체의 단면을 도시한 개략도이다.
도4는 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법의 예를 나타내는 개략 도면이다.
[부호의 설명]
1 : 피가공물
2 : 레이저 가공용 보호 시트
3 : 점착 시트
4 : 적층체
5 : 흡착 스테이지
6 : 흡착판
7 : 레이저광
8 : 반도체 웨이퍼
9 : 다이싱 프레임
10 : 레이저 가공품
본 발명에서 이용되는 레이저로서는, 레이저 가공 시의 열적인 손상에 의해 피가공물 구멍의 에지나 절단 벽면의 정밀도 및 외관을 악화시키지 않으므로, 열가공 프로세스를 경유하지 않는 비열적 가공인 자외광 흡수에 의한 어블레이션 가공이 가능한 레이저를 이용한다. 특히, 레이저광을 20 ㎛ 이하의 가는 폭으로 집광할 수 있어, 400 ㎚ 이하의 자외선을 방사하는 레이저를 이용하는 것이 바람직하다.
특히, 제3 및 제4 본 발명에서 이용되는 레이저로서는, 자외광 흡수에 의한 어블레이션 가공이 가능하고, 특정 파장 λ의 자외선을 방사하는 레이저를 이용한다. 그리고 레이저광을 20 ㎛ 이하의 가는 폭으로 집광할 수 있어, 355 ㎚의 자외 선을 방사하는 레이저를 이용하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 400 ㎚ 이하로 발진 파장을 갖는 레이저, 예컨대 발진 파장 248 ㎚의 KrF 엑시머 레이저, 308 ㎚의 XeCI 엑시머 레이저, YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)나 제4 고조파(266 ㎚), 또는 400 ㎚ 이상의 파장을 갖는 레이저인 경우에는, 다(多)광자 흡수 과정을 경유한 자외선 영역의 광 흡수가 가능하고, 또한 다광자 흡수 어블레이션에 의해 20 ㎛ 이하의 폭의 절단 가공 등이 가능한 파장 750 내지 800 ㎚ 부근의 티탄 사파이어 레이저 등으로 펄스 폭이 1e-9초 (0.000000001초) 이하의 레이저 등을 들 수 있다.
피가공물로서는, 상기 레이저에 의해 출력된 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 가공할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 각종 시트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저 등의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기판, 반도체 패키지, 천, 가죽, 및 종이 등을 들 수 있다.
본 발명의 보호 시트 또는 제조 방법은, 특히 시트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지의 가공에 적합하게 이용할 수 있다.
상기 각종 시트 재료로서는, 예컨대 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 실리콘계 수지, 불소계 수지 등으로 이루 어지는 고분자 필름이나 부직포, 그들의 수지를 연신 가공, 함침 가공 등에 의해 물리적 혹은 광학적인 기능을 부여한 시트, 구리, 알루미늄, 스테인리스 등의 금속 시트, 또는 상기 고분자 필름 및/또는 금속 시트를 직접 혹은 접착제 등을 거쳐서 적층한 것 등을 들 수 있다.
상기 회로 기판으로서는, 한쪽 면, 양면 혹은 다층 가요성 프린트 기판, 유리 에폭시, 세라믹, 또는 금속 코어 기판 등으로 이루어지는 리지드 기판, 유리 또는 폴리머 상에 형성된 광 회로 혹은 광 - 전기 혼성 회로 기판 등을 들 수 있다.
상기 금속계 재료로서는, 반(半)금속이나 합금도 포함하여, 예컨대 금, SUS, 구리, 철, 알루미늄, 스테인리스, 실리콘, 티탄, 니켈, 및 텅스텐 등 및 이들을 이용한 가공물(반도체 웨이퍼, 금속 기판 등)을 들 수 있다.
제10 및 제12 본 발명에 있어서, 유기계 피가공물로서는 상기 레이저에 의해 출력된 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 가공할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대 각종 시트 재료, 천, 가죽, 및 종이 등을 들 수 있다.
상기 각종 시트 재료로서는, 예컨대 상기 고분자 필름이나 부직포, 그들의 수지를 연신 가공, 함침 가공 등에 의해 물리적 혹은 광학적인 기능을 부여한 시트 등을 들 수 있다.
제11 및 제13 본 발명에 있어서, 무기계 피가공물로서는 상기 레이저에 의해 출력된 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 가공할 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대 상기 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 재료, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기 판, 또는 반도체 패키지 등을 들 수 있다.
상기 금속 재료로서는, 반금속이나 합금도 포함하여, 예컨대 금, SUS, 구리, 철, 알루미늄, 스테인리스, 실리콘, 티탄, 니켈 및 텅스텐 등, 및 이들을 이용한 가공물을 들 수 있다.
본 발명의 보호 시트는, 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공할 때에 사용하는 시트이다.
제1 본 발명의 보호 시트는, 레이저 광(자외선) 흡수 영역에서의 광 투과율이 50 % 미만인 것이 바람직하다. 보호 시트는 기재만으로 형성되어 있어도 좋고, 기재 위에 점착제층이 설치되어 있어도 좋다.
제2 본 발명의 보호 시트는, 기재 위에 적어도 점착제층이 설치되어 있는 것이며, 또한 기재의 에칭률이 0.4[(㎛/pulse)/(J/㎠)] 이상인 것을 특징으로 한다.
제3 본 발명에 있어서는, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖는 보호 시트를 이용한다. 그리고 흡광 계수비가 1 이상이 되는 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 한편, 금속계 재료를 레이저 가공하는 경우(제4 본 발명)에는, 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수가 20 ㎝-1 이상인 기재를 갖는 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다.
제5 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖는 보호 시트를 이용한다. 그리고 상기 밀도 비가 1 이상인 보호 시트를 사용하는 것이 필요하다. 한편, 금속계 재료를 가공하는 경우(제6 본 발명)에 는 밀도가 1.1 g/㎤ 이상인 기재를 갖는 보호 시트를 사용하는 것이 필요하다.
제7 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖는 보호 시트를 이용한다. 그리고 사용하는 피가공물의 인장 강도에 대한 보호 시트의 인장 강도(인장 강도비 = 보호 시트의 인장 강도/사용하는 피가공물의 인장 강도)가 1 이상이 되는 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 한편, 금속계 재료를 레이저 가공하는 경우(제8 본 발명)에는 인장 강도가 100 MPa 이상인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다.
제9 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖는 보호 시트를 이용한다. 그리고 상기 비열 비가 1 미만인 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다.
제10 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖는 보호 시트를 이용한다. 그리고 유기계 피가공물을 레이저 가공하는 경우에는, 굴절률 비가 1 이상이 되는 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 한편, 무기계 피가공물을 레이저 가공하는 경우(제11 본 발명)에는, 파장 546 ㎚에서의 굴절률이 1.53 이상인 기재를 갖는 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다.
제12 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 기재 위에 적어도 점착제층을 갖는 보호 시트를 이용한다. 그리고 유기계 피가공물을 레이저 가공하는 경우에는, 총 결합 에너지 비가 1 미만이 되는 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 한편, 무기계 피가공물을 레이저 가공하는 경우(제13 본 발명)에 는, 총 결합 에너지 A가 800 kJ/mol 미만인 기재를 갖는 보호 시트를 선택하여 사용하는 것이 필요하다. 상기 총 결합 에너지 A, B의 값은, 예컨대 화학 편람, 기술 문헌(Cox,J. D. and PILCHER, G., Thermochemistry of organic and organometallic compounds, Academic Press, New York, 1970) 등에 기재되어 있는 각 결합 에너지 값으로부터 구할 수 있다.
기재의 형성 재료로서는, 예컨대 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리이미드, (메타)아크릴계 폴리머, 폴리우레탄, 실리콘계 고무, 및 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 옥사이드 등의 폴리올레핀계 폴리머 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 상기 재료는 한 종류를 단독으로 이용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 이들 중, 방향족계 폴리머를 사용하는 것이 바람직하며, 특히 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 또는 폴리카보네이트를 사용하는 것이 바람직하다.
제3 및 제4 본 발명에 있어서는, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 및 폴리카보네이트 등의 방향족계 폴리머나, 실리콘계 고무 등의 흡광 계수가 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
제5 및 제6 본 발명에 있어서는, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리우레탄, 폴리이미드, 및 실리콘계 고무 등의 비교적 밀도가 큰 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
제7 및 제8 본 발명에 있어서는, 기재의 인장 강도를 높게 하기 위해, 방향족계 폴리머나 실리콘계 고무를 이용하는 것이 바람직하며, 특히 폴리이미드, 폴리 에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 또는 폴리카보네이트를 이용하는 것이 바람직하다.
제9 본 발명에 있어서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 및 폴리카보네이트 등의 비교적 비열이 작은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
제10 및 제11 본 발명에 있어서는, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 및 폴리카보네이트 등의 방향족계 폴리머나, 실리콘계 고무 등의 파장 546 ㎚에서의 굴절률이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
제12 및 제13 본 발명에 있어서는, 총 결합 에너지 A의 값을 작게 하기 위해, 방향족계 폴리머를 사용하는 것이 바람직하며, 특히 폴리이미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 또는 폴리카보네이트를 사용하는 것이 바람직하다.
기재에는 충전제를 첨가하는 것이 바람직하다. 충전제란, 레이저광 흡수 영역의 광 투과율을 50 % 미만으로 하기 위해(제1 본 발명), 에칭률을 0.4 이상으로 하기 위해(제2 본 발명), 기재의 흡광 계수를 높게 하기 위해(제3 및 제4 본 발명), 기재의 인장 강도를 높게 하기 위해(제7 및 제8 본 발명), 또는 기재의 굴절률을 높게 하기 위해(제10 및 제11 본 발명) 첨가하는 재료이며, 예컨대 안료, 염료, 색소, Au, Cu, Pt, Ag 등의 금속 미립자, 및 금속 콜로이드, 카본 등의 무기 미립자 등을 들 수 있다.
색소는 사용하는 레이저의 특정 파장의 광(자외 영역 파장 λ의 광)을 흡수 하는 것이면 좋으며, 또한 염료로서는 염기성 염료, 산성 염료, 직접 염료 등의 각종 염료를 사용할 수 있다. 상기 염료 또는 색소로서는, 예컨대 니트로 염료, 니트로소 염료, 스틸벤 염료, 피라조론 염료, 티아졸 염료, 아조 염료, 폴리아조 염료, 카르보늄 염료, 퀴노아닐 염료, 인도페놀 염료, 인도아닐린 염료, 인다민 염료, 퀴논이민 염료, 아진 염료, 산화 염료, 옥사진 염료, 티아진 염료, 아크리진 염료, 디페닐 메탄 염료, 트리페닐 메탄 염료, 크산틴 염료, 티옥산틴 염료, 황화 염료, 피리진 염료, 피리돈 염료, 티아디아졸 염료, 티오펜 염료, 벤조 이소티아졸 염료, 디시아노이미다졸 염료, 벤조피란 염료, 벤조디프라논 염료, 퀴놀린 염료, 인디고 염료, 티오인디고 염료, 안트라퀴논 염료, 벤조페논 염료, 벤조퀴논 염료, 나프트퀴논 염료, 프타로시아닌 염료, 시아닌 염료, 메틴 염료, 폴리메틴 염료, 아조메틴 염료, 축합 메틴 염료, 나프탈이미드 염료, 페리논 염료, 트리아릴 메탄 염료, 잔센 염료, 아미노 케톤 염료, 옥시 케톤 염료, 및 인디고이드 염료 등을 들 수 있다. 이들은 한 종류 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다.
또한, 염료 또는 색소는 비선형 광학 색소라도 좋다. 비선형 광학 색소로서는, 특별히 제한되지 않으며, 공지의 비선형 광학 색소(예컨대, 벤젠계 비선형 광학 색소, 스틸벤계 비선형 광학 색소, 시아닌계 비선형 광학 색소, 아조계 비선형 광학 색소, 로다민계 비선형 광학 색소, 비페닐계 비선형 광학 색소, 카르콘계 비선형 광학 색소, 및 시아노계 피산계 비선형 광학 색소 등)를 들 수 있다.
또한, 염료 또는 색소로서는, 소위「기능성 색소」도 이용할 수 있다. 상기 기능성 색소는, 예컨대 캐리어 생성 재료와 캐리어 이동 재료로 구성되어 있다. 캐리어 생성 재료로서는, 예컨대 페리렌계 안료, 퀴논계 안료, 스크아릴륨 색소, 아즈레늄 색소, 티아피릴륨 색소, 비스아조계 안료 등을 들 수 있다. 캐리어 이동 재료로서는, 예컨대 옥사디아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 필라조린 유도체, 히드라존 유도체, 및 아릴아민 유도체 등을 들 수 있다.
상기 충전제의 첨가량은, 사용하는 베이스 폴리머의 광 투과율(제1 본 발명), 사용하는 베이스 폴리머 자체의 에칭률(제2 본 발명), 사용하는 베이스 폴리머의 흡광 계수나 피가공물의 흡광 계수(제3 및 제4 본 발명), 사용하는 베이스 폴리머 자체의 인장 강도나 피가공물의 인장 강도와의 관계(제7 및 제8 본 발명), 또는 사용하는 베이스 폴리머의 굴절률이나 피가공물의 굴절률(제10 및 제11 본 발명) 등에 따라서 적절하게 조정할 수 있지만, 보통 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여 2 내지 20 중량부 정도인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2 내지 10 중량부 정도이다.
기재는 단층이나 복층이라도 좋다. 또, 막 형상이나 메쉬 형상 등 여러 가지의 형상을 취할 수 있다.
기재의 두께는, 피가공물 상에의 접합, 피가공물의 절단이나 천공, 및 절단 부재의 박리나 회수 등의 각 공정에서의 조작성이나 작업성을 손상시키지 않는 범위에서 적절하게 조정할 수 있지만, 통상 500 ㎛ 이하이며, 바람직하게는 3 내지 300 ㎛ 정도이며, 더욱 바람직하게는 5 내지 250 ㎛이다. 기재의 표면은, 인접하는 재료와의 밀착성, 보유 지지성 등을 높이기 위해 관용의 표면 처리, 예컨대 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 및 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리가 실시되어 있어도 좋다.
점착제층의 형성 재료로서는, (메타)아크릴계 폴리머나 고무계 폴리머 등을 포함하는 공지의 점착제를 이용할 수 있다.
(메타)아크릴계 폴리머를 형성하는 모노머 성분으로서는, 예컨대 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 및 도데실기 등의 탄소수 30 이하, 바람직하게는 탄소수 4 내지 18의 직쇄(直鎖) 또는 분기의 알킬기를 갖는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 알킬 (메타)아크릴레이트는 1종류 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다.
(메타)아크릴계 폴리머의 점착성이나 응집력이나 내열성 등을 개질하는 것을 목적으로 하여, 상기 이외의 모노머 성분을 공중합시켜도 좋다. 그와 같은 모노머 성분으로서는, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸 (메타)아크릴레이트, 카르복시펜틸 (메타)아크릴레이트, 이타콘산, 마레인산, 푸말산, 및 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머, 무수 마레인산이나 무수 이타콘산 등의 산무수물 모노머, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 6-히드록시헥실, (메타)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산 10-히드록시데실, (메타)아크릴산 12-히드록시라우릴, 및(4-히드록시메틸시클로 헥실)메틸 (메타)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머, 스 티렌 술폰산, 아릴 술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판 술폰산, (메타)아크릴아미드프로판 술폰산, 술포프로필 (메타)아크릴레이트, 및 (메타)아크릴로일옥시나프탈렌 술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머, 2-히드록시에틸 아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머, (메타)아크릴아미드, (메타)아크릴산 N-히드록시메틸아미드, (메타)아크릴산 알킬아미노 알킬 에스테르(예컨대, 디메틸아미노에틸 메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸 메타크릴레이트 등), N-비닐피롤리돈, 아크릴로일몰포린, 초산 비닐, 스티렌, 및 아크릴로 니트릴 등을 들 수 있다. 이들 모노머 성분은 1종류 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다.
또한, (메타)아크릴계 폴리머의 가교 처리 등을 목적으로 다관능 모노머 등도 필요에 따라서 공중합 모노머 성분으로서 이용할 수 있다.
다관능 모노머로서는, 예컨대 헥산디올디 (메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디 (메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디 (메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜디 (메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디 (메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판트리 (메타)아크릴레이트, 테트라메틸올 메탄테트라 (메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리 (메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라 (메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타 (메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트, 및 우레탄 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능 모노머는 1종류 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다.
다관능 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 관점으로부터 전 모노머 성분 중 30 중량% 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 20 중량% 이하이다.
(메타)아크릴계 폴리머의 조제는, 예컨대 1종류 또는 2종류 이상의 모노머 성분을 포함하는 혼합물을 용액 중합 방식, 유화 중합 방식, 덩어리형 중합 방식, 또는 현탁 중합 방식 등의 적당한 방식을 적용하여 행할 수 있다.
중합 개시제로서는, 과산화수소, 과산화벤조일, t-부틸퍼옥사이드 등의 과산화물계를 들 수 있다. 단독으로 이용하는 것이 바람직하지만, 환원제와 조합하여 레독스계 중합 개시제로서 사용할 수도 있다. 환원제로서는, 예컨대 아황산염, 아황산 수소염, 철, 구리, 코발트염 등의 이온화의 염, 트리에탄올아민 등의 아민류, 알도스, 케토스 등의 환원당 등을 들 수 있다. 또한, 아조 화합물도 바람직한 중합 개시제이며, 2, 2'-아조비스-2-메틸프로피오아미딘산염, 2, 2'-아조비스-2, 4-디메틸바렐로니트릴, 2, 2'-아조비스-N, N'-디메틸렌 이소부틸아미딘산염, 2, 2'-아조비스 이소부틸로니트릴, 2, 2'-아조비스-2-부틸-N-(2-히드록시에틸) 프로피온아미드 등을 사용할 수 있다. 또, 상기 중합 개시제를 2종류 이상 병용하여 사용하는 것도 가능하다.
반응 온도는 보통 50 내지 85 ℃ 정도, 반응 시간은 1 내지 8 시간 정도가 된다. 또한, 상기 제조법 중에서도 특히 용액 중합법이 바람직하며, (메타)아크릴계 폴리머의 용매로서는 일반적으로 초산에틸, 톨루엔 등의 극성 용제가 이용된다. 용액 농도는 보통 20 내지 80 중량% 정도가 된다.
상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 (메타)아크릴계 폴리머의 수평균 분자량을 높이기 위해, 가교제를 적당히 가할 수도 있다. 가교제로서는, 폴리이소시아네 이트 화합물, 에폭시 화합물, 아디리딘 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 무수 화합물, 폴리아민, 카르복실기 함유 폴리머 등을 들 수 있다. 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 박리 점착력이 지나치게 내려가지 않는 것을 고려하여, 일반적으로는 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 0.01 내지 5 중량부 정도 배합하는 것이 바람직하다. 또한 점착제층을 형성하는 점착제에는, 필요에 따라 상기 성분 이외에, 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 관용 첨가제를 함유시킬 수 있다.
피가공물로부터의 박리성을 향상시키기 위해, 점착제는 자외선, 전자선 등의 방사선에 의해 경화하는 방사선 경화형 점착제로 하는 것이 바람직하다. 또, 점착제로서 방사선 경화형 점착제를 이용하는 경우에는, 레이저 가공 후에 점착제층에 방사선이 조사되므로, 상기 기재는 충분한 방사선 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
방사선 경화형 점착제로서는, 예컨대 전술한 (메타)아크릴계 폴리머에 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분으로서는, 예를 들어 우레탄 (메타)아크릴레이트 올리고머, 트리 메틸올프로판트리 (메타)아크릴레이트, 테트라메틸올 메탄 테트라 (메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜디 (메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리 (메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라 (메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타 (메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사 (메타)아크릴레이트, 1, 4-부틸렌글리콜디 (메타)아크릴레이트, 및 1, 6-헥산디올디 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가 알코올로 이루어지는 에스테르 화합물, 2-프로페닐-3-부테닐이소시아누레이트, 및 트리스(2-메타크릴록시에틸) 이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 이용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다.
방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 점착성을 고려하면, 점착제를 구성하는 (메타)아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 5 내지 500 중량부 정도인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 70 내지 150 중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는 베이스 폴리머로서 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄(側鎖) 또는 주쇄(主鎖) 중 혹은 주쇄 말단부에 갖는 것을 이용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는, (메타)아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 이 경우에 있어서는, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 특별히 가하지 않더라도 좋으며, 그 사용은 임의이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광 중합 개시제를 함유시킨다. 광 중합 개시제로서는, 예컨대 4-(2-히드록시 에톡시) 페닐(2-히드록시-2-프로필) 케톤, α-히드록시-α, α-메틸아세토페논, 메톡시아세트페논, 2, 2-디메톡시-2-페닐아세트페논, 2, 2-디에톡시아세트페논, 1-히드록시시클로 헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세트페논계 화합물, 벤조인에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 아니조인메틸에테르와 같은 벤조인에테르계 화합물, 2-메틸-2-히드록시프로필페논 등의 α-케토르계 화합물, 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물, 2-나프탈렌술포닐클로리드 등의 방향족 술포닐클로리드계 화합물, 1-페논-1, 1-프로판디온-2-(o-에톡시카보닐) 옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물, 벤조페논, 벤조일 벤조산, 3, 3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물, 티옥산손, 2-클로로티옥산손, 2-메틸티옥산손, 2, 4-디메틸티옥산손, 이소프로필티옥산손, 2, 4-디클로로티옥산손, 2, 4-디에틸티옥산손, 2, 4-디이소프로필티옥산손 등의 티옥산손계 화합물, 캔파퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스피녹시드 및 아실포스포나이트 등을 들 수 있다.
광 중합 개시제의 배합량은 점착제를 구성하는 (메타)아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 10 중량부 정도인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 중량부 정도이다.
상기 보호 시트는, 예컨대 기재의 표면에 점착제 용액을 도포하여, 건조시켜서(필요에 따라서 가열 가교시켜) 점착제층을 형성함으로써 제조할 수 있다. 또, 별도로 박리 라이너에 점착제층을 형성한 후, 그것을 기재에 접합하는 방법 등을 채용할 수 있다. 점착제층은 1층이라도 좋고, 2층 이상이라도 좋다. 필요에 따라서 점착제층의 표면에 세퍼레이터를 마련해도 좋다.
점착제층은 피가공물에의 오염 방지 등의 면에서 저분자량 물질의 함유량이 적은 것이 바람직하다. 이러한 점으로부터 (메타)아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 30만 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만, 특히 바람직하게는 80만 내지 300만이다.
점착제층의 두께는, 피가공물로부터 박리하지 않는 범위에서 적절하게 선택 할 수 있지만, 5 내지 300 ㎛ 정도인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 10 내지 100 ㎛ 정도, 특히 바람직하게는 10 내지 50 ㎛ 정도이다.
또한 점착제층의 접착력은 SUS 304에 대한 상온(레이저 조사 전)에서의 접착력(90도 필치, 박리 속도 300 ㎜/분)을 기초로 하여, 20 N/20 ㎜ 이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.001 내지 10 N/20 ㎜, 특히 바람직하게는 0.01 내지 8 N/20 ㎜이다.
상기 세퍼레이터는, 라벨 가공 또는 점착제층을 보호하기 위해 필요에 따라서 마련된다. 세퍼레이터의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 표면에는 점착제층으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라서 실리콘 처리, 장쇄(長鎖) 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한, 필요에 따라서 보호 시트가 환경 자외선에 의해 반응하지 않도록, 자외선 투과 방지 처리 등이 실시되어 있어도 좋다. 세퍼레이터의 두께는, 통상 10 내지 200 ㎛, 바람직하게는 25 내지 100 ㎛ 정도이다.
이하, 본 발명의 상기 보호 시트를 이용한 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의한 레이저 가공품의 제조 방법을 설명한다. 예컨대, 절단 가공의 경우, 도1 및 도3에 도시한 바와 같이 보호 시트(2)와 피가공물(또는 금속계 재료)(1)과 점착 시트(3)를 롤 라미네이터나 프레스 등의 공지의 수단으로 접합하여 얻게 된 보호 시트-피가공물-점착 시트 적층체(4)를 흡착 스테이지(5)의 흡착판(6) 상에 배치하고, 상기 적층체(4) 상에, 소정의 레이저 발진기로부터 출력되는 레이저광(7)을 렌 즈에 의해 보호 시트(2) 상에 집광·조사하는 동시에, 그 레이저 조사 위치를 소정의 가공 라인 상을 따라서 이동시킴으로써 절단 가공을 한다. 또, 피가공물의 레이저 광 출사면 측에 마련되는 점착 시트(3)는 레이저 가공 전은 피가공물을 지지 고정하는 역할을 감당하고, 레이저 가공 후는 절단물의 낙하를 방지하는 역할을 감당하는 것이며, 레이저 가공성이 낮은 시트를 이용한다. 점착 시트(3)로서는, 기재 위에 점착제층이 적층되어 있는 일반적인 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다.
레이저광의 이동 수단으로서는, 갈바노 스캔 혹은 X-Y 스테이지 스캔, 마스크 이미징 가공 등의 공지의 레이저 가공 방법이 이용된다.
레이저의 가공 조건은 보호 시트(2) 및 피가공물(1)이 완전히 절단되는 조건이면 특별히 한정되지 않지만, 점착 시트(3)까지 절단되는 것을 회피하기 위해, 피가공물(1)이 절단되는 에너지 조건의 2배 이내로 하는 것이 바람직하다.
또한, 절삭 여백(절단 홈)은 레이저광의 집광부의 빔 지름을 교축함으로써 가늘게 할 수 있지만, 절단 단부면의 정밀도를 내기 위해,
빔 지름(㎛) > 2 × [레이저광 이동 속도(㎛/sec)/레이저광의 반복 주파수(Hz)]를 충족시키고 있는 것이 바람직하다.
또한, 천공 가공의 경우, 도2에 도시한 바와 같이 보호 시트(2)와 피가공물(1)과 점착 시트(3)를 롤 라미네이터나 프레스 등의 공지의 수단으로 접합하여 얻게 된 보호 시트-피가공물-점착 시트 적층체(4)를 흡착 스테이지(5)의 흡착판(6) 상에 배치하고, 상기 적층체(4) 상에, 소정의 레이저 발진기로부터 출력되는 레이 저광(7)을 렌즈에 의해 보호 시트(2) 상에 집광·조사하여 구멍을 형성한다.
구멍은 갈바노 스캔 혹은 X-Y 스테이지 스캔, 마스크 이미징에 의한 펀칭 가공 등의 공지의 레이저 가공 방법에 의해 형성한다. 레이저의 가공 조건은, 피가공 재료의 어블레이션 임계치를 바탕으로 최적의 값을 결정하면 좋다. 점착 시트(3)까지 천공되는 것을 회피하기 위해, 피가공물(1)이 천공되는 에너지 조건의 2배 이내로 하는 것이 바람직하다.
또한, 헬륨, 질소, 산소 등의 가스를 레이저 가공부에 분무함으로써, 분해물의 비산 제거를 효율화할 수도 있다.
또한, 반도체 웨이퍼의 절단 가공은, 도4와 같이 반도체 웨이퍼(8)의 한쪽 면을 흡착 스테이지(5) 상에 마련된 점착 시트(3)에 접합하고, 또한 다른 면측에 보호 시트(2)를 설치하고, 소정의 레이저 발진기로부터 출력되는 레이저광(7)을 렌즈에 의해 보호 시트(2) 상에 집광·조사하는 동시에, 그 레이저 조사 위치를 소정의 가공 라인 상을 따라서 이동시킴으로써 절단 가공을 한다. 레이저광의 이동 수단으로서는, 갈바노 스캔 혹은 X-Y 스테이지 스캔, 마스크, 이미징 가공 등의 공지의 레이저 가공 방법이 이용된다. 이러한 반도체 웨이퍼의 가공 조건은, 보호 시트(2) 및 반도체 웨이퍼(8)가 절단되고, 또한 점착 시트(3)가 절단되지 않는 조건이면 특별히 한정되지 않는다.
이러한 반도체 웨이퍼의 절단 가공에 있어서는, 개개의 반도체 칩으로 절단한 후, 종래부터 알려져 있는 다이본더 등의 장치에 의해 니들이라 불리는 상향 돌출 핀을 이용하여 픽업하는 방법, 혹은 일본 특허 공개 제2001-118862호 공보에 개 시되는 방식 등 공지의 방법으로 개개의 반도체 칩을 픽업하여 회수할 수 있다.
본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에 있어서는, 레이저 가공 종료 후에 보호 시트(2)를 레이저 가공품(10)으로부터 박리한다. 박리하는 방법은 제한되지 않지만, 박리 시에 레이저 가공품(10)이 영구 변형하는 응력이 작용하지 않도록 하는 것이 가장 중요하다. 예컨대, 점착제층에 방사선 경화형 점착제를 이용한 경우에는, 점착제의 종류에 따라서 방사선 조사에 의해 점착제층을 경화시켜 점착성을 저하시킨다. 방사선 조사에 의해, 점착제층의 점착성이 경화에 의해 저하되어 박리를 용이화시킬 수 있다. 방사선 조사의 수단은 특별히 제한되지 않지만, 예컨대 자외선 조사 등에 의해 행해진다.
제1 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 상기 보호 시트를 사용함으로써, 레이저광 조사부로부터 발생한 분해물이 피가공물을 피복하고 있는 보호 시트 표면에 부착되므로, 피가공물 표면에 분해물이 부착되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또, 레이저광 흡수 영역에서의 광 투과율이 50 % 미만인 레이저 에너지 이용 효율이 큰 보호 시트를 이용한 경우에는, 피가공물보다도 먼저 보호 시트가 레이저광에 의해 침식되고, 보호 시트의 레이저광 조사부가 침식된 후에 하층의 피가공물이 침식된다. 그로 인해 피가공물의 분해물은 보호 시트의 침식 부분으로부터 외부로 비산되므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
제2 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 기재의 에칭률이 0.4 이상인 보호 시트를 사용하고 있으므로, 피가공물보다도 먼저 보호 시트가 레이저광에 의해 에칭되기 쉬워, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭된다. 그로 인해 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 효율적으로 외부로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
제3(또는 제4) 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 흡광 계수비가 1 이상인 보호 시트(또는 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수가 20 ㎝-1 이상인 기재를 갖는 보호 시트)를 사용하고 있으므로, 피가공물(또는 금속계 재료)보다도 보호 시트 쪽이 에칭되기 쉬워져, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭된다. 그로 인해 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 효율적으로 외부로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
제5 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 밀도 비가 1 이상인 보호 시트를 사용하고 있으므로, 피가공물보다도 보호 시트 쪽이 에칭되기 쉬워져, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭된다. 또한, 제6 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 밀도가 1.1 g/㎤ 이상인 기재를 갖는 보호 시트를 사용하고 있으므로, 금속계 재료보다도 보호 시트 쪽이 에칭되기 쉬워져, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 금속계 재료가 에칭된다. 그로 인해 피가공물(금속계 재료)의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 효율적으로 외부로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물(금속계 재료) 과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
제7(또는 제8) 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 인장 강도비가 1 이상인 보호 시트(또는 인장 강도가 100 MPa 이상인 보호 시트)를 사용하고 있으므로, 피가공물(또는 금속계 재료)보다도 보호 시트 쪽이 에칭되기 쉬워져, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭된다. 그로 인해 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 효율적으로 외부로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
제9 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 비열 비가 1 미만인 보호 시트를 사용하고 있으므로, 피가공물보다도 보호 시트의 쪽이 에칭되기 쉬워져, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭된다. 그로 인해 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 효율적으로 외부로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
제10(또는 제11) 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 굴절률 비가 1 이상인 보호 시트(또는 파장 546 ㎚에서의 굴절률이 1.53 이상인 기재를 갖는 보호 시트)를 사용하고 있으므로, 피가공물보다도 보호 시트 쪽이 에칭되기 쉬워져, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭된다. 그로 인해 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 효율적으로 외부로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
제12(또는 제13) 본 발명의 레이저 가공품의 제조 방법에서는, 총 결합 에너지 비가 1 미만인 보호 시트(또는 총 결합 에너지 A가 800 kJ/mol 미만인 기재를 갖는 보호 시트)를 사용하고 있으므로, 피가공물보다도 보호 시트 쪽이 에칭되기 쉬워져, 보호 시트의 레이저광 조사부가 충분히 에칭된 후에 하층의 피가공물이 에칭된다. 그로 인해 피가공물의 분해물은 보호 시트의 에칭 부분으로부터 효율적으로 외부로 비산하므로, 보호 시트와 피가공물과의 계면 부분의 오염을 억제할 수 있다.
따라서, 상기 제조 방법에 의하면 보호 시트와 피가공물(레이저 가공품)과의 계면 부분에 분해물이 부착되지 않으므로, 피가공물을 레이저 가공한 후에 보호 시트를 레이저 가공품으로부터 쉽게 박리할 수 있고, 또한 피가공물의 레이저 가공 정밀도를 향상시킬 수 있다.
실시예
이하에, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(제1 발명)
[수평균 분자량의 측정]
합성한 (메타)아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 이하의 방법으로 측정했다. 합성한 (메타)아크릴계 폴리머를 THF에 0.1 중량%로 용해시켜, GPC(겔파미에션 크로마토그래피)를 이용하여 폴리스티렌 환산에 의해 수평균 분자량을 측정했다. 자세한 측정 조건은 이하와 같다.
GPC 장치 : 도오소제, HLC-8120GPC
칼럼 : 도오소제, (GMHHR-H) + (GMHHR-H) + (G2000HHR)
유량 : 0.8 ㎖/분
농도 : 0.1 중량 %
주입량 : 100 ㎕
칼럼 온도 : 40 ℃
용리액 : THF
[광 투과율의 측정]
기재 및 보호 시트를 임의의 크기로 절단하여, 측정 장치로서 U-3400(히타치 세이사꾸쇼제)를 사용하여, 측정 파장 355 ㎚로 광 투과율을 측정했다. 또, 보호 시트에 대해서는 점착제층 측에서 측정을 행하였다.
제1 실시예
폴리에틸렌 나프탈레이트(반복 단위 중의 방향환의 중량비 : 64 중량%)로 이루어지는 기재(두께 : 20 ㎛, 파장 355 ㎚에서의 광 투과율 : 0 %) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 얻었다. 이 보호 시트의 파장 355 ㎚에서의 광 투과율은 0 %였다.
또, 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트/아크릴산을 중량비 60/40/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 80만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타 아크릴레이트 90 중량부, 및 광 중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
두께 100 ㎛의 실리콘 웨이퍼의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 배치하였다. 파장 355 ㎚ 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단 가공하였다. 이때, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 실리콘 웨이퍼에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 표면을 관찰한 바, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제1 참고예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리비닐 알코올 시트(두께 : 50 ㎛, 파장 355 ㎚에 있어서의 광 투과율 : 84.4 %)를 사용한 것 이외는 제1 실시 예와 마찬가지의 방법으로 실리콘 웨이퍼에 레이저 가공을 하였다. 그 결과, 보호 시트는 충분히 절단되어 있지 않고, 하층의 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 실리콘 웨이퍼의 분해물 잔사가 부착되어 있었다.
제2 실시예
폴리이미드(반복 단위 중의 방향환의 중량비 : 64 중량%)로 이루어지는 기재(두께 : 13 ㎛, 파장 355 ㎚에서의 광 투과율 : 0 %) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계) 점착제 용액 (2)를 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 얻었다. 이 보호 시트의 파장 355 ㎚에서의 광 투과율은 0 %였다.
또, 아크릴계 점착제 용액 (2)는 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸아크릴레이트/에틸아크릴레이트/2-히드록시 에틸아크릴레이트를 중량비 50/50/16으로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 50만의 아크릴계 폴리머 100 중량부에 대하여, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 20 중량부를 부가 반응시켜, 폴리머 분자 내측쇄에 탄소-탄소 2중 결합을 도입하였다(이때의 측쇄의 길이는 원자수로 13개). 이 폴리머 100 중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(콜로네이트 L) 1 중량부, 및 광 중합 개시제로서 α-히드록시케톤(일가큐어 184) 3 중량부를 톨루엔 350 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (2)를 조제하였다.
두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름 상에 두께 18 ㎛의 구리층을 형성한 2층 기판 에, 노광·현상·에칭 공정에 의해 회로를 형성하여 가요성 프린트 기판을 제작하였다. 제작한 가요성 프린트 기판과 상기 보호 필름을 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 가요성 프린트 기판을 제작하였다.
그리고 알루미나제의 세라믹 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 가요성 프린트 기판을 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 가요성 프린트 기판 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단 가공하였다. 이때, 보호 시트 및 가요성 프린트 기판이 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 가요성 프린트 기판의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
제2 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(반복 단위 중의 방향환의 중량비 : 41 중량%, 두께 : 50 ㎛, 파장 355 ㎚에서의 광 투과율 : 44.9 %)을 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법으로 가요성 프린트 기판에 레이저 가공을 하였다. 그 결과, 보호 시트 및 가요성 프린트 기판이 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 가요성 프린트 기판의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제4 실시예
제2 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리카보네이트 필름(반복 단위 중의 방향환의 중량비 : 61 중량%, 두께 : 20 ㎛, 파장 355 ㎚에서의 광 투과율 : 0 %)을 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법으로 가요성 프린트 기판에 레이저 가공을 하였다. 그 결과, 보호 시트 및 가요성 프린트 기판이 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 가요성 프린트 기판의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제5 실시예
4-부틸-1-펜텐/1, 4-비스{2-[4-(N, N-디(p-트릴)아미노)페닐]비닐} 벤젠을 중량비 97/3으로 공중합시켜 이루어지는 폴리머를 캐스트에 의해 시트 형상으로 하여 보호 시트용의 기재를 제작하였다.
제2 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 상기 제작한 기재(반복 단위 중의 방향환의 중량비 : 2.4 중량%, 두께 : 10 ㎛, 파장 355 ㎚에서의 광 투과율 : 5 %)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법으로 가요성 프린트 기판에 레이저 가공을 하였다. 그 결과, 보호 시트 및 가요성 프린트 기판이 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 가요성 프린트 기판의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
(제2 발명)
[수평균 분자량의 측정]
제1 발명과 마찬가지의 방법으로 측정했다.
[에칭률의 측정]
톱 해트 형상으로 빔 정형한 YAG 레이저(최대 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz)의 제3 고조파(파장 355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 집광하여, 펄스수 50(pulse)의 조건으로 기재 표면에 조사했다. 조사 후, 기재에 형성된 홈의 깊이(㎛)를 광학 현미경으로 측정하였다. 에칭 속도는 하기 식에 의해 산출된다.
에칭 속도 = 홈 깊이(㎛)/ 펄스 수(pulse)
또한 상기 YAG 레이저의 에너지 플루언스는 5(J/㎠)였다. 에칭률은 상기 에칭 속도와 에너지 플루언스로부터 하기 식에 의해 산출된다. 에칭률 = 에칭 속도 ㎛/pulse/에너지 플루언스(J/㎠)
제1 실시예
폴리스티렌으로 이루어지는 기재(두께 20 ㎛, 에칭률 : 0.48) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 얻었다.
또, 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시 에틸아크릴레이트/아크릴산을 중량비 60/40/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수 평균 분자량 80만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타 아크릴레이트 90 중량부, 및 광 중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
두께 100 ㎛의 실리콘 웨이퍼의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단 가공하였다. 이때, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 실리콘 웨이퍼에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 가공 주변부를 관찰한 바, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 비교예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리에틸렌 시트(두께 50 ㎛, 에칭률 : 0)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 실리콘 웨이퍼에 레이저 가공을 하였다. 그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 실 리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 실리콘 웨이퍼의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제3 비교예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리우레탄 시트(두께 50 ㎛, 에칭률 : 0.26)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 실리콘 웨이퍼에 레이저 가공을 하였다. 그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 실리콘 웨이퍼의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
실리콘 고무 시트로 이루어지는 기재(두께 20 ㎛, 에칭률 : 0.52) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (2)를 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 얻었다.
또, 아크릴계 점착제 용액 (2)는 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트를 중량비 50/50/16으로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 50만의 아크릴계 폴리머 100 중량부에 대하여, 2-메타크리로일옥시에틸 이소시아네이트 20 중량부를 부가 반응시켜, 폴리머 분자 내측쇄에 탄소-탄소 2중 결합을 도입하였다(이때의 측쇄의 길이는 원자수로 13개). 이 폴리머 100 중량부, 폴리이소시아네이트계 가교제(콜로네이트 L) 1 중량부, 및 광중합 개시제로서 α-히드록시 케톤(일가큐어 184) 3 중량부를 톨루엔 400 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (2)를 조제하였다.
두께 25 ㎛의 폴리이미드 필름 상에 두께 18 ㎛의 구리층을 형성한 2층 기판에, 노광·현상·에칭 공정에 의해 회로를 형성하여 가요성 프린트 기판을 제작하였다. 제작한 가요성 프린트 기판과 상기 보호 필름을 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 가요성 프린트 기판을 제작하였다.
그리고 알루미나제의 세라믹 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 가요성 프린트 기판을 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 가요성 프린트 기판 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단 가공하였다. 이때, 보호 시트 및 가요성 프린트 기판이 절단하고 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 가요성 프린트 기판의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
제2 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리이미드 필름(두께 13 ㎛, 에칭률 : 0.95)을 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법으로 가요성 프린트 기판에 레이저 가공을 하였다. 그 결과, 보호 시트 및 가요성 프린트 기판이 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 가요성 프린트 기판의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제4 실시예
폴리프로필렌 99 중량부와 카본 블랙 1 중량부를 혼합하여, 용융 압출에 의해 두께 20 ㎛의 폴리프로필렌 시트를 제작하였다.
제2 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 상기 폴리프로필렌 시트(에칭률 0.45)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법으로 실리콘 웨이퍼에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 가요성 프린트 기판의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
상기 실시예 및 비교예로부터 명백한 바와 같이, 기재의 에칭률이 0.4 이상의 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다.
(제3 및 제4 발명)
[수평균 분자량의 측정]
제1 발명과 마찬가지의 방법으로 측정했다.
[흡광 계수의 측정]
사용한 기재 및 피가공물의 흡광 계수는, 분광 광도계(히타치세이사꾸쇼제, U-3410)를 이용하여 파장 355 ㎚에서의 흡광도를 측정하여, 그 흡광도의 값으로부 터 산출했다.
제1 실시예
피가공물로서 폴리스티렌 시트(두께 100 ㎛, 흡광 계수 48 ㎝-1)를 이용하였다. 폴리우레탄으로 이루어지는 기재(두께 20 ㎛, 흡광 계수 125 ㎝-1) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 제작하였다. 흡광 계수비는 2. 6이었다.
또, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시 에틸아크릴레이트/아크릴산을 중량비 60/40/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 80만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트 90 중량부, 광중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부, 및 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄 폴리우레탄샤제, 콜로네이트 L) 2 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
상기 폴리스티렌 시트의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트를 제작하였다.
그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트를 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스 캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단하였다. 이때, 보호 시트 및 폴리스티렌 시트가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리스티렌 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 폴리스티렌 시트의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리스티렌 시트에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 폴리스티렌 시트의 레이저광 입사면 측의 가공 주변부를 관찰한 바, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 비교예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 에틸렌-초산비닐 공중합체 시트(두께 100 ㎛, 흡광 계수 19 ㎝-1)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리스티렌 시트에 레이저 가공을 하였다. 흡광 계수비는 0.4였다. 그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 폴리스티렌 시트가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 폴리스티렌 시트 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 폴리스티렌 시트의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 폴리스티렌의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
가공하는 재료로서, 실리콘 웨이퍼(두께 100 ㎛)를 이용하였다. 보호 시트의 기재로서 실리콘 고무 시트(두께 25 ㎛, 흡광 계수 20.7 ㎝-1)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
또한, 폴리에틸렌으로 이루어지는 기재(두께 100 ㎛) 상에, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 점착 시트를 제조하였다. 상기 점착 시트를 상기 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼의 이면측에 부착하여, 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 결과, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 결과, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
보호 시트의 기재로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 시트(두께 25 ㎛, 흡광 계수 80 ㎝-1)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 결과, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점 착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 결과, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 비교예
보호 시트의 기재로서 에틸렌-초산비닐 공중합체 시트(두께 100 ㎛, 흡광 계수 19 ㎝-1)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
상기 실시예 및 비교예로부터 명백한 바와 같이, 흡광 계수비가 1 이상인 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 금속계 재료를 가공하는 경우에는, 흡광 계수가 20 ㎝-1 이상인 기재를 갖는 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 금속계 재료 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 그 후의 분해물 제거 공정을 대폭 간소화할 수 있으므로, 환경 부하 저감에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 생산성의 향상도 도모할 수 있다.
(제5 및 제6 발명)
[수평균 분자량의 측정]
제1 발명과 마찬가지의 방법으로 측정했다.
[밀도 측정]
피크노미터와 물을 이용하여 보호 시트에 이용하는 기재 및 피가공물의 밀도를 측정하였다.
제1 실시예
피가공물로서 폴리카보네이트 시트(두께 100 ㎛, 밀도 1.20 g/㎤)를 이용하였다. 밀도 비가 1 이상이 되도록, 폴리에틸렌 나프탈레이트로 이루어지는 기재(두께 20 ㎛, 밀도 1.36 g/㎤) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 제작하였다. 밀도 비는 1.13이었다.
또, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트/아크릴산을 중량비 65/35/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 70만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타 아크릴레이트 90 중량부, 광 중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부, 및 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄폴리우레탄샤제, 콜로네이트 L) 2 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
상기 폴리카보네이트 시트의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트를 제작하였다.
그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트를 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단하였다. 이때, 보호 시트 및 폴리카보네이트 시트가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리카보네이트 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 폴리카보네이트 시트의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리카보네이트 시트에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 폴리카보네이트 시트의 레이저광 입사면 측의 가공 주변부를 관찰한 바, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 비교예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리노르보르넨계 시트(두께 100 ㎛, 밀도 1.00 g/㎤)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리카보네이트 시트에 레이저 가공을 하였다. 밀도 비는 0.83이었다.
그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 폴리카보네이트 시트가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 폴리카보네이트 시트 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 폴리카보네이트 시트의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 폴리카보네이트의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
피가공물로서 폴리스티렌 시트(두께 100 ㎛, 밀도 1.04 g/㎤)를 이용하였다. 보호 시트의 기재로서 폴리이미드 시트(두께 20 ㎛, 밀도 1.5g/㎤)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트를 제작하였다. 밀도 비는 1.44였다. 또한, 폴리비닐 알코올로 이루어지는 기재(두께 75 ㎛) 상에, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 점착 시트를 제조하였다. 상기 점착 시트를 상기 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트의 이면측에 부착하여, 보호·점착 시트가 달린 폴리스티렌 시트를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 폴리스티렌 시트는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리스티렌 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
폴리스티렌 시트 대신에, 실리콘 웨이퍼(두께 100 ㎛)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 비교예
보호 시트의 기재로서 폴리노르보르넨계 시트(두께 100 ㎛, 밀도 1.00 g/㎤)를 이용한 것 이외는 제3 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
상기 실시예 및 비교예로부터 분명한 바와 같이, 밀도 비가 1 이상인 보호 시트, 또는 밀도가 1.1 g/㎤ 이상인 기재를 갖는 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 그 후의 분해물 제거 공정을 대폭 간소화할 수 있으므로, 환경 부하 저감에 기여할 수 있을 뿐 아니라 생산성의 향상도 도모할 수 있다.
(제7 및 제8 발명)
[수평균 분자량의 측정]
제1 발명과 마찬가지의 방법으로 측정했다.
[인장 강도의 측정]
사용한 보호 필름 및 피가공물의 인장 강도는, 텐시론(시마즈오토 그래프 AGS50-D)을 이용하여 측정하였다. 측정 조건은 하기와 같다.
인장 속도 : 20 ㎜/분
척 사이 거리 : 100 ㎜
샘플 폭 : 10 ㎜
제1 실시예
피가공물로서 폴리스티렌 시트(두께 100 ㎛, 인장 강도 44 MPa)를 이용하였다. 인장 강도비가 1 이상이 되도록, 폴리에틸렌 나프탈레이트로 이루어지는 기재(두께 50 ㎛) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트(인장 강도 282 MPa)를 제작하였다. 인장 강도비는 6.4였다.
또, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트/아크릴산을 중량비 65/35/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 70만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타 아크릴레이트 90 중량부, 광 중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부, 및 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄폴리우레탄샤제, 콜로네이트 L) 2 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
상기 폴리스티렌 시트의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트를 제작하였다.
그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트를 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 폴리스티렌 시트 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단하였다. 이때, 보호 시트 및 폴리스티렌 시트가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리스티렌 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 폴리스티렌 시트의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리스티렌 시트에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 폴리스티렌 시트의 레이저광 입사면 측의 가공 주변부를 관찰한 결과, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 비교예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 에틸렌-초산 비닐 공중합체 시트(두께 100 ㎛)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리스티렌 시트에 레이저 가공을 하였다. 또, 보호 시트의 인장 강도는 17 MPa이며, 인장 강도비는 0.4였다. 그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 폴리스티렌 시트가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 폴리스티렌 시트 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 폴리스티렌 시트의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 폴리스티렌의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
가공하는 재료로서 실리콘 웨이퍼(두께 100 ㎛)를 이용하였다. 보호 시트의 기재로서 폴리이미드 시트(두께 25 ㎛)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 상기 보호 필름의 인장 강도는 340 MPa였다.
또한, 폴리에틸렌으로 이루어지는 기재(두께 100 ㎛) 상에, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 점착 시트를 제조하였다. 상기 점착 시트를 상기 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼의 이면측에 부착하여, 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
보호 시트의 기재로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 시트(두께 25 ㎛)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 상기 보호 필름의 인장 강도는 140 MPa였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 비교예
보호 시트의 기재로서 에틸렌-초산 비닐 공중합체 시트(두께 100 ㎛)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 상기 보호 시트의 인장 강도는 17 MPa였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
상기 실시예 및 비교예로부터 명백한 바와 같이, 인장 강도비가 1 이상인 보호 시트(또는 인장 강도가 100 MPa 이상인 보호 시트)를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물(또는 금속계 재료) 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 그 후의 분해물 제거 공정을 대폭 간소화할 수 있으므로, 환경 부하 저감에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 생산성의 향상도 도모할 수 있다.
(제9 발명)
[수평균 분자량의 측정]
제1 발명과 마찬가지의 방법으로 측정했다.
[비열측정]
열분석 시스템(세이코인스트루멘츠샤제, DSC EXSTAR 6000)을 이용하여 보호 시트에 이용하는 기재 및 피가공물의 비열을 측정했다. 승온 속도 10 ℃/분으로 측정하여, 빈 용기, 샘플, 및 레퍼런스(물)의 3개의 DSC 곡선을 구하였다. 그리고 하기의 식에 의해 비열을 구하였다.
Cps = (Ys/Yr) × (Mr/Ms) × Cpr
Cps : 샘플의 비열
Cpr : 레퍼런스의 비열[물 : 4.2 J/(g·K)]
Ys : 샘플과 빈 용기의 DSC 곡선차
Yr : 레퍼런스와 빈 용기의 DSC 곡선차
Ms : 샘플의 질량
Mr : 레퍼런스의 질량
제1 실시예
피가공물로서 폴리이미드 시트[두께 100 ㎛, 비열 1.1 J/(g·K)]를 이용하였다. 비열 비가 1 미만이 되도록, 폴리에틸렌 나프탈레이트로 이루어지는 기재[두께 50 ㎛, 비열 0.75 J/(g·K)] 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 제작하였다. 비열 비는 0.68이었다.
또, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트/아크릴산을 중량비 65/35/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 70만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타 아크릴레이트 90 중량부, 광 중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부, 및 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄폴리우레탄샤제, 콜로네이트 L) 2 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
상기 폴리이미드 시트의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 폴리이미드 시트를 제작하였다.
그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 폴리이미드 시트를 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎜)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 폴리이미드 시트 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단하였다. 이때, 보호 시트 및 폴리이미드 시트가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리이미드 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 폴리이미드 시트의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리이미드 시트에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 폴리이미드 시트의 레이저광 입사면 측의 가공 주변부를 관찰한 바, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 에틸렌-초산 비닐 공중합체 시트[두께 100 ㎛, 비열 2.2 J/(g·K)]를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리이미드 시트에 레이저 가공을 하였다. 비열 비는 2.0이었다.
그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 폴리이미드 시트가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 폴리이미드 시트 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 폴리이미드 시트의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 폴리이미드의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
피가공물로서 실리콘 웨이퍼[두께 100 ㎛, 비열 0.77 J/(g·K)]를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 비열 비는 0.97이었다.
또, 폴리에틸렌으로 이루어지는 기재(두께 100 ㎛) 상에, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 점착 시트를 제조하였다. 상기 점착 시트를 상기 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼의 이면측에 부착하여, 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
비열비가 1 미만이 되도록, 보호 시트의 기재로서 폴리우레탄 시트[두께 25 ㎛, 0.48 J/(g·K)]를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호 점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 비열 비는 0.62였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
상기 실시예 및 비교예로부터 명백한 바와 같이, 비열 비가 1 미만인 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 그 후의 분해물 제거 공정을 대폭 간소화할 수 있으므로, 환경 부하 저감에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 생산성의 향상도 도모할 수 있다.
(제10 및 제11 발명)
[수평균 분자량의 측정]
제1 발명과 마찬가지의 방법으로 측정했다.
[굴절률의 측정]
사용한 기재 및 유기계 피가공물의 굴절률은 아베 굴절계(ATAGO제, DR- M4)를 이용하여 측정하였다. 측정 파장은 546 ㎚이다.
제1 실시예
피가공물로서 폴리프로필렌 시트(두께 60 ㎛, 굴절률 1.51)를 이용하였다. 폴리스티렌으로 이루어지는 기재(두께 20 ㎛, 굴절률 1.59) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 보호 시트를 제작하였다. 굴절률 비는 1.05였다.
또, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트/아크릴산을 중량비 60/40/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 80만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타 아크릴레이트 90 중량부, 광 중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부, 및 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄폴리우레탄샤제, 콜로네이트 L) 2 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
상기 폴리프로필렌 시트의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 폴리프로필렌 시트를 제작하였다.
그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 폴리프로필렌 시트를 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎜)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 폴리프로필렌 시트 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단하였다. 이때, 보호 시트 및 폴리프로필렌 시트가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리프로필렌 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 폴리프로필렌 시트의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리프로필렌 시트에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 폴리프로필렌 시트의 레이저광 입사면 측의 가공 주변부를 관찰한 바, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 비교예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 폴리메틸펜텐 시트(두께 100 ㎛, 굴절률 1.46)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리프로필렌 시트에 레이저 가공을 하였다. 굴절률 비는 0.97이었다. 그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 폴리프로필렌 시트가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 폴리프로필렌 시트 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리프로필렌 시트의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 폴리프로필렌의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
피가공물로서 폴리카보네이트 시트(두께 100 ㎛, 굴절률 1.59)를 이용하였다. 보호 시트의 기재로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 시트(두께 20 ㎛, 굴절률 1.66)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트를 제작하였다. 굴절률 비는 1.04였다.
또, 폴리에틸렌으로 이루어지는 기재(두께 100 ㎛) 상에, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 점착 시트를 제조하였다. 상기 점착 시트를 상기 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트의 이면측에 부착하여, 보호·점착 시트가 달린 폴리카보네이트 시트를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 폴리카보네이트 시트는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리카보네이트 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
폴리카보네이트 시트 대신에, 실리콘 웨이퍼(두께 100 ㎛)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 비교예
보호 시트의 기재로서 폴리프로필렌 시트(두께 60 ㎛, 굴절률 1.51)를 이용한 것 이외는 제3 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리 콘 웨이퍼를 제작하였다. 그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
상기 실시예 및 비교예로부터 분명한 바와 같이, 굴절률 비가 1 이상인 보호 시트, 또는 파장 546 ㎚에서의 굴절률이 1.53 이상인 기재를 갖는 보호 시트를 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 그 후의 분해물 제거 공정을 대폭 간소화할 수 있으므로, 환경 부하 저감에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 생산성의 향상도 도모할 수 있다.
(제12 및 제13 발명)
[수평균 분자량의 측정]
제1 발명과 마찬가지의 방법으로 측정했다.
제1 실시예
피가공물로서 폴리카보네이트 시트(두께 100 ㎛, 총 결합 에너지 B : 720 kJ/mol)를 이용하였다.
총 결합 에너지 비가 1 미만이 되도록, 폴리에틸렌 나프탈레이트로 이루어지는 기재(두께 50 ㎛, 총 결합 에너지 A : 692 kJ/mol) 상에, 자외선에 의해 경화 가능한 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성 하여 보호 시트를 제작하였다. 총 결합 에너지 비는 0.96이었다.
또, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)은 이하의 방법으로 조제하였다. 부틸 아크릴레이트/에틸 아크릴레이트/2-히드록시에틸 아크릴레이트/아크릴산을 중량비 65/35/4/1로 공중합시켜 이루어지는 수평균 분자량 70만의 아크릴계 폴리머 100 중량부, 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타 아크릴레이트 90 중량부, 광 중합 개시제로서 벤질디메틸케탈(일가큐어 651) 5 중량부, 및 폴리이소시아네이트 화합물(니뽄폴리우레탄샤제, 콜로네이트 L) 2 중량부를 톨루엔 650 중량부에다가 균일하게 용해 혼합하여 아크릴계 점착제 용액 (1)을 조제하였다.
상기 폴리카보네이트 시트의 한쪽 면에 상기 제작한 보호 시트를 롤 라미네이터로 접합하여 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트를 제작하였다.
그리고 유리 에폭시 수지제 흡착판을 얹은 XY 스테이지 상에, 보호 시트면을 위로 하여 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트를 배치하였다. 파장 355 ㎚, 평균 출력 5W, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저의 제3 고조파(355 ㎚)를 fθ 렌즈에 의해 보호 시트가 달린 폴리카보네이트 시트 표면에 25 ㎛ 직경으로 집광하여, 갈바노 스캐너에 의해 레이저광을 20 ㎜/초의 속도로 스캔하여 절단하였다. 이때, 보호 시트 및 폴리카보네이트 시트가 절단되어 있는 것을 확인하였다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 폴리카보네이트 시트의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제1 비교예
제1 실시예에 있어서, 폴리카보네이트 시트의 한쪽 면에 보호 시트를 마련하지 않은 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리카보네이트 시트에 레이저 가공을 하였다. 그 후, 폴리카보네이트 시트의 레이저광 입사면 측의 가공 주변부를 관찰한 바, 비산한 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 비교예
제1 실시예에 있어서, 보호 시트의 기재로서 에틸렌-초산 비닐 공중합체 시트(두께 100 ㎛, 총 결합 에너지 A : 962 kJ/mol)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 폴리카보네이트 시트에 레이저 가공을 하였다. 총 결합 에너지 비는 1.34였다. 그 결과, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 폴리카보네이트 시트가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 폴리카보네이트 시트 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 폴리카보네이트 시트의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 폴리카보네이트의 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
제2 실시예
가공하는 재료로서, 실리콘 웨이퍼(두께 100 ㎛)를 이용한 것 이외는 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
또한, 폴리에틸렌으로 이루어지는 기재(두께 100 ㎛) 상에, 상기 아크릴계 점착제 용액 (1)을 도포, 건조하여 점착제층(두께 10 ㎛)을 형성하여 점착 시트를 제조하였다. 상기 점착 시트를 상기 보호 시트가 달린 실리콘 웨이퍼의 이면측에 부착하여, 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 실시예
보호 시트의 기재로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 시트(두께 25 ㎛, 총 결합 에너지 A : 692 kJ/mol)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트 및 실리콘 웨이퍼는 절단되어 있었지만, 점착 시트는 절단되어 있지 않았다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여 실리콘 웨이퍼의 보호 시트 접합면(레이저광 입사면 측)의 레이저 가공 주변부를 관찰한 바, 분해물(부착물)은 관찰되지 않았다.
제3 비교예
보호 시트의 기재로서 에틸렌-초산 비닐 공중합체 시트(두께 100 ㎛, 총 결합 에너지 A : 962 kJ/mol)를 이용한 것 이외는 제2 실시예와 마찬가지의 방법에 의해 보호·점착 시트가 달린 실리콘 웨이퍼를 제작하였다.
그 후, 제1 실시예와 마찬가지의 방법으로 절단 가공을 한 바, 보호 시트는 절단되어 있지 않고, 하층의 실리콘 웨이퍼가 레이저 가공되어 있어, 보호 시트와 실리콘 웨이퍼 사이에 분해물 잔사를 포함하는 거품이 발생하고 있었다. 그리고 보호 시트에 자외선을 조사하여 점착제층을 경화시켰다. 그 후, 보호 시트를 박리하여, 실리콘 웨이퍼의 레이저광 입사면 측의 개구부 주변을 관찰하면, 분해물 잔사가 다량으로 부착되어 있었다.
상기 실시예 및 비교예로부터 분명한 바와 같이, 총 결합 에너지 비가 1 미만인 보호 시트, 또는 총 결합 에너지 A가 800 kJ/mol 미만인 기재를 갖는 보호 시트를 선택하여 사용함으로써, 분해물에 의한 피가공물 표면의 오염을 효과적으로 억제할 수 있다. 그리고 그 후의 분해물 제거 공정을 대폭 간소화할 수 있으므로, 환경 부하 저감에 기여할 수 있을 뿐만 아니라 생산성의 향상도 도모할 수 있다.
본 발명의 레이저 가공용 보호 시트는, 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공할 때에 사용하는 것이다. 또한 본 발명은, 각종 피가공물에, 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 절단, 천공, 마킹, 홈 가공, 스크라이빙 가공, 또는 트리밍 가공 등의 형상 가공을 함으로써 얻을 수 있는 레이저 가공품의 제조 방법에 관한 것이다.
Claims (27)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 레이저광의 자외 흡수 어블레이션에 의해 피가공물을 가공할 때에 사용되고, 기재 위에 적어도 점착제층이 설치되어 있는 레이저 가공용 보호 시트를 피가공물의 레이저광 입사면측에 설치하는 공정 (1), 파장 355 ㎚, 에너지 플루언스 5(J/㎠), 반복 주파수 30 kHz, 및 펄스수 50(pulse)의 YAG 레이저를 상기 기재 표면에 조사했을 때의 기재의 에칭률(에칭 속도/에너지 플루언스)이 0.4[(㎛/pulse)/(J/㎠)] 이상으로 되는 조건으로 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트의 레이저광 조사부를 에칭한 후에 피가공물을 에칭하여 피가공물을 가공하는 공정 (2), 및 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정 (3)을 포함하며,상기 피가공물이 시트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지인 레이저 가공품의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 기재가 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하여 이루어지는 것인 레이저 가공품의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수에 대한 상기 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수(흡광 계수비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수/사용하는 피가공물의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수)가 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재의 자외 영역 파장 λ에 있어서의 흡광 계수가 20 ㎝-1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 금속계 재료의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 금속계 재료를 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 금속계 재료로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 자외 영역 파장 λ가 355 ㎚인 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 밀도에 대한 상기 기재의 밀도(밀도 비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 밀도/사용하는 피가공물의 밀도)가 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하 는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재의 밀도가 1.1 g/㎤ 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 금속계 재료의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 금속계 재료를 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 금속계 재료로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 인장 강도에 대한 레이저 가공용 보호 시트의 인장 강도(인장 강도비 = 레이저 가공용 보호 시트의 인장 강도/사용하는 피가공물의 인장 강도)가 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 및 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 인장 강도가 100 MPa 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 금속계 재료의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 파장 355 ㎚, 스캔 속도 20 ㎜/초, 반복 주파수 30 kHz의 YAG 레이저로 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 금속계 재료를 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 금속계 재료로부터 박리하는 공정을 포함하며,상기 금속계 재료가 반도체 웨이퍼 또는 금속 기판인 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 피가공물의 비열에 대한 상기 기재의 비열(비열비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 비열/사용하는 피가공물의 비열)이 1 미만인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 제10항, 제13항, 제15항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피가공물이 시트 재료, 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지인 레이저 가공품의 제조 방법.
- 삭제
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 사용하는 유기계 피가공물의 파장 546 ㎚에서의 굴절률에 대한 상기 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률(굴절률 비 = 레이저 가공용 보호 시트의 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률/사용하는 유기계 피가공물의 파장 546 ㎚에서의 굴절률)이 1 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 유기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 유기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 유기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재의 파장 546 ㎚에서의 굴절률이 1.53 이상인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 무기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 무기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 무기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 총 결합 에너지 비(총 결합 에너지 비 = 기재를 구성하는 수지 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값 중에서 최소 값인 총 결합 에너지 A/사용하는 유기계 피가공물을 구성하는 원료 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값 중에서 최소 값인 총 결합 에너지 B)가 1 미만인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 상기 유기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 유기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 유기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 기재 위에 적어도 점착제층을 갖고 있고, 또한 상기 기재를 구성하는 수지 성분 중 어느 하나의 탄소 원자와, 상기 탄소 원자에 결합하는 다른 원자와의 결합 에너지의 합계 값 중에서 최소 값인 총 결합 에너지 A가 800 kJ/mol 미만인 레이저 가공용 보호 시트를 사용하여, 무기계 피가공물의 레이저광 입사면 측에 상기 레이저 가공용 보호 시트의 점착제층을 부착하는 공정, 레이저광을 조사하여 레이저 가공용 보호 시트 및 무기계 피가공물을 가공하는 공정, 레이저 가공용 보호 시트를 가공 후의 무기계 피가공물로부터 박리하는 공정을 포함하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 제21항 또는 제23항에 있어서, 상기 무기계 피가공물이 회로 기판, 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 반도체 레이저의 발광 혹은 수광 소 자 기판, MEMS 기판, 또는 반도체 패키지인 레이저 가공품의 제조 방법.
- 제10항, 제11항, 제13항 내지 제17항 및 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재는 방향족계 폴리머 또는 실리콘계 고무를 함유하는 레이저 가공품의 제조 방법.
- 제10항, 제11항, 제13항 내지 제17항 및 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가공이 절단 또는 천공인 레이저 가공품의 제조 방법.
- 삭제
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